CN115308829A - 多层滤光结构及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种多层滤光结构及其制作方法，前述的多层滤光结构包含一基板、一滤光层以及一图案化遮光层，前述的多层滤光结构的制作方法包含提供一基板、进行一滤光层沉积步骤、进行一光阻涂布步骤、进行一选择性曝光步骤、进行一遮光层沉积步骤以及进行一光阻剥离步骤。借此，可得具有多种可选颜色及高测距准确度或高侦测准确度的多层滤光结构。

Description

多层滤光结构及其制作方法

技术领域

本发明是有关于一种多层滤光结构及其制作方法，特别是一种具有多种可选颜色及高测距准确度或高侦测准确度的多层滤光结构及其制作方法。

背景技术

滤光片可以穿透或截止特定波长或波段的光，常用来提高光信号强度或成像的清晰度，在诸如摄影、光学仪器、照明设备、面板等领域均有广泛应用。

滤光片亦可通过其通带范围区分为数种种类，其中近红外光滤光片可使接近可见光波段的红外光穿透滤光片结构，然传统近红外光滤光片其颜色因其性质多受限于深色，导致其美观性或隐蔽性受限，且传统近红外光滤光片在应用于测距、侦测等范畴的设备时，常因侦测到环境光源或设备自身发射的光线反射等杂讯造成侦测准确度下降。

综上所述，发展一种具有多种可选颜色及可提高测距或侦测准确度的多层滤光结构及其制作方法，实为一重要的发展目标。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种多层滤光结构及其制作方法，通过图案化遮光层的设置降低侦测杂讯，及通过滤光片材质的选择调整多层滤光结构的颜色，达到提升多层滤光结构的侦测准确度，并提升其美观性及隐蔽性的效果。

本发明的一实施方式提供一种多层滤光结构，包含一基板、一滤光层以及一图案化遮光层。滤光层设置于基板的表面，所述滤光层具有一第一表面，第一表面远离于基板，且滤光层包含多个高折射率薄膜以及多个低折射率薄膜，其中低折射率薄膜与高折射率薄膜相互交叠设置。图案化遮光层设置于滤光层的第一表面，所述图案化遮光层包含多个金属材料膜以及多个介电质膜，其中介电质膜与金属材料膜相互交叠设置。

依据前述的多层滤光结构，其中滤光层在光波长为700nm至1400nm可具有至少一通带，且所述至少一通带的穿透率为T₁，其可满足下列条件：T₁>70％。更佳地，T₁>95％。

依据前述的多层滤光结构，其中波长为400nm至1400nm的光于各高折射率薄膜的折射率为n₁，波长为400nm至700nm的光于各高折射率薄膜的消光系数为k₁₁，波长为800nm至1400nm的光于各高折射率薄膜的消光系数为k₁₂，波长为400nm至1400nm的光于各低折射率薄膜的折射率为n₂，波长为400nm至1400nm的光于各低折射率薄膜的消光系数为k₂，其可满足下列条件：k₁₁>0.01；k₁₂<0.01；k₂<0.01及n₁>n₂。

依据前述的多层滤光结构，其中高折射率薄膜可为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氢化锗薄膜、二氧化锆薄膜或其混合物薄膜，低折射率薄膜可为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氟化镁薄膜或其混合物薄膜。

依据前述的多层滤光结构，其中各高折射率薄膜的一厚度为3nm至800nm，各低折射率薄膜的一厚度为3nm至800nm。

依据前述的多层滤光结构，其中滤光层可具有黑色、蓝色、绿色、黄色或红色的一颜色，且滤光层在CIELAB色彩空间座标中的L^*值<40。

依据前述的多层滤光结构，其中滤光层在光波长为400nm至700nm的反射率为R₁，滤光层在光波长为400nm至700nm的穿透率为T₂，滤光层在光波长为400nm至700nm的吸收率为A₁，其可满足下列条件：R₁<20％；T₂<20％及A₁>70％。更佳地，R₁<5％；T₂<1％；A₁>95％。

依据前述的多层滤光结构，其中滤光层可具有银色、蓝色、绿色、黄色或红色的一颜色，且滤光层在CIELAB色彩空间座标中的L^*值>60。

依据前述的多层滤光结构，其中滤光层在光波长为400nm至700nm的反射率为R₂，其可满足下列条件：R₂>40％。

依据前述的多层滤光结构，其中图案化遮光层可具有低反射率及低穿透率。

依据前述的多层滤光结构，其中金属材料膜可为钽膜、钛膜、铌膜、铝膜、锆膜或其混合物膜，介电质膜可为五氧化二钽膜、二氧化硅膜、二氧化钛膜、五氧化二铌膜、氧化铝膜、二氧化锆膜或其混合物膜。

