CN116735923A - 一种高温老化测试插座调节结构 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及芯片高温老化测试技术领域,具体为一种高温老化测试插座调节结构,所述调节结构包括:挡块和挡球,挡块设置在上盖上,挡球设置在转环上,且挡球能够随着转环转动,挡块设置在挡球随着转环转动的路径上,并且在挡球与挡块接触后使转环停止转动,挡块靠近挡球的一侧沿转环的轴线方向设置有若干个挡面,由此结构能够实现,通过改变挡球在转环径向方向的位置,能够使挡球与不同的挡面接触,每个挡面能够限定一个转环转动的角度,从而限定多个转环转动的角度,从而适应多个不同封装的芯片,调节方式简单方便,能够实现快速调节。
Description
技术领域
本发明涉及芯片高温老化测试技术领域,具体为一种高温老化测试插座调节结构。
背景技术
芯片的高温老化测试,是将芯片加热至其工作温度,或高于工作温度的状态下,测试芯片的耐受性和可靠性,从而在早期发现芯片的故障,对于产品质量的监督、高质量芯片的筛选等具有重要意义。
测试插座是一种常用的芯片高温老化测试工具,现有的测试插座主要包括:上盖、转环、底座和芯片压块,上盖与底座的一侧铰接连接,转环转动设置在上盖上,底座用于装载芯片,而芯片压块内部设置有用于升温的加热棒,芯片压块通过其底部与芯片上表面接触,对芯片进行加热,通过转动转环使芯片压块升降,从而使芯片压块的下表面与芯片贴合;而现有的芯片由于封装不同,芯片压块需要下降的高度也不相同,即转环需要转动的角度不同,如图11所示,现有的测试插座通过在上盖上设置销钉,在转动转环时,能够限制转环转动的最大角度,从而与芯片适应,但是该结构,仍存在以下不足:
由于采用销钉阻挡转环转动的方案,在对不同的芯片进行调整时,需要重新设置销钉的位置,而销钉的调整位置没有销孔时,需要重新打孔,调节不便;
插座能够适应的芯片数受到销孔数量限制,导致无法适应更多的芯片。
发明内容
针对现有的测试插座对不同封装芯片适应性差的技术不足,本发明提供了一种高温老化测试插座调节结构及方法,能够实现快速方便的调节,并能够适应更多封装的芯片。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种高温老化测试插座调节结构,所述的测试插座包括:上盖和转环,所述的转环转动连接在上盖上,所述的调节结构包括:挡块和挡球,所述的挡块设置在上盖上,所述的挡球设置在转环上,且挡球能够随着所述转环转动,所述的挡块设置在挡球随着转环转动的路径上,并且在挡球与挡块接触后使转环停止转动;
所述的挡块靠近挡球的一侧沿所述转环的轴线方向设置有若干个挡面,所述的挡球能够沿所述转环的径向移动,使挡球随转环转动时能够与不同的挡面接触,并且若干个所述挡面的设置满足:在挡球由外向内依次与不同的挡面接触时,转环转动的角度依次减小;
若干个所述的挡面均为斜面,所述的挡球能够沿所述转环的轴向移动,使挡球随转环转动时能够与任一斜面的不同高度处接触,并且任一挡面的斜面设置均满足:在挡球由低到高依次与斜面的不同位置接触时,转环转动的角度依次增加,且位于外侧的所述斜面的底部与其内侧的斜面的顶部具有重叠区域。
进一步的,所述挡球的外端固定连接在轴向滑块上,轴向滑块沿所述转环的轴向滑动设置在径向滑块上,径向滑块沿所述转环的径向滑动设置在转环上。
进一步的,所述轴向滑块上设置有轴向丝杆,轴向丝杆转动连接在径向滑块上,且轴向丝杆的一端连接有轴向旋钮;所述径向滑块上设置有径向丝杆,径向丝杆转动连接在转环上,且径向丝杆的一端连接有径向旋钮。
进一步的,所述轴向旋钮的底部设置有轴向刻度盘,该轴向刻度盘固定连接在径向滑块上;所述径向旋钮的底部设置有径向刻度盘,该径向刻度盘固定连接在转环上。
进一步的,所述的测试插座还包括:底座和芯片压块,所述的底座用于装载测试芯片,所述的上盖内部滑动设置有用于对芯片加热进行老化测试的芯片压块,所述的芯片压块与转环螺纹连接。
与现有技术相比,本发明提供了一种高温老化测试插座调节结构及测试方法,具备以下有益效果:
