CN116193893A

CN116193893A - 发光显示装置

Info

Publication number: CN116193893A
Application number: CN202211496979.7A
Authority: CN
Inventors: 李旺宇; 金成虎; 成硕济; 安珍星; 禹珉宇; 李承炫; 李知嬗; 赵允钟
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-11-26
Filing date: 2022-11-25
Publication date: 2023-05-30
Also published as: KR20230078892A; US20230171994A1

Abstract

本公开涉及发光显示装置，发光显示装置包括正常显示区域和包含透光区域的透明显示区域，其中，透明显示区域包括：阳极，包括开口；第一遮光部分，填充开口；以及第二遮光部分，沿着阳极的外侧设置。第一遮光部分的最高部分的高度不同于第二遮光部分的最高部分的高度。

Description

发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0165853号的优先权和权益，该韩国专利申请的整个内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及发光显示装置，并且更具体地，涉及将诸如摄像机的光学元件设置在显示区域的后表面上的发光显示装置。

背景技术

显示装置是用于显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器等。显示装置用于诸如移动电话、导航装置、数字摄像机、电子书、便携式游戏机和各种终端的各种电子装置中。

诸如有机发光显示装置的显示装置可以具有其中显示装置可以通过使用柔性基板来被弯折或折叠的结构。

另外，在诸如便携式电话的小型电子装置中，在作为显示区域的外围的边框区域中形成诸如摄像机和光学传感器的光学元件。然而，由于要显示的屏幕的大小增大的同时显示区域的外围区域的大小逐渐减小，正在开发允许将摄像机或光学传感器设置在显示区域的背面上的技术。

在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所描述技术的背景的理解，并且因此，其可能包含不构成本领域普通技术人员在本国已经知道的现有技术的信息。

发明内容

实施例用于从设置在光学元件的前表面上的有机层适当地去除残留湿气，以防止在有机层中出现台阶差。

根据实施例的发光显示装置包括：正常显示区域和包含透光区域的透明显示区域，其中，透明显示区域包括：阳极，包括开口；第一遮光部分，填充开口；以及第二遮光部分，沿着阳极的外侧设置。第一遮光部分的最高部分的高度不同于第二遮光部分的最高部分的高度。

第一遮光部分和第二遮光部分可以包括遮光材料或具有黑色的负型有机材料。

第一遮光部分的最高部分的高度可以高于第二遮光部分的最高部分的高度。

第一遮光部分被分为外围部分和中心部分，并且中心部分的高度可以高于外围部分的高度。

分隔壁和间隔件可以设置在正常显示区域中，并且分隔壁和间隔件可以与第一遮光部分和第二遮光部分包括相同的材料。

第一遮光部分的最高部分的高度可以低于第二遮光部分的最高部分的高度。

在由透明显示区域的阳极的外侧围绕的整个区域中，由开口占据的区域可以是5％以上且20％以下。

设置在正常显示区域中的多个绝缘层中的至少一个和连接到透明显示区域的阳极的透明连接布线可以设置在透光区域中。

透明连接布线可以在第一遮光部分或第二遮光部分与透明显示区域的阳极在平面上重叠的位置处连接到透明显示区域的阳极。

透明连接布线可以在第一遮光部分和第二遮光部分与透明显示区域的阳极在平面上不重叠的位置处连接到透明显示区域的阳极。

透明连接布线和透明显示区域的阳极可以连接的部分在平面上与第一遮光部分或第二遮光部分重叠。

根据实施例的发光显示装置包括：正常显示区域，其中设置有正常显示区域的像素电路单元和连接到正常显示区域的像素电路单元的、正常显示区域的发光元件；透明显示区域，其中设置有透光区域和透明显示区域的发光元件；以及中间显示区域，其中设置有中间显示区域的像素电路单元、连接到中间显示区域的像素电路单元的、中间显示区域的发光元件和连接到透明显示区域的发光元件的、透明显示区域的像素电路单元。透明显示区域的发光元件包括透明显示区域的阳极，并且透明显示区域的阳极具有开口。透明显示区域进一步包括：第一遮光部分，填充开口；以及第二遮光部分，沿着阳极的外侧设置。第一遮光部分的最高部分的高度不同于第二遮光部分的最高部分的高度。

第一遮光部分可以被分为外围部分和中心部分，并且中心部分的高度可以高于外围部分的高度。

分隔壁和间隔件可以设置在正常显示区域中，并且分隔壁和间隔件与第一遮光部分和第二遮光部分包括相同的材料。

在由透明显示区域的阳极的外侧围绕的整个区域当中，由开口占据的区域可以是5％以上且20％以下。

在透光区域中，设置在正常显示区域中的多个绝缘层中的至少一个和连接到透明显示区域的阳极的透明连接布线可以被设置。

根据实施例，通过在光学元件的前表面上设置的有机层的上表面上设置的阳极中形成作为气体排放通道的开口，可以适当地去除残留湿气并且防止台阶差出现在有机层中。由此，也可以提高设置在光学元件的前表面上的透光区域的透射率。

附图说明

图1是示出根据实施例的发光显示装置的放大的部分区域的俯视平面图。

图2是根据实施例的发光显示装置中的第一显示区域和第二显示区域的示意性放大图。

图3是根据实施例的第二显示区域的阳极和阳极的外围的俯视平面图。

图4是沿着图3的线IV-IV截取的截面图。

图5和图6是顺序地示出根据实施例的第二显示区域的阳极和阳极的外围的制造方法的截面图。

图7是根据比较示例的截面图。

图8、图9、图10和图11是根据实施例的第二显示区域的阳极和阳极的外围的视图。

图12和图13是示出根据实施例的第二显示区域的阳极的连接结构的视图。

图14是示出根据实施例的第二显示区域的阳极的连接结构的视图。

图15是根据实施例的发光显示装置中包括的一个像素的电路图。

图16是示出根据图15的实施例的像素的截面的视图。

图17是根据实施例的发光显示装置中包括的一个像素的电路图。

图18是示出根据图17的实施例的像素的截面的视图。

<符号描述>

DP：显示面板 DA1：第一显示区域

DA2-1：第二/第一显示区域DA2-2：第二/第二显示区域

EDr1、EDg1、EDb1：第一显示区域的发光元件

EDr2-1、EDg2-1、EDb2-1：第二/第一显示区域的发光元件

EDr2-2、EDg2-2、EDb2-2：第二/第二显示区域的发光元件

PCr1、PCg1、PCb1：第一显示区域的像素电路单元

PCr2-1、PCg2-1、PCb2-1：第二/第一显示区域的像素电路单元

PCr2-2、PCg2-2、PCb2-2：第二/第二显示区域的像素电路单元

Anode、Anode1、Anode2-2、Anode2-2r、Anode2-2g、Anode2-2b：阳极

380-2、380-2r、380-2g、380-2b、385-2、385-2r、385-2g、385-2b：遮光部分

OP-path：开口LTA：透光区域

OS：光学元件

TCLr、TCLg、TCLb：透明连接布线

CLr、CLg、CLb、CLr-2：连接部分 3800：材料

MASK：掩模 FT：透光区

HT：半透反射区 NT：遮光区

380：分隔壁 385：间隔件

Cathode：阴极 ILs：多个无机层

110：基板 111：缓冲层

141、142、143：栅绝缘层

161、162：层间绝缘层

180、181、182：有机层 185：上有机层

220：遮光构件 230：滤色器层

400：封装层

ACT、ACT1、ACT2：半导体层

BML、BML1、BML2：金属层

CstE：存储电容器电极

具体实施方式

在下文中将参考其中示出实施例的附图来更充分地描述本发明构思。如本领域技术人员将认识到的，描述的实施例可以以各种不同方式修改，所有这些均不脱离本发明构思的精神或范围。

与本发明构思无关的部分的描述被省略，并且在整个说明书中，相同的附图标记指定相同的元件。

此外，为了更好地理解和易于描述，任意地给出了附图中示出的构成构件的大小和厚度。在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区等的厚度被夸大。在附图中，为了更好地理解和易于描述，一些层和区域的厚度被夸大。

将理解，当诸如层、膜、区或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。此外，在说明书中，词语“上”或“上方”意指设置在对象部分上或上方，并不一定意指基于重力方向设置在对象部分的上侧。

另外，除非被明确地描述为相反的意思，否则词语“包括”及诸如“包含”的变体将被理解为暗示包括所陈述的元件但不排除任何其他元件。

此外，在整个说明书中，短语“在平面上”意指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”意指从侧面观看通过垂直切割目标部分形成的截面。