本发明的另一实施方式提供一种多层滤光结构制作方法，包含提供一基板、进行一滤光层沉积步骤、进行一光阻涂布步骤、进行一选择性曝光步骤、进行一遮光层沉积步骤以及进行一光阻剥离步骤。进行一滤光层沉积步骤是以一第一物理气相沉积方式于基板的一表面沉积多个高折射率薄膜及多个低折射率薄膜，其中低折射率薄膜与高折射率薄膜相互交叠设置，形成一滤光层，滤光层具有一第一表面，其远离于基板。进行一光阻涂布步骤是以一涂布方式将一液态光阻或一干膜光阻涂布于第一表面，以形成一光阻层。进行一选择性曝光步骤是以一曝光机及一光罩对光阻层进行选择性曝光，并以一显影剂进行显影，形成一图案化光阻，图案化光阻连接于第一表面，且具有一第二表面，其远离于滤光层。进行一遮光层沉积步骤是以一第二物理气相沉积方式于滤光层的第一表面及图案化光阻的第二表面沉积多个金属材料膜及多个介电质膜，其中金属材料膜与介电质膜交互堆叠设置，并于第一表面形成一图案化遮光层，于第二表面形成一含图案化光阻的遮光层。进行一光阻剥离步骤是以一光阻剥离剂去除含图案化光阻的遮光层，以形成一多层滤光结构。

依据前述的多层滤光结构制作方法，其中各高折射率薄膜的一沉积厚度可为3nm至800nm，各低折射率薄膜的一沉积厚度可为3nm至800nm。

依据前述的多层滤光结构制作方法，其中高折射率薄膜可为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氢化锗薄膜、二氧化锆薄膜或其混合物薄膜，低折射率薄膜可为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氟化镁薄膜或其混合物薄膜。

依据前述的多层滤光结构制作方法，其中金属材料膜可为钽膜、钛膜、铌膜、铝膜、锆膜或其混合物膜，介电质膜可为五氧化二钽膜、二氧化硅膜、二氧化钛膜、五氧化二铌膜、氧化铝膜、二氧化锆膜或其混合物膜。

借此，本发明的多层滤光结构及其制作方法通过图案化遮光层的设置降低侦测杂讯，及通过滤光片材质的选择调整多层滤光结构的颜色，达到提升多层滤光结构的侦测准确度，并提升其美观性及隐蔽性的效果。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下：

图1是绘示本发明一实施方式的多层滤光结构的结构示意图；

图2A是绘示已知的单层结构的串扰、杂讯与反射衰减光线路径示意图；

图2B是绘示本发明的多层滤光结构的串扰、杂讯与反射衰减光线路径示意图；

图3是绘示本发明的多层滤光结构制作方法的步骤流程图；以及

图4A、图4B、图4C和图4D是绘示本发明的多层滤光结构制作方法的示意图。

【符号说明】

100:多层滤光结构

110,211,300:基板

120,221:滤光层

121,222:高折射率薄膜

122,223:低折射率薄膜

123,224:第一表面

130,251:图案化遮光层

131,252:金属材料膜

132,253:介电质膜

200:多层滤光结构制作方法

210,220,230,240,250,260:步骤231:光阻层

241:图案化光阻

242:第二表面

254:含图案化光阻的遮光层

E,E_a,E_b:光源

O_a,O_b:目标物

R,R_a,R_b:侦测器

R_1a,R_1b,R_2a,R_2b,R_3a,R_3b,R_4a,R_4b,R_Ca,R_Cb:路径

W1,W2:宽度

具体实施方式

以下将参照附图说明本发明的多个实施例。为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施例中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示，并且重复的元件将可能使用相同的编号表示。

请参照图1，图1是绘示本发明一实施方式的多层滤光结构100的结构示意图，多层滤光结构100包含基板110、滤光层120、图案化遮光层130。基板110可为透明的玻璃或塑胶材质，但本发明并不以此为限。滤光层120设置于基板110的一表面，且具有第一表面123，第一表面123远离于基板110。此外滤光层120包含多个高折射率薄膜121及多个低折射率薄膜122，其中低折射率薄膜122与高折射率薄膜121相互交叠设置。图案化遮光层130设置于滤光层120的第一表面123，且包含多个金属材料膜131及多个介电质膜132，其中介电质膜132与金属材料膜131相互交叠设置。

