CN116190949B - 一种电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器 - Google Patents
一种电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种电磁耦合可控的集成基片间隙波导(ISGW)宽带带通滤波器，包括：由下至上依次设置底层介质板、中间层介质板和顶层介质板；底层介质板下表面印刷有金属覆铜层，内部加载周期金属化过孔，上表面印有金属圆形贴片。中间层介质板上表面印有ISGW的传输带线，在ISGW的传输带线上创新性地引入圆形贴片，并在圆形贴片上切割三对辐射形槽，改变槽的宽度可以改变滤波器耦合系数，实现电磁耦合，通过改变蚀刻槽的对数，控制传输极点数量，实现电磁耦合可控。上层介质板的上表面印刷金属覆铜层，并在上表面创新性地引入绝对对称加载枝节缺陷地结构，达到更好的滤波特性。该滤波器具有较好的滤波效果和小型化特性，能够同时覆盖5G的N257和N258波段。
Description
技术领域
本发明涉及滤波器技术领域，特别是涉及一种电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器。
背景技术
随着通信技术的发展，通信数据量急剧增加，为了缓解大量数据通信的要求，5G通信频段提高到24.25GHz以上，5G通信的N257和N258频段分别为24.25-27.5GHz、27.5-28.35GHz。而在5G应用过程中，不同国家或电信运营商的应用频段可能会有差异，覆盖多个5G频段的带通滤波器研究显得尤为重要。
集成基片间隙波导是一种新型波导技术，其由三层介质基板组成，下层介质基板中加载有周期性蘑菇状结构，在其带线实现禁带效果，中层介质基板和上层介质基板中间有集成基片间隙波导传输带线，使其具有低插入损耗、高功率容量以及易于集成的优点，故集成基片间隙波导技术被广泛用于设计高性能微波/元件。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一款能够覆盖5G毫米波通信的N257和N258频段的宽带集成基片间隙波导滤波器，并实现低带内插入损耗，低时延和小型化的性能。
为了实现上述目的，本发明提供了以下方案：一种电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器，包括：由上至下以此设置顶层介质基板，中层介质基板和底层介质基板；
所述底层介质基板上设有周期性金属通孔，所述底层介质板的下表面印刷有第一金属层，所述底层介质板的上表面相对于所述周期性金属通孔的中心位置设有周期性金属贴片。
所述中间层介质基板上表面印刷有集成基片间隙波导的传输带线，在集成基片间隙波导的传输带线上引入有圆形金属贴片；
优选地，所述圆形金属贴片上蚀刻有三对辐射形槽，得到由六个扇形区域得到三对完全对称的谐振器，构成的三阶平面带通滤波器带线；
优选地，所诉上层介质基板的上表面印刷有金属覆铜层，并在上表面金属覆铜层蚀刻“王”字形绝对对称加载枝节缺陷地结构；
优选地，所述底层介质基板的介电常数小于所述中层介质基板的介电常数，且前两者均高于所述顶间层介质板的介电常数；
优选地，所述底层介质基板的厚度和所述中层介质基板的厚度相同且小于所述顶间层介质板的厚度；
优选地，所述上层金属面蚀刻的“王”字形绝对对称加载枝节缺陷地结构与带线上的圆形谐振器贴片部分完全对齐；
优选的，所述圆形金属贴片上蚀刻的金属槽长宽完全相同；
优选地，所述圆形金属贴片上蚀刻的金属槽关于X轴完全对称；
优选地，所述圆形金属贴片上蚀刻的金属槽关于Y轴完全对称；
优选地，所述底层介质基板、所述中间层介质基板和所述顶层介质基板的长宽相同；
本发明提供的电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的底层介质基板打了12×12的大小完全相同的周期性金属通孔，下表面印刷有金属层表面，上表面与金属通孔对应位置印刷有金属贴片。中间层介质基板上表面印刷有集成基片间隙波导的传输带线，在集成基片间隙波导的传输带线上引入有圆形金属贴片，并在圆形金属贴片上蚀刻有三对关于Y轴完全对称的辐射形槽，得到由六个扇形区域得到三对完全对称的谐振器。上层介质基板上层印刷有金属层表面，并在上层金属表面蚀刻有“王”字形绝对对称加载枝节缺陷地结构。集成基片间隙波导的带线由六个扇形区域得到三对完全对称的谐振器，构成的三阶平面带通滤波器带线，由此得到电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器。本发明解决了传统滤波器带内损耗高的问题，解决了传统宽带滤波器需要耦合多个谐振器问题及不易集成问题，同时具有带外抑制度高、频率选择性好、易加工、结构稳定等优点。
本发明提供了一种电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器，通过在圆形金属贴片蚀刻一对垂直Y方向的金属槽，可以得到一对完全相同的谐振器，可得其可形成一个中心频率可控的一阶滤波器；
通过在圆形金属贴片Y垂直方向的±a°方向各蚀刻一对金属槽，可以得到两对完全相同的谐振器，可得两个传输极点，通过调控斜开槽的角度，可得其可形成一个中心频率可控的二阶滤波器。
根据该设计，可以通过控制滤波器圆形金属贴片上所开槽的对数控制传输极点的数量，可以通过控制斜开槽的角度控制滤波器的传输极点的位置，实现带宽可控和传输极点可控。
所提出的滤波器结构分别会在高、中、低三个频率处产生谐振，在低谐振频率处，主要产生谐振的是中间与带线垂直的辐射形槽；在高谐振频率处，主要产生谐振的是与之相对应的斜切辐射形槽，在中谐振频率处会产生较强谐振，其垂直辐射形槽与斜切辐射形槽均会产生较强谐振。
本发明提供的宽带集成基片间隙波导滤波器的设计过程，可以通过调整圆形金属贴片上所开槽的角度与数量，最终实现对滤波器带宽的控制，最终实现滤波器分数带宽大于20％，实现宽带滤波器的设计。
本发明提供的宽带集成基片间隙波导滤波器结构，在对其仅进行尺寸放缩工作的基础上能够广泛使用于低频、高频毫米波、太赫兹频段，本发明设计过程运用于毫米波频段，但其运用范围不仅限于毫米波频段。
本发明提供的电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的上层印刷有金属层表面蚀刻有“王”字形绝对对称加载枝节缺陷地结构,该绝对对称加载枝节缺陷地(SLB-DGS)结构使得圆形金属贴片两侧的谐振器只会于中间连接位置产生电耦合，避免了磁耦合，其具体对应位置如图2所示。将SLB-DGS其分解为多个U形互补开口谐振环(CSRR)，如图7，当在无限大的导体上有一个CSRR时，忽略导体损耗的情况下，CSRR可以等效为一个电容CC和电感LC的谐振电路。该谐振电路的谐振频率为：
fn＝(LCCC)-1/2/2π
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的结构图；
图2为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的俯视图；
图3为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的顶层介质板的下表面图；
图4为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的顶层介质板的上表面图；
图5为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的耦合拓扑结构图；
图6为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的简化耦合拓扑结构图；
图7为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的上层金属表面缺陷地结构的分解分析及其等效电路；
图8为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的本征模分析三种谐振频率的电场模式分布图；
图9为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的S参数结果图；
图10为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的时延结果图；
图11为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的开两对辐射形槽与三对辐射形槽的S11参数对比图；
图12为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器所开辐射形槽角度对FTP1的影响对比图；
图13为本发明实施例电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器所开辐射形槽的宽度与滤波器谐振器之间耦合系数的关系图；
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1-4所示，本发明提供的一种电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器，包括：由下至上依次设置的底层介质基板(4)、中层介质基板(5)和顶层介质基板(9)。三层介质板长宽相同，通过粘接或塑料螺丝固定在一起。中层介质板(5)的介电常数最大，底层介质板(4)的介电常数其次，顶层介质板(9)的介电常数最小。顶间层介质板(9)的损耗角正切要求较高，需尽量选择损耗角正切小和介电常数小的介质板以较小损耗。底层介质板(4)的厚度大于中间层介质板(5)的厚度和顶层介质板(9)的厚度。
底层介质基板(4)内部打了12×12的周期性金属通孔(2)，下表面印刷有金属接地层(1)，上表面相应于周期性金属通孔(2)中心位置印刷圆形金属贴片(3)。
中层介质基板(5)上表面印刷了集成基片间隙波导传输带线(6)，在集成基片间隙波导导带(6)的中间位置印刷加载了一个圆形金属贴片(13)形成谐振器，在圆形金属贴片(13)的X方向沿直径蚀刻一对槽(7)，在圆形金属贴片(13)的X方向42.5°和-42.5°方向各开一对槽(8)(12)，最终形成三对完全对称的谐振器。由此，得到了宽带集成基片间隙波导滤波器。需注意斜蚀刻金属槽(8)(12)角度不仅限于±42.5°。
中层介质基板(5)上表面的圆形金属贴片谐振器8两侧各印刷一条50欧姆微带线馈线(6)，其封装于中层介质基板(5)和顶层介质基板(9)中间，使宽带集成基片间隙波导滤波器的特性阻抗在频率变化时保持稳定，便于集成和测试。
顶层介质基片(9)的上表面印刷了一层金属地面(11)，在金属地面(11)中对应于圆形金属贴片(13)的位置蚀刻了一个“王”字形绝对对称加载枝节缺陷地结构(111)，该绝对对称加载枝节缺陷地结构使得圆形金属贴片两侧的谐振器只会于中间连接位置产生电耦合，避免了磁耦合，其具体对应位置如图2所示，改善了三阶滤波器的性能。需注意绝对对称加载枝节缺陷地的结构不仅限于“王”字形。
通过调节斜蚀刻金属槽(8)(12)与Y垂直方向金属槽(7)的角度大小，从而调节谐振器之间的耦合，实现调节每个传输极点的位置，以调节频段的位置。
本发明提供的电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器的耦合拓扑如图5所示。该耦合拓扑表征了该三阶滤波器的耦合机理，分别分为两条耦合完全相同主要耦合链路，链路一：谐振器1-谐振器2-谐振器3，链路二：谐振器1’-谐振器2’-谐振器3’，实现了基础的三阶滤波器性能，此外还存在多条电耦合支路，链路三：谐振器1-谐振器4-谐振器3，链路四：谐振器1’-谐振器4’-谐振器3’，优化了滤波器的性能；其耦合系数主要分为电耦合和磁耦合，磁耦合：M12、M23、M1’2’、M2’3’，电耦合：M14、M24、M34、M1’4’、M2’4’、M3’4’；因为滤波器关于Y轴绝对对称，故两条耦合支路的耦合情况完全相同，通过在每侧的扇形金属区域蚀刻三对金属槽，实现了三个磁耦合谐振器，我们可以进一步将图8的初始滤波器耦合拓扑结构图简化为图9所示滤波器耦合拓扑结构。
本发明提供的电磁耦合可控的宽带集成基片间隙波导滤波器通过设计分析与仿真结果可知该滤波器为三阶滤波器，通带范围为22.99-28.67GHz，在20.06Hz、20.62GHz和29.27处个产生一个传输零点的情况下，实现在滤波器的带外实现较好的抑制效果，得到良好的滤波特性。可以得到滤波器的广义耦合矩阵如下：
| S | 1 | 2 | 3 | L | |
| S | 0.0 | 0.9396446 | 0.0 | 0.0 | 0.0 |
| 1 | 0.9396446 | -0.0487641 | 0.5554452 | 0.5161902 | -0.3492159 |
| 2 | 0.0 | 0.5554452 | -0.6002261 | 0.8212632 | 0.0 |
| 3 | 0.0 | 0.5161902 | 0.8212632 | 0.3653428 | 0.8721010 |
| L | 0.0 | -0.3492159 | 0.0 | 0.8721010 | 0.0 |
如图10所示，根据调整开金属槽的数量可以控制通带传输极点的数量，如图11所示，根据调控每个金属槽的角度可以控制其在通带内的传输极点产生位置，具体分析可知随着斜开金属槽角度的增大，低频传输极点向低频移动，高频传输极点向高频移动，实现滤波器的传输极点位置可控，实现滤波器带宽可控；如图13所示，通过调节辐射形槽的宽度可以调节本征模式谐振频率，进而改变滤波器的耦合系数，具体分析可知高低谐振频率随着辐射形槽的宽度的增加而升高，耦合系数随辐射形槽的宽度的增加而减小。
具体实施例：
具体实施例中，顶层介质基板(10)采用介电常数为2.2、损耗角正切为0.0009，厚度为0.508mm的Rogers RT 5880介质材料，中层介质基板(5)采用介电常数为3.66、损耗角正切为0.004，厚度为0.508mm的Rogers 4350介质材料，底层介质基板(4)采用介电常数为3.55、损耗角正切为0.0027，厚度为0.813mm的Rogers 4003C介质材料；滤波器的整体尺寸26.4mm*26.4mm*1.829mm。图6的通带内S11＜-10dB的阻抗带宽为22.99-28.67GHz，通带的相对带宽实现20.56％，滤波器的带外抑制较好，阻带抑制情况在低于21.7GHz的频段S21大体低于-20dB，阻带抑制情况在高于29GHz的频段S21大体低于-15dB，并在通带两侧各引入两个传输零点，实现较好的带外抑制，通带内整体群时延低于0.5ns，实现较低的群时延。
本发明与现有技术相比，具有如下优点：
在通带范围内具有较宽的通带；
设计过程中可以通过对圆形金属贴片上蚀刻槽的对数对滤波器的阶数进行控制,进而实现滤波器带宽的控制；
设计过程中可以通过圆形金属贴片上蚀刻槽的角度对滤波器的传输极点的中心频率进行控制，进而实现控制滤波器的频段。
解决了传统宽带滤波器需要耦合多个独立谐振器问题及不易集成问题；
解决了传统5G毫米波单频滤波器仅能覆盖单个5G毫米波频段的问题；
实现了较低的群时延的性能；
具有带外抑制度高、频率选择性好、易加工、结构稳定等优点。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
本发明中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (4)
1.一种电磁耦合可控的集成基片间隙波导平面宽带带通滤波器，其特征在于，包括：由下至上依次设置的底层介质基板(4)、中间层介质基板(5)和顶层介质基板(9）；
所述底层介质基板(4)在下表面印刷有金属覆铜层(1)，内部加载有周期性金属化过孔(2)，上表面印有金属化圆形贴片(3)；
所述中间层介质基板(5)上表面印有集成基片间隙波导的传输带线(6)，在集成基片间隙波导的传输带线上引入有圆形金属贴片(13)，在圆形金属贴片(13)上切割有三对辐射形槽，得到由六个扇形区域,上下对称的一对扇形区域形成一对完全相同的谐振器，据此得到三对完全对称的谐振器，构成的三阶平面带通滤波器；
所述顶层介质基板(9)的上表面印刷有金属覆铜层(10)，并在上表面金属覆铜层蚀刻“王”字形绝对对称加载枝节缺陷地结构(11)；
所述圆形金属贴片(13)上开的辐射形槽：第一对辐射形槽(7)与传输带线(6)方向完全垂直，第二对辐射形槽(8)、第三对辐射形槽(12)分别与第一对槽(7)所呈的夹角角度完全相同；
所述圆形金属贴片(13)开辐射形槽后，中间有部分金属贴片连接。
2.根据权利要求1所述的电磁耦合可控的集成基片间隙波导平面宽带带通滤波器，其特征在于，所述金属覆铜层(10)蚀刻的“王”字形绝对对称加载枝节缺陷地结构与带线(6)上的圆形金属贴片(13)部分完全对齐。
3.根据权利要求1所述的电磁耦合可控的集成基片间隙波导平面宽带带通滤波器，其特征在于，改变辐射形金属槽的角度可以控制滤波器传输极点位置。
4.根据权利要求1所述的电磁耦合可控的集成基片间隙波导平面宽带带通滤波器，其特征在于，改变辐射形金属槽的数量可以控制滤波器阶数，进而控制滤波器带宽。
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| JP3436073B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2003-08-11 | 三菱電機株式会社 | アンテナ装置 |
| CN104518278A (zh) * | 2013-09-26 | 2015-04-15 | 中兴通讯股份有限公司 | 天线及终端 |
| CN109216845A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-15 | 云南大学 | 一种基片集成槽间隙波导结构 |
| CN111416183B (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-29 | 南京智能高端装备产业研究院有限公司 | 一种采用双层圆形贴片的新型单通带滤波耦合器 |
| CN111799534B (zh) * | 2020-06-08 | 2021-06-01 | 南京邮电大学 | 一种基于印刷脊间隙波导的四阶Ka波段带通滤波器 |
| CN113517566B (zh) * | 2021-06-15 | 2022-12-23 | 上海大学 | 加载扇形蘑菇型超构材料的小型化圆形或椭圆形微带贴片天线 |
| CN113964535B (zh) * | 2021-10-22 | 2023-12-05 | 云南大学 | 一种基于集成基片间隙波导的圆极化滤波天线 |
-
2022
- 2022-12-13 CN CN202211604212.1A patent/CN116190949B/zh active Active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 5G 毫米波扇形谐振宽带滤波器设计;王彪等;《无线电工程》;20240625;全文 * |
| An Integrated Substrate Gap Waveguide Wideband Filter for 5G Millimeter Wave Application;Biao Wang 等;《2022 IEEE MTT-S International Microwave Workshop Series on Advanced Materials and Processes for RF and THz Applications》;20230426;全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116190949A (zh) | 2023-05-30 |
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