[go: up one dir, main page]

CN115916529A - 转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法 - Google Patents

转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115916529A
CN115916529A CN202180051325.0A CN202180051325A CN115916529A CN 115916529 A CN115916529 A CN 115916529A CN 202180051325 A CN202180051325 A CN 202180051325A CN 115916529 A CN115916529 A CN 115916529A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin layer
transfer film
compound
mass
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180051325.0A
Other languages
English (en)
Inventor
山田悟
两角一真
丰冈健太郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN115916529A publication Critical patent/CN115916529A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/285—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyethers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/302—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising aromatic vinyl (co)polymers, e.g. styrenic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/34—Imagewise removal by selective transfer, e.g. peeling away
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/105—Metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2270/00—Resin or rubber layer containing a blend of at least two different polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/716—Degradable
    • B32B2307/7166—Water-soluble, water-dispersible
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/732—Dimensional properties
    • B32B2307/737—Dimensions, e.g. volume or area
    • B32B2307/7375—Linear, e.g. length, distance or width
    • B32B2307/7376—Thickness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/748—Releasability
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68359—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during manufacture of interconnect decals or build up layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明的第1课题为提供一种能够形成分辨率优异的抗蚀图案的转印膜。并且，本发明的第2课题为提供一种能够形成表面形态性优异的树脂图案的转印膜。进而，本发明的第3课题为提供一种使用了上述转印膜的、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。本发明的转印膜为具有临时支承体、在上述临时支承体上配置的组合物层，上述组合物层包含感光性树脂层及水溶性树脂层，该转印膜依次层叠上述临时支承体、上述水溶性树脂层及上述感光性树脂层而成，或者依次层叠上述临时支承体、上述感光性树脂层及上述水溶性树脂层而成，上述水溶性树脂层包含具有下述通式(1)所表示的基团的化合物A。通式(1)：*‑CF2‑H；式中，*表示键合位置。

Description

转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，感光性转印材料等转印膜在众多领域中逐渐被利用。
感光性转印材料能够有助于降低产品的成本，因此提出了用作蚀刻抗蚀剂用薄膜及配线保护膜用薄膜等。
另一方面，对感光性转印材料所要求的功能也日益变高，也研究设为层叠多个功能层的结构。
例如，在专利文献1中，公开了通过层叠多个功能层而成的蚀刻抗蚀剂用转印膜及配线保护膜用的转印膜。具体而言，公开了通过层叠临时支承体/热塑性树脂层/中间层/感光性树脂层而成的蚀刻抗蚀剂用转印膜([0203]～[0207]段等)及通过层叠临时支承体/感光性树脂层/第二透明树脂层而成的配线保护膜用转印膜([0197]及[0208]段等)。另外，上述中间层的主要成分是聚乙烯醇及聚乙烯吡咯啶酮，上述第二透明树脂层的主要成分是金属氧化物粒子及甲基丙烯酸/甲基丙烯酸烯丙基的共聚物。即，上述中间层及上述第二透明树脂层包含水溶性高的树脂。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2017/057348号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人等参考专利文献1，制作包含临时支承体、感光性树脂层及包含水溶性高的树脂的层(水溶性树脂层)且依次层叠临时支承体、水溶性树脂层及感光性树脂层而成的转印膜来对作为抗蚀图案的性能进行研究的结果，发现存在产生凸部的剥离和/或凹部残渣的情况(即，存在分辨率差的情况)。并且，制作包含临时支承体、感光性树脂层及水溶性树脂层且依次层叠临时支承体、感光性树脂层及水溶性树脂层而成的转印膜来对作为配线用保护膜的性能进行研究的结果，发现存在作为保护膜发挥功能的树脂图案中产生由光学不均匀引起的表面缺陷的情况(即，存在表面形态性差的情况)。
因此，本发明的第1课题为提供一种能够形成分辨率优异的抗蚀图案的转印膜。
并且，本发明以提供一种能够形成表面形态性优异的树脂图案的转印膜来作为第2课题。
进而，本发明以提供一种使用了上述转印膜的、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法来作为第3课题。
用于解决技术课题的手段
为了解决上述课题，本发明人等进行深入研究的结果，发现了通过以下结构能够实现上述课题。
一种转印膜，其具有临时支承体、在上述临时支承体上配置的组合物层及转印膜，
上述组合物层包含感光性树脂层及水溶性树脂层，
该转印膜依次层叠上述临时支承体、上述水溶性树脂层及上述感光性树脂层而成，或者依次层叠上述临时支承体、上述感光性树脂层及上述水溶性树脂层而成，
上述水溶性树脂层包含具有后述通式(1)所表示的基团的化合物A。
〔2〕根据〔1〕所述的转印膜，其中，
上述化合物A是具有由后述的通式(2)表示的基团的化合物。
〔3〕根据〔1〕或〔2〕所述的转印膜，其中，
上述化合物A是具有由后述的通式(3)表示的基团的化合物。
〔4〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的转印膜，其中，
上述化合物A是重均分子量为5,000以上的高分子化合物。
〔5〕根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的转印膜，其中，
上述化合物A为高分子化合物，上述高分子化合物包含源自由后述的通式(4A)表示的单体的结构单元。
〔6〕根据〔5〕所述的转印膜，其中，
上述高分子化合物进一步包含源自由后述的通式(5)表示的单体的结构单元。
〔7〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的转印膜，其中，
上述化合物A的分子量为2,000以下。
〔8〕根据〔1〕至〔3〕及〔7〕中任一项所述的转印膜，其中，
上述化合物A是由后述的通式(6A)表示的化合物。
〔9〕根据〔8〕所述的转印膜，其中，
上述Z表示包含可以具有取代基的聚(氧化烯基)结构部位的1价的有机基团。
〔10〕根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的转印膜，其中，
上述感光性树脂层进一步包含碱溶性树脂及聚合性化合物。
〔11〕根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的转印膜，其中，
上述水溶性树脂层进一步包含金属氧化物粒子。
〔12〕根据〔1〕至〔11〕中任一项所述的转印膜，其中，
上述水溶性树脂层包含2种以上的水溶性树脂。
〔13〕根据〔1〕至〔12〕中任一项所述的转印膜，其是进一步具有热塑性树脂层。
〔14〕根据〔1〕至〔13〕中任一项所述的转印膜，其依次层叠上述临时支承体、上述水溶性树脂层及上述感光性树脂层而成。
〔15〕根据〔14〕所述的转印膜，其依次层叠上述临时支承体、上述热塑性树脂层、上述水溶性树脂层及上述感光性树脂层而成。
〔16〕根据〔1〕至〔13〕中任一项所述的转印膜，其依次层叠上述临时支承体、上述感光性树脂层及上述水溶性树脂层而成。
〔17〕一种层叠体的制造方法，所述层叠体使用了〔1〕至〔16〕中任一项所述的转印膜，所述层叠体的制造方法包括：
贴合工序，使基板与上述转印膜中的在上述临时支承体上配置的组合物层中的最外层的表面接触，贴合上述转印膜与上述基板，获得带转印膜的基板；
曝光工序，对上述组合物层进行图案曝光；
显影工序，对经曝光的上述组合物层进行显影而形成树脂图案；及
剥离工序，在上述贴合工序与上述曝光工序之间或上述曝光工序与上述显影工序之间，带转印膜的基板剥离临时支承体。
〔18〕一种电路配线的制造方法，所述电路配线使用了〔1〕至〔15〕中任一项所述的转印膜，所述电路配线的制造方法包括：
贴合工序，使上述转印膜中的在上述临时支承体上配置的组合物层中的最外层的表面与具有导电层的基板接触，贴合上述转印膜与具有上述导电层的基板，获得带转印膜的基板；
曝光工序，对上述组合物层进行图案曝光；
显影工序，对经曝光的上述组合物层进行显影而形成树脂图案；及
蚀刻工序，对未配置有上述树脂图案的区域中的上述导电层进行蚀刻处理；及
剥离工序，在上述贴合工序与上述曝光工序之间或上述曝光工序与上述显影工序之间，对转印膜的基板剥离临时支承体。
〔19〕一种电子器件的制造方法，其包括〔17〕所述的层叠体的制造方法，其中，
上述电子器件包括上述树脂图案作为固化膜。
发明效果
根据本发明能够提供一种能够形成分辨率优异的抗蚀图案的转印膜。
并且，根据本发明，能够提供一种表面形态性优异的树脂图案的转印膜。
进而，能够提供一种使用了上述转印膜的、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
附图说明
图1是表示第1实施方式的转印膜的结构的一例的示意图。
图2是表示第2实施方式的转印膜的结构的一例的示意图。
具体实施方式
以下，对本发明进行详细说明。
关于以下所记载的构成要件的说明，有时基于本发明的代表性实施实施方式来进行，但是本发明并不限定于这种实施实施方式。
另外，在本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指将“～”前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
并且，在本说明书中，所标记的二价的基团(例如，-CO-O-)的键合方向并无特别限制。
在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸表示丙烯酸及甲基丙烯酸。(甲基)丙烯酰基表示甲基丙烯酰基或丙烯酰基。
关于本说明书中的基团(原子团)的标记，未记载经取代及未经取代的标记包含不具有取代基的基团，并且还包含具有取代基的基团。例如，“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(未经取代的烷基)，而且还包含具有取代基的烷基(经取代的烷基)。并且，本说明书中的“有机基团”是指包含至少一个碳原子的基团。
并且，在本说明书中，“可以具有取代基”时的取代基的种类、取代基的位置及取代基的数量并无特别限定。取代基的数量例如可以为1个、2个、3个或其以上。并且，也可以为未经取代。
作为取代基的例子，可举出去除氢原子的一价的非金属原子团，例如，能够从以下的取代基群组T中选择。
(取代基T)
作为取代基T，可举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等卤原子；甲氧基、乙氧基及叔丁氧基等烷氧基；苯氧基及对甲苯氧基等芳氧基；甲氧基羰基、丁氧基羰基及苯氧基羰基等烷氧基羰基；乙酰氧基、丙酰氧基及苯甲酰氧基等酰氧基；乙酰基、苯甲酰基、异丁酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及甲草酰基等酰基；甲基硫基及叔丁基硫基等烷基硫基；苯基硫基及对甲苯基硫基等芳基硫基；烷基；环烷基；芳基；杂芳基；羟基；羧基；甲酰基；磺基；氰基；烷基氨基羰基；芳基氨基羰基；磺酰氨基；甲硅烷基；氨基；单烷基氨基；二烷基氨基；芳基氨基；以及这些的组合。
在本说明书中，只要无特别说明，则重均分子量(Mw)及数均分子量(Mn)为通过凝胶渗透色谱法(GPC)以聚苯乙烯换算计算出的值。
关于GPC，在下述条件下进行测量。
[洗脱液]四氢呋喃(THF)
[装置名称]EcoSEC HLC-8320GPC(TOSOH CORPORATION制造)
[管柱]TSKgel SuperHZM-H、TSKgel SuperHZ4000、TSKgel SuperHZ200(TOSOHCORPORATION制造))
[管柱温度]40℃
[流速]0.35ml/min
在本说明书中，只要无特别说明，则分子量分布所具有的化合物的分子量为重均分子量(Mw)。
在本说明书中，只要无特别说明，则室温为25℃。
在本说明书中，“碱溶性”是指在22℃条件下碳酸钠在1质量％水溶液100g中的溶解度为0.1g以上。因此，例如，碱溶性树脂是指，满足上述溶解度条件的树脂。
在本说明书中，“水溶性”是指在液温为22℃的pH7.0的水100g中的溶解度为0.1g以上。因此，例如，水溶性树脂是指，满足上述溶解度条件的树脂。
在本说明书中，组合物的“固体成分”是指形成使用组合物形成的组合物层的成分，在组合物包含溶剂(有机溶剂、水等)的情况下，是指去除溶剂的所有成分。并且，若为形成组合物层的成分，则液体状的成分也被视作固体成分。
在本说明书中，转印膜等所具备的各层的层厚(膜厚)通过如下方式来测量：通过扫描式电子显微镜(SEM：Scanning Flectron Microscope：扫描电子显微镜)观察与层(膜)的主表面垂直的方向的截面，根据所获得的观察图像来测量10个点以上的各层的厚度，并计算其平均值。
本发明的转印膜为具有临时支承体、在上述临时支承体上配置的组合物层，
上述组合物层包含感光性树脂层及水溶性树脂层，
该转印膜依次层叠上述临时支承体、上述水溶性树脂层及上述感光性树脂层而成，或者依次层叠上述临时支承体、上述感光性树脂层及上述水溶性树脂层而成。
并且，上述水溶性树脂层包含具有下述通式(1)所表示的基团的化合物A(以下，简称为“化合物A”)。
通式(1)：*-CF2-H
式中，*表示键合位置。
即，本发明的转印膜为具有临时支承体、在支承体上配置的组合物层，
上述组合物层包含感光性树脂层及水溶性树脂层，
该转印膜依次层叠上述临时支承体、上述水溶性树脂层及上述感光性树脂层而成，并且上述水溶性树脂层为包含化合物A的结构(以下，也称为“第1实施方式的转印膜”)
或者
该转印膜为具有临时支承体及在临时支承体上配置的组合物层，
上述组合物层包含感光性树脂层及水溶性树脂层，
转印膜依次层叠上述临时支承体、上述感光性树脂层及上述水溶性树脂层而成，并且上述水溶性树脂层为包含化合物A的结构(以下，也称为“第2实施方式的转印膜”)。
根据第1实施方式的转印膜，能够形成分辨率优异的抗蚀图案，根据第2实施方式的转印膜，能够形成表面形态性优异的树脂图案。
通过这种结构解决本发明的课题的机理虽然尚不清楚，但是本发明人等推测如下。
本发明人等认为在具有临时支承体、感光性树脂层、包含化合物A的水溶性树脂层的转印膜中，化合物A发挥抑制水溶性树脂层的膜厚产生不均匀的功能。作为该结果，在使用第1实施方式的转印膜而形成抗蚀图案的情况下，能够抑制由膜厚不均匀引起而可能产生的凸部的剥离和/或图案凹部的残渣。即，根据第1实施方式的转印膜，能够形成分辨率优异的抗蚀图案。并且，使用第2实施方式的转印膜而形成树脂图案的情况下，能够抑制由膜厚不均匀引起而可能产生的光学不均匀(表面缺陷)。即，根据第2实施方式的转印膜，能够形成表面形态性优异的膜(例如，配线保护膜等固化膜)。
另外，以下，有时将能够形成分辨率更优异的抗蚀图案和/或能够形成表面形态性优异的树脂图案称为“本发明的效果更加优异”。
并且，化合物A是分子量为2,000以下且是后述的通式(6B)所表示的低分子化合物A的情况下，或者重均分子量为超过2,000且15,000以下，并且包含后述的通式(4)所表示的结构单元及后述的通式(5)所表示的结构单元的高分子化合物A的情况下，发现本发明的效果更加优异。
上述感光性树脂层可以为负型感光性树脂层，也可以为化学增幅型感光性树脂层，优选为负型感光性树脂层。
并且，上述组合物层可以包含除了感光性树脂层及水溶性树脂层以外的其他层。作为其他层，例如，可举出热塑性树脂层等。
以下，示出本发明的转印膜的实施方式的一例，但并不限定于此。另外，下述(1)及(3)相当于第1实施方式的转印膜的一例，下述(2)相当于第2实施方式的转印膜的一例。
(1)“临时支承体/热塑性树脂层/中间层(水溶性树脂层)/负型感光性树脂层/覆盖膜”
(2)“临时支承体/负型感光性树脂层/折射率调整层(水溶性树脂层)/覆盖膜”
(3)“临时支承体/热塑性树脂层/中间层(水溶性树脂层)/负型感光性树脂层/覆盖膜”
另外，在上述各结构中，负型感光性树脂层也优选为着色树脂层。
以下，分别对上述第1实施方式的转印膜及第2实施方式的转印膜进行说明。
〔第1实施方式的转印膜〕
以下，对第1实施方式的转印膜的实施方式的一例进行说明。
图1中示出的转印膜10依次具有临时支承体1、热塑性树脂层3、水溶性树脂层5、感光性树脂层7及覆盖膜9。
另外，虽然图1中示出的转印膜10是配置了覆盖膜9的方式，但可以不配置覆盖膜9。
并且，图1中示出的转印膜10是配置了热塑性树脂层3的方式，但也可以不配置热塑性树脂层3。
以下，对构成转印膜的各要素进行说明。
《临时支承体》
第1实施方式的转印膜具有临时支承体。
临时支承体是如下的支承体：支承在临时支承体上配置的多个组合物层(作为组合物层，例如，相当于感光性树脂层、水溶性树脂层及热塑性树脂层等)，并且是能够从这些组合物层中剥离。
从在对上述组合物层进行图案曝光时，能够进行经由临时支承体的曝光的观点考虑，优选临时支承体具有透光性。另外，在本说明书中，“具有透光性”是指图案曝光中所使用的波长的光的透射率为50％以上。
关于临时支承体，从提高曝光灵敏度的观点考虑，图案曝光中所使用的波长(更优选为波长365nm)的光的透射率优选为60％以上，更优选为70％以上。
另外，转印膜所具备的层的透射率为在与层的主表面垂直的方向(厚度方向)上射入光时，相对于入射光的强度的通过层而射出的出射光的强度的比例，并且使用OtsukaElectronics Co.，Ltd.制造的MCPD Series来测量。
作为构成临时支承体的材料，例如，可举出玻璃基板、树脂薄膜及纸，从强度、挠性及透光性的观点考虑，优选为树脂薄膜。
作为树脂薄膜，可举出聚对苯二甲酸乙二酯(PET：polyethylene terephthalate)薄膜、三醋酸纤维素薄膜、聚苯乙烯薄膜及聚碳酸酯薄膜。其中，优选为PET薄膜，更优选为双轴拉伸PET薄膜。
作为临时支承体的厚度(层厚)，并无特别限制，从作为支承体的强度、与电路配线形成用基板的贴合所要求的挠性及第一次曝光工序所要求的透光性的观点考虑，只要根据材质来选择即可。
临时支承体的厚度优选为5～100μm，从易操作性及通用性的观点考虑，更优选为10～50μm，进一步优选为10～20μm，特别优选为10～16μm。
并且，优选在用作临时支承体的薄膜中没有褶皱等变形、划痕及缺陷等。
从经由临时支承体进行图案曝光时的图案形成性及临时支承体的透明性的观点考虑，临时支承体中所包含的微粒、异物、缺陷及析出物等的数量优选少。直径为1μm以上的微粒、异物、缺陷的数量优选为50个/10mm2以下，更优选为10个/10mm2以下，进一步优选为3个/10mm2以下，特别优选为0个/10mm2。
作为临时支承体的优选的实施方式，例如，在日本特开2014-085643号公报的0017段～0018段、日本特开2016-027363号公报的0019～0026段、WO2012/081680A1公报的0041～0057段、WO2018/179370A1公报的0029～0040段及日本特开2019-101405号公报的0012段～0032段中有记载，这些公报的内容被编入到本说明书中。
《覆盖膜》
转印膜优选具有在临时支承体上配置的多个组合物层中与离临时支承体最远的组合物层的最外表面接触的覆盖膜。
作为构成覆盖膜的材料，可举出树脂薄膜及纸，从强度及挠性的观点考虑，优选为树脂薄膜。
作为树脂薄膜，可举出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二酯薄膜、三醋酸纤维素薄膜、聚苯乙烯薄膜及聚碳酸酯薄膜。其中，优选为聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜或聚对苯二甲酸乙二酯薄膜。
覆盖膜的厚度(层厚)并无特别限制，但是优选为5～100μm，更优选为10～50μm。
并且，从分辨率更优异的观点考虑，覆盖膜的与组合物层接触的面(以下，也简称为“覆盖膜表面”)的算术平均粗糙度Ra值优选为0.3μm以下，更优选为0.1μm以下，进一步优选为0.05μm以下。认为这是因为：通过覆盖膜表面的Ra值在上述范围内而所形成的树脂图案的层厚的均匀性得到提高。
覆盖膜表面的Ra值的下限并无特别限制，但是优选为0.001μm以上。
覆盖膜表面的Ra值可通过以下方法来测量。
使用三维光学轮廓仪(New View7300，Zygo Corporation制造)，在以下条件下测量覆盖膜表面，从而获得光学薄膜的表面轮廓。
作为测量·分析软件，使用MetroPro ver8.3.2的Microscope Application。接着，使用上述分析软件显示Surface Map画面，在Surface Map画面中获得直方图数据。根据所获得的直方图数据来计算算术平均粗糙度，从而获得覆盖膜表面的Ra值。