另外，在说明书中，当提及“连接到”时，这不仅意指两个或更多个组成元件彼此直接连接，而且意指两个或更多个组成元件可以间接连接、物理连接并且通过其他组成元件电连接，并且可以包括尽管取决于位置或功能被称为不同的名称，但是基本上一体的部分中的每一个彼此连接。

此外，在整个说明书中，当说诸如布线、层、膜、区、板和组成元件的部分“在第一方向或第二方向上延伸”时，这不仅意指在对应的方向上笔直延伸的直线形状，而且其是整体沿着第一方向或第二方向延伸的结构，包括被弯折且部分具有锯齿形结构的结构，或者包括在包括弯线的同时延伸的结构。

另外，不将包括说明书中描述的显示装置和显示面板的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)或者通过说明书中描述的制造方法制造的显示装置和包括显示面板等的电子装置排除在本说明书的权利范围之外。

首先，在下面，对根据实施例的发光显示装置的显示区域进行区分，并且参考图1描述诸如摄像机或光学传感器的光学装置的位置。

图1示出了根据实施例的显示装置当中的显示面板DP的一部分，并且使用移动电话的显示面板进行描述。

显示区域DA设置在显示面板DP的整个表面上，并且显示区域DA主要分为第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。

在第一显示区域DA1中，多个发光元件和生成发光电流并将发光电流传输到多个发光元件中的每一个的多个像素电路单元被形成。这里，一个发光元件和一个像素电路单元被称为像素。在第一显示区域DA1中，一个像素电路单元和一个发光元件被一对一地形成。在下文中，第一显示区域DA1也被称为“正常显示区域”。

在图1中，未示出显示面板DP的在切割线之下的结构，但是第一显示区域DA1可以设置在切割线之下。

诸如摄像机或光学传感器的光学元件OS设置在显示面板DP的背面上，并且如图1中所示，光学元件OS设置在背面上并由虚线示出。

第二显示区域DA2设置在光学元件OS的前面和周围。第二显示区域DA2被分为第二/第一显示区域DA2-1和第二/第二显示区域DA2-2。

第二/第二显示区域DA2-2是其中形成多个发光元件以显示图像、设置在光学元件OS的前表面上的显示区域。生成发光电流并将发光电流传输到发光元件的像素电路单元不形成在第二/第二显示区域DA2-2中，而是设置在相邻的第二/第一显示区域DA2-1中。设置在第二/第一显示区域DA2-1中的像素电路单元和设置在第二/第二显示区域DA2-2中的发光元件可以通过透明连接布线彼此电连接。在第二/第二显示区域DA2-2中，透明透光区域(例如，参考图2中的透光区域LTA)形成在除了其中设置有多个发光元件的区域之外的区域中。光学元件OS的摄像机或光学传感器通过透光区域捕捉或检测设置在显示面板DP前面的物体。在图1中，第二/第二显示区域DA2-2被示出为四边形。然而，根据实施例，第二/第二显示区域DA2-2可以具有与光学元件OS的平面形状相对应的形状，例如圆形形状。在下文中，第二/第二显示区域DA2-2也被称为“透明显示区域”。

第二/第一显示区域DA2-1可以设置在第二/第二显示区域DA2-2的一侧或两侧，并且设置在第一显示区域DA1与第二/第二显示区域DA2-2之间。在第二/第一显示区域DA2-1中，不仅一对一地形成一个像素电路单元和一个发光元件，而且附加地，进一步包括用于将发光电流传输到形成在第二/第二显示区域DA2-2中的多个发光元件的像素电路单元。在下文中，第二/第一显示区域DA2-1也被称为“中间显示区域”。

图1是其中第二/第一显示区域DA2-1设置在第二/第二显示区域DA2-2的左右两侧的实施例。一个第二/第一显示区域DA2-1的左右宽度可以具有第二/第二显示区域DA2-2的左右宽度的大约一半的宽度。另外，第一显示区域DA1设置在作为与第二/第二显示区域DA2-2相邻的区域的、不设置第二/第一显示区域DA2-1的区域中。基于第二/第二显示区域DA2-2设置第二/第一显示区域DA2-1的方向可以与稍后描述的扫描线的延伸方向(例如，第一方向)一致。另外，形成在第二显示区域DA2中的透明连接布线可以从第二/第一显示区域DA2-1延伸到第二/第二显示区域DA2-2。

尽管未在图1中示出，但是外围区域可以进一步设置在显示区域DA外部。此外，图1示出了移动电话的显示面板，但是只要是其中光学元件OS可以设置在显示面板的背面上的显示面板，就可以应用本实施例。

在下文中，参考图2更详细地描述显示区域DA的结构。

在图2中，在根据实施例的第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)、第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)和第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中，示出了构成像素的像素电路单元和发光元件的结构和连接结构。

首先，在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中，多个发光元件EDr1、EDg1和EDb1以及多个像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1被形成为相同的数量。多个发光元件EDr1、EDg1、EDb1有时被称为正常显示区域的发光元件，并且多个像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1有时被称为正常显示区域的像素电路单元。在图2中，第一显示区域DA1的像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1被示意性地图示为矩形形状，并且多个发光元件EDr1、EDg1和EDb1被图示为菱形或八边形形状。多个发光元件EDr1、EDg1和EDb1设置在连接的像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1中的每一个的前面(有时称为上侧)，使得它们被示出为在平面上与像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1重叠。另外，示出了从多个发光元件EDr1、EDg1和EDb1延伸的连接部分CLr、CLg和CLb，使得清楚地示出连接有像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1的多个发光元件EDr1、EDg1和EDb1。例如，参考图16，多个发光元件EDr1、EDg1和EDb1包括阳极、发射层和阴极。发光元件的平面形状在图2中示出的实施例中具有菱形或六边形的形状，并且可以具有诸如圆形的各种其他形状。这里，连接部分CLr、CLg和CLb可以由透明导电材料形成，或者可以由诸如金属的非透明导电材料形成。

在图2的实施例中，四个像素作为单元像素被重复地排列。构成一个单元像素的四个像素由一个红色像素、一个蓝色像素和两个绿色像素组成。然而，根据实施例，可以包括至少一个红色像素、至少一个绿色像素和至少一个蓝色像素。此外，在图2的实施例中，每行具有其中改变红色发光元件EDr1和蓝色发光元件EDb1的位置的结构。然而，像素或发光元件的数量和结构可以有多种变化。

在第二显示区域DA2的第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中，设置多个像素电路单元PCr2-1、PCr2-2、PCg2-1、PCg2-2、PCb2-1和PCb2-2以及多个发光元件EDr2-1、EDg2-1和EDb2-1。第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)的多个像素电路单元PCr2-1、PCr2-2、PCg2-1、PCg2-2、PCb2-1和PCb2-2被分为第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1以及第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2。第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1有时被称为中间显示区域的像素电路单元，并且第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2有时被称为透明显示区域的像素电路单元。第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1各自是将发光电流传输到设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的多个第二/第一显示区域DA2-1的发光元件EDr2-1、EDg2-1和EDb2-1的像素电路单元。发光元件EDr2-1、EDg2-1和EDb2-1有时被称为中间显示区域的发光元件。第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1以及第二/第一显示区域DA2-1的发光元件EDr2-1、EDg2-1和EDb2-1可以具有一一对应关系。

另一方面，第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中，但是生成将被传输到设置在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2的发光电流。

除了连接到发光元件的结构之外，第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1以及第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2具有彼此相同的平面结构和电路结构。

在图2的实施例中，第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1中的三个像素电路单元在第一方向DR1上连续形成，并且第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2中的三个像素电路单元设置在第二/第二显示区域DA2-2附近。此时，仅红色像素电路单元和蓝色像素电路单元设置在一行中，并且仅绿色像素电路单元设置在另一行中。根据实施例，第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1以及第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2可以一个接一个地交替设置。根据实施例，第一显示区域DA1的像素结构可以相同。像素电路单元的结构和数量可以根据实施例而改变。

在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中，不形成像素电路单元，形成第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2、连接到发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2的透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb以及透光区域LTA。第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2有时被称为透明显示区域的发光元件。

在图2中，在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中，示出了第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2以及透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb，并且什么都没有示出的部分与透光区域LTA相对应。这里，与透光区域LTA中的发光元件相对应的部分可以被形成为无机绝缘层，而不包括有机层。根据实施例，透光区域LTA可以包括设置在透光区域LTA中的封装层(例如，参考图16的封装层400)中的有机层，并且除封装层之外，可以仅包括无机绝缘层。

