CN116989827B - 接近式传感器防电磁干扰方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种接近式传感器防电磁干扰方法、装置、设备及存储介质，该接近式传感器防电磁干扰方法包括：若检测到接近式传感器存在被调制的信号光，检测接近式传感器是否受到电磁干扰；若检测到接近式传感器受到电磁干扰，检测接近式传感器内的电源线是否存在可见光；若检测到接近式传感器内的电源线存在可见光，获取可见光的光谱信息，并根据光谱信息检测接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果；以及获取接近式传感器的电压参数，并根据电压参数确定电场干扰模式；根据检测结果和电场干扰模式执行电磁防干扰策略。通过本申请提供的技术方案，能够自动执行电磁防干扰策略，提高接近式传感器的准确性。

Description

接近式传感器防电磁干扰方法、装置、设备及存储介质

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种接近式传感器防电磁干扰方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

传感器是一种重要的设备，能够通过感知和监测环境中的物理量来提供反馈和控制系统；例如，在工业自动化领域，传感器广泛应用于温度、压力、流量等参数的测量和控制；然而，传感器在使用过程中可能会受到电磁干扰的影响，导致测量结果的准确性下降或者传感器无法正常工作，其中的电磁干扰可能来自于电力设备、电磁辐射源等，如果传感器在高电磁干扰环境下无法正常工作，可能会导致生产过程的中断或者不准确的测量结果，给生产效率和产品质量带来负面影响。

接近式传感器主要应用于检测物体的靠近与否，例如在工业防护、大型工业机器作业领域；然而，接近式传感器的接收与处理信号过程中也容易受到电磁干扰的影响，导致误判或延迟响应等问题，从而导致接近式传感器不准确。

发明内容

本发明的目的在于提供一种接近式传感器防电磁干扰方法、装置、设备及存储介质，旨在解决接近式传感器收到电磁干扰后，因误判或延迟响应而引起的接近式传感器不准确的技术问题。

本申请的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本申请的实践而习得。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种接近式传感器防电磁干扰方法，包括：

检测到所述接近式传感器正常上电后，检测所述接近式传感器是否存在被调制的信号光，若检测到所述接近式传感器存在被调制的信号光，则检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰；

若检测到所述接近式传感器受到电磁干扰，则检测所述接近式传感器内的电源线是否存在可见光；

若检测到所述接近式传感器内的电源线存在可见光，获取所述可见光的光谱信息，并根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果；以及

获取所述接近式传感器的电压参数，并根据所述电压参数确定电场干扰模式；

根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略。

进一步地，所述电磁防干扰策略包括多个；所述根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略，包括：

若所述检测结果或所述电场干扰模式表征需要对所述接近式传感器进行防干扰处理，执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略。

进一步地，多个电磁防干扰策略包括针对所述接近式传感器的布局的第一电磁防干扰策略、针对所述接近式传感器的电路的第二电磁防干扰策略和针对所述接近式传感器的滤波的第三电磁防干扰策略；所述执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略，包括：

若执行所述第一电磁防干扰策略，获取所述接近式传感器的印制板的折线角度，若所述折线角度表征折线异常，对所述折线角度进行调整；以及

获取所述接近式传感器的输入输出驱动电路的位置信息，若所述位置信息表征所述输入输出驱动电路的位置异常，对所述输入输出驱动电路的位置信息调整；

若执行所述第二电磁防干扰策略，将分隔所述接近式传感器的数字信号和模拟信号的线路放置在不同的电路板上；

若执行所述第三电磁防干扰策略，根据所述电场干扰模式确定所述接近式传感器的滤波器对应的防干扰效率，并控制所述滤波器实现对应的所述防干扰效率。

进一步地，所述检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰，包括：

获取所述接近式传感器所处环境的电磁参数，并确定所述电磁参数中表征峰值的第一电磁参数和表征谷值的第二电磁参数；

获取波动阈值，并根据所述第一电磁参数、所述第二电磁参数和所述波动阈值计算干扰评估值；

根据所述干扰评估值确定所述接近式传感器是否受到电磁干扰。

进一步地，所述根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，包括：

获取多个基准干扰可见光的基准光谱信息，并通过预设匹配算法将所述光谱信息与多个所述基准光谱信息进行匹配，确定目标基准光谱信息；

计算所述光谱信息与所述目标基准光谱信息的相似度；

根据所述相似度确定所述接近式传感器的电源是否存在干扰。

进一步地，所述根据所述电压参数确定电场干扰模式，包括：

根据所述电压参数确定预设时间范围内的输入电压均值和输出电压均值，并获取无干扰状态下的基准输入电压均值和基准输出电压均值；

根据所述输入电压均值、所述输出电压均值、所述基准输入电压均值和所述基准输出电压均值计算电场强度值；

根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式。

进一步地，所述根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式，包括：

若所述电场强度值小于或等于第一电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第一电场干扰模式；

若所述电场强度值大于所述第一电场强度阈值，且所述电场强度值小于或等于第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第二电场干扰模式；

若所述电场强度值大于所述第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第三电场干扰模式；其中，所述第一电场强度阈值小于所述第二电场强度阈值，所述第一电场干扰模式、第二电场干扰模式和第三电场干扰模式表征所述接近式传感器受到电场的干扰程度依次增加。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种接近式传感器防电磁干扰装置，其特征在于，包括：

第一检测模块，配置为检测到所述接近式传感器正常上电后，检测所述接近式传感器是否存在被调制的信号光，若检测到所述接近式传感器存在被调制的信号光，则检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰；

第二检测模块，配置为若检测到所述接近式传感器受到电磁干扰，则检测所述接近式传感器内的电源线是否存在可见光；

第一获取模块，配置为若检测到所述接近式传感器内的电源线存在可见光，获取所述可见光的光谱信息，并根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果；以及

