CN116143543B - 高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：1)制备第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯由纯度≥99.9％的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成；2)高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯；所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度；所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅陶瓷颗粒一种成分；3)在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜，将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，得到高纯度多孔碳化硅陶瓷。本发明所要解决的技术问题是如何提高多孔碳化硅陶瓷的纯度，使其纯度可以达到99.9％以上，强度达到50MPa，满足其在半导体产业中的晶圆处理、液晶面板处理和柔性屏处理中的应用要求。

Description

高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用

技术领域

本发明属于多孔陶瓷技术领域，特别是涉及一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用。

背景技术

半导体产业中的晶圆处理、液晶面板处理和柔性屏处理均需要多孔陶瓷吸盘，其部分工艺对多孔碳化硅陶瓷吸盘的纯度具有极高的要求，要求其纯度达到99.9％以上，以避免吸盘中的杂质成分对物料产生污染，影响其使用效果。但是，现有技术中的多孔碳化硅陶瓷主要有无压烧结碳化硅、玻璃相结合碳化硅等几种。由于无压烧结碳化硅多孔陶瓷在制备过程中会添加碳化硼、氧化钇等烧结助剂，以保证碳化硅陶瓷的烧结，因此该工艺制备的碳化硅多孔陶瓷纯度不高，无法满足晶圆处理对材料纯度的影响；而玻璃相结合碳化硅多孔陶瓷中也由于含有硅、铝等玻璃相材料，因此其纯度也不高，无法满足晶圆处理等对材料纯度的要求。

发明内容

本发明的主要目的在于，提供一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用，所要解决的技术问题是如何提高多孔碳化硅陶瓷的纯度和强度，使其纯度可以达到99.9％以上，强度≥50MPa，满足其在半导体产业中的晶圆处理、液晶面板处理和柔性屏处理中的应用要求，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种高纯度多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其包括以下步骤：

1)制备第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯由纯度≥99.9％的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成；

2)高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯；所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度；所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅陶瓷颗粒一种成分；

3)在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜，将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，得到高纯度多孔碳化硅陶瓷。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

优选的，前述的制备方法，其中所述造孔剂包括有机单体和有机助剂；或者，所述造孔剂除了包括有机单体和有机助剂之外，其还包括碳粉和/或炭黑。

优选的，前述的制备方法，其中所述高温烧结是将所述有机单体和有机助剂全部烧失；或者，所述高温烧结是将所述有机单体和有机助剂，以及碳粉和/或炭黑全部烧失；所述高温烧结的温度为400～800℃。

优选的，前述的制备方法，其中所述沉积为化学气相沉积；所述沉积的原料气为一甲基三氯硅烷，其流量为0.7L/min；以氢气为催化剂；所述氢气与一甲基三氯硅烷的体积比为10:1；所述沉积的温度为1100～1300℃。

优选的，前述的制备方法，其中所述碳化硅薄膜的纯度≥99.9％。

优选的，前述的制备方法，其中所述碳化硅薄膜的厚度为20～40微米。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种高纯度多孔碳化硅陶瓷，其包括：

碳化硅多孔体，其仅包括碳化硅一种组分；

碳化硅包覆层，包覆于所述碳化硅多孔体中孔隙的孔壁表面或孔筋表面；所述碳化硅包覆层的厚度为20～40微米；

所述高纯度多孔碳化硅陶瓷中碳化硅含量≥99.9％，强度≥50MPa。

优选的，前述的高纯度多孔碳化硅陶瓷，其是根据前述的高纯度多孔碳化硅陶瓷的制备方法制备的。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种高纯度多孔碳化硅陶瓷在晶圆处理、液晶面板处理或柔性屏处理技术领域的应用。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据本发明提出的一种陶瓷吸盘，其材质为纯度≥99.9的高纯度多孔碳化硅陶瓷，其强度≥50MPa。

借由上述技术方案，本发明提出的一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用至少具有下列优点：

本发明提出的高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用，其首先采用高纯碳化硅微粉与造孔剂均匀混合配制陶瓷料浆，通过现有技术中常规方法，如凝胶注、干压、等静压、注浆等工艺将陶瓷料浆制备为第一碳化硅陶瓷生坯；然后经高温烧结处理进行排胶、热解，将第一碳化硅陶瓷生坯中作为造孔剂添加的组分全部烧失，获得具有一定强度的多孔碳化硅陶瓷，也即第二碳化硅陶瓷生坯；最后再将所述第二碳化硅陶瓷生坯置于化学气相沉积碳化硅装置中，通过化学气相沉积工艺在孔隙的孔壁表面和孔筋表面沉积一层20～40微米厚的高纯度碳化硅涂层，通过该沉积的致密碳化硅涂层将多孔碳化硅陶瓷完全包覆起来，进一步提高了多孔碳化硅陶瓷的纯度和强度，从而得到一种能够满足使用要求的高纯度多孔碳化硅陶瓷。本发明技术方案制备的高纯度多孔碳化硅陶瓷具有极高的纯度和较好的强度，将其应用于半导体产业中的晶圆处理、液晶面板处理或柔性屏处理过程中，可以避免吸盘中的杂质成分对物料的影响。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1是本发明实施例1中第二碳化硅陶瓷生坯的实物照片；

图2是本发明实施例1中第二碳化硅陶瓷生坯的电镜图；

图3是本发明实施例1中第二碳化硅陶瓷生坯的XRD图；

图4是本发明实施例1中高纯度多孔碳化硅陶瓷的电镜图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种高纯度多孔碳化硅陶瓷及其制备方法和应用，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

本发明提出一种高纯度多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其包括以下步骤：

首先是制备第一碳化硅陶瓷生坯。先配制陶瓷料浆，再将其制备为第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯可以采用多孔陶瓷制备的各种方法，例如，注浆法、模压法、凝胶注法等，本发明对其不作具体限定。

在陶瓷料浆配制时，物料的选择要求所述第一碳化硅陶瓷生坯是由纯度≥99.9％的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成，也即陶瓷料浆中除了造孔剂之外，只含有碳化硅陶瓷颗粒一种颗粒。此处所说的造孔剂是广义的造孔剂，其既包括狭义的造孔剂，也包括为了提供碳化硅粉体粘结性能而添加的烧失剂、有机单体和交联剂、陶瓷粘结剂以及为了使陶瓷料浆分散等性能改善的各种助剂等。所述造孔剂除了能为碳化硅陶瓷提供多孔的结构之外，其还为碳化硅粉体提供了临时粘结剂的作用；通过所述造孔剂的临时粘结，将所述碳化硅粉体粘结在一起，再将其制备为第一碳化硅陶瓷生坯，以使其能够保持一定的形状进行后续的工序。

所述陶瓷料浆的配制可以采用多种体系，本发明不作具体限定。可以选用的陶瓷料浆体系及生坯成型方法举例说明如下：

陶瓷料浆可以包括：15～25wt％的去离子水、30～70wt％的高纯碳化硅微粉(纯度99.9％)、2～10wt％的炭黑、3～8wt％丙烯酰胺、0.3～0.8wt％的N’N-亚甲基双丙烯酰胺、0.1-0.5wt％的聚乙烯吡咯烷酮(简称PVP)及3～7wt％四甲基氢氧化铵溶液，在球磨罐里球磨使SiC及C粉充分分散，形成陶瓷料浆；然后向所述陶瓷料浆中添加如过硫酸铵、过氧化氢、亚硫酸氢钠或偶氮眯盐等引发剂，使陶瓷料浆固化形成网络结构，将碳化硅微粉包覆其中形成含SiC及炭黑的凝胶体；本发明具体实施例1采用该种陶瓷料浆体系。

或者，陶瓷料浆可以包括：20～30％无水乙醇、30～50wt％高纯碳化硅微粉、20％～40％wt％的酚醛树脂，添加3～6wt％的四甲基氢氧化铵进行分散，球磨18小时，混合均匀获得陶瓷料浆，将其置于烘箱中130℃固化，干燥12小时；本发明具体实施例2采用该种陶瓷料浆体系。

或者，陶瓷料浆可以包括：20～30％无水乙醇、30～50wt％高纯碳化硅微粉、5％～25％wt％的碳粉，5～20wt％酚醛树脂为原料，添加3～6wt％的四甲基氢氧化铵及0.1～0.5wt％的聚乙烯吡咯烷酮作为分散剂，球磨18小时，混合均匀获得陶瓷料浆，将其置于烘箱中80℃12小时烘干，筛分，获得含有酚醛树脂粘结剂的粉料，再将粉料进行干压成型；本发明具体实施例3采用该种陶瓷料浆体系。

其次是将所述第一碳化硅陶瓷生坯置于高温炉中进行高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯。所述高温烧结是将所述有机单体和有机助剂全部烧失；或者，所述高温烧结是将所述有机单体和有机助剂，以及碳粉和/或炭黑全部烧失。高温烧结的目的一方面是将陶瓷料浆中作为造孔剂的物料通过热解除胶，以使造孔剂烧失后其原占位能够形成大量孔隙，使碳化硅陶瓷形成多孔结构，便于CVD工艺时，有机前驱体能够进入孔隙内部，在孔隙里沉积形成SiC涂层，且所述SiC涂层将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中；另一方面则是使碳化硅粉体烧结，使其即使仅包含碳化硅一种成分时也能形成具有一定的强度的陶瓷生坯；通过控制高温烧结的温度、时间等工艺参数，可以使所述第二碳化硅陶瓷生坯的强度6～11MPa。

本发明限定所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度，目的在于烧结时陶瓷料浆中添加的造孔剂能够完全被烧失掉，使得所述第二碳化硅陶瓷生坯中含且仅含碳化硅一种成分，从而保证第二碳化硅陶瓷生坯的纯度，使所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅一种成分。

根据陶瓷料浆中所述造孔剂的不同，其对于高温烧结的温度也有不同的要求；优选所述高温烧结的温度为400～800℃。

最后是在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜。

所述碳化硅薄膜的沉积是通过化学气相沉积实现的。将高温烧结得到的第二碳化硅陶瓷生坯放置到化学气相沉积碳化硅设备中，在1100-1300℃下，以一甲基三氯硅烷为原料，其流量为0.7L/min；以氢气为催化剂；所述氢气与一甲基三氯硅烷的体积比为10:1；所述沉积的温度优选为1200℃。将多孔碳化硅陶瓷生坯中孔隙的孔壁表面和孔筋表面均沉积一层纯度≥99.9％的致密的高纯碳化硅薄膜，将碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，可以提高多孔碳化硅陶瓷的强度，获得纯度和强度同时满足应用要求的高纯度多孔碳化硅陶瓷。

为了保证高纯度多孔碳化硅陶瓷的强度及孔隙率，本发明优选所述高纯碳化硅薄膜的厚度为20～40微米。若沉积的碳化硅薄膜厚度过薄的话则其对于强度的提高难以达到多孔陶瓷作为吸盘使用的要求，而若沉积的碳化硅薄膜厚度过厚的话则一方面会对孔隙大小造成影响影响其孔隙率，另一方面也会造成成本的增加。

本发明还提出一种高纯度多孔碳化硅陶瓷，其包括：

碳化硅多孔体，其仅包括碳化硅一种组分；

碳化硅包覆层，包覆于所述碳化硅多孔体中孔隙的孔壁表面或孔筋表面；所述碳化硅包覆层的厚度为20～40微米；

所述高纯度多孔碳化硅陶瓷中碳化硅含量≥99.9％，强度≥50MPa。

所述高纯度多孔碳化硅陶瓷优选通过前述的方法所制备。

本发明还提出一种高纯度多孔碳化硅陶瓷在晶圆处理、液晶面板处理或柔性屏处理技术领域的应用。

本发明还提出一种陶瓷吸盘，其应用前述的高纯度多孔碳化硅陶瓷所制备，其材质为纯度≥99.9的高纯度多孔碳化硅陶瓷，其强度≥50MPa。

下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明，但不能理解为是对本发明保护范围的限制，该领域的技术人员根据上述本发明的内容对本发明作出的一些非本质的改进和调整，仍属于本发明的保护范围。

若无特殊说明，以下所涉及的材料、试剂等均为本领域技术人员熟知的市售商品；若无特殊说明，所述方法均为本领域公知的方法。除非另外定义，所使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内的普通技术人员所理解的通常意义。

实施例1：

本实施例制备一种高纯度多孔碳化硅陶瓷，具体步骤如下：

1)配制陶瓷料浆：以质量百分含量计，称取19.3wt％的去离子水、66wt％的高纯碳化硅微粉(纯度为99.9％)、2.11wt％的炭黑、5.3wt％丙烯酰胺、0.5wt％的N’N-亚甲基双丙烯酰胺、0.19wt％的聚乙烯吡咯烷酮(简称PVP)及6.6wt％四甲基氢氧化铵溶液(质量浓度为10wt％的水溶液)；将前述原料加入球磨罐中进行球磨24小时，使SiC粉及C粉充分分散，形成料浆。

2)制备第一碳化硅陶瓷生坯：向步骤1)制备的陶瓷料浆中添加过硫酸铵引发剂，引发剂的添加量为陶瓷料浆的0.1wt％；然后将料浆密封静置，使陶瓷料浆固化，形成网络结构，将碳化硅微粉包覆于其中，形成含SiC粉及C黑粉的凝胶体；然后将前述的凝胶体置于恒温恒湿箱里进行控温控湿干燥，直至所述凝胶体的试样重量不再变化时视为失水完成，此为第一碳化硅陶瓷生坯。

3)高温烧结制备第二碳化硅陶瓷生坯：将步骤2)制备的第一碳化硅陶瓷生坯置于马弗炉中加热，在氧化气氛中于750℃的条件下进行排胶、热解处理，使所述第一碳化硅陶瓷生坯中的C黑以及有机单体和各种有机助剂均被烧失掉，C黑以及有机单体和各种有机助剂的占位均作为孔隙留在碳化硅中，获得具有一定强度的碳化硅多孔体，也即第二碳化硅陶瓷生坯，其强度为6Mpa；附图1所示为本实施例制备的第二碳化硅陶瓷生坯的实物照片，由附图1可见其为包括大量孔隙的多孔体；附图2所示为本实施例制备的第二碳化硅陶瓷生坯的SEM照片，由附图2可见，其中的孔隙更加清晰可见，通过SEM图可以判断孔隙一般为3～5微米，能够适合后续化学气相沉积的工艺要求；附图3所示为本实施例制备的第二碳化硅陶瓷生坯的XRD图，由附图3可见，经XRD方法测试表征可知，所述第二碳化硅陶瓷生坯的组成为仅包括碳化硅一种组分。

4)碳化硅薄膜沉积制备高纯度多孔碳化硅陶瓷：将步骤3)制备的第二碳化硅陶瓷生坯，也即碳化硅多孔体置于化学气相沉积(CVD)装置中，以一甲基三氯硅烷为原料，其流量为0.7L/min；以氢气为催化剂；所述氢气与一甲基三氯硅烷的体积比为10:1；采用化学气相沉积工艺于1200℃条件下进行碳化硅沉积，使得所述碳化硅多孔体的孔筋和孔壁上均沉积一层高纯度SiC涂层。附图4所示为本实施例制备的高纯度多孔碳化硅陶瓷的SEM照片，由附图4可见，其中清晰可见在所述孔隙的孔壁上形成了一层致密的碳化硅层，通过SEM图可以测量不同位置的壁厚在20～40微米。

本实施例通过将高纯度SiC涂层包覆于仅包含碳化硅颗粒一种组分的碳化硅多孔体的孔壁和孔筋表面，得到具有较高强度的高纯度多孔碳化硅陶瓷，其强度为56Mpa，其纯度≥99.9％。

实施例2：

本实施例制备一种高纯度多孔碳化硅陶瓷，具体步骤如下：

1)配制陶瓷料浆：以质量百分含量计，称取25wt％无水乙醇、50wt％的高纯碳化硅微粉(纯度为99.9％)、20wt％的酚醛树脂、5wt％四甲基氢氧化铵；将前述原料加入球磨罐中进行球磨18小时，使SiC粉充分分散，形成料浆。

2)制备第一碳化硅陶瓷生坯：将步骤1)制备的陶瓷料浆置于恒温恒湿箱里于130℃条件下进行固化，干燥12小时，得到第一碳化硅陶瓷生坯。

3)高温烧结制备第二碳化硅陶瓷生坯：将步骤2)制备的第一碳化硅陶瓷生坯置于马弗炉中加热，在空气气氛中于900℃的条件下进行排胶、热解处理，使所述第一碳化硅陶瓷生坯中的有机单体和各种有机助剂均被烧失掉，有机单体和各种有机助剂的占位均作为孔隙留在碳化硅中，获得具有一定强度的碳化硅多孔体，也即第二碳化硅陶瓷生坯，其强度为8Mpa；经XRD方法测试表征可知，所述第二碳化硅陶瓷生坯的组成为仅包括碳化硅一种组分。

4)碳化硅薄膜沉积制备高纯度多孔碳化硅陶瓷：将步骤3)制备的第二碳化硅陶瓷生坯，也即碳化硅多孔体置于化学气相沉积(CVD)装置中，以一甲基三氯硅烷为原料，其流量为0.7L/min；以氢气为催化剂；所述氢气与一甲基三氯硅烷的体积比为10:1；采用化学气相沉积工艺于1200℃条件下进行碳化硅沉积，使得所述碳化硅多孔体的孔筋和孔壁上均沉积一层高纯度SiC涂层。

本实施例通过将高纯度SiC涂层包覆于仅包含碳化硅颗粒一种组分的碳化硅多孔体的孔壁和孔筋表面，得到具有较高强度的高纯度多孔碳化硅陶瓷，其强度为52Mpa，其纯度≥99.9％。

实施例3：

本实施例制备一种高纯度多孔碳化硅陶瓷，具体步骤如下：

1)配制陶瓷料浆：以质量百分含量计，称取25wt％无水乙醇、45wt％的高纯碳化硅微粉(纯度为99.9％)、5wt％的碳粉、20wt％的酚醛树脂、4.8wt％四甲基氢氧化铵及0.2wt％的聚乙烯吡咯烷酮作为分散剂；将前述原料加入球磨罐中进行球磨18小时，使SiC粉和碳粉充分分散，形成料浆。

2)制备第一碳化硅陶瓷生坯：将步骤1)制备的陶瓷料浆置于恒温恒湿箱里于80℃条件下12小时烘干，筛分，获得含有酚醛树脂粘结剂的粉料，再将粉料进行干压成型，得到第一碳化硅陶瓷生坯。

3)高温烧结制备第二碳化硅陶瓷生坯：将步骤2)制备的第一碳化硅陶瓷生坯置于马弗炉中加热，在空气气氛中于900℃的条件下进行排胶、热解处理，使所述第一碳化硅陶瓷生坯中的碳粉以及有机单体和各种有机助剂均被烧失掉，碳粉以及有机单体和各种有机助剂的占位均作为孔隙留在碳化硅中，获得具有一定强度的碳化硅多孔体，也即第二碳化硅陶瓷生坯，其强度为11Mpa；经XRD方法测试表征可知，所述第二碳化硅陶瓷生坯的组成为仅包括碳化硅一种组分。

4)碳化硅薄膜沉积制备高纯度多孔碳化硅陶瓷：将步骤3)制备的第二碳化硅陶瓷生坯，也即碳化硅多孔体置于化学气相沉积(CVD)装置中，以一甲基三氯硅烷为原料，其流量为0.7L/min；以氢气为催化剂；所述氢气与一甲基三氯硅烷的体积比为10:1；采用化学气相沉积工艺于1200℃条件下进行碳化硅沉积，使得所述碳化硅多孔体的孔筋和孔壁上均沉积一层高纯度SiC涂层。

本实施例通过将高纯度SiC涂层包覆于仅包含碳化硅颗粒一种组分的碳化硅多孔体的孔壁和孔筋表面，得到具有较高强度的高纯度多孔碳化硅陶瓷，其强度为50Mpa，其纯度≥99.9％。

本发明权利要求和/或说明书中的技术特征可以进行组合，其组合方式不限于权利要求中通过引用关系得到的组合。通过权利要求和/或说明书中的技术特征进行组合得到的技术方案，也是本发明的保护范围。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种高纯度多孔碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

1）制备第一碳化硅陶瓷生坯；所述第一碳化硅陶瓷生坯由纯度≥99.9%的碳化硅陶瓷颗粒和造孔剂组成；

2）高温烧结，得到第二碳化硅陶瓷生坯；所述烧结的温度大于所述造孔剂的烧失温度；所述第二碳化硅陶瓷生坯中只含有碳化硅陶瓷颗粒一种成分；

3）在所述第二碳化硅陶瓷生坯的孔壁和孔筋表面沉积碳化硅薄膜，将所述碳化硅陶瓷颗粒包覆其中，得到高纯度多孔碳化硅陶瓷；

所述第二碳化硅陶瓷生坯的强度6~11Mpa；

所述沉积为化学气相沉积；

所述碳化硅薄膜的纯度≥99.9%；

所述碳化硅薄膜的厚度为20~40微米。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述造孔剂包括有机单体和有机助剂；或者，所述造孔剂除了包括有机单体和有机助剂之外，其还包括碳粉和/或炭黑。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述高温烧结是将所述有机单体和有机助剂全部烧失；或者，所述高温烧结是将所述有机单体和有机助剂，以及碳粉和/或炭黑全部烧失；所述高温烧结的温度为400~800℃。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的原料气为一甲基三氯硅烷，其流量为0.7L/min；以氢气为催化剂；所述氢气与一甲基三氯硅烷的体积比为10:1；所述沉积的温度为1100~1300℃。

5.一种高纯度多孔碳化硅陶瓷，其特征在于，其包括：

碳化硅多孔体，其仅包括碳化硅一种组分；

碳化硅包覆层，包覆于所述碳化硅多孔体中孔隙的孔壁表面或孔筋表面；所述碳化硅包覆层的厚度为20~40微米；

所述高纯度多孔碳化硅陶瓷中碳化硅含量≥99.9%，强度≥50MPa；

所述高纯度多孔碳化硅陶瓷是根据权利要求1至4任一项所述的制备方法制备的。

6.根据权利要求5所述的一种高纯度多孔碳化硅陶瓷在晶圆处理、液晶面板处理或柔性屏处理技术领域的应用。

7.一种陶瓷吸盘，其特征在于，其材质为纯度≥99.9的根据权利要求5所述的高纯度多孔碳化硅陶瓷，其强度≥50MPa。