一个第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2通过透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb中的一条连接到设置在第二/第一显示区域DA2-1中的一个第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2。透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb连接到第二/第二显示区域DA2-2的设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2，以接收将被传输到第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2的发光电流。此外，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb由透明导电材料形成，使得第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)的透明区增大，并且第二/第二显示区域DA2-2的透光率也增大。根据这个结构，第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)可以提高由背面上的光学元件OS成像或检测的动作的性能。根据实施例，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb可以在第二/第一显示区域DA2-1中由不透明金属形成，并且可以仅在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中由透明导电材料形成。

在图2的实施例中，第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)在第一方向DR1上设置在第一显示区域DA1与第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)之间。即，第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)、第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)和第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)沿着第一方向DR1顺序地设置。

根据实施例，第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)或第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中所需的布线(例如，扫描线和初始化控制线等)可以穿过第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)。穿过布线可以包括透明导电材料，并且根据实施例，可以由不透明金属形成。根据实施例，穿过布线也可以沿着第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)的外边缘设置。

另一方面，在图2中，与设置在第一显示区域DA1中的像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1相比，设置在第二显示区域DA2中的像素电路单元PCr2-1、PCr2-2、PCg2-1、PCg2-2、PCb2-1和PCb2-2被示出为在第一方向DR1上两倍大，并且因此，面积增加一倍。如上所述，如果由像素电路单元占据的面积大，则设置在像素电路单元内部的诸如驱动晶体管的晶体管的大小(例如，沟道的宽度或长度)或者电容器的大小(例如，电容大小)也大。作为结果，从得到的像素电路单元输出的输出电流的大小也大。根据图2，设置在第二显示区域DA2中的发光元件EDr2-1、EDg2-1、EDb2-1、EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2也被示出为大于设置在第一显示区域DA1中的发光元件EDr1、EDg1和EDb1。如果发光元件大，则用于驱动它的输出电流也需要大。因此，为了驱动设置在第二显示区域DA2中的更大的发光元件EDr2-1、EDg2-1、EDb2-1、EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2，像素电路单元PCr2-1、PCr2-2、PCg2-1、PCg2-2、PCb2-1和PCb2-2也被形成为大的以生成大的输出电流。另一方面，在类似于图5的实施例中，可以为第二显示区域DA2的一个像素电路单元连接多个发光元件，在这种情况下，发光元件的大小可以是与第一显示区域DA1的发光元件的大小相同的大小。如上所述，与第一显示区域DA1不同，可以主要形成像素电路单元，使得多个发光元件连接到第二显示区域DA2的像素电路单元以将输出电流传输到多个发光元件。第二显示区域DA2的像素电路单元的面积可以是第一显示区域DA1的像素电路单元的面积的四倍大，并且根据实施例，面积的差异可以多种多样。

根据图2的实施例，基于单元面积，设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)的、第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1的数量与第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2的数量之和可以是设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中的像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1的数量的一半。由于设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1的数量和第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2的数量可以相同，因此设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)或第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的发光元件的数量可以是设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中的发光元件的数量的1/4。因此，设置在第二显示区域DA2中的像素的每英寸像素数(PPI或每英寸像素)值小于形成在第一显示区域DA1中的像素的每英寸像素数(PPI)值。这样，当基于单元面积，第二显示区域DA2中的发光元件的数量小于第一显示区域DA1中的发光元件的数量时，第二显示区域DA2中的发光元件的面积可以被形成为大于第一显示区域DA1中的发光元件的面积。

另一方面，根据实施例，基于单元面积，设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的、第二/第一显示区域DA2-1的像素电路单元PCr2-1、PCg2-1和PCb2-1的数量与第二/第二显示区域DA2-2的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2的数量之和可以与设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中的像素电路单元PCr1、PCg1和PCb1的数量相同。在这种情况下，基于单元面积，设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)或第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的发光元件的数量可以是设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中的发光元件的数量的1/2。另一方面，根据实施例，设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)或第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的发光元件的数量可以不同，并且显示区域之间的发光元件的数量比可以多种多样。另一方面，根据实施例，连接到一个像素电路单元的多个发光元件形成在第二显示区域DA2中，使得第一显示区域DA1的每英寸像素数(PPI)值和形成在第二显示区域DA2中的每英寸像素数(PPI)值可以相同。在如上所述具有相同的每英寸像素数(PPI)值的情况下，第二显示区域DA2的发光元件的大小和第一显示区域DA1的发光元件的大小可以被形成为相同。

在上文中，基于图2，总体上描述了第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的结构。

在下文中，参考图3和图4更详细地描述第二/第二显示区域DA2-2的设置在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2中包括的阳极以及阳极周围的结构。

图3是根据实施例的第二显示区域的阳极和阳极的外围的俯视平面图。图4是沿着图3的线IV-IV截取的截面图。

图3和图4示出了设置在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的一个第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2以及设置在阳极Anode2-2周围的第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2。第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2、第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2不被设置的部分与透光区域LTA相对应。阳极Anode2-2有时被称为透明显示区域的阳极。另一方面，图4仅示出了第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2之下的上有机层185和基板110，然而，这是示意性的，并且根据实施例，第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)可以具有与图14相同的结构。

参考图3和图4，在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中，第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2设置在上有机层185上。在图3中，第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2被示出为圆形，但是其可以具有如图2中示出的菱形形状或具有倒角的结构，并且也可以具有诸如六边形和八边形的各种多边形形状。

参考图4，开口OP-path形成在第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2中，并且开口OP-path可以被第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2围绕。第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2包括形成开口OP-path的边界的内侧和形成外边界的外侧。被第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的外侧围绕的整个区域当中被开口OP-path占据的区域可以是5％以上且20％以下。如果其小于5％，则在覆盖开口OP-path的同时形成的第一遮光部分385-2可能难以被形成有足够的高度，并且如果其大于20％，则可能减小发光面积，并且还存在也减小透光区域LTA的面积的缺点。

覆盖第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的开口OP-path并且覆盖第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的内侧和一些区域的第一遮光部分385-2被设置。

另外，覆盖第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的外侧并且沿着外侧围绕第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的第二遮光部分380-2被设置。

第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2可以包括遮光材料，并且可以由具有黑色的有机材料形成。此外，对于第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2，与具有暴露形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的阳极的开口的分隔壁(例如，参考图16的分隔壁380)和/或间隔件(例如，参考图16的间隔件385)相对应，形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的分隔壁(例如参考图16的分隔壁380)和间隔件(例如，参考图16的间隔件385)也可以包括遮光材料并且由具有黑色的有机材料形成。这里，遮光材料可以包括树脂或糊状物(包括炭黑、碳纳米管或黑色染料)、金属颗粒(包括例如镍、铝、钼及其合金)、金属氧化物颗粒、金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)等。另外，第一遮光部分385-2、第二遮光部分380-2、分隔壁和间隔件可以具有光被吸收/阻挡而不被反射的特性。另外，根据实施例，第一遮光部分385-2、第二遮光部分380-2、分隔壁和间隔件可以具有使用负型有机材料去除被掩模覆盖的部分的特性。

参考图4，在图3的实施例中，与第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的开口OP-path相对应形成的第一遮光部分385-2和围绕第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的第二遮光部分380-2可以具有不同的高度，即，最高部分的高度不同。

在图4的实施例中，第一遮光部分385-2形成得高并且还起到间隔件的作用，并且第二遮光部分380-2形成得低于第一遮光部分385-2，但是其被形成为不透光的厚度。这里，第一遮光部分385-2的高度可以与形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的间隔件(例如，参考图16的间隔件385)的高度基本上相同，并且第二遮光部分380-2的高度可以与形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的分隔壁(例如，参考图16中的分隔壁380)的高度基本上相同。另一方面，参考图4，第一遮光部分385-2可以被分为外围部分和中心部分。

中心部分被形成得高使得其可以被形成得基本上等于形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的间隔件(例如，参考图16的间隔件385)的高度，但是外围部分被形成得低使得其可以与第二遮光部分380-2以及形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的分隔壁(例如，参考图16的分隔壁380)的高度基本上相同。

第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2被包括在第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2中。在图3的平面图中，被第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2暴露的第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2部分可以与第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2的平面位置相对应。此外，图2中示出的第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2的平面形状可以与设置在外部的第二遮光部分380-2以及第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的形状的组合形状相对应。另一方面，如果被第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2暴露的第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的面积大，则第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2的平面面积也可以大。除第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2之外，第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2可以进一步包括发射层和阴极。

阴极可以形成在透光区域LTA、第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2以及第二/第二显示区域DA2-2的一个阳极Anode2-2上，并且可以遍及第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)的整个区域。然而，根据实施例，阴极可以不形成在透光区域LTA的一些区域中。同时，阴极完全形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中。

