CN116194423A - 陶瓷结构体 - Google Patents

Abstract

本发明的陶瓷结构体，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。

Description

陶瓷结构体

技术领域

本发明涉及陶瓷结构体。

背景技术

历来，一个表面与另一个表面具有不同的表面电阻率的半导电性片，例如，被用于图像形成装置用部件、电磁屏蔽材、防静电材等。作为这样的半导电性片，例如在专利文献1中公开有一种由聚酰亚胺和掺杂状态的聚苯胺的共混聚合物构成的半导电性片。在专利文献1中记述有半导电性片的一个表面的表面电阻率是另一个表面的表面电阻率的至少10倍。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8－259810号公报

发明内容

本发明的陶瓷结构体，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的陶瓷结构体的说明图。

图2(A)是表示本发明的第二实施方式的陶瓷结构体的说明图，(B)是表示本发明的第三实施方式的陶瓷结构体的说明图。

图3(A)是表示本发明的第四实施方式的陶瓷结构体的说明图，(B)是表示本发明的第五实施方式的陶瓷结构体的说明图。

图4是表示在400nm～700nm的波长范围内的、本发明的一个实施方式的陶瓷结构体的第1主面的反射率的图。

图5(A)是表示本发明的一个实施方式的陶瓷结构体的第1主面的电子显微镜照片，(B)是显示本发明的一个实施方式的陶瓷结构体的第1主面上碳分布的电子显微镜照片。

图6(A)是表示本发明的一个实施方式的陶瓷结构体的第2主面的电子显微镜照片，(B)是显示本发明的一个实施方式的陶瓷结构体的第2主面上碳分布的电子显微镜照片。

图7是表示设置于等离子体处理装置的处理容器的内部的载置台的概略剖视图。

图8是表示设置于等离子体处理装置的处理容器的内部的载置台的概略剖视图。

具体实施方式

专利文献1所述的半导电性片，由树脂形成。因此，缺乏耐酸性，在与硫酸或磷酸等酸接触时，劣化显著而不能长期使用。因此需要一种陶瓷结构体，其具有优异的耐酸性，即使与酸接触也难以劣化，能够长期使用。

本发明的陶瓷结构体，根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，第1主面高于第2主面。因此，根据本发明，能够提供一种陶瓷结构体，其具有优异的耐酸性，即使与酸接触也难以劣化，能够长期使用。

本发明的陶瓷结构体，如上述，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面。基于图1～3说明本发明的陶瓷结构体。

如图1所示，本发明的第一个实施方式的陶瓷结构体1，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛。在本说明书中所谓“主要成分”，是指构成陶瓷的成分合计100质量％中占80质量％以上的成分。陶瓷中所含各成分的鉴定，以使用CuKα射线的X射线衍射装置进行，各成分的含量，例如通过ICP(Inductively Coupled Plasma)发光分光分析装置或X射线荧光分析装置求得即可。

第一实施方式的陶瓷结构体1，具有第1主面11a、和与第1主面11a相对的第2主面11b。第一实施方式的陶瓷结构体1，只要像上述这样含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛作为主要成分，也可以包含陶瓷所使用的其他成分。作为这样的其他成分，如果是含有碳化硅或碳氮化硅的陶瓷，例如，则可列举碳化硼、碳、铁、铝、钛、钙、硫等。如果是含有碳化钛或碳氮化钛作为主要成分的陶瓷，则可列举碳化钨、钼、铌、钽、钒、钴等。如果是含有碳化钛或碳氮化钛作为主要成分的陶瓷，则可列举碳化钨、钼、铌、钽、钒、钴等。

在第一实施方式的陶瓷结构体1中，碳浓度并非均匀。第1主面11a的碳浓度高于第2主面11b的碳浓度。在图1中，以圆点表示碳浓度高的部分。基于这种结构，第一实施方式的陶瓷结构体1具有优异的耐酸性，即使与酸接触也难以劣化，能够长期使用。此外，更容易去除静电，或陶瓷结构体在等离子体空间内使用时，能够抑制等离子体形成的火花发生。

