CN1154528A - 一种表面放电的等离子体显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种表面放电型等离子体显示面板(PDP)，它包括一对其间有一放电空间(30)的前、后基片(11，21)和在前或后基片的内表面上的多个成对电极。显示电极沿各显示行L延伸。PDP还包括一个具有沿显示行延伸、形成在前基片(11)的内表面或外表面上以便与相邻显示行L间的各区域S2重叠、并夹在显示电极X和Y之间的带状光遮挡膜(45)。
Description
本发明涉及一个具有矩阵显示方式的表面等离子体显示面板(下文称之为表面放电PDP)和一种制造此等离子体显示面板的方法。
表面放电PDP是这样一类PDP，在其中，确定了一个初始放电单元的成对显示电极，互相相邻地位于一个单一基片上的。由于这样的PDP通过使用荧光物质完全可作为彩色显示器用，所以它们广泛地用作电视的薄型图象显示设备。此外，由于PDPs还是最有可能作为高清晰度图象的大屏幕显示器，因此在这样的情况下，需求一种通过增加分辨率和屏幕尺寸及增强对比度而提高显示质量的PDP。
图14是一个传统PDP90的内部结构截面图。PDP90是一个具有三电极结构和一个矩阵显示方式的表面放电PDP，而且根据其荧光物质的排列方式，可划归为放射型的PDP。
在PDP90的前面，在一个玻璃基片的内表面上，互相并行排列成对的显示电极X和Y，并成为显示器的每一行显示电极，以便使它们沿玻璃基片的表面引起一个表面放电。形成一个用于AC驱动的介质层17，以覆盖成对的显示电极X和Y，并把它们和一个放电空间30分开。通过蒸镀法在介质层17的表面上形成一个保护膜18。介质层17和保护膜18均为透明的。
每一个显示电极X和Y都包含一个由一种ITO薄膜形成的宽而直的透明电极41和一个由一种薄金属膜(Cr/Cu/Cr)形成的窄而直的总线电极42。总线电极42是一种用于获得合适的传导率的辅助电极，并位于透明电极41的边缘，远离平面放电间隙。采用这样的一种电极结构，可以使显示光的遮挡减至最小，而同时使表面放电区域扩展，以增加光发射效率。
在背面，一个地址A电极被提供在一个玻璃基片21的内表面上，并使其与成对电极X和Y以直角相交。一个荧光层28形成于并覆盖着含有地址电极A的玻璃基片21。地址电极A与显示电极X和Y之间的反向放电，控制着壁电荷在介质层17上积累的状态。当荧光层28被表面放电所产生的紫外线部分地激励时，即产生预定颜色的可见光发射。透过玻璃基片21的可见光发射形成了显示光线。
排成一行的成对电极X和Y之间的间隙被称为放电间隙S1，而选择放电间隙S1的宽度W1(在成对电极X和Y互相相对放置方向上的宽度)，使加到显示电极的电压为100-200V时产生表面放电。一个成对电极X和Y的行与一个相邻行之间的间隙S2被称为一个反转间隙，它具有大于放电间隙S1宽度W1的宽度W2，足以防止放置在反转间隙的相对面上的显示电极X和Y间的放电。因此，成对显示电极以其间具有一个放电间隙S1放置在一行上，而此行与另外一行分开一个反转间隙S2的间隙。可有选择地使每一行变亮。因此，和反转间隙相对应的显示屏幕部分为非发光区或非显示区，而和放电间隙相对应的部分为发光区或显示区。
从一个传统显示面板的前面，透过反转间隙S2，在非发光状态下可以看见荧光层28，而荧光层28在非发光状态下为白色或灰色。因此，当一个传统的显示面板用于一个特别亮的场合时，外来光在荧光层28上散射，而行间的非发光区呈白色，导致显示器的对比度的降低。
作为用于彩色显示器PDP增加对比度的一种方式，所提出的是一个通过在前基片11的外表面上涂覆一种相应于荧光材料发光颜色的半透明涂料以提供彩色滤光器的方法；一种在一个PDP的前面放置一个单独制作的滤光器的方法，和一个将介质层17染以R、G和B色的方法。
然而，在相应于最小象素位置上单独地涂覆彩色染料是非常困难的。在前面放置分离滤光器的情况下，PDP和滤光器间的间隙导致显示图象的变形。而在对介质层17染色的情况下，由于染色剂色度的不同，染色导致介电常数均匀性的变坏，而且放电特性变得不稳定。此外，对介质层染色如对彩色染料的涂覆时，定位也是困难的。
因此本发明的一个目的是，在使行之间的非发光区变得微不足道同时，增加显示对比度。
本发明的另外一个目的是，提供一个在显示行之间的非发光区，形成含有黑色颜料的光遮挡膜的优化结构，及其一种制造方法。
根据本发明，所提出的是一个表面放电等离子体显示面板，其中在一个前或后基片的内表面上，对每一显示行安置沿显示行延伸的成对电极，而带状的、沿显示行延伸的光遮挡膜形成在前方基片的内表面或外表面上，以与夹在相邻显示电极间的每一区域重叠。
