CN115845260A - 肿瘤电场治疗系统及其电极片、温度检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种肿瘤电场治疗系统及其电极片、温度检测方法，电极片包括：基板；多个电极片单元和多个温度检测单元，多个电极片单元与多个温度检测单元一一对应设置，多个电极片单元被配置为至少三个行组和至少三个列组；每个列组中对应温度检测单元的信号端连接到一起作为温度采样点，每个行组中对应温度检测单元的接地端共同通过开关单元连接到接地管脚；握手芯片，适于与外部设备进行握手通信以判断电极片的连接状态，在握手芯片与外部设备完成握手通信后，通过配置开关单元的开关状态以使每个行组中对应温度检测单元检测的温度信号由相应温度采样点同时被采样。从而能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率。

Description

肿瘤电场治疗系统及其电极片、温度检测方法

技术领域

本发明涉及医疗器械技术领域，尤其涉及一种肿瘤电场治疗系统及其电极片、温度检测方法。

背景技术

肿瘤电场治疗是一种利用电场发生器产生一种低强度、中高频、交变电场干扰肿瘤细胞有丝分裂进程的肿瘤治疗方法。该治疗方法施加的电场可影响微管蛋白的聚集，阻止纺锤体形成，抑制有丝分裂进程，诱导癌细胞凋亡。

目前，肿瘤电场治疗系统主要包括电场发生装置、与电场发生装置电性连接的转接装置以及通过转接装置与电场发生装置电性连接的多对电极片。电场发生装置通过转接装置将肿瘤电场治疗用的交变电信号传输至每一对电极片，进而通过电极片向患者肿瘤部位施加交变电场进行肿瘤电场治疗。其中，当电场施加到患者身体上时，会在电极片贴敷皮肤的相应位置处聚集热量，因此需要实时监测电极片贴敷在患者肿瘤部位对应体表的温度，当体表温度过高时，需要及时调整交变电场的强度，避免温度过高导致患者皮肤低温烫伤。

相关技术中，电极片在其相应的电极单元上设置热敏电阻元件，并且多个热敏电阻元件之间相互并行连接，通过热敏电阻元件的阻值变化实时监测对应电极单元的温度变化。例如，在具有9个电极单元的电极片中，设置有8个热敏电阻元件，且通过10芯线缆传递8个热敏电阻元件的阻值。当电极单元增加时，若要做到每个电极单元均设置一个热敏电阻元件以达到百分之百的热敏电阻元件覆盖率，实现全面性温度监控，保证患者使用安全，且多个热敏电阻元件之间相互并行连接，则需要配置导线数量与热敏电阻元件数量相同的线缆，使每个热敏电阻元件检测的模拟温度信号并行传输至转接装置，这将导致电极片的线缆重量随热敏电阻元件的增加而增加，不仅会影响电极片与患者肿瘤部位对应体表之间的贴敷效果，还会增加患者的负重，引起不适。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的第一个目的在于提出一种用于肿瘤电场治疗系统的电极片，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

本发明的第二个目的在于提出一种肿瘤电场治疗系统。

本发明的第三个目的在于提出一种肿瘤治疗设备。

本发明的第四个目的在于提出一种肿瘤治疗设备的温度检测方法。

本发明的第五个目的在于提出一种计算机可读存储介质。

本发明的第六个目的在于提出一种肿瘤电场治疗系统的第一转接器。

本发明的第七个目的在于提出一种肿瘤电场治疗系统的第二转接器。

本发明的第八个目的在于提出一种肿瘤电场治疗系统的电场发生器。

为达上述目的，本发明第一方面实施例提供一种用于肿瘤电场治疗系统的电极片，包括：基板；设置在所述基板上的多个电极片单元和多个温度检测单元，每个所述电极片单元可施加交变电场，多个所述温度检测单元与多个所述电极片单元一一对应设置，以检测每个电极片单元处的温度，其中，多个所述电极片单元被配置为至少三个行组和至少三个列组；每个所述列组中对应温度检测单元的信号端连接到一起作为温度采样点，每个所述行组中对应温度检测单元的接地端共同通过开关单元连接到接地管脚；设置在所述基板上的握手芯片，所述握手芯片适于与外部设备进行握手通信以判断所述电极片的连接状态，其中，在所述握手芯片与所述外部设备完成握手通信后，通过配置所述开关单元的开关状态以使每个所述行组中对应温度检测单元检测的温度信号由相应温度采样点同时被采样。

根据本发明实施例的电极片，通过将多个电极片单元配置为至少一个行组和至少一个列组，且每个列组中对应温度检测单元的信号端连接到一起作为温度采样点，每个行组中对应温度检测单元的接地端共同通过开关单元连接到接地管脚，并通过握手芯片与外部设备进行握手通信以判断电极片的连接状态，其中，在握手芯片与外部设备完成握手通信后，通过配置开关单元的开关状态以使每个行组中对应温度检测单元检测的温度信号由相应温度采样点同时被采样。由此，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

进一步的，被采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号用于表征所述电极片的类型。

进一步的，所述握手芯片的接地引脚通过所述开关单元连接到所述接地管脚，所述握手芯片的通信引脚通过通信线连接到所述肿瘤电场治疗系统的转接器单元。

进一步的，所述握手芯片通过外置储能元件，以便在所述通信线传输高电平时存储能量和在所述通信线传输低电平时释放能量。

进一步的，所述储能元件为电容器。

进一步的，每个所述温度检测单元包括温度传感器和二极管，所述二极管具有阳极和阴极，所述二极管的阳极与所述温度传感器相连，所述二极管的阴极作为所述温度检测单元的接地端。

进一步的，每个所述温度采样点通过相应分压电阻连接到直流电源。

进一步的，所述分压电阻和所述开关单元均设置在所述基板外。

进一步的，被采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号还用于表征所述电极片是否出现温度异常。

为达上述目的，本发明第二方面实施例提供一种肿瘤电场治疗系统，包括：至少一对前述的电极片；转接器单元和电场发生器，电场发生器用于产生交变电信号，并通过转接器单元将交变电信号传输给每个电极片，转接器单元用于与握手芯片进行握手通信，并在完成握手通信后配置开关单元的开关状态，以通过相应温度采样点同时对每个行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样。

根据本发明实施例的肿瘤电场治疗系统，通过转接器单元与握手芯片进行握手通信，并在完成握手通信后配置开关单元的开关状态，以通过相应温度采样点同时对每个行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

进一步的，所述转接器单元包括第一转接器和至少一对第二转接器，所述第二转接器适于连接相应的电极片，所述第一转接器适于将每个所述第二转接器连接到所述电场发生器。

进一步的，所述第二转接器包括第一控制器和ADC采样单元，所述第一控制器用于在接收到所述电场发生器发送的握手信号时配置所述开关单元的开关状态，以使所述握手芯片上电工作，并将所述握手信号发送给所述握手芯片，以及根据所述握手芯片的反馈信号判断与所述握手芯片是否完成握手通信，并在完成握手通信后通过配置所述开关单元的开关状态，以便所述ADC采样单元通过相应温度采样点同时对每个所述行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样，获得若干AD采样值。

进一步的，所述第一控制器还用于根据所述若干AD采样值识别相应电极片的类型。

进一步的，所述第一控制器还用于在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，根据所述若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

进一步的，所述第二转接器还包括滤波单元，所述滤波单元设置在所述ADC采样单元与相应温度采样点之间，所述滤波单元用于对每个温度检测单元检测的温度信号进行滤波处理。

进一步的，所述第二转接器还包括第一通信单元，所述第一转接器包括第二通信单元和第二控制器，所述第二通信单元与所述第一通信单元相连，其中，所述第一控制器还用于将所述握手芯片的反馈信号发送给所述第二控制器，以便所述第二控制器根据所述握手芯片的反馈信号判断所述第一控制器与所述握手芯片是否完成握手通信。