第一、本发明高温老化测试插座调节结构,包括:挡块和挡球,挡块设置在上盖上,挡球设置在转环上,且挡球能够随着转环转动,挡块设置在挡球随着转环转动的路径上,并且在挡球与挡块接触后使转环停止转动,挡块靠近挡球的一侧沿转环的轴线方向设置有若干个挡面,由此结构能够实现,通过改变挡球在转环径向方向的位置,能够使挡球与不同的挡面接触,每个挡面能够限定一个转环转动的角度,从而限定多个转环转动的角度,从而适应多个不同封装的芯片,调节方式简单方便,能够实现快速调节。
第二、本发明高温老化测试插座调节结构,若干个挡面均为斜面,挡球能够沿转环的轴向移动,使挡球随转环转动时能够与任一斜面的不同高度处接触,由此结构,能够实现,通过改变挡球在转环轴向方向的位置,能够使挡球与同一挡面的不同高度处接触,由于挡面被设置成斜面,在挡球依次与同一挡面的最低点至最高点处接触时,转环转动的角度由小变大,从而使转环转动的角度能够被限定在任一由该挡面限定的一角度区间内,多个挡面限定的角度区间连续,从而适应更多不同封装的芯片,能够实现一角度区间内任意角度的调节。
第三、本发明高温老化测试插座调节方法,通过对挡球沿转环的径向方向的调整,能够选择挡球与挡块接触的挡面,在选定挡面后,转环能够转动至该挡面对应的多个角度区间的和的角度,超出的部分角度通过对挡球沿转环的轴向方向的调整,能够使挡球与选定的挡面的不同高度处接触,使转环能够在由选定的挡面对应的多个角度区间的和的角度的基础上,转动超出的部分角度,从而使转环能够转动的角度与任意的待测试芯片对应,进而实现测试插座对不同封装芯片适应的快速调整。
附图说明
图1为本发明高温老化测试插座的调节结构的结构示意图;
图2为图1中的调节结构转动后的结构示意图;
图3为挡球沿径向移动时转环转动角度的示意图;
图4为图3中的挡块展开后的示意图;
图5为图4中的挡块的侧视示意图;
图6为挡球沿轴向移动时转环转动角度的示意图;
图7为图6中的挡块展开后的示意图;
图8为图7中的挡块的侧视示意图;
图9为转环的内部结构示意图;
图10为测试插座的结构示意图;
图11为现有的调节结构的结构示意图;
图12为本发明的调节方法的原理示意图;
图13为本发明的调节方法的流程图。
其中:1、上盖;2、转环;3、挡块;4、挡球;5、轴向滑块;6、径向滑块;7、轴向丝杆;8、径向丝杆;9、底座;10、芯片压块;11、销钉。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明具体实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的具体实施方式仅仅是本发明一部分,而不是全部。基于本发明中的具体实施方式,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他具体实施方式,都属于本发明保护的范围。
方式一
以下是一种高温老化测试插座调节结构的具体实施方式。
结合图1和图2所示,本实施例公开的一种高温老化测试插座调节结构,所述的测试插座包括:上盖1和转环2,所述的转环2转动连接在上盖1上;高温老化测试插座通过转动转环2进行调节,从而使上盖1对不同封装的芯片进行适应;
所述的调节结构包括:挡块3和挡球4,所述的挡块3设置在上盖1上,所述的挡球4设置在转环2上,且挡球4能够随着所述转环2转动,所述的挡块3设置在挡球4随着转环2转动的路径上,并且在挡球4与挡块3接触后使转环2停止转动;
通过将挡块3设置在挡球4随转环2转动时的移动路径上,在需要对上盖1进行调节时,转动转环2,挡球4随之转动,在挡球4与挡块3接触后,转环2被限制转动,从而对转环2转动角度进行限位;
所述的挡块3靠近挡球4的一侧沿所述转环2的轴线方向设置有若干个挡面,所述的挡球4能够沿所述转环2的径向移动,使挡球4随转环2转动时能够与不同的挡面接触,并且若干个所述挡面的设置满足:在挡球4由外向内依次与不同的挡面接触时,转环2转动的角度依次减小;
结合图3、图4和图5所示,通过改变挡球4在转环2径向方向的位置,能够使挡球4随转环2转动后与不同的挡面接触,每个挡面能够限定一个转环2转动的角度,从而限定多个转环2转动的角度,从而适应多个不同封装的芯片,调节方式简单方便,能够实现快速调节;