碳浓度根据电子探针显微分析仪的元素映射求得。碳，例如，包括从石墨、石墨烯、碳纳米管、富勒烯和无定形碳所构成的群中选择的至少一种形态。

所谓电子探针显微分析仪的元素映射，是利用能量色散型X射线分析装置(EDS)进行元素分析的方法。具体来说，就是如下方法：通过扫描电子显微镜(SEM)在规定分析范围(例如以1500倍拍摄的范围)内检测出的元素的峰值强度ZAF修正法，进行以合计浓度为100％的方式近似计算的半定量分析，得出规定元素相对于主要成分元素的比率。元素映射中采用的加速电压为15kv。

碳浓度高的部分，即使是距第1主面11a深，相对于陶瓷结构体1的厚度(从第1主面11a至第2主面11b的长度)，例如为0.001％以上至1％以下程度的深度。

在第一实施方式的陶瓷结构体1中，第1主面11a是平面。但是，第1主面11a不需要是平面，例如，第1主面11a的至少一部分可以突出，也可以凹陷。

图2是表示第1主面11a的至少一部分突出的实施方式。具体来说，第二实施方式的陶瓷结构体2，如图2(A)所示，在第1主面11a的至少一部分，具有从第1主面11a突出的至少1个凸部12。凸部12包括：以从第1主面11a突出的方式形成的侧面121；形成于该侧面121的端部的上表面122。

侧面121相对于第1主面11a大致垂直地形成。凸部12的高度、即侧面121的长度没有限定，可根据陶瓷结构体2的用途适宜设定。凸部12，例如，可以具有陶瓷结构体2厚度(从第1主面11a至第2主面11b的长度，下同)的10％以上且1000％以下大小的高度。特别是凸部12的高度，可以是陶瓷结构体2的厚度的20％以上且80％以下。

在第二实施方式的陶瓷结构体2中，碳浓度也并非均匀。第1主面11a的碳浓度高于第2主面11b的碳浓度，且凸部12的侧面121和凸部12的上表面122的至少一方的碳浓度也高于第2主面11b。在图2(A)中，用圆点表示碳浓度高的部分。

在凸部12的侧面121和凸部12的上表面122碳浓度高的部分，即使是距侧面121和上表面122深，相对于陶瓷结构体1的厚度，例如为截止到1％左右的深度。根据陶瓷结构体2的厚度和凸部12的大小，可以是在凸部12整体中碳浓度高。

这样，凸部12的侧面121和凸部12的上表面122的至少一方的碳浓度高于第2主面11b一侧时，即使在第1主面11a具有凸部12，也可以经由凸部12有效率地除去静电。

接着，第三实施方式的陶瓷结构体3，如图2(B)所示，在第1主面11a的至少一部分，具有从第1主面11a以弯曲的方式突出的至少1个隆起部13。隆起部13，与第二实施方式的陶瓷结构体2上包括的凸部12不同，以所谓半球状地突出。

隆起部13的高度没有限定，可根据陶瓷结构体2的用途适宜设定。隆起部13，例如，可以具有陶瓷结构体3厚度的10％以上且1000％以下程度的高度。特别是隆起部13的高度，可以是陶瓷结构体3厚度的20％以上且80％以下。

在第三实施方式的陶瓷结构体3中，碳浓度也并非均匀。第1主面11a的碳浓度高于第2主面11b的碳浓度，且隆起部13的壁面131的碳浓度高于第2主面11b。在图2(B)中，以圆点表示碳浓度高的部分。

在隆起部13的壁面131碳浓度高的部分，即使是距隆起部13的壁面131深，相对于陶瓷结构体3的厚度，例如为截止到1％左右的深度。根据陶瓷结构体1的厚度和隆起部13的大小，也可以在隆起部13整体中碳浓度高。

这样，隆起部13的壁面131的碳浓度高于第2主面11b时，即使在第1主面11a具有隆起部13，也可以经由隆起部13有效率地除去静电。

图3表示第1主面11a的至少一部分凹陷的实施方式。具体来说，第四实施方式的陶瓷结构体4，如图3(A)所示，在第1主面11a的至少一部分具有凹陷的至少1个凹部14。凹部14包括以在从第1主面11a沿陶瓷结构体4的厚度方向(深度方向)上埋没的方式形成的侧面141和底面142。