在覆盖膜与转印膜贴合的情况下，只要从转印膜剥离覆盖膜，并测量所剥离的侧的表面的Ra值即可。
《水溶性树脂层》
在转印膜10中，水溶性树脂层5存在于热塑性树脂层3与感光性树脂层7之间，从而能够抑制在涂布形成热塑性树脂层3及感光性树脂层7时及涂布形成后保存时可能产生的成分的混合。即，作为第1实施方式的转印膜的一实施方式，水溶性树脂层能够作为用于抑制在水溶性树脂层的一个面侧配置的层与另一面侧配置的层之间的层间混合的层(中间层)发挥功能。
水溶性树脂层5包含化合物A及树脂。关于上述树脂，其一部分或全部包含水溶性树脂。如上所述的定义那样，“水溶性树脂”是指对液温22℃且pH7.0的水100g的溶解度为0.1g以上的树脂。
以下，对水溶性树脂层能够包含的各成分进行说明。
<化合物A>
水溶性树脂层包含化合物A。
化合物A是具有由下述通式(1)表示的基团的化合物。
通式(1)：*-CF2-H
式中，*表示键合位置。
化合物A可以为高分子化合物，也可以为低分子化合物。另外，在化合物A是高分子化合物的情况下，有时还将作为高分子化合物的化合物A称为“高分子化合物A”。并且，在化合物A是低分子化合物的情况下，有时还将作为低分子化合物的化合物A称为“低分子化合物A”。
作为高分子化合物A的重均分子量的下限值，优选为1,000以上，更优选为1,500以上，更优选超过2,000，特别优选为5,000以上。并且，作为其上限值，优选为100,000以下，更优选为80,000以下，进一步优选为60,000以下，更进一步优选为40,000以下，特别优选为20,000以下，最优选为15,000以下。
高分子化合物A的数均分子量(Mn)优选为500～40,000，更优选为600～20,000，进一步优选为600～10,000。
高分子化合物A的分散度(Mw/Mn)优选为1.00～12.00，更优选为1.00～11.00，进一步优选为1.00～10.00。
高分子化合物A优选包含具有由通式(1)表示的基团的结构单元。
作为低分子化合物A的分子量优选为100以上，更优选为500以上。低分子化合物A的分子量的上限优选为5,000以下，更优选为3,000以下，进一步优选为2,000以下。
作为低分子化合物A中的由通式(1)表示的基团的个数，只要具有1个以上，则并无特别限制，例如优选为1～3。
关于高分子化合物A及低分子化合物A的具体实施方式，在后段部进行说明。
并且，从本发明的效果更优异的观点考虑，作为化合物A优选为具有由后述的通式(2)表示的基团的化合物(以下，也称为“化合物Aa”)，更优选为具有由后述的通式(3)表示的基团的化合物(以下，也称为“化合物Ab”)。
另外，化合物Aa相当于进一步限定化合物A中的由通式(1)表示的基团的连结方式的化合物。即，化合物Aa中的存在于由通式(2)表示的基团的末端部位的-CF2-H相当于由上述通式(1)表示的基团。并且，化合物Ab是指进一步限定了化合物A中的由通式(1)表示的基团的连结方式及化合物Aa中的由通式(2)表示的基团的连结方式的化合物。即，存在于化合物Ab中的由通式(3)表示的基团的末端部位的-CF2-H相当于由上述通式(1)表示的基团，存在于化合物Ab中的由通式(3)表示的基团的末端部位的-CF2-CF2-H相当于由上述通式(2)表示的基团。
通式(2)：*-CF2-CF2-H
式中，*表示键合位置。
通式(3)：*-(CH2)m-(CF2-CF2)n-H
式中，m及n分别独立地表示1～6的整数，
作为m，优选为1～4，更优选为1或2。
作为n，优选为1～4，更优选为2或3。
*表示键合位置。
以下，对高分子化合物A及低分子化合物A分别进行说明。
(高分子化合物A)
如上所述，高分子化合物A为化合物A为高分子化合物时的实施方式。关于高分子化合物A的重均分子量及分散度的优选实施方式为如上所述。
作为高分子化合物A优选包含具有由上述通式(1)～(3)中的任一个表示的基团的结构单元，更优选包含源自由后述的通式(4)表示的单体的结构单元，进一步优选包含源自由后述的通式(4A)表示的单体的结构单元。另外，源自由后述的通式(4)表示的单体的结构单元相当于具有由上述通式(1)或(2)表示的基团的结构单元，源自由后述的通式(4A)表示的单体的结构单元相当于具有由上述通式(3)表示的基团的结构单元。
[化学式1]
Figure BDA0004086441380000131
通式(4)中，R1表示氢原子或甲基。X表示氧原子、硫原子或-N(R2)-，R2表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。L1表示2价的连结基团。RT表示由上述通式(1)或(2)表示的基团。
作为由R2表示的碳原子数1～4的烷基，可以为直链状、支链状及环状中的任一种。
作为R1，优选为氢原子。
作为R2，优选为氢原子或碳原子数1～2的烷基，更优选为碳原子数1～2的烷基。
作为X，优选为氧原子。
作为由L1表示的2价的连结基团并无特别限制，例如，可举出-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-NRX-(RX为氢原子或取代基)、亚烷基、亚烯基、亚炔基、芳香环基、脂环基及将这些组合而成的基团。作为由上述RX表示的取代基并无特别限制，例如，可举出取代基群组T中例示的取代基，优选为碳原子数1或2的烷基。
上述亚烷基、亚烯基、亚炔基、芳香环基及脂环基可以进一步具有取代基。作为取代基并无特别限制，例如可举出取代基群组T中例示的取代基。作为取代基，其中，优选为卤原子，更优选为氟原子。
作为上述亚烷基、上述亚烯基及上述亚炔基，可以为直链状也可以为支链状。
并且，作为上述亚烷基的碳原子数，优选为1～20，更优选为1～15，进一步优选为1～11，特别优选为1～10。
并且，作为上述亚烯基及上述亚炔基的碳原子数，优选为2～20，更优选为2～15，进一步优选为2～11，特别优选为2～10。
上述芳香环基可以为芳香族烃环基及芳香族杂环基中的任一种。
构成上述芳香环基的芳香环可以为单环也可以为多环。并且，作为构成上述芳香环基的芳香环的环员数并无特别限制，例如为5～15。并且，上述芳香族杂环基所包含的杂原子的数量并无特别限制，例如，优选为1～3个。作为杂原子的种类并无特别限制，例如，可举出氮原子、氧原子及硫原子等。
作为构成上述芳香环基的芳香环的种类，例如，可举出苯环、萘环、蒽环及啡啉环等芳香族烃环；呋喃环、吡咯环、噻吩环、吡啶环、噻唑环及苯并噻唑环等芳香族杂环。
上述脂环基可以为脂肪族烃环基及脂肪族杂环基中的任一种。
构成上述脂环基的脂环可以为单环也可以为多环。并且，作为构成上述脂环基的脂环的环员数并无特别限制，例如为5～15。并且，上述脂肪族杂环基所包含的杂原子的数量并无特别限制，例如，优选为1～3个。作为杂原子的种类并无特别限制，例如，可举出氮原子、氧原子及硫原子等。
作为构成上述脂环基的脂环，例如，可举出环丙烷环、环丁烷环、环戊烷环、环己烷环、环辛烷环、环癸烷环、金刚烷环、降莰烷环及exo-四氢二环戊二烯环等环烷环及环己烯环。
作为由L1表示的2价的连结基团，其中，优选为可以被*A-氟原子取代的亚烷基-*B、可以被*A-氟原子取代的亚烯基-*B或可以被*A-氟原子取代的亚炔基-*B，更优选为可以被*A-氟原子取代的亚烷基-*B。另外，*A表示与通式(4)中的X的连结位置，*B表示与通式(4)中的RT的连结位置。
[化学式2]
Figure BDA0004086441380000141
通式(4A)中，R1及X各自与通式(4)中的R1及的X的含义相同，优选实施方式也相同。
m及n分别独立地表示1～6的整数，作为m，优选为1～4，更优选为1或2。作为n，优选为1～4，更优选为2或3。
高分子化合物A中，作为具有由上述通式(1)～(3)中的任一个表示的基团的结构单元的含量的下限值，相对于高分子化合物A的总质量，优选为2质量％以上，更优选为3质量％以上，进一步优选为5质量％以上。并且，作为上限值，优选为100质量％以下，更优选为90质量％，进一步优选为80质量％。
作为具有由通式(1)～(3)中的任一个表示的基团的结构单元，可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
具有由通式(1)～(3)中的任一个表示的基团的结构单元能够由公知的方法合成。
高分子化合物A可以具有除了具有由通式(1)～(3)中的任一个表示的基团的结构单元以外的其他结构单元(以下，也称为“其他结构单元”)。
作为其他结构单元并无特别限制，从本发明的效果更优异的观点考虑，优选包含具有聚(氧化烯基)结构的结构单元。
作为聚(氧化烯基)结构，优选为由下述通式(PAL)表示的结构。
[化学式3]
Figure BDA0004086441380000151
通式(PAL)中，nAL表示2以上的整数，更优选为2～100，进一步优选为4～20，特别优选为4～15，最优选为4～12。
AL表示亚烷基。上述亚烷基可以为直链状，也可以为支链状。作为由AL表示的亚烷基的碳原子数，优选为1～10，更优选为1～6，进一步优选为2～4，特别优选为2或3。
存在nAL个的AL可以分别相同，也可以分别不同。
并且，由AL表示的亚烷基可以具有取代基。作为取代基并无特别限制，例如，可举出取代基群组T中例示的取代基。
作为AL，其中，优选为-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH(CH3)CH2-或-CH(CH2CH3)CH2-，更优选为-CH(CH3)CH2-或-CH2CH2CH2-。
*表示键合位置。
作为具有聚(氧化烯基)结构的结构单元，优选在侧链具有聚(氧化烯基)结构，更优选为源自由后述的通式(5)表示的单体的结构单元。
[化学式4]
Figure BDA0004086441380000152
式中，R3表示氢原子或甲基，Y表示氧原子、硫原子或-N(R5)-，AL表示可以具有取代基的亚烷基，nAL表示2以上的整数，R4表示氢原子或取代基，R5表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。
通式(5)中的AL及nAL各自与通式(PAL)中的AL及nAL的含义相同，优选实施方式也相同。
作为由R4表示的取代基并无特别限制，可举出取代基群组T中例示的取代基，优选为碳原子数1～6的烷基。
作为由R5表示的碳原子数1～4的烷基，可以为直链状、支链状及环状中的任一种。
作为R3及R4，优选为氢原子。
作为R5，优选为氢原子或碳原子数1～2的烷基，更优选为碳原子数1～2的烷基。
作为Y，优选为氧原子。
在高分子化合物A包含具有聚(氧化烯基)结构的结构单元的情况下，相对于高分子化合物A的总质量，其含量优选为10质量％以上，更优选为20质量％以上，进一步优选为50质量％以上。并且，作为其上限值，优选为95质量％以下，更优选为90质量％以下。
具有聚(氧化烯基)结构的结构单元可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
作为高分子化合物A可以包含的其他结构单元，除了上述结构单元以外，例如，也优选为源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元及源自(甲基)丙烯酸的结构单元。
作为上述(甲基)丙烯酸酯，例如，可举出烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯。具体而言，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯及(甲基)丙烯酸硬脂酸酯等。
高分子化合物A包含选自源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元及源自(甲基)丙烯酸的结构单元中的结构单元的情况下，其含量相对于高分子化合物A的总质量优选为10质量％以上，更优选为20质量％以上，进一步优选为30质量％以上。并且，作为上限值，优选为90质量％以下，更优选为80质量％以下，进一步优选为70质量％以下。
在高分子化合物A为共聚物的情况下，高分子化合物A也优选具有嵌段结构、接枝结构、分支结构和/或星状结构。
构成高分子化合物A的各种单体及高分子化合物A能够通过公知的方法来制造。
(低分子化合物A)
如上所述，低分子化合物A为化合物A为低分子化合物时的实施方式。关于低分子化合物A的分子量的优选实施方式如上所述。
作为低分子化合物A，优选为具有由上述通式(1)～(3)中的任一个表示的基团的化合物，更优选为由后述的(6)表示的化合物，进一步优选为由后述的通式(6A)表示的化合物，特别优选为由后述的通式(6B)表示的化合物。另外，由后述的通式(6)表示的化合物相当于具有由上述通式(1)或(2)表示的基团的化合物，由后述的通式(6A)或(6B)表示的化合物相当于具有由上述通式(3)表示的基团的化合物。
[化学式5]
Z-L2-RT  (6)
通式(6)中，Z表示1价的有机基团。L2表示单键或2价的连结基团。RT表示由上述通式(1)或(2)表示的基团。
作为由Z表示的1价的有机基团并无特别限制，例如，可以包含杂原子的(另外，杂原子例如可以包含-O-、-CO-、-S-、-SO2-及-NRX-(RX为氢原子或取代基))、烷基、烯基及炔基。作为由上述RX表示的取代基并无特别限制，例如，可举出取代基群组T中例示的取代基。
上述烷基、烯基及炔基可以进一步具有取代基。作为取代基并无特别限制，例如可举出取代基群组T中例示的取代基。
作为上述烷基、烯基及炔基，可以为直链状、支链状及环状中的任一种。
并且，作为上述烷基的碳原子数并无特别限制，例如为1～40，优选为1～30，更优选为1～20。
并且，作为上述烯基及上述炔基的碳原子数并无特别限制，例如为2～40，优选为2～30，更优选为2～20。
作为Z，其中，优选为具有聚(氧化烯基)结构的1价的有机基团。作为聚(氧化烯基)结构，优选为由上述通式(PAL)表示的结构。
另外，Z与通式(6)中的L2的连结位置的原子优选为碳原子。
作为由L2表示的2价的连结基团，例如，可举出与上述通式(4)中的由L1表示的2价的连结基团相同的2价的连结基团。
作为由L2表示的2价的连结基团，其中，优选为可以被*A-L21-氟原子取代的亚烷基-*B、可以被*A-L21-氟原子取代的亚烯基-*B或可以被*A-L21-氟原子取代的亚炔基-*B，更优选为可以被*A-L21-氟原子取代的亚烷基-*B。
L21表示-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-NRX-(RX为氢原子或取代基)或将这些组合而成的基团。作为由上述RX表示的取代基并无特别限制，例如，可举出取代基群组T中例示的取代基，优选为碳原子数1或2的烷基。作为L21，其中，优选为-O-、-S-或-NRX-，更优选为-O-。
*A表示与通式(6)中的Z的连结位置，*B表示与通式(6)中的RT的连结位置。
[化学式6]
Figure BDA0004086441380000181
式中，Z表示1价的有机基团，L3表示氧原子、硫原子或-N(R6)-，m及n分别独立地表示1～6的整数，R6表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。
作为通式(6A)中的由Z表示的1价的有机基团，可举出与通式(6)中的由Z表示的1价的有机基团相同的1价的有机基团，优选实施方式也相同。
作为由R6表示的碳原子数1～4的烷基，可以为直链状、支链状及环状中的任一种。
作为L3，优选为氧原子。
作为m，优选为1～4，更优选为1或2。
作为n，优选为1～4，更优选为2或3。
[化学式7]
Figure BDA0004086441380000182
通式(6B)中的AL及nAL各自与通式(PAL)中的AL及nAL的含义相同，优选实施方式也相同。
通式(6B)中的L3、m、及n各自与通式(6A)中的L3、m及n的含义相同，优选实施方式也相同。
通式(6B)中，R7表示氢原子或取代基。
作为由R7表示的取代基并无特别限制，可举出取代基群组T中例示的取代基，优选为碳原子数1～6的烷基。
作为R7，优选为氢原子。
低分子化合物A能够通过公知的方法来制造。
以下，例示出化合物A的具体例，本发明中的化合物A并不限定于此。
[化学式8]
Figure BDA0004086441380000191
[化学式9]
Figure BDA0004086441380000192
[化学式10]
Figure BDA0004086441380000201
[化学式11]
Figure BDA0004086441380000202
化合物A包含高分子化合物A的情况下，高分子化合物A可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
化合物A包含低分子化合物A的情况下，低分子化合物A可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
水溶性树脂层作为化合物A而可以为仅使用高分子化合物A的方式、仅使用低分子化合物A的方式及并用高分子化合物A及低分子化合物A的方式中的任一种。
化合物A的含量(包含多种的情况下，为其总含量)相对于水溶性树脂层的总质量优选为0.001～10质量％，更优选为0.01～3质量％，进一步优选为0.02～1质量％。
<树脂>
水溶性树脂层包含树脂。
如上所述，上述树脂作为其一部分或全部而包含水溶性树脂。
作为能够用作水溶性树脂的树脂，例如，可举出聚乙烯醇系树脂、聚乙烯吡咯啶酮系树脂、纤维素系树脂、丙烯酰胺系树脂、聚环氧乙烷系树脂、明胶、乙烯基醚系树脂、聚酰胺树脂及这些的共聚物等树脂。
并且，作为水溶性树脂，也能够使用(甲基)丙烯酸/乙烯酯化合物的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸/乙烯酯化合物的共聚物，优选为(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸烯丙酯的共聚物，更优选为甲基丙烯酸/甲基丙烯酸烯丙酯的共聚物。
水溶性树脂为(甲基)丙烯酸/乙烯基化合物的共聚物的情况下，作为各组成比(摩尔％)，例如，优选为90/10～20/80，更优选为80/20～30/70。
作为水溶性树脂的重均分子量的下限值，优选为5,000以上，更优选为7,000以上，进一步优选为10,000以上。并且，作为其上限值，优选为200,000以下，更优选为100,000以下，进一步优选为50,000以下。
水溶性树脂的分散度(Mw/Mn)优选为1～10，更优选为1～5。
另外，从进一步提高水溶性树脂层的层间混合的抑制性能的观点考虑，水溶性树脂层中的树脂优选为与在水溶性树脂层的一个面侧配置的层中所包含的树脂及在另一个面侧配置的层中所包含的树脂不同的树脂。例如，在感光性树脂层7中包含后述的聚合物A，并且在热塑性树脂层3中包含后述的热塑性树脂(碱溶性树脂)的情况下，水溶性树脂层5的树脂优选为与聚合物A及热塑性树脂(碱溶性树脂)不同的树脂。
从进一步提高阻氧性、以及层间混合的抑制性能的观点考虑，水溶性树脂优选包含聚乙烯醇，更优选包含聚乙烯醇及聚乙烯吡咯啶酮这两者。
水溶性树脂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
水溶性树脂的含量并无特别限制，从进一步提高阻氧性、以及层间混合的抑制性能的观点考虑，相对于水溶性树脂层的总质量优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上。另外，作为其上限值，并无特别限制，例如，优选为99.9质量％以下，进一步优选为99.8质量％以下。
水溶性树脂层的层厚并无特别限制，但是优选为0.1～5μm，更优选为0.5～3μm。若水溶性树脂层的厚度在上述范围内，则阻氧性不降低且层间混合的抑制性能优异。并且，也能够进一步抑制显影时的水溶性树脂层的去除时间的增加。
《感光性树脂层》
在静电电容型输入装置等具备触摸面板的显示装置(有机电致发光(EL)显示装置及液晶显示装置等)中，在触摸面板内部设置有相当于视觉辨识部的传感器的电极图案、周边布线部分及取出配线部分的配线等导电层图案。通常，为了形成图案化的层，广泛采用了如下方法：使用转印膜等在基板上设置负型感光性树脂层(感光层)，经由具有所期望的图案的掩膜对该感光层进行曝光之后，进行显影。因此，作为感光性树脂层，优选为负型感光性树脂层。
感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，负型感光性树脂层优选包含树脂、聚合性化合物及聚合引发剂。并且，感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，如后所述，优选作为树脂的一部分或全部而包含碱溶性树脂(碱溶性树脂即聚合物A等)。即，在一实施方式中，感光性树脂层优选含有包含碱溶性树脂的树脂、聚合性化合物及聚合引发剂。
这种感光性树脂层(负型感光性树脂层)以感光性树脂层的总质量为基准，优选包含树脂：10～90质量％；聚合性化合物：5～70质量％；聚合引发剂：0.01～20质量％。
以下，依次对各成分进行说明。
<聚合物A(树脂)>
感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，尤其将感光性树脂层中所包含的树脂称为聚合物A。
聚合物A优选为碱溶性树脂。
从通过抑制由显影液引起的负型感光性树脂层的膨润而分辨率更优异的观点考虑，聚合物A的酸值优选为220mgKOH/g以下，更优选小于200mgKOH/g，进一步优选小于190mgKOH/g。
聚合物A的酸值的下限并无特别限制，但是从显影性更优异的观点考虑，优选为60mgKOH/g以上，更优选为120mgKOH/g以上，进一步优选为150mgKOH/g以上，特别优选为170mgKOH/g以上。
另外，酸值为中和试样1g所需的氢氧化钾的质量[mg]，在本说明书中，将单位记载为mgKOH/g。酸值例如能够根据化合物中的酸基的平均含量来计算。
关于聚合物A的酸值，只要根据构成聚合物A的结构单元的种类及包含酸基的结构单元的含量来调整即可。
聚合物A的重均分子量优选为5,000～500,000。在重均分子量为500,000以下的情况下，从提高分辨率及显影性的观点考虑优选。重均分子量更优选为100,000以下，进一步优选为60,000以下。另一方面，在重均分子量为5,000以上的情况下，从控制显影凝聚物的性状、以及作为负型感光性树脂层叠体时的边缘熔融性及切割晶片性等未曝光膜的性状的观点考虑优选。重均分子量更优选为10,000以上，进一步优选为20,000以上，特别优选为30,000以上。边缘熔融性是指作为负型感光性树脂层叠体而卷取为卷状时，负型感光性树脂层容易从卷的端面溢出的程度。切割晶片性是指在用切割器切割未曝光膜的情况下晶片的易飞起程度。若该晶片附着于负型感光性树脂层叠体的上表面等，则在随后的曝光工序等中转印到掩膜而成为次品的原因。聚合物A的分散度优选为1.0～6.0，更优选为1.0～5.0，进一步优选为1.0～4.0，特别优选为1.0～3.0。
负型感光性树脂层中，从抑制曝光时的焦点位置偏移时线宽变粗、分辨率的劣化的观点考虑，聚合物A优选包含基于具有芳香烃的单体的结构单元。另外，作为这种芳香烃，例如，可举出经取代或未经取代的苯基及经取代或未经取代的芳烷基。相对于聚合物A的总质量，聚合物A中的基于具有芳香烃的单体的结构单元的含量优选为20质量％以上，更优选为30质量％以上。作为上限，并无特别限定，但是优选为95质量％以下，更优选为85质量％以下。另外，在包含多种聚合物A的情况下，基于具有芳香烃的单体的结构单元的含量的平均值优选在上述范围内。