对应于显示屏上的相邻行之间的间隙(下文称之为反转间隙)的区域是一个非发光区，相应于每一个非发光区放置光遮挡膜。由于单独遮挡膜的平面图案以带状形成，所以对整个显示屏来讲形成一个条纹遮挡图案。遮挡膜遮挡了可能透过反转间隙的可见光。因此可以防止由于外来光线和从一个显示行泄漏的光线引起的非发光区变亮现象的出现，从而增加了显示对比度。
另外，根据本发明，所提出的是一个表面放电等离子体显示面板，其中在沿显示行延伸的一个前基片的一个内表面上形成每一显示行的成对电极，并且在后基片的内表面上沉积荧光层，而且其中具有比非发光状态下的荧光物质颜色更深、并沿显示行方向延伸的带状光遮挡膜，形成在前基片的内表面或外表面上，以与夹在相邻显示电极间的区域重叠。
当从前面观察显示屏时，荧光层被相应于反转间隙的非发光区中的遮挡膜遮挡住。
此外，根据本发明，所提出的是一个等离子体显示面板，其中显示电极被一个介质层覆盖，并和放电空间分开，而光遮挡膜位于前基片和介质层之间。
另外，根据本发明，所提出的是一个等离子体显示面板，其中每个显示电极包括一个透明电极和一个比透明电极窄，而在靠近非发光区的某一个位置上和透明电极相重叠的金属电极。并且其中一个光遮挡膜位于朝着基片面对方向上的显示电极前面，以便与非发光区两边的金属电极相重叠。
由于遮挡膜也被提供在金属电极的前面，所以可以防止由于来自金属电极表面上的外来光的反射所引起的显示质量的降低。
根据本发明制作一个等离子体显示面板的一种方法，在前基片上形成显示电极和光遮挡膜，进行介质材料的涂覆以形成介质层，而对最终的结构退火。该涂覆和退火工序进行两次。第一次介质涂覆的厚度比第二次小。
由于经受第一次退火的第一次介质涂覆厚度薄，在第一次退火期间，由于介质材料的软化引起的遮挡膜的流动和移动可以减小，因此可以避免遮挡膜向着所覆盖的显示电极做不必要的延伸。
根据本发明制造一个等离子体显示面板的一种方法，显示电极和光遮挡膜形成在前基片上，进行介质材料的涂覆以形成介质层，且最终的结构经过退火。该涂覆和退火工序进行两次。设置第一次的退火温度，使其低于介质材料的软化温度。
通过设置低于介质材料软化温度的退火温度，可以防止覆盖显示电极所不需要的遮挡膜扩展。
另外，根据本发明，用于制造一个等离子体显示面板的一种方法包括以下步骤：
在一个前基片上沉积一种光遮挡材料，并且形成图案，以构成一个光遮挡膜；
在形成光遮挡膜的前基片上形成一个透明膜，并且形成图案，以提供一个部分与光遮挡膜重叠的透明电极；
涂覆一种通过曝光可降低可溶性的感光材料，以覆盖光遮挡膜和透明电极，从前基片的反面，感光材料被整个曝光。对感光材料进行显影，在光遮挡膜之间形成一个抗蚀层。
通过有选择地电镀金属膜，在透明电极的曝光部分形成一个金属电极。通过这个方法，进行光遮挡膜和金属电极的自定位。
此外，根据本发明，提供的是一个其间有一个放电空间、互相相对的一对基片的等离子体显示面板，其中一对基片中的一个，其一个内表面上的每一显示行都形成有沿着显示行延伸的成对电极，使得在成对电极间可实现放电；而且其中带状的并沿显示行延伸的光遮挡膜形成在显示行之间的区域，并夹在位于其中基片的一个内表面上成对电极之间，以使得光遮挡膜和显示电极分开。
根据另外一项发明，形成光遮挡膜，以便在显示电极上部分重叠。
用先形成显示电极，后形成光遮挡膜这样一种安排，使用高真空处理，如溅射，可以容易地进行显示电极的制作。
作为一种制作上述安排的装置的一种方法，根据本发明，所提供的是一种用于制作具有以一对其间有一放电间隙、互相面对的基片的等离子体显示面板的方法，包括下列步骤：
在这对基片的之一上形成多个成对电极，以在其间形成显示行；
在基片的显示电极上形成含有一种黑色颜料的膜，并形成膜的图案，使得在显示行之间提供一个条纹形光遮挡膜，并夹在成对电极之间；并且
在显示电板和光遮挡膜上形成一个介质粘膜，并对最终结构以预定的温度退火。
图1是一个说明与本发明相关的一个PDP的基本结构的透视图；
图2是一个根据第一实施方案的PDP的主要部分的截面图；
图3是一个光遮挡膜的平面图；
图4A至4F是说明制作PDP的前面部分的示意图；
图5是一个根据本发明的第二实施方案的PDP的主要部分的截面图；
图6是一个根据本发明的第三实施方案的PDP的主要部分的截面图；
图7是一个根据本发明的第四实施方案的PDP的主要部分的截面图；
图8是一个根据本发明的第五实施方案的PDP的主要部分的截面图；
图9A至9E是解释制造本发明的第二、四和五实施方案的PDP的方法的截面图；
图10A至10C是解释制造本发明的第二、四和五实施方案的PDP的方法的截面图；
图11是一个光遮挡膜形成在面板的显示区域周围的PDP的平面图；
图12是一个在图11中沿线XX-YY的截面图；
图13是一个PDP的改进方案的截面图；
图14是一个传统PDP的内部结构的主要部分的截面图。