多层滤光结构100的滤光层120在光波长为700nm至1400nm可具有至少一通带，且所述至少一通带的穿透率为T₁，其可满足以下条件：T₁>70％。更佳地，T₁>95％。详细来说，滤光层120的高折射率薄膜121及低折射率薄膜122的折射率及消光系数不同，波长400nm至1400nm的光于各高折射率薄膜121的折射率为n₁，波长为400nm至700nm的光于各高折射率薄膜121的消光系数为k₁₁，波长为800nm至1400nm的光于各高折射率薄膜121的消光系数为k₁₂，波长为400nm至1400nm的光于各低折射率薄膜122的折射率为n₂，波长为400nm至1400nm的光于各低折射率薄膜122的消光系数为k₂，其中n₁、k₁₁、k₁₂、n₂及k₂可满足以下条件：k₁₁>0.01；k₁₂<0.01；k₂<0.01及n₁>n₂。通过高折射率薄膜121与低折射率薄膜122的折射率及消光系数差异，可使滤光层120具备在光波长为700nm至1400nm具有至少一通带，且通带的穿透率为T₁大于70％的效果，并可减少光线穿透滤光层120及基板110的界面时所造成的光线强度衰减。

详细来说，高折射率薄膜121的材质可为氧化铝、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氢化硅、氮化硅、氢化锗、二氧化锆或其混合物，低折射率薄膜122的材质可为氧化铝、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氢化硅、氮化硅、氟化镁或其混合物。各高折射率薄膜121的厚度可为3nm至800nm，各低折射率薄膜122的厚度可为3nm至800nm，但本发明并不以此为限。

本发明的多层滤光结构100可通过对高折射率薄膜121及低折射率薄膜122的不同材质组合，以调控滤光层120的亮度、反射率、穿透率、吸收率及颜色。详细来说，于本发明中以国际照明委员会(CIE)所提出的CIELAB色彩空间进行多层滤光结构颜色亮度的定义，其中于CIELAB色彩空间中，以L^*值表示颜色的亮度(L^*＝0代表黑色，L^*＝100代表白色)，以a^*表示颜色的绿红值(a^*值为负值时代表绿色，a^*值为正值时代表红色)，以b^*表示颜色的蓝黄值(b^*为负值时代表蓝色，b^*值为正值时代表黄色)，借此色彩模型定义本发明的多层滤光结构的亮度。

详细来说，当滤光层120具有黑色、蓝色、绿色、黄色或红色的一颜色，且滤光层120在CIELAB色彩空间座标中的L^*值<40时，滤光层120在光波长为400nm至700nm的反射率为R₁，滤光层120在光波长为400nm至700nm的穿透率为T₂，滤光层120在光波长为400nm至700nm的吸收率为A₁，其可满足下列条件：R₁<20％；T₂<20％及A₁>70％。更佳地，R₁<5％；T₂<1％及A₁>95％。当滤光层120具有银色、蓝色、绿色、黄色或红色的一颜色，且滤光层120在CIELAB色彩空间座标中的L^*值>60时，滤光层120在光波长为400nm至700nm的反射率为R₂，其可满足下列条件：R₂>40％。借此，本发明的多层滤光结构100的滤光层120可针对所需的性质进行调整，亦有多种颜色可以选择，除可针对特定的应用对多层滤光结构100的性质进行客制化，也提升其美观性及隐蔽性。

多层滤光结构100的图案化遮光层130可具有低反射率及低穿透率，其反射率及穿透率均可小于1％。更佳地，其反射率可小于0.05％，其穿透率可小于0.001％，但本发明并不以此为限。详细来说，当多层滤光结构100应用于测距、侦测等相关设备或元件时，其更可搭配一光源E及一侦测器R进行使用，其中光源E及侦测器R各自独立设置于图案化遮光层130的空缺部分，当侦测器R接收来自光源E发出的光线时，图案化遮光层130可发挥遮蔽杂讯光线的效果，其细节会于后续段落中进行说明，在此不另赘述。

仔细来说，图案化遮光层130的金属材料膜131的材质可为钽、钛、铌、铝、锆或其混合物，介电质膜132的材质可为五氧化二钽、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二铌、氧化铝、二氧化锆或其混合物，但本发明并不以此为限。