作为具有芳香烃的单体，例如，可举出具有芳烷基的单体、苯乙烯及能够聚合的苯乙烯衍生物(例如，甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、叔丁氧基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、4-乙烯基苯甲酸、苯乙烯二聚物及苯乙烯三聚物等)。其中，优选为具有芳烷基的单体或苯乙烯。在一实施方式中，在聚合物A中的具有芳香烃的单体成分为苯乙烯的情况下，相对于聚合物A的总质量，基于苯乙烯的结构单元的含量优选为20～70质量％，更优选为25～65质量％，进一步优选为30～60质量％，特别优选为30～55质量％。
作为芳烷基，可举出经取代或未经取代的苯基烷基(去除苄基)及经取代或未经取代的苄基等，优选为经取代或未经取代的苄基。
作为具有苯基烷基的单体，可举出(甲基)丙烯酸苯乙酯等。
作为具有苄基的单体，可举出具有苄基的(甲基)丙烯酸酯、例如(甲基)丙烯酸苄酯及(甲基)丙烯酸氯苄酯等；具有苄基的乙烯基单体、例如乙烯基氯化苄及苯甲醇等。其中，优选为(甲基)丙烯酸苄酯。在一实施方式中，聚合物A中的具有芳香烃的单体成分为(甲基)丙烯酸苄酯的情况下，相对于聚合物A的总质量，基于(甲基)丙烯酸苄酯的结构单元的含量优选为50～95质量％，更优选为60～90质量％，进一步优选为70～90质量％，特别优选为75～90质量％。
包含基于具有芳香烃的单体的结构单元的聚合物A优选通过使具有芳香烃的单体与后述的第一单体中的至少1种和/或后述的第二单体中的至少1种聚合而获得。
不包含基于具有芳香烃的单体的结构单元的聚合物A优选通过使后述的第一单体中的至少1种聚合而获得，更优选通过使第一单体中的至少1种与后述的第二单体中的至少1种共聚而获得。
第一单体为在分子中具有羧基的单体。作为第一单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸、富马酸、肉桂酸、巴豆酸、衣康酸、4-乙烯基苯甲酸、马来酸酐及马来酸半酯等。这些中，优选为(甲基)丙烯酸。
相对于聚合物A的总质量，聚合物A中的基于第一单体的结构单元的含量优选为5～50质量％，更优选为10～40质量％，进一步优选为15～30质量％。
从显现良好的显影性的观点、控制边缘熔融性等的观点考虑，优选将上述含量设为5质量％以上。从阻剂图案的高分辨率及边缘形状的观点考虑，进而从阻剂图案的耐化学品性的观点考虑，优选将上述含量设为50质量％以下。
第二单体为非酸性并且为在分子中具有至少1个聚合性不饱和基团的单体。作为第二单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸环己酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等(甲基)丙烯酸酯类；乙酸乙烯酯等乙烯醇的酯类；以及(甲基)丙烯腈等。其中，优选为(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯或(甲基)丙烯酸正丁酯，更优选为(甲基)丙烯酸甲酯。
相对于聚合物A的总质量，聚合物A中的基于第二单体的结构单元的含量优选为5～60质量％，更优选为15～50质量％，进一步优选为17～45质量％。
在聚合物A包含基于具有芳烷基的单体的结构单元和/或基于具有苯乙烯的单体的结构单元的情况下，从抑制曝光时的焦点位置偏移时线宽变粗、分辨率的劣化的观点考虑优选。例如，优选为包含基于甲基丙烯酸的结构单元、基于甲基丙烯酸苄酯的结构单元及基于苯乙烯的结构单元的共聚物、包含基于甲基丙烯酸的结构单元、基于甲基丙烯酸甲酯的结构单元、基于甲基丙烯酸苄酯的结构单元及基于苯乙烯的结构单元的共聚物等。
在一实施方式中，聚合物A优选为包含25～55质量％的基于具有芳香烃的单体的结构单元、20～35质量％的基于第一单体的结构单元及15～45质量％的基于第二单体的结构单元的聚合物。并且，在另一实施方式中，优选为包含70～90质量％的基于具有芳香烃的单体的结构单元及10～25质量％的基于第一单体的结构单元的聚合物。
聚合物A可以在侧链具有支链结构和/或脂环结构。并且，可以在侧链具有直链结构。通过使用包含在侧链具有支链结构的基团的单体或包含在侧链具有脂环结构的基团的单体，能够将支链结构、脂环结构导入到聚合物A的侧链。具有脂环结构的基团可以为单环或多环。
作为包含在侧链具有支链结构的基团的单体的具体例，可举出(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸叔戊酯、(甲基)丙烯酸仲异戊酯、(甲基)丙烯酸2-辛酯、(甲基)丙烯酸3-辛酯及(甲基)丙烯酸叔辛酯等。这些中，优选为(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸异丁酯或甲基丙烯酸叔丁酯，更优选为甲基丙烯酸异丙酯或甲基丙烯酸叔丁酯。
作为包含在侧链具有脂环结构的基团的单体的具体例，可举出具有碳原子数5～20个的脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯。作为更具体的例子，可举出(甲基)丙烯酸(双环〔2.2.1]庚基-2)、(甲基)丙烯酸-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-3-甲基-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-3，5-二甲基-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-3-乙基金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-3-甲基-5-乙基-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-3，5，8一三乙基-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-3，5-二甲基-8-乙基-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸3-羟基-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸八氢-4，7-亚薄荷醇(mentanoindene)-5-基、(甲基)丙烯酸八氢-4，7-亚薄荷醇-1-基甲基酯、(甲基)丙烯酸-1-薄荷基酯、(甲基)丙烯酸三环癸烷、(甲基)丙烯酸-3-羟基-2，6，6-三甲基-双环〔3.1.1〕庚基酯、(甲基)丙烯酸-3，7，7-三甲基-4-羟基-双环〔4.1.0〕庚基酯、(甲基)丙烯酸(降)莰酯、(甲基)丙烯酸异莰酯、(甲基)丙烯酸葑基酯、(甲基)丙烯酸-2，2，5-三甲基环己酯及(甲基)丙烯酸环己酯等。这些(甲基)丙烯酸酯中，优选为(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸降莰酯、(甲基)丙烯酸异莰酯、(甲基)丙烯酸-1-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸-2-金刚烷基酯、(甲基)丙烯酸葑基酯、(甲基)丙烯酸1-薄荷基酯或(甲基)丙烯酸三环癸烷，更优选为(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸降莰酯、(甲基)丙烯酸异莰酯、(甲基)丙烯酸-2-金刚烷基酯或(甲基)丙烯酸三环癸烷。
聚合物A可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
在使用2种以上的情况下，优选混合使用2种包含基于具有芳香烃的单体的结构单元的聚合物A、或者混合使用包含基于具有芳香烃的单体的结构单元的聚合物A和不包含基于具有芳香烃的单体的结构单元的聚合物A。在后者的情况下，相对于聚合物A的总质量，包含基于具有芳香烃的单体的结构单元的聚合物A的使用比例优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上，优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上。
关于聚合物A的合成，优选通过在用丙酮、甲基乙基酮及异丙醇等溶剂稀释上述单数或多个单体而成的溶液中添加适量的过氧化苯甲酰及偶氮异丁腈等自由基聚合引发剂，并进行加热搅拌来进行。有时还一边将混合物的一部分滴加到反应液中一边进行合成。有时还在反应结束之后，进一步加入溶剂，调整至所期望的浓度。作为合成方法，除了溶液聚合以外，还可以使用整体聚合(bulk polymerization)、悬浮聚合或乳化聚合。
聚合物A的玻璃化转变温度Tg优选为30～135℃。通过使用具有135℃以下的Tg的聚合物A，能够抑制曝光时的焦点位置偏移时线宽变粗、分辨率的劣化。从该观点考虑，聚合物A的Tg优选为130℃以下，进一步优选为120℃以下，特别优选为110℃以下。并且，从提高耐边缘熔融性的观点考虑，优选使用具有30℃以上的Tg的聚合物A。从该观点考虑，聚合物A的Tg更优选为40℃以上，进一步优选为50℃以上，特别优选为60℃以上，最优选为70℃以上。
负型感光性树脂层作为聚合物A而包含除了上述以外的其他树脂。
作为其他树脂，可举出丙烯酸树脂、苯乙烯-丙烯酸系共聚物、聚胺酯树脂、聚乙烯醇、聚乙烯甲醛、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂、聚缩醛树脂、聚羟基苯乙烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂、硅酮烷树脂、聚乙烯亚胺、聚烯丙基胺及聚亚烷基二醇。
作为聚合物A，可以使用在后述的热塑性树脂层的说明中叙述的碱溶性树脂。
聚合物A的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选为10～90质量％，更优选为20～80质量％，进一步优选为30～70质量％，特别优选为40～60质量％。从控制显影时间的观点考虑，优选将聚合物A的含量设为90质量％以下。另一方面，从提高耐边缘熔融性的观点考虑，将聚合物A的含量优选设为10质量％以上。
<聚合性化合物>
感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，负型感光性树脂层优选包含具有聚合性基团的聚合性化合物。另外，在本说明书中，“聚合性化合物”为受到后述的聚合引发剂的作用而聚合的化合物，并且是指与上述聚合物A不同的化合物。
作为聚合性化合物所具有的聚合性基团，只要为与聚合反应相关的基团，则并无特别限制，例如，可举出乙烯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯乙烯基及马来酰亚胺基等具有烯属不饱和基团的基团；以及环氧基及氧环丁烷基等具有阳离子性聚合性基团的基团。
作为聚合性基团，优选为具有烯属不饱和基团的基团，更优选为丙烯酰基或甲基丙烯酰基。
作为聚合性化合物，从负型感光性树脂层的感光性更优异的观点考虑，优选为具有1个以上的烯属不饱和基团的化合物(烯属不饱和化合物)，更优选为在一分子中具有2个以上的烯属不饱和基团的化合物(多官能烯属不饱和化合物)。
并且，从分辨率及剥离性更优异的观点考虑，烯属不饱和化合物在一分子中具有的烯属不饱和基团的数量优选为6个以下，更优选为3个以下，进一步优选为2个以下。
从负型感光性树脂层的感光性与分辨率及剥离性的平衡更优异的观点考虑，优选包含在一分子中具有2个或3个烯属不饱和基团的2官能或3官能烯属不饱和化合物，更优选包含在一分子中具有2个烯属不饱和基团的2官能烯属不饱和化合物。
从剥离性优异的观点考虑，相对于组合物的总固体成分，相对于负型感光性树脂层的总质量的2官能烯属不饱和化合物的含量优选为20质量％以上，更优选为超过40质量％，进一步优选为55质量％以上。上限并无特别限制，可以为100质量％。即，聚合性化合物均可以为2官能烯属不饱和化合物。
并且，作为烯属不饱和化合物，优选为具有(甲基)丙烯酰基作为聚合性基团的(甲基)丙烯酸酯化合物。
(聚合性化合物B1)
负型感光性树脂层也优选包含具有芳香环及2个烯属不饱和基团的聚合性化合物B1。聚合性化合物B1为上述的聚合性化合物B中的在一分子中具有1个以上的芳香环的2官能烯属不饱和化合物。
从分辨率更优异的观点考虑，负型感光性树脂层中，相对于聚合性化合物的总质量的聚合性化合物B1的含量的质量比优选为40％以上，更优选为50质量％以上，进一步优选为55质量％以上，特别优选为60质量％以上。上限并无特别限制，但是从剥离性的观点考虑，例如为100质量％以下，优选为99质量％以下，更优选为95质量％以下，进一步优选为90质量％以下，特别优选为85质量％以下。
作为聚合性化合物B1所具有的芳香环，例如，可举出苯环、萘环及蒽环等芳香族烃环、噻吩环、呋喃环、吡咯环、咪唑环、三唑环及吡啶环等芳香族杂环、以及这些的稠环，优选为芳香族烃环，更优选为苯环。另外，上述芳香环可以具有取代基。
聚合性化合物B1可以仅具有1个芳香环，也可以具有2个以上的芳香环。
从通过抑制由显影液引起的感光性树脂层的膨润而分辨率提高的观点考虑，优选为聚合性化合物B1具有双酚结构。
作为双酚结构，例如，可举出源自双酚A(2，2-双(4-羟基苯基)丙烷)的双酚A结构、源自双酚F(2，2-双(4-羟基苯基)甲烷)的双酚F结构及源自双酚B(2，2-双(4-羟基苯基)丁烷)的双酚B结构，优选为双酚A结构。
作为具有双酚结构的聚合性化合物B1，例如，可举出具有双酚结构和与该双酚结构的两端键合的2个聚合性基团(优选为(甲基)丙烯酰基)的化合物。
双酚结构的两端与2个聚合性基团可以直接键合，也可以经由1个以上的亚烷氧基键合。作为加成到双酚结构的两端的亚烷氧基，优选为亚乙氧基或亚丙氧基，更优选为亚乙氧基。加成到双酚结构的亚烷氧基的加成数量并无特别限制，但是每1个分子优选为4～16个，更优选为6～14个。
关于具有双酚结构的聚合性化合物B1，记载于日本特开2016-224162号公报0072～0080段，该公报中所记载的内容被编入到本说明书中。
作为聚合性化合物B1，优选为具有双酚A结构的2官能烯属不饱和化合物，更优选为2，2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基聚烷氧基)苯基)丙烷。
作为2，2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基聚烷氧基)苯基)丙烷，例如，可举出2，2-双(4-(甲基丙烯酰氧基二乙氧基)苯基)丙烷(FA-324M，Hitachi Chemical Co.，Ltd.制造)、2，2-双(4-(甲基丙烯酰氧基乙氧基丙氧基)苯基)丙烷、2，2-双(4-(甲基丙烯酰氧基五乙氧基)苯基)丙烷(BPE-500，Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)、2，2-双(4-(甲基丙烯酰氧基十二乙氧基四丙氧基)苯基)丙烷(FA-3200MY，Hitachi Chemical Co.，Ltd.制造)、2，2-双(4-(甲基丙烯酰氧基十五乙氧基)苯基)丙烷(BPE-1300，Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)、2，2-双(4-(甲基丙烯酰氧基二乙氧基)苯基)丙烷(BPE-200，Shin-NakamuraChemical Co.，Ltd.制造)及乙氧基化(10)双酚A二丙烯酸酯(NK Ester A-BPE-10，Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)。
作为聚合性化合物B1，也优选为由下述通式(B1)表示的化合物。
[化学式12]
Figure BDA0004086441380000301
通式B1中，R1及R2分别独立地表示氢原子或甲基。A表示C2H4。B表示C3H6。n1及n3各自独立地为1～39的整数，并且n1+n3为2～40的整数。n2及n4各自独立地为0～29的整数，并且n2+n4为0～30的整数。-(A-O)-及-(B-O)-的结构单元的排列可以为无规则，也可以为嵌段。并且，在嵌段的情况下，-(A-O)-和-(B-O)-均可以在双苯基侧。
在一实施方式中，n1+n2+n3+n4优选为2～20，更优选为2～16，进一步优选为4～12。并且，n2+n4优选为0～10，更优选为0～4，进一步优选为0～2，特别优选为0。
聚合性化合物B1可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
从分辨率更优异的观点考虑，聚合性化合物B1的含量相对于负型感光性树脂层的总质量，优选为10质量％以上，更优选为20质量％以上。上限并无特别限制，但是从转印性及边缘熔融(感光性树脂从转印部件的端部渗出的现象)的观点考虑，优选为70质量％以下，更优选为60质量％以下。
负型感光性树脂层可以包含除了上述聚合性化合物B1以外的聚合性化合物。
除了聚合性化合物B1以外的聚合性化合物并无特别限制，能够从公知的化合物中适当地选择。例如，可举出在一分子中具有1个烯属不饱和基团的化合物(单官能烯属不饱和化合物)、不具有芳香环的2官能烯属不饱和化合物及3官能以上的烯属不饱和化合物。
作为单官能烯属不饱和化合物，例如，可举出(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、2-(甲基)丙烯酰氧基乙基琥珀酸盐、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯及苯氧基(甲基)丙烯酸乙酯。
作为不具有芳香环的2官能烯属不饱和化合物，例如，可举出亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯、胺酯二(甲基)丙烯酸酯及三羟甲基丙烷二丙烯酸酯。
作为亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯，例如，可举出三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP，Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)、三环癸烷二甲醇二甲基丙烯酸酯(DCP，Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)、1，9-壬二醇二丙烯酸酯(A-NOD-N，Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)、1，6-己二醇二丙烯酸酯(A-HD-N，Shin-NakamuraChemical Co.，Ltd.制造)、乙二醇二甲基丙烯酸酯、1，10-癸二醇二丙烯酸酯及季戊二醇二(甲基)丙烯酸酯。
作为聚亚烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯，例如，可举出聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯及聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯。
作为胺酯二(甲基)丙烯酸酯，例如，可举出环氧丙烷改性胺酯二(甲基)丙烯酸酯、以及环氧乙烷及环氧丙烷改性胺酯二(甲基)丙烯酸酯。作为市售品，例如，可举出8UX-015A(TAISEI FINE CHEMICAL CO，.LTD.制造)、UA-32P(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)及UA-1100H(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造)。
作为3官能以上的烯属不饱和化合物，例如，可举出二季戊四醇(三/四/五/六)(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(三/四)(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基乙烷三(甲基)丙烯酸酯、异三聚氰酸三(甲基)丙烯酸酯、丙三醇三(甲基)丙烯酸酯及这些的环氧烷改性物。
在此，“(三/四/五/六)(甲基)丙烯酸酯”为包含三(甲基)丙烯酸酯、四(甲基)丙烯酸酯、五(甲基)丙烯酸酯及六(甲基)丙烯酸酯的概念，“(三/四)(甲基)丙烯酸酯”为包含三(甲基)丙烯酸酯及四(甲基)丙烯酸酯的概念。
在一实施方式中，负型感光性树脂层也优选包含上述聚合性化合物B1及3官能以上的烯属不饱和化合物，更优选包含上述聚合性化合物B1及2种以上的3官能以上的烯属不饱和化合物。此时，聚合性化合物B1与3官能以上的烯属不饱和化合物的质量比优选为(聚合性化合物B1的总质量)∶(3官能以上的烯属不饱和化合物的总质量)＝1∶1～5∶1，更优选为1.2∶1～4∶1，进一步优选为1.5∶1～3∶1。
并且，在一实施方式中，负型感光性树脂层优选包含上述聚合性化合物B1及2种以上的3官能烯属不饱和化合物。
作为3官能以上的烯属不饱和化合物的环氧烷改性物，可举出己内酯改性(甲基)丙烯酸酯化合物(Nippon Kayaku Co.，Ltd.制造的KAYARAD(注册商标)DPCA-20、Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造的A-9300-1CL等)、环氧烷改性(甲基)丙烯酸酯化合物(Nippon Kayaku Co.，Ltd.制造的KAYARAD RP-1040、Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造的ATM-35E及A-9300、DAI-CELL-ALLNEX LTD.制造的EBECRYL(注册商标)135等)、乙氧基化丙三醇三丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造的A-GLY-9E等)、ARONIX(注册商标)TO-2349(TOAGOSEI CO.，LTD.制造)、ARONIX M-520(TOAGOSEI CO.，LTD.制造)及ARONIX M-510(TOAGOSEI CO.，LTD.制造)。
并且，作为聚合性化合物，可以使用具有酸基(羧基等)的聚合性化合物。上述酸基可以形成酸酐基。作为具有酸基的聚合性化合物，可举出ARONIX(注册商标)TO-2349(TOAGOSEI CO.，LTD.制造)、ARONIX(注册商标)M-520(TOAGOSEI CO.，LTD.制造)及ARONIX(注册商标)M-510(TOAGOSEI CO.，LTD.制造)。
作为具有酸基的聚合性化合物，例如，可以使用日本特开2004-239942号公报的0025～0030段中记载的具有酸基的聚合性化合物。
聚合性化合物可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
聚合性化合物的含量相对于负型感光性树脂层的总质量优选为10～70质量％，更优选为15～70质量％，进一步优选为20～70质量％。
作为聚合性化合物(包含聚合性化合物B1)的分子量(在具有分子量分布的情况下为重均分子量)，优选为200～3,000，更优选为280～2,200，进一步优选为300～2,200。
<聚合引发剂>
感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，负型感光性树脂层优选包含聚合引发剂。
聚合引发剂可根据聚合反应的形式来选择，例如，可举出热聚合引发剂及光聚合引发剂。
聚合引发剂可以为自由基聚合引发剂，也可以为阳离子聚合引发剂。
负型感光性树脂层优选包含光聚合引发剂。
光聚合引发剂为接收紫外线、可见光线及X射线等活化光线而开始聚合性化合物的聚合的化合物。作为光聚合引发剂，并无特别限制，能够使用公知的光聚合引发剂。
作为光聚合引发剂，例如，可举出光自由基聚合引发剂及光阳离子聚合引发剂，优选为光自由基聚合引发剂。