图1是一个说明根据本发明的一个PDP的基本结构的透视图。如图14中使用的相同的参考数字也在图1中用来表示相应的或相同的部分，不考虑在形状和材料上的不同。类似地也应用于下面的图中。
和传统的PDP90一样，PDP1是一个具有矩阵显示方式的三电极结构的表面放电PDP，也称之为反射型。外表面由其间有一介入放电空间30、互相相对的成对玻璃基片11和21形成。玻璃基片11和21由沿相对基片的边缘形成的、具有低熔点的一个玻璃封装框层固定。
在前玻璃基片11的内表面上，为沿基片表面产生一个表面放电，对一个矩阵显示的每一行安置一对并列的直的显示X和Y，行间距为，例如，660微米。
每一个显示电极X和Y包含一个由一种ITO薄膜形成的宽而直的透明电极41和一个由一种具有多层结构的薄金属膜形成的窄而直的总线电极42。作为特定的举例尺寸，透明电极为0.1米厚180微米宽，而总线电极42为1微米厚，60微米宽。
总线电极42是一个用于获得适当的传导率的辅助电极，并位于离开放电间隙的一个表面的透明电极的边缘上。
对于PDP1，形成由用于AC驱动的一个介质层17(例如，低熔点PbO玻璃层)以覆盖显示电极X和Y，并将其和放电空间30分离开。一个由例如MgO(氧化镁)做成的保护膜18，通过蒸镀法沉积在介质层17的表面上。介质层17的厚度大约为30微米，并且保护膜18的厚度，例如近似为5000埃。
后玻璃基片21，例如ZnO低熔点玻璃，它的内表面涂以近似为10微米的底基层22。地址电极A以等间距(例如220微米)安置在低基层22上，因此它们以直角和成对显示电极X和Y相交。通过例如对银胶进行退火而产生地址电极A，并且其厚度大约为10微米。底基层22防止地址电极A的电迁移。
在介质层17上的壁电荷的积累状态由地址电极A和显示电极Y间的放电来控制。地址电极也被覆盖以介质层24，它可以由与底基层22有相同组份的低熔点玻璃组成。在地址电极A的上边部分的介质层24，例如，大约厚10微米。
在介质层24上，平面排布的多个大约150微米高、直栅栏凸棱29，分别排布在地址电极A之间。
然后，荧光层28R、28G和28B(以后称为荧光层28，当不特殊要求颜色之间的区分时)作为一个全彩色显示的三基色R(红)、G(绿)和B(兰)被形成，以覆盖介质层24表面，它包括地址电极A的上部和直栅栏凸棱29的边。有表面放电产生的紫外线激励时，这些荧光层28发光。
由直栅栏凸棱29沿行(沿平行于显示电极X和Y的象素的放置)方向，以光发射面积为单位确定了放电空间30，放电空间30之间的间隙的尺寸也被确定。在PDP1中，没有沿一个矩阵显示器列方向(沿成对显示电极X和Y的排列方向或地址行方向)确定放电空间的栅栏凸棱。然而，由于一个沿所排列的成对电极X和Y的显示行L的间隙的大小(反转间隙的宽度)，设定为从100直400微米，与一个50微米的行表面放电间隙(放电间隙的宽度)相比是足够大，所以在行L之间并不出现放电干扰。
PDP1的一个显示象素包括在各行L上三个相邻的单位光发射区域(子象素)。在同一列中所有行L的发光颜色是相同的，并通过丝网印刷提供荧光层28R、28B、28G，以使它们沿地址电极连续排列在各列中。由于这种丝网印刷，提供了极好的制作效率。与荧光层以每一行划分的排列相比，沿一个连续荧光层28的排列可以容易地为子象素提供均匀的荧光层厚度。
图2是一个PDP1的基本部分的截面图，而图3是一个光遮挡膜45的平面图。如图2所示，对一个反转间隙形成一个遮挡可见光的光遮挡膜45。因此，光遮挡膜45和玻璃基片11的内表面相接触。如图3所示，光遮挡膜45按带状图案沿显示行形成，并放置和夹在相邻行L间的显示电极X和Y之间的区域重叠。对整个显示屏，互相分离开的光遮挡膜45形成一个条纹遮挡图案。因此，使得荧光屏被遮掩在显示行之间，而使显示器的对比度得到提高。由于沿显示行L的条纹图案并不沿显示行L移动，不象围绕子象素或象素的矩阵图案。在制作PDP1期间容易定位和放置玻璃基片11和21。
更为可取的是，栅栏凸棱29的上端部分具有和光遮挡膜同样的黑颜色，通过使栅栏凸棱和光遮挡膜相交，形成一个暗栅格图案，而且各子象素的轮廓变得清晰。尤其是，一种黑色颜料，如铬(Cr)和用于栅栏凸棱的材料相混合，以提供均匀的暗栅栏凸棱。
图4A至4F是说明制造PDP1的前侧部分的示意图。通过对玻璃基片11和21分别提供预定的部件，并在之后，在其互相相对放置的情况下，通过围绕其周围将基片11和21固定在一起，而制成PDP1。
对于前面部分的制作，首先通过溅射，将一种暗颜色的绝缘材料沉积在玻璃基片11上，形成一个表面反射系数低于金属电极42的反射系数的绝缘膜(未示出)。可以用氧化铬(CrO)或氧化硅作为绝缘材料。希望绝缘膜的厚度为0.1微米或更小，以减小透明电极41的间距误差。然后，通过光刻，使用一个第一曝光掩模对绝缘膜进行图案形成，而一次产生多个如上所述的光遮挡膜条纹45(图4A)。
