CN115244697A

CN115244697A - 发光器件及包括其的显示器

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Publication number: CN115244697A
Application number: CN202080098020.0A
Authority: CN
Inventors: 吴元植; 金东旭; 赵显敏
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-03-03
Filing date: 2020-06-05
Publication date: 2022-10-25
Anticipated expiration: 2040-06-05
Also published as: KR20210111920A; WO2021177510A1; CN115244697B; KR102810198B1; KR20250073063A; US20230123503A1

Abstract

提供发光器件及包括该发光器件的显示器。显示器包括：第一电极，包括第一电极线和第二电极线；发光器件，设置在第一电极线和第二电极线之间；第一接触电极，包括设置成与第一电极线和发光器件的一端重叠的第一图案和设置成与第二电极线和发光器件的另一端重叠的第二图案；第二电极，设置在发光器件上并与第一电极和发光器件重叠；以及第二接触电极，设置在发光器件和第二电极之间，其中发光器件包括多个半导体层和部分地围绕多个半导体层的外表面的绝缘膜、主体单元、以及设置在主体单元上并且具有比主体单元短的发光单元。

Description

发光器件及包括其的显示器

技术领域

本公开涉及发光器件和包括该发光器件的显示装置。

背景技术

随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经不断增加。响应于此，已经使用了各种类型的显示装置，诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等。

显示装置是用于显示图像的装置，并且包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示面板。发光显示面板可以包括发光元件，例如发光二极管(LED)，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。

发明内容

[技术问题]

为了解决上述问题，本公开的实施方式提供了一种发光器件，其包括发光部分、具有与发光部分不同宽度的主体部分和具有相对大面积的有源层。

本公开的实施方式还提供了包括发光器件的显示装置。

应注意的是，本公开的方面不限于此，并且本文中未提及的其它方面向于本领域普通技术人员而言将从以下描述中显而易见。

[技术方案]

根据本公开的实施方式，显示装置包括：第一电极，包括在第一方向上延伸的第一电极线、以及在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一电极线间隔开的第二电极线；发光器件，设置在第一电极线和第二电极线之间；第一接触电极，在第一方向上延伸并且包括第一图案和第二图案，第一图案设置成与第一电极线和发光器件中的每个的一个端部分重叠，第二图案设置成与第二电极线和发光器件中的每个的另一端部分重叠；第二电极，设置在发光器件上以与第一电极和发光器件至少部分地重叠；以及第二接触电极，在第一方向上延伸并且设置在发光器件和第二电极之间，其中，发光器件是各自包括多个半导体层和围绕多个半导体层的外表面的部分的绝缘膜的发光器件，发光器件包括在第二方向上延伸的主体部分、以及设置在主体部分上并且在第二方向上具有比主体部分小的长度的发光部分。

发光器件可以包括第一发光器件和第二发光器件，第一发光器件的发光部分设置成面向第二电极，第二发光器件的发光部分设置成面向第一方向。

发光器件的主体部分中的每个可以包括在第二方向上的第一端部分和第二端部分，第一接触电极的第一图案可以设置成与第一电极线和第一端部分重叠，以及第一接触电极的第二图案可以设置成与第二电极线和第二端部分重叠。

第一电极线和第二电极线之间的距离可以小于主体部分的在第二方向上的长度，以及主体部分的长度可以小于第一图案和第二图案之间的距离。

第一图案可以设置成围绕第一端部分的至少一部分，以及第二图案可以设置成围绕第二端部分的至少一部分，但不与发光器件的发光部分接触。

第二接触电极可以与发光器件的发光部分和第二电极接触。

第一电极线和第二电极线的宽度可以小于第二电极的宽度。

根据本公开的实施方式，显示装置包括：衬底；第一电极，设置在衬底上，并且包括设置成彼此间隔开的第一电极线和第二电极线；发光器件，设置在第一电极线和第二电极线之间；第一接触电极，包括第一图案和第二图案，第一图案设置在第一电极线和发光器件的至少部分上，第二图案设置在第二电极线和发光器件的至少部分上；第二接触电极，在第一图案和第二图案之间设置在发光器件上；以及第二电极，设置在第二接触电极上，其中，发光器件包括在一个方向上延伸的主体部分和在一个方向上具有比主体部分小的长度的发光部分，第一接触电极的第一图案设置在主体部分的第一端部分上，第一接触电极的第二图案设置在主体部分的第二端部分上，以及第二接触电极设置在发光部分上。

