CN117337108A - 显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，显示基板包括隔断结构，设置于相邻的子像素之间，隔断结构包括层叠设置在衬底基板一侧的第一导电层、第二导电层和第三导电层，第一导电层相对于第二导电层靠近衬底基板；在沿相邻两个子像素的排列方向，第一导电层具有超出第二导电层的第一突出部，第三导电层具有超出第二导电层的第二突出部；发光功能层在隔断结构处断开且发光功能层至少不完全覆盖第一突出部，第二电极与第一导电层和第二导电层电性连接。本申请提供的显示基板及其制备方法和显示装置，通过隔断结构中的第二突出部能够使发光功能层在相邻子像素之间的位置断开，以使各个子像素内的发光功能层相互分离，形成预设形状的图案。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
近年来，有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)成为国内外非常热门的新兴平面显示器产品，这是因为OLED显示装置具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、面板薄、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性，而且它还具有低成本的潜力。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提出一种显示基板及其制备方法和显示装置。
基于上述目的，本申请第一方面提供了显示基板，包括：衬底基板；多个子像素，设置于所述衬底基板的一侧，各所述子像素包括发光元件，所述发光元件包括发光功能层和位于所述发光功能层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光功能层和所述衬底基板之间；隔断结构，设置于相邻的所述子像素之间，所述隔断结构包括层叠设置在衬底基板一侧的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层相对于所述第二导电层靠近所述衬底基板；在沿相邻两个所述子像素的排列方向，所述第一导电层具有超出所述第二导电层的第一突出部，所述第三导电层具有超出所述第二导电层的第二突出部；所述发光功能层在所述隔断结构处断开，且所述发光功能层至少不完全覆盖所述第一突出部，所述第二电极与所述第一导电层和所述第二导电层电性连接。
基于同一发明构思，本申请第二方面还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示基板。
基于同一发明构思，本申请第三方面还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在提供的衬底基板的一侧形成多个第一电极；
在所述衬底基板的一侧形成隔断结构；
在所述隔断结构和所述多个第一电极远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极，所述第二电极、所述发光功能层和多个所述第一电极形成多个子像素的发光元件；
其中，所述隔断结构设置于相邻的所述子像素之间，所述隔断结构包括层叠设置在衬底基板一侧的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层相对于所述第二导电层靠近所述衬底基板；在沿相邻两个所述子像素的排列方向，所述第一导电层具有超出所述第二导电层的第一突出部，所述第三导电层具有超出所述第二导电层的第二突出部。
从上面所述可以看出，本申请提供的显示基板及其制备方法和显示装置，通过隔断结构中的第二突出部能够使发光功能层在相邻子像素之间的位置断开，以使各个子像素内的发光功能层相互分离，形成预设形状的图案。同时，由于隔断结构包括相互连接的第一导电层、第二导电层和第三导电层，其自身具备较好的导电能力，相邻子像素的第二电极能够通过设置在相邻子像素之间的隔断结构实现电性连接。而第二电极与第一导电层的第一突出部和第二导电层连接，能够保证第二电极与隔断结构可靠连接，也能够进一步降低第二电极整体的电阻。
附图说明
为了更清楚地说明本申请或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为OLED显示装置的示意图；
图2为OLED显示装置中的像素电路的示意图；
图3为本申请实施例的显示基板的示意图；
图4为图3中A部分的放大示意图；
图5至图7为本申请实施例的显示基板的制备方法中形成像素定义层和隔断结构的过程示意图；
图8为本申请实施例的显示基板的制备方法中形成发光功能层的示意图；
图9为本申请实施例的显示基板的制备方法中形成第二电极的示意图；
图10为本申请实施例的显示基板的制备方法中形成第一封装层的示意图；
图11至图14为本申请实施例的显示基板的制备方法中形成不同种子像素中的发光元件的示意图；