第二获取模块，配置为获取所述接近式传感器的电压参数，并根据所述电压参数确定电场干扰模式；

执行模块，配置为根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如前所述的接近式传感器防电磁干扰方法。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机可读指令，当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时，使计算机执行如上所述的接近式传感器防电磁干扰方法。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述各种可选实施例中提供的接近式传感器防电磁干扰方法。

在本申请的实施例所提供的技术方案中，在检测到接近式传感器中存在被调制的信号光，进一步检测接近式传感器是否受到电磁干扰，在检测到接近式传感器受到电磁干扰后，检测接近式传感器内的电源线是否存在可见光，若检测到接近式传感器内的电源线存在可见光，根据可见光的光谱信息检测接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果，同时根据接近式传感器的电压参数确定电场干扰模式，根据检测结果和电场干扰模式自动执行电磁防干扰策略。通过本申请实施例提供的技术方案，能够自动执行电磁防干扰策略，提高了接近式传感器的稳定性和准确性，保证其在电磁干扰环境下能够正常工作。通过执行电磁防干扰策略，使接近式传感器能够更好地抵御电磁干扰的影响，提供可靠的测量和控制功能。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术者来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1为本申请涉及的一种接近式传感器防电磁干扰系统的框图；

图2为本申请涉及的一个实施例中电源线监测模块的示意图；

图3为本申请涉及的一种接近式传感器防电磁干扰方法的流程图；

图4为本申请涉及的一个实施例中步骤S350的流程图；

图5为本申请涉及的一个实施例中步骤S410的流程图；

图6为本申请涉及的一个实施例中步骤S310的流程图；

图7为本申请涉及的一个实施例中步骤S330的流程图；

图8为本申请涉及的一个实施例中步骤S340的流程图；

图9为本申请涉及的一个实施例中步骤S830的流程图；

图10是本申请涉及的一种接近式传感器防电磁干扰装置的框图；

图11示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

这里将详细地对示例性实施例执行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个硬件模块或集成电路中实现这些功能实体，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。

附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。

还需要说明的是：在本申请中提及的“多个”是指两个或者两个以上。“和/或”描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

为解决前述问题，本申请提供了一种接近式传感器防电磁干扰系统，该系统包括外部电磁辐射检测模块110、电源线监测模块120、电场强度判断模块130、自动防电磁干扰模块140和自动防电磁干扰效果展示模块150；各个模块的相关介绍如下：

接近式传感器防电磁干扰系统获取到接近式传感器正常上电后，检测是否接近式传感器存在被调制的信号光，若存在，启动外部电磁辐射检测模块110，创建线程1。

外部电磁辐射检测模块110通过连接接近式传感器的单片微控制器启动电磁辐射检测仪，电磁辐射检测仪反馈不为磁场辐射强度检测时，外部电磁辐射检测模块110通过单片微控制器进行2毫秒的高斯报警，并且进行2s控制“检测模式转换”。电磁辐射检测仪反馈为磁场辐射强度检测时，外部电磁辐射检测模块110连接电磁辐射检测仪检测接近式传感器所处环境的电磁参数，为保证接近式传感器未受到地球磁场的影响，防止电磁辐射检测仪出现很短的数值而引起报警所带来的误差，去除获取到的电磁参数中前3秒的数据。将去除前3秒的数据的电磁参数作为后续处理的电磁参数，并存储到存储器中，外部电磁辐射检测模块110连接数字信号处理(Digital Signal Processing ，DSP)芯片启动Ti算法计算表征峰值的第一电磁参数和表征谷值的第二电磁参数。

具体的，将电磁参数形成信号曲线{Xi}，并将最大值和最小值收集到集合{Ti}中，删除集合｛Ti｝中的所有重合点，在｛Ti｝中搜索以找到预设类别1-5的形状，并处理所有匹配的形状，直到类别1和2的所有形状移除，并且类别3、4、5类的所有形状都满足以下条件：Dis（T1，T3）≥β和Dis（T2，T4）≥β，Dis（T3，T5）≥β。经过前面的处理，{Ti}的其余最大点正是表征峰值的第一电磁参数，其余{Ti}的最小点正是表征谷值的第二电磁参数。计算的结果的数量、高度，最大/最小点的距离是所要求的目标信号的峰/谷的数量、高度和宽度。

得到第一电磁参数和第二电磁参数后，连接数字信号处理芯片计算第一电磁参数均值和第二电磁参数均值，并计算第一电磁参数均值与第二电磁参数均值的差值。外部电磁辐射检测模块110连接接近式传感器通信接口，从云端获取当前的接近式传感器所对应的受电磁干扰阈值和波动阈值。再通过数字信号处理芯片将第一电磁参数均值与第二电磁参数均值的差值除以波动阈值，得到干扰评估值，将第一电磁参数均值除以受电磁干扰阈值，得到受电磁干扰评估值。若干扰评估值大于或等于1时,判断接近式传感器受到电磁干扰，系统连接通讯接口进行将异常信息传输给控制台并进行警报提醒；若干扰评估值小于1时,则判断接近式传感器未受到电磁干扰。

在检测到干扰评估值大于或等于1时，可进一步根据受电磁干扰评估值将电磁干扰分为3种模式，包括低电磁干扰模式、中电磁干扰模式和高电磁干扰模式。在受电磁干扰评估值小于或等于1.24，且大于1时，判断为低电磁干扰模式，设定电磁干扰比重为1，并保存至到接近式传感器存储器中。若受电磁干扰评估值小于或等于1.45，且大于1.24时，判断为中电磁干扰模式，设定电磁干扰比重为2，并保存至到接近式传感器存储器中。若受电磁干扰评估值大于1.45时，判断为高电磁干扰模式，设定电磁干扰比重为3，并保存至到接近式传感器存储器中。在确定出为高电磁干扰模式后，连接通讯接口，将高电磁干扰模式所对应的信息传输给控制台并进行警报提醒，以便于管理人员能够及时知晓情况。

