CN115881574B - 提升碳化硅mos管制备效果的方法、系统、设备及介质 - Google Patents
提升碳化硅mos管制备效果的方法、系统、设备及介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115881574B CN115881574B CN202310217261.8A CN202310217261A CN115881574B CN 115881574 B CN115881574 B CN 115881574B CN 202310217261 A CN202310217261 A CN 202310217261A CN 115881574 B CN115881574 B CN 115881574B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parameters
- data
- standard
- parameter
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 163
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 51
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims abstract description 137
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 134
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 11
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 9
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 6
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 114
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 5
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000000802 evaporation-induced self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明涉及MOS管制备技术，揭露了一种提升碳化硅MOS管制备效果的方法、系统、设备及介质，所述方法包括：获取历史制备数据，对历史制备数据进行标准化处理，得到标准数据；根据标准数据进行计算寄生参数，利用校正参数对寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；获取杂散参数，监测标准寄生参数及杂散参数的数值变换，得到监测数据；当监测数据异常时，从监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；监测标准寄生参数及更新后的杂散参数的数值变换，得到更新后的监测数据，直至更新后的监测数据达到指标参数标准，完成碳化硅MOS管的制备。本发明可以提高碳化硅MOS管的制备效果。
Description
技术领域
本发明涉及MOS管制备技术领域，尤其涉及一种提升碳化硅MOS管制备效果的方法、系统、设备及介质。
背景技术
近几年随着材料科学的进步，以SiC为代表的宽禁带器件逐步进入市场， 与Si基第三代半导体器件相比具有宽禁带、高击穿电场、低损耗、热导率大、介电常数小等优点。碳化硅MOS管（SiC-MOSFET）具备耐高温、耐高压、高工作频率、低开通阻态的特性,使用损耗仅为Si-IGBT损耗的30%，因此使用SiC-MOSFET可提高INV-BOX效率，减小工作噪声并能够通过提高整机功率密度，从而达到减轻体积、重量的目标。SiC-MOSFET在使用过程中存在的高电压、电流变化率通过杂散参数的作用，在系统内产生较大的电磁干扰，严重时会影响整个连接设备的正常运行。综上所述，现存技术在存在碳化硅MOS管的制备过程中由于杂散参数的作用导致碳化硅MOS管的制备效果不佳的问题。
发明内容
本发明提供一种提升碳化硅MOS管制备效果的方法、系统、设备及介质，其主要目的在于解决碳化硅MOS管的制备过程中由于杂散参数的作用导致碳化硅MOS管的制备效果不佳的问题。
为实现上述目的，本发明提供的一种提升碳化硅MOS管制备效果的方法，包括：
获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据；
根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；
获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据；
当所述监测数据异常时，从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；
监测所述标准寄生参数及所述更新后的杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至所述更新后的监测数据达到预设的指标参数标准，完成所述碳化硅MOS管的制备。
可选地，所述对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据，包括：
对所述历史制备数据进行缺失值处理，得到初始制备数据；
对所述初始制备数据进行属性编码，得到编码数据；
对所述编码数据进行格式统一，得到标准数据。
可选地，所述根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，包括：
利用下述公式计算所述寄生参数：
其中，表示所述寄生参数，表示所述标准数据中漏极-主体结的宽度，表示所述标准数据中漏极-主体结的面积，表示所述标准数据中漏源的电压变化率；表示所述标准数据中标准电压，分别表示预设的常数。
可选地，所述利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数，包括：
根据所述标准数据以及所述校正参数进行计算，得到目标校正参数；
所述目标校正参数表示为：
其中，表示所述目标校正参数，表示所述校正参数中的初始校正参数，表示所述校正参数中的标准系数，表示所述校正参数中的阈值电压，表示所述标准数据中栅源的电压变化率；
利用所述目标校正参数及预设的固定寄生参数对所述寄生参数进行更新，得到标准寄生参数。
可选地，所述利用所述目标校正参数及预设的固定寄生参数对所述寄生参数进行更新，得到标准寄生参数，包括：
利用下述公式对寄生参数进行更新，得到所述标准寄生参数：