作为光自由基聚合引发剂，例如，可举出具有肟酯结构的光聚合引发剂、具有α-氨基烷基苯酮结构的光聚合引发剂、具有α-羟基烷基苯酮结构的光聚合引发剂、具有酰基氧化膦结构的光聚合引发剂及具有N-苯甘胺酸结构的光聚合引发剂。
并且，从感光性、曝光部及非曝光部的可见性及分辨率的观点考虑，优选负型感光性树脂层包含选自2，4，5-三芳基咪唑二聚体及其衍生物中的至少1种作为光自由基聚合引发剂。另外，2，4，5-三芳基咪唑二聚体及其衍生物中的2个2，4，5-三芳基咪唑结构可以相同，也可以不同。
作为2，4，5-三芳基咪唑二聚体的衍生物，例如，可举出2-(邻氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻氯苯基)-4，5-二(甲氧基苯基)咪唑二聚体、2-(邻氟苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体、2-(邻甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体及2-(对甲氧基苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体。
作为光自由基聚合引发剂，例如，可以使用日本特开2011-095716号公报的0031～0042段、日本特开2015-014783号公报的0064～0081段中所记载的聚合引发剂。
作为光自由基聚合引发剂，例如，可举出二甲氨基苯甲酸乙酯(DBE、CASNo.10287-53-3)、安息香甲醚、甲氧苯基(p，p’-二甲氧基苄酯)、TAZ-110(产品名称：MidoriKagaku Co.，Ltd.制造)、二苯甲酮、4，4’-双(二乙基氨基)二苯甲酮、TAZ-111(产品名称：Midori Kagaku Co.，Ltd.制造)、IrgacureOXE01、OXE02、OXE03、OXE04(BASF公司制造)、Omnirad651及369(产品名称：IGM Resins B.V.制造)及2，2’-双(2-氯苯基)-4，4’，5，5’-四苯基-1，2’-双咪唑(Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造)。
作为光自由基聚合引发剂的市售品，例如，可举出1-[4-(苯硫基)]-1，2-辛二酮-2-(邻苯甲酰基肟)(产品名称：IRGACURE(注册商标)OXE-01，BASF公司制造)、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮-1-(邻乙酰肟)(产品名称：IRGACURE OXE-02，BASF公司制造)、IRGACURE OXE-03(BASF公司制造)、IRGACURE OXE-04(BASF公司制造)、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮(产品名称：Omnirad379EG，IGM Resins B.V.公司制造)、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-口末啉丙烷-1-酮(产品名称：Omnirad 907，IGM Resins B.V.公司制造)、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮(产品名称：Omnirad 127，IGM Resins B.V.公司制造)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-口末啉苯基)丁酮-1(产品名称：Omnirad 369，IGM ResinsB.V.公司制造)、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(产品名称：Omnirad 1173，IGM ResinsB.V.公司制造)、1-羟基环己基苯基酮(产品名称：Omnitad 184，IGM Resins B.V.公司制造)、2，2-二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮(产品名称：Omnirad 651，IGM Resins B.V.公司制造)、2，4，6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦(产品名称：Omnirad TPO H，IGM Resins B.V.公司制造)、双(2，4，6-三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦(产品名称：Omnirad 819，IGM ResinsB.V.公司制造)、肟酯系的光聚合引发剂(产品名称：Lunar 6，DKSH Management Ltd.制造)、2，2’-双(2-氯苯基)-4，4’，5，5’-四苯基双咪唑(2-(2-氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体)(产品名称：B-CIM，Hampford Research Inc.制造)及2-(邻氯苯基)-4，5-二苯基咪唑二聚体(产品名称：BCTB，Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造)、1-[4-(苯硫基)苯基]-3-环戊基丙烷-1，2-二酮-2-(邻苯甲酰肟)(产品名称：TR-PBG-305，Changzhou Tronly NewElectronic Materials CO.，LTD.制造)、1，2-丙烷二酮，3-环己基-1-[9-乙基-6-(2-呋喃基羰基)-9H-咔唑-3-基]-，2-(邻乙酰肟)(产品名称：TR-PBG-326，Changzhou Tronly NewFlectronic Materials CO.，LTD.制造)及3-环己基-1-(6-(2-(苯甲酰氧基亚氨基)己酰基)-9-乙基-9H-咔唑-3-基)-丙烷-1，2-二酮-2-(邻苯甲酰肟)(产品名称：TR-PBG-391，Changzhou Tronly New Electronic Materials CO.，LTD.制造)。
光阳离子聚合引发剂(光产酸剂)为接收活化光线而产生酸的化合物。作为光阳离子聚合引发剂，优选感应波长300nm以上、优选为波长300～450nm的活化光线而产生酸的化合物，但是其化学结构并无特别限制。并且，关于不直接感应波长300nm以上的活化光线的光阳离子聚合引发剂，若为通过并用敏化剂来感应波长300nm以上的活化光线而产生酸的化合物，也能够与敏化剂组合而优选地使用。
作为光阳离子聚合引发剂，优选为产生pKa为4以下的酸的光阳离子聚合引发剂，更优选为产生pKa为3以下的酸的光阳离子聚合引发剂，特别优选为产生pKa为2以下的酸的光阳离子聚合引发剂。pKa的下限值没有特别限定，但是例如优选为-10.0以上。
作为光阳离子聚合引发剂，可举出离子性光阳离子聚合引发剂及非离子性光阳离子聚合引发剂。
作为离子性光阳离子聚合引发剂，例如，可举出二芳基錪盐类及三芳基锍盐类等鎓盐化合物、以及季铵盐类。
作为离子性光阳离子聚合引发剂，可以使用日本特开2014-085643号公报的0114～0133段中所记载的离子性光阳离子聚合引发剂。
作为非离子性光阳离子聚合引发剂，例如，可举出三氯甲基均三嗪类、重氮甲烷化合物、酰亚胺磺酸酯化合物及肟磺酸盐化合物。作为三氯甲基均三嗪类、重氮甲烷化合物及酰亚胺磺酸酯化合物，可以使用日本特开2011-221494号公报的0083～0088段中所记载的化合物。并且，作为肟磺酸盐化合物，可以使用国际公开第2018/179640号的0084～0088段中所记载的化合物。
负型感光性树脂层优选包含光自由基聚合引发剂，更优选包含选自2，4，5-三芳基咪唑二聚体及其衍生物中的至少1种。
聚合引发剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
聚合引发剂(优选为光聚合引发剂)的含量并无特别限制，但是相对于负型感光性树脂层的总质量，优选为0.1质量％以上，更优选为0.5质量％以上，进一步优选为1.0质量％以上。上限并无特别限制，但是相对于负型感光性树脂层的总质量，优选为20质量％以下，进一步优选为15质量％以下，更优选为10质量％以下。
<色素>
从曝光部及非曝光部的可见性、显影后的图案可见性及分辨率的观点考虑，也优选感光性树脂层包含显色时的波长范围400～780nm中的最大吸收波长为450nm以上并且因酸、碱或自由基而最大吸收波长改变的色素(也称为“色素N”)。若包含色素N，详细机理尚不清楚，但是与相邻的层(例如水溶性树脂层)的密合性得到提高，分辨率更优异。
在本说明书中，色素“因酸、碱或自由基而极大吸收波长改变”可以是指处于显色状态下的色素通过酸、碱或自由基而消色的实施方式、处于消色状态下的色素通过酸、碱或自由基而显色的实施方式及显色状态下的色素改变为其他色相的显色状态的实施方式中的任一个实施方式。
具体而言，色素N可以为通过曝光从消色状态改变而显色的化合物，也可以为通过曝光从显色状态改变而消色的化合物。此时，可以为通过曝光而在感光性树脂层内产生酸、碱或自由基并发挥作用而使显色或消色的状态改变的色素，也可以为通过因酸、碱或自由基而感光性树脂层内的状态(例如pH)改变而使显色或消色的状态改变的色素。并且，还可以为不经由曝光而直接接受酸、碱或自由基作为刺激而使显色或消色的状态改变的色素。
其中，从曝光部及非曝光部的可见性以及分辨率的观点考虑，色素N优选为通过酸或自由基而最大吸收波长改变的色素，更优选为通过自由基而最大吸收波长改变的色素。
感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，从曝光部及非曝光部的可见性以及分辨率的观点考虑，优选负型感光性树脂层作为色素N包含因自由基而最大吸收波长改变的色素及光自由基聚合引发剂这两者。
并且，从曝光部及非曝光部的可见性的观点考虑，色素N优选为通过酸、碱或自由基而显色的色素。
作为色素N的显色机构的例子，可举出如下实施方式：在感光性树脂层中添加光自由基聚合引发剂、光阳离子聚合引发剂(光产酸剂)或光碱产生剂，曝光之后因由光自由基聚合引发剂、光阳离子聚合引发剂或光碱产生剂产生的自由基、酸或碱而自由基反应性色素、酸反应性色素或碱反应性色素(例如无色色素)显色。
关于色素N，从曝光部及非曝光部的可见性的观点考虑，显色时的波长范围400～780nm中的极大吸收波长优选为550nm以上，更优选为550～700nm，进一步优选为550～650nm。
并且，色素N可以在显色时的波长范围400～780nm中仅具有1个极大吸收波长，也可以具有2个以上。在色素N在显色时的波长范围400～780nm中具有2个以上的极大吸收波长的情况下，只要2个以上的极大吸收波长中吸光度最高的极大吸收波长为450nm以上即可。
关于色素N的极大吸收波长，通过在大气气氛下，使用分光光度计：UV3100(SHIMADZU CORPORATION制造)，在400～780nm的范围内测量包含色素N的溶液(液温为25℃)的透射光谱，并检测光的强度达到极小的波长(极大吸收波长)而获得。
作为通过曝光而显色或消色的色素，例如，可举出无色化合物。
作为通过曝光而消色的色素，例如，可举出无色化合物、二芳基甲烷系色素、噁嗪系色素、呫吨系色素、亚氨基萘醌系色素、偶氮次甲基系色素及蒽醌系色素。
作为色素N，从曝光部及非曝光部的可见性的观点考虑，优选为无色化合物。
作为无色化合物，例如，可举出具有三芳基甲烷骨架的无色化合物(三芳基甲烷系色素)、具有螺旋哌喃骨架的无色化合物(螺旋哌喃系色素)、具有荧烷母体骨架的无色化合物(荧烷母体系色素)、具有二芳基甲烷骨架的无色化合物(二芳基甲烷系色素)、具有罗丹明内酰胺骨架的无色化合物(罗丹明内酰胺系色素)、具有吲哚基酞内酯骨架的无色化合物(吲哚基酞内酯系色素)及具有白色黄金胺骨架的无色化合物(白色黄金胺系色素)。
其中，优选为三芳基甲烷系色素或荧烷母体系色素，更优选为具有三苯基甲烷骨架的无色化合物(三苯基甲烷系色素)或荧烷母体系色素。
作为无色化合物，从曝光部及非曝光部的可见性的观点考虑，优选为具有内酯环、sultine环或磺内酯环。由此，能够使无色化合物所具有的内酯环、sultine环或磺内酯环与由光自由基聚合引发剂产生的自由基或由光阳离子聚合引发剂产生的酸进行反应，使无色化合物改变为闭环状态而消色或者使无色化合物改变为开环状态而显色。作为无色化合物，优选为具有内酯环、sultine环或磺内酯环，并且因自由基或酸而内酯环、sultine环或磺内酯环开环而显色的化合物，更优选为具有内酯环，并且因自由基或酸而内酯环开环而显色的化合物。
作为色素N，例如，可举出以下染料及无色化合物。
作为色素N中的染料的具体例，可举出亮绿、乙基紫、甲基绿、结晶紫、碱性品红、甲基紫2B、甲基喹啉红、孟加拉玫红、间胺黄、溴香酚蓝、二甲苯酚蓝、甲基橙、对甲基红、刚果红、苯红紫4B、α-萘基红、尼罗蓝2B、尼罗蓝A、甲基紫、孔雀绿、付品红、维多利亚纯蓝-萘磺酸盐、维多利亚纯蓝BOH(Hodogaya Chemical Co.，Ltd.制造)、油蓝#603(Orient ChemicalCo.，Ltd.制造)、油粉#312(Orient Chemical Co.，Ltd.制造)、油红5B(Orient ChemicalCo.，Ltd.制造)、油猩红#308(Orient Chemical Co.，Ltd.制造)、油红OG(Orient ChemicalCo.，Ltd.制造)、油红RR(Orient Chemical Co.，Ltd.制造)、油绿#502(Orient ChemicalCo.，Ltd.制造)、SPIRON Red BEH SPECIAL(Hodogaya Chemical Co.，Ltd.制造)、间甲酚紫、甲酚红、罗丹明B、罗丹明6G、磺酰罗丹明B、黄金胺、4-对二乙基氨基苯基亚氨基萘醌、2-羧基苯氨基-4-对二乙基氨基苯基亚氨基萘醌、2-羧基硬脂氨基-4-对N，N-双(羟乙基)氨基-苯基亚氨基萘醌、1-苯基-3-甲基-4-对二乙基氨基苯基亚氨基-5-吡唑酮及1-β-萘-4-对二乙基氨基苯基亚氨基-5-吡唑酮。
作为色素N中的无色化合物的具体例，可举出p，p’，p”-六甲基三氨基三苯基甲烷(无色结晶紫)、Pergascript Blue SRB(Ciba Geigy公司制造)、结晶紫内酯、孔雀绿内酯、苯甲酰无色亚甲基蓝、2-(N-苯基-N-甲基氨基)-6-(N-对甲苯基-N-乙基)氨基荧烷母体、2-苯氨基-3-甲基-6-(N-乙基-对甲苯胺)荧烷母体、3，6-二甲氧基荧烷母体、3-(N，N-二乙基氨基)-5-甲基-7-(N，N-二苄基氨基)荧烷母体、3-(N-环己基-N-甲基氨基)-6-甲基-7-苯氨基荧烷母体、3-(N，N-二乙基氨基)-6-甲基-7-苯氨基荧烷母体、3-(N，N-二乙基氨基)-6-甲基-7-茬氨基荧烷母体、3-(N，N-二乙基氨基)-6-甲基-7-氯荧烷母体、3-(N，N-二乙基氨基)-6-甲氧基-7-氨基荧烷母体、3-(N，N-二乙基氨基)-7-(4-氯苯氨基)荧烷母体、3一(N，N一二乙基氨基)-7-氯荧烷母体、3一(N，N一二乙基氨基)-7一苄基氨基荧烷母体、3-(N，N-二乙基氨基)-7，8-苯并荧烷母体、3-(N，N-二丁基氨基)-6-甲基-7-苯氨基荧烷母体、3-(N，N-二丁基氨基)-6-甲基-7-茬氨基荧烷母体、3-哌啶基-6-甲基-7-苯氨基荧烷母体、3-吡咯啶基-6-甲基-7-苯氨基荧烷母体、3，3-双(1-乙基-2-甲基吲哚-3-基)酞内酯、3，3-双(1-正丁基-2-甲基吲哚-3-基)酞内酯、3，3-双(对二甲氨基苯基)-6-二甲氨基酞内酯、3-(4-二乙基氨基-2-乙氧基苯基)-3-(1-乙基-2-甲基吲哚-3-基)-4-氮杂苯酞、3-(4-二乙基氨基苯基)-3-(1-乙基-2-甲基吲哚-3-基)酞内酯及3’，6’-双(二苯基氨基)螺旋异苯并呋喃-1(3H)，9’-[9H]呫呸-3-酮。
从曝光部及非曝光部的可见性、显影后的图案可见性及分辨率的观点考虑，色素N优选为因自由基而最大吸收波长改变的色素，更优选为通过自由基而显色的色素。
作为色素N，优选为无色结晶紫、结晶紫内酯、亮绿或维多利亚纯蓝-萘磺酸盐。
色素N可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
从曝光部及非曝光部的可见性、显影后的图案可见性及分辨率的观点考虑，相对于感光性树脂层的总质量，色素N的含量优选为0.1质量％以上，更优选为0.1～10质量％，进一步优选为0.1～5质量％，特别优选为0.1～1质量％。
色素N的含量是指使感光性树脂层的总质量中所包含的色素N全部成为显色状态时的色素的含量。以下，以通过自由基而显色的色素为例，对色素N的含量的定量方法进行说明。
制备将色素0.001g及0.01g溶解于甲基乙基酮100mL中而得的溶液。在所获得的各溶液中加入光自由基聚合引发剂Irgacure OXE01(产品名称，BASF Japan Ltd.)，照射365nm的光，由此产生自由基，将所有色素设为显色状态。然后，在大气气氛下，使用分光光度计(UV3100，SHIMADZU CORPORATION制造)，测量液温为25℃的各溶液的吸光度，制作校准曲线。
接着，代替色素而将感光性树脂层3g溶解于甲基乙基酮中，除此以外，通过与上述相同的方法测量使色素全部显色的溶液的吸光度。基于所得到的包含感光性树脂层的溶液的吸光度，根据校准曲线计算出感光性树脂层中所包含的色素的含量。
另外，感光性树脂层3g与感光性树脂组合物中的总固体成分3g相同。
<热交联性化合物>
感光性树脂层为负型感光性树脂层的情况下，从所获得的固化膜的强度及所获得的未固化膜的粘结性的观点考虑，优选为包含热交联性化合物。另外，在本说明书中，具有后述的烯属不饱和基团的热交联性化合物不被视为聚合性化合物，而被视为热交联性化合物。
作为热交联性化合物，可举出羟甲基化合物及封端异氰酸酯化合物。其中，从所获得的固化膜的强度及所获得的未固化膜的粘结性的观点考虑，优选为封端异氰酸酯化合物。
封端异氰酸酯化合物与羟基及羧基进行反应，因此例如，在树脂和/或聚合性化合物等具有羟基及羧基中的至少一者的情况下，有所形成的膜的亲水性下降，增强将负型感光性树脂层固化而成的膜用作保护膜时的功能的倾向。
另外，封端异氰酸酯化合物是指“具有用封端剂保护(所谓的掩膜)异氰酸酯的异氰酸酯基的结构的化合物”。
封端异氰酸酯化合物的解离温度并无特别限制，但是优选为100～160℃，更优选为130～150℃。
封端异氰酸酯的解离温度是指“使用差示扫描量热计，通过DSC(Differentialscanning calorimetry：差示扫描量热法)分析测量时的、伴随封端异氰酸酯的脱保护反应的吸热峰的温度”。
作为差示扫描量热计，例如，能够适当地使用Seiko Instruments Inc.制造的差示扫描量热计(型号：DSC6200)。但是，差示扫描量热计并不限定于此。
作为解离温度为100～160℃的封端剂，可举出活性亚甲基化合物〔丙二酸二酯(丙二酸二甲基、丙二酸二乙基、丙二酸二正丁基、丙二酸二2-乙基己基等)〕、肟化合物(甲醛肟、乙醛肟、乙酰肟、甲基乙基酮肟及环己酮肟等在分子内具有由-C(＝N-OH)-表示的结构的化合物)。
这些中，作为解离温度为100～160℃的封端剂，例如，从保存稳定性的观点考虑，优选为选自肟化合物中的至少1种。
例如，从改善膜的脆性、提高与被转印体的密接力等的观点考虑，优选为封端异氰酸酯化合物具有异氰脲酸酯结构。
具有异氰脲酸酯结构的封端异氰酸酯化合物例如通过将六亚甲基二异氰酸酯进行异氰脲酸酯化来保护而获得。
具有异氰脲酸酯结构的封端异氰酸酯化合物中，具备具有肟化合物作为封端剂的肟结构的化合物从相较于不具有肟结构的化合物容易将解离温度设在优选的范围内，并且容易减少显影残渣的观点考虑优选。
封端异氰酸酯化合物可以具有聚合性基团。
作为聚合性基团，并无特别限制，能够使用公知的聚合性基团，优选为自由基聚合性基团。
作为聚合性基团，可举出(甲基)丙烯酰氧基、(甲基)丙烯酰氨基及苯乙烯基等烯属不饱和基团以及环氧丙基等具有环氧基的基团。
其中，作为聚合性基团，优选为烯属不饱和基团，更优选为(甲基)丙烯酰氧基，进一步优选为丙烯酰氧基。
作为封端异氰酸酯化合物，能够使用市售品。
作为封端异氰酸酯化合物的市售品的例子，可举出Karenz(注册商标)AOI-BM、Karenz(注册商标)MOI-BM、Karenz(注册商标)MOI-BP等(以上由SHOWA DENKO K.K.制造)、嵌段型DURANATE系列(例如，DURANATE(注册商标)TPA-B80E、DURANATE(注册商标)WT32-B75P等，Asahi Kasei Chemicals Corporation.制造)。
并且，作为封端异氰酸酯化合物，还能够使用下述结构的化合物。
[化学式13]
Figure BDA0004086441380000411
热交联性化合物可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
当感光性树脂层包含热交联性化合物时，热交联性化合物的含量相对于感光性树脂层的总质量，优选为1～50质量％，更优选为5～30质量％。
<其他添加剂>
感光性树脂层除了上述成分以外，还可以根据需要包含公知的添加剂。
作为添加剂，例如，可举出自由基阻聚剂、敏化剂、增塑剂、杂环状化合物(三唑等)、苯并三唑类、羧基苯并三唑类、吡啶类(异菸碱酰胺等)、嘌呤碱(腺嘌呤等)及表面活性剂。
各添加剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
感光性树脂层可以包含自由基阻聚剂。
作为自由基阻聚剂，例如，可举出日本专利第4502784号公报0018段中所记载的热阻聚剂。其中，优选为啡噻嗪、吩噁嗪或4-甲氧苯酚。作为其他自由基阻聚剂，可举出萘胺、氯化亚铜、亚硝基苯基羟基胺铝盐及二苯基亚硝基胺等。为了不损害感光性树脂层的灵敏度，优选将亚硝基苯基羟基胺铝盐用作自由基阻聚剂。
作为苯并三唑类，例如，可举出1，2，3-苯并三唑、1-氯-1，2，3-苯并三唑、双(N-2-乙基己基)氨基亚甲基-1，2，3-苯并三唑、双(N-2-乙基己基)氨基亚甲基-1，2，3-甲苯基三唑及双(N-2-羟乙基)氨基亚甲基-1，2，3-苯并三唑等。
作为羧基苯并三唑类，例如，可举出4-羧基-1，2，3-苯并三唑、5-羧基-1，2，3-苯并三唑、N-(N，N-二-2-乙基己基)氨基亚甲基羧基苯并三唑、N-(N，N-二-2-羟乙基)氨基亚甲基羧基苯并三唑及N-(N，N-二-2-乙基己基)氨基亚乙基羧基苯并三唑等。作为羧基苯并三唑类，例如，能够使用CBT-1(JOHOKU CHEMICAL CO.，LTD，产品名称)等市售品。
自由基阻聚剂、苯并三唑类及羧基苯并三唑类的总含量相对于感光性树脂层的总质量优选为0.01～3质量％，更优选为0.05～1质量％。当含量为0.01质量％以上时，感光性树脂层的保存稳定性更优异。另一方面，含量为3质量％以下的情况下，灵敏度的维持及染料的脱色的抑制更加优异。
感光性树脂层可以包含敏化剂。
关于敏化剂，并无特别限制，能够使用公知的敏化剂、染料及颜料。作为敏化剂，例如，可举出二烷基氨基二苯甲酮化合物、吡唑啉化合物、蒽化合物、香豆素化合物、氧杂蒽酮化合物、噻口星酮化合物、吖啶酮化合物、噁唑化合物、苯并噁唑化合物、噻唑化合物、苯并噻唑化合物、三唑化合物(例如，1，2，4-三唑)、茋化合物、三嗪化合物、噻吩化合物、萘二甲酰亚胺化合物、三芳胺化合物及氨基吖啶化合物。
敏化剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
在感光性树脂层包含敏化剂的情况下，敏化剂的含量能够根据目的而适当地选择，但是从提高对光源的灵敏度及提高基于聚合速度与链转移的平衡的固化速度的观点考虑，相对于感光性树脂层的总质量，优选为0.01～5质量％，更优选为0.05～1质量％。