第一接触电极的第一图案可以与发光器件的第一端部分的顶表面和侧部接触，以及第一接触电极的第二图案可以与发光器件的第二端部分的顶表面和侧部接触。

第二接触电极可以与发光部分的顶表面和侧部接触。

第二接触电极可以与直接连接到发光部分的一些部分接触。

发光器件中的每个可以包括多个半导体层和围绕多个半导体层的外表面的部分的绝缘膜，以及绝缘膜可以设置成围绕主体部分、以及发光部分的侧部，但不设置在主体部分的侧部和顶表面中的、主体部分的在其上不设置发光部分的部分上。

发光器件可以包括第一发光器件和第二发光器件，第一发光器件的发光部分设置成面向衬底的向上方向，第二发光器件的发光部分设置成面向与衬底的顶表面平行的方向。

在发光器件的第一端部分中，发光器件中的每个的多个半导体层的顶表面和侧部的在其中不设置绝缘膜的部分可以暴露，以及第一发光器件的与第一图案接触的表面和第一端部分的顶表面可以平行于衬底的顶表面。

第二发光器件的与第一图案接触的表面和第一端部分的顶表面可以垂直于衬底的顶表面。

根据本公开的实施方式，发光器件包括：多个半导体层；以及绝缘膜，围绕多个半导体层的外表面的部分；其中，多个半导体层包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层、以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源层，发光器件包括在一个方向上延伸的主体部分、以及设置在主体部分上并且在一个方向上具有比主体部分小的长度的发光部分，以及有源层设置在发光部分上。

发光器件还可以包括：子半导体层，设置在第一半导体层下方；以及电极层，设置在第二半导体层上。

第一半导体层可以包括设置在主体部分上的第一部分和从第一部分的顶表面的一部分突出的第二部分，以及有源层可以设置在第一半导体层的第二部分上。

主体部分的宽度可以与发光部分的宽度相同，以及主体部分和发光部分的高度之和可以小于主体部分的在一个方向上的长度。

绝缘膜可以设置在主体部分的在宽度的方向上的两个表面上，以围绕发光部分的侧部，并且绝缘膜不设置在主体部分的顶表面的在其上不设置发光部分的部分上。

其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。

[有益效果]

根据本公开的实施方式，发光器件可以包括主体部分和具有与主体部分不同长度的发光部分，并且发光部分可以从在一个方向上延伸的主体部分突出。主体部分的在一个方向上的长度可以大于发光器件的高度，并且随着设置在发光部分中的有源层的长度增加，有源层可以具有相对大的面积。有源层的面积越大，发光器件的发射效率越高。

包括发光器件的显示装置可以包括第一电极和第二电极，第一电极连接到发光器件的主体部分，第二电极连接到发光器件的发光部分。显示装置可以包括不同类型的发光器件，其在发光器件的发光部分所面向的方向这一方面彼此不同，并且由发光器件的有源层产生的光可以在不同的方向上发射。