其中，表示所述标准寄生参数，表示所述目标校正参数，表示所述固定寄生参数，表示所述标准数据中漏源的电压变化率，表示预设的计算参数。
可选地，所述监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据，包括：
获取所述碳化硅MOS管制备的历史监测时长，对所述历史监测时长进行平均划分，得到监测时间点；
根据所述监测时间点对所述标准寄生参数及所述杂散参数的参数数值进行记录，得到目标参数数值；
根据所述目标参数数值及所述监测时间点进行函数拟合，得到参数曲线，并将所述参数曲线中的数据作为监测数据。
可选地，所述对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数，包括：
对制备过程中的所述杂散参数进行数值分析，得到参数比例，并判断所述参数比例是否合理；
当所述参数比例不合理时，根据预设的标准比例对所述杂散参数进行更新，得到更新后的杂散参数。
为了解决上述问题，本发明还提供一种提升碳化硅MOS管制备效果的系统，所述系统包括：
数据处理模块，用于获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据；
参数校正模块，用于根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；
参数变换模块，用于获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据；
参数修正模块，用于当所述监测数据异常时，从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；
碳化硅MOS管制备模块，用于监测所述标准寄生参数及所述更新后的杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至所述更新后的监测数据达到预设的指标参数标准，完成所述碳化硅MOS管的制备。
为了解决上述问题，本发明还提供一种电子设备，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及，
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行上述所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法。
为了解决上述问题，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有至少一个计算机程序，所述至少一个计算机程序被电子设备中的处理器执行以实现上述所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法。
本发明实施例通过对历史制备数据进行标准化处理，使得到的标准数据更加准确；通过标准数据进行计算碳化硅MOS管的寄生参数，能够加快计算效率，并保证寄生参数的准确性；通过校正参数对寄生参数进行校正，使得到的标准寄生参数更加精确；通过监测标准寄生参数及杂散参数在碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，能够及时监测到参数变换，从而保证制备过程的稳定性；当监测数据异常时，通过对杂散参数进行修正处理，能够保证杂散参数及时得到更新，从而保证杂散参数的准确性；通过监测标准寄生参数及杂散参数在碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至更新后的监测数据达到指标参数标准，从而完成碳化硅MOS管的制备，能够减少杂散参数的作用，提高碳化硅MOS管的制备的效果。因此本发明提出的提升碳化硅MOS管制备效果的方法、系统、设备及介质，可以解决碳化硅MOS管的制备过程中由于杂散参数的作用导致碳化硅MOS管的制备效果不佳的问题。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的提升碳化硅MOS管制备效果的方法的流程示意图；
图2为本发明一实施例提供的对历史制备数据进行标准化处理，得到历史制备数据的标准数据的流程示意图；
图3为本发明一实施例提供的监测标准寄生参数及杂散参数在碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据的流程示意图；
图4为本发明一实施例提供的提升碳化硅MOS管制备效果的系统的功能模块图；
图5为本发明一实施例提供的实现所述提升碳化硅MOS管制备效果的方法的电子设备的结构示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本申请实施例提供一种提升碳化硅MOS管制备效果的方法。所述提升碳化硅MOS管制备效果的方法的执行主体包括但不限于服务端、终端等能够被配置为执行本申请实施例提供的该方法的电子设备中的至少一种。换言之，所述提升碳化硅MOS管制备效果的方法可以由安装在终端设备或服务端设备的软件或硬件来执行，所述软件可以是区块链平台。所述服务端包括但不限于：单台服务器、服务器集群、云端服务器或云端服务器集群等。所述服务器可以是独立的服务器，也可以是提供云服务、云数据库、云计算、云函数、云存储、网络服务、云通信、中间件服务、域名服务、安全服务、内容分发网络(Content DeliveryNetwork，CDN)、以及大数据和人工智能平台等基础云计算服务的云服务器。
参照图1所示，为本发明一实施例提供的提升碳化硅MOS管制备效果的方法的流程示意图。在本实施例中，所述提升碳化硅MOS管制备效果的方法包括：
S1、获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据。
本发明实施例中，所述碳化硅MOS管指的是采用碳化硅材料作为基体，通过外延生长制作而成的功率器件；所述历史制备数据指的是对所述碳化硅MOS管进行制备过程中的制备数据，所述制备数据包括但不仅限于碳化硅材料、MOS管的漏极-主体结的耗尽层宽度及面积、电压、使用仪器的仪器参数、栅源及漏源的电压变化率。
请参阅图2所示，本发明实施例中，所述对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据，包括：
S21、对所述历史制备数据进行缺失值处理，得到初始制备数据；
S22、对所述初始制备数据进行属性编码，得到编码数据；
S23、对所述编码数据进行格式统一，得到标准数据。
本发明实施例中，由于所述历史制备数据中可能存在数据因人为因素没有被记录、遗漏或丢失或者数据采集设备的故障、存储介质故障而造成数据丢失，因此，需要对所述历史制备数据进行缺失值处理，所述缺失值处理通常有两种方法，一是直接丢掉含有缺失值的样本，二是用数据填充（比如用均值，中位数，众数等填充，也可以用指定的值填充），根据实际情况选择上述两种方法进行所述历史制备数据的处理，从而得到初始制备数据。