进一步的，所述第一控制器还用于将所述若干AD采样值发送给所述第二控制器，以便所述第二控制器根据所述若干AD采样值识别相应电极片的类型。

进一步的，所述第二控制器还用于在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，根据所述若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

进一步的，所述第一转接器还包括第三通信单元，所述第三通信单元分别与所述第二控制器和所述电场发生器相连，其中，所述第一控制器还用于通过所述第一转接器将所述握手芯片的反馈信号发送给所述电场发生器，以便所述电场发生器根据所述握手芯片的反馈信号判断所述第一控制器与所述握手芯片是否完成握手通信。

进一步的，所述第一控制器还用于通过所述第一转接器将所述若干AD采样值发送给所述电场发生器，以便所述电场发生器根据所述若干AD采样值识别相应电极片的类型。

进一步的，所述电场发生器还用于在向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，根据所述若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

进一步的，所述肿瘤电场治疗系统还包括：至少一个第一连接器，每个所述第一连接器适于将相应第二转接器连接到所述第一转接器；至少一个第二连接器，每个所述第二连接器适于将相应电极片连接到对应的第二转接器；第三连接器，所述第三连接器适于将所述电场发生器连接到所述第一转接器。

进一步的，所述第一连接器被构造为采用接插件的方式将所述第二转接器与所述第一转接器进行连接，所述第二连接器被构造为采用接插件的方式将所述第二转接器与所述电极片进行连接，所述第三连接器被构造为采用接插件的方式将所述第一转接器与所述电场发生器进行连接。

进一步的，所述电极片为4个。

为达上述目的，本发明第三方面实施例提供一种肿瘤治疗设备，包括：至少一对前述的电极片，或者前述的肿瘤电场治疗系统。

根据本发明实施例的肿瘤治疗设备，通过前述的电极片，或者前述的肿瘤电场治疗系统，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

为达上述目的，本发明第四方面实施例提供一种肿瘤电场治疗系统的温度检测方法，所述肿瘤电场治疗系统包括前述的电极片、电场发生器和转接器单元，所述方法包括：通过所述转接器单元与所述握手芯片进行握手通信，以判断相应电极片的连接状态；在每个所述电极片与所述转接器单元连接成功时，通过所述转接器单元对所述开关单元的开关状态进行配置，以便通过相应温度采样点同时对每个所述行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样。

根据本发明实施例的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法，通过转接器单元与握手芯片进行握手通信，以判断相应电极片的连接状态，并在每个电极片与转接器单元连接成功时，通过转接器单元对开关单元的开关状态进行配置，以便通过相应温度采样点同时对每个行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

进一步的，所述方法还包括：根据采样到的每个温度检测单元检测的温度信号识别相应电极片的类型。

进一步的，根据采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号识别相应电极片的类型，包括：根据采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号，获得若干AD采样值；根据所述若干AD采样值确定相应电极片的电极片单元数量，并根据所述电极片单元数量确定相应电极片的类型。

进一步的，在通过所述转接器单元与所述握手芯片进行握手通信之前，所述方法还包括：通过所述转接器单元对所述开关单元的开关状态进行配置，以使所述握手芯片上电工作。

进一步的，在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，所述方法还包括：根据所述若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

进一步的，在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，所述方法还包括：根据所述若干AD采样值对所述交变电信号的参数进行调节。

为达上述目的，本发明第五方面实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，该肿瘤电场治疗系统的温度检测程序被处理器执行时，实现前述的肿瘤电场治疗系统的电极片识别方法。

根据本发明实施例的计算机可读存储介质，通过前述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

为达上述目的，本发明第六方面实施例提供一种肿瘤电场治疗系统的第一转接器，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，所述处理器执行所述肿瘤电场治疗系统的温度检测程序时，实现前述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法。

根据本发明实施例的肿瘤电场治疗系统的第一转接器，通过前述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

为达上述目的，本发明第七方面实施例提供一种肿瘤电场治疗系统的第二转接器，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，所述处理器执行所述肿瘤电场治疗系统的温度检测程序时，实现前述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法。

根据本发明实施例的肿瘤电场治疗系统的第二转接器，通过前述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

为达上述目的，本发明第八方面实施例提供一种肿瘤电场治疗系统的电场发生器，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，所述处理器执行所述肿瘤电场治疗系统的温度检测程序时，实现前述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法。

根据本发明实施例的肿瘤电场治疗系统的电场发生器，通过前述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1为根据本发明一个实施例的肿瘤电场治疗系统的结构示意图；

图2为图1中的一个电极片和第二转接器的结构示意图；

图3为图1中的第一转接器的结构示意图；

图4为根据本发明一个实施例的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法的流程示意图；

图5为根据本发明一个实施例的肿瘤电场治疗系统的工作流程图；

图6为根据本发明一个实施例的肿瘤电场治疗系统的温度检测流程图；

图7为根据本发明另一个实施例的电极片和第二转接器的结构示意图；

图8为根据本发明又一个实施例的电极片和第二转接器的结构示意图。

附图标记：

1000、肿瘤电场治疗系统；10、电场发生器；21、第三线缆；22、第三连接器；23、第三插座；24、第三插头；25、第一连接器；26、第二插座；27、第二插头；28、第二线缆；29、第一插座；30、第一插头；31、第二连接器；32、第一线缆；40、第二转接器；42、第一通信单元；43电阻器组；44、开关单元；45、第一控制器；46、ADC采样单元；47、滤波模块；50、电极片；51、电极片单元；52、二极管；53、温度传感器；54、握手芯片；55、电气功能组件；56、基板；60、第一转接器；61、第二通信单元；62、第二控制器；63、第三通信单元。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

参考图1所示，肿瘤电场治疗系统1000包括：至少一对电极片50、转接器单元(未标号)和电场发生器10，至少一对电极片50成对地配置于患者体表，转接器单元(未标号)包括第一转接器60和至少一对第二转接器40，第二转接器40适于连接相应的电极片50，第一转接器60适于将每个第二转接器40连接到电场发生器10。即，肿瘤电场治疗系统1000包括成对配置于患者体表的电极片50、与电极片50电性连接的第二转接器40、与第二转接器40电性连接的第一转接器60以及与第一转接器60电性连接的电场发生器10。

电场发生器10产生肿瘤电场治疗用的交变电信号，并通过第一转接器60和第二转接器40将交变电信号传输给每对电极片50，以在成对电极片30之间形成交变电场作用于患者肿瘤部位施加进行肿瘤治疗。本实施例中，肿瘤电场治疗系统1000包括两对电极片50，如图1所示，包括电极片50X1、电极片50Y1、电极片50X2和电极片50Y2。电场发生器10生成两组切换的交变电信号X1和X2、Y1和Y2，其中，交变电信号X1、X2为一组，通过第一转接器60、第二转接器40同时施加到一对电极片50；交变电信号Y1、Y2为一组，通过第一转接器60、第二转接器40同时施加到另一对电极片50。其中，电极片50X1与电极片50X2为一对，施加在电极片50X1与电极片50X2上的交变信号X1、X2同时关闭同时打开；电极片50Y1与电极片50Y2为一对，施加在电极片50Y1与电极片50Y2上的交变电信号Y1、Y2同时关闭同时打开。

参考图1、图2，每个电极片50均包括背衬(未图示)、由背衬(未图示)、支撑的电气功能组件55、与电气功能组件55电性连接的第一线缆32。每个电极片50与第二转接器40之间均连接设置有一个第二连接器31，第二连接器31适于将相应电极片50连接到对应的第二转接器40。第二连接器31包括设于第一线缆32远离电气功能组件55一端的第一插头30以及设于第二转接器40上的第一插座29，第一插头30和第一插座29为接插件，即第二连接器31采用接插件的方式将第二转接器40与电极片50进行连接。

电气功能组件55包括基板56、设置在基板56上的多个电极片单元51、多个温度检测单元和握手芯片54。每个电极片单元51可施加交变电场。每个温度检测单元与电极片单元51一一对应设置，以检测相应电极片单元51处的温度。在图2中，电气功能组件55包括20个间隔设于基板56上并向患者施加交变电场的电极片单元51以及20个组设于基板56上的温度检测单元。每个温度检测单元均包括温度传感器53和单向导电电子元件如二极管52，二极管52的具有阳极和阴极，二极管52的阳极与温度传感器53相连，二极管52的阴极作为温度检测单元的接地端，通过温度传感器53检测相应电极片单元51处的温度，通过二极管52来避免其他温度传感器53的阻值对检测的温度传感器53的阻值的影响。每个电极片单元51的中部具有贯穿状设置的穿孔(未图示)，穿孔中收容有串联连接的一个温度传感器53和一个二极管52。可选的，电极片单元51为介电元件，如高介电陶瓷片；温度传感器53为热敏电阻；二极管52为低漏电流、低导通电压二极管，握手芯片54为具有加密功能的EEPROM。

电极片50具有多种类型，例如：带有20个电极片单元51的电极片50记为C型电极片50，带有13个电极片单元51的电极片50记为B型电极片50，带有9个电极片单元51的电极片50记为A型电极片50。电极片50还可以带有其他数量的电极片单元51。图1所示为C型电极片50，每个电极片50上均设置有20个电极片单元51。20个电极片单元51大致呈阵列排布，例如，20个电极片单元51可以呈四行五列排布，每行有5个电极片单元51；又如，20个电极片单元51也可以呈四行六列排布(如图1所示)，第一行与第四行皆为四个电极片单元51，且第一行与第四行的每一行中的四个电极片单元51皆位于第二列至第五列的各列，中间两行皆为六个电极片单元51，中间两行的每一行中的六个电极片单元51皆位于第一列至第六列的各列。

多个电极片单元51被配置为至少三个行组和至少三个列组，每个列组中对应温度检测单元的信号端连接到一起作为温度采样点，每个行组中对应温度检测单元的接地端共同通过第二转接器40中的开关单元44连接到接地管脚GND。在图2中，20个电极片单元51并行连接到基板56的同一路导电迹线，对应传输交变电信号AC。每一温度检测单元均具有一信号端和一接地端。20个温度检测单元分成四个行组和五个列组，每个行组的5个温度检测单元的接地端均通过基板56的同一路导电迹线短接，且通过开关单元44连接到接地管脚GND，每个行组的5个温度检测单元的信号端分别通过基板56的5路导电迹线并行连接；每个列组内的4个温度检测单元的信号端均通过基板56的同一路导电迹线短接，且短接点作为一个温度采样点，每个列组内的4个温度检测单元的接地端通过基板56的4路导电迹线并行连接。

在图2示例中，基板56和第二连接器31均包括4路连接到接地管脚GND的接地线(1号导线、2号导线、3号导线、4号导线)、5路传输相应温度检测单元检测的模拟温度信号的信号线(6号导线、7号导线、8号导线、9号导线、10号导线)、一路传输交变电信号AC的交变电源线(11号导线)。基板56和第二连接器31均还包括一路与由基板56上设置的握手芯片54向第二转接器40传输通信信号的通信线(5号导线)。结合图1和图2所示，第一线缆32与基板56电性连接，其具有11根导线，分别与4路连接到接地管脚GND的接地线(1号导线、2号导线、3号导线、4号导线)、5路传输相应温度检测单元检测的模拟温度信号的信号线(6号导线、7号导线、8号导线、9号导线、10号导线)、一路传输交变电信号AC的交变电源线(11号导线)、以及一路握手芯片54向第二转接器40传输通信信号的通信线(5号导线)一一对应。

握手芯片54的接地引脚与一接地线连接(1号导线、2号导线、3号导线和4号导线中的一路导线)，并通过开关单元44连接到接地管脚GND，握手芯片54的通信引脚通过通信线(5号导线)连接到转接器单元的第二转接器40。如图2所示，握手芯片54与第二连接器31上的5号导线连接以获得电源及开启数据通讯功能，握手芯片54与第二连接器31上的一路接地线连接以获得可控的GND电气连接，本实施例中，参考图2，握手芯片54与第二连接器31上的4号接地线连接。握手芯片54可通过外置储能元件(未图示)，在通信线(5号导线)传输高电平时存储能量，并在通信线(5号线)传输低电平时释放能量，以使握手芯片54获有足够电量并正常工作。可选的，储能元件为电容器。如此，握手芯片54只需额外使用1根导线即可正常工作。握手芯片54适于与外部设备如电场发生器10进行握手通信以判断每对电极片50的连接状态，其中，在握手芯片54与电场发生器10完成握手通信后，通过配置开关单元44的开关状态以使每个行组中对应温度检测单元检测的模拟温度信号由相应温度采样点同时被采样。被采样到的每个温度检测单元检测的模拟温度信号转换后可以在电极片50合格的情况下用于表征电极片50的类型，也可以用于表征电极片50是否出现温度异常。

结合图1、图2，第二转接器40包括第一控制器45、ADC采样单元46、滤波单元47、第一通信单元42、开关单元44、电阻器组43以及第二线缆28。第一控制器45、ADC采样单元46、滤波单元47、第一通信单元42、开关单元44以及电阻器组43均设于第二转接器40的内部。第二线缆28与第一插座29分别设于第二转接器40的相对两侧。

第一控制器45电气连接到第二连接器31的通信线(5号导线)及基板56，以与握手芯片54进行数据通讯。第一控制器45在接收到电场发生器10发送的握手信号时，配置开关单元44的开关状态，以使握手芯片54上电工作，并将握手信号发送给握手芯片54，以及根据握手芯片54的反馈信号判断与握手芯片54是否完成握手通信，并在完成握手通信后通过配置开关单元44的开关状态，以便ADC采样单元46通过相应温度采样点同时对每个行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样，获得若干AD采样值，进而在电极片50合格的情况下可以根据若干AD采样值识别相应电极片50的类型，也可以在电场发生器10向相应电极片50传输交变电信号的过程中，根据若干AD采样值判断相应电极片50是否出现温度异常。其中，在配置开关单元44的开关状态时，第一控制器45可控制开关单元44以使第二连接器31中的4路接地线1、2、3、4依次单独与接地管脚GND电气连接，以使相应一路接地线连接的一组温度检测单元通电进行温度检测。在第一控制器45控制开关单元44使第二连接器31中4路中的一路接地线与接地管脚GND电气连接时，第一控制器45还控制开关单元44以使第二连接器31中其他三路接地线与接地管脚GND电气断开。

电阻器组43为5个高精度的分压电阻，分别串行连接到直流电源VCC与第二连接器31的5路传输相应温度检测单元检测的模拟温度信号(温度检测单元的电压值)的信号线(6号导线、7号导线、8号导线、9号导线及10号导线)，即每个温度采样点通过相应分压电阻连接到直流电源VCC。5个分压电阻分别与相应的温度检测单元串联分压，以便于计算温度检测单元的电压值及通过ADC采样单元46转换成数字温度信号得到AD采样值，AD采样值对应的是数字温度。因此，可以将AD采样值按温度范围分区，以便于识别相应电极片50的类型和判断相应电极片50是否出现温度异常。若是AD采样值明显偏离检测的温度范围，例如低于0℃或高于50℃，便判断该AD采样值对应的采样点未设温度检测单元和电极片单元51，以此确定电极片单元51的数量来识别电极片50的类型。

滤波单元47设置在ADC采样单元46与相应温度采样点之间，滤波单元47用于对每个温度检测单元检测的温度信号进行滤波处理。滤波单元47包括与电阻器组43一一对应的5组滤波器，作用是衰减所设定截止频率以上信号的强度。第一组滤波器与滤波单元47中的1、6端口串行连接；第二组滤波器与滤波单元47中的2、7端口串行连接；第三组滤波器与滤波单元47中的3、8端口串行连接；第四组滤波器与滤波单元47中的4、9端口串行连接；第五组滤波器与滤波单元47中的5、10端口串行连接。可选的，滤波器使用截止频率小于1/10的交变电信号AC频率的一阶RC低通滤波器。可选的，滤波单元47中可加入电压跟随器以优化ADC采样单元46采样。

ADC采样单元46具有5个采集通道1、2、3、4、5。ADC采样单元46的5个采集通道分别与滤波单元47的相应的一组滤波器电性连接。具体的，ADC采样单元46的5个采集通道分别与滤波单元47的6、7、8、9、10端口一一对应连接以分别电性连接相应的一组滤波器。ADC采样单元46可以将经过滤波单元47过滤后的多个模拟温度信号转换为多个数字温度信号得到多个AD采样值。ADC采样单元46转换后的多个AD采样值由第一控制器45控制第一通信单元42向第一转接器60串行传输。

第二转接器40通过第一通信单元42与第一转接器60进行数据交互。第一通信单元42使第一控制器45与第一转接器60进行数据交互。可选的，第一通信单元42使用UART单元。

参考图2，第二转接器40的第二线缆28包括5根导线。第二线缆28的5根导线分别传输交变电信号AC、GND、VCC、双向串行传输数据。第二转接器40内的GND、VCC同名端相连。

结合图1、图3，第一转接器60包括第二通信单元61、第二控制器62、第三通信单元63以及第三线缆21。第二通信单元61、第二控制器62和第三通信单元63均位于第一转接器60的内部。

第一转接器60与4个第二转接器40分别通过相应的一个第一连接器25电气连接，每个第一连接器25适于将相应第二转接器40连接到第一转接器60。第一连接器25传输第二线缆28所传输的信号，即交变电信号AC、GND、VCC、双向串行传输数据。第一连接器25包括设于第二转接器40的第二线缆28远离第一插座29一端的第二插头27以及设于第一转接器60上的多个第二插座26，第二插头27和第二插座26为插接件，即第一连接器25被构造为采用接插件的方式将第二转接器40与第一转接器60进行连接。第三线缆21和多个第二插座26分别位于第一转接器60的相对两侧。第一转接器60上设有4个第二插座26，4个第二插座26分别与四个电极片50一一对应连接的4个第二转接器40一一对应连接。每个第二插座26分别设有5个连接端子传输第二线缆28所传输的信号：交变电信号AC、GND、VCC、双向串行传输数据。

4个第二插座26均有一个交变电信号AC的连接端子分别连接4种交变电信号(X1、X2、Y1、Y2)中的一种。4个第二插座26分别传输4种交变电信号(X1、X2、Y1、Y2)中的一种，并分别通过相应的一个第二转接器40与电极片50X1、50X2、50Y1、50Y2电性连接。其中，传输交变电信号X1的第二插座26与连接至电极片50X1的相应的一个第二转接器40的第二插头27电气连接；传输交变电信号X2的第二插座26与连接至电极片50X2的相应的一个第二转接器40的第二插头27电气连接；传输交变电信号Y1的第二插座26与连接至电极片50Y1的相应的一个第二转接器40的第二插头27电气连接；传输交变电信号Y2的第二插座26与连接至电极片50Y2的相应的一个第二转接器40的第二插头27电气连接。

第一转接器60与电场发生器10通过第三连接器22电气连接，第三连接器22适于将电场发生器10连接到第一转接器60，使电场发生器10的、GND、VCC以及其产生的交变电信号X1、X2、Y1和Y2通过第三连接器22传递至第一转接器60。第三连接器22包括设于电场发生器10的第三插座23与设于第一转接器21的第三线缆21远离第二插座26一端的第三插头24，第三插座23和第三插头24为接插件，即第三连接器22被构造为采用接插件的方式将第一转接器21与电场发生器10进行连接。

第二通信单元61连接于四个第一连接器25与第二控制器62之间。第二控制器62通过第二通信单元61与4个第二转接器40的第一通信单元42进行数据交互。可选的，第二通信单元61使用UART单元。第一控制器45可将相应握手芯片54的反馈信号发送给第二控制器62，以便第二控制器62根据握手芯片54的反馈信号判断相应的第一控制器45与握手芯片54是否完成握手通信。第一控制器45还可以将若干AD采样值发送给第二控制器62，以便在电极片50合格的情况下第二控制器62根据若干AD采样值识别相应电极片50的类型，和/或，在电场发生器10向相应电极片50传输交变电信号的过程中，根据若干AD采样值判断相应电极片50是否出现温度异常。

第二控制器62大致连接于第二通信单元61和第三通信单元63之间。第三通信单元63大致通过第三连接器22与电场发生器10电性连接。第二控制器62通过第三通信单元63与电场发生器10进行数据交互。可选的，第三通信单元63为RS485-UART收发器。第一转接器60内部的交变电信号分别与第一连接器25的第二插座26的一个传输交变电信号(X1或X2或Y1或Y2)的连接端子一一对应。第一控制器45可以通过第一转接器60将握手芯片54的反馈信号发送给电场发生器10，以便电场发生器10根据握手芯片54的反馈信号判断第一控制器45与握手芯片54是否完成握手通信。第一控制器45还可以通过第一转接器60将若干AD采样值发送给电场发生器10，以便在电极片50合格的情况下电场发生器10根据若干AD采样值识别相应电极片50的类型，和/或，在向相应电极片50传输交变电信号的过程中，根据若干AD采样值判断相应电极片50是否出现温度异常。

从前述描述可知，握手通信的判断、电极片的类型识别以及电极片是否出现温度异常的识别，可由第二转接器40中的第一控制器45、第一转接器60中的第二控制器62或者电场发生器10实现，具体这里不做限制。需要说明的是，上述电极片50的数量、每个电极片50的电极片单元51的数量、温度检测单元设置的数量等，均为示例性说明，并不作为对本申请的限制。

上述实施例中，通过将多个电极片单元51配置为至少三个行组和至少三个列组，且每个列组中对应温度检测单元的信号端连接到一起作为温度采样点，每个行组中对应温度检测单元的接地端共同通过开关单元连接到接地管脚GND，并通过握手芯片54与电场发生器10进行握手通信以判断电极片50的连接状态，其中，在握手芯片54与电场发生器10完成握手通信后，通过配置开关单元44的开关状态以使每个行组中对应温度检测单元检测的模拟温度信号由相应温度采样点同时被采样，由此，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器的覆盖率，避免了电极片50的负重过大，保持了电极片50的贴敷效果；同时，基于采样模数转换获得的AD采样值，可实现电极片50的类型识别以及电极片50是否出现温度异常的识别。

本发明还提供了一种肿瘤电场治疗系统1000的温度检测方法，参考图4所示，方法包括：

在步骤S1中，通过转接器单元与握手芯片54进行握手通信，以判断相应电极片50的连接状态。

在步骤S2中，在每个电极片50与转接器单元连接成功时，通过转接器单元对开关单元44的开关状态进行配置，以便通过相应温度采样点同时对每个行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样。

可选的，方法还包括：根据采样到的每个温度检测单元检测的温度信号识别相应电极片50的类型。例如，根据采样到的每个温度检测单元检测的模拟温度信号，模数转换获得若干AD采样值；根据若干AD采样值确定相应电极片的50电极片单元51数量，并根据电极片单元51数量确定相应电极片50的类型。

可选的，在电场发生器10向相应电极片50传输交变电信号的过程中，方法还包括：根据若干AD采样值判断相应电极片50是否出现温度异常。

可选的，在电场发生器10向相应电极片50传输交变电信号的过程中，方法还包括：根据若干AD采样值对交变电信号的参数进行调节。

举例来说，肿瘤电场治疗系统1000的握手、温度检测及电场控制的流程100如图5。流程100可以应用到图1所示肿瘤电场治疗系统1000中，以便进行肿瘤电场治疗。流程100不局限于应用到图1所示示例中，图7、图8所示示例同样适用流程100。以下步骤介绍针对图1所示示例。

在步骤101中，连接肿瘤电场治疗系统1000。具体的，将4个C型电极片50分别连接至相应的一个第二转接器40，将4个第二转接器40连接至一个第一转接器60，将第一转接器60连接至电场发生器10，将电场发生器10连接至适配的电源。

在步骤102中，检测用户是否发出开启电场的命令。若未检测到开启电场的命令，则重复步骤102；若检测到电场开启命令，则进入步骤103。

在步骤103中，肿瘤电场治疗系统1000的电场发生器10通过第一转接器60对X1端口(第一连接器25-X1、第二转接器40)发送握手信号后，与第一连接器25-X1连接的第二转接器40的第一控制器45接收相应的第二连接器31上5号导线传输的数据判断握手是否通过，若未通过则进入步骤105；若通过则进入步骤106。此判断步骤可以发生在第二转接器40中、第一转接器60中或电场发生器10中。实施例中判断步骤发生在第二转接器40中。具体的，当电极片50X1连接正常，握手芯片54能接收电场发生器10的握手请求信号，并向第二转接器40的第一控制器45反馈握手状态，第二转接器40的第一控制器45判断握手成功。反之，当电极片50X1连接异常，第二转接器40的第一控制器45得不到握手芯片54的反馈信号，第二转接器40的第一控制器45判断握手失败。

在步骤105中，肿瘤电场治疗系统1000因握手失败发出报警，随后进入步骤102。

在步骤106中，肿瘤电场治疗系统1000的电场发生器10通过第一转接器60对X2端口(第一连接器25-X2、第二转接器40)发送握手信号后，与第一连接器25-X2连接的第二转接器40的第一控制器45接收相应的第二连接器31上5号导线传输的数据判断握手是否通过，若未通过则进入步骤102；若通过则进入步骤107。此判断步骤可以发生在第二转接器40中、第一转接器60中或电场发生器10中。实施例中判断步骤发生在第二转接器40中。具体的，当电极片50X2连接正常，握手芯片54能接收电场发生器10的握手请求信号，并向第二转接器40的第一控制器45反馈握手状态，第二转接器40的第一控制器45判断握手成功。反之，当电极片50X2连接异常，第二转接器40的第一控制器45得不到握手芯片54的反馈信号，第二转接器40的第一控制器45判断握手失败。

在步骤107中，肿瘤电场治疗系统1000的电场发生器10通过第一转接器60对Y1端口(第一连接器25-Y1、第二转接器40)发送握手信号后，与第一连接器25-Y1连接的第二转接器40的第一控制器45接收相应的第二连接器31上5号导线传输的数据判断握手是否通过，若未通过则进入步骤102；若通过则进入步骤108。此判断步骤可以发生在第二转接器40中、第一转接器60中或电场发生器10中。实施例中判断步骤发生在第二转接器40中。具体的，当电极片50Y1连接正常，握手芯片54能接收电场发生器10的握手请求信号，并向第二转接器40的第一控制器45反馈握手状态，第二转接器40的第一控制器45判断握手成功。反之，当电极片50Y1连接异常，第二转接器40的第一控制器45得不到握手芯片54的反馈信号，第二转接器40的第一控制器45判断握手失败。

在步骤108中，肿瘤电场治疗系统1000的电场发生器10通过第一转接器60对Y2端口(第一连接器25-Y2、第二转接器40)发送握手信号后，与第一连接器25-Y2连接的第二转接器40的第一控制器45接收相应的第二连接器31上5号导线传输的数据判断握手是否通过，若未通过则进入步骤102；若通过则进入步骤109。此判断步骤可以发生在第二转接器40中、第一转接器60中或电场发生器10中。实施例中判断步骤发生在第二转接器40中。具体的，当电极片50Y2连接正常，握手芯片54能接收电场发生器10的握手请求信号，并向第二转接器40的第一控制器45反馈握手状态，第二转接器40的第一控制器45判断握手成功。反之，当电极片50Y2连接异常，第二转接器40的第一控制器45得不到握手芯片54的反馈信号，第二转接器40的第一控制器45判断握手失败。

以上步骤103、106、107、108中第二转接器40在收到肿瘤电场治疗系统1000的握手信号后，需要通过第一控制器45控制开关模块44，使第二连接器31上的4号导线与接地管脚GND电气连接，以便握手芯片54得以正常工作。如果电场发生器10与第一转接器60之间、第一转接器60与第二转接器40之间、第二转接器40与电极片50之间都正常连接，那么电场发生器10发出的握手信号能最终到达电极片50的握手芯片54，并且握手芯片54的握手状态能够反馈给电场发生器10。如果电场发生器10与第一转接器60之间、第一转接器60与第二转接器40之间、第二转接器40与电极片50之间出现至少一处连接异常，握手芯片54因无法连接VCC与GND形成回路，导致第二转接器40、第一转接器60、电场发生器10接收握手状态为空信号，则握手失败。

在步骤109中，肿瘤电场治疗系统1000的电场发生器10设置电场参数后进入步骤110。电场参数包括交变电信号的频率、幅度等。

在步骤110中，第一转接器60会向第一连接器25-Y1、第一连接器25-Y2对应的2个第二转接器40发送温度读取请求后，读取温度信号以采集电极片50Y1、50Y2上共40个温度传感器53对应的温度。进入步骤111。

在步骤111中，肿瘤电场治疗系统1000通过温度信号判断电极片50Y1、50Y2的类型后进入步骤112。判断50Y1、50Y2的类型，判断的是电极片50Y1、50Y2的电极片单元51及温度传感器53的数量。此判断过程可以发生在第二转接器40中、第一转接器60中或电场发生器10中。在图1所示示例中，50Y1、50Y2均被判断为C型电极片50。C型电极片50具有20个温度传感器53，因此C型电极片50包含20个有效温度信号，50Y1、50Y2共40个有效温度信号。

在步骤112中，肿瘤电场治疗系统1000判断第二转接器40采集的40个有效温度信号中的任意一个是否异常，若异常则进入步骤114。若40个有效温度信号均为正常，则进入步骤113。

在步骤113中，电场发生器10开启交变电信号Y1、Y2，关闭交变电信号X1、X2并进入步骤115。

在步骤114中，肿瘤电场治疗系统1000因电极片50Y1、50Y2的有效温度信号异常报警，随后立刻进入步骤120。

在步骤115中，第一转接器60会向第一连接器25-X1、第一连接器25-X2对应的2个第二转接器40发送温度读取请求后，读取温度信号以采集电极片50X1、50X2上所有温度传感器53对应的温度。进入步骤116。

以上步骤110与115对于第二转接器40步骤一致，第二转接器40中的步骤110与115具体流程可参考流程200。

在步骤116中，肿瘤电场治疗系统1000通过温度信号判断电极片50X1、50X2的类型后进入步骤117。此判断过程可以发生在第二转接器40中、第一转接器60中或者电场发生器10中。在图1所示示例中，50X1、50X2均被判断为C型电极片50。C型电极片50具有20个温度传感器53，因此C型电极片50包含20个有效温度信号，50X1、50X2共40个有效温度信号。

在步骤117中，肿瘤电场治疗系统1000判断第二转接器40采集的40个有效温度信号中的任意一个是否异常，若异常则进入步骤114。若40个有效温度信号均为正常，则进入步骤118。

在步骤118中，电场发生器10开启交变电信号X1、X2，关闭交变电信号Y1、Y2并进入步骤119。步骤113、步骤115、步骤116、步骤117至步骤118的总时间固定，总时间为1s。

在步骤119中，肿瘤电场治疗系统1000会检测是否收到过用户发出的关闭电场命令，若检测到收到过关闭电场命令，则进入步骤120；若未检测到收到过关闭电场命令，则进入步骤121。

在步骤120中，肿瘤电场治疗系统1000关闭电场后进入步骤102。此时结束电场治疗等待下一个开启电场命令。

在步骤121中，肿瘤电场治疗系统1000根据当前电场幅度及采集的温度信号判断是否需要调整电场参数，若需要调整电场参数，则进入步骤109；若不需要调整电场参数，则进入步骤110至步骤119进行循环。步骤118、步骤119、步骤121、步骤110、步骤111、步骤112至步骤113的总时间固定，在实施例中为1s，如此肿瘤电场治疗系统1000可实现X1、X2方向上的交变电信号与Y1、Y2方向上的交变电信号以2s为周期交替的连续输出交变电信号。同时，肿瘤电场治疗系统1000可实现将关闭交变电信号X1、X2与开启交变电信号Y1、Y2之间的时间间隔降至0s；将关闭交变电信号Y1、Y2与开启交变电信号X1、X2之间的时间间隔降至0s，在保证温度采集精确度的前提下提高电场治疗效率。

温度采集流程200如图6，此流程可应用到任意一个适用电极片50X1、50X2、50Y1、50Y2的第二转接器40的温度采集流程中，以上流程图以连接到50X1的第二转接器40为例。

在步骤201中，连接第二转接器40至电极片50X1与第一连接器60。进入步骤202。

在步骤202中，第二转接器40判断是否收到第一转接器60发送的温度读取请求，若收到温度读取请求，则进入步骤204；若未收到温度读取请求，则重复步骤202。

在步骤204中，第二转接器40的第一控制器45控制开关单元44，使第二连接器31的1号导线与第二转接器40中的GND电气连接，2、3、4号导线断开(2、3、4号导线与GND断开)。此时电极片50X1上的编号为1-5的5个温度传感器53与电阻器组43和GND电气连接，编号为6-20的15个温度传感器53未电气导通。

在步骤205中，ADC采样单元46采集滤波后的电极片50X1上编码为1-5的温度传感器53对应的温度信号。ADC采样单元46按采样通道1-5的顺序采集滤波后的电极片50X1上编号为1-5的5个温度传感器53所检测导电的模拟温度信号并转换为数字温度信号，之后进入步骤206。在采集温度的时间段，电场发生器10发出的交变电信号与Y1、Y2电气连接，实施例中Y1、Y2之间电压幅度通常大于100Vpp。此时电场发生器10发出的交变电信号与X1、X2断开电气连接，但是由于控制交变电信号开关的器件通常具有一定的寄生参数，在施加交变电信号并断开X1、X2时，X1、X2仍具有一定的电压幅度，图1所示示例中X1、Y1电压幅度通常大于4Vpp。此时X1、X2之间的残余交变电信号会耦合至第二转接器40内部的各个模块及导电迹线上，影响第二转接器40的温度采集并产生一定的误差，因此需要滤波模块47对相应温度传感器53检测到的模拟温度信号中的中高频信号做衰减处理后供ADC采样单元46转换成更为精确的数字温度信号。

在步骤206中，第二转接器40的第一控制器45控制开关单元44，使第二连接器31的2号导线与第二转接器40中的GND电气连接，1、3、4号导线断开(1、3、4号导线与GND断开)。此时电极片50X1上编号为6-10的5个温度传感器53与电阻器组43和GND电气连接，编号为1-5和编码为11-20的15个温度传感器53未电气导通。进入步骤207。

在步骤207中，ADC采样单元46采集滤波后的电极片50X1上编码为6-10的温度传感器53对应的温度信号。ADC采样单元46按采样通道1-5的顺序采集滤波后的电极片50X1上编号为6-10的5个温度传感器53所检测导电的模拟温度信号并转换为数字温度信号，之后进入步骤208。

在步骤208中，第二转接器40的第一控制器45控制开关单元44，使第二连接器31的3号导线与第二转接器40中的GND电气连接，1、2、4号导线断开(1、2、4号导线与GND断开)。此时电极片50X1上编号为11-15的5个温度传感器53与电阻器组43和GND电气连接，编号为1-10和16-20的15个温度传感器53未电气导通。进入步骤209。

在步骤209中，ADC采样单元46采集滤波后的电极片50X1上编码为11-15的温度传感器53对应的温度信号。ADC采样单元46按采样通道1-5的顺序采集滤波后的电极片50X1上编号为11-15的5个温度传感器53所检测导电的模拟温度信号并转换为数字温度信号，之后进入步骤210。

在步骤210中，第二转接器40的第一控制器45控制开关单元44，使第二连接器31内的4号导线与第二转接器40中的GND电气连接，1、2、3号导线断开(1、2、3号导线与GND断开)。此时电极片50X1上编号为16-20的5个温度传感器53与电阻器组43和GND电气连接，编号为1-15的15个温度传感器53未电气导通。进入步骤211。

在步骤211中，ADC采样单元46采集滤波后的电极片50X1上编码为16-20的温度传感器53对应的温度信号。ADC采样单元46按采样通道1-5的顺序采集滤波后的电极片50X1上编码为16-20的5个温度传感器53所检测导电的模拟温度信号并转换为数字温度信号，之后进入步骤212。

在步骤212中，第二转接器40结束温度采集，第一控制器45通过第一通信单元42发送温度信号至第一转接器60后进入步骤202。该步骤中的温度信号为经过ADC采样单元46转换的数字温度信号。可选的，发送的温度信号中可以包括关于电极片50X1类型的信息。

在一些实施例中，如图7所示，电极片50为B型电极片50，其具有13个电极单元51；如图8所示，电极片50为A型电极片50，其具有9个电极单元51。

需要说明的是，图1示例中，电极片50X1、50X2、50Y1、50Y2可从A型、B型、C型电极片50中任意组合使用。例如，50X1、50X2使用B型电极片50，50Y1、50Y2使用C型电极片50。

本实施例中对B型电极片50的温度采集流程200与对实施例1中的C型电极片50的流程一致，但是在温度采集流程200的步骤209中ADC采样单元46的采样通道4、5所采集的模拟温度信号接近VCC供电电压值的模拟信号，这是由于与采样通道4、5电气连接的电极片50上的4、5、9、10号导线均未与GND电气连接。同理，在温度采集流程200的步骤211中ADC采样单元46的采样通道1-5所采集的模拟温度信号均接近VCC供电电压值的模拟信号，这是由于与采样通道1-5电气连接的电极片50上的1-13导线均未与GND电气连接。因此在步骤212中，第二转接器40所发送的温度信号包含电极片50上的1-13共13个温度传感器53对应的数字温度信号与14-20共7个未设温度传感器53的由接近VCC供电电压值的模拟信号所转化的数字温度信号。这7个由接近VCC供电电压值的模拟信号所转化的数字温度信号为干扰温度数据。

本实施例中对B型电极片50的肿瘤电场治疗系统1000流程100与对图1所示C型电极片50的流程一致。以B型电极片50X1为例，步骤116中温度信号中编号为14-20的7个未设温度传感器53所对应的模拟温度信号均接近VCC供电电压值的模拟信号。第一转接器60即可通过上述依据判断出50X1为B型电极片。可选的，判断过程可以发生在第二转接器40中。在处理温度信号时，肿瘤电场治疗系统1000即可排除掉编号为14-20的7个未设温度传感器53所对应的温度信号再进行数据处理。例如，对于电极片50X1、50X2使用B型电极片50，电极片50Y1、50Y2使用C型电极片50的系统，肿瘤电场治疗系统1000可以在步骤111中判断出电极片50Y1、50Y2均为C型电极片50，40个温度信号均为有效温度数据，在步骤112中对40个有效温度数据判断是否存在异常；在步骤116中判断出电极片50X1、50X2均为B型电极片50，因此电极片50X1、50X2各自分别对应的编号为1-13共13个温度传感器53的温度信号为有效温度数据，电极片50X1、50X2共26个有效温度数据，再在步骤117中对此26个有效温度数据判断是否存在异常。

本实施例中对A型电极片50的温度采集流程200与对实施例1中的C型电极片50的流程一致，但是在步骤207中ADC采样单元46的采样通道5所采集的模拟温度信号接近VCC供电电压值的模拟信号，这是由于与采样通道5电气连接的电极片50上的10号导线未与GND电气连接。同理，步骤209中ADC采样单元46的采样通道1-5所采集的模拟温度信号均接近VCC供电电压值的模拟信号，这是由于与采样通道1-5电气连接的电极片50上的3、6、7、8、9、10号导线均未与GND电气连接。步骤211中ADC采样单元46的采样通道1-5所采集的模拟温度信号均接近VCC供电电压值的模拟信号，这是由于与采样通道1-5电气连接的电极片50上的6、7、8、9、10号导线均未与GND电气连接。因此在步骤212中，第二转接器40所发送的温度信号包含电极片50上的编号为1-9的9个温度传感器53对应的数字温度信号与编号为10-20的11个未设温度传感器53对应的由接近VCC供电电压值的模拟信号所转化的数字温度信号。

本实施例中对A型电极片50的肿瘤电场治疗系统1000流程100与对实施例1中C型电极片50的流程一致。以A型电极片50X1为例，步骤116中温度信号中编号为10-20的11个未设温度传感器53所对应的模拟温度信号均接近VCC供电电压值的模拟信号。第一转接器60即可通过上述依据判断出50X1为A型电极片。可选的，判断过程可以发生在第二转接器40中。在处理信号时，肿瘤电场治疗系统1000即可排除掉编号为10-20所对应的温度信号再进行信号处理。例如，对于50X1、50X2使用A型电极片50，50Y1、50Y2使用C型电极片50的系统，肿瘤电场治疗系统1000可以在步骤111中判断出50Y1、50Y2均为C型电极片50，40个温度信号均为有效温度数据，在步骤112中对40个有效温度数据判断是否存在异常；在步骤116中判断出50X1、50X2均为A型电极片50，因此50X1、50X2所对应的编号为1-9通道的温度信号为有效温度数据，共18个有效温度数据，再在步骤117中对此18个有效温度数据判断是否存在异常。

如此，A型、B型、C型电极片50可以在不改变电场发生器10、第一转接器60、第二转接器40与肿瘤电场治疗系统1000流程的前提下组合使用，并在不影响电极线缆灵活性的同时提高电场治疗效率。

上述实施例中，通过采用矩阵网络温度检测技术，并配合相应的电场控制算法，进而温度检测与电场控制，不仅能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器53的覆盖率，避免电极片30的负重过大，保持电极片30的贴敷效果，而且具有电极片30组合灵活，电极片30识别准确，电场关断间隔小的优势，可以提高患者的依从性，提高患者治疗效果；同时，可基于检测的温度控制相应一对电极片50是否关闭电场或调整电场参数。

本发明还提供了一种肿瘤治疗设备，包括：至少一对前述的电极片50，或者前述的肿瘤电场治疗系统1000。

根据本发明实施例的肿瘤治疗设备，通过前述的电极片50，或者前述的肿瘤电场治疗系统1000，能够在控制线缆线芯数量的情况下，使温度传感器53达到100％的覆盖率，避免了电极片50的负重过大，保持了电极片50的贴敷效果。

本发明还提供了一种计算机可读存储介质(未图示)，其上存储有肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序，该肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序被处理器(未图示)执行时，实现前述的肿瘤电场治疗系统1000的电极片识别方法。

根据本发明实施例的计算机可读存储介质，通过前述的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测方法，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器53的覆盖率，避免了电极片50的负重过大，保持了电极片50的贴敷效果。

本发明还提供了一种肿瘤电场治疗系统1000的第一转接器60，包括存储器(未图示)、处理器(未图示)及存储在存储器(未图示)上并可在处理器(未图示)上运行的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序，处理器执行肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序时，实现前述的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测方法。

根据本发明实施例的肿瘤电场治疗系统1000的第一转接器60，通过前述的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测方法，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器53的覆盖率，避免了电极片的负重过大，保持了电极片的贴敷效果。

本发明还提供了一种肿瘤电场治疗系统1000的第二转接器40，包括存储器(未图示)、处理器(未图示)及存储在存储器(未图示)上并可在处理器(未图示)上运行的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序，处理器执行肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序时，实现前述的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测方法。

根据本发明实施例的肿瘤电场治疗系统1000的第二转接器40，通过前述的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测方法，能够在控制线缆线芯数量的情况下，有效增加温度传感器53的覆盖率，避免了电极片50的负重过大，保持了电极片50的贴敷效果。

本发明还提供了一种肿瘤电场治疗系统1000的电场发生器10，包括存储器(未图示)、处理器(未图示)及存储在存储器(未图示)上并可在处理器(未图示)上运行的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序，处理器(未图示)执行肿瘤电场治疗系统1000的温度检测程序时，实现前述的肿瘤电场治疗系统1000的温度检测方法。

需要说明的是，在流程图中表示或在此以其他方式描述的逻辑和/或步骤，例如，可以被认为是用于实现逻辑功能的可执行指令的定序列表，可以具体实现在任何计算机可读介质中，以供指令执行系统、装置或设备(如基于计算机的系统、包括处理器的系统或其他可以从指令执行系统、装置或设备取指令并执行指令的系统)使用，或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用。就本说明书而言，“计算机可读介质”可以是任何可以包含、存储、通信、传播或传输程序以供指令执行系统、装置或设备或结合这些指令执行系统、装置或设备而使用的装置。计算机可读介质的更具体的示例(非穷尽性列表)包括以下：具有一个或多个布线的电连接部(电子装置)，便携式计算机盘盒(磁装置)，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)，可擦除可编辑只读存储器(EPROM或闪速存储器)，光纤装置，以及便携式光盘只读存储器(CDROM)。另外，计算机可读介质甚至可以是可在其上打印所述程序的纸或其他合适的介质，因为可以例如通过对纸或其他介质进行光学扫描，接着进行编辑、解译或必要时以其他合适方式进行处理来以电子方式获得所述程序，然后将其存储在计算机存储器中。

应当理解，本发明的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(PGA)，现场可编程门阵列(FPGA)等。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，本发明实施例中所使用的“第一”、“第二”等术语，仅用于描述目的，而不可以理解为指示或者暗示相对重要性，或者隐含指明本实施例中所指示的技术特征数量。由此，本发明实施例中限定有“第一”、“第二”等术语的特征，可以明确或者隐含地表示该实施例中包括至少一个该特征。在本发明的描述中，词语“多个”的含义是至少两个或者两个及以上，例如两个、三个、四个等，除非实施例中另有明确具体的限定。

在本发明中，除非实施例中另有明确的相关规定或者限定，否则实施例中出现的术语“安装”、“相连”、“连接”和“固定”等应做广义理解，例如，连接可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体，可以理解的，也可以是机械连接、电连接等；当然，还可以是直接相连，或者通过中间媒介进行间接连接，或者可以是两个元件内部的连通，或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，能够根据具体的实施情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (35)

1.一种用于肿瘤电场治疗系统的电极片，其特征在于，包括：

基板；

设置在所述基板上的多个电极片单元和多个温度检测单元，每个所述电极片单元可施加交变电场，多个所述温度检测单元与多个所述电极片单元一一对应设置，以检测每个电极片单元处的温度，其中，

多个所述电极片单元被配置为至少三个行组和至少三个列组；

每个所述列组中对应温度检测单元的信号端连接到一起作为温度采样点，每个所述行组中对应温度检测单元的接地端共同通过开关单元连接到接地管脚；

设置在所述基板上的握手芯片，所述握手芯片适于与外部设备进行握手通信以判断所述电极片的连接状态，其中，在所述握手芯片与所述外部设备完成握手通信后，通过配置所述开关单元的开关状态以使每个所述行组中对应温度检测单元检测的温度信号由相应温度采样点同时被采样。

2.根据权利要求1所述的电极片，其特征在于，被采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号用于表征所述电极片的类型。

3.根据权利要求1所述的电极片，其特征在于，所述握手芯片的接地引脚通过所述开关单元连接到所述接地管脚，所述握手芯片的通信引脚通过通信线连接到所述肿瘤电场治疗系统的转接器单元。

4.根据权利要求3所述的电极片，其特征在于，所述握手芯片通过外置储能元件，以便在所述通信线传输高电平时存储能量和在所述通信线传输低电平时释放能量。

5.根据权利要求4所述的电极片，其特征在于，所述储能元件为电容器。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的电极片，其特征在于，每个所述温度检测单元包括温度传感器和二极管，所述二极管具有阳极和阴极，所述二极管的阳极与所述温度传感器相连，所述二极管的阴极作为所述温度检测单元的接地端。

7.根据权利要求1所述的电极片，其特征在于，每个所述温度采样点通过相应分压电阻连接到直流电源。

8.根据权利要求7所述的电极片，其特征在于，所述分压电阻和所述开关单元均设置在所述基板外。

9.根据权利要求1所述的电极片，其特征在于，被采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号还用于表征所述电极片是否出现温度异常。

10.一种肿瘤电场治疗系统，其特征在于，包括：

至少一对根据权利要求1-9中任一项所述的电极片；

转接器单元和电场发生器，所述电场发生器用于产生交变电信号，并通过所述转接器单元将所述交变电信号传输给每个所述电极片，所述转接器单元用于与所述握手芯片进行握手通信，并在完成握手通信后配置所述开关单元的开关状态，以通过相应温度采样点同时对每个所述行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样。

11.根据权利要求10所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述转接器单元包括第一转接器和至少一对第二转接器，所述第二转接器适于连接相应的电极片，所述第一转接器适于将每个所述第二转接器连接到所述电场发生器。

12.根据权利要求11所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第二转接器包括第一控制器和ADC采样单元，所述第一控制器用于在接收到所述电场发生器发送的握手信号时配置所述开关单元的开关状态，以使所述握手芯片上电工作，并将所述握手信号发送给所述握手芯片，以及根据所述握手芯片的反馈信号判断与所述握手芯片是否完成握手通信，并在完成握手通信后通过配置所述开关单元的开关状态，以便所述ADC采样单元通过相应温度采样点同时对每个所述行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样，获得若干AD采样值。

13.根据权利要求12所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第一控制器还用于根据所述若干AD采样值识别相应电极片的类型。

14.根据权利要求12所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第一控制器还用于在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，根据所述若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

15.根据权利要求12所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第二转接器还包括滤波单元，所述滤波单元设置在所述ADC采样单元与相应温度采样点之间，所述滤波单元用于对每个温度检测单元检测的温度信号进行滤波处理。

16.根据权利要求12所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第二转接器还包括第一通信单元，所述第一转接器包括第二通信单元和第二控制器，所述第二通信单元与所述第一通信单元相连，其中，所述第一控制器还用于将所述握手芯片的反馈信号发送给所述第二控制器，以便所述第二控制器根据所述握手芯片的反馈信号判断所述第一控制器与所述握手芯片是否完成握手通信。

17.根据权利要求16所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第一控制器还用于将所述若干AD采样值发送给所述第二控制器，以便所述第二控制器根据所述若干AD采样值识别相应电极片的类型。

18.根据权利要求17所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第二控制器还用于在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，根据所述若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

19.根据权利要求16所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第一转接器还包括第三通信单元，所述第三通信单元分别与所述第二控制器和所述电场发生器相连，其中，所述第一控制器还用于通过所述第一转接器将所述握手芯片的反馈信号发送给所述电场发生器，以便所述电场发生器根据所述握手芯片的反馈信号判断所述第一控制器与所述握手芯片是否完成握手通信。

20.根据权利要求19所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第一控制器还用于通过所述第一转接器将所述若干AD采样值发送给所述电场发生器，以便所述电场发生器根据所述若干AD采样值识别相应电极片的类型。

21.根据权利要求20所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述电场发生器还用于在向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，根据所述若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

22.根据权利要求11-21中任一项所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，还包括：

至少一个第一连接器，每个所述第一连接器适于将相应第二转接器连接到所述第一转接器；

至少一个第二连接器，每个所述第二连接器适于将相应电极片连接到对应的第二转接器；

第三连接器，所述第三连接器适于将所述电场发生器连接到所述第一转接器。

23.根据权利要求22所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述第一连接器被构造为采用接插件的方式将所述第二转接器与所述第一转接器进行连接，所述第二连接器被构造为采用接插件的方式将所述第二转接器与所述电极片进行连接，所述第三连接器被构造为采用接插件的方式将所述第一转接器与所述电场发生器进行连接。

24.根据权利要求10-21中任一项所述的肿瘤电场治疗系统，其特征在于，所述电极片为4个。

25.一种肿瘤治疗设备，其特征在于，包括：至少一对根据权利要求1-9中任一项所述的电极片，或者根据权利要求10-24中任一项所述的肿瘤电场治疗系统。

26.一种肿瘤电场治疗系统的温度检测方法，其特征在于，所述肿瘤电场治疗系统包括根据权利要求1-9中任一项所述的电极片、电场发生器和转接器单元，所述方法包括：

通过所述转接器单元与所述握手芯片进行握手通信，以判断相应电极片的连接状态；

在每个所述电极片与所述转接器单元连接成功时，通过所述转接器单元对所述开关单元的开关状态进行配置，以便通过相应温度采样点同时对每个所述行组中对应温度检测单元检测的温度信号进行采样。

27.根据权利要求26所述的方法，其特征在于，还包括：根据采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号识别相应电极片的类型。

28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，根据采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号识别相应电极片的类型，包括如下步骤：

根据采样到的每个所述温度检测单元检测的温度信号，获得若干AD采样值；

根据所述若干AD采样值确定相应电极片的电极片单元数量，并根据所述电极片单元数量确定相应电极片的类型。

29.根据权利要求26-28中任一项所述的方法，其特征在于，在通过所述转接器单元与所述握手芯片进行握手通信之前，所述方法还包括：通过所述转接器单元对所述开关单元的开关状态进行配置，以使所述握手芯片上电工作。

30.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，所述方法还包括：根据若干AD采样值判断相应电极片是否出现温度异常。

31.根据权利要求27所述的方法，其特征在于，在所述电场发生器向相应电极片传输所述交变电信号的过程中，所述方法还包括：根据若干AD采样值对所述交变电信号的参数进行调节。

32.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，该肿瘤电场治疗系统的温度检测程序被处理器执行时，实现根据权利要求26-31中任一项所述的肿瘤电场治疗系统的电极片识别方法。

33.一种肿瘤电场治疗系统的第一转接器，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，所述处理器执行所述肿瘤电场治疗系统的温度检测程序时，实现根据权利要求26-31中任一项所述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法。

34.一种肿瘤电场治疗系统的第二转接器，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，所述处理器执行所述肿瘤电场治疗系统的温度检测程序时，实现根据权利要求26-31中任一项所述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法。

35.一种肿瘤电场治疗系统的电场发生器，其特征在于，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的肿瘤电场治疗系统的温度检测程序，所述处理器执行所述肿瘤电场治疗系统的温度检测程序时，实现根据权利要求26-31中任一项所述的肿瘤电场治疗系统的温度检测方法。

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