另一方面，发射层可以仅设置在被第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2暴露的第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2上，并且可以设置在部分第一遮光部分385-2和部分第二遮光部分380-2的侧表面上。然而，发射层可以不覆盖第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2，并且也可以不设置在透光区域LTA中。另一方面，与第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2相对应，第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的发射层可以仅形成在被间隔件(例如，参考图16的间隔件385)和分隔壁(例如，参考图16的分隔壁380)暴露的阳极部分上。

同时，除了第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2、发射层和阴极之外，第二/第二显示区域DA2-2的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2可以进一步包括功能层。这里，功能层可以包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层。空穴注入层和空穴传输层可以设置在发射层之下，并且电子传输层和电子注入层可以设置在发射层上。功能层不仅可以形成在第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2上，而且可以形成在透光区域LTA、第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2上，并且可以遍及第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)的整个区域形成。另外，功能层可以完全形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中。

作为参考，透光区域LTA不存在于第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中，因此除了暴露阳极的开口之外，与第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2相对应的分隔壁(例如，参考图16的分隔壁380)可以被完全设置，并且间隔件(例如，参考图16的间隔件385)可以设置在分隔壁的一部分上。

另一方面，参考图4，尽管为了简单起见示出了透光区域LTA的堆叠结构，但是透光区域LTA可以不包括半导体或金属、诸如黑矩阵的遮光构件和滤色器，使得光可以在没有阻挡的情况下透射，并且当布线被形成时，其可以由透明导电材料形成。

透光区域LTA可以仅以透明材料堆叠，并且透明材料包括无机层或有机层并且可以另外包括功能层。另外，由透明导电材料形成的布线(例如，诸如图12中的透明连接布线TCLr、TCLg、TCLb等的透明连接布线)或阴极可以设置在透光区域LTA中。封装层(例如，参考图16的封装层400)可以设置在透光区域LTA上方，并且封装层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。根据实施例，除了封装层之外，透光区域LTA可以仅包括无机层或有机层，因此在具有大的折射率的差异的两层的边界上产生的透光率降低。形成在透光区域LTA中的无机层或有机层可以是在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中使用的无机层或有机层，并且根据实施例，可以包括仅形成在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的无机层或有机层。

在下文中，参考图5和图6详细描述图3和图4的实施例的制造方法。

首先，图5示出了用于阳极形成的材料被堆叠在上有机层185上并通过使用掩模被图案化的状态，并且作为结果，第二/第二显示区域的阳极Anode2-2被形成为内部具有开口OP-path的结构。

这里，第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的制造工艺可以与在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中形成阳极的工艺一起进行，并且可以由相同的材料形成。用于形成阳极的材料可以与在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中形成阳极的材料相同，并且可以由包括透明导电氧化物层和金属材料的单层或包括它们的多层组成。这里，透明导电氧化物层可以包括氧化铟锡(ITO)、多晶ITO、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)等，并且金属材料可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和铝(Al)等。

接下来，如图6中所示，堆叠用于阻挡部分的材料3800，并且然后使用具有半透反射区HT(有时称为半色调区HT)的掩模MASK进行曝光。

这里，用于阻挡部分的材料3800可以与用于第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的分隔壁和间隔件的材料相同，并且第一遮光部分385-2、第二遮光部分380-2、分隔壁和间隔件可以通过同一工艺形成。

用于阻挡部分的材料3800可以是包括遮光材料或具有黑色的有机材料，并且用于阻挡部分的材料3800可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或糊状物、金属颗粒(例如镍、铝、钼及其合金)以及金属氧化物颗粒(例如，氮化铬)等。另外，用于阻挡部分的材料3800可以具有光被吸收/阻挡而不被反射的特性，并且图6的实施例中的用于阻挡部分的材料3800可以是负型有机材料，因此其可以具有被掩模MASK覆盖的部分被去除的特性。

在图6中，掩模MASK被分为透光区FT、半色调区HT和遮光区NT。这里，在半色调区HT中，可以通过使用狭缝来降低光的透射率，或者可以包括具有低透射率的材料。

由于用于阻挡部分的材料3800由负型有机材料形成，因此在与掩模MASK的遮光区NT相对应的部分上，用于阻挡部分的材料3800全部被去除，在与半色调区HT相对应的部分上，用于阻挡部分的材料3800部分保留，使得高度降低，并且在与透光区FT相对应的部分上，用于阻挡部分的材料3800不被去除并且被高高地形成。

当使用掩模MASK对用于阻挡部分的材料3800进行曝光并且然后显影时，如图4中所示，完成了第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2的图案。参考图4，在用于阻挡部分的材料3800当中，在通过透光区FT曝光的部分上形成第一遮光部分385-2当中具有高的高度的中心部分。第二遮光部分380-2和第一遮光部分385-2当中的外围部分形成在用于阻挡部分的材料3800当中通过半色调区HT曝光的部分上。根据实施例，整个第一遮光部分385-2可以曝光于掩模MASK的透光区FT以大体上具有高的高度，并且可以不包括外围部分。

图3和图4的实施例具有其中在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的第二/第二显示区域的阳极Anode2-2中形成开口OP-path的结构。

在下文中，通过图7描述在第二/第二显示区域的阳极Anode2-2中形成开口OP-path比起不在第二/第二显示区域的阳极Anode2-2中形成开口OP-path的比较示例的优点。

图7是根据比较示例的截面图。

图7示出了在有机层上形成阳极Anode的同时不具有开口的比较示例。

比较图5和图7，在第二/第二显示区域的阳极Anode2-2中形成开口OP-path，但是在比较示例中，可以确认没有开口。

在图7中，如果在有机层上形成阳极Anode，则有时称为残留湿气的剩余的湿气或气体由于在热处理或阳极Anode的形成期间产生的热而从下面的有机层逸出到上部。然而，特定区域被阳极阻挡，并且残留湿气无法从一些区域逸出。与没有残留湿气的有机层相比，具有这种残留湿气的有机层具有不同的厚度。因此，出现了其中在上覆层中引起台阶的缺陷，例如收缩缺陷。具体地，当透光区域LTA中出现收缩缺陷时，存在透光率降低的问题，并且作为结果，提供给诸如摄像机或光学传感器的光学元件OS的光也减少并且光学元件OS的性能劣化。

然而，如图5中所示，当在第二/第二显示区域的阳极Anode2-2中形成开口OP-path时，设置在第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的下部的剩余的湿气也通过使用开口OP-path作为气体通道(例如，脱气路径)排出，并且然后高度变得与其他部分恒定。为了适当排出残留湿气，在第二/第二显示区域的阳极Anode2-2中形成的开口OP-path越大越好，但是在这种情况下，存在发光的发光区减小的缺点，因此将开口OP-path形成为被第二/第二显示区域DA2-2的阳极Anode2-2的外侧围绕的整个区域的5％以上且20％以下，使得可以在去除残留湿气的同时，充分显示图像。

在上文中，已经描述了其中与第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的开口OP-path相对应地形成的第一遮光部分385-2被形成得高并且围绕第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的第二遮光部分380-2被形成得低的实施例。另外，已经在实施例中描述了具有圆形结构的第二/第二显示区域的阳极Anode2-2。

然而，根据实施例，第一遮光部分的高度可以低于第二遮光部分的高度，并且第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的形状可以改变。为此，通过图8至图11描述了各种实施例。

图8至图11是根据实施例的第二显示区域的阳极和阳极的外围的视图。

首先，参考图8和图9描述其他实施例。图9是沿图8的线IX-IX截取的截面图。

在图8和图9的实施例中，与图3和图4的实施例不同，与第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的开口OP-path相对应地形成的第一遮光部分380-2以较低的高度形成，然而，围绕第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的第二遮光部分385-2以高的高度形成。在图8和图9的实施例中，不同之处在于，在围绕第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的部分处形成具有与第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)的间隔件相对应的高度的第二遮光部分385-2。在图8和图9的实施例中，即使光从设置在第二/第二显示区域的阳极Anode2-2上的发射层被发射，该光也由于高的第二遮光部分385-2而不被提供到超过特定角度的一侧。即，在图8和图9的实施例中，第二/第二显示区域的发光元件EDr2-2、EDg2-2和EDb2-2的光可以不被提供到超过特定角度的一侧，因此，其可以更适合地在用户凭此在更前面的表面上观看的发光显示装置中使用。