本发明实施例中，对所述初始制备数据进行属性编码可以利用预设的词袋模型进行编码，例如，所述初始制备数据中包含“A”、“B”、“C”三个字母，将“A”编码为“01”，将“B”编码为“02”，将“C”编码为“03”，即将“A-01”、“B-02”、“C-03”作为所述编码数据。
本发明实施例中，对所述编码数据进行格式统一，例如：部分编码数据是1位，部分编码数据是10位，假设选取位数最大地编码数据做为标准位数，可以用默认数据将其他未达到标准位数的数据填充上，所述默认数据是自行设定的，可以设为“0”，从而得到标准数据。
S2、根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数。
本发明实施例中，所述校正参数指的是预先设定的修正系数，用于对所述寄生参数进行校正，从而保证所述寄生参数更加精确；所述校正参数包括但不仅限于初始校正参数、标准系数及阈值电压，其中，所述初始校正参数、所述标准系数及所述阈值电压是为了对所述校正参数进行更新，从而保证所述校正参数更加准确，从而能够提升所述碳化硅MOS的制备效率。
本发明实施例中，所述根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，包括：
利用下述公式计算所述寄生参数：
其中，表示所述寄生参数，表示所述标准数据中漏极-主体结的宽度，表示所述标准数据中漏极-主体结的面积，表示所述标准数据中漏源的电压变化率；表示所述标准数据中标准电压，分别表示预设的常数。
本发明实施例中，所述利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数，包括：
根据所述标准数据以及所述校正参数进行计算，得到目标校正参数；
所述目标校正参数表示为：
其中，表示所述目标校正参数，表示所述校正参数中的初始校正参数，表示所述校正参数中的标准系数，表示所述校正参数中的阈值电压，表示所述标准数据中栅源的电压变化率；
利用所述目标校正参数及预设的固定寄生参数对所述寄生参数进行更新，得到标准寄生参数。
本发明实施例中，所述校正参数可以根据经过多次碳化硅MOS管制备测试中获取；所述固定寄生参数指的是预先进行测量计算得到的初始寄生参数。
本发明实施例中，所述利用所述目标校正参数及预设的固定寄生参数对所述寄生参数进行更新，得到标准寄生参数，包括：
利用下述公式对寄生参数进行更新，得到所述标准寄生参数：
其中，表示所述标准寄生参数，表示所述目标校正参数，表示所述固定寄生参数，表示所述标准数据中漏源的电压变化率，表示预设的计算参数。
S3、获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据，并判断所述监测数据是否异常。
本发明实施例中，所述杂散参数包括但不仅限于漏极杂散电感、内部栅极电阻和源极寄生电感。
请参阅图3所示，本发明实施例中，所述监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据，包括：
S31、获取所述碳化硅MOS管制备的历史监测时长，对所述历史监测时长进行平均划分，得到监测时间点；
S32、根据所述监测时间点对所述标准寄生参数及所述杂散参数的参数数值进行记录，得到目标参数数值；
S33、根据所述目标参数数值及所述监测时间点进行函数拟合，得到参数曲线，并将所述参数曲线中的数据作为监测数据。
本发明实施例中，根据以往所述碳化硅MOS管制备的时长进行等时长划分，根据制备的开始时间点估计结束时间点，将中间时长划分为等份时，得到各等份的监测时间点，例如，开始时间点为8点，结束之间点为9点，中间时长为1小时，将中间时长划分为6等份，即10分钟对所述标准寄生参数及所述杂散参数的数值进行记录，得到目标参数数值；将所述监测时间点作为横坐标并将所述目标参数数值作为纵坐标绘制参数曲线，将所述参数曲线中的所有数据作为监测数据，当所述参数曲线趋于平稳时所述目标参数数值达到预设的标准参数数值时即制备完成，反之，则监测数据出现异常现象；通过绘制所述参数曲线能够更加准确判定所述监测数据是否异常。
本发明实施例中，判断所述监测数据是否异常指的是所述监测数据是否在预设的标准监测数据正常范围内上下浮动；所述标准监测数据是通过多次测试保证所述碳化硅MOS管制备完整进行的数据，根据所述标准监测数据划分一个使碳化硅MOS管制备能够成功进行的范围；当所述监测数据超过所述标准监测数据的范围，则表明所述监测数据异常；当所述监测数据在所述标准监测数据范围内，则表明所述监测数据正常。
当所述监测数据正常时，执行S4、根据所述标准寄生参数以及所述杂散参数完成所述碳化硅MOS管的制备。
本发明实施例中，所述根据所述标准寄生参数以及所述杂散参数完成所述碳化硅MOS管的制备，包括：
获取所述标准数据中的碳化硅材料，基于所述标准寄生参数对所述碳化硅材料进行氧化处理，得到氧化层；
将所述氧化层上方覆盖预设的介质层形成层叠结构，基于所述杂散参数将所述层叠结构中注入离子生成初始碳化硅MOS管；
对所述初始碳化硅MOS管进行退火处理，得到碳化硅MOS管。
本发明实施例中，根据所述碳化硅材料进行氧化、离子注入及退火处理后，形成所述碳化硅MOS管，其中，所述初始碳化硅MOS管的退火处理需要在1700℃温度中进行激活；根据所述标准寄生参数及所述杂散参数完成所述碳化硅MOS管的制备，能够保证制备过程中的制备数据的准确性，从而提高碳化硅MOS管的制备效率及效果。
当所述监测数据异常时，执行S5、从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数。
本发明实施例中，在所述碳化硅MOS管的制备过程中所述杂散参数是动态变化的，当所述监测数据出现异常时，所述杂散参数的数值偏离正常数值，因此需要提取制备过程中的杂散参数，并对制备过程中的所述杂散参数进行修正，使得所述杂散参数及所述监测数据趋于正常，从而保证所述碳化硅MOS管的制备能够继续稳定进行。
本发明实施例中，所述对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数，包括：
对制备过程中的所述杂散参数进行数值分析，得到参数比例，并判断所述参数比例是否合理；
当所述参数比例不合理时，根据预设的标准比例对所述杂散参数进行更新，得到更新后的杂散参数。
本发明实施例中，根据监测时间点将异常监测数据提取出来，针对所述异常监测数据中的杂散参数进行计算，得到所述杂散参数在所述监测数据中的参数比例，判断所述参数比例是过大还是过小，当所述参数比例过大时，将所述杂散参数进行缩减；当所述参数比例过小时，将所述杂散参数进行扩大，直至所述监测数据正常，得到更新后的杂散参数。
S6、监测所述标准寄生参数及更新后的所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，并判断所述更新后的监测数据是否达到预设的指标参数标准。