请参照图2A，图2A是绘示已知的单层结构的串扰、杂讯与反射衰减光线路径示意图。如图2A所示，已知的单层结构仅包含基板300，其材质多为透明的玻璃或塑胶材质，当已知的单层结构应用于测距、侦测等相关设备或元件时，光源E_a所发出的光线会以路径R_Ca穿透基板300并接触目标物O_a后反射，反射光再穿透基板300接着被侦测器R_a接收，此是测距、侦测的正确光线路径。然实际应用时，会有许多串扰、杂讯与反射衰减光线以路径R_1a、路径R_2a、路径R_3a及路径R_4a等方式被侦测器R_a接收或衰减，降低测距及侦测的准确性。以下将针对所述串扰、杂讯与反射衰减光线及其路径进行详细说明。

路径R_1a是串扰光线行经的路径，其是由光源E_a所发出的光线接触基板300的底部后反射，并被侦测器R_a接收。路径R_2a是串扰光线行经的路径，其是由光源E_a所发出的光线接触基板300的顶部后反射，并被侦测器R_a接收。路径R_3a是环境杂讯光线行经的路径，其是环境光源发出的光线穿透基板300后，被侦测器R_a接收。路径R_4a是反射衰减光线行经的路径，其是行经路径R_Ca的光线在穿透各个界面时，发生的部分光线反射的现象，因反射的光线不会被侦测器R_a接收，导致侦测器R_a接收到的正确光线信号强度较弱，相较于经光源E_a所发出的光线强度，侦测器R_a接收到的正确光线信号损失了约16.5％的光线强度。由此可知，已知的单层滤光结构于测距、侦测等相关设备或元件进行应用时，其准确度较低，且所接受到的正确信号强度亦较弱。

请参照图2A及图2B，图2B是绘示本发明的多层滤光结构100的串扰、杂讯与反射衰减光线路径示意图。其中路径R_1b、路径R_2b、路径R_3b、路径R_4b、路径R_Cb与图2A中的路径R_1a、路径R_2a、路径R_3a、路径R_4a、路径R_Ca相同，在此不另赘述。

由图2B所示，以路径R_1b行经的串扰光线在接触具有低反射率及低穿透率的图案化遮光层130后仅有微量反射光被侦测器R_b接收。以路径R_2b行经的串扰光线在接触基板110的顶部反射后，被具有低反射率及低穿透率的图案化遮光层130遮蔽，故不会被侦测器R_b接收。以路径R_3b行经的环境杂讯光线在穿透基板110及滤光层120后，被具有低反射率及低穿透率的图案化遮光层130遮蔽，故不会被侦测器R_b接收。以路径R_4b行经的反射衰减光线，其强度因滤光层120的设置而下降，由于光线以路径R_Cb行经时，相较于基板110与空气的界面，基板110与滤光层120的界面造成的反射衰减光线强度较低，故相较于经光源E_b所发出的光线强度，侦测器R_b接收到的正确光线信号仅损失约10％的光线强度，光衰减改善幅度达40％，并可更加准确的侦测目标物O_b的位置。于其他实施例中，可在基板的另一表面再增加一滤光层，取代基板与空气界面，可将正确光线信号损失降至3％或更低，光衰减改善幅度可达80％以上。由此可见，相较于已知的单层滤光结构，本发明的多层滤光结构具有较高的侦测准确性，实具应用价值。

请参照图3、图4A、图4B、图4C及图4D，图3是绘示本发明的多层滤光结构制作方法200的步骤流程图。图4A至图4D是绘示本发明的多层滤光结构制作方法200的示意图。多层滤光结构制作方法200包含步骤210、步骤220、步骤230、步骤240、步骤250以及步骤260。图4A是步骤220的示意图，图4B是步骤230的示意图，图4C是步骤240的示意图，图4D是步骤250的示意图。

步骤210为提供一基板211，所述基板211可为透明的玻璃或塑胶材质，但本发明并不以此为限。

步骤220为进行一滤光层沉积步骤，其是以第一物理气相沉积方式于基板211的表面沉积多个高折射率薄膜222及多个低折射率薄膜223，其中低折射率薄膜223与高折射率薄膜222相互交叠设置，形成滤光层221，滤光层221具有第一表面224，其远离于基板211。所述第一物理气相沉积方式可为溅镀或蒸镀，但本发明并不以此为限。

