CN117328138A - 一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法 - Google Patents
一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117328138A CN117328138A CN202311306880.0A CN202311306880A CN117328138A CN 117328138 A CN117328138 A CN 117328138A CN 202311306880 A CN202311306880 A CN 202311306880A CN 117328138 A CN117328138 A CN 117328138A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- control
- consistency
- temperature
- control method
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明提供了一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法包括控制晶锭生长质量影响因素的一致性；所述晶锭生长质量影响因素包括红外测温仪、石墨体、测温距离、感应线圈匝间距、炉腔压力、生长系统圆周温度、长晶过程中加热温度、水冷系统中冷媒、掺杂气体和热场外围散热环境。本发明提供的控制方法综合了多项关键的晶锭生长质量影响因素，并将这些因素限定在合理范围内，从而将碳化硅晶锭的生长质量一致性良率控制在95％以上，有利于大规模推广应用。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，涉及一种晶锭生长质量的控制方法，尤其涉及一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法。
背景技术
第三代半导体材料-碳化硅处于快速发展的时期，在产业化生产过程中，使用PVT法生长碳化硅晶锭是主流工艺。利用这种工艺生产的碳化硅晶锭，由于生长过程控制特别复杂，故所得晶锭的质量一致性相对较差，良率较低。
碳化硅晶体生长是一种相当复杂的系统，这个系统受多方因素不同条件的影响作用下会产生截然不同的生长结果。目前，碳化硅衬底产业中大多数企业处于扩产的阶段，各家企业仅仅完成研发阶段下使用单台设备多次重复生长模式下的良率控制，而产业化过程需要解决的不仅仅是单台设备的良率控制问题，更是要解决几十台甚至成百上千台数量区间内设备同时生产的良率控制问题。
在研发模式下，通常使用单台设备进行晶体生长实验。由于设备母体量只有1台，晶体生长时所涉及的设备参数、生长环境参数、工艺控制参数等方面存在不一致现象的机率较小。然而，在产业化过程中，动辄就是成百上千台设备的量级，如何控制千台设备的同时达到单台设备运行模式的良率指标，就需要寻求单台设备控制模式以外的其它因素进行控制，这些其他方面的因素就是从研发向生产过渡阶段中尚未被发掘或探索中的“工艺盲区”。
以6英寸碳化硅衬底发展过程为例，2021年之前，国内多家企业基本处于研发阶段，个别企业处于研发转产的小批量试制阶段，小部分企业报道已购置大量单机设备，但因缺少符合产业化的成熟生产工艺，故暂未完成产业化。其根本原因在于：一方面是碳化技术门槛较高，生长工艺复杂；另一方是研发阶段输出的工艺产品良率过低，无法达到盈利目的，故不能大批量投产。
由于碳化硅生长成本较高，单台单次实验需花费4-6万元，故在研发阶段，设备投入数量相对较少，且不同设备运行的研发工艺也相差较大，而技术人员关注和控制的参数均来源于研发条件下单台或少量机台的运行模式。
上述模式输出的工艺条件与产业化的成熟工艺条件之间存在着一定的差距，如何把研发模式输出的工艺条件转化为成熟的产业化工艺条件，且达到相对较高的良率指标，成为了目前本领域技术人员迫切需要解决的问题。
发明内容
针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法综合了多项关键的晶锭生长质量影响因素，并将这些因素限定在合理范围内，从而将碳化硅晶锭的生长质量一致性良率控制在95％以上，有利于大规模推广应用。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法包括控制晶锭生长质量影响因素的一致性。
所述晶锭生长质量影响因素包括红外测温仪、石墨体、测温距离、感应线圈匝间距、炉腔压力、生长系统圆周温度、长晶过程中加热温度、水冷系统中冷媒、掺杂气体和热场外围散热环境。
本发明提供的控制方法通过对现有碳化硅晶锭生长工艺中存在的诸多工艺盲区进行有效控制，综合了多项关键的晶锭生长质量影响因素，并将这些因素限定在合理范围内，从而将碳化硅晶锭的生长质量一致性良率控制在95％以上，有利于大规模推广应用。
优选地，所述红外测温仪的一致性控制包括：对批量使用的红外测温仪进行温度校准，且温度公差的绝对值≤2℃，例如可以是0℃、0.2℃、0.4℃、0.6℃、0.8℃、1℃、1.2℃、1.4℃、1.6℃、1.8℃或2℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述红外测温仪的使用环境温度为2100-2200℃，例如可以是2100℃、2110℃、2120℃、2130℃、2140℃、2150℃、2160℃、2170℃、2180℃、2190℃或2200℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述石墨体的一致性控制包括：采用同一种材质的石墨体，且所述石墨体的形状及尺寸均相同。