本发明实施例中，所述监测所述标准寄生参数及更新后的所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据的步骤与上述S3中所述监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据的步骤类似，在此不做过多赘述。
本发明实施例中，所述指标参数标准指的是根据多次测试、实验得到的标准指标参数，例如，所述指标参数的剂量、所需的时间、温度及电压等，根据所述指标参数标准划分一个标准范围；判断所述更新后的监测数据是否处于所述指标参数标准的标准范围内，当所述更新后的监测数据处于所述指标参数标准的标准范围内时，则所述更新后的监测数据达到所述标准参数标准；当所述更新后的监测数据不处于所述指标参数标准的标准范围内时，则所述更新后的监测数据未达到所述标准参数标准。
当所述更新后的监测数据未达到所述指标参数标准时，返回S5。
本发明实施例中，当所述更新后的监测数据未达到所述指标参数标准时，返回S5，即再对所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数，然后再监测所述标准寄生参数及更新后的所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，直至达到所述标准参数标准时，根据所述标准寄生参数以及所述杂散参数完成所述碳化硅MOS管的制备。
当所述更新后的监测数据达到所述指标参数标准时，返回S4。
本发明实施例中，当所述更新后的监测数据达到所述指标参数标准时，返回S4，即根据所述标准寄生参数以及所述杂散参数完成所述碳化硅MOS管的制备。
本发明实施例通过对历史制备数据进行标准化处理，使得到的标准数据更加准确；通过标准数据进行计算碳化硅MOS管的寄生参数，能够加快计算效率，并保证寄生参数的准确性；通过校正参数对寄生参数进行校正，使得到的标准寄生参数更加精确；通过监测标准寄生参数及杂散参数在碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，能够及时监测到参数变换，从而保证制备过程的稳定性；当监测数据异常时，通过对杂散参数进行修正处理，能够保证杂散参数及时得到更新，从而保证杂散参数的准确性；通过监测标准寄生参数及杂散参数在碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至更新后的监测数据达到指标参数标准，从而完成碳化硅MOS管的制备，能够减少杂散参数的作用，提高碳化硅MOS管的制备的效果。因此本发明提出的提升碳化硅MOS管制备效果的方法，可以解决碳化硅MOS管的制备过程中由于杂散参数的作用导致碳化硅MOS管的制备效果不佳的问题。
如图4所示，是本发明一实施例提供的提升碳化硅MOS管制备效果的系统的功能模块图。
本发明所述提升碳化硅MOS管制备效果的系统400可以安装于电子设备中。根据实现的功能，所述提升碳化硅MOS管制备效果的系统400可以包括数据处理模块401、参数校正模块402、参数变换模块403、参数修正模块404及碳化硅MOS管制备模块405。本发明所述模块也可以称之为单元，是指一种能够被电子设备处理器所执行，并且能够完成固定功能的一系列计算机程序段，其存储在电子设备的存储器中。
在本实施例中，关于各模块/单元的功能如下：
所述数据处理模块401，用于获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据；
所述参数校正模块402，用于根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；
所述参数变换模块403，用于获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据；
所述参数修正模块404，用于当所述监测数据异常时，从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；
所述碳化硅MOS管制备模块405，用于监测所述标准寄生参数及所述更新后的杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至所述更新后的监测数据达到预设的指标参数标准，完成所述碳化硅MOS管的制备。
详细地，本发明实施例中所述提升碳化硅MOS管制备效果的系统400中所述的各模块在使用时采用与附图中所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法一样的技术手段，并能够产生相同的技术效果，这里不再赘述。
如图5所示，是本发明一实施例提供的实现提升碳化硅MOS管制备效果的方法的电子设备的结构示意图。
所述电子设备500可以包括处理器501、存储器502、通信总线503以及通信接口504，还可以包括存储在所述存储器502中并可在所述处理器501上运行的计算机程序，如提升碳化硅MOS管制备效果的程序。
其中，所述处理器501在一些实施例中可以由集成电路组成，例如可以由单个封装的集成电路所组成，也可以是由多个相同功能或不同功能封装的集成电路所组成，包括一个或者多个中央处理器（Central Processing Unit，CPU）、微处理器、数字处理芯片、图形处理器及各种控制芯片的组合等。所述处理器501是所述电子设备的控制核心（ControlUnit），利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部件，通过运行或执行存储在所述存储器502内的程序或者模块（例如执行提升碳化硅MOS管制备效果的程序等），以及调用存储在所述存储器502内的数据，以执行电子设备的各种功能和处理数据。
所述存储器502至少包括一种类型的可读存储介质，所述可读存储介质包括闪存、移动硬盘、多媒体卡、卡型存储器（例如：SD或DX存储器等）、磁性存储器、磁盘、光盘等。所述存储器502在一些实施例中可以是电子设备的内部存储单元，例如该电子设备的移动硬盘。所述存储器502在另一些实施例中也可以是电子设备的外部存储设备，例如电子设备上配备的插接式移动硬盘、智能存储卡（Smart Media Card，SMC）、安全数字（Secure Digital，SD）卡、闪存卡（Flash Card）等。进一步地，所述存储器502还可以既包括电子设备的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器502不仅可以用于存储安装于电子设备的应用软件及各类数据，例如提升碳化硅MOS管制备效果的程序的代码等，还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