在挡球4位于起点时,挡球4随转环2转动后能够与最内侧的第一个挡面的位置A接触,此时挡球4随转环2转动角度a;
在挡球4沿转环2的径向向外移动距离m时,挡球4随转环2转动后能够与第二个挡面的位置B接触,此时挡球4随转环2转动角度b;
在挡球4沿转环2的径向向外移动距离n时,挡球4随转环2转动后能够与第三个挡面的位置C接触,此时挡球4随转环2转动角度c;
在本实施方式中,在挡块3上设置三个挡面,通过使挡球4在转环2径向方向上的位置依次位于起点、距离m和距离n,挡球4随转环2转动后依次与三个挡块3的位置A、位置B和位置C接触,进而限定转环2转动的最大角度为角度a、角度b和角度c,从而适应三个与角度a、角度b和角度c对应的芯片。
为进一步提高限定转环2转动角度的数量,从而适应更多的芯片;
若干个所述的挡面均为斜面,所述的挡球4能够沿所述转环2的轴向移动,使挡球4随转环2转动时能够与任一斜面的不同高度处接触,并且任一挡面的斜面设置均满足:在挡球4由低到高依次与斜面的不同位置接触时,转环2转动的角度依次增加,且位于外侧的所述斜面的底部与其内侧的斜面的顶部具有重叠区域。
结合图6、图7和图8所示,通过改变挡球4在转环2轴向方向的位置,能够使挡球4随转环2转动后与同一挡面的不同高度处接触,由于挡面被设置成斜面,在挡球4依次与同一挡面的最低点至最高点处接触时,转环2转动的角度由小变大,从而使转环2转动的角度能够被限定在任一由该挡面限定的一角度区间内,由于位于外侧的所述斜面的底部与其内侧的斜面的顶部具有重叠区域,从而使多个挡面限定的角度区间连续,从而适应更多不同封装的芯片;
在挡球4沿转环2的轴向向上移动距离o时,挡球4随转环2转动后能够与挡面的位置D接触,此时挡球4随转环2转动角度d;
在挡球4沿转环2的轴向向上移动距离p时,挡球4随转环2转动后能够与挡面的位置E接触,此时挡球4随转环2转动角度e;
在挡球4沿转环2的轴向向上移动距离q时,挡球4随转环2转动后能够与挡面的位置F接触,此时挡球4随转环2转动角度f;
在挡球4的径向位置与第一个挡面对应时,将挡球4移动至位于挡块3高度范围内的任一轴向距离,如距离o、距离p和距离q时,挡球4能够与该挡面的任一位置,如位置D、位置E和位置F接触,使转环2转动的角度能够被限制在任一由该挡面限定的一角度区间内,如角度d、角度e和角度f,从而适应任一该角度区间能够对应的芯片;
为进一步提高限定转环2转动角度的数量,从而适应更多的芯片;
通过对挡球4的径向位置调整选择挡块3的挡面,每个挡面对应一段角度区间,多个挡面的角度区间连续,通过对挡球4的轴向位置调整改变与选择的挡面的不同位置接触,从而对选择的挡面对应的角度区间内的任意角度进行选择,进而实现对多个挡面的角度区间形成的连续角度区间内任意角度的选择,从而适应更多的芯片。
在进行适应一芯片的调整时,通过对挡球4的径向位置调整,选择包含在该芯片待调整角度的角度区间,通过对挡球4的轴向位置进行调整,选择该角度区间内与芯片待调整角度对应得角度,进而使转环2转动的最大角度与该芯片待调整角度对应。
具体地,结合图9所示,所述挡球4的外端固定连接在轴向滑块5上,轴向滑块5沿所述转环2的轴向滑动设置在径向滑块6上,径向滑块6沿所述转环2的径向滑动设置在转环2上。
通过轴向滑块5在径向滑块6上滑动,带动挡球4移动,实现挡球4的轴向移动,通过径向滑块6在转环2上滑动,带动轴向滑块5和挡球4移动,实现挡球4的径向移动。
具体地,所述轴向滑块5上设置有轴向丝杆7,轴向丝杆7转动连接在径向滑块6上,且轴向丝杆7的一端连接有轴向旋钮;所述径向滑块6上设置有径向丝杆8,径向丝杆8转动连接在转环2上,且径向丝杆8的一端连接有径向旋钮。
通过转动轴向旋钮使轴向丝杆7转动,使轴向滑块5滑动,实现轴向滑块5在径向滑块6上滑动,通过转动径向旋钮使径向丝杆8转动,使径向滑块6滑动,实现径向滑块6在转环2上滑动;
具体地,所述轴向旋钮的底部设置有轴向刻度盘,该轴向刻度盘固定连接在径向滑块6上;所述径向旋钮的底部设置有径向刻度盘,该径向刻度盘固定连接在转环2上。
通过轴向刻度盘现实挡球4的轴向位置,通过径向刻度盘现实挡球4的径向位置。