图15为本申请实施例的显示基板的制备方法中形成现有封装层的示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本申请进一步详细说明。
应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件的相对布置、数字表达式和数值不限制本申请的范围。
同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，绝不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。
需要说明的是，除非另外定义，本申请实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在相关技术中，目前量产的OLED显示装置1000中，包括显示区DA和非显示区ND，如图1所示。显示区DA的形状和非显示区ND的形状可以是矩形、圆形、椭圆形或样条曲线构成的不规则形状。对于显示区DA和非显示区ND之间的相对位置，示例性的，OLED显示装置可包括至少一个显示区DA，非显示区ND围绕显示区DA设置，或者，OLED显示装置可包括至少一个非显示区ND，显示区DA围绕非显示区ND设置，再或者非显示区ND位于显示区DA的一侧。
非显示区ND内可设置阵列基板栅驱动(Gate Driver on Array，简称：GOA)电路、电子元件、柔性电路板(FPC)、驱动芯片(IC)和辅助结构中的至少一种，其中，辅助结构可包括阻挡坝(DAM)或者裂纹挡墙(crack DAM)等。显示区DA内则阵列设置多个子像素600，即多个子像素600可沿图1中的X方向和Y方向排列，多个子像素600可分别产生不同种颜色的光以显示图形。
每一个子像素600可以包括现有发光元件和用于控制该现有发光元件的电路，如图2所示。每一个子像素600对应的电路中分别包括开关薄膜晶体管(STFT)、驱动薄膜晶体管(DTFT)和电容。
现有发光元件包括有机材料形成的现有发光功能层和设置于现有发光功能层两侧的阳极和阴极。
通常情况下，现有发光功能层一般使用蒸镀工艺形成，在该工艺制程中会采用精细掩膜(FFM)，由于精细掩膜的加工精度和开口变形等问题，所形成的现有发光功能层的图案精度会受到不良影响，使得OLED显示产品无法向高PPI显示发展。
申请人研究发现，为了使显示装置能够正常显示画面，现有发光功能层需包括与各个子像素600一一对应图案，且相邻图案之间需要相互断开。由于每一个图案的尺寸较小，因此才需要使用精细掩膜。若能够通过其他方式形成上述图案，那么即可在蒸镀工艺中避免使用精细掩膜。
有鉴于此，如图3和图4所示，本申请实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板100；多个子像素600，设置于所述衬底基板100的一侧，各所述子像素600包括发光元件320，所述发光元件320包括发光功能层322和位于所述发光功能层322两侧的第一电极321和第二电极323，所述第一电极321位于所述发光功能层322和所述衬底基板100之间；隔断结构400，设置于相邻的所述子像素600之间，所述隔断结构400包括层叠设置在衬底基板100一侧的第一导电层410、第二导电层420和第三导电层430，所述第一导电层410相对于所述第二导电层420靠近所述衬底基板100；在沿相邻两个所述子像素600的排列方向(如图1中的X方向或Y方向)，所述第一导电层410具有超出所述第二导电层420的第一突出部411，所述第三导电层430具有超出所述第二导电层420的第二突出部431；所述发光功能层322在所述隔断结构400处断开，且所述发光功能层322至少不完全覆盖所述第一突出部411，所述第二电极323与所述第一导电层410和所述第二导电层420电性连接。
图3示出了一种显示基板的结构示意图，以图中所示结构为例对本实施例的显示基板进行进一步说明。
衬底基板100包括基底110，以及设置于基底110一侧的缓冲层120(buffer)。基底110的材料可以为玻璃(glass)或聚酰亚胺(PI)等。缓冲层120的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪和氧化锆等无机绝缘材料中的至少一种。其中，缓冲层120可以为上述单一材料形成的单层结构或者上述至少两种材料形成的叠层结构，如SiNX/SiO2或SiO2/SiNX/SiO2。
需要说明的是，当基底110为PI时，在基底110和缓冲层120之间还可设置有阻挡层(barrier)。
在缓冲层120远离基底110的一侧设置有像素电路层200，像素电路层200包括层叠设置的有源层210、第一栅绝缘层220(GI1)、第一栅极230(gate1)、第二栅绝缘层240(GI2)、第二栅极250(gate1)、层间介质层260(ILD)和源漏极270(SD)。