优选地，所述石墨体呈现中空形状，且顶部设置有开孔。
优选地，所述开孔的直径为5-10mm，例如可以是5mm、5.5mm、6mm、6.5mm、7mm、7.5mm、8mm、8.5mm、9mm、9.5mm或10mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述测温距离的一致性控制包括：控制红外测温仪到测温点表面的距离相等，且距离公差的绝对值≤2mm，例如可以是0mm、0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、1mm、1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm或2mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述测温距离为550-650mm，例如可以是550mm、560mm、570mm、580mm、590mm、600mm、610mm、620mm、630mm、640mm或650mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述红外测温仪到测温点表面的距离由位置调节装置来进行控制。
优选地，所述感应线圈匝间距的一致性控制包括：采用张紧装置调整感应线圈的匝间距相同，且匝间距公差的绝对值≤0.5mm，例如可以是0mm、0.05mm、0.1mm、0.15mm、0.2mm、0.25mm、0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm或0.5mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述感应线圈匝间距为4-6mm，例如可以是4mm、4.2mm、4.4mm、4.6mm、4.8mm、5mm、5.2mm、5.4mm、5.6mm、5.8mm或6mm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述炉腔压力的一致性控制包括：采用管道连通装置同时对接各台单晶炉腔体，校准压力计的示数显示一致，且压力误差的绝对值≤0.03mbar，例如可以是0mbar、0.005mbar、0.01mbar、0.015mbar、0.02mbar、0.025mbar或0.03mbar，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述炉腔压力为1-10mbar，例如可以是1mbar、2mbar、3mbar、4mbar、5mbar、6mbar、7mbar、8mbar、9mbar或10mbar，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述生长系统圆周温度的一致性控制包括：采用旋转的方式，控制发热体与坩埚之间产生相对转动。
优选地，所述长晶过程中加热温度的一致性控制包括：在晶体生长过程中采用温度控制的方式批量控制加热温度，且加热温度公差的绝对值≤1℃，例如可以是0℃、0.1℃、0.2℃、0.3℃、0.4℃、0.5℃、0.6℃、0.7℃、0.8℃、0.9℃或1℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述水冷系统中冷媒的一致性控制包括：采用蝶阀控制冷却水流量的方式调节冷媒温度，且冷媒温度公差的绝对值≤0.5℃，例如可以是0℃、0.05℃、0.1℃、0.15℃、0.2℃、0.25℃、0.3℃、0.35℃、0.4℃、0.45℃或0.5℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述冷媒温度为30-40℃，例如可以是30℃、31℃、32℃、33℃、34℃、35℃、36℃、37℃、38℃、39℃或40℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述掺杂气体的一致性控制包括：在晶体生长过程中分阶段斜率控制掺杂气体的流量，以实现电阻率的一致性控制。
本发明中，所述掺杂气体的具体种类并不影响碳化硅晶锭生长质量一致性控制良率，只要保证各台单晶炉腔体内掺杂气体的种类相同即可，故在此不对掺杂气体的具体种类做特别限定。
优选地，所述热场外围散热环境的一致性控制包括：在炉腔外壁进行镀铝和/或镀银，将腔室内的热场光线反射至热场外壁。
本发明所述的数值范围不仅包括上述例举的点值，还包括没有例举出的上述数值范围之间的任意的点值，限于篇幅及出于简明的考虑，本发明不再穷尽列举所述范围包括的具体点值。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提供的控制方法通过对现有碳化硅晶锭生长工艺中存在的诸多工艺盲区进行有效控制，综合了多项关键的晶锭生长质量影响因素，并将这些因素限定在合理范围内，从而将碳化硅晶锭的生长质量一致性良率控制在95％以上，有利于大规模推广应用。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
本发明提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法包括控制晶锭生长质量影响因素的一致性，且所述晶锭生长质量影响因素包括红外测温仪、石墨体、测温距离、感应线圈匝间距、炉腔压力、生长系统圆周温度、长晶过程中加热温度、水冷系统中冷媒、掺杂气体和热场外围散热环境，具体分为以下方面：