具体地,所述的测试插座还包括:底座9和芯片压块10,所述的底座9用于装载测试芯片,所述的上盖1内部滑动设置有用于对芯片加热进行老化测试的芯片压块10,所述的芯片压块10与转环2螺纹连接。
结合图10所示,本实施方式中测试插座通过上位机连接独立温控单元对测试插座负载进行监测和控制,芯片压块10内部设置有加热棒,并设置有温度传感器和温度过热保护开关,芯片压块10顶部设置有风扇。
加热棒用于加热升温,温度传感器用于监测芯片表面壳温,温控单元对数据进行处理及控制,保证测试插座正常工作,温度过热保护开关装载于芯片压块10表面,为测试插座提供硬件热保护,防止芯片环境温度过高导致器件损坏,风扇用于实现快速降温及辅助控制环境温度。
在使用时通过底座9装载芯片,底座与上盖1扣合后,芯片上表面与芯片压块10底部存在间隙,通过转动转环2,使芯片压块10下降直至与芯片上表面贴合,由于不同封装芯片高度不同,芯片压块10下降的高度不同,转环2与芯片压块10螺纹连接,即不同封装芯片需要转环2转动的角度不同,通过调节挡球4的轴向位置和径向位置,改变挡球4与挡块3的接触位置,从而根据芯片调整转环2的最大转动角度,从而适应不同封装芯片。
结合图11所示,现有的调节结构通过在上盖1上设置销钉11,在转动转环2时,能够限制转环2转动的最大角度,从而与芯片适应,但是该调节结构能够限定的角度数量少,且无法改变。相较于现有的调节结构,本实施方式公开的调节结构能够在一角度区间内任意调整,从而适应不同封装芯片,具有限定的角度数量多,且能够随时修改的优点。
方式二
以下是本发明高温老化测试插座调节方法的具体实施方式,该方法既可以单独实施,又可以应用在具体实施方式一公开的高温老化测试插座调节结构上。
结合图12和图13所示,高温老化测试插座调节方法,包括以下步骤:
步骤a,确定芯片压块10的下降高度;
通过测量芯片压块10在最高点时,其底部至底座9上待测试芯片上表面的高度得到下降高度H;
步骤b,根据芯片压块10的下降高度,确定转环2的转动角度;
通过公式:得到转环2转动的角度,其中,g为转环2的转动角度,P为转环2与芯片压块10螺纹连接处的螺距,H为芯片压块10的下降高度;
步骤c,根据转环2转动的角度,确定挡球4与挡块3的接触点;
挡块3上的每个挡面对应一个为角度i的角度区间,多个角度区间构成连续角度区间,通过将该连续角度区间与转动角度g对照,得到转动角度g落入第k个角度区间,根据转动角度g落入的角度区间得到对应的挡面,根据该挡面距离圆心的距离l,得到接触点的径向位置;
通过将挡球4移动至第k个挡面,使转环2能够转动的角度为,转环2需要转动的剩余角度为/>,该剩余角度通过移动挡球4的轴向位置实现,通过计算得到该剩余角度对应的圆弧长度/>,根据挡面的角度u,计算移动挡球4的轴向位置/>,得到接触点的轴向位置;
步骤d,沿转环2的径向方向移动挡球4;
沿转环2的径向方向移动挡球4至距离圆心的距离l的第k个挡面位置;
步骤e,沿转环2的轴向方向移动挡球4。
沿转环2的轴向方向移动挡球4至距离挡块3底部距离为t的位置;
使转环2转动的最大角度被限定为角度g。
通过对挡球4沿转环2的径向方向的调整,能够选择挡球4与挡块3接触的挡面,在选定挡面后,转环2能够转动至该挡面对应的多个角度区间的和的角度,超出的部分角度通过对挡球4沿转环2的轴向方向的调整,能够使挡球4与选定的挡面的不同高度处接触,使转环2能够在由选定的挡面对应的多个角度区间的和的角度的基础上,转动超出的部分角度,从而使转环2能够转动的角度与任意的待测试芯片对应,进而实现测试插座对不同封装芯片适应的快速调整。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种高温老化测试插座调节结构,其特征在于,所述的测试插座包括:上盖(1)和转环(2),所述的转环(2)转动连接在上盖(1)上,所述的调节结构包括:挡块(3)和挡球(4),所述的挡块(3)设置在上盖(1)上,所述的挡球(4)设置在转环(2)上,且挡球(4)能够随着所述转环(2)转动,所述的挡块(3)设置在挡球(4)随着转环(2)转动的路径上,并且在挡球(4)与挡块(3)接触后使转环(2)停止转动;