侧面141相对于第1主面11a大致垂直地形成。凹部14的深度、即侧面141的长度没有限定，可根据陶瓷结构体4的用途适宜设定。凹部14，例如，可以具有陶瓷结构体4的厚度的10％以上且1000％以下程度的深度。特别是凹部14的深度，可以为陶瓷结构体4的厚度的20％以上且80％以下。

在第四实施方式的陶瓷结构体4中，碳浓度也并非均匀。第1主面11a的碳浓度高于第2主面11b的碳浓度，且凹部14的侧面141和凹部14的底面142的至少一方的碳浓度高于第2主面11b。在图3(A)中，以圆点表示碳浓度高的部分。

在凹部14的侧面141和凹部14的底面142上碳浓度高的部分，即使是距侧面141和底面142深，相对于陶瓷结构体4的厚度，例如为截止到1％左右的深度。

这样，凹部14的侧面141和凹部14的底面142的至少一方的碳浓度高于第2主面11b时，即使在第1主面11a具有凹部14，也能够经由凹部14有效率地除去静电。

接着，第五实施方式的陶瓷结构体5，如图3(B)所示，在第1主面11a的至少一部分具有以弯曲的方式凹陷的至少1个下陷部15。下陷部15与第四实施方式的陶瓷结构体4中包括的凹部14不同，以所谓半球状地凹陷。

下陷部15的深度没有限定，可根据陶瓷结构体5的用途适宜设定。下陷部15，例如，可以具有陶瓷结构体5的厚度的10％以上且1000％以下程度的深度。特别是下陷部15的深度，可以是陶瓷结构体5的厚度的20％以上且80％以下。

在第五实施方式的陶瓷结构体5，碳浓度也并非均匀。第1主面11a的碳浓度高于第2主面11b的碳浓度，并且下陷部15的壁面151一方的碳浓度高于第2主面11b。在图3(B)中，以圆点表示碳浓度高的部分。

在下陷部15的壁面151碳浓度高的部分，即使是距下陷部15的壁面151深，相对于陶瓷结构体5的厚度，例如为截止到1％程度的深度。

这样，下陷部15的壁面151的碳浓度高于第2主面11b时，即使在第1主面11a具有下陷部15，也能够经由下陷部15有效率地除去静电。

在本发明的陶瓷结构体中，第1主面11a可以实施研磨或切削等加工，另外也可以是未加工的状态。根据本发明的陶瓷结构体的用途，例如，需要除去发生的静电。这种情况下，第1主面11a，是可以具有切削痕的烧成面。若在烧成面存在切削痕，则存在于烧成面上的粒子间包含大量微细的间隙。其结果是，经由此微细的间隙和粒子上所附着的碳，高效率地除去发生的静电。

在本发明的陶瓷结构体中，第1主面11a、凸部12的侧面121、凸部12的上表面122、隆起部13的壁面131、凹部14的侧面141、凹部14的底面142和下陷部15的壁面151中的至少1个，元素映射的对象区域内的碳的统计数相对于硅和钛的统计数的比率可以为0.01以上。

像这样在第1主面11a等之中，如果元素映射的对象区域内的碳的统计数相对于硅和钛的统计数的比率为0.01以上，则晶体结构上的碳量(标准摩尔比)处于饱和状态，能够显著降低电阻值。

特别是上述比率可以为0.03以上。

在本发明的陶瓷结构体中，第1主面11a、凸部12的侧面121、凸部12的上表面122、隆起部13的壁面131、凹部14的侧面141、凹部14的底面142和下陷部15的壁面151中的至少1个，在400nm～700nm的波长范围内的反射率可以为15％以下。

像这样在第1主面11a等中，如果400nm～700nm的波长范围内的反射率为15％以下，则可抑制照射到强光这部分的周围映照得发白模糊的现象(晕影)。因此，这样的陶瓷结构体，能够作为防晕影构件使用。例如，若在用于电子元件等检査的具有CCD照相机等的光学设备的质检装置中作为防晕影构件使用，则能够减少质检装置的误识别、误操作等。