(1)控制红外测温仪的一致性：对批量使用的红外测温仪进行温度校准，且温度公差的绝对值≤2℃，红外测温仪的使用环境温度为2100-2200℃；
(2)控制石墨体的一致性：采用同一种材质的石墨体，且所述石墨体的形状及尺寸均相同；所述石墨体呈现中空形状，且顶部设置有直径为5-10mm的开孔；
(3)控制测温距离的一致性：利用位置调节装置控制红外测温仪到测温点表面的距离相等，均为550-650mm，且距离公差的绝对值≤2mm；
(4)控制感应线圈匝间距的一致性：采用张紧装置调整感应线圈的匝间距相同，均为4-6mm，且匝间距公差的绝对值≤0.5mm；
(5)控制炉腔压力的一致性：采用管道连通装置同时对接各台单晶炉腔体，校准压力计的示数显示一致，均为1-10mbar，且压力误差的绝对值≤0.03mbar；
(6)控制生长系统圆周温度的一致性：采用旋转的方式，控制发热体与坩埚之间产生相对转动；
(7)控制长晶过程中加热温度的一致性：在晶体生长过程中采用温度控制的方式批量控制加热温度，且加热温度公差的绝对值≤1℃；
(8)控制水冷系统中冷媒的一致性：采用蝶阀控制冷却水流量的方式调节冷媒温度均为30-40℃，且冷媒温度公差的绝对值≤0.5℃；
(9)控制掺杂气体的一致性：在晶体生长过程中分阶段斜率控制掺杂气体的流量，以实现电阻率的一致性控制；
(10)控制热场外围散热环境的一致性：在炉腔外壁进行镀铝和/或镀银，将腔室内的热场光线反射至热场外壁。
本发明提供的控制方法通过对现有碳化硅晶锭生长工艺中存在的诸多工艺盲区进行有效控制，综合了多项关键的晶锭生长质量影响因素，并将这些因素限定在合理范围内，从而将碳化硅晶锭的生长质量一致性良率控制在95％以上，有利于大规模推广应用。
实施例1
本实施例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，将1000台设备安装调试完成后，在正式投产前按照以下方式分步骤进行一致性调整，具体的调整步骤如下：
(1)控制红外测温仪的一致性：利用1000台设备的测温计逐个测量石墨体顶部开孔处的温度，将测得的1000个温度值进行数据分布统计；以2100℃为例，温度处于2098-2102℃之间的测温计可正常安装于设备中进行使用；而超出该范围的测温计需要调整系数，将显示值调整至2098-2102℃之间再投入使用；
(2)控制石墨体的一致性：采用同一种材质的石墨体，且所述石墨体的形状及尺寸均相同；所述石墨体呈现中空形状，且顶部设置有直径为8mm的开孔；
(3)控制测温距离的一致性：利用位置调节装置将1000台设备的测温仪探头到单晶设备热场顶部的距离调整至600±2mm的状态；
(4)控制感应线圈匝间距的一致性：采用张紧装置调整感应线圈的匝间距相同，均为5±0.5mm；
(5)控制炉腔压力的一致性：将1000台设备分组(每组个数≥2)进行腔室连通，将连通的腔室压力控制在10mbar，观察每个炉台对应的压力计示数是否处于10±0.03mbar范围内，压力计示数满足的炉台可正常使用，反之压力计则需进行调整；
(6)控制生长系统圆周温度的一致性：采用旋转的方式，控制发热体与坩埚之间产生相对转动；
(7)控制长晶过程中加热温度的一致性：在晶体生长过程中采用温度控制的方式批量控制加热温度，且加热温度公差为±1℃；
(8)控制水冷系统中冷媒的一致性：采用蝶阀控制冷却水流量的方式调节1000台设备的冷媒温度在34.5-35.5℃范围内；
(9)控制掺杂气体的一致性：在晶体生长过程中分阶段斜率控制1000台设备中掺杂气体的流量，以实现电阻率的一致性控制；
(10)控制热场外围散热环境的一致性：在炉腔外壁提前镀上相同厚度的铝层，将腔室内的热场光线反射至热场外壁。
经统计，研发工艺在转产前使用本实施例所提及的控制方法进行相关调整，最终将碳化硅晶锭的质量一致性良率控制在95％以上。
对比例1
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(1)，即并不对红外测温仪进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例2
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(2)，即并不对石墨体进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例3
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(3)，即并不对测温距离进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例4
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(4)，即并不对感应线圈匝间距进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例5
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(5)，即并不对炉腔压力进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例6
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(6)，即并不对生长系统圆周温度进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例7
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(7)，即并不对长晶过程中加热温度进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例8