在确定出接近式传感器受到电磁干扰后，开启电源线监测模块120，创建线程2。电源线监测模块120的处理流程如图2所示。在确定接近式传感器是否受到电磁干扰时，可通过干扰评估值确定，还可通过接近式传感器存储器中存储的电磁干扰比值确定，即若接近式传感器存储器中存储的电磁干扰比重大于或等于1时，可确定接近式传感器存收到电磁干扰。

电源线监测模块120连接接近式传感器的单片微控制器，通过单片微控制器启动紫外线可见光谱仪，通过紫外线可见光谱仪监测接近式传感器内部电源线是否存在可见光，在检测到存在可见光后，紫外线可见光谱仪输出光谱影像，作为光谱信息。连接接近式传感器通信接口，从云端获取电源线受干扰的可见光波段数目类别，并将这些类别所对应的光谱信息作为基准光谱信息。将获取到的光谱信息与基准光谱信息进行匹配，得到目标基准光谱信息。具体的，可对光谱信息和基准光谱信息进行光谱二值编码匹配、光谱排序编码匹配和四值编码匹配,最后将匹配的光谱信息作为目标基准光谱信息进行存储，并进行精度分析，计算光谱信息与目标基准光谱信息的相似度，在相似度大于或等于90%时，判断存在电源干扰，并保存电源干扰控制命令为1到接近式传感器存储器中。在相似度小于90%时，判断不存在电源干扰，并保存电源干扰控制命令为0到接近式传感器存储器中。

在进行多线程二值编码影像匹配、光谱排序编码匹配和四值编码匹配时，各个匹配的相关介绍如下：

光谱二值编码匹配能够在多个基准光谱信息中对特定目标进行快速查找和匹配。对光谱信息进行光谱二值编码，光谱二值编码的公式如下所示：

h(n)=0 x(n)≤T

h(n)=l x(n)>T n =1,2,...N

上述公式中，x(n)为光谱信息中的像元第 n 通道的亮度值，h (n)为光谱信息中的像元第 n 通道的编码，T为选定的门限值，一般选为光谱平均亮度，N为总的波段数。

经过光谱二值编码后的光谱信息的每个像元灰度值变为1bit，像元的光谱变为一个与波段数长度相同的编码序列。

对光谱信息和基准光谱信息根据其光谱曲线进行二值编码0或者1，即将各波段的灰度值和灰度平均值作比较，灰度值大于等于灰度平均值时，生成 0，否则为 1，得到对应的二值编码。再使用异或方法，判定光谱信息和基准光谱信息是否匹配。将光谱信息分到波段数目相似性最多的基准光谱信息所对应的类别中，并将该基准光谱信息作为目标基准光谱信息。

光谱排序编码是在对光谱信息与基准光谱信息按光谱强度大小进行排序的基础上，计算两条光谱曲线之间的相似度，然后根据相似度与识别误差进行编码，从而达到得到目标基准光谱信息的目的。

具体的，使用快速排序法分别对光谱信息与基准光谱信息按照光谱强度从小到大的顺序进行排列，然后在排序过程中每次将光谱信息与一个基准光谱信息相应的元素的波段位置分别记录在两个数组中，使用异或运算，依次比较两个数组中的各个元素是否相等。得到光谱信息与所有基准光谱信息元素相等的个数，最后比较相等的个数，将光谱信息分到相等个数最多的基准光谱信息所对应的类别中，并将该基准光谱信息作为目标基准光谱信息。

四值编码属于一种改进的多值编码。四值编码的算法流程如下:

对某一基准光谱信息的光谱辐射值取平均值，并将该平均值作为阈值T;根据阈值T将光谱辐射值划分为两个区间[Xmin,T]、[T，Xmax];根据划分的两个区间重复取平均值，得到TL和TR，进而得到四个区间[Xmin,TL)、[TL,T)、[T,TR)和 [TR,Xmax]。将光谱信息和所有的基准光谱信息均得到前述的四个区间，成的四个区间分别用 0、1、2、3 表示; 使用异或方法，将光谱信息的各个区间与各个基准光谱信息所对应的区间进行匹配，最后比较匹配成功的个数，将光谱信息分到匹配成功个数最多的基准光谱信息所对应的类别中，并将该基准光谱信息作为目标基准光谱信息。

接近式传感器防电磁干扰系统从存储器中获取到存在电源干扰控制命令为1时，启动电场强度判断模块130，创建线程3。电场强度判断模块130能够将电场强度分为3种模式，分别是第一电场干扰模式、第二电场干扰模式和第三电场干扰模式。

具体的，电场强度判断模块130连接接近式传感器的单片微控制器启动电压传感器，电压传感器检测接近式传感器的输入电压和输出电压，再连接数字信号处理芯片计算输入电压均值和输出电压均值，进一步的，获取预设时间范围内的输入电压和输出电压，预设时间范围为3分钟，采集频率为100ms，每1s计算一次平均值，计算完所有平均值后进行累加到集合，再进行求平均值，得到输入电压均值和输出电压均值。通过通信接口从向云端获取正常无干扰状态下的基准输入电压均值和基准输出电压均值。通过数字信号处理芯片计算基准输入电压均值与基准输出电压均值的和除以输入电压均值与输出电压均值的和，得到电场强度值，将计算到的电场强度值保存到接近式传感器存储器中。