在本发明的陶瓷结构体中，第1主面11a、凸部12的侧面121、凸部12的上表面122、隆起部13的壁面131、凹部14的侧面141、凹部14的底面142和下陷部15的壁面151中的至少1个，在400nm～700nm的波长范围内的反射率的变动系数可以为0.06以下。

像这样在第1主面11a等中，如果400nm～700nm的波长范围内的反射率的变动系数为0.06以下，则能够抑制激光的吸收率的偏差。例如，在这样的陶瓷结构体中，对于加工对象面进行激光加工时，能够得到偏差小的加工面。

在本发明的陶瓷结构体中，第1主面11a、凸部12的侧面121、凸部12的上表面122、隆起部13的壁面131、凹部14的侧面141、凹部14的底面142和下陷部15的壁面151中的至少1个，可以是朝向从400nm至700nm的波长而随着多项式趋势线或线性趋势线反射率减少。

图4是表示400nm～700nm的波长范围内的、本发明的一个实施方式的陶瓷结构体的第1主面的反射率的图。图4所示的反射率，表示从第1主面中选择的4个点的反射率的平均值。

设定反射率的近似函数时，在上述波长范围内使波长每间隔10nm进行测量即可。表示反射率减少的近似函数，使用Excel(注册商标，Microsoft Corporation)所具备的图形工具设定后，计算相关系数R。然后，使用r表(相关系数检验表)，以显著性水平5％(双侧概率)检验相关系数R，如果为显著性，则可决定表示反射率减少的趋势线(多项式趋势线或线性趋势线)。

图4所示的趋势线(虚线)，在设波长为x、反射率为y时，由图4所示的多项式表示。该多项式的决定系数R²为0.7205，相关系数R为0.8488，样本数为16个，因此，若以显著性水平5％检验相关系数R，则为显著性。

像这样在第1主面11a等中，若朝向从400nm至700nm的波长而随着多项式趋势线或线性趋势线反射率减少，则红外线的吸收效率变高。因此，这样的陶瓷结构体，例如，可作为红外线吸收构件、半导体热处理用构件等使用。

本发明的陶瓷结构体，将第1主面11a、凸部12的侧面121、凸部12的上表面122、隆起部13的壁面131、凹部14的侧面141、凹部14的底面142和下陷部15的壁面151中的至少1个作为测量对象面，此测量对象面的CIE1976L*a*b*色彩空间的明度指数L*可以为43以下，色度指数a*可以为－1以上且1以下，色度指数b*可以为－2以上且2以下。

若这些指数显示上述这样的值，则测量对象面呈现黑色，无彩色化的倾向变强。因此，这样的陶瓷结构体能够抑制颜色不均。此外，在此测量对象面中，色差ΔE*ab也可以为0.5以下(但不包括0)。如果色差ΔE*ab为0.5以下(但不包括0)，则色调感的偏差降低。因此，这样的陶瓷结构体，难以辨认出色调感的偏差，商品价值提高。

反射率、明度指数L*、色度指数a*和b*值，可依据JIS Z 8722：2009求得。例如，使用分光色差计(日本电色工业(株)制NF777或其后继机型)，作为测量条件，光源设定为CIE标准光源D65，视场角设定为2°即可。

明度指数L*、色度指数a*和b*，从测量对象面中选取4个点即可。色差ΔE*ab在选取的4点之中，以任意1个点作为基准点，计算其他点相对于基准点的色差ΔE*ab即可。

本发明的一个实施方式的陶瓷结构体的制造方法不受限定，例如可由下述这样的规程制造。

首先，准备碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛粉末。这些粉末的纯度没有限定。这些粉末，例如可以具有99质量％以上的纯度。也可以根据需要，使用作为陶瓷原料使用的其他粉末。

制作碳化硅为主要成分的陶瓷结构体时，作为碳化硅粉末，准备粗粒状粉末和微粒状粉末，与离子交换水和分散剂一起，通过球磨机或珠磨机粉碎混合40～60小时而作为浆料。在此，粉碎混合后的微粒状粉末和粗粒状粉末各自的粒径的范围是0.4μm以上且4μm以下和11μm以上且34μm以下。