所述通信总线503可以是外设部件互连标准（Peripheral ComponentInterconnect，简称PCI）总线或扩展工业标准结构（Extended Industry StandardArchitecture，简称EISA）总线等。该总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。所述总线被设置为实现所述存储器502以及至少一个处理器501等之间的连接通信。
所述通信接口504用于上述电子设备与其他设备之间的通信，包括网络接口和用户接口。可选地，所述网络接口可以包括有线接口和/或无线接口（如WI-FI接口、蓝牙接口等），通常用于在该电子设备与其他电子设备之间建立通信连接。所述用户接口可以是显示器（Display）、输入单元（比如键盘（Keyboard）），可选地，用户接口还可以是标准的有线接口、无线接口。可选地，在一些实施例中，显示器可以是LED显示器、液晶显示器、触控式液晶显示器以及OLED（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管）触摸器等。其中，显示器也可以适当的称为显示屏或显示单元，用于显示在电子设备中处理的信息以及用于显示可视化的用户界面。
图5仅示出了具有部件的电子设备，本领域技术人员可以理解的是，图5示出的结构并不构成对所述电子设备500的限定，可以包括比图示更少或者更多的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。
例如，尽管未示出，所述电子设备还可以包括给各个部件供电的电源（比如电池），优选地，电源可以通过电源管理系统与所述至少一个处理器501逻辑相连，从而通过电源管理系统实现充电管理、放电管理、以及功耗管理等功能。电源还可以包括一个或一个以上的直流或交流电源、再充电系统、电源故障检测电路、电源转换器或者逆变器、电源状态指示器等任意组件。所述电子设备还可以包括多种传感器、蓝牙模块、Wi-Fi模块等，在此不再赘述。
应该了解，所述实施例仅为说明之用，在专利申请范围上并不受此结构的限制。
所述电子设备500中的所述存储器502存储的提升碳化硅MOS管制备效果的程序是多个指令的组合，在所述处理器501中运行时，可以实现：
获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据；
根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；
获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据；
当所述监测数据异常时，从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；
监测所述标准寄生参数及所述更新后的杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至所述更新后的监测数据达到预设的指标参数标准，完成所述碳化硅MOS管的制备。
具体地，所述处理器501对上述指令的具体实现方法可参考附图对应实施例中相关步骤的描述，在此不赘述。
进一步地，所述电子设备500集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读存储介质中。所述计算机可读存储介质可以是易失性的，也可以是非易失性的。例如，所述计算机可读介质可以包括：能够携带所述计算机程序代码的任何实体或系统、记录介质、U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序在被电子设备的处理器所执行时，可以实现：
获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据；
根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；
获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据；
当所述监测数据异常时，从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；
监测所述标准寄生参数及所述更新后的杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至所述更新后的监测数据达到预设的指标参数标准，完成所述碳化硅MOS管的制备。
在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备，系统和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。
所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能模块的形式实现。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。
因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。不应将权利要求中的任何附关联图标记视为限制所涉及的权利要求。
本申请实施例可以基于人工智能技术对相关的数据进行获取和处理。其中，人工智能（Artificial Intelligence，AI)是利用数字计算机或者数字计算机控制的机器模拟、延伸和扩展人的智能，感知环境、获取知识并使用知识获得最佳结果的理论、方法、技术及应用系统。
此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。系统权利要求中陈述的多个单元或系统也可以由一个单元或系统通过软件或者硬件来实现。第一、第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。
最后应说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种提升碳化硅MOS管制备效果的方法，其特征在于，所述方法包括：
获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据；
根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；
获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据；
当所述监测数据异常时，从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；
监测所述标准寄生参数及所述更新后的杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至所述更新后的监测数据达到预设的指标参数标准，完成所述碳化硅MOS管的制备。