详细来说，各高折射率薄膜222的沉积厚度可为3nm至800nm，其材质可为氧化铝、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氢化硅、氮化硅、氢化锗、二氧化锆或其混合物，各低折射率薄膜223的沉积厚度可为3nm至800nm，其材质可为氧化铝、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌、氢化硅、氮化硅、氟化镁或其混合物，但本发明并不以此为限。

步骤230为进行一光阻涂布步骤，其是以一涂布方式将液态光阻或干膜光阻涂布于第一表面224，以形成光阻层231。详细来说，光阻层231的厚度可为1μm至500μm，但本发明并不以此为限。

步骤240为进行一选择性曝光步骤，其是以曝光机及光罩对光阻层231进行选择性曝光，并以显影剂进行显影，形成图案化光阻241，图案化光阻241连接于第一表面224，且具有一第二表面242，其远离于滤光层221。

详细来说，光阻层231所使用的液态光阻或干膜光阻并不限于正光阻或负光阻，然为了进行清楚说明，此处以负光阻为例。进行显影时，光阻层231未经选择性曝光的部分会被溶解并移除，显露出滤光层221的第一表面224，并形成图案化光阻241，且图案化光阻241具有第二表面242，其远离于滤光层221。

步骤250为进行一遮光层沉积步骤，其是以第二物理气相沉积方式于滤光层221的第一表面224及图案化光阻241的第二表面242沉积多个金属材料膜252及多个介电质膜253，其中金属材料膜252与介电质膜253交互堆叠设置，并于第一表面224形成图案化遮光层251，于第二表面242形成含图案化光阻的遮光层254，其中光阻层231的厚度大于图案化遮光层251的厚度。所述第二物理气相沉积方式可为溅镀或蒸镀，但本发明并不以此为限。

详细来说，金属材料膜252的材质可为钽、钛、铌、铝、锆或其混合物，介电质膜253的材质可为五氧化二钽、二氧化硅、二氧化钛、五氧化二铌、氧化铝、二氧化锆或其混合物，但本发明并不以此为限。

于图4D中，含图案化光阻的遮光层254可各自独立具有宽度W1及宽度W2，其中宽度W1可为0.5～50mm，宽度W2可为0.5～50mm，含图案化光阻的遮光层254在进行移除后，其位置可分别用于设置侦测器及光源，宽度W1与宽度W2可依侦测器与光源尺寸进行微缩。但本发明并不以此为限。

步骤260为进行一光阻剥离步骤，其是以光阻剥离剂去除含图案化光阻的遮光层254，以形成多层滤光结构(图未绘示)。详细来说，步骤240中所使用的显影剂及步骤260中所使用的光阻剥离剂可各自独立为一碱性溶液或一有机溶剂，其可为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或N-甲基吡咯烷酮，但本发明并不以此为限。

综上所述，本发明的多层滤光结构及其制作方法可具有广泛应用，尤其适合应用于测距、侦测元件或设备等领域，其可通过调整高折射率薄膜及低折射率薄膜的材质调控多层滤光结构的性质及颜色，并通过滤光层及图案化遮光层的设置提高侦测准确度，使多层滤光结构同时兼具装饰性、隐蔽性及良好性能，并可根据本发明的多层滤光结构制作方法进行多层滤光结构的生产制作，故本发明的多层滤光结构及其制作方法实具发展的潜能。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (17)

1.一种多层滤光结构，其特征在于，包含：

一基板；

一滤光层，设置于该基板的一表面，该滤光层具有一第一表面，该第一表面远离于该基板，且该滤光层包含：

多个高折射率薄膜；及

多个低折射率薄膜，其中所述多个低折射率薄膜与所述多个高折射率薄膜相互交叠设置；以及

一图案化遮光层，设置于该滤光层的该第一表面，该图案化遮光层包含：

多个金属材料膜；及

多个介电质膜，其中所述多个介电质膜与所述多个金属材料膜相互交叠设置。

2.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，该滤光层在光波长为700nm至1400nm具有至少一通带，且该至少一通带的穿透率为T₁，其满足下列条件：