接着，将一个ITO膜沉积在上面形成光遮挡膜45的玻璃基片11上。并通过光刻，使用第二个曝光掩模对ITO膜进行图案形成。这样形成透明电极41，使得它们部分和光遮挡膜45相重叠(图4B)。
在最终结构上涂覆一种在紫外线下曝光不可逆转地固化的负感光材料61，使其覆盖光遮挡膜45和透明电极41。感光材料从玻璃基片11(图4C)的相反边全部曝光。然后，对感光材料显影，形成一个仅覆盖光遮挡膜45之间的一个区域的抗蚀层62(图4D)。
紧接着，有选择地电镀(图4E)，在透明电极41的曝光部分形成具有多层结构，如Cr/Cu/Cr的金属电极42。
去掉抗蚀层62，依次沉积介质层17和保护膜18。这样就完成PDP1前面部分的制作(图4F)。
在上述的处理中，所需要的曝光掩模的数目为2(图4A和图4B)，和传统的PDP90的制作处理所需要的一样。而对曝光掩模的定位处理的数目为1，也和传统的处理一样。换言之，根据图4的制造方法，可以不降低由于在定位中的移动导致的生产率，形成光遮挡膜45。
图5是根据本发明的第二实施方案，一个PDP2的基本部分的截面图，它示出了放电空间的前面部分。在PDP2中，具有和反转间隙S2同样宽度的光遮挡膜46提供在一个玻璃基片11的内表面上。和图3的光遮挡膜45一样，在平面图中，光遮挡膜46以带状形沿显示行延伸，并形成一个条纹光遮挡图案。
对于PDP2的制作，在玻璃基片11上形成成对电极X和Y。并在反转间隙S2上涂覆具有600度或更高温度的耐热性的黑色颜料，如氧化铁或氧化钴，形成光遮挡膜46。涂覆低熔点的玻璃，并在500度至600度下退火，形成介质层17。
更为可取的是，光遮挡膜46的厚度小于单个显示电极厚度，以便得到平坦的介质层17表面。另外，希望以两层形成介质层17，而且对每一层进行退火。尤其是，对涂在基片上的相对薄的低熔点的玻璃粘剂涂层和粘剂进行退火，形成下面的介质层17a。接着涂覆另外一种低熔点的玻璃粘剂覆层，得到所要求厚度的介质层17，对玻璃粘剂退火得到上面的介质层17b。由于和光遮挡膜46相接触而形成的下介质层17a较薄，可以减少在退火期间由于低熔点玻璃的软化引起的黑色颜料的延伸，而且可以防止由于不需要光遮挡膜的扩散所引起的亮度的降低。当设置下介质层17a的厚度，使其为光遮挡膜46宽度的1/10或更小时，基本上不出现颜料的延伸。
应当注意，可以通过设定对下介质层17a的退火温度低于软化低熔点玻璃的温度来防止光遮挡膜46的不必要扩散。在这种情况下，可以以同样的厚度形成下介质层17a和上介质层17b，比下介质层17a薄形成上介质层17b。
图6是根据本发明第三个实施方案的PDP3的基本部分的截面图，并示出放电空间的前面结构。在PDP3中，在介质层17高的方向上的中间部分，对每一个反转间隙提供一个光遮挡膜47。和图3的光遮挡膜45一样，在平面图中，光遮挡膜47以带状形沿显示行延伸，并形成一个条纹光遮挡图案。
光遮挡膜47的宽度W47大于反转间隙S2的宽度W2，而小于靠近将反转间隙S2夹在期间的金属电极42的放电间隙S1的边的间隔W22，换言之，选择光遮挡膜47的平面尺寸，使其部分和金属电极42重叠。在这种结构下，可以容易地排列光遮挡膜47，使其完全和反转间隙S2重叠，而不和显示行中的光发射部分重叠。光遮挡膜47和电极41及42分开这一点很重要。
图7是根据本发明第四个实施方案的PDP4的基本部分的截面图。在X和Y电极41及42和玻璃基片10之间形成图2中所示的光遮挡膜45。在图7所示的PDP4中，在X和Y电极41及42间的反转间隙S2区域形成光遮挡膜49，以使它们部分地和X和Y电极41及42重叠，这类似于图2中的结构。由于光遮挡膜49的形成，使得其遮挡显示行L间的反转间隙S2区域。然而，这种结构的制作过程不同于在图2中的制作过程，含有黑色颜料的光遮挡膜49在提供X和Y电极41及42之后形成。在后面将详细说明这个制作过程。
在图7所示的PDP4的结构中，重要的是使光遮挡膜49和电极X和Y一直重叠到总线电极42的中部附近，形成Cr/Cu/Cr三层的结构。换言之，在总线电极42为用于透明电极41的高电阻材料提供一个高导电率的同时，电极42本身具有光遮挡层的特性。当形成光遮挡膜49，使其与总线电极42重叠时，除显示区域L外的部分，全部被遮挡。
图8是一个根据本发明的第五个实施方案的PDP5的基本部分截面图。在PDP5中，在X和Y电极41及42之间，以一定的间隔形成光遮挡膜48而不和它们相接触。当在X和Y电极41及42之间的非显示区的距离为500微米时(作为一个例子，一个42英寸的PDP)，从电极41和42，以大约20微米的间隔形成光遮挡膜48。从制作处理的观点来看，这种结构是可取的，即使显示行L间的空间不完全闭合。更特殊地，和图7中的PDP4一样，可以在X和Y电极41及42提供之后形成光遮挡膜48。另外，光遮挡膜48的退火可以和由低熔点的玻璃制成、形成在其上的介质层17的退火过程一起进行。由于在高温的退火处理中，光遮挡膜48不和电极41和42接触，可以完成稳定的处理。这将在后面详细说明。