2.如权利要求1所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法，其特征在于，所述对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据，包括：
对所述历史制备数据进行缺失值处理，得到初始制备数据；
对所述初始制备数据进行属性编码，得到编码数据；
对所述编码数据进行格式统一，得到标准数据。
3.如权利要求1所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法，其特征在于，所述根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，包括：
利用下述公式计算所述寄生参数：
其中，表示所述寄生参数，表示所述标准数据中漏极-主体结的宽度，表示所述标准数据中漏极-主体结的面积，表示所述标准数据中漏源的电压变化率；表示所述标准数据中标准电压，分别表示预设的常数。
4.如权利要求1所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法，其特征在于，所述利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数，包括：
根据所述标准数据以及所述校正参数进行计算，得到目标校正参数；
所述目标校正参数表示为：
其中，表示所述目标校正参数，表示所述校正参数中的初始校正参数，表示所述校正参数中的标准系数，表示所述校正参数中的阈值电压，表示所述标准数据中栅源的电压变化率；
利用所述目标校正参数及预设的固定寄生参数对所述寄生参数进行更新，得到标准寄生参数。
5.如权利要求4所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法，其特征在于，所述利用所述目标校正参数及预设的固定寄生参数对所述寄生参数进行更新，得到标准寄生参数，包括：
利用下述公式对寄生参数进行更新，得到所述标准寄生参数：
其中，表示所述标准寄生参数，表示所述目标校正参数，表示所述固定寄生参数，表示所述标准数据中漏源的电压变化率，表示预设的计算参数。
6.如权利要求1所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法，其特征在于，所述监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据，包括：
获取所述碳化硅MOS管制备的历史监测时长，对所述历史监测时长进行平均划分，得到监测时间点；
根据所述监测时间点对所述标准寄生参数及所述杂散参数的参数数值进行记录，得到目标参数数值；
根据所述目标参数数值及所述监测时间点进行函数拟合，得到参数曲线，并将所述参数曲线中的数据作为监测数据。
7.如权利要求1所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法，其特征在于，所述对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数，包括：
对制备过程中的所述杂散参数进行数值分析，得到参数比例，并判断所述参数比例是否合理；
当所述参数比例不合理时，根据预设的标准比例对所述杂散参数进行更新，得到更新后的杂散参数。
8.一种提升碳化硅MOS管制备效果的系统，其特征在于，所述系统包括：
数据处理模块，用于获取碳化硅MOS管的历史制备数据，对所述历史制备数据进行标准化处理，得到所述历史制备数据的标准数据；
参数校正模块，用于根据所述标准数据计算所述碳化硅MOS管的寄生参数，利用预设的校正参数对所述寄生参数进行校正，得到标准寄生参数；
参数变换模块，用于获取杂散参数，监测所述标准寄生参数及所述杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到监测数据；
参数修正模块，用于当所述监测数据异常时，从所述监测数据中提取制备过程中的杂散参数，对制备过程中的所述杂散参数进行修正处理，得到更新后的杂散参数；
碳化硅MOS管制备模块，用于监测所述标准寄生参数及所述更新后的杂散参数在所述碳化硅MOS管制备过程中的数值变换，得到更新后的监测数据，直至所述更新后的监测数据达到预设的指标参数标准，完成所述碳化硅MOS管的制备。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：
至少一个处理器；以及，
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的计算机程序，所述计算机程序被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行如权利要求1至7中任意一项所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法。
10.一种计算机可读存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任意一项所述的提升碳化硅MOS管制备效果的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310217261.8A CN115881574B (zh) | 2023-03-08 | 2023-03-08 | 提升碳化硅mos管制备效果的方法、系统、设备及介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310217261.8A CN115881574B (zh) | 2023-03-08 | 2023-03-08 | 提升碳化硅mos管制备效果的方法、系统、设备及介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115881574A CN115881574A (zh) | 2023-03-31 |
| CN115881574B true CN115881574B (zh) | 2023-05-05 |
Family
ID=85762066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310217261.8A Active CN115881574B (zh) | 2023-03-08 | 2023-03-08 | 提升碳化硅mos管制备效果的方法、系统、设备及介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115881574B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN118316284A (zh) * | 2024-04-07 | 2024-07-09 | 深圳智芯源半导体有限公司 | 基于碳化硅Mos管的电源驱动方法及系统 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107766609A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-03-06 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种igbt模块的寄生电感提取方法和装置 |
