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CN115534421B - 一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料及其制备方法 - Google Patents

一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及雷达吸波材料技术领域,具体公开了一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料,自下而上,依次包括复合材料底层、损耗型复合材料层、防护层,所述损耗型复合材料层由带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料构成,所述孔为圆孔或者方孔,所述孔内填充氧化物陶瓷。本发明的超薄宽带耐高温结构型吸波材料中,带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料与孔内填充的氧化物陶瓷共同构成损耗型三维立体超材料结构,实现宽频吸波性能,使吸波带宽显著提升;同时吸波材料的厚度得到减小,且具备耐热、承载一体化功能。

Description

一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料及其制备方法
技术领域
本发明属于雷达吸波材料技术领域,特别涉及一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料及其制备方法。
背景技术
高温雷达吸波材料在提升装备高温部位雷达隐身性能方面具有不可替代的重要作用,主要可以分为涂层型和结构型两种。目前吸波涂层主要通过两种形式实现雷达隐身性能,一种是通过在低损耗陶瓷涂层中添加高温雷达吸收剂,另一种是采用贴片电阻型高温电磁周期结构实现吸波功能,这两种方式存在以下不足:有效吸收频段窄,通过提高吸收剂含量或增加涂层厚度来拓宽吸波频段,但宽频吸波效果并不理想,而且会带来额外的厚度和重量负担,同时涂层易脱落,可靠性下降。结构型吸波材料是一种多功能复合材料,它既能承载作结构件,又能吸收电磁波,具备雷达隐身性能,同时还具有良好的力学性能、热稳定性和化学稳定性,在提升装备高温部位结构/吸波功能一体化方面具有重要的应用价值。
ZL201410128311.6号中国专利公开了一种单层结构碳化硅复合材料的吸波陶瓷及其制备方法,吸波陶瓷常温下反射率低于-8dB的带宽为6.5GHz~10GHz,吸波陶瓷厚度在2.25mm以上。中国专利ZL201610592040.9公开了一种基于超材料的碳化硅复合材料吸波陶瓷及其制备方法,采用超材料电阻涂层实现吸波功能,制备的碳化硅复合材料吸波陶瓷具有承载、吸波、耐高温等功能,在较宽温度范围均具有较好的吸波性能,吸波陶瓷厚度在2.5mm以上,最大厚度为6.6mm,吸波有效频段为8~18GHz或者4~8GHz或者2.6~6.4GHz。可以发现,现有技术复合材料吸波陶瓷存在吸波频段窄、材料厚度过大等问题。为了应对先进雷达探测和精确制导能力的日益增强,保障飞行器的生存和突防能力,要求吸波材料具有厚度薄、吸波能力强和吸波频带宽等特性,现有复合材料吸波陶瓷难以满足以上要求。迫切需要研究厚度薄、耐高温、吸波性能优异、吸波频带宽的耐高温结构型吸波材料。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料,自下而上,依次包括复合材料底层、损耗型复合材料层、防护层,所述损耗型复合材料层由带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料构成,所述孔为圆孔或者方孔,所述孔内填充氧化物陶瓷。
优选的,上述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料中,所述孔呈周期阵列排布,所述圆孔的直径为3~10mm,所述方孔的边长为3~10mm,孔心距为圆孔直径或者方孔边长加0.2~1mm,所述孔内填充的氧化物陶瓷的原材料包括Al2O3、ZrO2、Y2O3中的一种或两种以上;所述损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料中碳化硅纤维电阻率0.3~20Ω·cm,厚度为1.0~4.0mm。
优选的,上述超薄宽带耐高温结构型吸波材料中,所述损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的增强体为二维布、针刺、缝合、2.5D、3D碳化硅纤维织物,陶瓷基体为碳化硅、硅氧碳、硅碳氮、硅硼氮、氮化硼或硅硼碳氮。
优选的,上述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料中,所述防护层的原材料包括Al2O3、ZrO2、Y2O3中的一种或两种以上,厚度为0.1~0.5mm。
优选的,上述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料中,所述复合材料底层为连续碳纤维增强陶瓷基复合材料或连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料,增强体为二维布、针刺、缝合、2.5D、3D碳纤维或碳化硅纤维织物,陶瓷基体为碳化硅、硅氧碳、硅碳氮、硅硼氮、氮化硼或硅硼碳氮,碳化硅纤维的电阻率小于0.1Ω·cm。
一种上述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将复合材料底层的碳化硅纤维织物或碳纤维织物与损耗型复合材料层中的碳化硅纤维织物通过缝合方式形成整体编织件;
(2)以碳化硅、硅氧碳、硅碳氮、硅硼氮、氮化硼或硅硼碳氮的有机先驱体溶液为浸渍溶液,采用先驱体浸渍裂解工艺对步骤(1)得到的整体编织件进行浸渍、高温裂解和反复致密化,致密化完成后进行材料的尺寸与厚度机械加工,完成复合材料底层的陶瓷基复合材料和损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的一体化制备;
(3)采用机械加工工艺完成损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料上孔的制备;
(4)采用喷涂氧化物陶瓷粉末通过等离子喷涂工艺或者采用高温陶瓷胶填充孔,完成损耗型复合材料层的制备;
(5)将防护层的喷涂陶瓷粉末通过等离子喷涂工艺喷涂在损耗型复合材料层上,得到防护层,完成超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备。
优选的,上述的制备方法中,所述步骤(2)中,浸渍溶液中先驱体质量含量不低于40%;先驱体浸渍裂解工艺参数为:真空浸渍时间不低于2h,压力不大于-0.08MPa;高温裂解温度为800~1000℃,在气氛保护下进行裂解,时间为0.5~1h;致密化次数不低于8次。
与现有的技术相比,本发明具有如下有益效果:
1. 本发明的超薄宽带耐高温结构型吸波材料中,带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料与孔内填充的氧化物陶瓷共同构成损耗型三维立体超材料结构,实现宽频段范围内的阻抗匹配与损耗特性,从而使吸波材料具备宽频吸波性能,吸波带宽可覆盖2~18GHz,同时吸波材料的厚度较薄。
2. 本发明的超薄宽带耐高温结构型吸波材料可设计性强,具有耐热、承载与宽频吸波一体化功能。
3. 本发明的超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备方法,工艺成熟,易于调控,可操作性强,适合工业化应用。
附图说明