在图8所示的PDP5的结构中，由于光遮挡膜48的宽度明显小于非显示区域W22，有足够的空间，使得在进行光遮挡膜48的对准(定位)时，可以容易地形成光遮挡膜48，而不与显示行L重叠。
图9A至9E和10A至10C是说明分别制作如图5，7和8所示的第二、第四和第五个实施方案的PDP的方法的示意图。
如图9A所示，在一个玻璃基片11上形成钝化膜例如氧化硅膜(未示出)之后，通过溅射，横跨整个表面形成一个透明电极层41。用ITO，以大约0.1微米的厚度形成透明电极41。然后，用普通的石印处理中，以条纹图案形成透明电极，提供宽度大约为180微米的电极41。
接着，如图9B所示，通过溅射，在整个表面上形成作为总线电极、厚度大约为1微米的具有三层结构Cr/Cu/Cr的一个金属层42。进行普通的石印处理，将金属层42形成大约为60微米的图案。如先前所述，形成总线电极42，使得其位于和紧密相对的电极41的侧边相的一边的一端。
为形成X和Y电极41和42，在玻璃基片11放于一个高真空室中后，在其上面进行溅射。由于不在玻璃基片11上形成含由黑色颜料的光遮挡膜，可以稳定地进行真空下的溅射。
然后，如图9C所示，通过丝网印刷，形成一个含有黑色颜料的光敏抗蚀剂层71。例如，黑色颜料可为锰(Mn)、铁(Fe)或铬(Cr)的氧化物。这样的一种颜料和含有光敏材料的光敏抗蚀剂混合。例如使用Tokyo Ohka Kogyo联合有限公司的一种颜料色散光敏抗蚀剂(产品名称：CFPRBK)。
在此之后，如图9D所示，最终结构通过预定的掩模图案曝光而形成。然后，在例如120度-200度的干燥空气中对这个结构进行大约2-5分钟的烘干(干燥)，形成光遮挡膜49。在图9D所示的例子中，对于图7所示的PDP，对光遮挡膜49进行图案形成，以与X和Y电极41及42重叠。
当使用不同的掩模图案时，光遮挡膜48可以和X和Y电极41及42分开，如图9E所示。这个结构相应于图8所示的PDP5的结构。类似地，可以如图5中所示的结构形成光遮挡膜46。
如上所述，聚合物有机材料的光敏抗蚀层用于光遮挡膜48和49。如果为稳定起见，先于电极41的形成，形成光遮挡膜，并进行退火，就可能由于光遮挡膜的不均匀表面导致电极41的接触变差。根据这个观点，图9中的处理是一个有效的处理。
图10A至10C是在光遮挡膜上形成一个介质层17和一个MgO保护膜的一种方法的截面图。利用如图8和9E所示的、电极41和42相分开形成的光遮挡膜48，给出这个例子的说明。
在图10中所示的介质层17的制作过程中，对光遮挡膜48的退火也和对介质层17的退火过程一起进行。为了介质层17的形成，在基片的表面，涂一种含有作为主要元素的氧化铅(PbO)的低熔点玻璃粘剂，然后进行退火。这个处理至少涉及两个过程：下介质层17a和上介质层17b的涂覆和退火。特别地，作为一种用于下介质层17a的材料，选择一种其粘性在退火环境中并不降低而且不容易与透明电极41的ITO和总线电极42的铜(Cu)反应的混合物。例如这样的混合物可为含有PbO/SiO2/B2O3/ZNO的玻璃粘剂，并且含有相对大量的SiO2。
作为一种用于上介质层17b的材料，选择一种其粘性在退火环境中降低足够多而表面得到平整的混合物。对于这样的混合物，可为选择含有PbO/SiO2/B2O3/ZnO的玻璃粘剂，并且含有相对少量的SiO2。
如图10A所示，在玻璃基片11的表面上涂覆含有PbO/SiO2/B2O3/ZnO、并含有相对大量SiO2的玻璃粘剂，然后在580度至590度的干燥空气中对基片11退火大约60分钟。在退火温度下，玻璃粘剂的粘性并不降低很大而且不容易与透明电极41的ITO和总线电极42的铜(Cu)反应。另外，玻璃粘剂和光遮挡膜48同时进行退火，因此和光遮挡膜48先于电极41和42的形成的例子相比，可以实现退火过程中的时间及劳动量的节省。
然后，如图10B所示，形成上介质层17b。以和下介质层17a相同的方式，使用玻璃粘剂涂覆基片，并在580度至590度的干燥环境中对其退火大约60分钟。可取的是玻璃粘剂为一种含有PbO/SiO2/B2O3/ZnO、并含有相对少量SiO2的粘剂，如上所述。结果，形成一个具有平坦表面的介质层17。
最后，围绕玻璃基片11(未示出)的边缘形成用于密封的一种低熔点的厚层，然后如图10C所示，形成作为保护膜的MgO膜18。
