CN116113887A

CN116113887A - 半导体制造厂中的污染的标识方法和装置

Info

Publication number: CN116113887A
Application number: CN202180055250.3A
Authority: CN
Inventors: T·P·科利根; P·斯马尔; C·E·塔贝里; T·多斯·桑托斯·古泽拉; V·巴斯塔尼
Original assignee: ASML Holding NV
Current assignee: ASML Holding NV
Priority date: 2020-08-11
Filing date: 2021-07-14
Publication date: 2023-05-12
Also published as: TW202422243A; TW202223546A; DE112021004238T5; TWI841860B; KR20230038264A; EP4196851A1; WO2022033793A1; US20230341784A1

Abstract

公开了标识半导体制造厂中的污染的方法和相关装置。该方法包括：确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在半导体制造厂中被处理之后的污染图数据。至少部分基于多个半导体晶片的污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据。经组合的污染图数据与参考数据组合。参考数据包括针对经组合的污染图数据的、指示半导体制造厂中的一个或多个工具中的污染的一个或多个值。

Description

半导体制造厂中的污染的标识方法和装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年8月11日提交的美国申请63/064,014、于2020年8月27日提交的欧洲申请20193101.1和于2021年3月16日提交的欧洲申请21162726.0的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体制造厂中的污染的标识方法和装置。在示例性布置中，本发明可以基于由诸如液位传感器之类的传感器获得的测量值来检测半导体制造厂的一个或多个工具中的污染的影响。在一些特定示例性配置中，污染的影响可能和与制造厂有关的信息结合以影响工具维护。

背景技术

光刻装置是将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻装置可以例如将图案形成设备(例如，掩模)处的图案(通常也被称为“设计布局”或“设计”)投射到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投射在衬底上，光刻装置可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以在衬底上形成图案的特征的最小尺寸。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在范围4nm至20nm内(例如，6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小特征。

低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻装置的经典分辨率极限的特征。在这种过程中，分辨率公式可以表示为CD＝k₁×λ/NA，其中λ是采用的辐射的波长，NA是光刻装置中投射光学元件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常为所印刷的最小特征尺寸，但在这种情况下为半节距)，并且k1是经验分辨率因数。一般而言，k1越小，为了实现特定电气功能和性能，在衬底上再现与电路设计者所计划的形状和尺寸类似的图案就越困难。为了克服这些难题，复杂的微调步骤可以应用于光刻投射装置和/或设计布局。这些包括例如但不限于优化NA、定制照射方案、使用相移图案化设备、诸如设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时也被称为“光学和过程校正”)之类的设计布局的各种优化、或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。可替代地，用于控制光刻装置的稳定性的紧密控制环路可以用于改善图案在低k1下的再现。

在光刻过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如，用于过程控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜以及用于测量套刻、设备中两个层的对齐精度的专用工具。最近，已经开发出了各种形式的散射计用于光刻领域。

为了获得良好的性能，在图案化步骤期间，衬底应当是稳定和平坦的。通常，衬底通过夹紧力保持在衬底支撑件上。按照惯例，夹紧通过吸力实现。在使用极紫外(EUV)辐射的一些光刻工具中，在真空环境中进行图案化操作。在这种情况下，夹紧力通过静电吸引实现。

随着衬底移动通过光刻装置，它们将具有使用衬底对齐和调平量测法测量的位置。这出现在衬底被夹紧到衬底支撑件上之后和曝光之前。意图是表征任何独特的衬底间偏差。偏差可能来自如下的几个源：衬底放置到衬底支撑件上的误差、半导体制造厂中的先前制程对衬底表面进行塑形的方式、或衬底的背侧上是否存在污染。因为衬底被夹紧到衬底支撑件上，所以衬底的背侧与衬底支撑件的表面之间的任何污染或任何非均匀的支撑件特点可能会影响衬底表面形貌。在操作的同时，控制光刻装置的衬底间调整的物理模型使用对齐和调平量测法来一致地正确定位每个衬底，以便实现衬底的精确图案化。

诸如在夹紧期间对衬底支撑件的损坏之类的缺陷可能会导致衬底变形。具体地，应当理解，由于衬底支撑件的表面与衬底的背侧之间的摩擦和/或(在一个或多个处理步骤期间用于处理衬底的)化学品的影响，所以衬底支撑件会随着时间而退化。该支撑件的表面通常可以包括多个突起或突节，以大大减轻在衬底与支撑件之间介入污染物颗粒的影响。这些突节中的一个或多个突节或衬底支撑件(特定地，在边缘处)的其他方面可能会受到这种退化的影响，从而导致其形状随时间而改变，这会影响夹紧在其上的衬底的形状。现有控制系统可能无法校正衬底支撑件的这种退化的影响。

半导体制造厂可以包含数千种用于CMP、扩散、蚀刻、植入、光刻(扫描仪、轨道)、薄膜(CVD)以及清洁的不同工具。穿过制造厂的每个个别晶片可以经历数百个过程步骤，并且每个步骤以某种形式或另一形式影响最终的设备产率。与污染有关的问题是在穿过制造厂的晶片上的管芯的产率损失的一个大因素。然而，即使最终探针测试揭示出污染是产率损失的原因，标识制造厂中包含的所有不同工具中的确切污染源通常也会非常困难。

发明内容

发明人已经领会到，可能期望标识由于衬底支撑件中的污染或缺陷而引入到光刻过程的污染或其他误差。进一步地，本发明人已经领会到，可能期望确定半导体制造厂内已经引入了这种污染和/或缺陷的位置。本文中所公开的示例性布置可以旨在解决或减轻这些问题和/或与本领域相关联的其他问题。

根据本发明，在一个方面中，提供了一种半导体制造厂中的污染的标识方法，该方法包括：确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在半导体制造厂中被处理之后的污染图数据；至少部分基于多个半导体晶片的污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据；以及比较经组合的污染图数据与参考数据，其中参考数据包括针对经组合的污染图数据的、指示半导体制造厂中的一个或多个工具中的污染的一个或多个值。