其次，在所得到的浆料中，添加包含碳化硼粉末和非晶质状的碳粉末或酚醛树脂的烧结助剂，与粘合剂加以混合后，进行喷雾干燥，得到主要成分包含碳化硅的颗粒。

作为微粒状粉末与粗粒状粉末的质量比率，例如，微粒状粉末可以为6质量％以上且15质量％以下，粗粒状粉末可以为85质量％以上且94质量％以下。作为粘合剂，例如，可列举丙烯酸乳液、聚乙烯醇、聚乙二醇、聚氧化乙烯等。

接着，对浆料进行喷雾造粒而得到颗粒，将得到的颗粒填充到希望的成形模具中后，加压得到成形体。成形压力没有限定，例如为78MPa以上且128MPa以下的程度。在所得到的成形体的一个主面涂布含碳的浆料。或者，在成形体的一个主面喷雾含碳的喷剂。浆料在常温下的粘度，例如为210p以上且290p以下。喷剂在常温下的喷雾压力，例如为0.1MPa以上且0.8MPa以下。碳例如可以包括从石墨、石墨烯、碳纳米管、富勒烯、无定形碳所构成的群中选择的至少一种。

涂布含碳的浆料、或喷雾含碳的喷剂之前，也可以对成形体的任意一个表面实施切削，作为一个主面。也可以通过切削，形成凸部、隆起部、凹部、下陷部等。

在成形体中，在与一个主面相对的另一个主面上，不涂布含碳的浆料。将涂布有含碳浆料的一个主面作为“第1主面”，将另一个主面作为“第2主面”。将如此得到的成形体，在氮气氛中，使温度为450℃以上且650℃以下，使保持时间为2小时以上且10时间以下而进行脱脂，得到脱脂体。接着，将此脱脂体，在氩等的非活性气体的减压气氛中，以1800℃以上且2200℃以下的温度烧成0.5小时以上且5小时以下，由此能够得到与第2主面相比第1主面具有高的碳浓度的本发明的一个实施方式的陶瓷结构体。

关于如此得到的本发明的一个实施方式的陶瓷结构体，在图5中显示第1主面的电子显微镜照片，在图6中显示第2主面的电子显微镜照片。如图5(A)所示可知，一个实施方式的陶瓷结构体，在第1主面具有切削痕。这样的切削痕，如上述，通过在涂布(喷雾)碳之前的切削形成。

另一方面，如图6(A)所示可知，在一个实施方式的陶瓷结构体的第2主面，不存在切削痕。此外，在图5(B)中呈现白色的区域(例如，由椭圆包围的区域)，表示碳浓度高的部分。在图6(B)中，几乎不存在这种呈现白色的区域。因此，若比较图5(B)与图6(B)则可知，第1主面的碳浓度高于第2主面。

本发明的陶瓷结构体，作为在要求耐酸性这样的环境下使用的装置等的构件采用。本发明的陶瓷结构体，例如，作为清洗设备所具备的夹紧用夹具、等离子体处理装置所具备的载置台、凸缘的承受部、半导体晶圆的输送臂和周边的滑动构件、固定各部件的保持部等采用。

如图2(A)和(B)所示，第1主面11a的至少一部分突出的陶瓷结构体，特别是可以作为等离子体处理装置所具备的载置台、半导体晶圆的输送臂和周边的滑动构件等采用。

如图3(A)和(B)所示，第1主面11a的至少一部分凹陷的陶瓷结构体，特别是可以作为凸缘的承受部、固定各部件的保持部等采用。

图7和8是表示设置在等离子体处理装置的处理容器内部的载置台的概略剖视图。图7表示使升降销上升而支承半导体晶圆(以下，有时简称为晶圆)的情况，图8表示使升降销下降而将晶圆载置于静电吸盘上的情况。等离子体处理装置(未图示)，具有电接地的处理容器(未图示)。处理容器是圆筒形，例如由铝等形成。处理容器的内部，是生成等离子体的处理空间。在处理容器内设有载置台21，其用于支承作为被处理衬底的晶圆W。载置台21具有底座22和静电吸盘23。底座22由导电性的金属，例如铝等形成，作为下部电极发挥功能。静电吸盘23，在绝缘体23a内具有内部电极23b，内部电极23b与直流电源24连接。通过电压从直流电源24被施加到内部电极23b，借助库仑力静电吸附晶圆W。绝缘体23a，例如由氮化铝等的陶瓷等形成。