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(8)，即并不对水冷系统中冷媒进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例9
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(9)，即并不对掺杂气体进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
对比例10
本对比例提供一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法除了删除步骤(10)，即并不对热场外围散热环境进行一致性控制，其余步骤及条件均与实施例1相同，故在此不做赘述。
经检测，对比例1-10所得碳化硅晶锭的质量一致性良率均不及95％。
由此可见，本发明提供的控制方法通过对现有碳化硅晶锭生长工艺中存在的诸多工艺盲区进行有效控制，综合了多项关键的晶锭生长质量影响因素，并将这些因素限定在合理范围内，从而将碳化硅晶锭的生长质量一致性良率控制在95％以上，有利于大规模推广应用。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括控制晶锭生长质量影响因素的一致性；
所述晶锭生长质量影响因素包括红外测温仪、石墨体、测温距离、感应线圈匝间距、炉腔压力、生长系统圆周温度、长晶过程中加热温度、水冷系统中冷媒、掺杂气体和热场外围散热环境。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述红外测温仪的一致性控制包括：对批量使用的红外测温仪进行温度校准，且温度公差的绝对值≤2℃；
优选地，所述红外测温仪的使用环境温度为2100-2200℃。
3.根据权利要求1或2所述的控制方法，其特征在于，所述石墨体的一致性控制包括：采用同一种材质的石墨体，且所述石墨体的形状及尺寸均相同；
优选地，所述石墨体呈现中空形状，且顶部设置有开孔；
优选地，所述开孔的直径为5-10mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的控制方法，其特征在于，所述测温距离的一致性控制包括：控制红外测温仪到测温点表面的距离相等，且距离公差的绝对值≤2mm；
优选地，所述测温距离为550-650mm；
优选地，所述红外测温仪到测温点表面的距离由位置调节装置来进行控制。
5.根据权利要求1-4任一项所述的控制方法，其特征在于，所述感应线圈匝间距的一致性控制包括：采用张紧装置调整感应线圈的匝间距相同，且匝间距公差的绝对值≤0.5mm；
优选地，所述感应线圈匝间距为4-6mm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的控制方法，其特征在于，所述炉腔压力的一致性控制包括：采用管道连通装置同时对接各台单晶炉腔体，校准压力计的示数显示一致，且压力误差的绝对值≤0.03mbar；
优选地，所述炉腔压力为1-10mbar。
7.根据权利要求1-6任一项所述的控制方法，其特征在于，所述生长系统圆周温度的一致性控制包括：采用旋转的方式，控制发热体与坩埚之间产生相对转动；
优选地，所述长晶过程中加热温度的一致性控制包括：在晶体生长过程中采用温度控制的方式批量控制加热温度，且加热温度公差的绝对值≤1℃。
8.根据权利要求1-7任一项所述的控制方法，其特征在于，所述水冷系统中冷媒的一致性控制包括：采用蝶阀控制冷却水流量的方式调节冷媒温度，且冷媒温度公差的绝对值≤0.5℃；
优选地，所述冷媒温度为30-40℃。
9.根据权利要求1-8任一项所述的控制方法，其特征在于，所述掺杂气体的一致性控制包括：在晶体生长过程中分阶段斜率控制掺杂气体的流量。
10.根据权利要求1-9任一项所述的控制方法，其特征在于，所述热场外围散热环境的一致性控制包括：在炉腔外壁进行镀铝和/或镀银，将腔室内的热场光线反射至热场外壁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311306880.0A CN117328138A (zh) | 2023-10-10 | 2023-10-10 | 一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311306880.0A CN117328138A (zh) | 2023-10-10 | 2023-10-10 | 一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117328138A true CN117328138A (zh) | 2024-01-02 |
Family
ID=89282634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311306880.0A Pending CN117328138A (zh) | 2023-10-10 | 2023-10-10 | 一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117328138A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150361580A1 (en) * | 2014-06-16 | 2015-12-17 | Usi Optronics Corporation | Device and method for producing multi silicon carbide crystals |