虽然在图10所示的处理中，和电极41和42分离开形成光遮挡膜48，但是如先前所述，光遮挡膜可能如图5和7中所示的PDP2和4，和电极41相接触。虽然道理不好理解，当其上的光遮挡膜和电极41及42相接触的基片位于接近600度的退火环境时，光遮挡膜可能变成褐色，为防止这种情形，和光遮挡膜48的方式一样，把光遮挡膜和电极41及42分离开可能是有效的。为方便起见，在这种情况下，将分离间隔称为防止颜色变化间隙。
图11是一个光遮挡膜48形成在面板显示区外围的一个PDP的平面图。图12是一个沿图11中的XX-YY线剖开的局部截面图。如上所述，通过在显示行L1，L2和L3间的区域中的X和Y电极之间形成光遮挡膜48，增加了显示器的对比度。在图11中，光遮挡膜48也形成在外围区域。
在PDP中，为防止偶然放电的出现，在公用为显示电极的成对电极X和Y电极X1，Y1，X2，Y2，X3和Y3的外围部分形成虚设X和Y电极DX和DY。也通过虚设电极DX和DY间的频繁放电，阻止显示器中不需要的壁电荷的积累。在外围区域放电和荧光层的曝光引起显示区域中对比度的降低。因此，如图11所示，在虚设电极DX和DY(在图11中表示为DUMMY)和形成总线42的引线42R的外围区域PE上形成光遮挡膜48。由点划线表示的EX为面板上的显示屏框，并且在框EX的一个位置上形成一个封装件50，用以封装玻璃基片。在图12的截面图中，示出形成在MgO膜18上的前玻璃基片11和封装件50，而省略了后玻璃基片。
通过一个软电缆线(未示出)，总线电极42的引线42R和外围的控制器相连。因此，由封装件50，在总线电极42的引线42R的部分，将两个玻璃基片密封在一起。
已经给出了在光遮挡膜48上形成介质层17并在大约600度退火的说明，如图10A至10C所示。如果显示电极和光遮挡膜互相接触，光遮挡膜48的黑色可能改变。虽然这个道理不是很清楚，但可能在退火处理中，互相接触的显示电极和光遮挡膜趋于电离，而低熔点的玻璃粘剂从含在黑色材料中Mn，Fe和Cu的氧化物中吸收氧离子，而使氧元素减少。因此，为防止颜色变化的有效办法是将活跃电离氧的氧化剂和形成在光遮挡膜中、含有黑色颜料的感光剂混合。
在这种方法下，使用的特定氧化剂为NaNO3，BeO2等。结果，证实没有出现颜色变化，即使完成退火处理过程后。
由于没有光从PDP的内部泄漏到外部，光遮挡膜可以增加PDP中的显示器的对比度。然而，由于黑颜色的缘故，外部光有规律地从光遮挡膜48和玻璃基片11之间的物相边界处反射，而由于这种有规律的反射，出现一个作为镜象的图象。有时，看显示屏很吃力。即使在不形成光遮挡膜的传统结构中，成对电极间的反射也出现在后基片的地址电极的表面。为防止在光遮挡膜48和玻璃基片11间的物相边界处出现有规律的反射，在光遮挡膜中混入一种低熔点的玻璃粉末。
低熔点的玻璃粉末和介质层17的材料一样，并在例如有机光敏抗蚀剂71中含大约50％。因此，感光剂71含有一种黑色颜料和低熔点的玻璃粉末。虽然，如在传统方式中，外来光有规律的反射出现在前玻璃基片11的外表面，光遮挡膜48的折射率在物相边界接近玻璃基片11，而反射率因此降至1/2。另外，光被含在光遮挡膜48中的黑色颜料吸收，反射光也因此减少了。因此，基本上减少了显示屏上有规律的反射，使由于镜象图象引起的不清晰显示得到改进。
当低熔点的玻璃粉末没有混入光遮挡膜48中时，正常折射率大约为8％(玻璃外表面为4％而物相边界处为4％)，当低熔点的玻璃粉末混入光遮挡膜48中时，正常折射率降为6％(玻璃外表面为4％而物相边界处为2％)。
如上所述，形成光遮挡膜以增加显示屏的对比度。为此，在有机光敏抗蚀剂71中混入一种氧化剂，以防止在退火处理中颜色的变化。并且混入低熔点的玻璃，以防止有规律的反射。
作为防止光遮挡膜变色的一种方法，提出了一种在显示电极涂有一个薄绝缘膜如SiO2，以防止光遮挡膜和显示电极相接触的方法。
图13是一个PDP的改进方案的截面图，示出了前玻璃基片11和一个后玻璃基片12。在改进方案中，对光遮挡膜48，在显示行L间的区域中的前玻璃基片11的外表面上形成光遮挡膜48A；在介质层17的内部形成光遮挡膜48B；而在位于后玻璃基片21上的荧光膜24上方形成光遮挡膜48C。
不管光遮挡膜48所形成的位置如何，可防止发自荧光膜24的光泄漏到前面。
虽然上面所说明的是发射型PDP1-5，但本发明也可应用于一个荧光层28形成在一个前玻璃基片11上的透射型PDP。而且光遮挡膜可以形成在玻璃基片11的外表面。应注意，在这种情况下，需要进行玻璃基片间的定位处理。
根据本发明，可以对显示行间的非发光区加以遮挡，使该非发光区不被注意到，从而增加显示器的对比度。
根据本发明，可以防止荧光层表面上的外来光的反射，而且提供一个具有高对比度的显示器。
根据本发明，不仅在显示行间的区域，还可在金属电极的表面防止外来光的反射，可以得到一个具有高对比度的显示器。