升降销25可以从底座22的下方向静电吸盘23的上方插通。通过使升降销25上升，晶圆W在静电吸盘23的上方得到支承，通过使升降销25下降，晶圆W被载置于静电吸盘23上。在载置台21的上方的外周侧，设有使等离子体处理的均匀性提高的聚焦环26。该聚焦环26，例如由单晶硅形成。静电吸盘23，具有用于载置晶圆W的载置面23c、和位于载置面23c相反侧的背面23d。底座22由导电性的金属，例如铝等形成，作为下部电极发挥功能，接合于静电吸盘23的背面23d。

底座22和静电吸盘23各自的内部设有用于供给冷却用的氦气等的供气孔。供气孔由形成于静电吸盘23的内部的第1贯通孔27、和形成于底座22的内部、与第1贯通孔27连通的第2贯通孔28形成。第1贯通孔27从静电吸盘23的背面23d贯通至载置面23c。第2贯通孔28，从底座22的背面贯通至与静电吸盘23的接合面。第1贯通孔27的孔径，大于第2贯通孔28的孔径。气体用套管29在第2贯通孔28的内部安装在底座22上。气体用套管29具备主体部29a、和在轴向上与主体部29a连接的檐部29b，是本发明的等离子体处理装置用构件的一例。

气体用套管29的至少主体部29a，例如，由本发明的陶瓷结构体形成。主体部29a由本发明的陶瓷结构体形成时，主体部29a的内周面是第1主面，外周面是第2主面。气体用套管29，从底座22的下表面侧朝向上表面侧，嵌入到第2贯通孔28内。气体用套管29具有比第1贯通孔27的孔径小的内径。

销30收容在第1贯通孔27和气体用套管29中。销30的外径，小于第1贯通孔27和气体用套管29各自的内径。静电吸盘23，在销30的外周面与形成第1贯通孔27的内周面之间，具有间隙CL1。底座22，在销30的外周面与气体用套管29的内周面之间，具有间隙CL2。间隙CL1大于间隙CL2。

通过将销30收容在气体用套管29中，第1贯通孔27和第2贯通孔28各自的内部空间变窄，能够抑制因电压施加到静电吸盘23而发生的电子加速。通过抑制电子加速，能够防止第1贯通孔27和气体用套管29中的异常放电。此外，主体部29a由本发明的陶瓷结构体形成，若主体部29a的内周面是第1主面，则除静电的效果变高，因此防止异常放电的作用提高。檐部29b由本发明的陶瓷结构体形成，檐部29b的内周面是第1主面则更好。

用于收容升降销25的升降销用贯通孔设于静电吸盘23和底座22各自的内部。升降销用贯通孔包括，形成于静电吸盘23内部的第3贯通孔31和形成于底座22内部的第4贯通孔32。第3贯通孔31的孔径，大于升降销25的外径(例如，大0.1～0.5mm)。第4贯通孔32的孔径，大于第3贯通孔31的孔径。升降销用套管33，从底座22的下表面侧朝向上表面侧，嵌入到第4贯通孔32的内部。升降销用套管33具有主体部33a、和在轴向上与主体部33a连接的檐部33b，是本发明的等离子体处理装置用构件的一例。

升降销用套管33的至少主体部33a，例如，由本发明的陶瓷结构体形成。至少主体部33a由本发明的陶瓷结构体形成时，主体部33a的内周面是第1主面，外周面是第2主面。

与气体用套管29同样，主体部33a由本发明的陶瓷结构体形成，若主体部33a的内周面是第1主面，则除静电的效果变高。因此，防止异常放电的作用提高。檐部33b由本发明的陶瓷结构体形成，檐部33b的内周面是第1主面则更好。