所述的挡块(3)靠近挡球(4)的一侧沿所述转环(2)的轴线方向设置有若干个挡面,所述的挡球(4)能够沿所述转环(2)的径向移动,使挡球(4)随转环(2)转动时能够与不同的挡面接触,并且若干个所述挡面的设置满足:在挡球(4)由外向内依次与不同的挡面接触时,转环(2)转动的角度依次减小;
若干个所述的挡面均为斜面,所述的挡球(4)能够沿所述转环(2)的轴向移动,使挡球(4)随转环(2)转动时能够与任一斜面的不同高度处接触,并且任一挡面的斜面设置均满足:在挡球(4)由低到高依次与斜面的不同位置接触时,转环(2)转动的角度依次增加,且位于外侧的所述斜面的底部与其内侧的斜面的顶部具有重叠区域。
2.根据权利要求1所述的一种高温老化测试插座调节结构,其特征在于,所述挡球(4)的外端固定连接在轴向滑块(5)上,轴向滑块(5)沿所述转环(2)的轴向滑动设置在径向滑块(6)上,径向滑块(6)沿所述转环(2)的径向滑动设置在转环(2)上。
3.根据权利要求2所述的一种高温老化测试插座调节结构,其特征在于,所述轴向滑块(5)上设置有轴向丝杆(7),轴向丝杆(7)转动连接在径向滑块(6)上,且轴向丝杆(7)的一端连接有轴向旋钮;所述径向滑块(6)上设置有径向丝杆(8),径向丝杆(8)转动连接在转环(2)上,且径向丝杆(8)的一端连接有径向旋钮。
4.根据权利要求3所述的一种高温老化测试插座调节结构,其特征在于,所述轴向旋钮的底部设置有轴向刻度盘,该轴向刻度盘固定连接在径向滑块(6)上;所述径向旋钮的底部设置有径向刻度盘,该径向刻度盘固定连接在转环(2)上。
5.根据权利要求1、2、3或4任一项所述的一种高温老化测试插座调节结构,其特征在于,所述的测试插座还包括:底座(9)和芯片压块(10),所述的底座(9)用于装载测试芯片,所述的上盖(1)内部滑动设置有用于对芯片加热进行老化测试的芯片压块(10),所述的芯片压块(10)与转环(2)螺纹连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310992865.XA CN116735923B (zh) | 2023-08-08 | 2023-08-08 | 一种高温老化测试插座调节结构 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
CN202310992865.XA CN116735923B (zh) | 2023-08-08 | 2023-08-08 | 一种高温老化测试插座调节结构 |
Publications (2)
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---|---|
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CN116735923B CN116735923B (zh) | 2023-10-27 |
Family
ID=87915370
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310992865.XA Active CN116735923B (zh) | 2023-08-08 | 2023-08-08 | 一种高温老化测试插座调节结构 |
Country Status (1)
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN116735923B (zh) | 2023-10-27 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
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CP03 | Change of name, title or address | ||
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