T₁>70％。

3.根据权利要求2所述的多层滤光结构，其特征在于，该至少一通带的穿透率为T₁，其满足下列条件：

T₁>95％。

4.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，波长为400nm至1400nm的光于各该高折射率薄膜的折射率为n₁，波长为400nm至700nm的光于各该高折射率薄膜的消光系数为k₁₁，波长为800nm至1400nm的光于各该高折射率薄膜的消光系数为k₁₂，波长为400nm至1400nm的光于各该低折射率薄膜的折射率为n₂，波长为400nm至1400nm的光于各该低折射率薄膜的消光系数为k₂，其满足下列条件：

k₁₁>0.01；

k₁₂<0.01；

k₂<0.01；及

n₁>n₂。

5.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，所述多个高折射率薄膜为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氢化锗薄膜、二氧化锆薄膜或其混合物薄膜，所述多个低折射率薄膜为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氟化镁薄膜或其混合物薄膜。

6.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，各该高折射率薄膜的一厚度为3nm至800nm，各该低折射率薄膜的一厚度为3nm至800nm。

7.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，该滤光层具有黑色、蓝色、绿色、黄色或红色的一颜色，且该滤光层在CIELAB色彩空间座标中的L*值<40。

8.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，该滤光层在光波长为400nm至700nm的反射率为R₁，该滤光层在光波长为400nm至700nm的穿透率为T₂，该滤光层在光波长为400nm至700nm的吸收率为A₁，其满足下列条件：

R₁<20％；

T₂<20％；及

A₁>70％。

9.根据权利要求8所述的多层滤光结构，其特征在于，该滤光层在光波长为400nm至700nm的反射率为R₁，该滤光层在光波长为400nm至700nm的穿透率为T₂，该滤光层在光波长为400nm至700nm的吸收率为A₁，其满足下列条件：

R₁<5％；

T₂<1％；及

A₁>95％。

10.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，该滤光层具有银色、蓝色、绿色、黄色或红色的一颜色，且该滤光层在CIELAB色彩空间座标中的L*值>60。

11.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，该滤光层在光波长为400nm至700nm的反射率为R₂，其满足下列条件：

R₂>40％。

12.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，该图案化遮光层具有低反射率及低穿透率。

13.根据权利要求1所述的多层滤光结构，其特征在于，所述多个金属材料膜为钽膜、钛膜、铌膜、铝膜、锆膜或其混合物膜，所述多个介电质膜为五氧化二钽膜、二氧化硅膜、二氧化钛膜、五氧化二铌膜、氧化铝膜、二氧化锆膜或其混合物膜。

14.一种多层滤光结构制作方法，其特征在于，包含：

提供一基板；

进行一滤光层沉积步骤，其是以一第一物理气相沉积方式于该基板的一表面沉积多个高折射率薄膜及多个低折射率薄膜，其中所述多个低折射率薄膜与所述多个高折射率薄膜相互交叠设置，形成一滤光层，该滤光层具有一第一表面，其远离于该基板；

进行一光阻涂布步骤，其是以一涂布方式将一液态光阻或一干膜光阻涂布于该第一表面，以形成一光阻层；

进行一选择性曝光步骤，其是以一曝光机及一光罩对该光阻层进行选择性曝光，并以一显影剂进行显影，形成一图案化光阻，该图案化光阻连接于该第一表面，且具有一第二表面，其远离于该滤光层；

进行一遮光层沉积步骤，其是以一第二物理气相沉积方式于该滤光层的该第一表面及该图案化光阻的该第二表面沉积多个金属材料膜及多个介电质膜，其中所述多个金属材料膜与所述多个介电质膜交互堆叠设置，并于该第一表面形成一图案化遮光层，于该第二表面形成一含图案化光阻的遮光层；以及

进行一光阻剥离步骤，其是以一光阻剥离剂去除该含图案化光阻的遮光层，以形成一多层滤光结构。

15.根据权利要求14所述的多层滤光结构制作方法，其特征在于，各该高折射率薄膜的一沉积厚度为3nm至800nm，各该低折射率薄膜的一沉积厚度为3nm至800nm。

16.根据权利要求14所述的多层滤光结构制作方法，其特征在于，所述多个高折射率薄膜为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氢化锗薄膜、二氧化锆薄膜或其混合物薄膜，所述多个低折射率薄膜为氧化铝薄膜、二氧化钛薄膜、五氧化二钽薄膜、五氧化二铌薄膜、氢化硅薄膜、氮化硅薄膜、氟化镁薄膜或其混合物薄膜。

17.根据权利要求14所述的多层滤光结构制作方法，其特征在于，所述多个金属材料膜为钽膜、钛膜、铌膜、铝膜、锆膜或其混合物膜，所述多个介电质膜为五氧化二钽膜、二氧化硅膜、二氧化钛膜、五氧化二铌膜、氧化铝膜、二氧化锆膜或其混合物膜。

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