有源层210的材料可以为多晶硅、非晶硅或氧化物半导体(例如，[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c]，其中a、b、c为实数，分别满足a≥0、b≥0、c>0的条件)。
第一栅绝缘层220或第二栅绝缘层240的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪和氧化锆等无机绝缘材料中的至少一种。其中，第一栅绝缘层220或第二栅绝缘层240可以为单层结构或叠层结构。第一栅绝缘层220和第二栅绝缘层240的材料和结构可相同也可不同。
第一栅极230或第二栅极250的材料可以为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种。第一栅极230和第二栅极250的材料和结构可相同也可不同。
层间介质层260的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪和氧化锆中至少一种无机绝缘材料。其中，层间介质层260可以为单层结构或叠层结构。
源漏极270的材料可以为钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的至少一种，其中，源极或漏极可以具有如Ti/Al/Ti的多层结构。
在像素电路层200远离衬底基板100的一侧还设置有发光结构层300，发光结构层300包括层叠设置的平坦层310(PLN)、第一电极321、像素定义层330(PDL)、发光功能层322(EL)和第二电极323。
平坦层310覆盖像素电路层200，平坦层310的材料可以为聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB和酚醛树脂中的至少一种有机绝缘材料。
第一电极321设置有多个，示例性的，第一电极321与显示基板的子像素600一一对应。当第一电极321为阳极(AND)时，第一电极321为透明或半透明结构，且每个第一电极321分别穿过平坦层310与对应的源漏极270连接。第一电极321的材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种，也可以为如ITO/Ag/ITO的多层结构。
示例性的，在第一电极321和平坦层310之间还可设置反射层，反射层的材料可以为银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)和铬(Cr)中的至少一种。
像素定义层330包括多个像素开口331，示例性的，像素开口331的数量和位置与子像素600和第一电极321一一对应，像素定义层330通过像素开口331露出第一电极321，以使第一电极321能够与发光功能层322连接。
发光功能层322为多层薄膜结构，可以包括空穴注入层，该空穴注入层用于注入空穴；空穴传输层，该空穴传输层具有优异的空穴传输性能并且用于通过抑制未结合的电子在光产生层中的运动来增加空穴与电子复合的机会；光产生层，该光产生层通过注入的电子和空穴的复合而发光；空穴阻挡层，该空穴阻挡层用于抑制未结合的空穴在光产生层中的运动；电子传输层，该电子传输层用于将电子平稳地传输到光产生层；以及电子注入层，用于注入电子。
第二电极323与发光功能层322连接，当第二电极323为阴极时，其材料可以为一些低功函数金属如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、金(Au)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、氟化钡(BaF)、钡(Ba)或它们的化合物或混合物，比如Ag和Mg的混合物。
示例性的，隔断结构400中的第一导电层410和第三导电层430的刻蚀速率相等或相近，第二导电层420的刻蚀速率大于第一导电层410的刻蚀速率且大于第三导电层430的刻蚀速率。
由于第一导电层410、第二导电层420和第三导电层430存在上述刻蚀速率的差异，因此在同样的刻蚀环境下，第二导电层420的边缘相较于第一导电层410的边缘更靠近中心位置，即第二导电层420在第一导电层410的正投影位于第一导电层410的边缘范围内，第一导电层410中位于该正投影之外的部分即形成第一突出部411。同理，第二突出部431即第三导电层430中位于第二导电层420在第三导电层430的正投影之外的部分。
示例性的，隔断结构400也可以为如Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Ti/M/Ti的叠层结构，其中叠层结构中的三个材料层分别对应第一导电层410、第二导电层420和第三导电层430。