图1为本发明实施例1中超薄宽带耐高温结构型吸波材料结构示意图。
图2为本发明实施例1中超薄宽带耐高温结构型吸波材料在1000℃下的反射率曲线图。
图3为本发明实施例2中超薄宽带耐高温结构型吸波材料在1000℃下的反射率曲线图。
主要附图标记说明:
1-连续碳纤维增强陶瓷基复合材料底层,2-损耗型复合材料层,3-防护层,4-填充氧化物陶瓷的圆孔。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式进行详细描述,但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
实施例1
一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料如图1所示,吸波材料自下而上,依次由连续碳纤维增强陶瓷基复合材料底层、损耗型复合材料层、防护层构成。连续碳纤维增强陶瓷基复合材料底层厚度为0.5mm,复合材料底层增强体为针刺碳纤维织物。损耗型复合材料层由带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料构成,损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的增强体为缝合碳化硅纤维织物,基体为硅碳氮,厚度为3.1mm,碳化硅纤维的电阻率为1.1Ω·cm;孔为圆孔,圆孔直径为4mm,孔心距为4.2mm,孔内填充10%ZrO2-90%Al2O3。防护层为10%ZrO2-90%Al2O3层,厚度为0.35mm。
本实施例还提供超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将底层的碳纤维织物与碳化硅纤维织物采用碳化硅纤维Z向缝合的方式制成整体编织件,Z向缝合针距为5mm;
(2)采用硅碳氮有机先驱体聚硅氮烷溶液为浸渍溶液,浸渍溶液中先驱体质量含量为55%,采用先驱体浸渍裂解工艺对步骤(1)得到的整体编织件进行浸渍、高温裂解和反复致密化,真空浸渍时间为4h,压力为-0.09MPa;高温裂解温度为900℃,在氮气气氛保护下进行裂解,时间为1h;致密化次数为10次;致密化完成后进行材料的尺寸与厚度机械加工,完成陶瓷基复合材料底层和损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的一体化制备;
(3)采用机械加工工艺完成损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料上孔的制备;
(4)对带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的上表面非孔区域进行遮盖保护,然后采用等离子喷涂工艺将10%ZrO2-90%Al2O3喷涂陶瓷粉末喷涂填充孔,等离子喷涂工艺参数为:Ar的通气流量为35L/min,H2的通气流量为12L/min;送粉气流Ar为3.5L/min,送粉量为60g/min,电流大小控制为550A,功率为38kW;喷涂距离为120mm,打磨至设计厚度后完成损耗型复合材料层的制备;
(5)采用等离子喷涂工艺将10%ZrO2-90%Al2O3喷涂陶瓷粉末喷涂在损耗型复合材料层上,等离子喷涂工艺参数为:Ar的通气流量为35L/min,H2的通气流量为12L/min;送粉气流Ar为3.5L/min,送粉量为60g/min,电流大小控制为550A,功率为38kW;喷涂距离为120mm;得到防护层,完成超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备。
本实施例制备的超薄宽带耐高温结构型吸波材料总厚度约为4mm,在1000℃下的高温反射率如图2所示,由图可知,吸波材料吸波频段可覆盖2~18GHz,在4.5~18GHz频段下反射率小于-4dB,具有好的宽频吸波性能。
实施例2
一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料,吸波材料自下而上,依次由连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料底层、损耗型复合材料层、防护层构成。连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料底层厚度为0.5mm,碳化硅电阻率为0.05Ω·cm,复合材料底层增强体为针刺碳化硅纤维织物。损耗型复合材料层由带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料构成,损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的增强体为2.5D碳化硅纤维织物,基体为碳化硅,厚度为2.7mm,碳化硅纤维的电阻率为0.9Ω·cm;孔为圆孔,圆孔直径为3.2mm,孔心距为3.4mm,孔内填充55%ZrO2-45%Y2O3。防护层为55%ZrO2-45%Y2O3,厚度为0.3mm。
本实施例还提供超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将底层的碳化硅纤维织物与损耗型复合材料层中碳化硅纤维织物采用碳化硅纤维Z向缝合的方式制成整体编织件,Z向缝合针距为4mm;
(2)采用碳化硅有机先驱体聚碳硅烷溶液为浸渍溶液,浸渍溶液中先驱体质量含量为50%,采用先驱体浸渍裂解工艺对步骤(1)得到的整体编织件进行浸渍、高温裂解和反复致密化,真空浸渍时间为6h,压力为-0.09MPa;高温裂解温度为900℃,在氮气气氛保护下进行裂解,时间为1h;致密化次数为12次;致密化完成后进行材料的尺寸与厚度机械加工,完成陶瓷基复合材料底层和损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的一体化制备;
(3)采用机械加工工艺完成损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料上孔的制备;
(4)对带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的上表面非孔区域进行遮盖保护,然后采用等离子喷涂工艺将55%ZrO2-45%Y2O3喷涂陶瓷粉末喷涂填充孔,等离子喷涂工艺参数为:Ar的通气流量为38L/min,H2的通气流量为12L/min,送粉气流Ar为3.5L/min,送粉量为60g/min,电流大小控制为580A,功率为42kW,喷涂距离为120mm;打磨至设计厚度后完成损耗型复合材料层的制备;
(5)采用等离子喷涂工艺将55%ZrO2-45%Y2O3喷涂陶瓷粉末喷涂在损耗型复合材料层上,等离子喷涂工艺参数为:Ar的通气流量为38L/min,H2的通气流量为12L/min,送粉气流Ar为3.5L/min,送粉量为60g/min,电流大小控制为580A,功率为42kW,喷涂距离为120mm;得到防护层,完成超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备。
本实施例制备的超薄宽带耐高温结构型吸波材料总厚度约为3.5mm,在1000℃下的高温反射率如图3所示,由图可知,吸波材料吸波频段可覆盖2~18GHz,在5~18GHz频段下反射率小于-4dB,具有好的宽频吸波性能。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式,并且很显然,根据上述教导,可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用,从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。