可选地，污染图数据基于由调平传感器获得的数据而被确定。

可选地，污染图数据包括聚焦斑点数据。

可选地，污染图数据基于对晶片高度数据应用斑点检测算法而被确定。

可选地，晶片高度数据包括连续表面拟合的晶片高度数据。

可选地，确定经组合的污染图数据包括：确定多个半导体晶片的污染图数据的并集。

可选地，参考数据包括指示在半导体制造厂中进行处理的一个或多个后续半导体晶片中的一个或多个管芯的故障的数据。

可选地，参考数据包括聚焦误差阈值，并且其中高于聚焦误差阈值的经组合的污染图数据指示一个或多个后续半导体晶片中的一个或多个管芯的故障。

可选地，参考数据包括至少部分基于经组合的污染图数据的管芯故障概率。

可选地，该方法还包括：基于经组合的污染图数据和聚焦误差阈值来确定标识具有故障风险的后续半导体晶片的一个或多个管芯的管芯损耗图。

可选地，参考数据包括与半导体制造厂中的一个或多个工具有关的几何形状数据。

可选地，几何形状数据包括一个或多个工具的一个或多个晶片支撑特征的位置。

可选地，一个或多个晶片支撑特征的位置包括多个半导体晶片的表面的区域上的多边形。

可选地，该方法还包括：基于经组合的污染图数据与几何形状数据的比较，来确定半导体制造厂中作为潜在污染原因的一个或多个工具类型。

可选地，该方法还包括：基于经组合的污染图数据与几何形状数据的比较，来确定半导体制造厂中作为潜在污染原因的一个或多个工具。

可选地，该方法还包括：基于经组合的污染图数据与几何形状数据的比较，来确定半导体制造厂中的一个或多个工具的作为潜在污染原因的一个或多个部分。

可选地，多个晶片包括至少部分具有公共制造厂背景的晶片。

可选地，制造厂背景包括以下各项中的一项或多项：在半导体晶片上制造的产品、在半导体晶片上制造的器件结构层、已在半导体晶片上制造了器件结构的扫描仪、半导体晶片在半导体制造厂中至少部分被处理所在的时间段和/或半导体晶片通过半导体制造厂所采取的路径。

可选地，参考数据包括与先前处理阶段和/或与不同晶片制造厂相关联的数据。

根据本发明的一个方面，提供了一种计算机程序，包括指令，该指令当在至少一个处理器上执行时，使得至少一个处理器控制装置执行根据上文和/或本文中所公开的任何方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种载体，包含计算机程序，其中载体是以下各项中的一项：电子信号、光学信号、无线电信号或非暂态计算机可读存储介质。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体制造厂中的污染的标识装置，该装置包括计算机处理器，该计算机处理器被配置为执行计算机程序代码以执行以下方法：确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在半导体制造厂中被处理之后的污染图数据；至少部分基于多个半导体晶片的污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据；以及比较经组合的污染图数据与参考数据，其中参考数据包括针对经组合的污染图数据的、指示半导体制造厂中的一个或多个工具中的污染的一个或多个值。

该装置可以包括与一个或多个方法步骤相对应的其他特征，如本文中所陈述的。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻装置，包括上文和/或本文中所公开的装置。

根据本发明的一个方面，提供了一种光刻单元，包括上文和/或本文中所公开的光刻装置。

附图说明

现在，仅通过示例，参考所附示意图，对本发明的实施例进行描述，其中

图1描绘了光刻装置的示意性概图；

图2描绘了光刻单元的示意性概图；

图3描绘了代表优化半导体制造的三种关键技术之间的配合的整体光刻的示意性表示；

图4示出了可以形成半导体制造厂的一部分的光刻装置或工具的示例性晶片台；

图5a和图5b示意性地示出了当半导体晶片穿过光刻装置时污染对该半导体晶片的影响；

图6示出了标识半导体制造厂中的污染的示例性方法；以及

图7是示出了标识半导体晶片制造厂中的污染的另一示例性方法的框图。

具体实施方式

一般而言，本文中公开了标识半导体制造厂中的污染及/或衬底支撑件缺陷的方法和装置。示例性布置确定污染图或缺陷图，该污染图或缺陷图在一些示例中包括聚焦斑点图。污染图可以标识晶片的表面的表现出聚焦误差的区域，即，与晶片的其他区域相比较，具有局部高度差的区域，该局部高度差可以是污染或缺陷的指示。可以组合多个晶片的污染图，以便标识跨过多个晶片上的可能污染的公共区域。可以比较这些公共区域与参考数据，以确定制造厂中是否存在污染和/或一个或多个晶片支撑件是否包括缺陷。

在描述本文中所公开的方法和装置的实施例之前，接着是可以实现对这些实施例中的一个或多个实施例的示例环境的一般描述。

在本文件中，术语“辐射”和“射束”用于涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如，其中波长为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)和EUV辐射(极紫外辐射，例如，波长范围介于约5nm与100nm之间)、X射线辐射、电子射束辐射和其他粒子辐射。

如背景中所采用的术语“掩模版”，“掩模”或“图案形成装置”可以广义地被解释为是指可以用于使入射辐射射束具有经图案化的横截面的通用图案形成装置，该入射辐射射束与要在衬底的目标部分中产生的图案相对应。在该背景中，还可以使用术语“光阀”。除了经典掩模(透射式掩模或反射式掩模；二进制掩模、相移掩模、混合掩模等)以外，其他这种图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。

图1示意性地描绘了光刻装置LA。该光刻装置LA包括：照射系统(还被称为照射器)IL，被配置为调节辐射射束B(例如，UV辐射、DUV辐射、EUV辐射或X射线辐射)；掩模支撑件(例如，掩模台)MT，被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA并且连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为根据某些参数精确定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，被构造为保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为根据某些参数精确定位衬底；以及投射系统(例如，折射投射透镜系统)PS，被配置为通过图案形成装置MA将赋予辐射射束B的图案投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。

操作时，照射系统IL例如经由射束传送系统BD从辐射源SO接收辐射射束。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型部件、反射型部件、衍射型部件、磁性型部件、电磁型部件、静电型部件、或其他类型的光学部件、或其任何组合，以用于引导、整形或控制辐射。照射器IL可以用于调节辐射射束B，以使其在图案形成装置MA的平面处的横截面中具有期望空间和角度强度分布。

本文中所使用的术语“投射系统”应当以广义方式被解释为涵盖任何类型的投射系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统、衍射型光学系统、反折射型光学系统、变形型光学系统、磁型光学系统、电磁型光学系统和静电型光学系统，或它们的任何组合，其视正在所使用的曝光辐射或适合于诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素而定。本文中的术语“投射透镜”的任何使用可以被认为是与更通用的术语“投射系统”PS同义。

光刻装置LA可以是这样的类型，其中衬底的至少一部分可以被折射率相对较高的液体(例如，水)覆盖，以便填充投射系统PS与衬底W之间的空间，这也被称为浸没光刻。关于浸没技术的更多信息在US6952253中给出，其通过引用整体并入本文。

光刻装置LA还可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT(还被称为“双载物台”)的类型。在这种“多载物台”机器中，可以并行使用衬底支撑件WT，和/或可以在位于衬底支撑件WT中的一个衬底支撑件上的衬底W上执行准备后续曝光衬底W的步骤，同时另一衬底支撑件WT上的另一衬底W用于曝光另一衬底W上的图案。

除了衬底支撑件WT之外，光刻装置LA还可以包括测量载物台。测量载物台被布置为保持传感器和/或清洁设备。传感器可以被布置为测量投射系统PS的特性或辐射射束B的特性。测量载物台可以容纳多个传感器。清洁设备可以被布置为清洁光刻装置的一部分，例如，投射系统PS的一部分或提供浸没液体的系统的一部分。当衬底支撑件WT远离投射系统PS时，测量载物台可以在投射系统PS下面移动。

操作时，辐射射束B入射在保持在掩模支撑件MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过存在于图案形成装置MA上的图案(设计布局)而被图案化。在已经横穿图案形成装置MA之后，辐射射束B穿过投射系统PS，该投射系统PS将射束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置测量系统IF，可以精确移动衬底支撑件WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射射束B的路径中的经聚焦和对齐的位置处。同样，第一定位器PM以及可能的另一位置传感器(图1中未明确描绘)可以用于相对于辐射射束B的路径精确定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对齐标记M1、M2和衬底对齐标记P1、P2来对齐图案形成装置MA和衬底W。尽管如所图示的衬底对齐标记P1、P2占据专用的目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中。当衬底对齐标记P1、P2位于目标部分C之间时，它们被称为划线(scribe-lane)对齐标记。

如图2所示，光刻装置LA可以形成光刻系统LC的一部分，该光刻系统LC有时被称为光刻单元或(光刻)簇。该光刻单元LC还可以包括对衬底执行曝光前过程和曝光后过程的装置。按照惯例，这些装置包括沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、使曝光的抗蚀剂显影的显影剂DE、激冷板CH和/或烘烤板BK，例如，用于调节衬底W的温度(例如，用于调节抗蚀剂层中的溶剂)。衬底处理器或机械手RO从输入/输出端口I/O1，I/O2拾取一个或多个衬底，在不同的过程装置之间移动它们，然后将衬底W传送到光刻装置LA的进料台LB。光刻单元中的这些设备经常被统称为轨道，通常处于轨道控制单元TCU的控制下，该轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS进行控制，该管理控制系统还例如经由光刻控制单元LACU控制光刻装置LA。

在光刻过程中，期望频繁测量所产生的结构，例如，用于进行过程控制和验证。进行这种测量的工具通常称为量测工具MT。已知用于进行这种测量的不同类型的量测工具MT，其包括扫描电子显微镜或各种形式的散射仪量测工具MT。散射仪是多功能仪器，其允许通过在散射仪的物镜的光瞳或与该光瞳共轭的平面上放置传感器(这些测量通常称为基于光瞳的测量)或通过在图像平面中或与该图像平面共轭的平面中放置传感器(在这种情况下，这些测量通常称为基于图像或场的测量)来测量光刻过程的参数。在全部内容通过引用并入本文的美国专利申请US20100328655、US2011102753A1、US20120044470A、US20110249244、US20110026032或EP1,628,164A中，对这种散射仪和相关联的测量技术进行了进一步的描述。前述散射仪可以使用来自软X射线、极紫外线并且近IR波长范围内可见的光线来测量光栅。

为了正确且一致地曝光由光刻装置LA曝光的衬底W，期望检查曝光的衬底以测量经图案化的结构的特性，诸如后续层之间的套刻误差、线厚度、临界尺寸(CD)等。为此，检查工具和/或量测工具(未示出)可以包括在光刻单元LC中。如果检测到误差，则例如可以对后续衬底的曝光或要对衬底W执行的其他处理步骤进行调整，在要对同一批次或批的其他衬底W进行曝光或处理之前进行检查的情况下尤其如此。

检查装置(还可以被称为量测装置)用于确定衬底W的特性，具体地，确定不同衬底W的特性如何变化或与同一衬底W的不同层相关联的特性如何逐层变化。可替代地，检查装置可以被构造为标识衬底W上的缺陷，并且可以例如是光刻单元LC的一部分，或可以集成到光刻装置LA中，或甚至可以是独立设备。检查装置可以测量潜像(曝光之后的抗蚀剂层中的图像)、半潜像(曝光后烘烤步骤PEB之后的抗蚀剂层中的图像)、或经显影的抗蚀剂图像(其中已经移除了抗蚀剂的经曝光的部分或未经曝光的部分)上的特性、或甚至经蚀刻的图像(图案传递步骤(诸如蚀刻)之后)上的特性。

在第一实施例中，散射仪MT是角分辨散射仪。在这种散射仪中，重构方法可以应用于所测量的信号以重构或计算光栅的特性。例如，这种重构可以由模拟经散射的辐射与目标结构的数学模型的交互并且比较模拟结果与测量结果产生。对数学模型的参数进行调整，直到模拟交互产生与从实际目标观察到的衍射图案类似的衍射图案为止。

在第二实施例中，散射仪MT是光谱散射仪MT。在这种光谱散射仪MT中，由辐射源发射的辐射被引导到目标上，并且从目标反射或散射的辐射被引导到光谱仪检测器，该光谱仪检测器测量镜面反射的辐射的光谱(即，测量作为波长的函数的强度)。根据该数据，可以例如通过严格耦合波分析和非线性回归或通过与模拟光谱库进行比较来重构产生检测的光谱的目标的结构或轮廓。

在第三实施例中，散射仪MT是椭圆偏振测量散射仪。该椭圆偏振测量散射仪允许通过测量每个偏振态的散射的辐射来确定光刻过程的参数。这种量测装置通过在量测装置的照射部分中使用例如适当的偏振滤光片来发射偏振光(诸如线性偏振光、圆形偏振光或椭圆形偏振光)。适用于量测装置的光源也可以提供偏振辐射。在全部内容通过引用并入本文的美国专利申请11/451,599、11/708,678、12/256,780、12/486,449、12/920,968、12/922,587、13/000,229、13/033,135、13/533,110和13/891,410中对现有椭圆偏振测量散射仪的各种实施例进行了描述。

在散射仪MT的一个实施例中，散射仪MT适于通过测量反射光谱和/或检测配置的非对称性来测量两个未经对齐的光栅或周期性结构的套刻，该非对称性与套刻范围有关。两个(可能为交叠的)光栅结构可以应用于两个不同的层(不一定是连续层)中，并且可以基本上形成在晶片上的同一位置处。散射仪可以具有如例如在共同拥有的专利申请EP1,628,164A中所描述的对称检测配置，使得能够明显区分出任何非对称性。这提供了一种测量光栅中未对齐的简单直接方式。可以在全部内容通过引用并入本文的PCT专利申请公开号WO2011/012624或美国专利申请US 20160161863找到通过周期性结构的非对称性来测量目标时的包含周期性结构的两个层之间的套刻误差的其他示例。

其他感兴趣参数可以是焦距和剂量。可以通过如美国专利申请US2011-0249244中所描述的散射测量法(或通过扫描电子显微镜)同时确定焦距和剂量，该美国专利申请的全部内容通过引用并入本文。可以使用单个结构，该单个结构对于焦距能量矩阵(FEM-还被称为焦距曝光矩阵)中的每个点具有临界尺寸和侧壁角测量的独特组合。如果可以获得临界尺寸和侧壁角的这些独特组合，则可以通过这些测量唯一确定焦距值和剂量值。

量测目标可以是由光刻过程(主要在抗蚀剂中，但也可以在例如蚀刻过程之后)形成的复合光栅的总体(ensemble)。光栅中的结构的节距和线宽可能强烈地取决于测量光学器件(具体地，光学器件的NA)，以便能够捕获来自量测目标的衍射阶。如之前所指示的，衍射信号可以用于确定两个层之间的偏移(也被称为‘套刻’)，或可以用于重构如由光刻过程产生的原始光栅的至少一部分。该重构可以用于提供光刻过程的质量的指导，并且可以用于控制光刻过程的至少一部分。目标可以具有更小的子分段，这些子分段被配置为模仿目标中的设计布局的功能部分的尺寸。由于该子分段，所以目标将表现得更类似于设计布局的功能部分，使得整个过程参数测量更好地类似于设计布局的功能部分。可以在欠填充模式或过填充模式下测量目标。在欠填充模式下，测量射束生成小于整个目标的斑点。在过填充模式下，测量射束生成大于整个目标的斑点。在这种过填充模式下，还可以同时测量不同的目标，从而同时确定不同的处理参数。

使用特定目标的光刻参数的总测量质量至少部分由用于测量该光刻参数的测量条件手段确定。术语“衬底测量条件手段”可以包括测量本身的一个或多个参数、所测量的一个或多个图案的一个或多个参数、或两者。例如，如果在衬底测量条件手段中使用的测量是基于衍射的光学测量，则测量的参数中的一个或多个参数可以包括辐射的波长、辐射的偏振、辐射相对于衬底的入射角、辐射相对于衬底上的图案的方位等。选择测量条件手段的准则中的一个准则例如可以是测量参数中的一个测量参数对处理变化的灵敏度。在美国专利申请US 2016-0161863和所公布的美国专利申请US 2016/0370717A1中对更多个示例进行描述，其全部内容通过引用并入本文。

光刻装置LA中的图案化过程可以是处理中最关键的步骤中的一个步骤，其要求衬底W上的结构的尺寸和布置的高精度。为了确保该高精度，可以将三个系统组合在如图3所示意性示出的所谓的“整体”控制环境中。这些系统中的一个系统是(虚拟)连接到量测工具MET(第二系统)和计算机系统CL(第三系统)的光刻装置LA。这种“整体”环境的关键在于优化这三个系统之间的配合，以增强整个过程窗口并且提供紧密的控制回路，以确保由光刻装置LA执行的图案化保持在过程窗口内。过程窗口限定了过程参数(例如，剂量、焦距、套刻)的范围，在该范围内，特定制造过程产生所限定的结果(例如，功能半导体器件)；或许在该范围内，光刻过程或图案化过程中的过程参数被允许变化。

计算机系统CL可以使用要进行图案化的设计布局(的一部分)来预测使用哪些分辨率增强技术，并且执行计算光刻模拟和计算以确定哪些掩模布局和光刻装置设置实现图案化过程的最大的总体过程窗口(在图3中，由第一标尺SC1中的双箭头描绘)。通常，分辨率增强技术被布置为匹配光刻装置LA的图案化可能性。计算机系统CL还可以用于检测光刻装置LA当前正在操作(例如，使用来自量测工具MT的输入)的过程窗口内的哪个位置，以预测缺陷是否可能由于例如次优处理而存在(在图3中，由第二标尺SC2中指向“0”的箭头描绘)。

量测工具MET可以向计算机系统CL提供输入以使得能够进行精确模拟和预测，并且可以向光刻装置LA提供反馈,以标识例如校准状态下的光刻装置LA的可能漂移(在图3中，由第三标尺SC3中的多个箭头描绘)。

现在，对本文中所公开的方法和装置的示例性布置进行详细描述。

图4示出了光刻装置(或工具)402的示例性晶片台(或晶片支撑件)400，该示例性晶片台可以形成半导体制造厂的一部分。晶片工作台400包括多个晶片支撑特征404。晶片支撑特征404包括多个销钉(或突节)。如下文所解释的，当晶片在光刻装置402内经历一个或多个处理步骤时，多个销钉404支撑晶片。多个晶片支撑特征404可以以特定的几何形状定位在晶片台400上。晶片支撑特征404的一个或多个相对几何形状可以形成光刻装置402的几何形状数据的至少一部分。晶片支撑特征的相对几何形状可以特定于具体光刻装置和/或具体类型的光刻装置。

如上文所提及的，随着时间的推移，污染可能沉积在光刻装置402内；并且当晶片被夹紧或保持在晶片台400上时，污染可能与晶片的背侧接触。

图5a和图5b示意性地示出了当半导体晶片穿过光刻装置时污染对该半导体晶片的影响。

在图5a中，晶片台400包括多个晶片支撑特征404。在晶片支撑特征404中的一者的上表面上示出污染500。通常情况下，污染500可以存在于晶片502下面，作为支撑特征404上的污染500的备选或补充。半导体晶片502下降到晶片台400上，更具体地，下降到晶片支撑特征404上。

图5b示出了夹紧到晶片台400因此夹紧到晶片支撑特征404上的晶片502。可以看出，污染500在晶片502的表面上引起局部高度变化504。局部高度变化504可能会引起聚焦误差并且导致光刻过程中的误差，该误差可能会影响晶片的产率。为了对抗这种污染的影响，光刻装置可以被调度为用于定期维护或清洁。然而，这样的成本是显著的，并且必要时，期望进行这种维护或清洁。进一步地，了解光刻装置内的污染和/或晶片台缺陷的程度可以允许在使制造厂的停机时间最少的方便时间安排维护或清洁。

本文中所公开的方法和装置可以使用污染图来标识晶片的表面的经受局部高度变化的分区，诸如图5b所示的分区。因此，污染图可以包括晶片的表面的图像上的一个或多个多边形，该多边形标识污染可能会产生局部高度变化的区域。可以以多种不同的方式确定污染图，并且在一个示例性布置中，可以基于与晶片的表面的高度有关的高度数据(诸如从水平传感器获得的数据)来确定污染图。

图6示出了标识半导体制造厂中的污染的示例性方法。图6所示的方法包括确定污染图的示例性方法，在这种情况下，为确定斑点图的示例性方法。

晶片被夹紧600到光刻装置的晶片台上。确定602晶片图，该晶片图可以使用例如从用于特定晶片的调平传感器获得的晶片高度数据来确定。晶片高度数据可以包括特定晶片的连续表面拟合的晶片高度数据。在晶片图上运行点检测算法604。斑点检测算法对于本领域技术人员而言是已知的，本文中不再进行详细讨论。输出是污染图，在这种情况下，该污染图包括在晶片的表面上检测到的斑点的列表(或其他表示)606，所检测到的斑点表示包括局部高度变化的晶片表面的分区。所检测到的斑点的列表可以包括与一个或多个斑点有关的数据，该数据包括斑点在晶片表面上的x-y位置、斑点的高度和斑点的直径中的一个或多个。在图6的示例性方法中，多次确定所检测到的斑点的列表，以确定多个晶片的污染图数据。

多个晶片的多个污染图被组合608。该组合产生经组合的污染图数据(可以是经组合的聚焦斑点数据)，该经组合的污染图数据标识多个晶片的表面的公共分区，这些公共分区表现出可能污染的影响。也就是说，在图6所示的示例中，经组合的污染图数据标识多个晶片的表面上包含聚焦斑点误差的公共区域。在一个示例性布置中，经组合的污染图数据包括多个晶片的污染图数据的并集。

将经组合的污染图数据与参考数据进行比较610，以确定半导体制造厂中是否存在污染。在一个示例中，参考数据可以包括经组合的污染图数据中的聚焦斑点的高度阈值数据。表现出大于阈值的聚焦斑点误差的污染图数据可以被确定为污染的结果。

可替代地或附加地，参考数据可以包括至少部分基于经组合的污染图数据的管芯故障概率。也就是说，参考数据可以包括晶片的表面的如下分区中的管芯故障的概率：在该分区中，经组合的污染图数据的聚焦斑点表现出一定高度。因此，基于组合的污染图数据和参考数据，可以确定管芯损耗图。管芯损耗图可以标识在具有高故障概率的后续晶片上制造的一个或多个管芯。

在其他示例性布置中，参考数据可以与多个半导体晶片的背景(制造厂背景)有关。如本文中所使用的，术语“制造厂背景”包括与以下各项中的一项或多项有关的数据：在半导体晶片上制造的一个或多个产品、在半导体晶片上制造的器件结构的层、已在半导体晶片上制造了器件结构的扫描仪、半导体晶片在半导体制造厂中至少部分地被处理所在的时间段、和/或半导体晶片通过半导体制造厂所采取的路径。在特定布置中，晶片路径可以包括多个过程，每个过程可以由P_ij表示，其中i是过程的类型，j是进行该过程的制造厂的腔室或所使用的工具。

在示例性布置中，参考数据可以包括与制造厂中的工具或工具类型的几何形状有关的数据。工具或工具类型的几何形状可能与工具的任何特征有关，当晶片被污染时，该特征在晶片的污染图数据中产生误差。例如，工具或工具类型的几何形状可以包括工具或工具类型的一个或多个晶片支撑特征的位置、或工具或工具类型的一部分的位置。这些位置可以包括晶片的表面上的分区或区域，其中如果出现聚焦斑点误差，则它们可以归因于与晶片支撑特征(例如，那些晶片支撑特征上的污染)有关的影响。

经组合的污染图数据可以标识多个晶片的表面的如下的公共区域，这些公共区域表现出聚焦斑点误差。如果公共区域与工具的几何形状数据或工具类型相对应，例如，如果公共区域的位置或相对位置与一个或多个晶片支撑特征的位置或相对位置相对应，则工具或工具类型可以被标识为污染的原因。在一些布置中，几何形状数据可以与工具或工具类型的特定部分相对应，并且该特定部分可以被标识为污染的原因。污染的原因的标识可以包括以下各项中的一项或多项：工具或工具类型、工具部件、以及污染的严重程度。如上文所提及的，污染的严重程度可以包括管芯损耗数据。

在一些示例性方法和装置中，可以选择对其确定污染图数据的多个半导体晶片以至少部分具有公共制造厂背景。这增加了经组合的污染图数据将产生表现出使得多个晶片的表面的公共区域体现出聚焦斑点误差的可能性，从而增加了确定工具、工具类型或工具或工具类型的一部分的准确性，该工具、工具类型或工具或工具类型的一部分可以被标识为在晶片上制造的管芯中引起基于污染的误差。

因此，示例性方法和装置可以标识由于在晶片上制造的管芯的污染而导致的管芯损耗数据，并且可以标识半导体制造厂内的工具、工具类型和/或腔室，其可能是由污染产生的管芯损耗的原因。这可以用于基于特定工具对产率的影响来安排对制造厂内的特定工具的维护和/或清洁。

图7是图示了半导体晶片制造厂中的污染的另一示例性标识方法的框图。由于实际生产序列具有比所示的步骤多得多的步骤，所以该图是生产序列的一部分的简化表示。该方法结合了以下特征：(i)使用晶片高度图的污染检测(斑点检测)，该晶片高度图从在晶片制造厂处理期间在不同层处执行的水平传感器扫描获得；(ii)污染斑点跟踪，以标识新出现的斑点和自扫描前一层以来剩余的斑点；以及(iii)背景链接，以标识所采取的过程步骤的特性并且将这些特性与斑点的动态改变(即，斑点出现和斑点消失)相关联。背景链接的目的是找到能够解释斑点出现(例如，给定蚀刻步骤中的腔室可能正在充当污染源，从而使得相应晶片更脏)或斑点消失的步骤的特性。在这点上，应当指出，由于多种原因，所以可能出现污染斑点。例如，一些斑点可能为“卡盘斑点”，即，在先前在同一扫描仪和卡盘中曝光的晶片中也观察到的斑点，该斑点可能由于粘附到晶片台上的污染而造成，使得当新晶片被夹紧时，斑点出现在调平数据中。其他斑点可以是该晶片特有的“旧斑点”，因为它们在该晶片的在先调平测量中观察到。其他斑点可以是该晶片特有的“新斑点”，因为在使用同一扫描仪和卡盘曝光的先前晶片中或在该晶片的先前调平测量中没有观察到的斑点。这种特定种类的斑点是关键的，因为从因果关系来看，这些斑点可能已经是通过在对该晶片进行先前调平测量之后发生的步骤而被引入。同样，斑点可能由于多种原因而消失。例如，如果污染附着(粘附)到晶片支撑件结构(晶片台)上，则由于在装置上触发并且被设计为去除可能累积的任何这种污染的清洁操作，所以污染可以被去除，因此消失。另一示例是污染附着到正在被处理的晶片的后侧，并且通过在光刻过程中的下一阶段之前在晶片上执行的清洁步骤去除：在使用这种“背侧清洁”操作的情况下，不能保证去除所有污染。

如图7所示，步骤A至G是半导体晶片制造厂的处理中的步骤。所示的步骤作为生产顺序的一部分依序发生，其可以包括步骤G之后或步骤A之前的更多个步骤。步骤A、B和C可以被认为构成晶片处理的第一阶段701，之后执行第一水平传感器扫描L1。步骤D和E构成晶片处理的第二阶段702，之后执行第二水平传感器扫描L2。步骤D和E可以向晶片制造厂添加一个或多个层。步骤F和G构成晶片处理的第三阶段703，之后执行第三水平传感器扫描L3。步骤F和G可以向晶片制造厂添加一个或多个其他层。每个水平传感器扫描L1、L2和L3的数据由相应斑点污染检测器704、705、706分析，以确定相应污染图或斑点图707、708、709。因此，在步骤A至C中的处理之后，确定层(第一层)的第一点图707。在步骤D和E中的附加处理之后，确定第二层的第二斑点图708，并且在步骤F和G中的更多处理之后，确定第三层的第三斑点图709。注意，对于大多数半导体晶片制造厂过程，第一层和第二层以及第二层和第三层是相邻层。然而，在一些情况下，对步骤D、E、F和G的处理可以包括形成不被水平传感器扫描的附加介入层。

从水平传感器扫描L1、L2、L3确定的污染图数据被提供给斑点动态跟踪器710，该斑点动态跟踪器710分析数据以标识哪些斑点第一次出现在每个扫描中、以及哪些斑点从先前扫描保留了下来。当分析第二水平扫描L2的斑点图708数据时，斑点动态跟踪器710比较斑点图708数据与来自前一层水平扫描L1的斑点图707数据，以标识已经出现但不存在于前一层中的任何斑点，并且标识从前一层保留的任何斑点。还可能存在出现在先前层中但在最近扫描中不再出现的斑点。与从第二水平扫描L2获得的斑点图707相比，斑点动态跟踪器对从第三水平扫描L3获得的第三斑点图708中的斑点执行类似分析。

注意，如果第一水平扫描L1是要扫描的第一层，则不存在对前一层的扫描以将其与之比较。然而，对于从第一水平扫描L1获得的第一斑点图707以及对于扫描L2和L3以及任何其他扫描，斑点动态跟踪器可以使用从对使用同一工具(例如，同一扫描仪、卡盘等)以相同方式处理的先前晶片的同一层的扫描获得的数据720。此外，斑点动态跟踪器可以指派关于污染斑点是否可能由于在晶片制造厂的处理期间引入的污染而出现在特定位置的概率。这可以包括指派斑点属于特定类别(例如，如上文所描述的“卡盘斑点”、“旧斑点”、“新斑点”)的概率，因为属于类别的斑点的任何推论都具有一定程度的不确定性。例如，给定晶片的连续水平扫描中的两个看上去相同的斑点实际上可以是碰巧出现在同一位置中的两个不同的斑点(即，来自两个不同的污染源的)。

作为斑点动态跟踪器710的分析的结果，对于从水平扫描L1、L2、L3获得的斑点图707、708、709中的每个斑点图，可以产生经更新的污染图711、712、713，这些经更新的污染图711、712、713仅示出了新出现或从先前扫描的层保留的斑点。

然后，如图7的717、718和719所示，分别对每个经更新的污染图711、712、713执行背景链接。所标识的污染斑点与污染图数据所基于的最后一次扫描之前的处理步骤中使用的过程和工具的背景信息进行比较。因此，例如，由斑点动态跟踪器710产生的经更新的污染图712基于污染图708，该污染图708由斑点污染检测器705根据由来自水平传感器扫描L2的扫描数据提供的高度图数据产生。L2水平传感器扫描发生在处理阶段702中的晶片制造厂处理步骤D和E之后。提供与处理步骤D和E有关的背景数据(如图7中的线715所示)，用于对污染斑点图712进行背景链接分析。同样，在阶段701中提供来自步骤A、B和C的背景数据(如线714所示)，用于对污染斑点图711进行背景链接分析，并且在阶段703中提供来自步骤F和G的背景数据(如线716所示)，用于对污染斑点图713进行背景链接分析。

背景链接标识过程步骤(图7中的A至G)的特性，该特性可以与污染斑点的动态(出现和消失)相关联，并且可以基于随时间推移而获取的晶片制造厂处理的知识。背景链接可以旨在简单检测生产步骤的哪些特性(例如，用于蚀刻步骤的腔室ID)与相应晶片中新引入的斑点的数目的变化在统计上相关联。它还可以说明具体特性是否与更脏的晶片有关：例如，具有最强统计信号的腔室ID是否与具有比平均值更多的新斑点的晶片相关联，这指示这些腔室ID以某种方式使晶片“更脏”。例如，这可以用于触发用于清洁一个或多个所标识的腔室的动作。背景链接可以输出最相关的生产步骤的排序，以便对相关联的装置的清洁区分优先次序。背景链接还可以用于更一般的生产/质量目的：例如，为了标识与平均值相比，与“更干净的”晶片具有最强统计链接的腔室，因为这些腔室可以用作跟踪该生产步骤的参考腔室。背景链接可以与指派出现在污染图上的任何给定位置处的斑点是在制造厂过程中的特定步骤处和/或从特定处理工具引入的污染的结果的概率。背景链接可以分析整个晶片表面的数据，或可以仅考虑晶片的表面的一个或多个特定子分区的数据(例如，如图5a和图5b所示，晶片被支撑在诸如销钉或突节404之类的特征上的分区)。

然后，从背景链接分析产生的信息可以用于触发动作，诸如对由背景链接标识的工具进行调整或清洁。因此，代替依赖于经完全处理的晶片的最终扫描数据，上文参考图7所描述的方法可以用于在制造厂的中间步骤中标识污染源，从而更快速地标识污染源并且实现更快速的校正。

下文在带编号的条款列表中公开了其他实施例：

1.一种标识半导体制造厂中的污染的方法，该方法包括：

确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在半导体制造厂中被处理之后的污染图数据；

至少部分基于多个半导体晶片的污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据；以及

比较经组合的污染图数据与参考数据，

其中参考数据包括针对经组合的污染图数据的、指示半导体制造厂中的一个或多个工具中的污染的一个或多个值。

2.根据条款1所述的方法，其中污染图数据基于由调平传感器获得的数据而被确定。

3.根据条款1或2所述的方法，其中污染图数据包括聚焦斑点数据。

4.根据条款1至3中任一项所述的方法，其中污染图数据基于对晶片高度数据应用斑点检测算法而被确定。

5.根据条款4所述的方法，其中晶片高度数据包括连续表面拟合的晶片高度数据。

6.根据任一前述条款所述的方法，其中确定经组合的污染图数据包括：确定多个半导体晶片的污染图数据的并集。

7.根据任一前述条款所述的方法，其中参考数据包括指示在半导体制造厂中进行处理的一个或多个后续半导体晶片中的一个或多个管芯的故障的数据。

8.根据条款7所述的方法，其中参考数据包括聚焦误差阈值，并且其中高于聚焦误差阈值的经组合的污染图数据指示一个或多个后续半导体晶片中的一个或多个管芯的故障。

9.根据任一前述条款所述的方法，其中参考数据包括至少部分基于经组合的污染图数据的管芯故障概率。

10.根据条款7至9中任一项所述的方法，还包括：基于经组合的污染图数据和聚焦误差阈值来确定标识具有故障风险的后续半导体晶片的一个或多个管芯的管芯损耗图。

11.根据任一前述条款所述的方法，其中参考数据包括与半导体制造厂中的一个或多个工具有关的几何形状数据。

12.根据条款11所述的方法，其中几何形状数据包括一个或多个工具的一个或多个晶片支撑特征的位置。

13.根据条款12所述的方法，其中一个或多个晶片支撑特征的位置包括多个半导体晶片的表面的区域上的多边形。

14.根据条款11至13中任一项所述的方法，基于经组合的污染图数据与几何形状数据的比较，来确定半导体制造厂中的作为潜在污染类型的一个或多个工具类型。

15.根据条款11至14中任一项所述的方法，还包括：基于经组合的污染图数据与几何形状数据的比较，来确定半导体制造厂中作为潜在污染原因的一个或多个工具。

16.根据条款11至15中任一项所述的方法，还包括：基于经组合的污染图数据与几何形状数据的比较，来确定半导体制造厂中一个或多个工具的作为潜在污染原因的一个或多个部分。

17.根据任一前述条款所述的方法，其中多个晶片包括至少部分具有公共制造厂背景的晶片。

18.根据条款17所述的方法，其中制造厂背景包括以下各项中的一项或多项：在半导体晶片上制造的产品、在半导体晶片上制造的器件结构层、已在半导体晶片上制造了器件结构的扫描仪、半导体晶片在半导体制造厂中至少部分地被处理所在的时间段和/或半导体晶片通过半导体制造厂所采取的路径。

19.一种计算机程序，包括指令，该指令当在至少一个处理器上执行时，使得至少一个处理器控制装置进行根据条款1至18中任一项所述的方法。

20.一种载体，包括根据条款19所述的计算机程序，其中载体是以下各项中的一项：电子信号、光学信号、无线电信号或非暂态计算机可读存储介质。

21.一种标识半导体制造厂中的污染的装置，该装置包括计算机处理器，该计算机处理器被配置为执行计算机程序代码以进行以下方法：

比较经组合的污染图数据与参考数据，

22.一种光刻装置，包括根据条款21所述的装置。

23.一种光刻单元，包括根据条款22所述的光刻装置。

24.根据条款1至17中任一项所述的方法，其中参考数据包括与先前处理阶段和/或与不同晶片制造厂相关联的数据。

25.一种标识半导体晶片制造厂中的污染的方法，该方法包括：

确定在处理半导体晶片的层之后获得的污染图数据；

比较所确定的污染图数据与先前获得的与晶片制造厂有关的污染图，以标识自先前图以来已经出现、与先前图保持相同、或自先前图以来已经消失的污染斑点；以及

将污染斑点的标识与晶片制造厂的处理中的步骤相关联。

26.根据条款25所述的方法，其中污染图数据基于由调平传感器获得的数据而被确定。

27.根据条款25或条款26所述的方法，其中先前获得的污染图是在处理同一晶片制造厂的先前层之后获得的图。

28.根据条款25或条款26所述的方法，其中先前获得的污染图是在处理另一晶片制造厂的同一层之后获得的图。

29.根据条款25至28中任一项所述的方法，其中比较步骤包括：指派关于所标识的污染斑点是否是在晶片制造厂的处理期间引入的污染的结果的概率。

30.根据条款29所述的方法，指派概率基于斑点属于某一类别的概率。

31.根据条款29所述的方法，其中斑点可能所属的类别包括以下各项中的一项或多项：卡盘斑点、旧斑点和新斑点。

32.根据条款29所述的方法，其中概率基于关于所标识的斑点是新斑点还是先前存在的斑点的不确定性水平而被指派。

33.根据条款25至32中任一项所述的方法，其中对晶片的预定子分区执行污染斑点的标识和链接。

34.根据条款25至33中任一项所述的方法，其中先前获得的与晶片制造厂有关的污染图与公共制造厂背景有关，其中制造厂背景包括以下各项中的一项或多项：在半导体晶片上制造的产品、在半导体晶片上制造的器件结构层、已在半导体晶片上制造了器件结构的扫描仪、半导体晶片在半导体制造厂中至少部分地被处理所在的时间段和/或半导体晶片通过半导体制造厂所采取的路径。

计算机程序可以被配置为提供上述方法中的任一方法。可以在计算机可读介质上提供计算机程序。计算机程序可以是计算机程序产品。该产品可以包括非暂态计算机可用存储介质。计算机程序产品可以具有包含在介质中的计算机可读程序代码，该计算机可读程序代码被配置为执行方法。计算机程序产品可以被配置为使得至少一个处理器执行该方法中的一些或全部。

本文中参考计算机实现的方法、装置(系统和/或设备)和/或计算机程序产品的框图或流程图来对各种方法和装置进行描述。应当理解，可以通过由一个或多个计算机电路执行的计算机程序指令来实现框图和/或流程图中的框以及框图和/或流程图中的框的组合。这些计算机程序指令可以被提供给通用计算机电路、专用计算机电路和/或其他可编程数据处理电路的处理器电路以产生机器，使得经由计算机和/或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令、变换和控制晶体管、存储在存储器位置中的值、以及这样的电路系统内的其他硬件部件实现框图框和/或流程图框中指定的功能/动作，并且由此创建用于实现框图框和/或流程图框中指定的功能/动作的手段(功能)和/或结构。

计算机程序指令还可以被存储在计算机可读介质中，该计算机可读介质可以指示计算机或其他可编程数据处理装置以特定方式运转，使得存储在计算机可读介质中的指令产生包括实现框图框和/或流程图框中指定的功能/动作的指令的制品。

有形的非暂态计算机可读介质可以包括电子、磁、光学、电磁或半导体数据存储系统、装置或设备。计算机可读介质的更具体的示例将包括以下各项：便携式计算机磁盘、随机存取存储器(RAM)电路、只读存储器(ROM)电路、可擦除可编程只读存储器(EPROM或闪存)电路、便携式光盘只读存储器(CD-ROM)和便携式数字视频光盘只读存储器(DVD/蓝光)。

计算机程序指令还可以被加载到计算机和/或其他可编程数据处理设备上，以使得在计算机和/或其他可编程设备上执行一系列操作步骤，从而产生计算机实现的过程，使得在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现框图框和/或流程图框中指定的功能/动作的步骤。

因此，本发明可以以在处理器上运行的硬件和/或软件(包括固件、常驻软件、微代码等)而被实施，该处理器可以统称为“电路系统”、“模块”或其变型。

还应当指出，在一些备选实现方式中，框中指出的功能/动作可以不按流程图中指出的次序出现。例如，根据所涉及的功能/动作，实际上可以基本同时执行连续示出的两个框，或有时可以按相反次序执行这些框。而且，可以将流程图和/或框图的给定框的功能分成多个框，和/或可以至少部分集成流程图和/或框图的两个或更多个框的功能。最后，可以在所示的框之间添加/插入其他框。

装置可以被配置为进行本文所公开的任何方法。具体地，光刻装置可以被配置成进行本文中所公开的方法中的任一方法。另外，光刻单元可以包括这种光刻装置。

本领域技术人员能够在没有背离所附权利要求的范围的情况下设想其他实施例。

Claims

1.一种标识半导体制造厂中的污染的方法，所述方法包括：

确定被夹紧到晶片台上的多个半导体晶片在所述半导体制造厂中被处理之后的污染图数据；

至少部分基于所述多个半导体晶片的所述污染图数据的组合来确定经组合的污染图数据；以及

比较经组合的污染图数据与参考数据，其中所述参考数据包括针对经组合的污染图数据的、指示所述半导体制造厂中的一个或多个工具中的污染的一个或多个值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述污染图数据基于由调平传感器获得的数据而被确定。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述污染图数据包括聚焦斑点数据。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述污染图数据基于对晶片高度数据应用斑点检测算法而被确定。

5.根据权利要求1所述的方法，其中确定经组合的污染图数据包括：确定所述多个半导体晶片的所述污染图数据的并集。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考数据包括指示在所述半导体制造厂中进行处理的一个或多个后续半导体晶片中的一个或多个管芯的故障的数据。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述参考数据包括聚焦误差阈值，并且其中高于所述聚焦误差阈值的经组合的污染图数据指示所述一个或多个后续半导体晶片中的所述一个或多个管芯的故障。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考数据包括与所述半导体制造厂中的一个或多个工具有关的几何形状数据。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述几何形状数据包括所述一个或多个工具的一个或多个晶片支撑特征的位置。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述一个或多个晶片支撑特征的所述位置包括所述多个半导体晶片的表面的区域上的多边形。

11.根据权利要求8所述的方法，还包括：基于经组合的污染图数据与所述一个或多个工具的所述几何形状数据的比较，确定所述半导体制造厂中的所述一个或多个工具或工具类型的作为潜在污染原因的部分。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个晶片包括至少部分具有公共制造厂背景的晶片，其中所述制造厂背景包括以下各项中的一项或多项：在所述半导体晶片上制造的产品、在所述半导体晶片上制造的器件结构层、已在所述半导体晶片上制造了器件结构的扫描仪、所述半导体晶片在所述半导体制造厂中被至少部分地被处理所在的时间段和/或所述半导体晶片通过所述半导体制造厂所采取的路径。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述参考数据包括与先前处理阶段和/或与不同晶片制造厂相关联的数据。

14.一种计算机程序，包括指令，所述指令当在至少一个处理器上执行时，使得所述至少一个处理器控制装置进行根据权利要求1所述的方法。

15.一种载体，包括根据权利要求14所述的计算机程序，其中所述载体是以下各项中的一项：电子信号、光学信号、无线电信号或非暂态计算机可读存储介质。