在本实施例中，为了使相邻子像素600中的发光功能层322相互断开，在相邻子像素600之间设置隔断结构400。在蒸镀形成发光功能层322时，镀膜材料气化后的粒子形成蒸镀束流，蒸镀束流由隔断结构400的上方(远离衬底基板100一侧)向隔断结构400和隔断结构400下方的结构层移动。第三导电层430的第二突出部431会对蒸镀束流起到遮挡作用，即镀膜材料粒子一部分会在第三导电层430的上表面凝聚成薄膜，而另一部分则在子像素600内的结构上表面凝聚成薄膜，由于两个表面具有一定的断差，凝聚在两个表面的薄膜相互断开。位于第三导电层430上的薄膜无法与第一电极321连接，其不具备发光功能；位于子像素600内的薄膜至少部分与第一电极321连接，具备发光功能，换句话说，此时，每个子像素600内形成了具备发光功能的发光功能层322图案，而相邻子像素600之间则形成了不具备发光功能的薄膜图案，实现相邻子像素600的发光功能层322图案相互断开的效果。
所述发光功能层322在所述隔断结构400处断开，且所述发光功能层322至少不完全覆盖所述第一突出部411，包括以下情况：
其一，是发光功能层322的断面位于第一突出部411的侧壁外侧，此时，发光功能层322与第一导电层410不接触。
其二，是发光功能层322的断面与第一突出部411的侧壁刚好接触。
其三，是发光功能层322覆盖第一突出部411的上表面靠近边缘的部分区域。
其四，是发光功能层322完全覆盖第一突出部411的全部上表面(即发光功能层322在第一突出部411的上表面的正投影与第一突出部411的上表面重合)，但是发光功能层322在第一突出部411的侧壁断开，使得第一突出部411的侧壁至少部分外露。
无论上述任一情况，只要保证第一突出部411的上表面或者侧壁仍具有未被发光功能层322覆盖的区域，该未被覆盖的区域就能够用于使第二电极323与第一导电层410进行可靠连接。
第二电极323作为公共电极其为各个子像素600提供公共电压，为了使全部子像素600的公共电压相同，通常第二电极323为整层设置。
在本实施例中，当第二电极323通过蒸镀工艺形成时，其也会在第三导电层430的遮挡作用下断开，为了各个子像素600中的第二电极323相互连接成为一个整体结构，在蒸镀第二电极323的过程中，可调节蒸镀束流与第三导电层430所在平面之间的角度，以使蒸镀束流能够倾斜的越过第二突出部431的边缘进入第一导电层410和第三导电层430之间的空间内，该部分蒸镀束流在第一导电层410上表面和第二导电层420侧表面上凝聚成薄膜。
需要说明的是，对应上述列举的四种情况：
当发光功能层322与第一导电层410不接触时，蒸镀第二电极323时所形成的薄膜能够在发光功能层322上表面与第一突出部411上表面之间形成连续的薄膜，从而使得第二电极323能够与隔断结构400连接。
当发光功能层322的断面与第一突出部411的侧壁刚好接触时，在该接触位置，发光功能层322上表面与第一突出部411上表面之间的高度差较小(例如，该高度差小于第二电极323的厚度)，或者发光功能层322的端面能够与第一突出部411上表面之间形成较为平缓的过渡结构(如倾斜表面)，以使上述薄膜能够在发光功能层322上表面与第一突出部411上表面之间形成连续的薄膜。
当发光功能层322覆盖第一突出部411上表面靠近边缘的部分区域时，覆盖第一突出部411上表面的发光功能层322的厚度较小(例如该厚度小于第二电极323的厚度)，或者发光功能层322的上表面能够与第一突出部411上表面之间形成较为平缓的过渡结构(如倾斜表面)，以使上述薄膜能够至少包覆发光功能层322的上表面，并连续的延伸至第一突出部411上表面。
当发光功能层322完全覆盖第一突出部411的全部上表面，但第一突出部411的侧壁至少部分外露时，覆盖第一突出部411上表面的发光功能层322和位于第一突出部411外侧的发光功能层322之间高度差较小(例如，该高度差小于第二电极323的厚度)，以使上述薄膜不仅能够包覆第一突出部411外侧的发光功能层322，还可以连续的向上延伸至第一突出部411的侧壁以实现与第一导电层410连接，并且还该薄膜还包覆位于第一突出部411上表面的发光功能层322。
此外，上述薄膜还连续的延伸至第二导电层420的侧壁，该薄膜沿着第二导电层420的侧壁向上延伸，且薄膜的厚度随着延伸高度的升高逐渐下降。
上述薄膜与形成在子像素600中的第二电极323为一体结构，即相邻子像素600中的第二电极323同时与两者之间的隔断结构400连接，以使相邻子像素600中的第二电极323实现电性连接。
同时，由于隔断结构400包括相互连接且分别具备导电能力的第一导电层410、第二导电层420和第三导电层430，这使得隔断结构400中具备导电能力的结构的截面面积较大，当第二电极323与隔断结构400连接时，隔断结构400能够在一定程度上降低第二电极323的电阻，有助于提高显示基板的显示效果。