Claims (6)

1.一种超薄宽带耐高温结构型吸波材料,其特征在于,自下而上,依次包括复合材料底层、损耗型复合材料层、防护层,所述损耗型复合材料层由带孔的损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料构成,所述孔为圆孔或者方孔,所述孔内填充氧化物陶瓷;所述孔呈周期阵列排布,所述圆孔的直径为3~10mm,所述方孔的边长为3~10mm,孔心距为圆孔直径或者方孔边长加0.2~1mm,所述孔内填充的氧化物陶瓷的原材料包括Al2O3、ZrO2、Y2O3中的一种或两种以上;所述损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料中碳化硅纤维电阻率0.3~20Ω·cm,厚度为1.0~4.0mm。
2.根据权利要求1所述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料,其特征在于,所述损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的增强体为二维布、针刺、缝合、2.5D、3D碳化硅纤维织物,陶瓷基体为碳化硅、硅氧碳、硅碳氮、硅硼氮、氮化硼或硅硼碳氮。
3.根据权利要求1所述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料,其特征在于,所述防护层的原材料包括Al2O3、ZrO2、Y2O3中的一种或两种以上,厚度为0.1~0.5mm。
4.根据权利要求1所述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料,其特征在于,所述复合材料底层为连续碳纤维增强陶瓷基复合材料或连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料,增强体为二维布、针刺、缝合、2.5D、3D碳纤维或碳化硅纤维织物,陶瓷基体为碳化硅、硅氧碳、硅碳氮、硅硼氮、氮化硼或硅硼碳氮,碳化硅纤维的电阻率小于0.1Ω·cm。
5.一种如权利要求1~4任一项所述的超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)将复合材料底层的碳化硅纤维织物或碳纤维织物与损耗型复合材料层中的碳化硅纤维织物通过缝合方式形成整体编织件;
(2)以碳化硅、硅氧碳、硅碳氮、硅硼氮、氮化硼或硅硼碳氮的有机先驱体溶液为浸渍溶液,采用先驱体浸渍裂解工艺对步骤(1)得到的整体编织件进行浸渍、高温裂解和反复致密化,致密化完成后进行材料的尺寸与厚度机械加工,完成复合材料底层的陶瓷基复合材料和损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料的一体化制备;
(3)采用机械加工工艺完成损耗型连续碳化硅纤维增强陶瓷基复合材料上孔的制备;
(4)采用喷涂氧化物陶瓷粉末通过等离子喷涂工艺或者采用高温陶瓷胶填充孔,完成损耗型复合材料层的制备;
(5)将防护层的喷涂陶瓷粉末通过等离子喷涂工艺喷涂在损耗型复合材料层上,得到防护层,完成超薄宽带耐高温结构型吸波材料的制备。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,浸渍溶液中先驱体质量含量不低于40%;先驱体浸渍裂解工艺参数为:真空浸渍时间不低于2h,压力不大于-0.08MPa;高温裂解温度为800~1000℃,在气氛保护下进行裂解,时间为0.5~1h;致密化次数不低于8次。
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