升降销25，例如，由蓝宝石形成。升降销25是圆柱形，支承晶圆W的前端侧的面是半球状的曲面。升降销25通过驱动机构(未图示)在升降销用贯通孔内上下移动。

以上，作为衬底的一例例示晶圆W进行说明，但不限于此，也可以是用于FPD(FlatPanel Display)的各种衬底、印刷电路板等。

符号说明

1、2、3、4、5陶瓷结构体

11a第1主面

11b第2主面

12凸部

121 凸部的侧面

122 凸部的上表面

13隆起部

131隆起部的壁面

14凹部

141 凹部的侧面

142 凹部的底面

15下陷部

151下陷部的壁面

21载置台

22底座

23静电吸盘

24直流电源

25升降销

26聚焦环

27第1贯通孔

28第2贯通孔

29 气体用套管

30 销

31第3贯通孔

32第4贯通孔

33升降销用套管

Claims (14)

1.一种陶瓷结构体，其中，作为主要成分含有碳化硅、碳氮化硅、碳化钛或碳氮化钛，

具有第1主面、和与第1主面相对的第2主面，

根据电子探针显微分析仪的元素映射求得的碳浓度为，所述第1主面高于所述第2主面。

2.根据权利要求1所述的陶瓷结构体，其中，所述第1主面是具有切削痕的烧成面。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有从所述第1主面突出的至少1个凸部，

与所述第2主面相比，所述凸部的侧面和所述凸部的上表面中的至少一方的所述碳浓度高。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷结构体，其中，在所述第1主面的至少一部分，还具有以从所述第1主面进行弯曲的方式突出的至少1个隆起部，

与所述第2主面相比，所述隆起部的壁面的所述碳浓度高。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷结构体，其中，

在所述第1主面的至少一部分还具有凹陷的至少1个凹部，

与所述第2主面相比，所述凹部的侧面和所述凹部的底面中的至少一方的所述碳浓度高。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷结构体，其中，

在所述第1主面的至少一部分，还具有以弯曲的方式凹陷的至少1个下陷部，

与所述第2主面相比，所述下陷部的壁面的所述碳浓度高。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的陶瓷结构体，其中，

所述第1主面、所述凸部的侧面、所述凸部的上表面、所述隆起部的壁面、所述凹部的侧面、所述凹部的底面和所述下陷部的壁面中的至少1个，所述元素映射的对象区域内的碳的统计数相对于硅和钛的统计数的比率为0.01以上。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的陶瓷结构体，其中，

所述第1主面、所述凸部的侧面、所述凸部的上表面、所述隆起部的壁面、所述凹部的侧面、所述凹部的底面和所述下陷部的壁面中的至少1个，在400nm～700nm的波长范围内的反射率为15％以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的陶瓷结构体，其中，

所述第1主面、所述凸部的侧面、所述凸部的上表面、所述隆起部的壁面、所述凹部的侧面、所述凹部的底面和所述下陷部的壁面中的至少1个，在400nm～700nm的波长范围内的反射率的变动系数为0.06以下。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的陶瓷结构体，其中，

所述第1主面、所述凸部的侧面、所述凸部的上表面、所述隆起部的壁面、所述凹部的侧面、所述凹部的底面和所述下陷部的壁面中的至少1个，朝向从400nm至700nm的波长而随着多项式趋势线或线性趋势线反射率减少。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的陶瓷结构体，其中，以所述第1主面、所述凸部的侧面、所述凸部的上表面、所述隆起部的壁面、所述凹部的侧面、所述凹部的底面和所述下陷部的壁面中的至少1个作为测量对象面，该测量对象面的CIE1976L*a*b*色彩空间的明度指数L*为43以下，色度指数a*为－1以上且1以下，色度指数b*为－2以上且2以下。

12.根据权利要求11所述的陶瓷结构体，其中，所述测量对象面的色差ΔE*ab为0.5以下但不包括0。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的陶瓷结构体，其中，所述碳包括从从石墨、石墨烯、碳纳米管、富勒烯和无定形碳所构成的群中选择的至少一种形态。

14.一种等离子体处理装置用构件，其中，由权利要求1～13中任一项所述的陶瓷结构体形成。

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