根据本发明，在形成介质层的处理中，可以防止光遮挡膜的延伸，因而可以防止亮度的降低。
根据本发明，由于可以不增加用于图案形成掩模定位处理的次数，可以维持高的生产率，并可以增加显示器的对比度。
根据本发明，在形成显示电极后，可以一起形成光遮挡膜和介质层，并进行退火，并可以进行相对稳定的处理。
Claims (20)
1.一种表面放电等离子体显示面板，具有一对其间有一放电间隙的前、后基片，和多个沿各显示行延伸并形成在前或后基片的内表面上的成对电极，表面放电等离子体显示面板还包括：
一个具有沿显示行延伸、形成在前基片的内表面或外表面上以便与相邻显示行间的各区域重叠、并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜。
2.一种表面放电等离子体显示面板，具有一对其间有一放电间隙的前、后基片，多个沿各显示行延伸并形成在前基片的内表面上的成对电极，和提供在后基片的内表面上的荧光物质，表面放电等离子体显示面板还包括：
一个具有沿显示行方向延伸并具有比荧光物质暗的颜色、形成在前基片的内表面或外表面上以便与相邻显示行间的各区域重叠、并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜。
3.根据权利要求2的表面放电等离子体显示面板，还包括：
一个形成在前基片的内表面上，用以覆盖显示电极的介质层，其中光遮挡膜形成在前基片和介质层之间。
4.根据权利要求2的表面放电等离子体显示面板，还包括
一个形成在前基片的内表面上，用以覆盖显示电极的介质层，其中光遮挡膜提供在介质层的高方向上的中间部分，并和显示电极分离开。
5.根据权利要求3的表面放电等离子体显示面板，其中
显示电极包括一个透明导电层，
光遮挡膜由含有Mn、Fe和Cu的黑色材料制成，并位于显示电极之间，和显示电极以一个防止颜色变化间隙分离开。
6.根据权利要求2的表面放电等离子体显示面板，其中
显示电极包括一个透明电极和一个比透明电极窄并与靠近非发光区的透明电极相重叠的金属电极，而
遮挡膜提供在显示电极的前边，以便与金属电极两边重叠。
7.用于制作一种表面放电等离子体显示面板的方法，其中表面放电等离子体显示面板具有一对其间有一放电间隙的前、后基片，和多个沿各显示行延伸并形成在前或后基片的内表面上的成对电极和提供在后基片的内表面上的荧光物质，该方法包括下列步骤：
在前基片的内表面上形成上显示电极；
在前基片的内表面上形成一个具有沿显示行方向延伸并具有比荧光物质颜色深的光遮挡膜，该膜与相邻显示行间的各区域重叠，并夹在显示电极之间；
在前基片的内表面上涂覆具有第一厚度的一个介质层，用以覆盖显示电极和光遮挡膜，并对介质层进行退火；并且
所说的介质层上涂覆具有大于第一厚度的第二厚度的另外一个介质层，并对该另一介质层进行退火。
8.用于制作一种表面放电等离子体显示面板的方法，其中表面放电等离子体显示面板具有一对其间有一放电间隙的前、 后基片， 和多个沿各显示行延伸并形成在前基片的内表面上的成对电极和提供在后基片的内表面上的荧光物质，该方法包括下列步骤：
在前基片的内表面上形成上显示电极；
在前基片的内表面上形成一个具有沿显示行方向延伸并具有比荧光物质颜色深的光遮挡膜，该膜与相邻显示行间的各区域重叠，并夹在显示电极之间；
在前基片的内表面上涂覆具有第一厚度的一个介质层， 用以覆盖显示电极和光遮挡膜，并对介质层以低于介质层的软化温度的第一温度进行退火；并且
在所说的介质层上涂覆另外一个介质层，并对该另外的介质层进行退火。
9.用于制作一种表面放电等离子体显示面板的方法，其中表面放电等离子体显示面板具有一对其间有一放电间隙的前、 后基片， 和多个沿各显示行延伸并形成在前基片的内表面上的成对电极和提供在后基片的内表面上的荧光物质，该方法包括下列步骤：
在前基片的内表面上形成一个具有沿显示行方向延伸并具有比荧光物质颜色深的光遮挡膜，该膜与相邻显示行间的各区域重叠，并夹在显示电极之间；
在前基片的内表面上涂覆具有第一厚度的一个介质层，用以覆盖显示电极和光遮挡膜，并对介质层进行退火；
涂覆一种经曝光降低可溶性的感光材料，以覆盖光遮挡膜和透明电极，将感光材料暴露到在来自前基片的外边的光线中，对感光材料显影以形成光遮挡膜条纹之间的一个抗蚀层；并且
通过电镀有选择地在透明电极的曝光部分形成一个金属电极。
10.一种等离子体显示面板，具有一对其间有一放电间隙的基片和多个沿各显示行延伸并形成在一个基片的内表面上的成对电极，在成对电极之间引起的放电，等离子体显示面板包括：
一个具有沿显示行方向延伸、形成一个基片的内表面上，以便与相邻显示行间的各区域重叠并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜，