在上文中，已经描述了其中第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的平面形状都是圆形的实施例。

然而，如图10和图11中所示，第二/第二显示区域的阳极Anode2-2可以具有椭圆形结构，并且可以具有各种其他多边形结构。

在图10的实施例中，类似于图3和图4的实施例，与第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的开口OP-path相对应地形成的第一遮光部分385-2被形成为高的高度。在图11的实施例中，类似于图8和图9的实施例，与第二/第二显示区域的阳极Anode2-2的开口OP-path相对应地形成的第一遮光部分380-2被形成为低的高度。作为结果，图10的截面可以与图4相同，并且图11的截面可以与图9相同。

上述实施例的第二/第二显示区域的阳极Anode2-2通过透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb连接到设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如中间显示区域)中的第二/第二显示区域的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2，并且通过图12至图14详细描述连接结构。第二/第二显示区域的像素电路单元PCr2-2、PCg2-2和PCb2-2有时被称为透明显示区域的像素电路单元。

首先，参考图12和图13描述根据实施例的平面连接结构。

在图12和图13中，为每种颜色区分并示出第二/第二显示区域的阳极Anode2-2以及设置在阳极Anode2-2内部和周围的第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2。即，第二/第二显示区域的阳极Anode2-2被分为第二/第二显示区域的红色阳极Anode2-2r、第二/第二显示区域的绿色阳极Anode2-2g和第二/第二显示区域的蓝色阳极Anode2-2b。分别在设置在阳极Anode2-2内部和周围的第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2中的每一个的附图标记的末端添加r、g和b以表示与第二/第二显示区域的红色阳极Anode2-2r、第二/第二显示区域的绿色阳极Anode2-2g和第二/第二显示区域的蓝色阳极Anode2-2b相对应地设置的遮光部分。另外，还为每种颜色示出了透明连接布线。

首先，在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中，根据图12的实施例，第二/第二显示区域的每个阳极Anode2-2r、Anode2-2g和Anode2-2b连接到从第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)延伸的透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb。透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb连接到第二/第二显示区域的阳极Anode2-2r、Anode2-2g和Anode2-2b的部分可以是在平面上不与第一遮光部分385-2r、385-2g和385-2b以及第二遮光部分380-2r、380-2g和380-2b重叠的区域。

另一方面，在图13的实施例中，与图12不同，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb连接到第二/第二显示区域的阳极Anode2-2r、Anode2-2g、Anode2-2b的部分可以是在平面上与第二遮光部分380-2r、380-2g和380-2b重叠的区域。此外，在图13的实施例中，与图12的实施例不同，第二遮光部分380-2r、380-2g、380-2b当中连接到透明连接布线TCLr、TCLg、TCLb的部分被形成为相对宽的宽度。

根据实施例，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb连接到第二/第二显示区域的阳极Anode2-2r、Anode2-2g和Anode2-2b的部分可以是在平面上与第一遮光部分385-2r、385-2g和385-2b重叠的区域，并且该实施例在图14的右侧的截面结构中示出。

此外，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb具有图13的实施例中的弯折结构，并且具有图12的直线结构。根据实施例，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb可以具有各种弯折结构。

在下文中，参考图14，通过第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)的截面结构来描述透明连接布线和第二/第二显示区域的阳极的连接结构。

首先，图14的第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)当中的透光区域LTA具有其中顺序地堆叠基板110、缓冲层111、第一有机层180和第三有机层182的结构，并且可以另外设置透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb。参考图14的左侧，不在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中形成第二有机层181和多个无机层ILs。在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中，设置第二有机层181和多个无机层ILs，并且还设置位于第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的其他绝缘层，例如缓冲层111、第一有机层180和第三有机层182。在图14中，在第三有机层182上，还图示了阳极Anode2-2b、Anode2-2g、发射层EMLb、EMLg、第二遮光部分380-2b、380-2g和第一遮光部分385-2b、385-2g。

在图14的实施例中，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb当中的一条透明连接布线TCLb设置在第三有机层182之下，设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的第二有机层181上，并且设置在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的第一有机层180上。此外，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb当中的另一条透明连接布线TCLg设置在第一有机层180之下，设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的多个无机层ILs上，并且设置在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的缓冲层111上。设置在缓冲层111上的透明连接布线TCLg可以进一步包括连接部分CLg以连接到阳极Anode2-2g。此时，连接部分CLg可以由透明导电材料形成，但是可以通过使用金属来提高导电性。当使用金属时，因为其遮光，所以其可以形成在在平面上与第一遮光部分和第二遮光部分中的一个重叠的位置。在图14的实施例中，连接部分CLg在平面上与第一遮光部分385-2g重叠。然而，根据实施例，透明连接布线TCLr、TCLg和TCLb以及连接部分CLg的结构、连接关系、连接位置等可以被进行各种修改。此外，形成在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)中的无机层或有机层也可以包括各种层。

在上文中，主要考察第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)的结构。第二/第二显示区域DA2-2(例如，透明显示区域)可以与第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)一起形成，并且于是这可以与第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)的堆叠结构相对应。在下文中，参考图15至图18描述可以形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的像素的结构当中的两个实施例。

现在，参考图15至图18描述根据包括形成在第一显示区域DA1中的像素电路单元和发光元件的像素的各种实施例的电路结构和截面结构。下面的图15至图18也可以应用于第二/第一显示区域DA2-1的结构。

首先，参考图15和图16描述使用两个半导体层的像素。

图15是根据实施例的发光显示装置中包括的一个像素的电路图。图16是示出根据图15的实施例的像素的截面的视图。

首先，通过图15描述包括像素电路单元和发光元件的一个像素的电路结构。

图15中示出的电路结构是形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的像素电路单元和发光元件的电路结构。

根据图15的实施例的一个像素包括连接到若干条布线127、128、151、152、153、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器C_boost和发光元件LED。这里，作为除了发光元件LED以外的元件的晶体管和电容器构成像素电路单元。根据实施例，可以省略升压电容器C_boost。

多条布线127、128、151、152、153、155、171、172和741连接到一个像素。多条布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。在图15的实施例中，连接到第七晶体管T7的第一扫描线151也连接到第二晶体管T2。根据实施例，第七晶体管T7可以不同于第二晶体管T2通过传输旁路信号GB的单独的旁路控制线连接。

第一扫描线151连接到扫描驱动器(未示出)以将第一扫描信号GW传输到第二晶体管T2和第七晶体管T7。可以在与第一扫描线151的信号相同的时序，将与施加到第一扫描线151的电压极性相反的电压施加到第二扫描线152。例如，当将负电压施加到第一扫描线151时，可以将正电压施加到第二扫描线152。第二扫描线152将第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。发光控制线155将发光控制信号EM传输到第五晶体管T5和第六晶体管T6。

数据线171是传输从数据驱动器(未示出)生成的数据电压DATA的布线。因此，由发光元件LED发射的光的亮度随着传输到发光元件LED的发光电流的大小而改变。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传输第一初始化电压Vinit，并且第二初始化电压线128传输第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加到发光元件LED的阴极。在本实施例中，施加到驱动电压线172、第一初始化电压线127和第二初始化电压线128以及公共电压线741的电压可以分别是恒定电压。

像素中包括的晶体管可以被分为两种类型的晶体管。驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7是包括多晶半导体的p型晶体管，并且可以由低电压导通。同时，第三晶体管T3和第四晶体管T4是包括氧化物半导体的n型晶体管，并且可以由高电压导通。

驱动晶体管T1(也被称为第一晶体管)是p型晶体管，并且具有作为半导体层的硅半导体。驱动晶体管T1是根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(即，存储电容器Cst中存储的电压)的大小来调整输出到发光元件LED的阳极的发光电流的大小的晶体管。由于根据输出到发光元件LED的阳极的发光电流的大小来调整发光元件LED的亮度，因此可以根据施加到像素的数据电压DATA来调整发光元件LED的发光亮度。为此，驱动晶体管T1的第一电极被设置为接收驱动电压ELVDD，并且经由第五晶体管T5连接到驱动电压线172。此外，驱动晶体管T1的第一电极也连接到第二晶体管T2的第二电极以接收数据电压DATA。另一方面，驱动晶体管T1的第二电极将发光电流输出到发光元件LED，并且经由有时也被称为输出控制晶体管的第六晶体管T6连接到发光元件LED的阳极。另外，驱动晶体管T1的第二电极也连接到第三晶体管T3，以将施加到第一电极的数据电压DATA传输到第三晶体管T3。同时，驱动晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的有时被称为第二存储电极的一个电极。因此，驱动晶体管T1的栅电极的电压根据存储在存储电容器Cst中的电压而改变，并且由驱动晶体管T1输出的发光电流被改变。存储电容器Cst用于将驱动晶体管T1的栅电极的电压保持恒定达一帧。同时，驱动晶体管T1的栅电极也可以连接到第三晶体管T3，使得可以通过第三晶体管T3将施加到驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA传输到驱动晶体管T1的栅电极。同时，驱动晶体管T1的栅电极也连接到第四晶体管T4，并且可以通过接收第一初始化电压Vinit来被初始化。