若所述电场强度值小于或等于第一电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第一电场干扰模式，设定电场比重为1,并保存至到接近式传感器存储器中；若所述电场强度值大于所述第一电场强度阈值，所述电场强度值小于或等于第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第二电场干扰模式，设定电场比重为2,并保存至到接近式传感器存储器中；若所述电场强度值大于所述第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第三电场干扰模式，设定电场比重为3，并保存至到接近式传感器存储器中。前述第一电场强度阈值可设置为1.16，第二电场强度阈值可设置为1.45。在确定为第三电场干扰模式后，通过通讯接口进行将此时的相关信息传输给控制台，并进行警报提醒。

接近式传感器防电磁干扰系统获取除接近式传感器存储器中所存储的电场比重大于1，或电源干扰控制命令为1时，启动自动防电磁干扰模块140，创建线程4。自动防电磁干扰模块140分为3步为接近式传感器防止电磁干扰，分别包括针对所述接近式传感器的布局的第一电磁防干扰策略、针对所述接近式传感器的电路的第二电磁防干扰策略和针对所述接近式传感器的滤波的第三电磁防干扰策略。

具体的，在第一电磁防干扰策略中，连接接近式传感器的单片微控制器启动角度传感器，角度传感器检测接近式传感器的印制板的折线角度，通过数字信号处理芯片计算折线角度减去正常状态下基准线角度的差值然后进行绝对值处理，得到角度绝对值，若角度绝对值大于或等于10°时，确定折线异常，接单片微控制器启动折线调整仪，折线调整仪根据折线角度与基准折线角度的差值进行调整，如差值为负数，则将折线向右调整，若差值为正数，则向左调整。调整完成后，再次计算角度绝对值进行判断折线是否异常。若角度绝对值小于10°时，判断折线不为异常，保存防干扰控制命令为1到存储器中。

然后通过单片微控制器启动输入输出驱动电路所对应的红外定位器，红外定位仪检测输入输出驱动电路的位置信息，通过数字信号处理芯片计算输入输出驱动电路的位置信息减去正常位置阈值的差值，若差值大于或等于1cm，则确定输入输出驱动电路的位置异常。通过单片微控制器启动分隔器，通过分割器将输入输出驱动电路的位置信息与正常位置阈值的差值调整至小于1cm，并保存第一防干扰控制命令为1到存储器中。输入输出驱动电路的位置异常在设置时，应尽量靠近印刷板边缘，让其尽快离开印刷板，前述正常位置阈值是为正常状态下，红外定位器发射红外检测的与接近式传感器外壳的距离。

通过单片微控制器启动电路切换器，电路切换器获取分隔数字信号和模拟信号的线路位置，在正常情况下，分割数字信号和模拟信号的线路都设置在v1电路板上。在第二电磁防干扰策略中，电路切换器将分隔数字信号的线路切换到v1电路板，并进行串终端电阻连接，串终端电阻连接是指将多个电阻元件一个接一个地连接在电路中，形成电流流向的串联电路。在串联电路中，电流通过每个电阻元件都是相同的，而总电阻等于每个电阻元件电阻值的总和。这里串联电阻元件的数量由电场强度确定，如中电场强度串联1-4额定电阻或进行串联一个可调电阻调整到串联额定电阻总和值。再通过电路切换器将分隔模拟信号的线路切换到v2电路板，并进行串终端电阻连接，通过串终端电阻连接的办法，减小信号反射，降低控制电路上、下沿跳变速率。若设置到v2电路板失败，将分隔模拟信号的线路切换至v3电路板，并进行串终端电阻。在本申请的另一实施例中，分隔数字信息和模拟信号的线路都可以在v1-v3电路板中机芯切换，主要保证两个线路不在同一个电路板上即可。完成后保存第二防干扰控制命令为1。

在第三电磁防干扰策略中，通过单片微控制器启动输入、输出端口的电源滤波器，在电场比重为2时，确定电源滤波器对应的防干扰效率为50%，控制电源滤波器以50%的效率进行滤波；在电场比重为3时，确定电源滤波器对应的防干扰效率为100%，控制电源滤波器以100%的效率进行滤波。输入、输出端口处的电源滤波器可以有效消除电源线本身的辐射和外界电磁干扰产生的杂波。完成保存第三防干扰控制命令为1。

经过上次3步防干扰处理后，再次检测电源是否出现干扰，以及电场比重是否大于或等于2,若检测到电源出现干扰，或电场比重大于或等于2，确定防干扰处理失败。在确定防干扰处理失败后，间隔100ms后，再次执行前述3步防干扰处理。若经过2次如前述的3步防干扰处理后，防干扰处理仍然失败，通过通讯接口将接近式传感器的相关信息传输给控制台并进行警报提醒。

接近式传感器防电磁干扰系统连接接近式传感器存储器，获取到第一防干扰控制命令、第二防干扰控制命令和第三防干扰控制命令均为1，表明没有出现防干扰失败，开启自动防电磁干扰效果展示模块150。通过通讯接口获取防干扰处理过程中的相关数据，并展示到控制台屏幕，其中重点展示防电磁干扰时间。再通过通讯接口将相关数据上传到云端进行保存。

图3是根据一示例性实施例示出的一种接近式传感器防电磁干扰方法的流程图。该方法可以应用于图1所示的系统中，并由图1所示实施例环境中的接近式传感器防电磁干扰系统具体执行。

如图3所示，在一示例性实施例中，该接近式传感器防电磁干扰方法可以包括步骤S310至步骤S350，详细介绍如下：

步骤S310，检测到所述接近式传感器正常上电后，检测所述接近式传感器是否存在被调制的信号光，若检测到所述接近式传感器存在被调制的信号光，则检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰。

本申请实施例中，在接近式传感器上电后，检测接近式传感器是否存在被调制的信号光，若检测到存在被调制的信号光，进一步检测接近式传感器是否受到电磁干扰。

步骤S320，若检测到所述接近式传感器受到电磁干扰，则检测所述接近式传感器内的电源线是否存在可见光。

本申请实施例中，若检测到接近式传感器受到电磁干扰，再通过紫外线可见光谱仪检测接近式传感器内的电源线是否存在可见光。

步骤S330，若检测到所述接近式传感器内的电源线存在可见光，获取所述可见光的光谱信息，并根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果。

本申请实施例中，在检测到接近式传感器内的电源线存在可见光，通过紫外线可见光谱仪获取到可见光的光谱信息，再根据光谱信息检测接近式传感器的电源是否存在干扰，得到对应的检测结果。

步骤S340，获取所述接近式传感器的电压参数，并根据所述电压参数确定电场干扰模式。

本申请实施例中，在得到检测结果的同时，获取接近式传感器的电压参数，根据获取到的电压参数确定电场干扰模式。电场干扰模式能够表征接近式传感器是否需要进行防干扰处理。

步骤S350，根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略。

本申请实施例中，根据得到的检测结果和电场干扰模式去执行电磁防干扰策略。

本申请实施例中，在检测到接近式传感器中存在被调制的信号光，进一步检测接近式传感器是否受到电磁干扰，在检测到接近式传感器受到电磁干扰后，检测接近式传感器内的电源线是否存在可见光，若检测到接近式传感器内的电源线存在可见光，根据可见光的光谱信息检测接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果，同时根据接近式传感器的电压参数确定电场干扰模式，根据检测结果和电场干扰模式自动执行电磁防干扰策略。通过本申请实施例提供的技术方案，能够自动执行电磁防干扰策略，提高了接近式传感器的稳定性和准确性，保证其在电磁干扰环境下能够正常工作。通过执行电磁防干扰策略，使接近式传感器能够更好地抵御电磁干扰的影响，提供可靠的测量和控制功能。

在本申请的一示例性实施例中，所述电磁防干扰策略包括多个；请参阅图4，在步骤S350所述根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略，包括下列步骤S410，详细介绍如下：

步骤S410，若所述检测结果或所述电场干扰模式表征需要对所述接近式传感器进行防干扰处理，执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略。

本申请实施例中，在所述检测结果或所述电场干扰模式表征需要对所述接近式传感器进行防干扰处理时，即检测结果表征接近式传感器的电源存在干扰，电场干扰模式表征其为第二电场干扰模式和第三电场干扰模式，执行电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图5，多个电磁防干扰策略包括针对所述接近式传感器的布局的第一电磁防干扰策略、针对所述接近式传感器的电路的第二电磁防干扰策略和针对所述接近式传感器的滤波的第三电磁防干扰策略；在步骤S410执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略，包括步骤S510至步骤S540，详细介绍如下：

步骤S510，若执行所述第一电磁防干扰策略，获取所述接近式传感器的印制板的折线角度，若所述折线角度表征折线异常，对所述折线角度进行调整。

本申请实施例中，若执行第一电磁防干扰策略，在印制板的折线角度异常时，自动对折线角度进行调整，具体的调整过程，参照前述的自动防电磁干扰模块140，本申请在此不进行赘述。

步骤S520，获取所述接近式传感器的输入输出驱动电路的位置信息，若所述位置信息表征所述输入输出驱动电路的位置异常，对所述输入输出驱动电路的位置信息调整。

本申请实施例中，同时，在执行第一电磁防干扰策略时，还在输入输出驱动电路的位置异常时，对输入输出驱动电路的位置信息进行调整。同理，具体的调整过程，参照前述的自动防电磁干扰模块140，本申请在此不进行赘述。

步骤S530，若执行所述第二电磁防干扰策略，将分隔所述接近式传感器的数字信号和模拟信号的线路放置在不同的电路板上。

本申请实施例中，若执行第二电磁防干扰策略，将分隔接近式传感器的数字信号和模拟信号的线路放置在不同的电路板上即可。同理，具体的调整过程，参照前述的自动防电磁干扰模块140，本申请在此不进行赘述。

步骤S540，若执行所述第三电磁防干扰策略，根据所述电场干扰模式确定所述接近式传感器的滤波器对应的防干扰效率，并控制所述滤波器实现对应的所述防干扰效率。

本申请实施例中，若执行第三电磁防干扰策略，根据电场干扰模式确滤波器对应的防干扰效率，再控制滤波器实现对应的防干扰效率。同理，具体的调整过程，参照前述的自动防电磁干扰模块140，本申请在此不进行赘述。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图6，在步骤S310所述检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰，包括步骤S610至步骤S630，详细介绍如下：

步骤S610，获取所述接近式传感器所处环境的电磁参数，并确定所述电磁参数中表征峰值的第一电磁参数和表征谷值的第二电磁参数。

本申请实施例中，通过电磁辐射检测仪获取接近式传感器所处环境的电磁参数，通过Ti算法确定电磁参数中表征峰值的第一电磁参数和表征谷值的第二电磁参数。

步骤S620，获取波动阈值，并根据所述第一电磁参数、所述第二电磁参数和所述波动阈值计算干扰评估值。

本申请实施例中，获取波动阈值，再计算第一电磁参数均值和第二电磁参数均值，再计算第一电磁参数均值与第二电磁参数均值的差值，将差值除以波动阈值得到干扰评估值。

步骤S630，根据所述干扰评估值确定所述接近式传感器是否受到电磁干扰。

本申请实施例中，根据干扰评估值确定接近式传感器是否受到电磁干扰。具体的，干扰评估值大于或等于1时,判断接近式传感器受到电磁干扰，反之，干扰评估值小于1,则判断接近式传感器未受到电磁干扰。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图7，在步骤S330所述根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，包括步骤S710至步骤S730，详细介绍如下：

步骤S710，获取多个基准干扰可见光的基准光谱信息，并通过预设匹配算法将所述光谱信息与多个所述基准光谱信息进行匹配，确定目标基准光谱信息。

本申请实施例中，从云端获取多个基准干扰可见光的基准光谱信息，再通过预设匹配算法将光谱信息与多个基准光谱信息进行匹配，确定目标基准光谱信息。具体的，预设匹配算法包括光谱二值编码匹配、光谱排序编码匹配和四值编码匹配。详细的匹配过程参见前述对电源线监测模块120的描述，本实施例在此不进行赘述。

步骤S720，计算所述光谱信息与所述目标基准光谱信息的相似度。

本申请实施例中，根据前述三种匹配后，能够得到3个目标基准光谱信息，分别计算光谱信息与各个目标基准光谱信息的相似度。

步骤S730，根据所述相似度确定所述接近式传感器的电源是否存在干扰。

本申请实施例中，根据计算到的相似度确定接近式传感器的电源是否存在干扰。具体的，在相似度大于或等于90%时，判断电源存在干扰，反之，相似度小于90%时，则判断电源不存在干扰。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图8，在步骤S340所述根据所述电压参数确定电场干扰模式，包括步骤S810至步骤S830，详细介绍如下：

步骤S810，根据所述电压参数确定预设时间范围内的输入电压均值和输出电压均值，并获取无干扰状态下的基准输入电压均值和基准输出电压均值。

本申请实施例中，预设时间范围可设置为距离当前时刻3分钟。以采集频率为100ms的频率采集输入电压和输出电压，再每1s计算一次平均值，可得到3个输入电压子均值和3个输出电压子均值，将3个输入电压子均值再求一次平均值，得到输入电压均值，将3个输出电压子均值再求一次平均值，得到输出电压均值。从云端获取无干扰状态下的基准输入电压均值和基准输出电压均值。

步骤S820，根据所述输入电压均值、所述输出电压均值、所述基准输入电压均值和所述基准输出电压均值计算电场强度值。

本申请实施例中，将基准输入电压均值与基准输出电压均值的和除以输入电压均值与输出电压均值的和，得到电场强度值。

步骤S830，根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式。

本申请实施例中，根据计算得到的电场强度值确定电场干扰模式。

在本申请的一示例性实施例中，请参阅图9，在步骤S830所述根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式，包括步骤S910至步骤S930，详细介绍如下：

步骤S910，若所述电场强度值小于或等于第一电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第一电场干扰模式。

本申请实施例中，若电场强度值小于或等于第一电场强度阈值，确定电场干扰模式为第一电场干扰模式，第一电场强度阈值可设置为1.16。

步骤S920，若所述电场强度值大于所述第一电场强度阈值，且所述电场强度值小于或等于第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第二电场干扰模式。

本申请实施例中，若电场强度值大于第一电场强度阈值，且电场强度值小于或等于第二电场强度阈值，确定电场干扰模式为第二电场干扰模式，第二电场强度阈值可设置为1.45。

步骤S930，若所述电场强度值大于所述第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第三电场干扰模式；其中，所述第一电场强度阈值小于所述第二电场强度阈值，所述第一电场干扰模式、第二电场干扰模式和第三电场干扰模式表征所述接近式传感器受到电场的干扰程度依次增加。

本申请实施例中，若电场强度值大于第二电场强度阈值，则确定电场干扰模式为第三电场干扰模式。

在本申请的一个示例性实施例中，请参阅图10，图10是根据一示例性实施例示出的一种接近式传感器防电磁干扰装置，包括：

第一检测模块1010，配置为检测到所述接近式传感器正常上电后，检测所述接近式传感器是否存在被调制的信号光，若检测到所述接近式传感器存在被调制的信号光，则检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰；

第二检测模块1020，配置为若检测到所述接近式传感器受到电磁干扰，则检测所述接近式传感器内的电源线是否存在可见光；

第一获取模块1030，配置为若检测到所述接近式传感器内的电源线存在可见光，获取所述可见光的光谱信息，并根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果；以及

第二获取模块1040，配置为获取所述接近式传感器的电压参数，并根据所述电压参数确定电场干扰模式；

执行模块1050，配置为根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略。

在本申请的一个示例性实施例中，所述电磁防干扰策略包括多个，执行模块1050，包括：

执行子模块，配置为若所述检测结果或所述电场干扰模式表征需要对所述接近式传感器进行防干扰处理，执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略。

在本申请的一个示例性实施例中，多个电磁防干扰策略包括针对所述接近式传感器的布局的第一电磁防干扰策略、针对所述接近式传感器的电路的第二电磁防干扰策略和针对所述接近式传感器的滤波的第三电磁防干扰策略；执行子模块，包括：

第一获取单元，配置为若执行所述第一电磁防干扰策略，获取所述接近式传感器的印制板的折线角度，若所述折线角度表征折线异常，对所述折线角度进行调整；以及

第二获取单元，配置为获取所述接近式传感器的输入输出驱动电路的位置信息，若所述位置信息表征所述输入输出驱动电路的位置异常，对所述输入输出驱动电路的位置信息调整；

放置单元，配置为若执行所述第二电磁防干扰策略，将分隔所述接近式传感器的数字信号和模拟信号的线路放置在不同的电路板上；

第一确定单元，配置为若执行所述第三电磁防干扰策略，根据所述电场干扰模式确定所述接近式传感器的滤波器对应的防干扰效率，并控制所述滤波器实现对应的所述防干扰效率。

在本申请的一个示例性实施例中，第一检测模块1010，包括：

第一确定子模块，配置为获取所述接近式传感器所处环境的电磁参数，并确定所述电磁参数中表征峰值的第一电磁参数和表征谷值的第二电磁参数；

第一计算子模块，配置为获取波动阈值，并根据所述第一电磁参数、所述第二电磁参数和所述波动阈值计算干扰评估值；

第二确定子模块，配置为根据所述干扰评估值确定所述接近式传感器是否受到电磁干扰。

在本申请的一个示例性实施例中，第一获取模块1030，包括：

匹配子模块，配置为获取多个基准干扰可见光的基准光谱信息，并通过预设匹配算法将所述光谱信息与多个所述基准光谱信息进行匹配，确定目标基准光谱信息；

第二计算子模块，配置为计算所述光谱信息与所述目标基准光谱信息的相似度；

第三确定子模块，配置为根据所述相似度确定所述接近式传感器的电源是否存在干扰。

在本申请的一个示例性实施例中，第二获取模块1040，包括：

第四确定子模块，配置为根据所述电压参数确定预设时间范围内的输入电压均值和输出电压均值，并获取无干扰状态下的基准输入电压均值和基准输出电压均值；

第三计算子模块，配置为根据所述输入电压均值、所述输出电压均值、所述基准输入电压均值和所述基准输出电压均值计算电场强度值；

第五确定子模块，配置为根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式。

在本申请的一个示例性实施例中，第五确定子模块，包括：

第二确定单元，配置为若所述电场强度值小于或等于第一电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第一电场干扰模式；

第三确定单元，配置为若所述电场强度值大于所述第一电场强度阈值，且所述电场强度值小于或等于第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第二电场干扰模式；

第四确定单元，配置为若所述电场强度值大于所述第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第三电场干扰模式；其中，所述第一电场强度阈值小于所述第二电场强度阈值，所述第一电场干扰模式、第二电场干扰模式和第三电场干扰模式表征所述接近式传感器受到电场的干扰程度依次增加。

需要说明的是，上述实施例所提供的装置与上述实施例所提供的方法属于同一构思，其中各个模块、子模块和单元执行操作的具体方式已经在方法实施例中进行了详细描述，此处不再赘述。

本申请的实施例还提供了一种电子设备，包括：一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现上述各个实施例中提供的接近式传感器防电磁干扰方法。

图11示出了适于用来实现本申请实施例的电子设备的计算机系统的结构示意图。

需要说明的是，图11示出的电子设备的计算机系统1100仅是一个示例，不应对本申请实施例的功能和使用范围带来任何限制。

如图11所示，计算机系统1100包括中央处理单元（Central Processing Unit，CPU）1101，其可以根据存储在只读存储器（Read-Only Memory，ROM）1102中的程序或者从储存部分1108加载到随机访问存储器（Random Access Memory，RAM）1103中的程序而执行各种适当的动作和处理，例如执行上述实施例中所述的方法。在RAM 1103中，还存储有系统操作所需的各种程序和数据。CPU 1101、ROM 1102以及RAM 1103通过总线1104彼此相连。输入/输出（Input /Output，I/O）接口1105也连接至总线1104。

以下部件连接至I/O接口1105：包括键盘、鼠标等的输入部分1106；包括诸如阴极射线管（Cathode Ray Tube，CRT）、液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）等以及扬声器等的输出部分1107；包括硬盘等的储存部分1108；以及包括诸如LAN（Local AreaNetwork，局域网）卡、调制解调器等的网络接口卡的通信部分1109。通信部分1109经由诸如因特网的网络执行通信处理。驱动器1110也根据需要连接至I/O接口1105。可拆卸介质1111，诸如磁盘、光盘、磁光盘、半导体存储器等等，根据需要安装在驱动器1110上，以便于从其上读出的计算机程序根据需要被安装入储存部分1108。

特别地，根据本申请的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本申请的实施例包括一种计算机程序产品，其包括承载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的计算机程序。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信部分1109从网络上被下载和安装，和/或从可拆卸介质1111被安装。在该计算机程序被中央处理单元（CPU）1101执行时，执行本申请的系统中限定的各种功能。

需要说明的是，本申请实施例所示的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可擦式可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）、闪存、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器（Compact Disc Read-Only Memory，CD-ROM）、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本申请中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本申请中，计算机可读的信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的计算机程序。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读的信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的计算机程序可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：无线、有线等等，或者上述的任意合适的组合。

附图中的流程图和框图，图示了按照本申请各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。其中，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

描述于本申请实施例中所涉及到的单元可以通过软件的方式实现，也可以通过硬件的方式来实现，所描述的单元也可以设置在处理器中。其中，这些单元的名称在某种情况下并不构成对该单元本身的限定。

本申请的另一方面还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如前所述的方法。该计算机可读存储介质可以是上述实施例中描述的电子设备中所包含的，也可以是单独存在，而未装配入该电子设备中。

本申请的另一方面还提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述各个实施例中提供的方法。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明中。

Claims (6)

1.一种接近式传感器防电磁干扰方法，其特征在于，包括：

检测到所述接近式传感器正常上电后，检测所述接近式传感器是否存在被调制的信号光，若检测到所述接近式传感器存在被调制的信号光，则检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰；

若检测到所述接近式传感器受到电磁干扰，则检测所述接近式传感器内的电源线是否存在可见光；

若检测到所述接近式传感器内的电源线存在可见光，获取所述可见光的光谱信息，并根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果；以及

获取所述接近式传感器的电压参数，并根据所述电压参数确定电场干扰模式；

其中，所述根据所述电压参数确定电场干扰模式，包括：

根据所述电压参数确定预设时间范围内的输入电压均值和输出电压均值，并获取无干扰状态下的基准输入电压均值和基准输出电压均值；

根据所述输入电压均值、所述输出电压均值、所述基准输入电压均值和所述基准输出电压均值计算电场强度值；

根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式；

所述根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式，包括：

若所述电场强度值小于或等于第一电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第一电场干扰模式；

若所述电场强度值大于所述第一电场强度阈值，且所述电场强度值小于或等于第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第二电场干扰模式；

若所述电场强度值大于所述第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第三电场干扰模式；其中，所述第一电场强度阈值小于所述第二电场强度阈值，所述第一电场干扰模式、第二电场干扰模式和第三电场干扰模式表征所述接近式传感器受到电场的干扰程度依次增加；

根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略；

其中，所述电磁防干扰策略包括多个；所述根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略，包括：

若所述检测结果或所述电场干扰模式表征需要对所述接近式传感器进行防干扰处理，执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略；

多个电磁防干扰策略包括针对所述接近式传感器的布局的第一电磁防干扰策略、针对所述接近式传感器的电路的第二电磁防干扰策略和针对所述接近式传感器的滤波的第三电磁防干扰策略；所述执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略，包括：

若执行所述第一电磁防干扰策略，获取所述接近式传感器的印制板的折线角度，若所述折线角度表征折线异常，对所述折线角度进行调整；以及

获取所述接近式传感器的输入输出驱动电路的位置信息，若所述位置信息表征所述输入输出驱动电路的位置异常，对所述输入输出驱动电路的位置信息调整；

若执行所述第二电磁防干扰策略，将分隔所述接近式传感器的数字信号和模拟信号的线路放置在不同的电路板上；

若执行所述第三电磁防干扰策略，根据所述电场干扰模式确定所述接近式传感器的滤波器对应的防干扰效率，并控制所述滤波器实现对应的所述防干扰效率。

2.根据权利要求1所述的接近式传感器防电磁干扰方法，其特征在于，所述检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰，包括：

获取所述接近式传感器所处环境的电磁参数，并确定所述电磁参数中表征峰值的第一电磁参数和表征谷值的第二电磁参数；

获取波动阈值，并根据所述第一电磁参数、所述第二电磁参数和所述波动阈值计算干扰评估值；

根据所述干扰评估值确定所述接近式传感器是否受到电磁干扰。

3.根据权利要求1所述的接近式传感器防电磁干扰方法，其特征在于，所述根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，包括：

获取多个基准干扰可见光的基准光谱信息，并通过预设匹配算法将所述光谱信息与多个所述基准光谱信息进行匹配，确定目标基准光谱信息；

计算所述光谱信息与所述目标基准光谱信息的相似度；

根据所述相似度确定所述接近式传感器的电源是否存在干扰。

4.一种接近式传感器防电磁干扰装置，其特征在于，包括：

第一检测模块，配置为检测到所述接近式传感器正常上电后，检测所述接近式传感器是否存在被调制的信号光，若检测到所述接近式传感器存在被调制的信号光，则检测所述接近式传感器是否受到电磁干扰；

第二检测模块，配置为若检测到所述接近式传感器受到电磁干扰，则检测所述接近式传感器内的电源线是否存在可见光；

第一获取模块，配置为若检测到所述接近式传感器内的电源线存在可见光，获取所述可见光的光谱信息，并根据所述光谱信息检测所述接近式传感器的电源是否存在干扰，得到检测结果；以及

第二获取模块，配置为获取所述接近式传感器的电压参数，并根据所述电压参数确定电场干扰模式；

执行模块，配置为根据所述检测结果和所述电场干扰模式执行电磁防干扰策略；

其中，第二获取模块，包括：

第四确定子模块，配置为根据所述电压参数确定预设时间范围内的输入电压均值和输出电压均值，并获取无干扰状态下的基准输入电压均值和基准输出电压均值；

第三计算子模块，配置为根据所述输入电压均值、所述输出电压均值、所述基准输入电压均值和所述基准输出电压均值计算电场强度值；

第五确定子模块，配置为根据所述电场强度值确定所述电场干扰模式；

第五确定子模块，包括：

第二确定单元，配置为若所述电场强度值小于或等于第一电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第一电场干扰模式；

第三确定单元，配置为若所述电场强度值大于所述第一电场强度阈值，且所述电场强度值小于或等于第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第二电场干扰模式；

第四确定单元，配置为若所述电场强度值大于所述第二电场强度阈值，确定所述电场干扰模式为第三电场干扰模式；其中，所述第一电场强度阈值小于所述第二电场强度阈值，所述第一电场干扰模式、第二电场干扰模式和第三电场干扰模式表征所述接近式传感器受到电场的干扰程度依次增加；

所述电磁防干扰策略包括多个，执行模块，包括：

执行子模块，配置为若所述检测结果或所述电场干扰模式表征需要对所述接近式传感器进行防干扰处理，执行多个电磁防干扰策略中的至少一项电磁防干扰策略；

多个电磁防干扰策略包括针对所述接近式传感器的布局的第一电磁防干扰策略、针对所述接近式传感器的电路的第二电磁防干扰策略和针对所述接近式传感器的滤波的第三电磁防干扰策略；执行子模块，包括：

第一获取单元，配置为若执行所述第一电磁防干扰策略，获取所述接近式传感器的印制板的折线角度，若所述折线角度表征折线异常，对所述折线角度进行调整；以及

第二获取单元，配置为获取所述接近式传感器的输入输出驱动电路的位置信息，若所述位置信息表征所述输入输出驱动电路的位置异常，对所述输入输出驱动电路的位置信息调整；

放置单元，配置为若执行所述第二电磁防干扰策略，将分隔所述接近式传感器的数字信号和模拟信号的线路放置在不同的电路板上；

第一确定单元，配置为若执行所述第三电磁防干扰策略，根据所述电场干扰模式确定所述接近式传感器的滤波器对应的防干扰效率，并控制所述滤波器实现对应的所述防干扰效率。

5.一种电子设备，其特征在于，包括：

一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序，当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时，使得所述电子设备实现如权利要求1至3中任一项所述的接近式传感器防电磁干扰方法。

6.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机可读指令，当所述计算机可读指令被计算机的处理器执行时，使计算机执行权利要求1至3中任一项所述的接近式传感器防电磁干扰方法。