| WO2018193343A1 (en) * | 2017-04-18 | 2018-10-25 | Btsr International S.P.A. | Method, system and sensor for detecting a characteristic of a textile or metal thread fed to an operating machine |
| DE102019119326A1 (de) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | Showa Denko K. K. | HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BEWERTUNGSVERFAHREN FÜR EINE SiC-VORRICHTUNG |
| CN110850208A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-02-28 | 浙江大学 | 一种基于SiC MOSFET频率特性的叠层母排杂散参数提取方法 |
| WO2020139651A1 (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | Waymo Llc | Identifying defects in optical detector systems based on extent of stray light |
| CN111487514A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-04 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种igbt动态参数测试电路杂散电容提取方法及系统 |
| CN112433097A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-03-02 | 浙江大学 | 一种基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器esl提取方法 |
| CN112491252A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-03-12 | 深圳市永联科技股份有限公司 | 一种提升sic mosfet可靠性的驱动方法及电路 |
| CN113063990A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-02 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法 |
| WO2021184554A1 (zh) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 平安科技（深圳）有限公司 | 数据库异常监测方法、装置、计算机装置及存储介质 |
| CN115274456A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-11-01 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种碳化硅mos管制备方法及装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6567717B2 (en) * | 2000-01-19 | 2003-05-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Feed-forward control of TCI doping for improving mass-production-wise, statistical distribution of critical performance parameters in semiconductor devices |
| TWI391684B (zh) * | 2009-03-20 | 2013-04-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | 提高元件測試良率的測試方法與裝置 |
| CN104867981B (zh) * | 2014-02-21 | 2020-04-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备 |
| US9977858B2 (en) * | 2014-07-03 | 2018-05-22 | The Boeing Company | Electromagnetic interference filters for power converter applications |
| US9672582B2 (en) * | 2014-12-05 | 2017-06-06 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Systems and methods for Gaussian filter standard deviation variation |
| KR102580947B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2023-09-20 | 삼성전자주식회사 | 추출된 모델 파라미터를 이용하여 집적 회로를 설계하기 위한 컴퓨팅 시스템 및 이를 이용한 집적 회로의 제조 방법 |
-
2023
- 2023-03-08 CN CN202310217261.8A patent/CN115881574B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018193343A1 (en) * | 2017-04-18 | 2018-10-25 | Btsr International S.P.A. | Method, system and sensor for detecting a characteristic of a textile or metal thread fed to an operating machine |