第二晶体管T2是p型晶体管，并且具有作为半导体层的硅半导体。第二晶体管T2是将数据电压DATA接收到像素中的晶体管。第二晶体管T2的栅电极连接到第一扫描线151和升压电容器C_boost的有时被称为下升压电极的一个电极。第二晶体管T2的第一电极连接到数据线171。第二晶体管T2的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。当第二晶体管T2由通过第一扫描线151传输的第一扫描信号GW的负电压导通时，通过数据线171传输的数据电压DATA被传输到驱动晶体管T1的第一电极，并且数据电压DATA最终被传输到驱动晶体管T1的栅电极并存储在存储电容器Cst中。

第三晶体管T3是n型晶体管，并且具有作为半导体层的氧化物半导体。第三晶体管T3电连接到驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。作为结果，第三晶体管T3是允许数据电压DATA由驱动晶体管T1的阈值电压补偿并且然后存储在存储电容器Cst的第二存储电极中的晶体管。第三晶体管T3的栅电极连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器C_boost的另一电极(有时被称为上升压电极)。第三晶体管T3由通过第二扫描线152传输的第二扫描信号GC当中的正电压导通，以连接驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极，并且将施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压传输到存储电容器Cst的第二存储电极以存储到存储电容器Cst。此时，在存储驱动晶体管T1被截止时的驱动晶体管T1的栅电极的电压的状态下存储存储电容器Cst中存储的电压，并且然后补偿驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)的电压。

第四晶体管T4是n型晶体管，并且具有作为半导体层的氧化物半导体。第四晶体管T4初始化驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极。第四晶体管T4的栅电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器C_boost的上升压电极。第四晶体管T4由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的正电压导通，并且此时，第一初始化电压Vinit被传输到驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器C_boost的上升压电极以进行初始化。

第五晶体管T5和第六晶体管T6是p型晶体管，并且具有作为半导体层的硅半导体。

第五晶体管T5用于将驱动电压ELVDD传送到驱动晶体管T1。第五晶体管T5的栅电极连接到发光控制线155，第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电压线172，并且第五晶体管T5的第二电极连接到驱动晶体管T1的第一电极。

第六晶体管T6用于将从驱动晶体管T1输出的发光电流传送到发光元件LED。第六晶体管T6的栅电极连接到发光控制线155，第六晶体管T6的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极连接到发光元件LED的阳极。

第七晶体管T7是p型或n型晶体管，并且半导体层具有硅半导体或氧化物半导体。第七晶体管T7用于初始化发光元件LED的阳极。第七晶体管T7的栅电极连接到第一扫描线151，第七晶体管T7的第一电极连接到发光元件LED的阳极，并且第七晶体管T7的第二电极连接到第二初始化电压线128。当第七晶体管T7由第一扫描线151的负电压导通时，第二初始化电压Avinit被施加到发光元件LED的阳极以进行初始化。另一方面，第七晶体管T7的栅电极可以连接到单独的旁路控制线，并且可以由不同于第一扫描线151的单独的布线控制。另外，根据实施例，被施加第二初始化电压AVinit的第二初始化电压线128可以与被施加第一初始化电压Vinit的第一初始化电压线127相同。

描述了一个像素包括七个晶体管T1至T7和两个电容器(例如存储电容器Cst和升压电容器C_boost)。然而，根据实施例，可以省略升压电容器C_boost。此外，即使是其中第三晶体管和第四晶体管由n型晶体管形成的实施例，它们中的仅一个可以被形成为n型晶体管，或者另一晶体管(例如，第七晶体管T7)可以被形成为n型晶体管。

在上文中，已经通过图15描述了设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)的像素、形成在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的、第二/第一显示区域的像素电路单元和设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的发光元件的电路结构。

在下文中，通过图16描述具有图15的电路结构的设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中的像素和形成在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的第二/第一显示区域的像素的截面结构。图16还另外示出了根据实施例的设置在发光元件(阳极Anode1、中间层EL layer和阴极Cathode)上的结构。此外，图16示出了两个晶体管(例如LTPS TFT和氧化物TFT)的截面结构，LTPS TFT可以是驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的一种截面结构，并且氧化物TFT可以是第三晶体管T3和第四晶体管T4的一种截面结构。

基板110是柔性基板，并且可以具有其中形成多个绝缘层的结构，并且可以具有其中重复地形成包括塑料或聚酰亚胺的层和无机绝缘层的结构。根据实施例，基板110可以由玻璃材料形成。

第一金属层BML1设置在基板110上，并且第一金属层BML1被缓冲层111覆盖。根据实施例，第一金属层BML1可以不设置在第一显示区域DA1中，并且可以仅设置在第二/第一显示区域DA2-1中。缓冲层111可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等的无机绝缘材料。

由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层ACT1设置在缓冲层111上。第一半导体层ACT1包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的沟道，并且在每个沟道的两侧具有通过等离子体处理或掺杂而具有导电层特性的区域，从而起第一电极和第二电极的作用。第一金属层BML1可以具有在平面图中与驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7当中的至少一个晶体管(例如，驱动晶体管T1)的沟道重叠的结构。

第一栅绝缘层141可以设置在第一半导体层ACT1上。第一栅绝缘层141可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

包括驱动晶体管T1的栅电极GAT1的第一栅导电层可以设置在第一栅绝缘层141上。第一栅导电层可以包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7以及驱动晶体管T1的每个栅电极以及升压电容器C_boost的下升压电极。每个晶体管的沟道可以具有在平面上与每个晶体管的栅电极重叠的结构。第一栅导电层可以进一步包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155可以在近似水平的方向(例如，第一方向)上延伸。第一扫描线151可以连接到第二晶体管T2的栅电极。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅电极一体地形成。第一扫描线151还连接到第七晶体管T7的栅电极，并且第五晶体管T5的栅电极和第六晶体管T6的栅电极连接到发光控制线155。

在形成包括驱动晶体管T1的栅电极的第一栅导电层之后，进行等离子体处理或掺杂工艺以使第一半导体层ACT1的被暴露的区域导电。即，被第一栅导电层覆盖的第一半导体层ACT1不是导电的，并且第一半导体层ACT1的不被第一栅导电层覆盖的部分可以具有与导电层相同的特性。作为结果，包括导电部分的晶体管具有p型晶体管特性，并且驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是p型晶体管。

第二栅绝缘层142可以设置在包括驱动晶体管T1的栅电极的第一栅导电层和第一栅绝缘层141上。第二栅绝缘层142可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

在第二栅绝缘层142上，可以设置包括存储电容器Cst的存储电容器电极CstE、第三晶体管T3的第二金属层BML2和包括第四晶体管T4的下屏蔽层的第二金属层BML2的第二栅导电层。第二金属层BML2可以分别设置在第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道之下，并且可以用于屏蔽从下侧提供给沟道的光或电磁干扰。

存储电容器Cst的存储电容器电极CstE与驱动晶体管T1的栅电极GAT1重叠以形成存储电容器Cst。第三晶体管T3的第二金属层BML2可以与第三晶体管T3的沟道和栅电极GAT2重叠，并且第四晶体管T4的下屏蔽层可以与第四晶体管T4的沟道和栅电极重叠。

第一层间绝缘层161可以设置在第二栅导电层上。第一层间绝缘层161可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料，并且根据实施例，无机绝缘材料可以形成得厚。

在第一层间绝缘层161上，可以设置包括第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道、第一区和第二区的第二半导体层ACT2。第三晶体管T3的沟道、第一区和第二区以及第四晶体管T4的沟道、第一区和第二区可以彼此连接并且一体地形成。

第三栅绝缘层143设置在第二半导体层ACT2上。第三栅绝缘层143可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

在第三栅绝缘层143上，可以设置包括第三晶体管T3的栅电极GAT2和第四晶体管T4的栅电极的第三栅导电层。第三晶体管T3的栅电极GAT2可以与第三晶体管T3的沟道重叠，并且还可以与第三晶体管T3的第二金属层BML2重叠。

第三栅导电层可以进一步包括第二扫描线152，并且第二扫描线152可以在近似水平的方向(例如，第一方向)上延伸，并且可以连接到第三晶体管T3的栅电极GAT2。第三晶体管T3的栅电极GAT2可以通过开口电连接到第三晶体管T3的第二金属层BML2。

在形成第三栅导电层后，通过等离子体处理或掺杂工艺，氧化物半导体层的被第三栅导电层覆盖的部分被形成为沟道，并且氧化物半导体层的未被第三栅导电层覆盖的部分是导体。第三晶体管T3的沟道可以与栅电极GAT2重叠，并且第三晶体管T3的第一区和第二区可以不与栅电极GAT2重叠。

第二层间绝缘层162可以设置在第三栅导电层上。第二层间绝缘层162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘层162可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

包括各种连接电极SD1的第一数据导电层可以设置在第二层间绝缘层162上。各种连接电极SD1可以连接到第一半导体层ACT1或第二半导体层ACT2，并且一些连接电极SD1可以构成第二连接部分CLr-2，使得将输出电流传输到阳极Anode1。

第一有机层180可以设置在第一数据导电层上。第一有机层180可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种有机材料。

包括数据线171和驱动电压线172的第二数据导电层可以设置在第一有机层180上。数据线171和驱动电压线172可以近似在垂直方向(例如，第二方向)上延伸。数据线171可以连接到第二晶体管T2。驱动电压线172可以连接到第五晶体管T5。此外，驱动电压线172可以连接到存储电容器电极CstE。

参考图16，第二数据导电层可以包括连接部分CLr。连接部分CLr通过形成在第一有机层180中的开口连接到第二连接部分CLr-2，并最终连接到第六晶体管T6以接收输出电流。

第二有机层181和第三有机层182可以设置在包括数据线171、驱动电压线172和连接部分CLr的第二数据导电层上。第二有机层181和第三有机层182可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种有机材料。

阳极Anode1设置在第三有机层182上。阳极Anode1通过设置在第二有机层181和第三有机层182中的开口电连接到连接部分CLr。阳极Anode1可以由包括透明导电氧化物层和金属材料的单个层或包括这些的多个层组成。透明导电氧化物层可以包括氧化铟锡(ITO)、多晶ITO、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)等，并且金属材料可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和铝(Al)等。

在暴露阳极Anode1的同时覆盖阳极Anode1的至少一部分的分隔壁380可以设置在阳极Anode1上。分隔壁380也被称为像素限定层(PDL)并且可以由具有黑色的黑色PDL形成。参考图16，间隔件385设置在分隔壁380上。分隔壁380和间隔件385可以包括遮光材料或具有黑色的有机材料，并且还可以包括炭黑、碳纳米管、包含黑色染料的树脂或糊状物、金属颗粒(例如，镍、铝、钼及其合金)以及金属氧化物颗粒(例如，氮化铬)等。另外，分隔壁380和间隔件385可以具有不反射光并且吸收/阻挡光的特性，并且可以由负型有机材料形成。间隔件385可以与分隔壁380利用相同的材料使用一个掩模来形成。即，对于分隔壁380和间隔件385，通过图5和图6中示出的工艺，当在第二/第二显示区域DA2-2中形成第一遮光部分385-2和第二遮光部分380-2时，分隔壁380和间隔件385可以一起形成在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)和第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中。此时，分隔壁380可以形成在使用的掩模当中与半色调区HT相对应的部分中，并且间隔件385可以形成在与透光区FT相对应的部分中。

中间层EL layer和阴极Cathode可以顺序地形成在阳极Anode1、间隔件385和分隔壁380上。中间层EL layer和阴极Cathode可以遍及整个区域形成。中间层EL layer可以包括功能层和发射层，并且功能层可以遍及整个区域形成，但是发射层可以仅设置在分隔壁380的开口内的暴露的阳极Anode1上。中间层EL layer的功能层可以包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层。空穴注入层和空穴传输层可以设置在发射层之下，并且电子传输层和电子注入层可以设置在发射层上。根据实施例，中间层ELlayer的功能层也可以形成在第二/第二显示区域DA2-2(例如，透光区域LTA)中。

阴极Cathode可以被形成为透光电极或反射电极。根据实施例，阴极Cathode可以是透明或半透明电极，并且可以由包括锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或其化合物(例如，LiF)或者诸如LiF/Ca或LiF/Al的具有多层结构的材料的、具有小的功函数的金属薄膜形成。另外，在金属薄膜上，可以进一步设置透明氧化物导电层，例如诸如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的透明导电氧化物。根据实施例，阴极Cathode可以遍及整个区域形成，但是可以不形成在第二/第二显示区域DA2-2中。另外，阴极Cathode可以具有半透明特性，并且在这种情况下，可以与阳极一起形成微腔。根据微腔结构，特定波长的光通过两个电极之间的间距和特性被向上发射，并且作为结果可以被显示为红色、绿色或蓝色。

封装层400设置在阴极Cathode上。封装层400可以包括至少一个无机层和至少一个有机层，并且根据实施例，可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400可以用于保护发射层免受可能从外部流入的湿气或氧气的影响。根据实施例，封装层400可以包括其中进一步顺序地堆叠无机层和有机层的结构。

在图16的实施例中，感测绝缘层510、多个感测电极540和541以及无机钝化层501设置在封装层400上以进行触摸感测。在图16的实施例中，可以使用两个感测电极540和541以电容类型感测触摸。

具体地，在封装层400上形成无机钝化层501，并且在无机钝化层501上形成多个感测电极540和541。多个感测电极540和541可以绝缘，感测绝缘层510介于感测电极540和541之间，并且它们中的一些可以通过设置在感测绝缘层510中的开口彼此电连接。这里，感测电极540和541可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)或钽(Ta)的金属或金属合金，并且可以由单层或多层组成。

感测电极540和541可以形成在第一显示区域DA1和第二/第一显示区域DA2-1中，但是可以不形成在第二/第二显示区域DA2-2中。同时，无机钝化层501和感测绝缘层510不仅可以形成在第一显示区域DA1和第二/第一显示区域DA2-1中，而且可以形成在第二/第二显示区域DA2-2中。在这种情况下，无机钝化层501和感测绝缘层510都可以是无机绝缘层。

遮光构件220和滤色器层230设置在上覆的感测电极541上。遮光构件220和滤色器层230可以形成在第一显示区域DA1和第二/第一显示区域DA2-1中，但是不形成在第二/第二显示区域DA2-2中。

遮光构件220可以被设置以在平面上与感测电极540和541重叠，并且可以被设置以在平面上不与阳极Anode1重叠。这是为了防止用于显示图像的阳极Anode1被遮光构件220以及感测电极540和541覆盖。

滤色器层230可以设置在感测绝缘层510和遮光构件220上。滤色器层230包括透射红光的红色滤色器、透射绿光的绿色滤色器和透射蓝光的蓝色滤色器。每个滤色器可以被设置以在平面上与发光元件的阳极Anode1重叠。从中间层EL layer发射的光可以在其穿过滤色器并被改变为对应的颜色时被发射。

遮光构件220可以分别设置在滤色器之间。根据实施例，滤色器层230可以用颜色转换层代替，或者可以进一步包括颜色转换层。颜色转换层可以包括量子点。

覆盖滤色器层230的平坦化层可以设置在滤色器层230上，并且偏振器可以附加地附接在平坦化层上。

在上文中，已经根据图16的结构描述了设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中的像素电路单元和形成在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的第二/第一显示区域的像素电路单元的截面结构。

在下文中，通过图17和图18的实施例描述设置在第一显示区域DA1(例如，正常显示区域)中的像素电路单元和设置在第二/第一显示区域DA2-1(例如，中间显示区域)中的像素的结构，并且设置在像素中的所有晶体管使用相同的半导体层。

图17是根据实施例的发光显示装置中包括的一个像素的电路图。图18是示出根据图17的实施例的像素的截面的视图。

与图15不同，图17是其中第三晶体管T3和第四晶体管T4由包括多晶半导体的晶体管形成的实施例，并且因此所有薄膜晶体管仅由多晶半导体形成。

根据图17，一个像素包括像素电路单元和发光元件LED，像素电路单元包括多个晶体管和电容器，发光元件LED从像素电路单元接收电流以进行发射。

如图17中所示，根据实施例的显示装置的一个像素包括连接到若干条布线127、151、152、153、155、171、172和741的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst、升压电容器C_boost以及发光元件LED。

多条布线127、151、152、153、155、171、172和741连接到一个像素。多条布线包括第一初始化电压线127、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172和公共电压线741。

如下描述与图15不同的第二扫描线152和初始化控制线153。

第二扫描线152可以是与第一扫描线151相同的布线，并且将作为与第一扫描信号GW相同的扫描信号的第二扫描信号GC传输到第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI传输到第四晶体管T4。

像素电路单元中包括的多个晶体管可以包括驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。多个晶体管可以包括多晶硅半导体。

如下描述与图15不同的第三晶体管T3和第四晶体管T4。

第三晶体管T3是p型晶体管，并且具有作为半导体层的多晶半导体。第三晶体管T3电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。作为结果，第三晶体管T3是允许数据电压DATA被驱动晶体管T1的阈值电压补偿并且然后存储在存储电容器Cst的第二存储电极中的晶体管。第三晶体管T3的栅电极连接到第二扫描线152，并且第三晶体管T3的第一电极连接到驱动晶体管T1的第二电极。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器C_boost的有时被称为上升压电极的另一电极。第三晶体管T3由通过第二扫描线152接收的第二扫描信号GC的负电压导通，使得驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极连接，并且施加到驱动晶体管T1的栅电极的电压被传输到存储电容器Cst的第二存储电极以存储在存储电容器Cst中。此时，在存储驱动晶体管T1被截止时的驱动晶体管T1的栅电极的电压的状态下存储存储电容器Cst中存储的电压，使得补偿驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)。

第四晶体管T4是p型晶体管，并且具有作为半导体层的多晶半导体。第四晶体管T4初始化驱动晶体管T1的栅电极和存储电容器Cst的第二存储电极。第四晶体管T4的栅电极连接到初始化控制线153，并且第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线127。第四晶体管T4的第二电极连接到第三晶体管T3的第二电极、存储电容器Cst的第二存储电极、驱动晶体管T1的栅电极和升压电容器C_boost的上升压电极。第四晶体管T4由通过初始化控制线153接收的初始化控制信号GI的负电压导通，并且此时，第一初始化电压Vinit被传输到驱动晶体管T1的栅电极、存储电容器Cst的第二存储电极和升压电容器C_boost的上升压电极以进行初始化。

在下文中，参考图18描述第一显示区域DA1和第二/第一显示区域DA2-1的截面结构。

基板110是柔性基板，并且可以具有其中形成多个绝缘层的结构，并且可以具有其中重复地形成包括塑料或聚酰亚胺的层和无机绝缘层的结构。根据实施例，基板110可以由玻璃材料形成。因此，基板110可以具有各种程度的柔性。基板110可以是刚性基板或能够弯折、折叠、卷起等的柔性基板。

金属层BML设置在基板110上，并且金属层BML被缓冲层111覆盖。根据实施例，金属层BML可以不设置在第一显示区域DA1中，并且可以仅设置在第二/第一显示区域DA2-1中。缓冲层111阻止杂质从基板110转移到缓冲层111的上层，具体地半导体层ACT，从而防止半导体层ACT的特性劣化并减小应力。缓冲层111可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料。

半导体层ACT设置在缓冲层111上。半导体层ACT可以包括多晶硅，并且半导体层ACT包括与栅电极GAT1重叠的沟道区以及设置在沟道区的各侧的第一区和第二区。在半导体层ACT中，除了沟道区之外的第一区和第二区被掺杂有杂质以具有与导体相同/相似的导电特性。

第一栅绝缘层141设置在半导体层ACT上。第一栅绝缘层141可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料，并且可以具有单层或多层结构。

在第一栅绝缘层141上，设置包括栅电极GAT1的第一栅导电层。在平面上，栅电极GAT1可以与半导体层ACT的沟道区重叠。

第二栅绝缘层142设置在第一栅导电层上。第二栅绝缘层142可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料，并且可以具有单层或多层结构。

在第二栅绝缘层142上，设置包括存储电容器电极CstE的第二栅导电层。存储电容器电极CstE与栅电极GAT1重叠以构成存储电容器Cst。

第一层间绝缘层161设置在第二栅导电层上。第一层间绝缘层161可以包括诸如氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)的无机绝缘材料，并且可以具有如示出了由多个层组成的结构的图18中示出的单层或多层结构。

包括连接到半导体层ACT的连接电极SD1的第一数据导电层设置在第一层间绝缘层161上。连接电极SD1可以通过分别形成在第一层间绝缘层161、第二栅绝缘层142和第一栅绝缘层141中的开口电连接到半导体层ACT的第一区和第二区。连接电极SD1中的一个可以构成第二连接部分CLr-2，使得输出电流被传送到阳极Anode1。

第一有机层180设置在第一数据导电层上，并且第一有机层180可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种有机材料。

在第一有机层180上，设置包括连接部分CLr的第二数据导电层。连接部分CLr用于连接第二连接部分CLr-2和阳极Anode1。

在第二数据导电层上，顺序地设置第二有机层181和第三有机层182，并且第二有机层181和第三有机层182可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种有机材料。

阳极Anode1设置在第三有机层182上，并且阳极Anode1构成发光元件的一个电极。尽管未示出阳极Anode1上方的结构，但是可以形成与图16的堆叠结构相同或相似的堆叠结构。

尽管图18仅示出了一个晶体管，但是如图17中所示，实际上每个像素可以包括多个晶体管。

尽管已经结合目前被认为是实际的实施例描述了本公开，但是应当理解，本发明构思不限于公开的实施例。相反，其旨在涵盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等效结构。

Claims

1.一种发光显示装置，包括：

正常显示区域和包含透光区域的透明显示区域，

其中，所述透明显示区域包括：

阳极，包括开口；

第一遮光部分，填充所述开口；以及

第二遮光部分，沿着所述阳极的外侧设置，并且

所述第一遮光部分的最高部分的高度不同于所述第二遮光部分的最高部分的高度。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述第一遮光部分和所述第二遮光部分包括遮光材料或具有黑色的负型有机材料，并且

在由所述透明显示区域的所述阳极的所述外侧围绕的整个区域中，由所述开口占据的区域是5％以上且20％以下。

3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述第一遮光部分的所述最高部分的所述高度高于所述第二遮光部分的所述最高部分的所述高度，

所述第一遮光部分被分为外围部分和中心部分，并且所述中心部分的高度高于所述外围部分的高度，

分隔壁和间隔件设置在所述正常显示区域中，并且

所述分隔壁和所述间隔件与所述第一遮光部分和所述第二遮光部分包括相同的材料。

4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述第一遮光部分的所述最高部分的所述高度低于所述第二遮光部分的所述最高部分的所述高度，

分隔壁和间隔件设置在所述正常显示区域中，并且

5.根据权利要求1-4中任一项所述的发光显示装置，其中，

设置在所述正常显示区域中的多个绝缘层中的至少一个和连接到所述透明显示区域的所述阳极的透明连接布线设置在所述透光区域中，并且

所述透明连接布线在所述第一遮光部分和所述第二遮光部分与所述透明显示区域的所述阳极在平面上不重叠的位置处连接到所述透明显示区域的所述阳极。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的发光显示装置，其中，

设置在所述正常显示区域中的多个绝缘层中的至少一个和连接到所述透明显示区域的所述阳极的透明连接布线设置在所述透光区域中，

所述透明连接布线在所述第一遮光部分或所述第二遮光部分与所述透明显示区域的所述阳极在平面上重叠的位置处连接到所述透明显示区域的所述阳极，并且

所述透明连接布线和所述透明显示区域的所述阳极连接的部分在所述平面上与所述第一遮光部分或所述第二遮光部分重叠。

7.一种发光显示装置，包括：

正常显示区域，其中设置有所述正常显示区域的像素电路单元和连接到所述正常显示区域的所述像素电路单元的、所述正常显示区域的发光元件；

透明显示区域，其中设置有透光区域和所述透明显示区域的发光元件；以及

中间显示区域，其中设置有所述中间显示区域的像素电路单元、连接到所述中间显示区域的所述像素电路单元的、所述中间显示区域的发光元件和连接到所述透明显示区域的所述发光元件的、所述透明显示区域的像素电路单元，

其中，所述透明显示区域的所述发光元件包括所述透明显示区域的阳极，并且

所述透明显示区域的所述阳极具有开口，并且

所述透明显示区域进一步包括：

第一遮光部分，填充所述开口；以及

第二遮光部分，沿着所述阳极的外侧设置，并且

8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，

分隔壁和间隔件设置在所述正常显示区域中，并且

9.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，

分隔壁和间隔件设置在所述正常显示区域中，并且

10.根据权利要求7-9中任一项所述的发光显示装置，其中，

在所述透光区域中，设置在所述正常显示区域中的多个绝缘层中的至少一个和连接到所述透明显示区域的所述阳极的透明连接布线被设置。