| JP6758527B1 (ja) * | 2019-07-11 | 2020-09-23 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドＳｋｃ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 炭化珪素インゴット成長用粉末及びそれを用いた炭化珪素インゴットの製造方法 |
| CN113122923A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-07-16 | 上海天岳半导体材料有限公司 | 一种高质量碳化硅晶体及其生长方法和装置 |
| CN115807264A (zh) * | 2021-09-15 | 2023-03-17 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置 |
-
2023
- 2023-10-10 CN CN202311306880.0A patent/CN117328138A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150361580A1 (en) * | 2014-06-16 | 2015-12-17 | Usi Optronics Corporation | Device and method for producing multi silicon carbide crystals |
| JP6758527B1 (ja) * | 2019-07-11 | 2020-09-23 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドＳｋｃ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 炭化珪素インゴット成長用粉末及びそれを用いた炭化珪素インゴットの製造方法 |
| CN113122923A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-07-16 | 上海天岳半导体材料有限公司 | 一种高质量碳化硅晶体及其生长方法和装置 |
| CN115807264A (zh) * | 2021-09-15 | 2023-03-17 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种间距可调的碳化硅外延设备感应加热装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201343958A (zh) | 控制化學氣相沉積腔室內的基底加熱的裝置及方法 | |
| CN113638048A (zh) | 一种vgf法生长磷化铟单晶的方法 | |
| CN204325497U (zh) | 一种基板加热板 | |
| CN117328138A (zh) | 一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法 | |
| TW201739021A (zh) | 磊晶設備 | |
| CN105021288A (zh) | 一种用于热丝化学气相沉积衬底表面温度测量的装置 | |
| US20250022720A1 (en) | Temperature control method for semiconductor process | |
| JP2010251464A (ja) | 真空処理装置 | |
| TW202411466A (zh) | 溫度控制系統、化學氣相沉積設備及方法 | |
| CN107686981B (zh) | 膜厚度监测系统、其腔室及用于监测膜厚度沉积工艺的方法 | |
| TW200308027A (en) | Film forming method | |
| CN211689227U (zh) | 一种石墨烯沉积设备 | |
| TWI843226B (zh) | 一種用於校準外延爐的溫度計的方法 | |
| CN222279990U (zh) | 一种常压烧结炉温场监测校准装置 | |
| CN1734716A (zh) | 快速高温处理的方法与系统 | |
| TWI863137B (zh) | 磊晶生長方法 | |
| CN100394542C (zh) | 一种气体温度可控的等离子体刻蚀装置 | |
| CN116165503A (zh) | 一种用于半导体设备的测温装置的温度校准方法 | |
| TW202503933A (zh) | 一種用於半導體製程的溫度控制方法 | |
| CN214087740U (zh) | 一种多晶硅还原炉视镜保护气重分布装置 | |
| CN204934804U (zh) | 焊锡机温度自动校准机构 | |
| CN100570345C (zh) | 一种在非标准环境温度条件下进行标准热工参数测试的方法 | |
| CN119688105A (zh) | 晶圆表面测温方法及装置 | |
| CN220961163U (zh) | 一种测量基板玻璃窑炉电熔高锆砖耐侵蚀装置 | |
| CN112853494A (zh) | 一种单晶材料制备用高温炉顶腔分级减温控热的调温装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20240102 |