本申请实施例提供的显示基板，通过隔断结构400中的第二突出部431能够使发光功能层322在相邻子像素600之间的位置断开，以使各个子像素600内的发光功能层322相互分离，形成预设形状的图案。同时，由于隔断结构400包括相互连接的第一导电层410、第二导电层420和第三导电层430，其自身具备较好的导电能力，相邻子像素600的第二电极323能够通过设置在相邻子像素600之间的隔断结构400实现电性连接。而第二电极323与第一导电层410的第一突出部411和第二导电层420连接，能够保证第二电极323与隔断结构400可靠连接，也能够进一步降低第二电极323整体的电阻。
此外，需要说明的是，由于发光功能层322的电阻很大，即使其与第一导电层410连接，也不会出现相邻子像素600之间发送串扰等影响显示基板显示效果的不良。
通过上述内容可知，通过调整蒸镀束流与第三导电层430所在平面之间的角度，可以控制蒸镀形成的结构层靠近隔断结构400的边缘与第一突出部411之间的位置关系。为了简化蒸镀发光功能层322时的调整过程，如图4所示，在一些实施例中，所述第一突出部411在所述衬底基板100的正投影的边缘，与所述第二突出部431在所述衬底基板100的正投影的边缘重合。
采用本实施例提供的隔断结构400，在蒸镀发光功能层322时，只要保证蒸镀束流与第三导电层430所在平面垂直，即可使发光功能层322的断面与第一突出部411的侧壁刚好接触。
如图3和图4所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括：第一封装层500，设置于所述第二电极323远离所述衬底基板100的一侧；所述第二电极323覆盖所述发光功能层322，所述第一封装层500包覆所述第二电极323和所述隔断结构400。
第一封装层500能够对第二电极323和发光功能层322起到保护作用，在显示基板的制作过程中避免水汽和/或氧气侵蚀发光元件320。在设置第一封装层500后，形成第二电极323和发光功能层322的工艺选择更加灵活，不再局限于真空环境，能够采用刻蚀等图案化工艺。
在一些实施例中，所述第一封装层500的材料为无机材料。
示例性的，第一封装层500的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪和氧化锆等无机绝缘材料中的至少一种。其中，第一封装层500可以为单层结构或叠层结构。
如图3、图4和图7所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括：像素定义层330，设置于所述衬底基板100的一侧；其中，所述像素定义层330部分位于所述第一电极321远离所述衬底基板100的一侧，所述像素定义层330包括多个与所述子像素600一一对应的像素开口331，所述发光功能层322通过所述像素开口331与所述第一电极321连接；所述第一导电层410的所述第一突出部411位于所述像素定义层330远离所述衬底基板100的一侧。
像素定义层330部分位于第一电极321远离衬底基板100的一侧，另一部分则位于平坦层310远离衬底基板100的一侧。
第一导电层410的第一突出部411以及位于第一突出部411上方的第二导电层420和第三导电层430均位于像素定义层330远离衬底基板100的一侧。这样，在形成发光功能层322时，第二突出部431位于像素定义层330上方的较高位置，更容易使发光功能层322在隔断结构400的作用下断开。
如图3所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括：辅助电极800，设置于所述像素定义层330靠近所述衬底基板100的一侧；所述第一导电层410至少穿过所述像素定义层330与所述辅助电极800连接。
示例性的，辅助电极800与源漏极270同层设置，第一导电层410通过贯穿像素定义层330和平坦层310的过孔与辅助电极800连接。这使得辅助电极800不仅能够减小第二电极323的电阻，还能够通过隔断结构400向第二电极323发送公共电压信号。
在一些实施例中，所述像素定义层330的材料为无机材料。无机材料的像素定义层330具备封装保护能力，在其未形成像素开口331时，能够对覆盖的第一电极321起到保护作用，避免水汽入侵。
在一些实施例中，所述像素定义层330的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪和氧化锆中至少一种。
基于同一个发明构思，结合上述各个实施例的显示面板的描述，本实施例提供一种显示装置，该显示装置具有上述各个实施例的显示面板相应的技术效果，在此不再赘述。
一种显示装置，包括上述各个实施例所述的显示基板。
基于同一个发明构思，结合上述各个实施例的显示面板的描述，本实施例提供一种显示装置的制备方法，该方法具有上述各个实施例的显示面板相应的技术效果，在此不再赘述。
本申请实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：
步骤1，在提供的衬底基板的一侧形成多个第一电极。
示例性的，第一电极为阳极，形成第一电极的方法与相关技术中形成发光结构层的阳极的方法相同，在此不再赘述。
如图5所述，步骤2，在形成有多个所述第一电极321的所述衬底基板100的一侧形成至少覆盖所述第一电极321的待成型像素定义层700。
此时的待成型像素定义层700不设置像素开口，待成型像素定义层700覆盖全部第一电极321以作为第一电极321的保护结构层。
示例性的，待成型像素定义层700可设置有供隔断结构400穿过的隔断过孔710，以使形成在待成型像素定义层700上的隔断结构400能够通过隔断过孔710与待成型像素定义层700下方的结构层(例如辅助电极800)连接。
如图6所示，步骤3，在所述衬底基板的一侧形成隔断结构400。
在已形成的结构层上，且位于相邻子像素之间的位置形成隔断结构400。隔断结构400可采用刻蚀速率不同的叠层材料，其中，中间材料层的刻蚀速率较大，底层材料层和顶层材料层的刻蚀速率较小，例如Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Ti/M/Ti。在相同的刻蚀环境中，中间材料层被刻蚀掉的材料较多，形成隔断结构400的第二导电层，而底层材料层和顶层材料层被刻蚀掉的材料较少，分别形成具有第一突出部的第一导电层和具有第二突出部的第三导电层。
在刻蚀形成隔断结构400的过程中，覆盖第一电极321的待成型像素定义层700能够对第一电极321起到封装保护作用，避免第一电极321在刻蚀工艺中受到损伤。
如图7所示，步骤4，形成隔断结构400后，在所述待成型像素定义层700形成使所述第一电极321外露的像素开口331，以使所述待成型像素定义层700形成像素定义层330。
在隔断结构400刻蚀成型后，已经无需为第一电极321提供保护，同时，由于后续形成的发光功能层需要与第一电极321连接，因此需要在待成型像素定义层700上形成与第一电极321对应的像素开口331，像素开口331贯通至第一电极321以使第一电极321外露。在待成型像素定义层700开设像素开口331后，其形成像素定义层330。
如图8所示，步骤5，在所述隔断结构400和所述多个第一电极321远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层322。
在一些实施例中，发光功能层322通过蒸镀工艺形成，形成发光功能层322的蒸镀束流的方向(如图8中的U方向)与垂直于衬底基板的法线(如图8中的虚线)之间的夹角为a。示例性的，夹角a大于等于0°。
如图8，在蒸镀过程中，一部分用于形成发光功能层322的薄膜粒子附着在第三导电层430的上表面，凝聚形成位于相邻子像素之间的不具备发光功能的薄膜，大部分薄膜粒子则附着在第一电极321和像素定义层330表面，形成位于子像素内的发光功能层322，不具备发光功能的薄膜与发光功能层322之间相互断开，以使相邻子像素的发光功能层322不会相互连接。
如图9所示，步骤6，在所述发光功能层322远离所述衬底基板的一侧形成第二电极323，所述第二电极323、所述发光功能层322和多个所述第一电极321形成多个子像素的发光元件。
在一些实施例中，第二电极323通过蒸镀工艺形成，形成第二电极323的蒸镀束流的方向(如图9中的V方向)与垂直于衬底基板的法线(如图9中的虚线)之间的夹角为b，夹角b大于夹角a。
如图9，在蒸镀过程中，一部分用于形成第二电极323的薄膜粒子附着在第三导电层430上的薄膜的表面，凝聚形成位于相邻子像素之间的独立薄膜，大部分薄膜粒子则附着在发光功能层322，形成位于子像素内的第二电极323。
由于形成第二电极323的蒸镀束流相对于衬底基板的法线更加倾斜，其能够绕过第二突出部431的边缘进入到第三导电层430和第一导电层410之间，因此，第二电极323的边缘会延伸到第二导电层420，形成与第一导电层410和第二导电层420同时接触连接的结构。
如图10，在一些实施例中，所述方法还包括步骤7，在所述第二电极323远离所述衬底基板的一侧形成第一封装层500，第一封装层500包覆第二电极323和隔断结构400。
示例性的，多个子像素包括三种子像素，例如红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素，相应的，发光元件也包括分别与红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素对应的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件。示例性的，第一发光元件设置于红色子像素，第二发光元件设置于蓝色子像素，第三发光元件设置于绿色子像素。
在一些实施例中，所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件通过图案化工艺依次形成。
以下对本实施例中形成第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件的过程做进一步做示例性说明。
第一发光元件包括能够发出红色光的发光功能层(以下简称REL)，第二发光元件包括能够发出蓝色光的发光功能层(以下简称BEL)，第三发光元件包括能够发出绿色光的发光功能层(以下简称GEL)。
首先在形成隔断结构400和像素定义层330后，通过上述方式形成覆盖全部子像素的REL和覆盖REL的第二电极323。之后，形成包覆第二电极323和隔断结构400的第一封装层500，如图11所示。
在形成该第一封装层500后，对蓝色子像素和绿色子像素对应的区域进行刻蚀，以将上述区域内的REL、第二电极323和第一封装层500去除，如图12所示。
需要说明的是，对于位于红色子像素和非红色子像素之间的隔断结构400，如图12，其朝向红色子像素的一侧和第三导电层430上靠近红色子像素的区域均保留REL、第二电极323和第一封装层500，而朝向非红色子像素的一侧和第三导电层上靠近非红色子像素的区域则去除相应位置上的REL、第二电极和第一封装层，以使相应位置的隔断结构400外露。
在上一轮工艺完成后，再形成覆盖全部子像素的BEL、覆盖BEL的第二电极323’以及覆盖该第二电极323’的第一封装层500’。此时，红色子像素内在首轮工艺形成的REL、第二电极323和第一封装层500上覆盖第二轮工艺形成BEL、第二电极323’和第一封装层500’，如图13。
之后，对红色子像素和绿色子像素对应的区域进行刻蚀，以将上述区域内的BEL、第二轮工艺形成的第二电极323’和第二轮工艺形成的第一封装层500’去除，如图14所示。
在第二轮工艺完成后，再形成GEL、覆盖GEL的第二电极和覆盖该第二电极的第一封装层。之后，再对红色子像素和蓝色子像素对应的区域进行刻蚀，以将上述区域内的GEL、第三轮工艺形成的第二电极和第三轮工艺形成的第一封装层去除。
此时，红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素内均形成有各自对应的发光元件。同时，发光元件上还具有第一封装层。再之后，还需要形成整层的现有封装层900，如图15。
示例性的，现有封装层900包括层叠设置的第一无机封装层(CVD1)、有机封装层(IJP)和第二无机封装层(CVD2)。
需要说明的是，本实施例中的第一封装层主要用于在上述刻蚀过程中对未被去除的发光元件进行保护，以防止外界环境中的水汽和/或氧气侵蚀发光元件。而现有封装层是在全部发光元件成型后，对全部发光元件进行整体封装保护，其主要用于在显示基板使用过程中对显示基板进行保护。
需要说明的是，上述对本申请的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
本申请中各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似的部分相互参见即可。
本申请的描述是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本申请限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显然的。选择和描述实施例是为了更好说明本申请的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本申请从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本申请的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本申请的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本申请实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
尽管已经结合了本申请的具体实施例对本申请进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。
本申请实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本申请实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (14)
1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底基板；
多个子像素，设置于所述衬底基板的一侧，各所述子像素包括发光元件，所述发光元件包括发光功能层和位于所述发光功能层两侧的第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述发光功能层和所述衬底基板之间；
隔断结构，设置于相邻的所述子像素之间，所述隔断结构包括层叠设置在衬底基板一侧的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层相对于所述第二导电层靠近所述衬底基板；在沿相邻两个所述子像素的排列方向，所述第一导电层具有超出所述第二导电层的第一突出部，所述第三导电层具有超出所述第二导电层的第二突出部；
所述发光功能层在所述隔断结构处断开，且所述发光功能层至少不完全覆盖所述第一突出部，所述第二电极与所述第一导电层和所述第二导电层电性连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一突出部在所述衬底基板的正投影的边缘，与所述第二突出部在所述衬底基板的正投影的边缘重合。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
第一封装层，设置于所述第二电极远离所述衬底基板的一侧；
所述第二电极覆盖所述发光功能层，所述第一封装层包覆所述第二电极和所述隔断结构。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一封装层的材料为无机材料。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
像素定义层，设置于所述衬底基板的一侧；
其中，所述像素定义层部分位于所述第一电极远离所述衬底基板的一侧，所述像素定义层包括多个与所述子像素一一对应的像素开口，所述发光功能层通过所述像素开口与所述第一电极连接；所述第一导电层的所述第一突出部位于所述像素定义层远离所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：
辅助电极，设置于所述像素定义层靠近所述衬底基板的一侧；
所述第一导电层至少穿过所述像素定义层与所述辅助电极连接。
7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层的材料为无机材料。
8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述像素定义层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌、氧化铪和氧化锆中至少一种。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示基板。
10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在提供的衬底基板的一侧形成多个第一电极；
在所述衬底基板的一侧形成隔断结构；
在所述隔断结构和所述多个第一电极远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层；
在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极，所述第二电极、所述发光功能层和多个所述第一电极形成多个子像素的发光元件；
其中，所述隔断结构设置于相邻的所述子像素之间，所述隔断结构包括层叠设置在衬底基板一侧的第一导电层、第二导电层和第三导电层，所述第一导电层相对于所述第二导电层靠近所述衬底基板；在沿相邻两个所述子像素的排列方向，所述第一导电层具有超出所述第二导电层的第一突出部，所述第三导电层具有超出所述第二导电层的第二突出部。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述在提供的衬底基板的一侧形成多个第一电极之后，且在所述在所述衬底基板的一侧形成隔断结构之前，所述方法还包括：
在形成有多个所述第一电极的所述衬底基板的一侧形成至少覆盖所述第一电极的待成型像素定义层；
在所述在所述衬底基板的一侧形成隔断结构之后，且所述在所述隔断结构和所述多个第一电极远离所述衬底基板的一侧形成发光功能层之前，所述方法还包括：
在所述待成型像素定义层形成使所述第一电极外露的像素开口，以使待成型像素定义层形成像素定义层。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述发光功能层和所述第二电极分别通过蒸镀工艺形成；
其中，形成发光功能层的蒸镀束流的方向与垂直于衬底基板的法线之间的夹角为a，形成第二电极层的蒸镀束流的方向与法线之间的夹角为b，b大于a。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，发光元件包括第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件；
所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件通过图案化工艺依次形成。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述在所述发光功能层远离所述衬底基板的一侧形成第二电极之后，且在图案化工艺之前，所述方法还包括：
在所述发光元件远离所述衬底基板的一侧形成第一封装层。
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