其中，使所说的显示电极部分和光遮挡膜重叠。
11.一种等离子体显示面板，具有一对其间有一放电间隙的基片和多个沿各显示行延伸并形成在一个基片的内表面上的成对电极，在成对电极之间引起的放电，等离子体显示面板包括：
一个具有沿显示行方向延伸、形成一个基片的内表面上，以便与相邻显示行间的各区域重叠并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜，
其中，使光遮挡膜和所说的显示电极的边相接触。
12.一种等离子体显示面板，具有一对其间有一放电间隙的基片和多个沿各显示行延伸并形成在一个基片的内表面上的成对电极，在成对电极之间引起的放电，等离子体显示面板包括：
一个具有沿显示行方向延伸、形成在一个基片的内表面上，以便与相邻显示行间的各区域重叠并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜，
其中，使光遮挡膜和所说的显示电极相分开。
13.一个等离子体显示面板，具有一对其间有一放电间隙的基片和多个沿各显示行延伸并形成在一个基片的内表面上的成对电极，在成对电极之间引起的放电，等离子体显示面板包括：
一个具有沿显示行方向延伸、形成一个基片的内表面上，以便与相邻显示行间的各区域重叠并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜，
其中，使光遮挡膜和所说的显示电极部分地重叠。
14.一种等离子体显示面板，具有一对其间有一放电间隙的基片和多个沿各显示行延伸并形成在一个基片的内表面上的成对电极，在成对电极之间引起的放电，等离子体显示面板包括：
一个具有沿显示行方向延伸、形成在一个基片的内表面上，以便与相邻显示行间的各区域重叠并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜，
其中，所说的光遮挡膜还提供在一个有效显示区的外围区域。
15.根据权利要求1、2、3、4、5、6、10、11、12、13或14的一种等离子体显示面板，其中
所说的前或一个基片包括一个玻璃基片，并且
光遮挡膜含有玻璃材料。
16.用于制作一种表面放电等离子体显示面板的一种方法，其中，表面放电等离子体显示面板具有一对其间有一放电间隙的基片和多个沿各显示行延伸并形成在一个基片的内表面上的成对电极，成对电极间引起的放电，该方法包括下列步骤：
在一个基片上形成多个成对显示电极；
在显示电极和一个基片上形成一个含有深色颜料的一种膜，对该膜进行图案形成，以形成一个沿显示行方向延伸、与相邻显示行间的各区域重叠并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜；并且
在显示和光遮挡膜上形成一个介质粘剂层，并在一个预定的温度上对介质材料层退火。
17.用于制作权利要求16所述的等离子体显示面板的一种方法，其中
所说的含有膜的黑色颜料由一种感光材料制成，并且包含膜的黑色颜料和介质粘层同时退火。
18.用于制作权利要求16或17所述的等离子体显示面板的一种方法，其中
其中所说的含有膜的黑色颜料还含有一种氧化剂。
19.用于制作权利要求16或17所述的等离子体显示面板的一种方法，其中
所说的形成介质层并对其进行退火的步骤包括：
形成具有第一粘性的第一介质粘层，并对其在一个退火温度下退火的步骤，和
形成具有低于第一粘性的第二粘性第二介质粘层，并对其在退火温度下退火的步骤。
20.一种具有一对其间有一放电间隙的前和后基片的表面放电等离子体显示面板，其中
所说的前基片为透明的，并且包括相应于其内表面的多个显示行的多个成对电极，而
所说的后基片在其内表面上包括在和显示电极相交的多个地址电极，提供在相邻电极之间的多个栅格凸棱，和具有一个形成在相邻栅格凸棱之间、以覆盖地址电极的条纹图案的荧光层，
所说的表面放电等离子体显示面板包括：
一个具有一个沿显示行方向延伸并具有比荧光物质颜色深的、形成在前基片的内表面或外表面上以便与相邻显示行间的各区域重叠、并夹在显示电极之间的带状光遮挡膜；
其中栅格凸棱包括一个比荧光物质黑的顶端部分，和由互相交叉的光遮挡膜和栅格凸棱提供一个栅格形黑图案，以构成所说的各显示行的多个显示点的边界。
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Cited By (12)
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|---|---|---|---|---|
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