感光性树脂层可以包含选自增塑剂及杂环状化合物中的至少1种。
作为增塑剂及杂环状化合物，可举出国际公开第2018/179640号的0097～0103段及0111～0118段中所记载的化合物。
并且，感光性树脂层还可以包含金属氧化物粒子、抗氧化剂、分散剂、酸增殖剂、显影促进剂、导电性纤维、紫外线吸收剂、增粘剂、交联剂及有机或无机的沉淀防止剂等公知的添加剂。
关于感光性树脂层中所包含的添加剂，记载于日本特开2014-085643号公报的0165～0184段，该公报的内容被编入到本说明书。
从提高可靠性及层合性的观点考虑，感光性树脂层中的水的含量优选为0.01～1.0质量％，更优选为0.05～0.5质量％。
感光性树脂层的层厚(膜厚)通常为0.1～300μm，优选为0.2～100μm，更优选为0.5～50μm，进一步优选为0.5～15μm，特别优选为0.5～10μm，最优选为0.5～8μm。由此，感光性树脂层的显影性得到提高，从而能够提高分辨率。
并且，在一实施方式中，优选为0.5～5μm，更优选为0.5～4μm，进一步优选为0.5～3μm。
并且，从密合性更优异的观点考虑，感光性树脂层的波长为365nm的光的透射率优选为10％以上，更优选为30％以上，进一步优选为50％以上。上限并无特别限制，但是优选为99.9％以下。
<杂质等>
感光性树脂层可以包含既定量的杂质。
作为杂质的具体例，可举出钠、钾、镁、钙、铁、锰、铜、铝、钛、铬、钴、镍、锌、锡、卤素及这些的离子。其中，卤化物离子、钠离子及钾离子容易作为杂质混入，因此优选设为下述含量。
感光性树脂层中的杂质的含量以质量基准计优选为80ppm以下，更优选为10ppm以下，进一步优选为2ppm以下。关于杂质的含量，以质量基准计，能够设为1ppb以上，也可以设为0.1ppm以上。
作为将杂质设在上述范围内的方法，可举出：作为组合物的原料而选择杂质的含量少的原料；防止在制作感光性树脂层时杂质混入；及进行清洗而去除。通过这种方法，能够将杂质量设在上述范围内。
关于与杂质，例如，能够通过ICP(Inductively Coupled Plasma：感应耦合电浆)发射光谱分析法、原子吸收光谱法及离子层析法等公知的方法进行定量。
感光性树脂层中的苯、甲醛、三氯乙烯、1，3-丁二烯、四氯化碳、氯仿、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺及己烷等化合物的含量优选少。作为这些化合物相对于感光性树脂层的总质量的含量，以质量基准计优选为100ppm以下，更优选为20ppm以下，进一步优选为4ppm以下。
以质量基准计，相对于感光性树脂层的总质量，下限能够设为10ppb以上，能够设为100ppb以上。关于这些化合物，能够通过与上述金属的杂质相同的方法抑制含量。并且，能够通过公知的测量法进行定量。
从提高可靠性及层合性的观点考虑，感光性树脂层中的水的含量优选为0.01～1.0质量％，更优选为0.05～0.5质量％。
<颜料>
感光性树脂层可以为包含颜料的着色树脂层。
近年来，在电子设备所具有的液晶显示窗有时会安装有在透明的玻璃基板等的背面周缘部形成有黑色的框状遮光层的盖玻璃，以保护液晶显示窗。为了形成该种遮光层，能够使用着色树脂层。
作为颜料，只要根据所期望的色相来适当地选择即可，能够从黑色颜料、白色颜料、除了黑色及白色以外的彩色颜料中选择。其中，在形成黑色系图案的情况下，可适当地选择黑色颜料作为颜料。
作为黑色颜料，只要在不损害本发明的效果的范围内，则能够适当地选择公知的黑色颜料(有机颜料或无机颜料等)。其中，从光学浓度的观点考虑，作为黑色颜料，例如，可适当地举出炭黑、氧化钛、碳化钛、氧化铁、氧化钛及黑铅等，特别优选为炭黑。作为炭黑，从表面电阻的观点考虑，优选为表面的至少一部分被树脂包覆的炭黑。
关于黑色颜料的粒径，从分散稳定性的观点考虑，以数均粒径计优选为0.001～0.1μm，更优选为0.01～0.08μm。
在此，粒径是指根据用电子显微镜拍摄的颜料粒子的照片像求出颜料粒子的面积并考虑与颜料粒子的面积相同面积的圆时的圆的直径，数均粒径为对任意100个粒子求出上述粒径并将所求出的100个粒径进行平均而获得的平均值。
作为黑色颜料以外的颜料，关于白色颜料，能够使用日本特开2005-007765号公报的0015段及0114段中所记载的白色颜料。具体而言，白色颜料中作为无机颜料，优选为氧化钛、氧化锌、锌钡白、轻质碳酸钙、白碳、氧化铝、氢氧化铝或硫酸钡，更优选为氧化钛或氧化锌，进一步优选为氧化钛。作为无机颜料，进一步优选为金红石型或锐钛矿型氧化钛，特别优选为金红石型氧化钛。
并且，可以对氧化钛的表面实施二氧化硅处理、氧化铝处理、二氧化钛处理、二氧化锆处理或有机物处理，也可以实施两种以上的处理。由此，氧化钛的催化剂活性得到抑制，耐热性及褪光性等得到改善。
从减小加热后的感光性树脂层的厚度的观点考虑，作为对氧化钛的表面的表面处理，优选为氧化铝处理及二氧化锆处理中的至少一者，特别优选为氧化铝处理及二氧化锆处理这两者。
并且，当感光性树脂层为着色树脂层时，从转印性的观点考虑，也优选感光性树脂层进一步包含黑色颜料及白色颜料以外的彩色颜料。当包含彩色颜料时，作为彩色颜料的粒径，从分散性更优异的观点考虑，优选为0.1μm以下，更优选为0.08μm以下。
作为彩色颜料，例如，可举出维多利亚纯蓝BO(Color Index：色指数(以下为C.I.)42595)、黄金胺(C.I.41000)、脂黑HB(C.I.26150)、莫诺赖特黄GT(C.I.颜料黄12)、永久黄GR(C.I.颜料黄17)、永久黄HR(C.I.颜料黄83)、永久洋红FBB(C.I.颜料红146)、主酵母红ESB(C.I.颜料紫19)、永久宝石FBH(C.I.颜料红11)、法斯特尔粉B苏普拉(C.I.颜料红81)、莫纳斯特拉尔牢蓝(C.I.颜料蓝15)、莫诺赖特牢黑B(C.I.颜料黑1)及碳、C.I.颜料红97、C.I.颜料红122、C.I.颜料红149、C.I.颜料红168、C.I.颜料红177、C.I.颜料红180、C.I.颜料红192、C.I.颜料红215、C.I.颜料绿7、C.I.颜料蓝15：1、C.I.颜料蓝15：4、C.I.颜料蓝22、C.I.颜料蓝60、C.I.颜料蓝64及C.I.颜料紫23等。其中，优选为C.I.颜料红177。
感光性树脂层包含颜料的情况下，作为颜料的含量，相对于感光性树脂层的总质量，优选超过3质量％且40质量％以下，更优选超过3质量％且35质量％以下，进一步优选超过5质量％且35质量％以下，特别优选10质量％以上且35质量％以下。
当感光性树脂层包含黑色颜料以外的颜料(白色颜料及彩色颜料)时，黑色颜料以外的颜料的含量相对于黑色颜料，优选为30质量％以下，更优选为1～20质量％，进一步优选为3～15质量％。
另外，当感光性树脂层包含黑色颜料且感光性树脂层由感光性树脂组合物形成时，优选黑色颜料(优选为炭黑)以颜料分散液的方式导入到感光性树脂组合物中。
分散液可以为通过在有机溶剂(或媒介物)中加入预先混合黑色颜料和颜料分散剂而获得的混合物并使用分散机进行分散来制备的分散液。关于颜料分散剂，只要根据颜料及溶剂来选择即可，例如能够使用市售的分散剂。另外，媒介物是指在设为颜料分散液的情况下分散有颜料的介质的部分，且为液状，并且包含以分散状态保持黑色颜料的粘合剂成分和溶解及稀释粘合剂成分的溶剂成分(有机溶剂)。
作为分散机，并无特别限制，例如，可举出捏合机、辊磨机、磨碎机、超级碾磨机、溶解器、均质混合器及混砂机等公知的分散机。进而，可以通过机械磨碎利用摩擦力进行微粉碎。关于分散机及微粉碎，能够参考“颜料的百科全书”(朝仓邦造著，第一版，AsakuraPublishing Co.，Ltd.，2000年，438页、310页)的记载。
《热塑性树脂层》
热塑性树脂层通常在临时支承体与感光性树脂层之间配置。转印膜具备热塑性树脂层，由此转印膜与基板的贴合工序中的对基板的追随性得到提高而能够抑制基板与转印膜之间的气泡混入。作为该结果，能够确保与热塑性树脂层相邻的层(例如，临时支承体)的密合性。
热塑性树脂层包含树脂。关于上述树脂，其一部分或全部包含热塑性树脂。即，在一实施方式中，关于热塑性树脂层，优选树脂为热塑性树脂。
<碱溶性树脂(热塑性树脂)>
作为热塑性树脂，优选为碱溶性树脂。
作为碱溶性树脂，例如，可举出丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、苯乙烯-丙烯酸系共聚物、聚胺酯树脂、聚乙烯醇、聚乙烯甲醛、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚酰胺树脂、环氧树脂、聚缩醛树脂、聚羟基苯乙烯树脂、聚酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂、硅酮烷树脂、聚乙烯亚胺、聚烯丙基胺及聚亚烷基二醇。
作为碱溶性树脂，从显影性及与相邻的层的密合性的观点考虑，优选为丙烯酸树脂。
在此，丙烯酸树脂是指具有选自源自(甲基)丙烯酸的结构单元、源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元及源自(甲基)丙烯酰胺的结构单元中的至少1种结构单元的树脂。
作为丙烯酸树脂，相对于丙烯酸树脂的总质量，源自(甲基)丙烯酸的结构单元、源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元及源自(甲基)丙烯酰胺的结构单元的总含量优选为50质量％以上。
其中，相对于丙烯酸树脂的总质量，源自(甲基)丙烯酸的结构单元及源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元的总含量优选为30～100质量％，更优选为50～100质量％。
并且，碱溶性树脂优选为具有酸基的聚合物。
作为酸基，可举出羧基、磺基、磷酸基及膦酸基，优选为羧基。
从显影性的观点考虑，碱溶性树脂更优选为酸值为60mgKOH/g以上的碱溶性树脂，进一步优选为酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂。
碱溶性树脂的酸值的上限并无特别限制，但是优选为300mgKOH/g以下，更优选为250mgKOH/g以下，进一步优选为200mgKOH/g以下，特别优选为150mgKOH/g以下。
作为酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂，并无特别限制，能够从公知的树脂中适当地选择而使用。
例如，可举出日本特开2011-095716号公报的0025段中所记载的聚合物中的酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂即碱溶性树脂、日本特开2010-237589号公报的0033～0052段中所记载的聚合物中的酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂及日本特开2016-224162号公报的0053～0068段中所记载的粘合剂聚合物中的酸值为60mgKOH/g以上的含有羧基的丙烯酸树脂。
相对于丙烯酸树脂的总质量，上述含有羧基的丙烯酸树脂中的具有羧基的结构单元的共聚比优选为5～50质量％，更优选为10～40质量％，进一步优选为12～30质量％。
作为碱溶性树脂，从显影性及与相邻的层的密合性的观点考虑，特别优选为具有源自(甲基)丙烯酸的结构单元的丙烯酸树脂。
碱溶性树脂可以具有反应性基团。作为反应性基团，只要是能够加成聚合的基团即可，可举出烯属不饱和基团；羟基及羧基等缩聚性基；环氧基、(嵌段)异氰酸酯基等聚加成反应性基团。
碱溶性树脂的重均分子量(Mw)优选为1,000以上，更优选为1万～10万，进一步优选为2万～5万。
碱溶性树脂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
从显影性及与相邻的层的密合性的观点考虑，相对于热塑性树脂层的总质量，碱溶性树脂的含量优选为10～99质量％，更优选为20～90质量％，进一步优选为40～80质量％，特别优选为50～75质量％。
<色素>
优选热塑性树脂层包含显色时的波长范围400～780nm中的最大吸收波长为450nm以上，并且通过酸、碱或自由基而最大吸收波长改变的色素(也简称为“色素B”。)。
色素B的优选的实施方式除了后述的点以外，与上述的色素N的优选的实施方式相同。
从曝光部及非曝光部的可见性以及分辨率的观点考虑，色素B优选为通过酸或自由基而最大吸收波长改变的色素，更优选为通过酸而最大吸收波长改变的色素。
从曝光部及非曝光部的可见性以及分辨率的观点考虑，热塑性树脂层优选包含作为色素B的通过酸而最大吸收波长改变的色素及后述的通过光而产生酸的化合物这两者。
色素B可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
从曝光部及非曝光部的可见性的观点考虑，相对于热塑性树脂的总质量，色素B的含量优选为0.2质量％以上，更优选为0.2～6质量％，进一步优选为0.2～5质量％，特别优选为0.25～3.0质量％。
在此，色素B的含量是指将热塑性树脂层中所包含的色素B全部设为显色状态时的色素的含量。以下，以通过自由基而显色的色素为例，对色素B的含量的定量方法进行说明。
制备将色素0.001g及0.01g溶解于甲基乙基酮100mL中而得的溶液。在所获得的各溶液中加入光自由基聚合引发剂Irgacure OXE01(产品名称，BASF Japan Ltd.)，照射365nm的光，由此产生自由基，将所有色素设为显色状态。然后，在大气气氛下，使用分光光度计(UV3100，SHIMADZU CORPORATION制造)，测量液温为25℃的各溶液的吸光度，制作校准曲线。
接着，代替色素而将热塑性树脂层0.1g溶解于甲基乙基酮中，除此以外，通过与上述相同的方法测量使色素全部显色的溶液的吸光度。基于所得到的包含热塑性树脂层的溶液的吸光度，根据校准曲线计算出热塑性树脂层中所包含的色素的量。
另外，热塑性树脂层3g与组合物的固体成分3g相同。
<通过光而产生酸、碱或自由基的化合物>
热塑性树脂层可以包含通过光而产生酸、碱或自由基的化合物(也简称为“化合物C”。)。
作为化合物C，优选为接收紫外线及可见光线等活化光线而产生酸、碱或自由基的化合物。
作为化合物C，能够使用公知的光产酸剂、光碱产生剂及光自由基聚合引发剂(光自由基产生剂)。其中，优选为光产酸剂。
(光产酸剂)
从分辨率的观点考虑，优选热塑性树脂层包含光产酸剂。
作为光产酸剂，可举出上述负型感光性树脂层可以包含的光阳离子聚合引发剂，除了后述的点以外，优选的实施方式也相同。
作为光产酸剂，从灵敏度及分辨率的观点考虑，优选包含选自鎓盐化合物及肟磺酸盐化合物中的至少1种化合物，从灵敏度、分辨率及密合性的观点考虑，更优选包含肟磺酸盐化合物。
并且，作为光产酸剂，也优选为具有以下结构的光产酸剂。
[化学式14]
Figure BDA0004086441380000501
(光自由基聚合引发剂)
热塑性树脂层可以包含光自由基聚合引发剂。
作为光自由基聚合引发剂，可举出上述负型感光性树脂层可以包含的光自由基聚合引发剂，优选的实施方式也相同。
(光碱产生剂)
热塑性树脂组合物可以包含光碱产生剂。
作为光碱产生剂，只要为公知的光碱产生剂，则并无特别限制，例如，可举出2-硝基苄基环己基胺甲酸酯、三苯甲醇、邻胺甲酰基羟酰胺、邻胺甲酰基肟、[[(2，6-二硝基苄基)氧基]羰基]环己胺、双[[(2-硝基苄基)氧基]羰基]己烷1，6-二胺、4-(甲硫基苯甲酰基)-1-甲基-1-吗啉乙烷、(4-吗啉苯甲酰基)-1-苄基-1-二甲基氨基丙烷、N-(2-硝基苄氧羰基)吡咯啶、六胺钴(III)三(三苯甲基硼酸盐)、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉苯基)-丁酮、2，6-二甲基-3，5-二乙酰基-4-(2-硝基苯基)-1，4-二氢吡啶及2，6-二甲基-3，5-二乙酰基-4-(2，4-二硝基苯基)-1，4-二氢吡啶。
化合物C可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
从曝光部及非曝光部的可见性以及分辨率的观点考虑，相对于热塑性树脂层的总质量，化合物C的含量优选为0.1～10质量％，更优选为0.5～5质量％。
<增塑剂>
从分辨率、与邻接的层的密合性及显影性的观点考虑，优选热塑性树脂层包含增塑剂。
优选增塑剂的分子量(在为低聚物或聚合物且具有分子量分布的情况下为重均分子量)比碱溶性树脂小。增塑剂的分子量(重均分子量)优选为200～2,000。
关于增塑剂，只要为与碱溶性树脂相容而显现塑化性的化合物，则并无限制，从赋予塑化性的观点考虑，优选增塑剂在分子中具有亚烷氧基，更优选为聚亚烷基二醇化合物。更优选增塑剂中所包含的亚烷氧基具有聚乙烯氧结构或聚丙烯氧结构。
并且，从分辨率及保存稳定性的观点考虑，优选增塑剂包含(甲基)丙烯酸酯化合物。从相容性、分辨率及与相邻的层的密合性的观点考虑，更优选碱溶性树脂为丙烯酸树脂，且增塑剂包含(甲基)丙烯酸酯化合物。
作为可用作增塑剂的(甲基)丙烯酸酯化合物，可举出作为上述负型感光性树脂层中所包含的聚合性化合物记载的(甲基)丙烯酸酯化合物。
在转印膜中，在热塑性树脂层与负型感光性树脂层直接接触而层叠的情况下，优选热塑性树脂层及感光性树脂层均包含相同的(甲基)丙烯酸酯化合物。这是因为：通过热塑性树脂层及负型感光性树脂层分别包含相同的(甲基)丙烯酸酯化合物，层间的成分扩散得到抑制，保存稳定性得到提高。
在热塑性树脂层为包含(甲基)丙烯酸酯化合物作为增塑剂的情况下，从热塑性树脂层与相邻的层的密合性的观点考虑，优选即使在曝光后的曝光部中(甲基)丙烯酸酯化合物也不聚合。
并且，作为可用作增塑剂的(甲基)丙烯酸酯化合物，从热塑性树脂层的分辨率、与相邻的层的密合性及显影性的观点考虑，优选为在一分子中具有2个以上的(甲基)丙烯酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
进而，作为可用作增塑剂的(甲基)丙烯酸酯化合物，也优选为具有酸基的(甲基)丙烯酸酯化合物或胺酯(甲基)丙烯酸酯化合物。
增塑剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
从热塑性树脂层的分辨率、与相邻的层的密合性及显影性的观点考虑，相对于热塑性树脂层的总质量，增塑剂的含量优选为1～70质量％，更优选为10～60质量％，进一步优选为20～50质量％。
<敏化剂>
热塑性树脂层可以包含敏化剂。
作为敏化剂，并无特别限制，可举出上述负型感光性树脂层可以包含的敏化剂。
敏化剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
敏化剂的含量能够根据目的而适当地选择，但是从提高对光源的灵敏度及曝光部及非曝光部的可见性的观点考虑，相对于热塑性树脂层的总质量，优选为0.01～5质量％，更优选为0.05～1质量％。
<添加剂等>
热塑性树脂层除了上述成分以外，还可以依需要包含公知的添加剂。
并且，关于热塑性树脂层，记载于日本特开2014-085643号公报的0189～0193段，该公报中所记载的内容被编入到本说明书中。
热塑性树脂层的层厚并不受特别限制，但与邻接的层的密合性的观点考虑，优选为1μm以上，更优选为2μm以上。上限并无特别限制，但是从显影性及分辨率的观点考虑，优选为20μm以下，更优选为10μm以下，进一步优选为8μm以下。
另外，作为第1实施方式的转印膜，虽然将图1转印膜10作为一例进行说明，但是本发明并不限定于此。例如，可以为在临时支承体1与覆盖膜9之间，进一步具有除了热塑性树脂层3、水溶性树脂层5及感光性树脂层7以外的其他层的结构，也可以为不具有热塑性树脂层3的结构。并且，不仅可以为在临时支承体1的单面具有热塑性树脂层3、水溶性树脂层5、感光性树脂层7及覆盖膜9的结构而且可以为在其两面具有热塑性树脂层3、水溶性树脂层5、感光性树脂层7及覆盖膜9的结构。
《第1实施方式的转印膜的制造方法》
第1实施方式的转印膜的制造方法并无特别限制，能够使用公知的制造方法，例如公知的各层的形成方法。
以下，参考图1，对第1实施方式的转印膜的制造方法进行说明。但是，第1实施方式的转印膜并不限制于具有图1中示出的结构的转印膜。
作为上述转印膜10的制造方法，例如，可举出包括如下工序的方法：在临时支承体1的表面涂布热塑性树脂组合物而形成涂膜，并进一步干燥该涂膜而形成热塑性树脂层3的工序；在热塑性树脂层3的表面涂布水溶性树脂组合物而形成涂膜，并进一步干燥该涂膜而形成水溶性树脂层5的工序；在水溶性树脂层5的表面涂布感光性树脂组合物(负型感光性树脂组合物)而形成涂膜，并进一步干燥该涂膜而形成感光性树脂层7(负型感光性树脂层)的工序。
另外，关于热塑性树脂组合物及热塑性树脂层形成方法、水溶性树脂组合物及水溶性树脂层形成方法、以及感光性树脂组合物(负型感光性树脂组合物)及感光性树脂层(负型感光性树脂层)形成方法，将在后面进行叙述。
通过将覆盖膜9压接在通过上述制造方法制造的层叠体的感光性树脂层7上来制造转印膜10。
作为第1实施方式的转印膜的制造方法，优选通过包括设置覆盖膜9以与感光性树脂层7的具有临时支承体1的侧的相反一侧的面接触的工序而制造具备临时支承体1、热塑性树脂层3、水溶性树脂层5、感光性树脂层7及覆盖膜9的转印膜10。
通过上述制造方法制造转印膜10之后，卷绕转印膜10，由此可以制作及保管辊方式的转印膜。关于辊方式的转印膜，能够在后述的辊对辊方式下的与基板的贴合工序中以原样的方式提供。
并且，作为上述转印膜10的制造方法，可以为在覆盖膜9上形成感光性树脂层7及水溶性树脂层5之后，在水溶性树脂层5的表面形成热塑性树脂层3的方法。
<热塑性树脂组合物及热塑性树脂层形成方法>
作为热塑性树脂组合物，优选包含形成上述热塑性树脂层的各种成分及溶剂。另外，在热塑性树脂组合物中，相对于组合物的总固体成分的各成分的含量的优选范围与相对于上述热塑性树脂层的总质量的各成分的含量的优选范围相同。
作为溶剂，只要能够溶解或分散除了溶剂以外的各成分，则并无特别限制，能够使用公知的溶剂。具体而言，例如，可举出亚烷基二醇醚溶剂、亚烷基二醇醚乙酸酯溶剂、醇溶剂(甲醇及乙醇等)、酮溶剂(丙酮及甲基乙基酮等)、芳香族烃溶剂(甲苯等)、非质子性极性溶剂(N，N-二甲基甲酰胺等)、环状醚溶剂(四氢呋喃等)、酯溶剂(乙酸正丙酯等)、酰胺溶剂、内酯溶剂以及包含这些中的2种以上的混合溶剂。
作为溶剂，优选包含选自亚烷基二醇醚溶剂及亚烷基二醇醚乙酸酯溶剂中的至少1种。其中，更优选为包含选自亚烷基二醇醚溶剂及亚烷基二醇醚乙酸酯溶剂中的至少1种和选自酮溶剂及环状醚溶剂中的至少1种的混合溶剂，进一步优选为至少包含选自亚烷基二醇醚溶剂及亚烷基二醇醚乙酸酯溶剂中的至少1种、酮溶剂以及环状醚溶剂这3种的混合溶剂。
作为亚烷基二醇醚溶剂，例如，可举出乙二醇单烷基醚、乙二醇二烷基醚、丙二醇单烷基醚(丙二醇单甲醚乙酸酯等)、丙二醇二烷基醚、二乙二醇二烷基醚、二丙二醇单烷基醚及二丙二醇二烷基醚。
作为亚烷基二醇醚乙酸酯溶剂，例如，可举出乙二醇单烷基醚乙酸酯、丙二醇单烷基醚乙酸酯、二乙二醇单烷基醚乙酸酯及二丙二醇单烷基醚乙酸酯。
作为溶剂，可以使用国际公开第2018/179640号的0092～0094段中所记载的溶剂及日本特开2018-177889公报的0014段中所记载的溶剂，这些内容被编入到本说明书中。
相对于组合物的总固体成分100质量份，溶剂的含量优选为50～1,900质量份，更优选为100～900质量份。
热塑性树脂的形成方法只要为能够形成包含上述成分的层的方法，则不受特别限制，例如可举出公知的涂布方法(狭缝涂布、旋涂、帘式涂布及喷墨涂布等)。
<水溶性树脂组合物及水溶性树脂层形成方法>
作为水溶性树脂组合物，优选包含形成上述水溶性树脂层的各种成分及溶剂。另外，在水溶性树脂组合物中，相对于组合物的总固体成分的各成分的含量的优选范围与相对于上述水溶性树脂层的总质量的各成分的含量的优选范围相同。
作为溶剂，只要能够溶解或分散水溶性树脂，则并无特别限制，优选为选自水及水混合性有机溶剂中的至少1种，更优选为水或水与水混合性有机溶剂的混合溶剂。
作为水混合性有机溶剂，例如，可举出碳原子数1～3的醇、丙酮、乙二醇及丙三醇，优选为碳原子数1～3的醇，更优选为甲醇或乙醇。
可以单独使用1种溶剂，也可以使用2种以上的溶剂。
相对于组合物的总固体成分100质量份，溶剂的含量优选为50～2,500质量份，更优选为50～1,900质量份，进一步优选为100～900质量份。
水溶性树脂的形成方法只要为能够形成包含上述成分的层的方法，则不受特别限制，例如可举出公知的涂布方法(狭缝涂布、旋涂、帘式涂布及喷墨涂布等)。
<感光性树脂组合物(负型感光性树脂组合物)及感光性树脂层(负型感光性树脂层)形成方法>>
作为感光性树脂组合物(负型感光性树脂组合物)，优选包含形成上述感光性树脂层(负型感光性树脂层)的各种成分和溶剂。另外，在感光性树脂组合物(负型感光性树脂组合物)中，相对于组合物的总固体成分的各成分的含量的优选范围与相对于上述感光性树脂层(负型感光性树脂层)的总质量的各成分的含量的优选范围相同。
作为溶剂，只要能够溶解或分散除了溶剂以外的各成分(化合物A及聚合物A等)，则并无特别限制，能够使用公知的溶剂。作为溶剂，可举出与在上述热塑性树脂组合物中说明的溶剂相同的溶剂，优选实施方式也相同。
可以单独使用1种溶剂，也可以使用2种以上的溶剂。
相对于组合物的总固体成分100质量份，溶剂的含量优选为50～1,900质量份，进一步优选为100～1200质量份，进一步优选为100～900质量份。
感光性树脂层(负型感光性树脂层)的形成方法只要为能够形成包含上述成分的层的方法，则不受特别限制，例如可举出公知的涂布方法(狭缝涂布、旋涂、帘式涂布及喷墨涂布等)。
〔第2实施方式的转印膜〕
以下，对第2实施方式的转印膜的实施方式的一例进行说明。
图2中示出的转印膜20依次具有临时支承体11、感光性树脂层13、水溶性树脂层15及覆盖膜17。
另外，虽然图2中示出的转印膜20是配置了覆盖膜17的方式，但可以不配置覆盖膜17。
以下，对第2实施方式的构成转印膜的各要素进行说明。
在第2实施方式的转印膜中，作为临时支承体11、感光性树脂层13及覆盖膜17，可举出与上述第1实施方式的临时支承体1、感光性树脂层7及覆盖膜9相同的临时支承体、感光性树脂层及覆盖膜，优选实施方式也相同。
《水溶性树脂层》
在转印膜20中，水溶性树脂层15作为用于调整折射率的折射率调整层发挥功能。即，作为第2实施方式的转印膜的一实施方式，水溶性树脂层能够作为用于调整折射率的折射率调整层发挥功能。
水溶性树脂层15包含用于调整化合物A、树脂及折射率的材料(折射率调整材料：例如，选自金属氧化物、具有三嗪环的化合物及具有茀骨架的化合物中的至少1种材料)。关于上述树脂，其一部分或全部包含水溶性树脂。如上所述的定义那样，“水溶性树脂”是指对液温22℃且pH7.0的水100g的溶解度为0.1g以上的树脂。
以下，对水溶性树脂层能够包含的各成分进行说明。
<化合物A>
水溶性树脂层包含化合物A。
作为化合物A可举出与第1实施方式的转印膜的水溶性树脂层所包含的化合物A相同的化合物，并且其优选实施方式也相同。
化合物A可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
化合物A的含量相对于水溶性树脂层的总质量优选为0.001～10质量％，更优选为0.01～3质量％，进一步优选为0.02～1质量％。
<树脂>
水溶性树脂层包含树脂。
如上所述，上述树脂作为其一部分或全部而包含水溶性树脂。
作为水溶性树脂层所包含的树脂，可举出与第1实施方式的转印膜的水溶性树脂层所包含的水溶性树脂相同的树脂。
水溶性树脂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
水溶性树脂的含量相对于水溶性树脂层的总质量优选为1～50质量％，更优选为1～40质量％，进一步优选为5～30质量％，特别优选为5～20质量％。
并且，水溶性树脂层可以包含碱溶性树脂。
作为上述碱溶性树脂，也能够使用第1实施方式的转印膜中的热塑性树脂层及感光性树脂层所包含的碱溶性树脂。
并且，作为上述碱溶性树脂，优选为(甲基)丙烯酸/乙烯酯化合物的共聚物，其中，更优选为(甲基)丙烯酸/(甲基)丙烯酸烯丙酯的共聚物，进一步优选为甲基丙烯酸/甲基丙烯酸烯丙酯的共聚物。
水溶性树脂为(甲基)丙烯酸/乙烯基化合物的共聚物的情况下，作为各组成比(摩尔％)，例如，优选为90/10～20/80，更优选为80/20～30/70。
碱溶性树脂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
碱溶性树脂的含量相对于水溶性树脂层的总质量优选为1～50质量％，更优选为1～40质量％，进一步优选为5～30质量％，特别优选为5～20质量％。
另外，上述水溶性树脂优选为碱溶性树脂。
<折射率调整材料>
并且，水溶性树脂层包含选自金属氧化物、具有三嗪环的化合物及具有茀骨架的化合物中的至少1种材料(折射率调整材料)。
(金属氧化物)
金属氧化物的种类并无特别限制，可举出公知的金属氧化物。金属氧化物中的金属也包含B、Si、Ge、As、Sb及Te等半金属。
作为金属氧化物，例如，可举出氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟、氧化铝及氧化钇。
这些中，作为金属氧化物，例如，从容易调整折射率的观点考虑，优选为选自氧化锆及氧化钛中的至少1种。
金属氧化物优选为粒子状。
例如，从固化膜的透明性的观点考虑，金属氧化物的粒子的平均一次粒径优选为1～200nm，更优选为3～80nm。
粒子的平均一次粒径通过使用电子显微镜测量任意200个粒子的粒径，并将测量结果进行算术平均而计算出。另外，粒子的形状不是球形的情况下，将最长的边作为粒径。
作为金属氧化物粒子的市售品，可举出烧成氧化锆粒子(CIK NanoTekCorporation制造、产品名称：ZRPGM15WT％-F04)、烧成氧化锆粒子(CIK NanoTekCorporation制造、产品名称：ZRPGM15WT％-F74)、烧成氧化锆粒子(CIK NanoTekCorporarion制造、产品名称：ZRPGM15WT％-F75)、烧成氧化锆粒子(CIK NanoTekCorporation制造、产品名称：ZRPGM15WT％-F76)、氧化锆粒子(Nanouse OZ-S30M、NISSANCHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造)及氧化锆粒子(Nanouse OZ-S30K、NISSAN CHEMICALINDUSTRIES，LTD.制造)。
(具有三嗪环的化合物)
作为具有三嗪环的化合物，可举出在结构单元中具有三嗪环的聚合物，可以举出具有下述通式(X)所表示的结构单元的化合物。
优选上述结构单元中具有三嗪环的聚合物与包含水溶性树脂能够包含的上述树脂不同。
[化学式15]
Figure BDA0004086441380000581
式中，Ar表示包含选自芳香环(碳原子数例如为6～20)及杂环(原子数例如为5～20)的至少1个的2价的基团。
X分别独立地为NR1。R1分别独立地表示氢原子、烷基(碳原子数例如为1～20)、烷氧基(碳原子数例如为1～20)、芳基(碳原子数例如为6～20)又芳烷基(碳原子数例如为7～20)。多个X可以分别相同也可以不同。
具体而言，优选为具有三嗪环的超支化聚合物，例如，作为HYPERTECH系列(NISSANCHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造、产品名称)能够在市面上获得。
(具有茀骨架的化合物)
作为具有茀骨架的化合物，优选为具有9，9-双[4-2-(甲基)丙烯酰氧基乙氧基苯基]茀骨架的化合物。上述化合物可以通过(聚)氧乙烯或(聚)氧丙烯)来进行改性。例如，作为EA-0200(Osaka Gas Chemicals Co.，Ltd.制造、产品名称)能够在市面上获得这些。进而，可以通过环氧丙烯酸酯来进行环氧改性。例如，作为GA5000、EG200(Osaka GasChemicals Co.，Ltd.制造、产品名称)能够在市面上获得这些。
折射率调整材料可以单独使用1种，也可以使用2种以上。
水溶性树脂层中的折射率调整材料的含量相对于水溶性树脂层的总质量优选为50质量％以上，更优选为60质量％以上，特别优选为70质量％以上。作为上限，并无特别限制，但是优选为95质量％以下，更优选为90质量％以下。
<金属氧化抑制剂>
并且，优选水溶性树脂层包含金属氧化抑制剂。
水溶性树脂层包含金属氧化抑制剂的情况下，能够抑制水溶性树脂层中的金属的酸化。
作为金属氧化抑制剂，例如，优选为具有在分子内包含氮原子的芳香环的化合物。作为金属氧化抑制剂，例如，可举出咪唑类、苯并咪唑类、四唑类、巯基噻二唑类、苯并三唑类、吡啶类(异菸碱酰胺等)及嘌呤盐基(腺嘌呤等)。
作为上述苯并三唑类，例如，也能够使用在第1实施方式的转印膜中的感光性树脂层的说明中叙述的苯并三唑类。
金属氧化抑制剂的含量相对于水溶性树脂层的总质量优选为0.01～10质量％，更优选为0.1～5质量％。
<聚合性化合物>
水溶性树脂层可以包含聚合性化合物。
聚合性化合物的含量例如相对于水溶性树脂层的总质量优选为0.01～10质量％，更优选为0.1～5质量％。
作为聚合性化合物，可举出与第1实施方式的转印膜的感光性树脂层能够包含的聚合性化合物相同的聚合性化合物，其中，优选为具有酸基的聚合性化合物。
<其他成分>
水溶性树脂层可以包含除了上述成分以外的其他成分。
作为其他成分，也可举出氨基醇(N-甲基二乙醇胺及单异丙醇胺等)。优选为氨基醇是具有1个以上(例如，1～5个)伯醇基及1个以上(例如，1～5个)的伯～叔氨基的化合物。氨基醇的含量例如相对于水溶性树脂层的总质量优选为0.01～10质量％，更优选为0.1～5质量％。
水溶性树脂层的折射率优选为1.60以上，更优选为1.63以上。折射率的上限优选为2.10以下，更优选为1.85以下。
水溶性树脂层的厚度优选为500nm以下，更优选为110nm以下，进一步优选为100nm以下。上述厚度的下限例如为20nm以上。
《第2实施方式的转印膜的制造方法》
第2实施方式的转印膜的制造方法并无特别限制，能够使用公知的制造方法，例如公知的各层的形成方法。
以下，参考图2，对第2实施方式的转印膜的制造方法进行说明。但是，第2实施方式的转印膜并不限制于具有图2中示出的结构的转印膜。
作为上述转印膜20的制造方法，例如，可举出包括如下工序的方法：在临时支承体11的表面涂布感光性树脂组合物(负型感光性树脂组合物)而形成涂膜的工序，并进一步干燥该涂膜而形成感光性树脂层13(负型感光性树脂层)的工序；在感光性树脂层13(负型感光性树脂层)的表面涂布水溶性树脂组合物而形成涂膜，并进一步干燥该涂膜而形成水溶性树脂层15的工序。
另外，关于水溶性树脂组合物及水溶性树脂层形成方法，将在后面进行叙述。关于感光性树脂组合物(负型感光性树脂组合物)及感光性树脂层(负型感光性树脂层)形成方法，与在上述第1实施方式的转印膜的制造方法中的说明相同，优选实施方式也相同。
通过将覆盖膜17压接在通过上述制造方法制造的层叠体的水溶性树脂层15上来制造转印膜20。
作为第2实施方式的转印膜的制造方法，优选通过包括设置覆盖层17以与水溶性树脂层15的具有临时支承体11的侧的相反一侧的面接触的工序而制造具备临时支承体11、感光性树脂层13、水溶性树脂层15及覆盖膜17的转印膜20。
通过上述制造方法制造转印膜20之后，卷绕转印膜20，由此可以制作及保管辊方式的转印膜。关于辊方式的转印膜，能够在后述的辊对辊方式下的与基板的贴合工序中以原样的方式提供。
并且，作为上述转印膜20的制造方法，可以为在覆盖膜17上形成水溶性树脂层15之后，在水溶性树脂层15的表面形成感光性树脂层13的方法。
<水溶性树脂组合物及水溶性树脂层形成方法>
作为水溶性树脂组合物，优选包含形成上述水溶性树脂层的各种成分及溶剂。另外，在水溶性树脂组合物中，相对于组合物的总固体成分的各成分的含量的优选范围与相对于上述水溶性树脂层的总质量的各成分的含量的优选范围相同。
作为溶剂，只要能够溶解或分散化合物A及水溶性树脂，则并无特别限制，优选为选自水及水混合性有机溶剂中的至少1种，更优选为水或水与水混合性有机溶剂的混合溶剂。
作为水混合性有机溶剂，例如，可举出碳原子数1～3的醇、丙酮、乙二醇及丙三醇，优选为碳原子数1～3的醇，更优选为甲醇或乙醇。
可以单独使用1种溶剂，也可以使用2种以上的溶剂。
相对于组合物的总固体成分100质量份，溶剂的含量优选为50～2,500质量份，更优选为50～1,900质量份，进一步优选为100～900质量份。
水溶性树脂的形成方法只要为能够形成包含上述成分的层的方法，则不受特别限制，例如可举出公知的涂布方法(狭缝涂布、旋涂、帘式涂布及喷墨涂布等)。
[层叠体的制造方法及电路配线的制造方法]
本发明也涉及一种层叠体的制造方法。
关于层叠体的制造方法，只要为使用上述第1实施方式及第2实施方式的转印膜的层叠体的制造方法，则并无特别限制。
作为层叠体的制造方法优选为如下制造方法：其包括：贴合工序(以下也称为“贴合工序”。)，使基板(优选为具有导电性的基板)与在转印膜中的临时支承体上配置的组合物层中的最外层的表面接触，贴合转印膜与基板(优选为具有导电性的基板)，从而获得带转印膜的基板；曝光工序(以下也称为“曝光工序”。)，对上述组合物层进行图案曝光；显影工序(以下也称为“显影工序”。)，对经曝光的上述组合物层进行显影而形成树脂图案；及剥离工序(以下也称为“剥离工序”。)，在贴合工序与曝光工序之间或曝光工序与显影工序之间，从带转印膜的基板剥离临时支承体。
关于电路配线的制造方法，只要为使用上述第1实施方式及第2实施方式的转印膜的电路配线的制造方法，则并无特别限制。
作为电路配线的制造方法，包括如下工序(以下，也称为“蚀刻工序”)的方法优选为：在依次层叠有基板、导电层(基板所具有的导电层)及使用上述转印膜制造的树脂图案的层叠体中，对位于未配置有树脂图案的区域中的导电层进行蚀刻处理。
即，电路配线的制造方法优选为如下制造方法：其包括：贴合工序(以下也称为“贴合工序”。)，使具有导电层的基板与在转印膜中的临时支承体上配置的组合物层中的最外层的表面接触，贴合转印膜与具有导电层的基板，从而获得带转印膜的基板；曝光工序(以下也称为“曝光工序”。)，对上述组合物层进行图案曝光；显影工序(以下也称为“显影工序”。)，对经曝光的上述组合物层进行显影而形成树脂图案；对位于未配置有树脂图案的区域中的导电层进行蚀刻处理的工序(以下也称为“蚀刻工序”)；及剥离工序(以下也称为“剥离工序”。)，在贴合工序与曝光工序之间或曝光工序与显影工序之间，从带转印膜的基板剥离临时支承体。
以下，对层叠体的制造方法及电路配线的制造方法所包括的各工序进行说明，但是除了特别提及的情况以外，对层叠体的制造方法中所包含的各工序进行了说明的内容也应用于电路配线的制造方法中所包含的各工序。
〔贴合工序〕
层叠体的制造方法优选包括贴合工序。
在贴合工序中，优选使基板(基板的表面设置有导电层的情况下为导电层)与在转印膜中的临时支承体上配置的组合物层中的最外层的表面接触，对转印膜和基板进行压接。若为上述实施方式，则组合物层与基板的密合性得到提高，因此尤其能够适当地用作使用曝光及显影后形成有图案的树脂图案来对导电层进行蚀刻时的蚀刻抗蚀剂。
另外，在转印膜具备覆盖膜的情况下，只要从转印膜的表面去除覆盖膜之后，进行贴合即可。
作为对基板和转印膜进行压接的方法，并无特别限制，能够使用公知的转印方法及层合方法。
对于转印膜与基板的贴合，优选通过在转印膜的与临时支承体相反的一侧的面堆叠基板，并使用辊等方法实施加压及加热来进行。在贴合中能够使用层压机、真空层压机及能够进一步提高生产性的自动切割层压机等公知的层压机。
优选包括贴合工序的层叠体的制造方法及电路配线的制造方法通过辊对辊方式来进行。
辊对辊方式是指如下方式，其包括：作为基板而使用能够卷绕及开卷的基板，在层叠体的制造方法或电路配线的制造方法中所包括的任一个工序之前，将基板或包括基板的结构体进行开卷的工序(也称为“开卷工序”。)；及在任一个工序之后，将基材或包括基板的结构体进行卷绕的工序(也称为“卷绕工序”。)，一边输送基材或包括基板的结构体一边进行至少任一个工序(优选为所有工序或除了加热工序以外的所有工序)。
作为开卷工序中的开卷方法及卷绕工序中的卷绕方法，并无特别限制，只要在应用辊对辊方式的制造方法中，使用公知的方法即可。
<基板>
作为用于使用第1实施方式及第2实施方式的转印膜的树脂图案的形成的基板，只要使用公知的基板即可，但是优选为具有导电层的基板，更优选为在基材的表面具有导电层。
根据需要，基板可以具有除了导电层以外的任意层。
作为构成基板的基材，例如，可举出玻璃、硅及薄膜。
构成基板的基材优选为透明。在本说明书中，“透明”是指波长400～700nm的光的透射率为80％以上。
并且，构成基板的基材的折射率优选为1.50～1.52。
作为透明的玻璃基材，可举出以Corning Incorporated的大猩猩玻璃为代表的强化玻璃。并且，作为透明的玻璃基材，能够使用日本特开2010-086684号公报、日本特开2010-152809号公报及日本特开2010-257492号公报中所使用的材料。
在作为基材而使用薄膜基材的情况下，优选使用光畸变小和/或透明度高的薄膜基材。作为这种薄膜基材，例如，可举出聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、三乙酰纤维素及环烯烃聚合物。
作为基板的基材，在通过辊对辊方式制造的情况下，优选为薄膜基材。并且，在通过辊对辊方式制造触摸面板用电路配线的情况下，基材优选为片状树脂组合物。
作为基板所具有的导电层，可举出一般的电路配线及触摸面板配线中所使用的导电层。
作为导电层，从导电性及细线形成性的观点考虑，优选为选自金属层、导电性金属氧化物层、石墨烯层、奈米碳管层及导电聚合物层中的至少1种层，更优选为金属层，进一步优选为铜层或银层。
基板可以具有单独1层导电层，也可以具有2层以上的导电层。在具有2层以上的导电层的情况下，优选为具有不同材质的导电层。
作为导电层的材料，可举出金属及导电性金属氧化物。
作为金属，可举出Al、Zn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mo、Ag及Au。
作为导电性金属氧化物，可举出ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)及SiO2。
另外，在本说明书中，“导电性”是指体积电阻率小于1×106Ωcm。优选导电性金属氧化物的体积电阻率小于1×104Ωcm。
在使用具有多个导电层的基板来制造树脂图案的情况下，优选多个导电层中的至少一个导电层包含导电性金属氧化物。
作为导电层，优选为静电电容型触摸面板中所使用的相当于视觉辨识部的传感器的电极图案或周边取出部的配线。
〔曝光工序〕
层叠体的制造方法优选包括在上述贴合工序之后对组合物层进行图案曝光的工序(曝光工序)。
图案曝光中的图案的详细配置及具体尺寸并无特别限制。图案的至少一部分(优选为触摸面板的电极图案和/或取出配线的部分)优选包括宽度为20μm以下的细线，以提高具备具有通过电路配线的制造方法制造的电路配线的输入装置的显示装置(例如触摸面板)的显示品质，并且使取出配线所占的面积减小，更优选包括宽度为10μm以下的细线。
关于曝光中所使用的光源，只要为照射能够对感光性树脂层进行曝光的波长的光(例如，365nm或405nm)的光源，则能够适当地选择使用。具体而言，可举出超高压汞灯、高压汞灯、金属卤化物灯及LED(Light Emitting Diode：发光二极体)。
作为曝光量，优选为5～200mJ/cm2，更优选为10～100mJ/cm2。
〔剥离工序〕
剥离工序为在贴合工序与曝光工序之间或曝光工序与后述的显影工序之间，从带感光性组合物层的基板剥离临时支承体的工序。
剥离方法并无特别限制，能够使用与日本特开2010-072589号公报的[0161]～[0162]段中所记载的覆盖膜剥离机构相同的机构。
因此，在曝光工序中，可以在从组合物层剥离临时支承体之后进行图案曝光，也可以在剥离临时支承体之前，经由临时支承体进行图案曝光，然后，剥离临时支承体。关于掩膜，在曝光之前剥离临时支承体的情况下，可以与组合物层接触而进行曝光，也可以不接触而靠近进行曝光。在不剥离临时支承体而进行曝光的情况下，掩膜可以与临时支承体接触而进行曝光，也可以不接触而靠近进行曝光。为了防止由组合物层与掩膜的接触造成的掩膜污染及避免由附着于掩膜上的异物造成的对曝光的影响，优选不剥离临时支承体而进行图案曝光。另外，关于曝光方式，在接触曝光的情况下，能够适当地选择使用接触曝光方式，在非接触曝光方式的情况下，能够适当地选择使用近接式曝光方式、透镜系及反射镜系投影曝光方式以及使用了曝光激光等的直接曝光方式。在透镜系及反射镜系投影曝光的情况下，能够根据所需的解析力、焦深来使用具有适当的透镜开口数(NA)的曝光机。在直接曝光方式的情况下，可以直接在感光层上进行描绘，也可以经由透镜对感光层进行缩小投影曝光。并且，曝光不仅可以在大气下进行，也可以在减压或真空下进行，并且，还可以使水等液体介于光源与感光体层之间而进行曝光。
〔显影工序〕
层叠体的制造方法优选包括在上述曝光工序之后对经曝光的组合物层进行显影而形成树脂图案的工序(显影工序)。
在组合物层包括负型感光性树脂层的情况下，根据经曝光的图案而组合物层进行固化反应成为固化膜(图案状的固化膜)，能够使用显影液(碱显影液等)仅去除组合物层的非曝光部。
在转印膜具有负型感光性树脂层以及进而不同的组合物层的情况下，上述不同的组合物层可以仅去除与负型感光性树脂层中被去除的部分相同的部分，还可以包括除了负型感光性树脂层中被去除的部分以外的部分在内全部去除。
例如，在转印膜具有负型感光性树脂层、以及热塑性树脂层和水溶性树脂层的情况下，在显影工序中，可以仅将非曝光部的热塑性树脂层和水溶性树脂层与非曝光部的负型感光性树脂层一起去除。并且，在显影工序中，曝光部和非曝光部这两个区域中的热塑性树脂层和水溶性树脂层可以以溶解或分散于显影液中的形式被去除。
显影工序中的经曝光的组合物层的显影能够使用显影液来进行。
显影液根据转印膜所具有的组合物层的性质及显影的形式而适当选择即可，例如，可举出碱显影液及有机系显影液。
作为碱显影液，例如，能够使用日本特开平5-072724号公报中所记载的显影液等公知的显影液。
作为碱显影液，优选为以0.05～5mol/L(升)的浓度包含pKa＝7～13的化合物的碱水溶液系显影液。碱显影液可以包含水溶性有机溶剂和/或表面活性剂。作为碱显影液，也优选为国际公开第2015/093271号的0194段中所记载的显影液。相对于显影液的总质量，碱显影液中的有机溶剂的含量优选为0质量％以上且小于90质量％。
作为有机系显影液，能够使用包含酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂及醚系溶剂等极性溶剂、以及烃系溶剂中的1种以上的显影液。有机系显影液中的有机溶剂的含量相对于显影液的总质量优选为为90～100质量％，优选为95～100质量％。
作为显影方式，并无特别限制，可以为旋覆浸没显影、喷淋显影、喷淋及旋转显影、以及浸渍显影中的任一种。喷淋显影是指通过喷淋对曝光后的感光性树脂层喷洒显影液而去除非曝光部的显影处理。
优选在显影工序之后，一边通过喷淋喷洒清洗剂并利用刷子擦拭，一边去除显影残渣。
显影液的液温并无特别限制，但是优选为20～40℃。
〔蚀刻工序〕
电路配线的制造方法优选包括如下工序(蚀刻工序)：在依次层叠有基板、导电层(基板所具有的导电层)及树脂图案(更优选为通过包括上述贴合工序、上述曝光工序及上述显影工序的制造方法制造的树脂图案)的层叠体中，对位于未配置有树脂图案的区域中的导电层进行蚀刻处理。
在蚀刻工序中，将由感光性树脂层形成的树脂图案用作蚀刻抗蚀剂，进行导电层的蚀刻处理。
作为蚀刻处理的方法，能够应用公知的方法，例如，可举出日本特开2017-120435号公报的0209～0210段中所记载的方法、日本特开2010-152155号公报的0048～0054段中所记载的方法、浸渍于蚀刻液中的湿式蚀刻法及基于电浆蚀刻等干式蚀刻的方法。
关于湿式蚀刻中所使用的蚀刻液，只要根据蚀刻对象来适当地选择酸性或碱性蚀刻液即可。
作为酸性蚀刻液，例如，可举出选自盐酸、硫酸、硝酸、乙酸、氢氟酸、草酸及磷酸中的只有酸性成分的水溶液、以及酸性成分与选自氯化铁、氟化铵及过锰酸钾中的盐的混合水溶液。酸性成分可以为组合多种酸性成分而成的成分。
作为碱性蚀刻液，可举出选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨、有机胺及有机胺的盐(氢氧化四甲基铵等)中的只有碱性成分的水溶液、以及碱性成分与盐(过锰酸钾等)的混合水溶液。碱性成分可以为组合多种碱性成分而成的成分。
〔去除工序〕
优选在电路配线的制造方法中，进行去除残留的树脂图案的工序(去除工序)。
去除工序并无特别限制，能够根据需要进行，但是优选在蚀刻工序之后进行。
作为去除残留的树脂图案的方法，并无特别限制，但是可举出通过化学性处理来去除的方法，优选为使用去除液来去除的方法。
作为感光性树脂层的去除方法，可举出经1～30分钟将具有残留的树脂图案的基板浸渍于液温优选为30～80℃、更优选为50～80℃的搅拌中的去除液中的方法。
作为去除液，例如，可举出将无机碱性成分或有机碱性成分溶解于水、二甲基亚砜、N-甲基吡咯啶酮或这些的混合溶液中而得的去除液。作为无机碱性成分，例如，可举出氢氧化钠及氢氧化钾。作为有机碱性成分，可举出伯胺化合物、仲胺化合物、叔胺化合物及季铵盐化合物。
并且，可以使用去除液，通过喷涂法、喷淋法及旋覆浸没法等公知的方法来去除。
〔其他工序〕
电路配线的制造方法可以包括除了上述的工序以外的任意工序(其他工序)。例如，可举出以下工序，但是并不限制于这些工序。
并且，作为电路配线的制造方法中能够应用的曝光工序、显影工序及其他工序，可举出日本特开2006-023696号公报的0035～0051段中所记载的工序。
《覆盖膜剥离工序》
在转印膜具备覆盖膜的情况下，层叠体的制造方法优选包括从转印膜剥离覆盖膜的工序。剥离覆盖膜的方法没有限制，能够应用公知的方法。
《使可见光线反射率降低的工序》
电路配线的制造方法可以包括进行降低基材所具有的多个导电层的一部分或全部的可见光线反射率的处理的工序。
作为降低可见光线反射率的处理，可举出氧化处理。在基材具有包含铜的导电层的情况下，对铜进行氧化处理而制成氧化铜，并对导电层进行黑化，由此能够降低导电层的可见光线反射率。
关于降低可见光线反射率的处理，记载于日本特开2014-150118号公报的0017～0025段、以及日本特开2013-206315号公报的0041段、0042段、0048段及0058段，这些公报中所记载的内容被编入到本说明书中。
《形成绝缘膜的工序、在绝缘膜的表面形成新的导电层的工序》
电路配线的制造方法也优选包括在电路配线的表面形成绝缘膜的工序和在绝缘膜的表面形成新的导电层的工序。
通过上述工序，能够形成与第一电极图案绝缘的第二电极图案。
作为形成绝缘膜的工序，并无特别限制，可举出形成公知的永久膜的方法。并且，可以使用具有绝缘性的感光性材料，通过光微影形成所期望的图案的绝缘膜。
在绝缘膜上形成新的导电层的工序并无特别限制，例如，可以使用具有导电性的感光性材料，通过光微影形成所期望的图案的新的导电层。
也优选电路配线的制造方法中，使用在基材的两个表面分别具有多个导电层的基板，对形成于基材的两个表面的导电层逐次或同时形成电路。通过这种结构，能够形成在基材的一个表面形成有第一导电图案且在另一个表面形成有第二导电图案的触摸面板用电路配线。并且，也优选通过辊对辊从基材的两面形成这种结构的触摸面板用电路配线。
〔电路配线的用途〕
通过电路配线的制造方法制造的电路配线能够应用于各种装置。作为具备通过上述的制造方法制造的电路配线的装置，例如，可举出输入装置，优选为触摸面板，更优选为静电电容型触摸面板。并且，上述输入装置能够应用于有机EL显示装置及液晶显示装置等显示装置。
[电子器件的制造方法]
本发明还涉及一种电子器件的制造方法。
作为上述电子器件的制造方法，优选为使用上述第1实施方式及第2实施方式的转印膜的电子器件的制造方法。
其中，电子器件的制造方法优选包括上述层叠体的制造方法。
作为上述电子器件，例如，可举出输入装置等，优选为触摸面板。并且，上述输入装置能够应用于有机电致发光显示装置、液晶显示装置等显示装置。
作为触摸面板的制造方法，也优选为包括如下工序的方法：在依次层叠有基板、导电层(基板所具有的导电层)及使用第1实施方式及第2实施方式的转印膜制造的树脂图案的层叠体中，对位于未配置有树脂图案的区域中的导电层进行蚀刻处理，由此形成触摸面板用配线，更优选为使用通过包括上述贴合工序、上述曝光工序及上述显影工序的制造方法制造的树脂图案的方法。
关于包括形成触摸面板用配线的工序的触摸面板的制造方法中的各工序的具体实施方式及进行各工序的顺序等实施实施方式，如上述“电路配线的制造方法”一项所述，优选的实施方式也相同。
并且，包括形成触摸面板用配线的工序的触摸面板的制造方法可以包括除了上述以外的任意工序(其他工序)。
作为形成触摸面板用配线的方法，还能够参考国际公开第2016/190405号的图1中所记载的方法。
通过上述触摸面板的制造方法，可制造至少具有触摸面板用配线的触摸面板。触摸面板优选具有透明基板、电极及绝缘层或保护层。
作为触摸面板中的检测方法，可举出电阻膜方式、静电容方式、超音波方式、电磁感应方式及光学方式等公知的方式。其中，优选为静电容量方式。
作为触摸面板，可举出所谓的内嵌型(例如，日本特表2012-517051号公报的图5、图6、图7及图8中所记载的触摸面板)、所谓的外嵌型(例如，日本特开2013-168125号公报的图19中所记载的触摸面板、以及日本特开2012-89102号公报的图1及图5中所记载的触摸面板)、OGS(One Glass Solution：单片玻璃方案)型、TOL(Touch-on-Lens：覆盖层触摸)型(例如，日本特开2013-54727号公报的图2中所记载的触摸面板)、各种外挂型(所谓的GG、G1·G2、GFF、GF2、GF1及G1F等)以及其他结构(例如，日本特开2013-164871号公报的图6中所记载的触摸面板)。
作为触摸面板，例如，可举出日本特开2017-120345号公报的0229段中所记载的触摸面板。
优选在使用第1实施方式及第2实施方式的转印膜的电子器件的制造方法(尤其，转印膜包含负型感光性组合物层的情况)中，所制造的电子器件包括树脂图案作为固化膜。
这种树脂图案的固化膜能够用作对电子器件(触摸面板等)所具有的电极等的一部分或全部进行被覆的保护膜(永久膜)。在电极等上配置上述树脂图案的固化膜来作为保护膜(永久膜)，由此能够防止如金属的腐蚀、电极与驱动用电路之间的电阻的增加及断线等不良情况。
实施例
以下，基于实施例对本发明进行进一步详细说明。以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容及处理步骤等，只要不脱离本发明的宗旨，则能够适当变更。因此，本发明的范围不应被以下所示的实施例限定地解释。
在以下实施例中，只要无特别说明，则“份”及“％”分别是指“质量份”及“质量％”。
[化合物A的合成]
〔合成例1～4：高分子化合物A的合成〕
<合成例1>
在具备搅拌机、温度计、回流冷却管及氮气导入管的300毫升的三口烧瓶中加入环己酮(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)25.0g，并升温至80℃。接着，将包含1H，1H，5H-八氟戊基丙烯酸酯(Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造)10.40g(36.6毫摩尔)、聚乙二醇单丙烯酸酯(BLEMMER AE-400(n≈10、NOF CORPORATION.制造)60.5g(111.8毫摩尔)、环己酮25.0g及引发剂“V-601”(FUJIFILM Wako Pure ChemicalCorporation制造)0.342g的混合溶液以恒速滴加，以使在180分钟内完成滴加。完成滴加后，进一步继续搅拌1小时之后，进一步添加了包含“V-601”0.342g及环己酮1.00g的溶液。接着，在添加后，立即升温至93℃，进一步继续搅拌2小时，获得了后段所示的聚合物A-1的环己酮溶液121.5g。该聚合物的重均分子量(Mw)为通过11000(凝胶渗透色谱法(EcoSECHLC-8320GPC(TOSOH CORPORATION制造))以洗脱液THF、流速0.35ml/min、温度为40℃的测量条件下，由聚苯乙烯换算来计算的值，使用管柱为TSKgel SuperHZM-H、TSKgelSuperHZ4000、TSKgel SuperHZ200(TOSOH CORPORATION制造))。
<合成例2～合成例4>
除了如表1那样分别变更合成例1中使用的单体及组成比以外，通过相同的方法合成了聚合物A-5、A-6及A-9。
以下，示出聚合物A-1、A-5、A-6及A-9的结构。另外，附加到聚合物中的结构单元的数值表示相对于聚合物的总质量的含量(质量％)。
[化学式16]
Figure BDA0004086441380000711
各聚合物的重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)及分散度(Mw/Mn)为如下所示。
[表1]
合成例 聚合物的种类 Mw Mn Mw/Mn
1 A-1 11000 5000 2.2
2 A-5 12000 6030 1.99
3 A-6 18000 7400 2.43
4 A-9 9000 3900 2.29
〔合成例5：低分子化合物A的合成〕
参考文献(“立松等、油化学，1980，Vol.29(1)，p23”及“立松等、药学，1976，Vol.25(5)，p287”)，并利用公知的方法合成了以下示出的低分子化合物B-1。
[化学式17]
Figure BDA0004086441380000712
[实施例1～8以及比较例1及2]
〔感光性树脂组合物的制备〕
<树脂的制造>
在以下合成例中，以下缩写分别表示以下化合物。
St：苯乙烯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)
MAA：甲基丙烯酸(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)
MMA：甲基丙烯酸甲酯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)
BzMA：甲基丙烯酸苄酯(FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)
AA：丙烯酸(Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造)
PGMEA：丙二醇单甲醚乙酸酯(SHOWA DENKO K.K.制造)
MEK：甲基乙基酮(SANKYO CHEMICAL Co.，Ltd.制造)
V-601：二甲基-2，2’-偶氮双(2-甲基丙酸酯)(FUJIFILM Wako Pure ChemicalCorporation制造)
〔树脂P-1的合成〕
在三口烧瓶中放入PGMEA(116.5份)，并在氮气氛下升温至90℃。经2小时将加入了St(52.0份)、MMA(19.0份)、MAA(29.0份)、V-601(4.0份)及PGMEA(116.5份)的溶液滴加到维持为90℃±2℃的上述烧瓶溶液中。滴加结束之后，将上述烧瓶内的溶液在90℃±2℃条件下搅拌2小时，由此获得了树脂P-1(固体成分浓度为30.0质量％)。
(树脂P-2、P-3的合成)
如下述表1那样变更所使用的单体的种类等，关于其他条件，通过与树脂P-1相同的方法，获得了包含树脂P-2的溶液及包含树脂P-3的溶液。将包含树脂P-2的溶液及包含树脂P一3的溶液的固体成分浓度设为30质量％。
以下，示出为了合成各树脂而使用的各单体的种类、源自各单体的结构单元的质量百分率(质量％)以及各树脂的重均分子量。
另外，树脂P-1～P-3均相当于碱溶性树脂。
[表2]
P-1 P-2 P-3
St 52 32
BzMA 81
MAA 29 19 28
MMA 19 40
重均分子量(Mw) 60,000 4,0000 40,000
<感光性树脂组合物1～4的制备>
根据后段所示的表3中所记载的配方，搅拌混合这些成分，由此制备了感光性树脂组合物1～4。另外，各成分的量的单位为质量份。
以下，示出各感光性树脂组合物1～4的调合。
表中，各感光性树脂组合物中的关于各成分的数值表示各成分的添加量(质量份)。
另外，树脂以包含树脂的溶液的方式添加到各感光性树脂组合物中。表中的表示树脂的添加量的数值为作为所添加的“包含树脂的溶液”的质量。
以下，关于以包含在混合溶液中的方式添加到组合物中的成分，只要无特别说明，则设为相同。
[表3]
Figure BDA0004086441380000731
表3中，各成分的详细内容如下。
·BPE-500：2，2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基五乙氧基)苯基)丙烷，Shin-NakamuraChemical Co.，Ltd.制造
·BPE-200：2，2-双(4-((甲基)丙烯酰氧基二乙氧基)苯基)丙烷，Shin-NakamuraChemical Co.，Ltd.制造
·M-270：聚丙二醇二丙烯酸酯(n≈12)，TOAGOSEI CO.，LTD.制造
·A-TMPT：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Shin-Nakamura Chemical Co.，Ltd.制造
·SR-454：乙氧基化(3)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Arkema公司制造
·SR-502：乙氧基化(9)三羟甲基丙烷三丙烯酸酯，Arkema公司制造
·A-9300-CL1：己内酯改性(甲基)丙烯酸酯化合物，Shin-Nakamura ChemicalCo.，Ltd.制造
·B-CIM：2，2’-双(2-氯苯基)-4，4’，5，5’-四苯基双咪唑，Hampford公司
·SB-PI 701：4，4’-双(二乙基氨基)二苯甲酮，SANYO TRADING CO.，LTD.制造
·无色结晶紫：Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造
·亮绿：Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造
·N-苯甘胺酸：Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造
·CBT-1：羧基苯并三唑，JOHOKU CHEMICAL CO.，LTD制造
·TDP-G：啡噻嗪，Kawaguchi Chemical Industry Co.，LTD.制造
·Irganox245：受阻酚系抗氧化剂，BASF公司制造
·N-亚硝基苯基羟胺铝盐：FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造
·菲尼酮：Tokyo Chemical Industry Co.，Ltd.制造
·Megaface F552、DIC CORPORATION制造
〔热塑性树脂组合物的制备〕
<树脂P-4的合成>
如下述表4所示那样变更所使用的单体的种类等，关于其他条件，通过与树脂P-1相同的方法，获得了包含树脂P-4的溶液。将包含树脂P-4的溶液的固体成分浓度设为30质量％。
另外，树脂P-4相当于碱溶性树脂。
以下，示出为了合成树脂而使用的各单体的种类、源自各单体的结构单元的质量百分率(质量％)以及树脂的重均分子量。
[表4]
P-4
BzMA 75
MAA 10
MMA 15
重均分子量(Mw) 30,000
<热塑性树脂组合物1及2的制备>
以下述表5中示出的质量份将以下成分进行混合，制备了热塑性树脂组合物1～2。
[表5]
Figure BDA0004086441380000751
在表5中，缩写分别表示以下化合物。
·P-4：相对于树脂的总质量，分别包含75质量％、10质量％及15质量％的基于甲基丙烯酸苄酯的结构单元、基于甲基丙烯酸甲酯的结构单元、基于丙烯酸的结构单元，且重均分子量为30000的树脂。另外，P-4相当于作为热塑性树脂的碱溶性树脂的树脂。并且，P-4以包含P-4的溶液(固体成分浓度为30.0质量％，溶剂：PGMEA)的方式添加到热塑性树脂组合物中。
·Acrybase FF187：包含作为碱可溶性热塑性树脂的树脂的溶液(固体成分浓度为40质量％，溶剂：PGMEA，FUJIKURAKASEI CO.，LTD.制造)
·BB-1：下述所示的结构的化合物(通过酸而显色的色素)
[化学式18]
Figure BDA0004086441380000761
·C-1：下述所示的结构的化合物(光产酸剂，日本特开2013-047765号公报的0227段中所记载的化合物，根据0227段中所记载的方法进行了合成。)
[化学式19]
Figure BDA0004086441380000762
〔水溶性树脂组合物的调整〕
<水溶性树脂组合物1～7的制备>
以下述表6中示出的质量份将以下成分进行混合，制备了水溶性树脂组合物1～7。
另外，水溶性树脂组合物1～7为为了形成中间层的优选组合物。
并且，在水溶性树脂组合物1～7的制备中使用的URARAY POVAL4-88LA、KURARAYPOVAL205及聚乙烯吡咯啶酮对液温为22℃且pH7.0的水100g的溶解度为10g以上。
[表6]
Figure BDA0004086441380000771
〔转印膜的制作〕
<实施例1>
使用狭缝状喷嘴，将所调整的热塑性树脂组合物1以1.0m的宽度涂布于厚度为16μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(Lumirror 16KS40(TORAY INDUSTRIES，INC.制造))上，以使干燥后的组合物层的平均膜厚成为指定的膜厚(表5中记载的膜厚：2.0μm)，并使其经60秒钟通过设定成80℃且调整吸气量和排气量而将膜面风速设定成0.2m/sec的3m的干燥区，从而获得了临时支承体与热塑性树脂层的层叠体A。
随后，在所制作的层叠体A的热塑性树脂层上，使用狭缝状喷嘴，调整涂布量，以使干燥后的组合物层的平均膜厚成为指定的膜厚(表6中记载的膜厚：1.0μm)，并以1.0m的宽度涂布了水溶性树脂组合物1。然后，使上述层叠体A经60秒钟通过温度为100℃且调整吸气量和排气量而将膜面风速设定成3m/sec的3m的干燥区，获得了在上述热塑性树脂层上形成有水溶性树脂层的层叠体B。
随后，在所制作的层叠体B的水溶性树脂层上，使用狭缝状喷嘴，调整涂布量，以使干燥后的组合物层的平均膜厚成为指定的膜厚(表3中记载的膜厚：2.0μm)，并以1.0m的宽度涂布了感光性树脂组合物1。然后，使上述层叠体B经60秒钟通过温度为80℃且调整吸气量和排气量而将膜面风速设定成0.2m/sec的3m的干燥区，获得了在上述水溶性树脂层上形成有感光性树脂层的实施例1的转印膜。
<实施例2～8以及比较例1及2>
如表7所示，除了变更热塑性树脂组合物、水溶性树脂组合物及感光性树脂组合物的种类以外，以与实施例1相同的方法制作了转印膜。
但是，关于实施例2～8以及比较例1及2，根据热塑性树脂组合物、水溶性树脂组合物及感光性树脂组合物的种类，还变更了由各组合物形成的组合物层的膜厚。所形成的组合物层的膜厚是指，在表3、表5及表6中与组合物的组成一同示出的平均膜厚(μm)。
另外，实施例1～8的转印膜相当于第1实施方式的转印膜。
〔分辨率的评价〕
通过利用溅射法在厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上，设置厚度为200nm的铜层而准备了带有铜层的PET基板。
将所制作的转印膜(实施例1～8以及比较例1及2)开卷之后，在辊温度100℃、线压1.0MPa、线速度4.0m/min的层合条件下，贴合在临时支承体上配置的组合物层的最外层(感光性树脂层)的表面与带有上述铜层的PET基板，从而在转印膜上层合了带有铜层的PET基板。接着，不剥离临时支承体并经由线与空间图案(Duty比1∶1、线宽20μm)，在超高压汞灯下进行曝光后，剥离临时支承体而进行了显影。显影时使用25℃的1.0％碳酸钠水溶液，通过喷淋显影进行了30秒钟。当通过上述方法形成了线与空间图案时，将阻剂线宽成为20μm的曝光量设为最优选的曝光量。
通过扫描式电子显微镜(SEM)观察在最优选曝光量下形成的线与空间图案的任意1cm2的区域，并根据下述评价基准，将未剥离抗蚀剂图案且未产生残渣的状态下解析的最小线宽作为分辨率来进行了评价。其中，等级A、B、C为实际应用上能够容许的范围。将结果示于表7中。
(评价基准)
A：分辨率小于5μm
B：分辨率为5μm以上且小于7μm
C：分辨率为7μm以上且小于9μm
D：分辨率为9μm以上且小于11μm
E：分辨率为11μm以上
[表7]
Figure BDA0004086441380000791
从表7的结果确认到根据实施例的转印膜，能够形成分辨率优异的抗蚀图案。
并且，从实施例的对比中发现如下：化合物A是分子量为2,000以下且上述通式(6B)所表示的低分子化合物A的情况下(相当于实施例5、6、8)、或者包含上述通式(4)所表示的结构单元及上述通式(5)所表示的结构单元的高分子化合物A的情况下(相当于实施例1～3、6)，分辨率更加优异。其中，化合物A是分子量为2,000以下且为上述通式(6B)所表示的低分子化合物A的情况下(相当于实施例5、6、8)、或者重均分子量为15,000以下且为包含上述通式(4)所表示的结构单元及上述通式(5)所表示的结构单元的高分子化合物A的情况下(相当于实施例1、2、6)，分辨率更加优异。
[实施例9～16以及比较例3及4]
〔感光性树脂组合物的制备〕
<树脂的制造>
(聚合物P-5的合成)
将丙二醇单甲醚乙酸酯(60g，FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)、丙二醇单甲醚(240g，FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)导入到容量为2000mL的烧瓶中。将所获得的液体以250rpm(round per minute：转速；以下相同。)的搅拌速度进行搅拌的同时升温至90℃。
作为滴加液(1)的制备，混合甲基丙烯酸(107.1g，MITSUBISHI RAYON CO.，LTD.制造，产品名称为Acryester M)、甲基丙烯酸甲酯(5.46g，MITSUBISHI GAS CHEMICALCOMPANY，INC.制造，产品名称为MMA)及甲基丙烯酸环己酯(231.42g，MITSUBISHI GASCHEMICAL COMPANY，INC.制造，产品名称为CHMA)，并利用丙二醇单甲醚乙酸酯(60.0g)进行稀释，由此获得了滴加液(1)。
作为滴加液(2)的制备，用丙二醇单甲醚乙酸酯(136.56g)溶解二甲基2，2’-偶氮双(2-甲基丙酸酯)(9.637g，FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造，产品名称为V-601)，由此获得了滴加液(2)。
经3小时将滴加液(1)和滴加液(2)同时滴加到上述容量为2000mL的烧瓶(具体而言，装有升温至90℃的液体的容量为2000mL的烧瓶)中。滴加结束之后，每隔1小时在上述烧瓶中添加V-601(2.401g)3次。然后，在90℃条件下进一步搅拌了3小时。
然后，用丙二醇单甲醚乙酸酯(178.66g)稀释了在上述烧瓶中获得的溶液(反应液)。接着，将溴化四乙铵(1.8g，FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)和氢醌单甲醚(0.8g，FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation制造)添加到反应液中。然后，将反应液的温度升温至100℃。
接着，经1小时将甲基丙烯酸环氧丙酯(76.03g，NOF CORPORATION.制造，产品名称为BLEMMER G)滴加到反应液中。使上述反应液在100℃条件下反应6小时，获得了树脂P-5的溶液1158g(固体成分浓度为36.3质量％)。所获得的树脂P-5的重均分子量为27000，数均分子量为15000，酸值为95mgKOH/g。相对于聚合物固体成分，使用气相色谱分析法测量的残留单体量小于0.1质量％。
<树脂P-6的合成>
参考树脂P-5的合成方法，获得了树脂P-6。
具体而言，在树脂P-5的合成中使用的滴加液(1)中，将作为单体而使用了甲基丙烯酸(107.1g)、甲基丙烯酸甲酯(5.46g)及甲基丙烯酸环己酯(231.42g)的结构变更为使用成为下述表8中示出的质量比的单体的结构。并且，关于甲基丙烯酸环氧丙酯(76.03g)，也变更了添加量，以使其成为下述表8中的MAA-GMA的组成。
所获得的树脂P-6的溶液的固体成分浓度为36.3质量％，树脂P-6的重均分子量为17000。
表8中示出为了合成树脂而使用的各单体的种类、源自各单体的结构单元的质量百分率(质量％)以及树脂的重均分子量。并且，表8中，MAA-GMA表示对源自甲基丙烯酸的结构单元加成了甲基丙烯酸环氧丙酯的结构单元。
[表8]
P-6
St 47.7
MAA-GMA 32
MAA-GMA 19
MMA 1.3
重均分子量(Mw) 17,000
另外，树脂P-5、P-6相当于任何碱溶性树脂。树脂P-5及P-6分别以包含树脂的溶液的方式添加到感光性树脂组合物中。
<封端异氰酸酯化合物Q-1的合成>
在氮气流下，将丁酮肟(Idemitsu Kosan Co.，Ltd.制造)(453g)溶解于甲基乙基酮(700g)中。在冰冷下，将1，3-双(异氰酸甲酯)环己烷(顺式，反式异构物混合物，MitsuiChemicals，Inc.制造，Takenate 600)(500g)经1小时滴加到所获得的溶液中，滴加之后进一步进行了1小时反应。然后，浆上述溶液升温至40℃而进行了1小时反应。通过1H-NMR(Nuclear Magnetic Resonance：核磁共振)及HPLC(High Performance LiquidChromatography：高效液相层析术)确认反应已结束，获得了封端异氰酸酯化合物Q-1(参考下述式)的甲基乙基酮溶液(固体成分浓度为57.7质量％)。
另外，封端异氰酸酯化合物Q-1以包含封端异氰酸酯化合物Q-1的溶液的方式添加到感光性树脂组合物中。
[化学式20]
Figure BDA0004086441380000811
<封端异氰酸酯化合物Q-8的合成>
参考封端异氰酸酯化合物Q-1的合成方法，获得了封端异氰酸酯化合物Q-8(参考下述式)的甲基乙基酮溶液(固体成分浓度为75.0质量％)。
另外，封端异氰酸酯化合物Q-8以包含封端异氰酸酯化合物Q-8的溶液的方式添加到感光性树脂组合物中。
[化学式21]
Figure BDA0004086441380000821
〔感光性树脂组合物5～6的制备〕
根据下述表9中所记载的配方，搅拌混合这些成分，由此制备了感光性树脂组合物5～6。另外，各成分的量的单位为质量份。
[表9]
Figure BDA0004086441380000822
〔水溶性树脂组合物的制备〕
<聚合物P-7的合成>
将丙二醇单甲醚(270.0g)导入到3个口烧瓶中，搅拌的同时在氮气流下升温至70℃。
另一方面，通过将甲基丙烯酸烯丙酯(45.6g，FUJIFILM Wako Pure ChemicalCorporation)及甲基丙烯酸(14.4g)溶解于丙二醇单甲醚(270.0g)中，进一步溶解V-65(3.94g，FUJIFILM Wako Pure Chemical Corporation)而制作滴加液，并经2.5小时滴加到上述烧瓶中。原样保持搅拌状态2.0小时并进行了反应。然后，使上述烧瓶的内容物的温度恢复到室温，将上述烧瓶的内容物滴加到搅拌状态的离子交换水2.7L中，实施再沉淀，从而获得了悬浮液。用带有滤纸的吸滤器(布氏漏斗)过滤悬浮液，进一步用离子交换水清洗过滤物，从而获得了湿润状态的粉体。经45℃的送风干燥，确认达到恒量，作为粉体以70％的产率获得了树脂P-7。相对于聚合物固体成分，使用气相色谱分析法测量的残留单体量小于0.1质量％。
<水溶性树脂组合物8～14的制备>
根据下述表10中所记载的配方，搅拌混合这些成分，由此制备了水溶性树脂组合物8～14。另外，各成分的量的单位为质量份。
另外，水溶性树脂组合物8～14能够用于形成折射率调整层。
并且，水溶性树脂组合物8～14的制备中使用的树脂P-7及ARUFON UC-3920为碱溶性树脂。并且，树脂P-7及ARUFON UC-3920对液温为22℃且pH7.0的水100g的溶解度为0.1g以上。即，这些树脂也相当于水溶性树脂。
[表10]
Figure BDA0004086441380000841
〔转印膜的制作〕
<实施例9>
在厚度为16μm的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(Lumirror 16KS40(TORAYINDUSTRIES，INC.制造))的临时支承体上，使用狭缝状喷嘴，调整感光性树脂组合物的涂布量，以使宽度为1.0m且干燥后的感光性组合物层的厚度为指定的膜厚(表9中记载的膜厚：8.0)并涂布了感光性树脂组合物5。接着，使所获得的层叠体经60秒钟通过温度为80℃且调整吸气量和排气量而将膜面风速设定成0.2m/sec的3m的干燥区，从而获得了临时支承体与感光性树脂层的层叠体C。
随后，在所制作的层叠体C的感光性树脂层上，使用狭缝状喷嘴，调整涂布量，以使干燥后的组合物层的平均膜厚成为指定的膜厚(表10中记载的膜厚：80nm)，并以1.0m的宽度涂布了水溶性树脂组合物8。然后，使上述层叠体C经60秒钟通过温度为80℃且调整吸气量和排气量而将膜面风速设定成3m/sec的3m的干燥区，获得了在上述感光性树脂层上形成有水溶性树脂层的实施例9的转印膜。
<实施例10～16及比较例3、4>
如表11所示，除了变更感光性树脂组合物及水溶性树脂组合物的种类以外，以与实施例9相同的方法制作了转印膜。
但是，关于实施例10～16以及比较例3及4，根据水溶性树脂组合物及感光性树脂组合物的种类，还变更由各组合物形成的组合物层的膜厚。所形成的组合物层的膜厚是指，在表9及表10中与组合物的组成一起示出的平均膜厚。
另外，实施例9～16的转印膜相当于第2实施方式的转印膜。
〔表面形态评价〕
准备了厚度为100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。
将所制作的转印膜开卷之后，在辊温度100℃、线压1.0MPa、线速度4.0m/min的层合条件下，贴合在临时支承体上配置的组合物层的最外层(水溶性树脂层)的表面与上述PET基板，从而在转印膜上层合了PET基板。接着，不剥离临时支承体并用超高压汞灯进行曝光之后，剥离临时支承体而进行了显影。显影时使用25℃的1.0％碳酸钠水溶液，通过喷淋显影进行了30秒钟。通过上述方法并经由线与空间图案掩膜(Duty比1∶1、线宽20μm)来形成图案时，将抗蚀剂线宽成为20μm的曝光量设为最优选的曝光量。
关于以最优选曝光量形成的固化膜的表面，从PET薄膜侧目视观察10m长×全宽(1.0m)，并根据下述评价基准对表面形态进行了评价。其中，等级A、B、C为实际应用上能够容许的范围。将结果示于表11中。
(评价基准)
A：表面缺陷小于1个/m2。
B：表面缺陷为1个/m2以上且小于3个/m2。
C：表面缺陷为3个/m2以上且小于5个/m2。
D：表面缺陷为5个/m2以上且小于10个/m2。
E：表面缺陷为10个/m2以上。
[表11]
Figure BDA0004086441380000861
从表11的结果中确认到实施例的转印膜的表面缺陷少。
并且，从实施例的对比中发现如下：化合物A是分子量为2,000以下且为上述通式(6B)所表示的低分子化合物A的情况下(相当于实施例15及16)、或者为包含上述通式(4)所表示的结构单元及上述通式(5)所表示的结构单元的高分子化合物A的情况下(相当于实施例9～11、13)，更加抑制表面缺。其中，化合物A是分子量为2,000以下且为上述通式(6B)所表示的低分子化合物A的情况下(相当于实施例15及16)、或者是重均分子量为15,000以下且包含上述通式(4)所表示的结构单元及上述通式(5)所表示的结构单元的高分子化合物A的情况下(相当于实施例9及10)，进一步抑制表面缺陷。
符号说明
1、11-临时支承体，3-热塑性树脂层，5、15-水溶性树脂层，7、13-负型感光性树脂层，9、17-覆盖膜，10、20-转印膜。

Claims (19)

1.一种转印膜，其具有临时支承体及在所述临时支承体上配置的组合物层，
所述组合物层包含感光性树脂层及水溶性树脂层，
所述转印膜依次层叠所述临时支承体、所述水溶性树脂层及所述感光性树脂层而成，或者依次层叠所述临时支承体、所述感光性树脂层及所述水溶性树脂层而成，
所述水溶性树脂层包含具有下述通式(1)所表示的基团的化合物A，
通式(1)：*-CF2-H
式中，*表示键合位置。
2.根据权利要求1所述的转印膜，其中，
所述化合物A为具有下述通式(2)所表示的基团的化合物，
通式(2)：*-CF2-CF2-H
式中，*表示键合位置。
3.根据权利要求1或2所述的转印膜，其中，
所述化合物A为具有下述通式(3)所表示的基团的化合物，
通式(3)：*-(CH2)m-(CF2-CF2)n-H
式中，m及n分别独立地表示1～6的整数，*表示键合位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的转印膜，其中，
所述化合物A为重均分子量为5000以上的高分子化合物。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的转印膜，其中，
所述化合物A为高分子化合物，
所述高分子化合物包含源自下述通式(4A)所表示的单体的结构单元，
Figure FDA0004086441370000011
式中，R1表示氢原子或甲基，X表示氧原子、硫原子或-N(R2)-，m及n分别独立地表示1～6的整数，R2表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。
6.根据权利要求5所述的转印膜，其中，
所述高分子化合物进一步包含源自下述通式(5)所表示的单体的结构单元，
Figure FDA0004086441370000021
式中，R3表示氢原子或甲基，Y表示氧原子、硫原子或-N(R5)-，AL表示任选地具有取代基的亚烷基，nAL表示2以上的整数，R4表示氢原子或取代基，R5表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的转印膜，其中，
所述化合物A的分子量为2000以下。
8.根据权利要求1至3及7中任一项所述的转印膜，其中，
所述化合物A为下述通式(6A)所表示的化合物，
Figure FDA0004086441370000022
式中，Z表示1价的有机基团，L3表示氧原子、硫原子或-N(R6)-，m及n分别独立地表示1～6的整数，R6表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。
9.根据权利要求8所述的转印膜，其中，
所述Z表示包含任选地具有取代基的聚(氧化烯基)结构部位的1价的有机基团。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的转印膜，其中，
所述感光性树脂层进一步包含碱溶性树脂及聚合性化合物。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的转印膜，其中，
所述水溶性树脂层进一步包含金属氧化物粒子。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的转印膜，其中，
所述水溶性树脂层包含2种以上的水溶性树脂。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的转印膜，其进一步具有热塑性树脂层。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的转印膜，其依次层叠所述临时支承体、所述水溶性树脂层及所述感光性树脂层而成。
15.根据权利要求14所述的转印膜，其依次层叠所述临时支承体、所述热塑性树脂层、所述水溶性树脂层及所述感光性树脂层而成。
16.根据权利要求1至13中任一项所述的转印膜，其依次层叠所述临时支承体、所述感光性树脂层及所述水溶性树脂层而成。
17.一种层叠体的制造方法，所述层叠体使用了权利要求1至16中任一项所述的转印膜，所述层叠体的制造方法包括：
贴合工序，使基板与所述转印膜中的在所述临时支承体上配置的组合物层中的最外层的表面接触，贴合所述转印膜与所述基板，获得带转印膜的基板；
曝光工序，对所述组合物层进行图案曝光；
显影工序，对经曝光的所述组合物层进行显影而形成树脂图案；及
剥离工序，在所述贴合工序与所述曝光工序之间或所述曝光工序与所述显影工序之间，从带转印膜的基板剥离临时支承体。
18.一种电路配线的制造方法，所述电路配线使用了权利要求1至15中任一项所述的转印膜，所述电路配线的制造方法包括：
贴合工序，使所述转印膜中的在所述临时支承体上配置的组合物层中的最外层的表面与具有导电层的基板接触，贴合所述转印膜与具有所述导电层的基板，获得带转印膜的基板；
曝光工序，对所述组合物层进行图案曝光；
显影工序，对经曝光的所述组合物层进行显影而形成树脂图案；及
蚀刻工序，对未配置有所述树脂图案的区域中的所述导电层进行蚀刻处理；及
剥离工序，在所述贴合工序与所述曝光工序之间或所述曝光工序与所述显影工序之间，从带转印膜的基板剥离临时支承体。
19.一种电子器件的制造方法，其包括权利要求17所述的层叠体的制造方法，其中，
所述电子器件包括所述树脂图案作为固化膜。
CN202180051325.0A 2020-08-26 2021-08-20 转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法 Pending CN115916529A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-142918 2020-08-26
JP2020142918 2020-08-26
PCT/JP2021/030597 WO2022045002A1 (ja) 2020-08-26 2021-08-20 転写フィルム、積層体の製造方法、回路配線の製造方法、及び電子デバイスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115916529A true CN115916529A (zh) 2023-04-04

Family

ID=80355233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180051325.0A Pending CN115916529A (zh) 2020-08-26 2021-08-20 转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230245912A1 (zh)
JP (1) JP7530983B2 (zh)
CN (1) CN115916529A (zh)
TW (1) TW202216808A (zh)
WO (1) WO2022045002A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021075304A1 (ja) * 2019-10-18 2021-04-22 富士フイルム株式会社 透明積層体、画像表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012247777A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 近赤外光吸収膜形成材料及び近赤外光吸収膜を有する積層膜
JP2013037092A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ＡｒＦ液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
CN105358628A (zh) * 2013-09-06 2016-02-24 富士胶片株式会社 着色组合物、硬化膜、彩色滤光片、彩色滤光片的制作方法、固体摄影元件、图像显示装置、聚合物、呫吨色素
JP2018010856A (ja) * 2016-06-30 2018-01-18 Jsr株式会社 画素形成用組成物、硬化膜および硬化膜の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09325474A (ja) * 1996-06-07 1997-12-16 Konica Corp 画像形成材料
JP4340601B2 (ja) 2004-08-16 2009-10-07 富士フイルム株式会社 平版印刷版原版
JP4969491B2 (ja) 2008-02-28 2012-07-04 富士フイルム株式会社 着色硬化性組成物、着色パターン、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、及び液晶表示素子
JP5512730B2 (ja) 2012-03-30 2014-06-04 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
US10527934B2 (en) 2012-10-31 2020-01-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresists comprising ionic compound

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012247777A (ja) * 2011-05-27 2012-12-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 近赤外光吸収膜形成材料及び近赤外光吸収膜を有する積層膜
JP2013037092A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Shin Etsu Chem Co Ltd ＡｒＦ液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
CN105358628A (zh) * 2013-09-06 2016-02-24 富士胶片株式会社 着色组合物、硬化膜、彩色滤光片、彩色滤光片的制作方法、固体摄影元件、图像显示装置、聚合物、呫吨色素
JP2018010856A (ja) * 2016-06-30 2018-01-18 Jsr株式会社 画素形成用組成物、硬化膜および硬化膜の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022045002A1 (ja) 2022-03-03
JP7530983B2 (ja) 2024-08-08
JPWO2022045002A1 (zh) 2022-03-03
US20230245912A1 (en) 2023-08-03
TW202216808A (zh) 2022-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115768838B (zh) 组合物、转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法
US20230167293A1 (en) Composition, transfer film, manufacturing method for laminate, manufacturing method for circuit wire, and manufacturing method for electronic device
CN115480450A (zh) 具有导电图案的基板及其制造方法、电子器件的制造方法、金属纳米体用保护膜
CN115916529A (zh) 转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法
TWI867240B (zh) 轉印薄膜、積層體之製造方法、電路配線之製造方法及電子器件之製造方法
WO2022181456A1 (ja) 転写フィルム及び導体パターンの製造方法
JP7342246B2 (ja) 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法及びタッチパネルの製造方法
TW202330287A (zh) 轉印膜及導體圖案形成方法
CN115485623A (zh) 感光性转印材料、树脂图案的制造方法、电路配线的制造方法及触摸面板的制造方法以及聚对苯二甲酸乙二醇酯膜
CN116034029A (zh) 感光性转印材料、树脂图案的制造方法、导电图案的制造方法及触摸传感器
CN116018262A (zh) 感光性转印材料、树脂图案的制造方法、蚀刻方法及电子器件的制造方法
CN115335771A (zh) 感光性转印材料、树脂图案的制造方法及电路配线的制造方法
TW202133701A (zh) 導電性圖案之製造方法、觸控感測器、電磁波遮蔽材、天線、配線基板、導電性加熱元件及結構體
WO2022181455A1 (ja) 転写フィルム及び導体パターンの製造方法
TW202307026A (zh) 轉印膜及具有導體圖案之積層體之製造方法
TW202311049A (zh) 轉印膜、具有導體圖案之積層體之製造方法
CN115087927A (zh) 感光性薄膜以及感光性薄膜的制造方法
CN115485621A (zh) 感光性转印材料、树脂图案的制造方法、电路配线的制造方法及触摸面板的制造方法
CN115685693A (zh) 包含透明导电图案的层叠体的制造方法及触摸面板的制造方法
TW202236008A (zh) 積層體之製造方法、電路配線之製造方法、轉印薄膜
TW202311872A (zh) 具有導體圖案之積層體之製造方法、轉印膜
TW202229012A (zh) 轉印材料及積層體之製造方法
TW202441320A (zh) 積層體之製造方法
WO2024024864A1 (ja) 感光性転写材料及びその製造方法、樹脂パターンの製造方法、並びに、回路配線の製造方法
TW202311871A (zh) 具有導體圖案之積層體之製造方法及轉印膜

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination