CN115704993A - 图案修正方法以及光掩模 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于一次进行大规模的图案修正。本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一遮光膜(11)已经形成有图案的光掩模(10)新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二遮光膜(21)成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，形成光致抗蚀剂膜(22)以覆盖第二遮光膜(21)的整个面；图案形成工序，形成光致抗蚀剂图案；以及遮光膜除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液，除去第二遮光膜(21)的一部分。

Description

图案修正方法以及光掩模

技术领域

本发明涉及修正已经形成有图案的光掩模的图案的图案修正方法。

背景技术

以往，例如已知有修正已经使用的制造完毕的光掩模(即，已经形成有图案的光掩模)的图案的技术。通过修正已经形成有图案的光掩模的图案，能够比新制造光掩模更廉价地制造所希望的光掩模。作为这样的技术，例如专利文献1公开了使用CVD(Chemical VaporDeposition；化学气相沉积)修正光掩模的图案的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本国特开平2-140744号公报

然而，在专利文献1所记载的技术中，一次能够修正的面积小到几十微米×几十微米，所以存在为了进行大规模的图案修正需要时间这样的问题。

发明内容

本发明的一个方式的目的在于，实现能够一次进行大规模的图案修正的图案修正方法。

为了解决课题的手段

为了解决所述的课题，本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一图案形成部在透明基板上已经形成有图案的光掩模新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，在所述光掩模的形成有所述图案的面，将包含与所述第一材料不同的第二材料的第二图案形成部成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，在所述光掩模的表面形成光致抗蚀剂膜以覆盖所述第二图案形成部的整个面；图案形成工序，对于所述光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘以形成光致抗蚀剂图案；第一除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液除去所述第二图案形成部的一部分。

为了解决上述的课题，本发明的一个方式的图案修正方法是对于通过包含第一材料的第一图案形成部在透明基板上已经形成有图案的光掩模新修正图案的图案修正方法，包括：成膜工序，在所述光掩模的形成有所述图案的面将第二图案形成部成膜；光致抗蚀剂膜形成工序，在所述光掩模的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖所述第二图案形成部的整个面；图案形成工序，对于所述光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘形成光致抗蚀剂图案；以及第一除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第二图案形成部的一部分。

发明效果

根据本发明的一个方式，能够一次进行大规模的图案修正。

附图说明

图1是表示通过本发明的实施方式1的图案修正方法修正图案的对象的光掩模的一个例子的俯视图。

图2是图1所示的区域D1的放大图。

图3是表示要通过本发明的实施方式1的图案修正方法修正图案的部位的图。

图4是表示本发明的实施方式1的图案修正方法的一个例子的流程图。

图5是用于对本发明的实施方式1的图案修正方法进行说明的图。

图6是表示通过本发明的实施方式1的图案修正方法修正后的图案形成区域A的图。

图7是放大了实施方式1的变形例中的成为图案修正的对象的光掩模中的一个图案形成区域的图。

图8是图7所示的A－A线箭头方向的剖视图。

图9是表示通过上述变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的图。

图10是图9所示的B－B线箭头方向的剖视图。

图11是表示通过上述变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的另一个例子的图。

图12是表示通过上述变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的又一个例子的图。

图13是放大了实施方式1的其他的变形例中的成为图案修正的对象的光掩模中的一个图案形成区域的图。

图14是图13所示的C－C线箭头方向的剖视图。

图15是表示通过上述变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的图。

图16是图15所示的E－E线箭头方向的剖视图。

图17是用于对上述变形例的其他的图案修正方法进行说明的图。

图18是用于对上述变形例的其他的图案修正方法进行说明的图。

图19是放大了实施方式1的其他的变形例中的成为图案修正的对象的光掩模中的一个图案形成区域的图。

图20是图19所示的F－F线箭头方向的剖视图。

图21是表示通过上述变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的图。

图22是图21所示的G－G线箭头方向的剖视图。

图23是放大了实施方式1的其他的变形例中的成为图案修正的对象的光掩模中的一个图案形成区域的图。

图24是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图25是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图26是通过上述变形例中的图案修正方法修正后的光掩模的俯视图。

图27是用于对实施方式1的其他的变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图28是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图29是用于对实施方式1的其他的变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图30是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图31是用于对实施方式1的其他的变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图32是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图33是表示通本发明的实施方式2的图案修正方法修正图案的对象的光掩模的一个例子的俯视图。

图34是图33所示的区域D4的放大图。

图35是表示要通过本发明的实施方式2的图案修正方法修正图案的部位的图。

图36是表示本发明的实施方式2的图案修正方法的一个例子的流程图。

图37是用于对本发明的实施方式2的图案修正方法进行说明的图。

图38是表示本发明的实施方式3的图案修正方法的一个例子的流程图。

图39是用于对本发明的实施方式3的图案修正方法进行说明的图。

图40是表示通过实施方式3的变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的图。

图41是图40所示的B－B线箭头方向的剖视图。

图42是表示通过上述变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的另一个例子的图。

图43是表示通过上述变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的又一个例子的图。

图44是表示通过实施方式3的其他的变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的图。

图45是图44所示的E－E线箭头方向的剖视图。

图46是用于对上述变形例的其他的图案修正方法进行说明的图。

图47是用于对上述变形例的其他的图案修正方法进行说明的图。

图48是表示通过实施方式3的其他的变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域的图。

图49是图48所示的G－G线箭头方向的剖视图。

图50是用于对实施方式3的其他的变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图51是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图52是通过上述变形例中的图案修正方法修正后的光掩模的俯视图。

图53是用于对实施方式3的其他的变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图54是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图55是用于对实施方式3的其他的变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图56是用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图57是用于对实施方式3的其他的变形例中的图案修正方法进行说明的图。

图58用于对上述变形例中的图案修正方法进行说明的图。

具体实施方式

〔实施方式1〕

以下，对本发明的一个实施方式进行详细说明。在本实施方式中，对修正通过遮光膜在透明基板上已经形成有图案的光掩模的图案的图案修正方法的一个实施方式进行说明。在本说明书中，“已经形成有图案的光掩模”是在透明基板上形成有图案的光掩模，是通过一系列的制造工序暂时制造为成品的光掩模，例如，也可以是已经使用的光掩模。

图1是表示作为通过本实施方式中的图案修正方法修正图案的对象的光掩模的一个例子的光掩模10的构成的俯视图。图2是图1所示的区域D1的放大图，是放大了一个图案形成区域A的图。

如图1所示，光掩模10在透明基板2上形成有多个图案形成区域A。透明基板2由合成石英玻璃等基板构成。透明基板2针对曝光工序的曝光用光所包含的代表波长具有95％以上的透过率。上述曝光用光的代表波长也可以是例如i线、h线或者g线、或者它们的混合光，但并不局限于这些。

如图2所示，在图案形成区域A，通过包含不透过光(即，具有遮光性)的材料(以下，称为第一材料)的第一遮光膜11(第一图案形成部)在透明基板2上形成图案(以下，也称为第一图案)。第一遮光膜11的光学浓度OD值在2.7以上是合适的，例如，能够使用铬膜。此外，为了防止曝光时产生杂散光，也可以在第一遮光膜11的两面层叠防反射膜而形成。

在图案形成区域A中，未形成第一遮光膜11的区域成为使光透过的透光部12。在本实施方式中，对在一个图案形成区域A形成圆形的第一遮光膜11的例子进行说明。如图1所示，在光掩模10，在透明基板2的四个角形成有对准标记4，该对准标记4被设置为在将第一遮光膜11图案化到光掩模10上时光掩模10的定位的基准。

图3是表示要通过本实施方式中的图案修正方法修正图案的位置的图。在本实施方式中，如图3所示，对与由第一遮光膜11形成的圆的内侧相邻的区域D2、以及位于上述圆的中央且不与第一遮光膜11相邻的区域D3新形成遮光部的方式修正图案的例子进行说明。此外，在本实施方式中，对一个图案形成区域A进行说明，但对于其他的图案形成区域A，也根据需要修正各个图案。

图4是表示本实施方式中的图案修正方法的一个例子的流程图。图5是用于对本实施方式中的图案修正方法进行说明的图。图5所示的各图是沿着通过由第一遮光膜11形成的圆的中心且与透明基板2的表面垂直的平面切断而成的剖视图。如图4以及图5所示，在本实施方式中的图案修正方法中，首先，准备通过第一遮光膜11在透明基板2上已经形成有第一图案的光掩模10(步骤S1)。

接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面的整个面，将包含与第一材料不同的材料(以下，称为第二材料)的第二遮光膜21(第二图案形成部)成膜(步骤S2，成膜工序)。在本说明书中，将作为本发明的图案修正方法中修正图案时使用的部件并且在修正后作为光掩模的图案使用的部件称为“第二图案形成部”。第二遮光膜21例如通过溅射法、蒸镀法等成膜。

其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S3，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。光致抗蚀剂膜22例如通过涂覆法、喷雾法等形成。第二材料是针对规定的蚀刻液的溶解性与第一材料不同的材料。在本说明书中，将针对规定的蚀刻液的溶解性不同的材料称为具有选择蚀刻性的材料。例如，在第一遮光膜11由Cr膜构成的情况下，能够使用Cr膜和具有选择蚀刻性的Ni膜、Ti膜、MoSi膜等作为第二遮光膜21。

接下来，对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S4，图案形成工序)。具体而言，以仅与图3所示的区域D2以及区域D3对应的区域的第二遮光膜21，在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。显影通过搅炼法(パドル法)、浸渍法、喷雾法、旋转法等进行。

在本实施方式中的步骤S4中，将在基于第一遮光膜11的第一图案的形成时的同时形成在光掩模10的透明基板2上的对准标记4作为基准，进行光掩模10的定位后，利用描绘装置进行描绘。换言之，将对准标记4作为基准对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘。由此，能够高精度地控制新追加的遮光部的追加位置。此外，在不需要追加的遮光部的形成位置的精度的情况下，不需要进行利用对准标记4的光掩模10的定位。

接下来，将在步骤S4中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S5，第一除去工序)。在步骤S5中，使用不溶解上述第一材料而溶解上述第二材料的蚀刻液。由此，在不存在光致抗蚀剂掩膜的区域中，第一遮光膜11不被除去，而仅第二遮光膜21被除去。其结果，能够残留着原本形成于光掩模10的第一遮光膜11，进行基于第二遮光膜21的追加的图案化。此外，除去第二遮光膜21的一部分的蚀刻也可以使用干式蚀刻进行。

最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S6)。由此，能够制成新的通过第二遮光膜21新追加了遮光部的光掩模。光致抗蚀剂膜22的除去例如能够通过搅炼法、灰化法、或者浸渍到抗蚀剂剥离液来进行。

图6是表示通过本实施方式中的图案修正方法修正后的图案形成区域A的图。如图6所示，在图案修正后的图案形成区域A中，在图3所示的区域D2以及区域D3形成有第二遮光膜21。通过在区域D2形成有第二遮光膜21，能够扩大在图案修正前由第一遮光膜11形成的遮光区域的面积。换言之，能够扩大在俯视光掩模10的情况下由第一遮光膜11形成的遮光区域的宽度。另外，能够通过在区域D3形成有第二遮光膜21，来追加形成遮光区域。

如以上所述，在本实施方式中的图案修正方法中，对于现有的光掩模10的整个面，将具有与第一遮光膜11不同的选择蚀刻性的第二遮光膜21成膜，通过光刻法将第二遮光膜21图案化。通过该构成，能够在光掩模10的整个面对第二遮光膜21追加图案化。即，本实施方式中的图案修正方法能够一次进行大规模的图案修正。其结果，能够短时间地对已经形成有图案的光掩模的图案进行图案修正。

并且，在本实施方式中的图案修正方法中，没有产生如专利文献1的技术那样的使用CVD的情况下产生的膜剥离的风险。另外，在使用CVD的情况下，激光被照射到所希望的区域以外，在所希望的区域以外也形成有遮光部，所以需要将该遮光部整形并且除去。与此相对，在本实施方式中的图案修正方法中，使用描绘装置进行第二遮光膜21的图案化，所以能够高精度地追加图案，不必进行不需要的遮光部的除去。

此外，在本实施方式的图案修正方法中，构成为在步骤S4(图案形成工序)中，将对准标记4作为基准，进行了光掩模10的定位后，利用描绘装置进行描绘。然而，有在光掩模10未形成对准标记4的情况。该情况下，也可以如以下那样进行光掩模10的定位。

首先，在步骤S3(光致抗蚀剂膜形成工序)之前，在第二遮光膜21制成对准标记。然后，求出制成的对准标记与原本形成于修正前的光掩模10的对象图案的位置关系以及倾斜的偏差，基于该位置关系以及偏差修正步骤S4中的描绘装置的描绘位置。上述对象图案只要是在修正前的光掩模10中形成的位置已知的图案则并不特别限定，例如，能够使用转印曝光用对准标记、长度测定用标记等。

根据该构成，在光掩模10未形成对准标记4的情况下，也能够使用新制成的对准标记修正通过描绘装置进行描绘的位置，所以能够高精度地形成追加图案。

通过本实施方式中的图案修正方法修正后的光掩模是对于通过第一遮光膜11在透明基板2上已经形成有第一图案的光掩模新追加了图案的光掩模，具有：(1)上述第一图案；(2)在俯视光掩模的情况下在透明基板2上形成为与上述第一图案相邻的图案，且是由包含与第一材料不同的第二材料的第二遮光膜21形成的遮光区域的图案(第二图案)；(3)在俯视光掩模的情况下形成为不与上述第一图案相邻的图案，且是由包含上述第二材料的第二遮光膜21形成的图案(第二图案)。

＜变形例1＞

在实施方式1中，对在预先通过第一遮光膜11已经形成有第一图案的光掩模新形成基于第二遮光膜21的遮光部的图案修正方法进行了说明，但本发明并不局限于此。在本发明的一个方式中，能够将第一图案由遮光膜以外的膜形成的光掩模作为对象。参照图7～10说明详细内容。

图7是放大了本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10中的一个图案形成区域A的图。图8是图7所示的A－A线箭头方向的剖视图。成为本变形例中的修正对象的光掩模10是顶部型的光掩模。图9是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的图。图10是图9所示的B－B线箭头方向的剖视图。

如图7以及图8所示，本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10在图案形成区域A中，由作为第一图案形成部的第一遮光膜11和使照射的光的一部分透过的半透过膜13形成图案(第一图案)。更详细而言，如图8所示，在图案形成区域A的一部分形成有第一遮光膜11，在第一遮光膜11的与透明基板2侧相反的一侧的层、以及图案形成区域A中未形成有第一遮光膜11的区域的一部分的区域形成有半透过膜13。换言之，在图案形成区域A的一部分形成有半透过膜13，在半透过膜13与透明基板2之间的一部分配置有第一遮光膜11。通过成为该构成，成为图案修正的对象的光掩模10成为半色调掩膜，其中，俯视光掩模10的情况下半透过膜13与第一遮光膜11重叠的区域为遮光区域，仅半透过膜13的区域为半透过区域。

第一遮光膜11和半透过膜13由相同的金属系的材料构成。换言之，第一遮光膜11以及半透过膜13由包含相同的金属的材料构成。例如，第一遮光膜11由铬、氧化铬等构成，半透过膜13由铬、氧化铬等构成。

接下来，对具有上述的构成的光掩模10的图案修正方法进行说明。首先，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将由包含与构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料均包含的金属不同的金属的材料(第二材料)构成的第二遮光膜21成膜(成膜工序)。

接下来，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜(光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对于光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(图案形成工序)。具体而言，以仅要新追加遮光区域的区域所对应的区域的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(第一除去工序)。在第一除去工序中，使用不溶解构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液。由此，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜。

由此，如图9以及图10所示，能够残留着原本通过第一遮光膜11以及半透过膜13形成于光掩模10的第一图案，制成通过第二遮光膜21新追加了遮光区域的光掩模。

图11是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的另一个例子的图。如图11所示，在本发明的一个方式中，也可以以在俯视光掩模10的情况下，第二遮光膜21的一部分与第一图案的一部分(更详细而言，第一图案中的形成有第一遮光膜11的区域的一部分)重叠的方式形成第二遮光膜21。由此，能够变更光掩模10中的遮光区域的形状。

图12是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的又一个例子的图。如图12所示，在本发明的一个方式中，也可以以俯视光掩模10的情况下，包含由第一遮光膜11以及半透过膜13形成的第一图案的整个区域的方式形成第二遮光膜21。由此，能够扩大光掩模10中的遮光区域的面积。但是，该情况下，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

此外，在本变形例中，对针对通过作为第一图案形成部的第一遮光膜11和半透过膜13形成有图案(第一图案)的光掩模修正图案的方法进行了说明，但在本发明的一个方式中，也可以对于代替第一遮光膜11而使用相移膜的光掩模相同地进行图案修正。

＜变形例2＞

上述说明的各图案修正方法也能够对于第一图案由相移膜形成的光掩模进行。相移膜是透过率为1～15％左右，并且，具有使相位反转(或者移位)的效果的半透过膜，通过相移效果而提高分辨率。但是，如图12所示的例子那样，在以俯视光掩模10的情况下，在包含由相移膜形成的第一图案的整个区域的方式形成第二遮光膜21的情况下，修正前的光掩模10具有的相移效果消失。

此外，也可以在对于第一图案由相移膜形成的光掩模10进行修正的情况下，代替第二遮光膜21而使用相移膜进行修正。由此，能够使具有相移效果的区域的形状变更。但是，在如图12所示的例子那样，以俯视光掩模10的情况下，在包含由相移膜形成的第一图案的整个区域的方式形成相移膜的情况下，在俯视光掩模10时相移膜重叠的区域中相移效果消失，成为仅在仅存在新形成的相移膜的区域中得到相移效果的光掩模(即，边缘增强型的光掩模)。

＜变形例3＞

在变形例1中，对修正顶部型的半色调掩膜的图案的方法进行了说明，但本发明并不局限于此。本发明的一个方式的图案修正方法也能够应用于底部型的半色调掩膜。参照图13～16说明详细内容。

图13是放大了本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10中的一个图案形成区域A的图。图14是图13所示的C－C线箭头方向的剖视图。图15是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的图。图16是图15所示的E－E线箭头方向的剖视图。

如图13以及图14所示，本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10在图案形成区域A中，通过作为第一图案形成部的第一遮光膜11和使照射的光的一部分透过的半透过膜13形成有图案(第一图案)。更详细而言，如图14所示，在图案形成区域A的一部分形成有半透过膜13，在半透过膜13的与透明基板2侧相反的一侧的层的一部分依次层叠蚀刻阻止膜14以及第一遮光膜11。通过成为该构成，本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10成为半色调掩膜，其中，在俯视光掩模10的情况下半透过膜13与第一遮光膜11重叠的区域为遮光区域，仅半透过膜13的区域为半透过区域。半透过膜13和第一遮光膜11由相同金属系的材料构成。

接下来，对具有上述的构成的光掩模10的图案修正方法进行说明。首先，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将由包含与构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料均包含的金属不同的金属的材料(第二材料)构成的第二遮光膜21成膜(成膜工序)。

接下来，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜(光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(图案形成工序)。具体而言，以仅要新追加遮光区域的区域所对应的区域的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(第一除去工序)。在第一除去工序中，使用不溶解构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液。由此，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜。由此，如图15以及图16所示，能够残留着由第一遮光膜11以及半透过膜13原本形成于光掩模10的第一图案，制成通过第二遮光膜21新追加了遮光区域的光掩模。

此外，在本变形例中，对针对通过作为第一图案形成部的第一遮光膜11和半透过膜13形成有图案(第一图案)的光掩模修正图案的方法进行了说明，但在本发明的一个方式中，也可以对于代替第一遮光膜11而使用相移膜的光掩模相同地进行图案修正。相移膜具有使曝光用光移相的功能，具有通过单独膜使曝光用光的相位反转(即，相移角为大致180°)的性质。但是，这里所说的“大致180°”是指180°±20°，是指充分得到曝光用光的干扰效果的曝光用光的相位差。

另外，在本发明的一个方式中，在对于代替第一遮光膜11而使用相移膜的光掩模进行图案修正的情况下，也可以代替第二遮光膜21而使用使曝光用光透过一部分的半透过膜。该情况下，优选使相移膜的透过率为3～15％。另外，在本发明的一个方式中，也可以对于代替第一遮光膜11而使用半透过膜的光掩模，代替第二遮光膜21而使用相移膜进行图案修正。该情况下，半透过膜优选针对曝光用光的透过率为10～70％，相移角为0.1°～20°。

接下来，参照图17以及图18，对针对图13以及图14所示的作为底部型的半色调掩膜的光掩模10，新追加遮光区域，并且，以将原本通过第一遮光膜11成为遮光区域的区域的一部分变更为半透过区域的方式进行修正的图案修正方法进行说明。图17以及图18是用于对该图案修正方法进行说明的图。图17以及图18所示的各图对应于图13所示的D－D线箭头方向的剖视图。

在该图案修正方法中，如图17所示，准备通过第一遮光膜11、半透过膜13以及蚀刻阻止膜14在透明基板2上形成图案(第一图案)的光掩模10(步骤S11)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将包含上述第二材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)成膜(步骤S12，成膜工序)。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S13，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S14，图案形成工序)。具体而言，以仅要新变更为遮光区域的区域所对应的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S14中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S15，第一除去工序)。在步骤S15中，使用不溶解构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液。由此，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图18所示，将在步骤S14中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S16)。其后，将在步骤S14中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜14的一部分(步骤S17)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S19)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，并且，通过使半透过膜13在俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11成为遮光区域的区域的一部分中露出来，将遮光区域的一部分变更为半透过区域。

＜变形例4＞

在变形例3中，对修正通过由相同的金属系的材料构成的半透过膜13以及第一遮光膜11、和配置于半透过膜13以及第一遮光膜11之间的蚀刻阻止膜14构成的底部型的半色调掩膜的图案的方法进行了说明，但本发明并不局限于此。本发明的一个方式的图案修正方法也能够应用于具有其他的构成的底部型的半色调掩膜。参照图19～22说明详细内容。

图19是放大了本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10中的一个图案形成区域A的图。图20是图19所示的F－F线箭头方向的剖视图。图21是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的图。图22是图21所示的G－G线箭头方向的剖视图。

如图19以及图20所示，本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10通过作为第一图案形成部的第一遮光膜11和使被照射的光的一部分透过的半透过膜13形成图案(第一图案)。更详细而言，如图20所示，在图案形成区域A的一部分形成有半透过膜13，在半透过膜13的与透明基板2侧相反的一侧的层层叠有第一遮光膜11。通过成为该构成，从而本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10成为半色调掩膜，其中，在俯视光掩模10的情况下半透过膜13与第一遮光膜11重叠的区域成为遮光区域，仅半透过膜13的区域成为半透过区域。第一遮光膜11和半透过膜13由不同的金属系的材料构成。例如，第一遮光膜11由Cr系的材料构成，半透过膜13由作为第三材料的MoSi构成。

接下来，对具有上述的构成的光掩模10的图案修正方法进行说明。首先，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将由包含与构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料所包含的金属不同的金属的材料构成的第二遮光膜21(第二图案形成部)成膜(成膜工序)。例如，第一遮光膜11由Cr系的材料构成，半透过膜13由MoSi构成，第二遮光膜21由Ni构成。

其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜(光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(图案形成工序)。具体而言，以仅要新追加遮光区域的区域所对应的区域的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(第一除去工序)。在第一除去工序中，通过使用不溶解构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液，从而仅蚀刻并除去第二遮光膜21。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜。

由此，如图21以及图22所示，能够残留着通过第一遮光膜11以及半透过膜13原本形成于光掩模10的第一图案，制成通过第二遮光膜21新追加了遮光区域的光掩模。

＜变形例5＞

在本变形例中，对在实施方式1中说明的遮光区域进行追加的修正，并且对原本形成于光掩模的遮光区域进行减小的修正的图案修正方法进行说明。图23是放大了本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10中的一个图案形成区域A的图。图24以及图25是用于对本变形例中的图案修正方法进行说明的图。图24以及图25所示的各图对应于图23所示的H－H线箭头方向的剖视图。

如图23所示，在本变形例中的成为修正对象的光掩模10的图案形成区域A中，通过第一遮光膜11形成T字型的第一图案。

在本变形例中的图案修正方法中，如图24所示，准备通过第一遮光膜11在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S21)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将由包含与构成第一遮光膜11的材料所包含的金属不同的金属的材料(第二材料)构成的第二遮光膜21成膜(步骤S22，成膜工序)。其后，在包含第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S23，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S24，图案形成工序)。具体而言，以仅要新追加遮光区域的区域、以及在图案修正后基于第一遮光膜11的遮光区域中的在图案修正后也作为遮光区域残留的区域所对应的光致抗蚀剂膜22残留的方式形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11成为遮光区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下，至少除去与第一遮光膜11、以及在步骤S22中形成的第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S24中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S25，第一除去工序)。在步骤S25中，通过使用不溶解构成第一遮光膜11的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液，从而仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图25所示，将在步骤S24中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S26，第二除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S27)。

图26是通过上述的方法修正后的光掩模的俯视图。在图26中，由点划线示出修正前的第一遮光膜11。如图26所示，通过利用上述的方法修正，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，并且减小在俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域。

此外，本变形例中的图案修正方法也能够应用于第一图案由相移膜构成的情况。

＜变形例6＞

在本变形例中，参照图27以及图28，对针对在变形例1中说明的顶部型的光掩模进行追加遮光区域的修正，并且，对原本形成于光掩模的第一图案进行减小的修正的图案修正方法进行说明。图27以及图28是用于对本变形例中的图案修正方法进行说明的图。

在本变形例中的图案修正方法中，如图27所示，首先，准备通过第一遮光膜11以及半透过膜13在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S31)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将由包含与构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料均包含的金属不同的金属的材料(第二材料)构成的第二遮光膜21成膜(步骤S32，成膜工序)。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S33，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S34，图案形成工序)。具体而言，以仅残留要新追加遮光区域的区域、在图案修正后由第一遮光膜11形成的遮光区域中的在图案修正后也作为遮光区域残留的区域、以及由半透过膜13成为半透过区域的区域中的要变更为遮光区域的区域所对应的光致抗蚀剂膜22的方式，形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11或者半透过膜13成为遮光区域或者半透过区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下，至少除去与第一遮光膜11、半透过膜13、以及在步骤S32中形成的第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S34中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S35，第一除去工序)。在步骤S35中，使用不溶解构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液。由此，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图28所示，将在步骤S34中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去半透过膜13的一部分以及第一遮光膜11的一部分(步骤S36，第二除去工序、第三除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S37)。此外，在本实施方式中，虽然是通过一个工序除去半透过膜13的一部分以及第一遮光膜11的一部分的方式，但在本发明的一个方式中，也可以分别进行除去半透过膜13的一部分的工序(第二除去工序)和除去第一遮光膜11的工序(第三除去工序)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，减小俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域，并且，能够使通过半透过膜13形成的半透过区域的一部分变更为遮光区域。但是，在本变形例中，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

＜变形例7＞

在本变形例中，参照图29以及图30，对针对在变形例3中说明的底部型的光掩模进行追加遮光区域的修正，并且对原本形成于光掩模的第一图案进行减小的修正的图案修正方法进行说明。

在本变形例中的图案修正方法中，如图29所示，首先，准备通过第一遮光膜11、半透过膜13以及蚀刻阻止膜14在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S41)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将由包含与构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料均包含的金属不同的金属的材料(第二材料)构成的第二遮光膜21成膜(步骤S42，成膜工序)。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S43，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S44，图案形成工序)。具体而言，以仅残留要新追加遮光区域的区域、在图案修正后由第一遮光膜11形成的遮光区域中的在图案修正后也作为遮光区域残留的区域、以及由半透过膜13成为半透过区域的区域中的要变更为遮光区域的区域所对应的光致抗蚀剂膜22的方式，形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11或者半透过膜13成为遮光区域或者半透过区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下，至少除去与第一遮光膜11、半透过膜13、以及在步骤S42中形成的第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S44中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S45，第一除去工序)。在步骤S45中，使用不溶解构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液。由此，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图30所示，将在步骤S44中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S46，第二除去工序)。接下来，将在步骤S44中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜14的一部分(步骤S47，第三除去工序)。接下来，将在步骤S44中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去半透过膜13的一部分(步骤S48，第四除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S49)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，能够减小俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域，并且，使通过半透过膜13形成的半透过区域的一部分变更为遮光区域。但是，在本变形例中，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

＜变形例8＞

在本变形例中，参照图31以及图32，对针对在变形例4中说明的底部型的光掩模进行追加遮光区域的修正，并且将原本形成于光掩模的第一图案进行减小的修正的图案修正方法进行说明。

在本变形例中的图案修正方法中，如图31所示，准备通过第一遮光膜11以及半透过膜13在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S51)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将由包含与构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料所包含的金属不同的金属的材料构成的第二遮光膜21(第二图案形成部)成膜(步骤S52，成膜工序)。例如，可以是第一遮光膜11由Cr系的材料构成，半透过膜13由MoSi构成，第二遮光膜21由Ni构成。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S53，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S54，图案形成工序)。具体而言，以仅残留要新追加遮光区域的区域、在图案修正后由第一遮光膜11形成的遮光区域中的在图案修正后也作为遮光区域残留的区域、以及由半透过膜13成为半透过区域的区域中的要变更为遮光区域的区域所对应的光致抗蚀剂膜22的方式，形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11或者半透过膜13成为遮光区域或者半透过区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下，至少除去与第一遮光膜11、半透过膜13、以及在步骤S52中形成的第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S54中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S55，第一除去工序)。在步骤S55中，通过使用不溶解构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料而溶解上述第二材料的蚀刻液，从而仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图32所示，将在步骤S54中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S56，第二除去工序)。接下来，将在步骤S54中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去半透过膜13的一部分(步骤S57，第三除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S58)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，能够减小俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域，并且，能够使通过半透过膜13形成的半透过区域的一部分变更为遮光区域。但是，在本变形例中，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

〔实施方式2〕

以下，对本发明的其他的实施方式进行说明。此外，为了方便说明，对于具有与上述实施方式中说明的部件相同的功能的部件标注相同的附图标记，不重复其说明。

在实施方式1中，对在预先通过第一遮光膜11已经形成有图案的光掩模新形成基于第二遮光膜21的遮光部的图案修正方法进行了说明。与此相对，关于本实施方式的图案修正方法，对在通过在遮光膜形成透过部而形成有图案的光掩模新形成透过部的方法进行说明。

图33是表示作为通过本实施方式中的图案修正方法修正图案的对象的光掩模的一个例子的光掩模30的构成的俯视图。图34是图33所示的区域D4的放大图，是放大了一个图案形成区域A的图。

如图33所示，光掩模30在透明基板2上形成有多个图案形成区域A。如图34所示，在图案形成区域A，在透明基板2上成膜有遮光膜41，在该遮光膜41图案化有透光部42。在本实施方式中，对在一个图案形成区域A形成有圆形的透光部42的例子进行说明。

图35是表示要通过本实施方式中的图案修正方法修正图案的部位的图。在本实施方式中，如图35所示，以在位于通过透光部42形成的圆的中央的区域D5新形成透光部的方式修正图案的例子进行说明。

图36是表示本实施方式中的图案修正方法的一个例子的流程图。图37是用于对本实施方式中的图案修正方法进行说明的图。如图36以及图37所示，在本实施方式中的图案修正方法中，首先，准备通过在遮光膜41图案化有透光部42而已经形成有图案的光掩模30(步骤S61)。

接下来，在光掩模30中的形成有图案的面形成光致抗蚀剂膜51(步骤S62)。接下来，通过对光致抗蚀剂膜51利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S63)。具体而言，以仅图35所示的区域D5所对应的遮光膜41在后述的步骤S14中被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

在本实施方式中的步骤S63中，将预先形成于光掩模30的透明基板2的对准标记4作为基准，进行了光掩模30的定位后，利用描绘装置进行描绘。由此，能够高精度地控制新追加的透过部的追加位置。此外，在不需要追加的透过部的形成位置的精度的情况下，不需要进行基于对准标记4的光掩模30的定位。

接下来，将在步骤S63中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去遮光膜41的一部分(步骤S64)。其结果，能够新形成透光部45。

最后，除去残存的光致抗蚀剂膜51(步骤S65)。由此，能够制成追加到预先形成的透光部42而新形成有透光部45的光掩模。

在上述的各实施方式中，对使用正型的光致抗蚀剂膜进行图案的修正的方式进行了说明，但本发明并不局限于此。在本发明的一个方式中，也可以使用负型的光致抗蚀剂膜进行图案的修正。

〔实施方式3〕

以下，对本发明的其他的实施方式进行说明。在本实施方式中，对针对通过遮光膜在透明基板上已经形成有图案的光掩模(图1所示的光掩模10)新修正图案的图案修正方法的一个实施方式进行说明。

在本实施方式中，如图3所示，对以通过第一遮光膜11形成的圆的内侧相邻的区域D2、以及位于上述圆的中央且不与第一遮光膜11相邻的区域D3新形成遮光部的方式修正图案的例子进行说明。此外，在本实施方式中，对一个图案形成区域A进行说明，但对于其他的图案形成区域A，也根据需要修正各个图案。

图38是表示本实施方式中的图案修正方法的一个例子的流程图。图39是用于对本实施方式中的图案修正方法进行说明的图。图39所示的各图是沿通过由第一遮光膜11形成的圆的中心且与透明基板2的表面垂直的面切断而得到的剖视图。如图38以及图39所示，在本实施方式中的图案修正方法中，首先，准备通过第一遮光膜11在透明基板2上已经形成有第一图案的光掩模10(步骤S101)。

接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将蚀刻阻止膜20、以及包含与上述第一材料相同的金属系的第二材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(步骤S102，成膜工序)。蚀刻阻止膜20以及第二遮光膜21通过例如溅射法、蒸镀法等成膜。第一材料是由第一金属元素(例如，Cr，Ni等)以及第一非金属元素构成的材料，第二材料是由上述第一金属元素以及与上述第一非金属元素不同的第二非金属元素构成的材料。蚀刻阻止膜20通过不被用于蚀刻第二遮光膜21的溶剂蚀刻的材料构成。作为蚀刻阻止膜20，例如能够使用钛、镍、钼硅化物等。

其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S103，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。光致抗蚀剂膜22例如通过涂覆法、喷雾法等形成。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S104，图案形成工序)。具体而言，以仅图3所示的区域D2以及区域D3所对应的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。显影通过搅炼法、浸渍法、喷雾法、旋转法等进行。

在本实施方式中的步骤S104中，将在基于第一遮光膜11的第一图案的形成时的同时形成在光掩模10的透明基板2上的对准标记4作为基准，进行光掩模10的定位后，利用描绘装置进行描绘。换言之，将对准标记4作为基准对光致抗蚀剂膜22利于描绘装置进行描绘。由此，能够高精度地控制要追加新追加的图案的位置。此外，在不需要追加的图案的形成位置的精度的情况下，不需要进行基于对准标记4的光掩模10的定位。

接下来，将在步骤S104中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S105，第一除去工序)。由此，除去通过步骤S102成膜的第二遮光膜21中图3所示的区域D2以及区域D3所对应的第二遮光膜21以外的第二遮光膜21。在步骤S104中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，从而仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S106)。光致抗蚀剂膜22的除去例如能够通过搅炼法、灰化法或者浸渍到抗蚀剂剥离液来进行。最后，将在步骤S105中未被除去的第二遮光膜21作为掩膜除去蚀刻阻止膜20(步骤S107，蚀刻阻止膜除去工序)。由此，能够残留着原本形成于光掩模10的第一遮光膜11，制成通过第二遮光膜21新追加了遮光部的光掩模。

与实施方式1相同地，在本实施方式中，也如图6所示，在图案修正后的图案形成区域A中，在图3所示的区域D2以及区域D3形成第二遮光膜21。通过在区域D2形成第二遮光膜21，能够扩大在图案修正前通过第一遮光膜11形成的遮光区域的面积。换言之，能够扩大在俯视光掩模10的情况下通过第一遮光膜11形成的遮光区域的宽度。另外，通过在区域D3形成有第二遮光膜21，能够追加形成遮光区域。

如以上所述，在本实施方式中的图案修正方法中，对于现有的光掩模10的整个面，将蚀刻阻止膜20、以及由构成第一遮光膜11的第一材料构成的第二遮光膜21制膜，通过光刻法对第二遮光膜21图案化。通过该构成，能够在光掩模10的整个面对第二遮光膜21追加图案化。即，本实施方式中的图案修正方法能够一次进行大规模的图案修正。其结果，能够短时间地针对已经形成有图案的光掩模的图案进行图案修正。

另外，在本实施方式中的图案修正方法中，通过由与构成第一遮光膜11的材料亦即上述第一材料相同的金属系的材料构成的第二遮光膜21追加形成遮光区域。由此，在清洗修正后的光掩模10时，能够使用与修正前的光掩模10相同的清洗液。构成第一遮光膜11以及第二遮光膜21的材料(即，上述第一材料以及上述第二材料)能够从Cr系金属化合物、Si系化合物、金属硅化物化合物等公知材料中选择。例如，构成第一遮光膜11以及第二遮光膜21的材料可以为含有金属Cr、Cr氧化物、Cr氮化物、Cr炭化物、Cr氮氧化物、Cr氮炭化物、Cr氧化物炭化物、Cr氮氧化物炭化物中的任意1种以上的Cr系金属化合物。

并且，在本实施方式中的图案修正方法中，没有产生如专利文献1的技术那样的使用CVD的情况下产生的膜剥离的风险。另外，在如专利文献1的技术那样使用CVD的情况下，激光被照射到所希望的区域以外，也在所希望的区域以外形成遮光部，所以需要对该遮光部进行整形并且除去。与此相对，在本实施方式中的图案修正方法中，使用描绘装置进行第二遮光膜21的图案化，所以能够高精度地追加图案，不必进行不需要的遮光部的除去。

通过本实施方式中的图案修正方法修正后的光掩模，是对于通过第一遮光膜11在透明基板2上已经形成有第一图案的光掩模新追加了图案的光掩模，具有：(1)上述第一图案；(2)在俯视光掩模的情况下在透明基板2上形成为与上述第一图案相邻的图案，且是由蚀刻阻止膜20和第二遮光膜21形成的遮光区域的图案(第二图案)；(3)在俯视光掩模的情况下形成为不与上述第一图案相邻的图案，且是由蚀刻阻止膜20和第二遮光膜21形成的图案(第二图案)。

＜变形例9＞

在实施方式3中，对在预先通过第一遮光膜11已经形成有第一图案的光掩模新形成基于第二遮光膜21的遮光部的图案修正方法进行了说明，但本发明并不局限于此。在本发明的一个方式中，能够将第一图案由遮光膜以外的膜形成的光掩模作为对象。参照图7、图8、图40以及图41说明详细内容。

成为本变形例中的修正对象的光掩模10是图7以及图8所示的顶部型的光掩模。图40是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的图。图41是图40所示的B－B线箭头方向的剖视图。

对本变形例中的光掩模10的图案修正方法进行说明。首先，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将蚀刻阻止膜20、以及包含与构成半透过膜13的材料(第一材料)相同的金属系的第二材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(成膜工序)。

其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜(光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(图案形成工序)。具体而言，以仅要新追加遮光区域的区域所对应的区域的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(第一除去工序)。在第一除去工序中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，除去残存的光致抗蚀剂膜。最后，将在第一除去工序中未被除去的第二遮光膜21作为掩膜，除去蚀刻阻止膜20(蚀刻阻止膜除去工序)。由此，如图40以及图41所示，能够残留着原本通过第一遮光膜11以及半透过膜13形成于光掩模10的第一图案，制成由第二遮光膜21新追加了遮光区域的光掩模。

图42是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的另一个例子的图。如图42所示，在本发明的一个方式中，也可以以在俯视光掩模10的情况下第二遮光膜21的一部分与第一图案的一部分(更详细而言，第一图案中的形成有第一遮光膜11的区域的一部分)重叠的方式形成第二遮光膜21。由此，能够变更光掩模10中的遮光区域的形状。

图43是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的又一个例子的图。如图43所示，在本发明的一个方式中，也可以以在俯视光掩模10的情况下包括由第一遮光膜11以及半透过膜13形成的第一图案的整个区域的方式形成第二遮光膜21。由此，能够扩大光掩模10中的遮光区域的面积。但是，该情况下，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

此外，在本变形例中，对针对由作为第一图案形成部的第一遮光膜11和半透过膜13形成了图案(第一图案)的光掩模进行图案修正的方法进行了说明，但在本发明的一个方式中，也可以对于代替第一遮光膜11而使用相移膜的光掩模相同地进行图案修正。

＜变形例10＞

上述说明的各图案修正方法也能够对于第一图案由相移膜形成的光掩模进行。相移膜是透过率为1～15％左右，并且具有使相位反转(或者移位)的效果的半透过膜，通过相移效果而提高分辨率。但是，如图43所示的例子那样，在俯视光掩模10的情况下，以包括由相移膜形成的第一图案的整个区域的方式形成第二遮光膜21的情况下，修正前的光掩模10具有的相移效果消失。

此外，也可以在对于第一图案由相移膜形成的光掩模10进行修正的情况下，代替第二遮光膜21而使用相移膜进行修正。由此，能够使具有相移效果的区域的形状变更。但是，如图43所示的例子那样，在俯视光掩模10的情况下，以包括由相移膜形成的第一图案的整个区域的方式形成相移膜的情况下，在俯视光掩模10时相移膜重叠的区域中相移效果消失，成为仅在仅存在新形成的相移膜的区域中得到相移效果的光掩模(即，边缘增强型的光掩模)。

＜变形例11＞

在变形例9中，对顶部型的半色调掩膜的图案的修正方法进行了说明，但本发明并不局限于此。本发明的一个方式的图案修正方法也能够应用于底部型的半色调掩膜。参照图13、图14、图44以及图45说明详细内容。

本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10是图13以及图14所示的底部型的半色调掩膜。图44是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的图。图45是图44所示的E－E线箭头方向的剖视图。

对本变形例中的光掩模10的图案修正方法进行说明。首先，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将蚀刻阻止膜20、以及与包含构成第一遮光膜11以及半透过膜13的材料(第一材料)相同的金属系的第二材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(成膜工序)。

其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜(光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(图案形成工序)。具体而言，以仅要新追加遮光区域的区域所对应的区域的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中未被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(第一除去工序)。在第一除去工序中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，除去残存的光致抗蚀剂膜。最后，将在第一除去工序中未被除去的第二遮光膜21作为掩膜，除去蚀刻阻止膜20(蚀刻阻止膜除去工序)。由此，如图44以及图45所示，能够残留着由第一遮光膜11以及半透过膜13原本形成于光掩模10的第一图案，制成通过第二遮光膜21新追加了遮光区域的光掩模。

此外，在本变形例中，对针对由作为第一图案形成部的第一遮光膜11和半透过膜13形成了图案(第一图案)的光掩模进行图案修正的方法进行了说明，但在本发明的一个方式中，也可以对于代替第一遮光膜11而使用相移膜的光掩模相同地进行图案修正。

另外，在本发明的一个方式中，也可以在对于代替第一遮光膜11而使用相移膜的光掩模进行图案修正的情况下，代替第二遮光膜21而使用使曝光用光的一部分透过的半透过膜。该情况下，优选使相移膜的透过率为3～15％。另外，在本发明的一个方式中，也可以对于代替第一遮光膜11而使用半透过膜的光掩模，代替第二遮光膜21而使用相移膜进行图案修正。该情况下，优选半透过膜的针对曝光用光的透过率为10～70％，相移角为0.1°～20°。

接下来，参照图46以及图47，对针对作为图13以及图14所示的底部型的半色调掩膜的光掩模10新追加遮光区域，并且，以将原本通过第一遮光膜11成为遮光区域的区域的一部分变更为半透过区域的方式进行修正的图案修正方法进行说明。图46以及图47是用于对该图案修正方法进行说明的图。图46以及图47所示的各图对应于图13所示的D－D线箭头方向的剖视图。

在该图案修正方法中，如图46所示，准备通过第一遮光膜11、半透过膜13以及蚀刻阻止膜14在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S111)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面将蚀刻阻止膜20、以及包含所述第一材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(步骤S112，成膜工序)。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S113，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S114，图案形成工序)。具体而言，以仅新要变更为遮光区域的区域所对应的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S114中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S115，第一除去工序)。在步骤S115中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图47所示，将在步骤S114中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜20的一部分(步骤S116)。接下来，将在步骤S114中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S117)。其后，将在步骤S114中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜14的一部分(步骤S118)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S119)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，并且，通过在俯视光掩模时使半透过膜13在原本通过第一遮光膜11成为遮光区域的区域的一部分中露出来将遮光区域的一部分变更为半透过区域。

＜变形例12＞

在变形例11中，对由同一金属系的材料构成的半透过膜13以及第一遮光膜11、配置于半透过膜13以及第一遮光膜11之间的蚀刻阻止膜14构成的底部型的半色调掩膜的图案修正的方法进行了说明，但本发明并不局限于此。本发明的一个方式的图案修正方法也能够应用于具有其他的构成的底部型的半色调掩膜。参照图19、图20、图48以及图49说明详细内容。

本变形例中的成为图案修正的对象的光掩模10是图19以及图20所示的底部型的半色调掩膜。图48是表示通过本变形例的图案修正方法修正图案后的图案形成区域A的图。图49是图48所示的G－G线箭头方向的剖视图。

对本变形例中的光掩模10的图案修正方法进行说明。首先，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将蚀刻阻止膜20以及第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(成膜工序)。

其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜(光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(图案形成工序)。具体而言，仅要新追加遮光区域的区域所对应的区域的第二遮光膜21在后述的第一除去工序中不被除去的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(第一除去工序)。在第一除去工序中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，除去残存的光致抗蚀剂膜。最后，将在第一除去工序中未被除去的第二遮光膜21作为掩膜除去蚀刻阻止膜20(蚀刻阻止膜除去工序)。由此，如图48以及图49所示，能够残留着由第一遮光膜11以及半透过膜13原本形成于光掩模10的第一图案，制成通过第二遮光膜21新追加了遮光区域的光掩模。

＜变形例13＞

在本变形例中，对在实施方式3中说明的遮光区域进行追加修正，并且，对原本形成于光掩模的遮光区域进行减小修正的图案修正方法进行说明。图50以及图51是用于对本变形例中的图案修正方法进行说明的图。图50以及图51所示的各图与图23所示的H－H线箭头方向的剖视图对应。如图23所示，本变形例中的成为修正对象的光掩模10是通过第一遮光膜11在图案形成区域A形成有T字型的第一图案的光掩模10。

在本变形例中的图案修正方法中，如图50所示，准备通过第一遮光膜11在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S121)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面将蚀刻阻止膜20、以及包含上述第一材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(步骤S122，成膜工序)。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S123，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S124，图案形成工序)。具体而言，以仅残留要新追加遮光区域的区域、以及在图案修正后由第一遮光膜11形成的遮光区域中在图案修正后也作为遮光区域残留的区域所对应的光致抗蚀剂膜22的方式形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11成为遮光区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下，至少除去与第一遮光膜11、半透过膜13、及在步骤S122中形成的蚀刻阻止膜20以及第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S124中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S125，第一除去工序)。在步骤S125中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图51所示，将在步骤S124中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜20的一部分(步骤S126)。接下来，将在步骤S124中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S127，第二除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S128)。

图52是通过上述的方法修正后的光掩模的俯视图。在图52中，由点划线表示修正前的第一遮光膜11。如图52所示，通过利用上述的方法进行修正，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，并且，减小俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域。

此外，本变形例中的图案修正方法也能够应用于第一图案由相移膜构成的情况。

＜变形例14＞

在本变形例中，参照图53以及图54，对针对在变形例9中说明的顶部型的光掩模进行追加遮光区域的修正，并且，对原本形成于光掩模的第一图案进行减小修正的图案修正方法进行说明。图53以及图54是用于对本变形例中的图案修正方法进行说明的图。

在本变形例中的图案修正方法中，如图53所示，首先，准备通过第一遮光膜11以及半透过膜13在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S131)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面将蚀刻阻止膜20、以及包含上述第一材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(步骤S132，成膜工序)。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S133，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S134，图案形成工序)。具体而言，以仅残留要新追加遮光区域的区域、在图案修正后由第一遮光膜11形成的遮光区域中的在图案修正后也作为遮光区域残留的区域、以及由半透过膜13成为半透过区域的区域中的要变更为遮光区域的区域所对应的光致抗蚀剂膜22的方式，形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11或者半透过膜13成为遮光区域或者半透过区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下至少除去与第一遮光膜11、半透过膜13、及在步骤S132中形成的蚀刻阻止膜20以及第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S134中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S135，第一除去工序)。在步骤S135中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图54所示，将在步骤S134中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜20的一部分(步骤S136)。接下来，将在步骤S134中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去半透过膜13的一部分(步骤S137，第二除去工序)。接下来，将在步骤S134中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S138，第三除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S139)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，能够减小在俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域，并且，能够使由半透过膜13形成的半透过区域的一部分变更为遮光区域。但是，在本变形例中，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

＜变形例15＞

在本变形例中，参照图55以及图56，对针对在变形例11中说明的底部型的光掩模进行追加遮光区域的修正，并且对原本形成于光掩模的第一图案进行减小修正的图案修正方法进行说明。图55以及图56是用于对本变形例中的图案修正方法进行说明的图。

在本变形例中的图案修正方法中，如图55所示，首先，准备通过第一遮光膜11、半透过膜13以及蚀刻阻止膜14在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S141)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将蚀刻阻止膜20、以及包含上述第一材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(步骤S142，成膜工序)。其后，在包括第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S143，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22，以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，其后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S144，图案形成工序)。具体而言，以仅残留要新追加遮光区域的区域、在图案修正后由第一遮光膜11形成的遮光区域中的在图案修正后也作为遮光区域残留的区域、以及由半透过膜13成为半透过区域的区域中的要变更为遮光区域的区域所对应的光致抗蚀剂膜22的方式，形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11或者半透过膜13成为遮光区域或者半透过区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下，至少除去与第一遮光膜11、半透过膜13、及在步骤S142中形成的蚀刻阻止膜20以及第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S144中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S145，第一除去工序)。在步骤S145中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为蚀刻第二遮光膜21的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图56所示，将在步骤S144中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜20的一部分(步骤S146，蚀刻阻止膜除去工序)。接下来，将在步骤S144中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S147，第二除去工序)。接下来，将在步骤S144中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜14的一部分(步骤S148，第三除去工序)。接下来，将在步骤S144中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去半透过膜13的一部分(步骤S149，第四除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S150)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，能够减小在俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域，并且，能够使由半透过膜13形成的半透过区域的一部分变更为遮光区域。但是，在本变形例中，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

＜变形例16＞

在本变形例中，参照图57以及图58，对针对在变形例12中说明的底部型的光掩模进行追加遮光区域的修正，并且对原本形成于光掩模的第一图案进行减小修正的图案修正方法进行说明。图57以及图58是用于对本变形例中的图案修正方法进行说明的图。

在本变形例中的图案修正方法中，如图57所示，准备通过第一遮光膜11以及半透过膜13在透明基板2上形成有图案(第一图案)的光掩模10(步骤S151)。接下来，在光掩模10中的形成有第一图案的面，将蚀刻阻止膜20、以及包含上述第一材料的第二遮光膜21(第二图案形成部)依次成膜(步骤S152，成膜工序)。其后，在包含第二遮光膜21的光掩模10的整个面形成光致抗蚀剂膜22(步骤S153，光致抗蚀剂膜形成工序)。换言之，在光掩模10的表面形成光致抗蚀剂膜22以覆盖第二遮光膜21的整个面。

接下来，通过对光致抗蚀剂膜22利用描绘装置进行描绘，然后进行显影来形成光致抗蚀剂图案(步骤S154，图案形成工序)。具体而言，以仅残留要新追加遮光区域的区域、在图案修正后中由第一遮光膜11形成的遮光区域中的在图案修正后也作为遮光区域残留的区域、以及由半透过膜13成为半透过区域的区域中的要变更为遮光区域的区域所对应的光致抗蚀剂膜22的方式，形成光致抗蚀剂图案。在本变形例中，除去原本通过第一遮光膜11或者半透过膜13成为遮光区域或者半透过区域的区域中的要变更为透光区域的区域的光致抗蚀剂膜22。换言之，以在俯视光掩模10的情况下，至少除去与第一遮光膜11、半透过膜13、及在步骤S152中形成的蚀刻阻止膜20以及第二遮光膜21重叠的光致抗蚀剂膜22的一部分的方式形成光致抗蚀剂图案。

接下来，将在步骤S154中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第二遮光膜21的一部分(步骤S155，第一除去工序)。在步骤S155中，通过使用不溶解蚀刻阻止膜20的溶剂作为对第二遮光膜21进行蚀刻的溶剂，仅蚀刻并除去第二遮光膜21。

接下来，如图58所示，将在步骤S154中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去蚀刻阻止膜20的一部分(步骤S156，蚀刻阻止膜除去工序)。接下来，将在步骤S154中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去第一遮光膜11的一部分(步骤S157，第二除去工序)。接下来，将在步骤S154中形成的光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去半透过膜13的一部分(步骤S158，第三除去工序)。最后，除去残存的光致抗蚀剂膜22(步骤S159)。

通过上述的方法，能够新通过第二遮光膜21新追加遮光区域，能够减小在俯视光掩模时原本通过第一遮光膜11形成的遮光区域，并且，能够使由半透过膜13形成的半透过区域的一部分变更为遮光区域。但是，在本变形例中，修正前的光掩模10具有的半透过效果消失。

本发明并不局限于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，适当地组合不同的实施方式分别公开的技术手段而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围中。

附图标记说明

2 透明基板

4 对准标记

10、30 光掩模

11 第一遮光膜(第一图案形成部)

13 半透过膜(第一图案形成部)

20 蚀刻阻止膜

21 第二遮光膜(第二图案形成部)

22 光致抗蚀剂膜

Claims (34)

1.一种图案修正方法，是对于通过包含第一材料的第一图案形成部在透明基板上已经形成有图案的光掩模新修正图案的图案修正方法，包括：

成膜工序，在所述光掩模的形成有所述图案的面，将第二图案形成部成膜；

光致抗蚀剂膜形成工序，在所述光掩模的表面形成光致抗蚀剂膜，以覆盖所述第二图案形成部的整个面；

图案形成工序，对于所述光致抗蚀剂膜利用描绘装置进行描绘以形成光致抗蚀剂图案；以及

第一除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第二图案形成部的一部分。

2.根据权利要求1所述的图案修正方法，其中，在所述成膜工序中，在所述光掩模的形成有所述图案的面，将包含与所述第一材料不同的第二材料的所述第二图案形成部成膜，

在所述第一除去工序中，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，使用不溶解所述第一材料而溶解所述第二材料的蚀刻液，除去所述第二图案形成部的一部分。

3.根据权利要求2所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，将在与基于所述第一图案形成部的图案形成时的同时形成在所述透明基板上的对准标记作为基准，对于所述光致抗蚀剂膜利用所述描绘装置进行描绘。

4.根据权利要求2或3所述的图案修正方法，其中，在俯视所述光掩模的情况下，在所述第一除去工序中未被除去的所述第二图案形成部的一部分与所述第一图案形成部相邻的方式，在所述图案形成工序中形成所述光致抗蚀剂图案。

5.根据权利要求2或3所述的图案修正方法，其中，在俯视所述光掩模的情况下，在所述第一除去工序中未被除去的所述第二图案形成部的一部分不与所述第一图案形成部相邻的方式，在所述图案形成工序中形成所述光致抗蚀剂图案。

6.根据权利要求2或3所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部是具有遮光性的第一遮光膜，

所述第二图案形成部是具有遮光性的第二遮光膜。

7.根据权利要求6所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

在所述第一除去工序之后，所述图案修正方法还包括将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第一遮光膜的一部分的第二除去工序。

8.根据权利要求2或3所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部包括半透过膜、和配置于所述半透过膜与所述透明基板之间的区域的一部分的区域的具有遮光性的第一遮光膜或者相移膜，

所述第二图案形成部是具有遮光性的第二遮光膜。

9.根据权利要求8所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜或者所述相移膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

在所述第一除去工序之后，所述图案修正方法还包括：

第二除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述半透过膜的一部分；以及

第三除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第一遮光膜或者所述相移膜的一部分。

10.根据权利要求2或3所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部包括相移膜，

所述第二图案形成部包括相移膜、或者具有遮光性的第二遮光膜。

11.根据权利要求10所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述相移膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

在所述第一除去工序之后，所述图案修正方法还包括将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜除去所述相移膜的一部分的第二除去工序。

12.根据权利要求2或3所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部包括：在透明基板上形成的半透过膜或者相移膜、和经由蚀刻阻止膜层叠在所述半透过膜或者所述相移膜的与所述透明基板侧相反的一侧的表面的一部分的区域的具有遮光性的第一遮光膜，

所述第二图案形成部包括具有遮光性的第二遮光膜。

13.根据权利要求12所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视上所光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

在所述第一除去工序之后，所述图案修正方法还包括：

第二除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第一遮光膜的一部分；

第三除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述蚀刻阻止膜的一部分；以及

第四除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述半透过膜或者所述相移膜的一部分。

14.根据权利要求2或3所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部包括：

半透过膜或者相移膜，包含与所述第一材料以及所述第二材料不同的第三材料，形成在所述透明基板上；以及

具有遮光性的第一遮光膜，层叠于所述半透过膜或者所述相移膜的与所述透明基板侧相反的一侧的表面的一部分的区域，

所述第二图案形成部是具有遮光性的第二遮光膜。

15.根据权利要求14所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

在所述第一除去工序之后，所述图案修正方法还包括：

第二除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第一遮光膜的一部分；以及

第三除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述半透过膜或者所述相移膜的一部分。

16.根据权利要求1所述的图案修正方法，其中，在所述成膜工序中，在所述光掩模的形成有所述图案的面，将蚀刻阻止膜、以及包含与所述第一材料相同的金属系的第二材料的所述第二图案形成部依次成膜，

所述图案修正方法还包括蚀刻阻止膜除去工序，在所述第一除去工序中未被除去的所述第二图案形成部、或者所述光致抗蚀剂图案作为掩膜除去所述蚀刻阻止膜。

17.根据权利要求16所述的图案修正方法，其中，所述第一材料以及所述第二材料是Cr系金属化合物、Si系化合物或者金属硅化物化合物。

18.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，将在与基于所述第一图案形成部的图案形成时的同时形成在所述透明基板上的对准标记作为基准，对于所述光致抗蚀剂膜利用所述描绘装置进行描绘。

19.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，在俯视所述光掩模的情况下，以在所述第一除去工序中未被除去的所述第二图案形成部的一部分与所述第一图案形成部相邻的方式，在所述图案形成工序中形成所述光致抗蚀剂图案。

20.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，在俯视所述光掩模的情况下，以在所述第一除去工序中未被除去的所述第二图案形成部的一部分不与所述第一图案形成部相邻的方式，在所述图案形成工序中形成所述光致抗蚀剂图案。

21.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部是具有遮光性的第一遮光膜，

所述第二图案形成部是具有遮光性的第二遮光膜。

22.根据权利要求21所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

所述第一除去工序在所述图案形成工序与所述蚀刻阻止膜除去工序之间进行，

在所述蚀刻阻止膜除去工序中，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述蚀刻阻止膜，

在所述蚀刻阻止膜除去工序之后，所述图案修正方法还包括将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜除去所述第一遮光膜的一部分的第二除去工序。

23.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部还包括半透过膜、和配置于所述半透过膜与所述透明基板之间的区域的一部分的区域的具有遮光性的第一遮光膜或者相移膜，

所述第二图案形成部是具有遮光性的第二遮光膜。

24.根据权利要求23所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜或者所述相移膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

所述第一除去工序在所述图案形成工序与所述蚀刻阻止膜除去工序之间进行，

在所述蚀刻阻止膜除去工序中，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述蚀刻阻止膜，

在所述蚀刻阻止膜除去工序之后，所述图案修正方法还包括：

第二除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述半透过膜的一部分；以及

第三除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第一遮光膜或者所述相移膜的一部分。

25.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部包括相移膜，

所述第二图案形成部包括相移膜或者具有遮光性的第二遮光膜。

26.根据权利要求25所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述相移膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

所述第一除去工序在所述图案形成工序与所述蚀刻阻止膜除去工序之间进行，

在所述蚀刻阻止膜除去工序中，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述蚀刻阻止膜，

在所述蚀刻阻止膜除去工序之后，所述图案修正方法还包括将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜除去所述相移膜的一部分的第二除去工序。

27.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部包括：在透明基板上形成的半透过膜或者相移膜、和经由第二蚀刻阻止膜层叠于所述半透过膜或者所述相移膜的与所述透明基板侧相反的一侧的表面的一部分的区域的具有遮光性的第一遮光膜，

所述第二图案形成部包括具有遮光性的第二遮光膜。

28.根据权利要求27所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

所述第一除去工序在所述图案形成工序与所述蚀刻阻止膜除去工序之间进行，

在所述蚀刻阻止膜除去工序中，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述蚀刻阻止膜，

在所述蚀刻阻止膜除去工序之后，所述图案修正方法还包括：

第二除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第一遮光膜的一部分；

第三除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第二蚀刻阻止膜的一部分；以及

第四除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述半透过膜或者所述相移膜的一部分。

29.根据权利要求16或17所述的图案修正方法，其中，所述第一图案形成部包括：

半透过膜或者相移膜，包含与所述第一材料以及所述第二材料不同的第三材料，形成在所述透明基板上；以及

具有遮光性的第一遮光膜，层叠于所述半透过膜或者所述相移膜的与所述透明基板侧相反的一侧的表面的一部分的区域，

所述第二图案形成部是具有遮光性的第二遮光膜。

30.根据权利要求29所述的图案修正方法，其中，在所述图案形成工序中，在俯视所述光掩模的情况下，以至少除去与所述第一遮光膜重叠的所述光致抗蚀剂膜的一部分的方式形成所述光致抗蚀剂图案，

所述第一除去工序在所述图案形成工序与所述蚀刻阻止膜除去工序之间进行，

在所述蚀刻阻止膜除去工序中，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述蚀刻阻止膜，

在所述蚀刻阻止膜除去工序之后，所述图案修正方法还包括：

第二除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述第一遮光膜的一部分；以及

第三除去工序，将所述光致抗蚀剂图案作为掩膜，除去所述半透过膜或者所述相移膜的一部分。

31.一种光掩模，是对于通过包含第一材料的第一图案形成部在透明基板上已经形成有第一图案的光掩模新追加了图案的光掩模，具有：

所述第一图案；以及

第二图案，是在所述透明基板上形成为在俯视所述光掩模的情况下与所述第一图案相邻的图案，是通过包含与所述第一材料不同的第二材料的第二图案形成部形成的图案。

32.一种光掩模，是对于通过包含第一材料的第一图案形成部在透明基板上已经形成有第一图案的光掩模新追加了图案的光掩模，具有：

所述第一图案；以及

第二图案，是在所述透明基板上形成为在俯视所述光掩模的情况下不与所述第一图案相邻的图案，是通过包含与所述第一材料不同的第二材料的第二图案形成部形成的图案。

33.一种光掩模，是对于通过包含第一材料的第一图案形成部在透明基板上已经形成有第一图案的光掩模新追加了图案的光掩模，具有：

所述第一图案：以及

第二图案，是在所述透明基板上形成为在俯视所述光掩模的情况下与所述第一图案相邻的图案，是通过蚀刻阻止膜、和包含与所述第一材料相同的金属系的第二材料的第二图案形成部形成的图案。

34.一种光掩模，是对于通过包含第一材料的第一图案形成部在透明基板上已经形成有第一图案的光掩模新追加了图案的光掩模，具有：

所述第一图案；以及

第二图案，是在所述透明基板上形成为在俯视所述光掩模的情况下不与所述第一图案相邻的图案，是通过蚀刻阻止膜、和包含与所述第一材料相同的金属系的第二材料的第二图案形成部形成的图案。

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