| CN107766609A (zh) * | 2017-09-06 | 2018-03-06 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种igbt模块的寄生电感提取方法和装置 |
| DE102019119326A1 (de) * | 2018-07-19 | 2020-01-23 | Showa Denko K. K. | HERSTELLUNGSVERFAHREN UND BEWERTUNGSVERFAHREN FÜR EINE SiC-VORRICHTUNG |
| WO2020139651A1 (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-02 | Waymo Llc | Identifying defects in optical detector systems based on extent of stray light |
| CN110850208A (zh) * | 2019-11-15 | 2020-02-28 | 浙江大学 | 一种基于SiC MOSFET频率特性的叠层母排杂散参数提取方法 |
| WO2021184554A1 (zh) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 平安科技（深圳）有限公司 | 数据库异常监测方法、装置、计算机装置及存储介质 |
| CN111487514A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-04 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种igbt动态参数测试电路杂散电容提取方法及系统 |
| CN112433097A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-03-02 | 浙江大学 | 一种基于开关瞬态频率信息的薄膜电容器esl提取方法 |
| CN112491252A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-03-12 | 深圳市永联科技股份有限公司 | 一种提升sic mosfet可靠性的驱动方法及电路 |
| CN113063990A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-07-02 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种杂散电容及功率半导体器件电流的计算方法 |
| CN115274456A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-11-01 | 广东仁懋电子有限公司 | 一种碳化硅mos管制备方法及装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 256×256元MOS微电阻阵列动态场景生成装置;赵松庆;吴根水;刘晓宁;李睿;陈海燕;;航空兵器(第06期);全文 * |
| 基于ANSYS软件的功率器件寄生电容建模分析;谢鹏飞;方华松;刘朝瑜;;船电技术(第04期);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115881574A (zh) | 2023-03-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN115881574B (zh) | 提升碳化硅mos管制备效果的方法、系统、设备及介质 | |
| CN112684401B (zh) | 轻载台区电能表运行误差数据的处理方法及系统 | |
| CN114514141A (zh) | 充电站监测方法和设备 | |
| CN117824854B (zh) | 变压器本体的温升异常预警方法及装置 | |
| CN107844670A (zh) | 一种谐波统计所需样本数量的计算方法 | |
| CN115935723B (zh) | 用于实现氮化镓制备场景下的设备组合分析方法及系统 | |
| CN112834942A (zh) | 基于温度交变试验的电池管理系统寿命测试方法及装置 | |
| CN111914101B (zh) | 档案关联关系的异常识别方法、装置和计算机设备 | |
| CN118868327A (zh) | 应用于电源适配器充电下的设备控制方法及系统 | |
| CN117633680A (zh) | 直流电能表的计量标准分析方法、装置、设备及存储介质 | |
| CN116257488B (zh) | 岩土工程勘察大数据归档方法、装置、电子设备及介质 | |
| CN111784042A (zh) | 一种用电节点安全风险预测方法、装置及存储介质 | |
| CN112782601A (zh) | 电池健康度的获取方法、系统、设备及可读存储介质 | |
| CN111414452B (zh) | 搜索词匹配方法、装置、电子设备及可读存储介质 | |
| US20220027516A1 (en) | Data processing device, data processing method, data processing program, terminal device, and data processing system | |
| CN116957841A (zh) | 一种充电站推荐方法、装置、设备及可读存储介质 | |
| CN118037472B (zh) | 财务数据处理方法及相关装置 | |
| CN107196386B (zh) | 蓄电池充电方法、装置及充电桩 | |
| CN104008310B (zh) | 一种电能质量稳态指标计算方法 | |
| CN118857501B (zh) | 变压器油温数据处理方法、系统、终端及存储介质 | |
| CN113704411B (zh) | 基于词向量的相似客群挖掘方法、装置、设备及存储介质 | |
| CN118888062B (zh) | 基于信息传输的钛合金中稀土元素添加优化方法及系统 | |
| CN111090938B (zh) | 一种oled子电路模型 | |
| CN107741962B (zh) | 数据缓存方法及服务器 | |
| CN116825267A (zh) | 健康检测数据处理方法、装置、设备及存储介质 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |