CN116963529A - 显示面板及制作方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示面板及制作方法、显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括：阵列基板和发光层，发光层位于所述阵列基板的一侧，且具有多个发光单元，所述发光单元包括在背离所述阵列基板的方向上依次层叠的阳极块、发光功能层和阴极块；其中，所述发光层包括阴极层，所述阴极层包括多个所述阴极块，且多个所述阴极块间隔分布。本公开实施方式中，设置阴极层包括间隔分布的多个阴极块，从而减小了阴极层在发光单元以外的区域对亮度的遮挡，从而能够进一步提高显示面板显示画面时的亮度，提高显示效果。

Description

显示面板及制作方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及制作方法、显示装置。

背景技术

显示面板已经广泛的应用于手机、计算机和电视等电子设备中，且随着显示面板的快速发展，用户对显示面板的画面显示的要求也越来越高。比如显示画面的亮度等。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示面板及制作方法、显示装置，能够提高显示画面时的亮度。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：

阵列基板；

发光层，位于所述阵列基板的一侧，且具有多个发光单元，所述发光单元包括在背离所述阵列基板的方向上依次层叠的阳极块、发光功能层和阴极块；

其中，所述发光层包括阴极层，所述阴极层包括多个所述阴极块，且多个所述阴极块间隔分布。

根据本公开任一所述显示面板，所述阴极层包括多组所述阴极块，每组所述阴极块为一体结构。

根据本公开任一所述显示面板，每组所述阴极块均包括两个所述阴极块。

根据本公开任一所述显示面板，所述阴极层还包括电压信号线，所述电压信号线与所述阴极块连接。

根据本公开任一所述显示面板，所述阵列基板具有电压信号线，所述发光层还具有转接部，所述转接部分别与所述电压信号线和所述阴极块连接。

根据本公开任一所述显示面板，所述阵列基板包括单层源漏金属层，所述源漏金属层具有所述电压信号线。

根据本公开任一所述显示面板，所述阵列基板包括多层源漏金属层，至少一层所述源漏金属层具有所述电压信号线。

根据本公开任一所述显示面板，多层所述源漏金属层中至少两层所述源漏金属层均具有所述电压信号线，且至少两层所述源漏金属层所具有的电压信号线的延伸方向不同。

根据本公开任一所述显示面板，所述源漏金属层为复合结构层。

根据本公开任一所述显示面板，所述源漏金属层包括依次层叠的钛金属层、铝金属层、钛金属层。

根据本公开任一所述显示面板，所述转接部包括阳极转接块和发光转接块，所述阳极转接块与所述阳极块同层且间隔分布，所述发光转接块与所述发光功能层同层，且所述发光转接块包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。

根据本公开任一所述显示面板，所述发光转接块与所述发光功能层间隔分布。

根据本公开任一所述显示面板，所述发光层还包括隔断部，所述隔断部与所述发光转接块同层，且位于所述发光功能层与所述发光转接块之间。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的制造方法，所述方法包括：

制作一阵列基板；

在所述阵列基板的一侧制作发光层，所述发光层具有多个发光单元，所述发光单元包括在背离所述阵列基板的方向上依次层叠的阳极块、发光功能层和阴极块，所述发光层包括阴极层，所述阴极层包括多个所述阴极块，且多个所述阴极块间隔分布。

根据本公开任一所述的方法，所述阴极层还包括电压信号线，所述电压信号线与所述阴极块连接。

根据本公开任一所述的方法，制作一阵列基板，包括：制作一具有电压信号线的阵列基板；

在所述阵列基板的一侧制作发光层，包括：在所述阵列基板的一侧制作具有转接部的发光层，所述转接部分别与所述电压信号线和所述阴极块连接。

根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述一方面所述的显示面板。

本公开实施方式至少包括以下技术效果：

本公开实施方式中，设置阴极层包括间隔分布的多个阴极块，以减小阴极层在发光单元以外的区域对亮度的遮挡，从而能够进一步提高显示面板显示画面时的亮度，提高显示效果。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图2为本公开实施方式提供的另一种显示面板的剖面结构示意图。

图3为本公开实施方式提供的另一种显示面板的剖面结构示意图。

图4为本公开实施方式提供的一种显示面板的俯视结构示意图。

图5为本公开实施方式提供的又一种显示面板的剖面结构示意图。

图6为本公开实施方式提供的再一种显示面板的剖面结构示意图。

图7为本公开实施方式提供的一种显示面板的制造流程示意图。

附图标记：

100、显示面板；

10、阵列基板；20、发光层；30、电压信号线；

11、衬底基板；12、驱动层；

121、缓冲层；122、半导体层；123、栅极绝缘层；124、栅金属层；125、层间电介质层；126、源漏金属层；127、平坦层；

21、阳极层；22、有机发光层；23、阴极层；24、像素定义层；25、转接部；

211、阳极块；212、阳极转接块；

221、发光功能层；222、发光转接块；223、隔断部223；

231、阴极块；

241、像素开口；242、转接开口。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

本公开中，晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏极端子、漏区域或漏电极)与源极(源极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区，并且电流可以流过漏极、沟道区以及源极。沟道区是指电流主要流过的区域。在使用类型相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此，在本公开中，“源极”和“漏极”可以互相调换。从结构上，晶体管可以具有第一极、第二极和控制极，其中，晶体管的栅极可以作为晶体管的控制极；晶体管的源极和漏极中的一个可以作为晶体管的第一极，另一个可以作为晶体管的第二极。

在本公开中，晶体管的“导通”状态，指的是晶体管的源极和漏极之间处于电性连接的状态。晶体管的“截止”状态，指的是晶体管的源极和漏极之间处于电性断路的状态；可以理解的是，当晶体管截止时，其依然可以存在漏电流。

本公开实施方式提供了一种显示面板100。如图1所示，该显示面板100包括阵列基板10和发光层20，阵列基板10形成有多个像素电路，发光层20位于阵列基板10的一侧，且具有多个发光单元，一像素电路与对应的至少一个发光单元连接(例如一像素电路与对应的一个发光单元连接)。如此，可通过像素电路驱动对应的发光单元发光，实现画面的显示。

其中，阵列基板10上的多个像素电路可呈阵列分布，像素电路可以是1T1C、2T1C、7T1C等电路，只要能驱动对应的至少一个发光单元发光即可，本公开实施方式对此不做特殊限定。nTmC表示一个像素电路包括n个晶体管(用字母“T”表示)和m个电容Cst(用字母“C”表示)。

其中，像素电路包括的电容Cst可以为存储电容、寄生电容等，当然每个像素电路也可以同时包括存储电容和寄生电容。而对于多个像素电路包括的同一类型的电容Cst，其在阵列基板10的厚度方向上的投影的面积相等(此处的相等是指理论设计上的相等，并不限定其因制作工艺而产生的误差)，如此，以保证各像素电路的电参数相同，进而保证各像素电路对应的发光单元发光时的发光效果相同。

其中，如图1所示，阵列基板10包括透明的衬底基板11和位于衬底基板11一侧的驱动层12，或者包括硅基板和位于硅基板一侧的走线层。

以阵列基板10包括衬底基板11和驱动层12为例，衬底基板11可以是例如玻璃基板、石英基板、塑胶基板或其他透明的硬质或者可挠式基板，其可以是单层或多层结构。以多层结构为例，衬底基板11包括由下至上依次层叠设置的第一PI(聚酰亚胺)层、第一保护层、第二PI(聚酰亚胺)层、第二保护层，两个保护层用于保护PI层，防止后续工艺对PI层的破坏。第二保护层上还覆盖有缓冲层121，可以阻挡水氧和阻隔碱性离子。

如图1所示，驱动层12包括在背离衬底基板11的方向依次分布的缓冲层121、晶体管层、层间电介质层125、源漏金属层126和平坦层127，晶体管层包括层叠于缓冲层121和层间电介质层125之间的半导体层122、栅极绝缘层123、栅金属层124。晶体管层包括的各膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。

其中，缓冲层121的材料可以为氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料，缓冲层121可以为一层无机材料层，也可以为多层层叠的无机材料层。半导体层122可以用于形成像素电路包括的各晶体管的有源部，各有源部包括沟道区和位于沟道区两侧的两个连接部(即晶体管的源极和漏极)。其中，沟道区可以保持半导体特性，两个连接部对应的半导体材料被局部或者全部导体化。栅金属层124可以用于形成扫描线(扫描线在与有源部的沟道区交叠的区域形成晶体管的栅极)等走线，还可以用于形成存储电容的第二极板。源漏金属层126可以用于形成电源线、数据线、感测线、连接线等源漏金属层126走线，还可以用于形成用于形成存储电容的第一极板。

在一些实施方式中，半导体层122可以为一层半导体层122，也可以为两层半导体层122。示例性地，半导体层122包括低温多晶硅半导体层122。栅金属层124可以为一层栅金属层124，也可以两层或者三层栅金属层124。示例性地，栅金属层124包括一层栅金属层124。

可以理解的是，当栅金属层124或者半导体层122等具有多层结构时，晶体管层中的栅极绝缘层123可以进行适应性地增减。示例性地，驱动层12包括依次层叠设置于衬底基板11上的低温多晶硅半导体层122、栅极绝缘层123、栅金属层124。

在一些实施方式中，源漏金属层126可以为一层源漏金属层126，也可以为两层或者三层源漏金属层126。示例性地，如图2所示，驱动层12包括一层源漏金属层126，如图1所示，驱动层12包括两层源漏金属层126。而对于多层源漏金属层126的情况，相邻两层源漏金属层126之间设置有钝化层和/或平坦层127，以通过钝化层和/或平坦层127实现相邻两层源漏金属层126的绝缘。

在一些实施方式中，发光单元可以为有机电致发光二极管、微发光二极管、量子点-有机电致发光二极管、量子点发光二极管或者其他类型的发光单元。

示例性地，在一些实施方式中，发光单元为有机电致发光二极管，则该显示面板100为OLED显示面板100。如下，以发光单元为有机电致发光二极管为例，对发光单元的一种可行结构进行示例性的介绍。

其中，如图1或图2所示，发光单元包括在背离阵列基板10的方向上依次层叠的阳极块211、发光功能层221和阴极块231，发光功能层221可以包括有机电致发光材料层，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。

另外，如图1或图2所示，发光层20还包括设于驱动层12背离衬底基板11一侧的像素定义层24，像素定义层24设有与多个发光单元一一对应的像素开口241，每个发光单元位于对应的像素开口241内，且阳极块211包括在对应的像素开口241处裸露的裸露区和被像素定义层24覆盖的区域，阳极块211的裸露区形成相应发光单元的发光区。

在一些实施方式中，显示面板100还可以包括薄膜封装层。薄膜封装层设于发光层20背离阵列衬底基板11的一侧，薄膜封装层可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。

其中，无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层221而导致材料降解；有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。

其中，显示面板100具有显示区和位于显示区外围的外围区，无机封装层的边缘可以位于外围区，有机封装层的边缘可以位于显示区的边缘和无机封装层的边缘之间。示例性地，薄膜封装层包括依次层叠于发光层20背离阵列衬底基板11一侧的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。

在一些实施方式中，显示面板100还可以包括触控功能层，触控功能层设于薄膜封装层背离阵列衬底基板11的一侧，用于实现显示面板100的触控操作。

本公开实施方式中，如图1或图2所示，发光层20包括在背离阵列基板10的方向上层叠的阳极层21、有机发光层22和阴极层23，阳极层21包括多个发光单元的阳极块211，有机发光层22包括多个发光单元的发光功能层221，阴极层23包括多个发光单元的阴极块231。

其中，如图1或图2所示，阴极层23包括的多个阴极块231间隔分布，如此减小了阴极层23在发光单元以外的区域对亮度的遮挡，从而能够进一步提高显示面板100显示画面时的亮度，提高显示效果。

其中，显示面板100具有电压信号线30，以通过电压信号线30在阴极块231上加载电压信号(即VSS信号)。而对于阴极层23包括的多个阴极块231，在显示画面时，可以单独对每个阴极块231加载电压信号，此时显示面板100包括与多个阴极块231一一对应的多个电压信号线30，从而通过多个电压信号线30分别在多个阴极块231上加载电压信号；当然，也可以将多个阴极块231中的部分阴极块231作为一体结构加载电压信号，此时显示面板100包括多个电压信号线30，且每个电压信号线30对应一体结构的多个阴极块231，从而通过一个电压信号线30在一体结构的多个阴极块231上加载电压信号。

对于上述的一体结构的多个阴极块231，如图3和图4所示，阴极层23包括多组阴极块231，每组阴极块231为一体结构。如此，将阴极层23包括的多个阴极块231进行多组划分，从而便于减少加载电压信号的电压信号线30的个数，从而便于简化显示面板100的结构，简化制作工艺。

其中，对于阴极层23的多组阴极块231可通过精细掩膜版制作，而对于每组包括的多个阴极块231可以通过连接条实现一体结构，以便于通过宽度较窄的连接条减小对亮度的遮挡，保证显示面板100显示画面时的亮度。

其中，每组包括的阴极块231的个数可以相同，也可以不同，还可以不全相同。对于每组包括的阴极块231的个数均相同的情况，示例地，如图3或图4所示，每组阴极块231均包括两个阴极块231；对于每组包括的阴极块231的个数不全相同的情况，示例地，多组阴极块231中一部分组均包括两个阴极块231，剩余部分均包括三个阴极块231。

本公开实施方式中，对于在阴极块231上加载电压信号的电压信号线30，结合上述所述的显示面板100包括阵列基板10和发光层20的情况，电压信号线30可以形成在阵列基板10上，也可以形成在发光层20上，当然还可以是阵列基板10和发光层20上均形成有电压信号线30。

在一些实施方式中，电压信号线30形成在发光层20上，也即是发光层20包括电压信号线30，电压信号线30与阴极块231连接。

其中，结合上述所述的发光层20包括阳极层21、有机发光层22和阴极层23的情况，可以在阳极层21形成电压信号线30，也可以形成在阴极层23形成电压信号线30。当然，为了避免单层设置电压信号线30时，由于电压信号线30数量较多而增加工艺难度，可同时在阳极层21和阴极层23形成电压信号线30，本公开实施方式对此不做限定。

而当阳极层21形成有电压信号线30时，电压信号线30在阳极块211以外的区域延伸，且与阳极块211间隔设置，以避免阳极块211与电压信号线30之间的串扰。而结合上述所述的发光层20包括像素定义层24的情况，像素定义层24除了具有像素开口241外，还具有转接开口242(转接开口242与像素开口241之间不存在重合区域)，以在像素定义层24覆盖电压信号线30后，在转接开口242处裸露电压信号线30，进而通过电压信号线30在转接开口242处裸露的部分与阴极块231连接。

其中，电压信号线30在转接开口242处与阴极块231连接时，若有机发光层22包括的多个发光功能层221为整层的一体结构时，电压信号线30可通过有机发光层22与阴极块231连接。此时，电压信号线30与相邻的阳极块211之间虽然会因为有机发光层22的存在而在产生漏电流，但是由于在垂直显示面板100的方向上有机发光层22的电阻率为阳极块211的电阻率的20倍以上，且在显示面板100的平面内有机发光层22的电阻率会更大，从而可以忽略有机发光层22产生的漏电流，保证电压信号线30加载在阴极块231上的电压信号。

若有机发光层22包括的多个发光功能层221间隔分布时，像素定义层24上的转接开口242位于像素开口241之外的区域，从而可保证阴极块231在转接开口242处与阳极层21上的电压信号线30直接连接，同时避免电压信号线30与阳极块211之间产生漏电流的情况。

而当阴极层23形成有电压信号线30时，如图1或图3所示，电压信号线30位于阴极块231以外的区域。电压信号线30与阴极块231可以通过连接块连接，也可以为一体结构，本公开实施方式对此不做限定。

需要说明的是，相较于电压信号线30形成在阴极层23的情况，当电压信号线30形成在阳极层21时，电压信号线30是否透光并不会对显示面板100的亮度产生影响，从而便于采用电阻率较小的金属材质制作电压信号线30，以减小在阴极块231上加载电压信号时的压降，从而降低功耗。

在另一些实施方式中，如图2或图5所示，电压信号线30形成在阵列基板10上，也即是，阵列基板10具有电压信号线30，此时发光层20还具有转接部25，转接部25分别与电压信号线30和阴极块231连接。如此，由于电压信号线30是否透光并不会对显示面板100的亮度产生影响，从而便于采用电阻率较小的金属材质制作电压信号线30，以减小在阴极块231上加载电压信号时的压降，从而降低功耗。

对于阵列基板10上形成的电压信号线30，阵列基板10包括金属层，电压信号线30可形成在金属层。可选地，金属层为复合结构层，以便于能够进一步减小金属层上电压信号线30的电阻率，从而降低电压信号传输时的功耗。示例地，金属层包括依次层叠的钛金属层、铝金属层、钛金属层。

结合上述所述的阵列基板10包括源漏金属层126的情况，如图5或图6所示，源漏金属层126可以形成有电压信号线30，此时源漏金属层126上的电压信号可通过平坦层127上的过孔与转接部25连接。此时源漏金属层126可以为复合结构层，以降低电压信号传输时的功耗。示例地，源漏金属层126包括依次层叠的钛金属层、铝金属层、钛金属层。另外，对于位于源漏金属层126上的电压信号线30，可采用SIP技术实现。

当阵列基板10包括单层源漏金属层126，源漏金属层126具有电压信号线30；当阵列基板10包括多层源漏金属层126，至少一层源漏金属层126具有电压信号线30。

其中，对于多层源漏金属层126中的一层源漏金属层126具有电压信号线30的情况，若电压信号线30形成在多层源漏金属层126靠近衬底基板11的一层源漏金属层126上时，电压信号线30可通过层间电介质层125、平坦层127上的过孔实现与转接部25的连接；而若电压信号线30形成在多层源漏金属层126中靠近发光层20的一层源漏金属层126上时，电压信号线30可通过平坦层127上的过孔实现与转接部25的连接。

其中，对于多层源漏金属层126中的至少两层源漏金属层126具有电压信号线30的情况，两层源漏金属层126上的电压信号线30可通过不同的转接部25与不同的阴极块231连接，当然也可通过同一转接部25与同一阴极块231连接。而对于不同层的电压信号线30与同一阴极块231连接的情况，能够进一步减小电压信号的传输电阻，在降低压降的同时降低功耗。

至少两层源漏金属层126所具有电压信号线30的延伸方向可以相同，当然至少两层源漏金属层126上电压信号线30的延伸方向也可以不同。示例地，两层源漏金属层126上均具有电压信号线30，且两层源漏金属层126上电压信号线30的延伸方向相互垂直。

对于发光层20所具有的转接部25，结合上述所述的发光层20的结构，转接部25包括阳极转接块212，或者如图5或图6所示，转接部25包括阳极转接块212和发光转接块222。

其中，阳极转接块212位于发光层20的阳极层21，且与阳极块211间隔分布，此时阳极转接块212直接连接电压信号线30和阴极块231；发光转接块222位于发光层20的有机发光层22，且发光转接块222包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层，以通过发光转接块222实现阳极转接块212与阴极块231的连接。而发光转接块222与发光功能层221可以是间隔分布，也可以是一体结构。

当转接部25包括阳极转接块212时，阳极转接块212分别与阵列基板10的电压信号线30和阴极块231连接。而为了保证阳极转接块212与阴极块231的连接，有机发光层22包括的多个发光功能层221间隔分布，且像素定义层24具有位于像素开口241以外区域的转接开口242，阳极转接块212的至少部分在转接开口242处裸露，阴极块231在发光功能层221以外的区域，且在转开口处与阳极转接块212裸露的部分连接。

当转接部25包括阳极转接块212和发光转接块222时，阳极转接块212和发光转接块222作为整体实现电压信号线30与阴极块231连接。若发光转接块222与发光功能层221为一体结构，阳极转接块212与阳极块211之间虽然会因为有机发光层22产生漏电流，但是由于在垂直显示面板100的方向上有机发光层22的电阻率为阳极块211的电阻率的20倍以上，且在显示面板100的平面内有机发光层22的电阻率会更大，从而可以忽略阳极转接块212与阳极块211之间产生的漏电流，保证电压信号线30加载在阴极块231上的电压信号。

若发光转接块222与发光功能层221间隔分布时，可完全避免阳极转接块212与阳极块211之间因有机发光层22而产生漏电流的情况。进一步地，发光层20还包括隔断部223，隔断部223与发光转接块222同层，且位于发光功能层221与发光转接块222之间。也即是，如图5或图6所示，发光层20的有机发光层22具有隔断部223，隔断部223位于发光转接块222与发光功能层221之间，从而通过隔断部223有效阻隔发光功能层221与发光转接块222之间的导通。

本公开实施方式还提供了一种显示面板的制造方法，该方法用于制造上述实施方式所述的显示面板。如图7所示，该方法包括如下步骤S110-步骤S120。

步骤S110、制作一阵列基板；

步骤S120、在阵列基板的一侧制作发光层，发光层具有多个发光单元，发光单元包括在背离阵列基板的方向上依次层叠的阳极块、发光功能层和阴极块，发光层包括阴极层，阴极层包括多个阴极块，且多个阴极块间隔分布。

本公开实施方式中，通过间隔分布的多个阴极块，能够减小阴极层在发光单元以外的区域对亮度的遮挡，从而提高显示面板显示画面时的亮度，提高显示效果。

结合上述实施方式所述的，显示面板还包括电压信号线，此时若电压信号线形成在发光层的阴极层上，此时上述步骤S120制作的发光层中，阴极层还包括电压信号线，电压信号线与阴极块连接。此时通过步骤S110制作的阵列基板的具体结构可参考上述实施方式所述。

而若电信号线形成在阵列基板上时，上述步骤S110包括：制作一具有电压信号线的阵列基板；上述步骤S120包括：在阵列基板的一侧制作具有转接部的发光层，转接部分别与电压信号线和阴极块连接。步骤S110、步骤S120制作的阵列基板和发光层的具体结构可参考上述实施方式所述的阵列基板和发光层，本公开实施方式对此不再赘述。

本公开还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式所述的显示面板。如此，通过上述实施方式所述的显示面板的使用，能够有效提高显示装置的显示画面的亮度，从而提高显示效果。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板；

发光层，位于所述阵列基板的一侧，且具有多个发光单元，所述发光单元包括在背离所述阵列基板的方向上依次层叠的阳极块、发光功能层和阴极块；

其中，所述发光层包括阴极层，所述阴极层包括多个所述阴极块，且多个所述阴极块间隔分布。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层包括多组所述阴极块，每组所述阴极块为一体结构。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每组所述阴极块均包括两个所述阴极块。

4.如权利要求1-3任一所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层还包括电压信号线，所述电压信号线与所述阴极块连接。

5.如权利要求1-3任一所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板具有电压信号线，所述发光层还具有转接部，所述转接部分别与所述电压信号线和所述阴极块连接。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括单层源漏金属层，所述源漏金属层具有所述电压信号线。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括多层源漏金属层，至少一层所述源漏金属层具有所述电压信号线。

8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，多层所述源漏金属层中至少两层所述源漏金属层均具有所述电压信号线，且至少两层所述源漏金属层所具有的电压信号线的延伸方向不同。

9.如权利要求6-8任一所述的显示面板，其特征在于，所述源漏金属层为复合结构层。

10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述源漏金属层包括依次层叠的钛金属层、铝金属层、钛金属层。

11.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述转接部包括阳极转接块和发光转接块，所述阳极转接块与所述阳极块同层且间隔分布，所述发光转接块与所述发光功能层同层，且所述发光转接块包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。

12.如权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述发光转接块与所述发光功能层间隔分布。

13.如权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述发光层还包括隔断部，所述隔断部与所述发光转接块同层，且位于所述发光功能层与所述发光转接块之间。

14.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

制作一阵列基板；

在所述阵列基板的一侧制作发光层，所述发光层具有多个发光单元，所述发光单元包括在背离所述阵列基板的方向上依次层叠的阳极块、发光功能层和阴极块，所述发光层包括阴极层，所述阴极层包括多个所述阴极块，且多个所述阴极块间隔分布。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述阴极层还包括电压信号线，所述电压信号线与所述阴极块连接。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，制作一阵列基板，包括：制作一具有电压信号线的阵列基板；

在所述阵列基板的一侧制作发光层，包括：在所述阵列基板的一侧制作具有转接部的发光层，所述转接部分别与所述电压信号线和所述阴极块连接。

17.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求1-13任一所述的显示面板。