根据实施方式的效果不受以上例示的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。

附图说明

图1是根据本公开的实施方式的显示装置的平面图。

图2是根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。

图3是沿着图2的线III-III'截取的剖视图。

图4是根据本公开的另一实施方式的显示装置的部分剖视图。

图5是根据本公开的实施方式的发光器件的立体图。

图6是图5的发光器件的剖视图。

图7是示出根据本公开的实施方式的在晶片衬底上的发光器件的布局的示意图。

图8是示出根据本公开的实施方式的发光器件的对准方向的立体图。

图9是沿着图2的线VIII-VIII'截取的剖视图。

图10是沿着图2的线IX-IX'截取的剖视图。

图11是沿着图2的线X-X'截取的剖视图。

图12是根据本公开的实施方式的发光器件的剖视图。

图13是包括图12的发光器件的显示装置的剖视图。

图14是根据本公开的另一实施方式的显示装置的子像素的平面图。

图15是沿着图14的线Q1-Q1'截取的剖视图。

图16是根据本公开的另一实施方式的显示装置的子像素的平面图。

图17是沿着图16的线Q2-Q2'截取的剖视图。

图18是根据本公开的另一实施方式的显示装置的子像素的平面图。

图19是沿着图18的线Q3-Q3'截取的剖视图。

具体实施方式

现将在下文中参考附图更全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达本发明的范围。

还将理解的是，当层被称为“在”另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的部件。

将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。

在下文中，将参考附图描述实施方式。

图1是根据本公开的实施方式的显示装置的平面图。

参考图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以表示提供显示屏的几乎所有类型的电子装置。显示装置10的示例可以包括电视(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器(HMD)、移动通信终端、电子记事本、电子书(e-book)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、摄录像机等。

显示装置10包括提供显示屏的显示面板。显示装置10的显示面板的示例包括无机发光二极管(LED)显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、量子点发光二极管(QLED)显示面板、等离子体显示面板(PDP)、场发射显示(FED)面板等。在下文中，显示装置10的显示面板将被描述为例如ILED显示面板，但是本公开不限于此。即，各种其它显示面板也可应用于显示装置10的显示面板。

显示装置10的形状可以变化。例如，显示装置10可以具有在水平方向上比在竖直方向上延伸更长的矩形形状、在竖直方向上比在水平方向上延伸更长的矩形形状、正方形形状、具有圆形拐角的四边形形状、非四边形的多边形形状或圆形形状。显示装置10的显示区域DPA的形状可以类似于显示装置10的形状。图1示出了显示装置10和显示区域DPA二者具有在水平方向上延伸得相对长的矩形形状。

显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是在其中显示屏幕的区域，并且非显示区域NDA可以是在其中不显示屏幕的区域。显示区域DPA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DPA可以占据显示装置10的中间部分。

显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以在行和列方向上布置。在平面图中，像素PX中的每个可以具有矩形形状或正方形形状，但本公开不限于此。可选地，像素PX中的每个可以具有菱形形状，其具有相对于特定方向倾斜的侧边。像素PX可以以条纹方式或PenTile方式交替地布置。像素PX中的每个可以包括一个或多个发光器件300，其发射特定波长范围的光。

非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以围绕整个显示区域DPA或显示区域DPA的一部分。显示区域DPA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以设置成与显示区域DPA的四个侧边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。包括在显示装置10中的线或电路驱动器可以设置在非显示区域NDA中，或者外部装置可以安装在非显示区域NDA中。

图2是根据本公开的实施方式的显示装置的像素的平面图。图3是沿着图2的线III-III'截取的剖视图。

参考图2，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色光，第二子像素PX2可以发射第二颜色光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色光。第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以分别是蓝光、绿光和红光，但本公开不限于此。可选地，子像素PXn可以全部发射相同颜色的光。图2示出了像素PX可以包括三个子像素PXn，但本公开不限于此。可选地，像素PX可以包括多于三个子像素PXn。

子像素PXn可以包括被限定为发射区域EMA的区域。第一子像素PX1可以包括第一发射区域EMA1，第二子像素PX2可以包括第二发射区域EMA2，并且第三子像素PX3可以包括第三发射区域EMA3。发射区域EMA中的每个可以被限定为在其中设置发光器件300以发射特定波长带的光的区域。发光器件300可以包括有源层，并且有源层可以无任何方向性地发射特定波长带的光。由发光器件300的有源层发射的光可以通过发光器件300中的每个的两侧发射。发射区域EMA中的每个包括在其中设置发光器件300的区域，并且还可以包括在发光器件300周围的输出由发光器件300发射的光的区域。

然而，本公开不限于此。发射区域EMA中的每个可以包括输出由发光器件300发射并且然后从其它元件反射或折射的光的区域。发光器件300可以设置在子像素PXn中的每个中，并且在其中设置发光器件300的区域和发光器件300的周围区域可以形成发射区域EMA。

尽管没有具体示出，但是显示装置10的子像素PXn中的每个可以包括非发射区域，其被限定为除了发射区域EMA之外的区域。非发射区域可以是在其中不设置发光器件300的区域，并且由于由发光器件300发射的光不到达，所以可以不输出光。

图3示出了图2的第一子像素PX1的剖视图，然而，其也可以直接应用于其它像素PX或其它子像素PXn。图3示出了从图2的第一子像素PX1中的发光器件300的一个端部分到另一端部分的剖视图。

参考图3并且进一步参考图2，显示装置10可以包括设置在第一衬底101上的电路元件层和显示元件层。半导体层、多个导电层和多个绝缘层可以设置在第一衬底101上，并且可以形成电路元件层和显示元件层。导电层可以包括设置在第一平坦化层109下方并形成电路元件层的第一栅极导电层、第二栅极导电层、第一数据导电层和第二数据导电层、以及设置在第一平坦化层109上并形成显示元件层的电极210和220以及接触电极261和262。绝缘层可以包括缓冲层102、第一栅极绝缘层103、第一钝化层105、第一层间绝缘层107、第二层间绝缘层108、第一平坦化层109、第一绝缘层510和封装层550。

包括用于驱动发光器件300的电路元件和多个线的电路元件层可以包括驱动晶体管D、开关晶体管ST、第一导电图案CDP以及多个电压线VL1和VL2，并且显示元件层可以包括发光器件300、第一电极210、第二电极220、第一接触电极261、以及第二接触电极262。

第一衬底101可以是绝缘衬底。第一衬底101可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。第一衬底101可以是刚性衬底，或者可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性衬底。

光阻挡层BML1和BML2可以设置在第一衬底101上。光阻挡层BML1和BML2可以包括第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以设置成至少分别与开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT和驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT重叠。光阻挡层BML1和BML2可以包括能够阻挡光的材料，并且可以防止光入射到第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT上。例如，第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2可以由能够阻挡光的透射的不透明金属材料形成。然而，本公开不限于此，并且可选地，可以不设置光阻挡层BML1和BML2。尽管没有具体示出，但是第一光阻挡层BML1可以电连接到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1，并且第二光阻挡层BML2可以电连接到开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1。

缓冲层102可以包括光阻挡层BML1和BML2，并且可以设置在第一衬底101的整个表面上。可以在第一衬底101上形成缓冲层102，以保护驱动晶体管DT和开关晶体管ST免受可能穿透第一衬底101(其易受水分影响)的水分的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层102可以包括交替堆叠的多个无机层。例如，缓冲层102可以形成为包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种的无机层交替堆叠的多层。

半导体层设置在缓冲层102上。半导体层可以包括驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT。驱动晶体管DT的第一有源材料层DT_ACT和开关晶体管ST的第二有源材料层ST_ACT可以设置成与第一栅极导电层的栅电极DT_G和ST_G部分地重叠。

在一个实施方式中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体。这里，多晶硅可以通过例如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MILC)或顺序横向固化(SLS)来使非晶硅结晶而形成，但本公开不限于此。在半导体层包括多晶硅的情况下，第一有源材料层DT_ACT可以包括第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb和第一沟道区DT_ACTc。第一沟道区DT_ACTc可以设置在第一掺杂区DT_ACTa和第二掺杂区DT_ACTb之间。第二有源材料层ST_ACT可以包括第三掺杂区ST_ACTa、第四掺杂区ST_ACTb和第二沟道区ST_ACTc。第二沟道区ST_ACTc可以设置在第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb之间。第一掺杂区DT_ACTa、第二掺杂区DT_ACTb、第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb可以是第一有源材料层DT_ACT或第二有源材料层ST_ACT的掺杂有杂质的部分。

在一个实施方式中，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT可以包括氧化物半导体。在这种情况下，第一有源材料层DT_ACT和第二有源材料层ST_ACT中的每个的掺杂区可以是导体区。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。在一些实施方式中，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)或氧化铟镓锌锡(IGZTO)，但本公开不限于此。

第一栅极绝缘层103设置在半导体层和缓冲层102上。第一栅极绝缘层103可以设置在包括半导体层的缓冲层102上。第一栅极绝缘层103可以用作用于驱动晶体管DT和开关晶体管ST的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层103可以形成为包括无机材料(诸如，以SiO_x、SiN_x或SiON为例)的无机层，或者形成为这种无机材料的叠层。

第一栅极导电层设置在第一栅极绝缘层103上。第一栅极导电层可以包括驱动晶体管DT的第一栅电极DT_G和开关晶体管ST的第二栅电极ST_G。第一栅电极DT_G可以设置成与第一有源材料层DT_ACT的至少一部分重叠，并且第二栅电极ST_G可以设置成与第二有源材料层ST_ACT的至少一部分重叠。例如，第一栅电极DT_G可以设置成在厚度方向上与第一有源材料层DT_ACT的第一沟道区DT_ACTc重叠，并且第二栅电极ST_G可以设置成在厚度方向上与第二有源材料层ST_ACT的第二沟道区ST_ACTc重叠。

第一栅极导电层可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的一种的单层或多层，但本公开不限于此。

第一钝化层105设置在第一栅极导电层上。第一钝化层105可以被设置成覆盖和保护第一栅极导电层。第一钝化层105可以形成为包括无机材料(诸如，以SiO_x、SiN_x或SiON为例)的无机层，或者形成为这种无机材料的叠层。

第二栅极导电层设置在第一钝化层105上。第二栅极导电层可以包括存储电容器的第一电容电极CE1，其被设置成在厚度方向上至少部分地与第一栅电极DT_G重叠。第一电容电极CE1可以在厚度方向上与第一栅电极DT_G重叠，且第一钝化层105插置在它们之间，并且可以在第一电容电极CE1和第一栅电极DT_G之间形成存储电容器。然而，本公开不限于此。可选地，存储电容器的第一电容电极CE1可以被设置成在厚度方向上不与第一栅电极DT_G重叠。

第二栅极导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但本公开不限于此。

第一层间绝缘层107设置在第二栅极导电层上。第一层间绝缘层107可以用作第二栅极导电层和设置在第二栅极导电层上的层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层107可以形成为包括无机材料(诸如，以SiO_x、SiN_x或SiON为例)的无机层，或者形成为这种无机材料的叠层。

第一数据导电层设置在第一层间绝缘层107上。第一数据导电层可以包括驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2以及开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2。

驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层107和第一栅极绝缘层103的接触孔与第一有源材料层DT_ACT的第一掺杂区DT_ACTa和第二掺杂区DT_ACTb接触。开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2可以通过穿透第一层间绝缘层107和第一栅极绝缘层103的接触孔与第二有源材料层ST_ACT的第三掺杂区ST_ACTa和第四掺杂区ST_ACTb接触。驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1可以通过其它接触孔分别电连接到第一光阻挡层BML1和第二光阻挡层BML2。如果驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2中的一个或者开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2中的一个是源电极，则另一源/漏电极可以是漏电极，但是本公开不限于此。可选地，如果驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1和第二源/漏电极DT_SD2中的一个或者开关晶体管ST的第一源/漏电极ST_SD1和第二源/漏电极ST_SD2中的一个是漏电极，则另一源/漏电极可以是源电极。

第一数据导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但本公开不限于此。

第二层间绝缘层108设置在第一数据导电层上。第二层间绝缘层108可以设置在第一层间绝缘层107的整个表面上，覆盖第一数据导电层，并且可以保护第一数据导电层。第二层间绝缘层108可以形成为包括无机材料(诸如，以SiO_x、SiN_x或SiON为例)的无机层，或者形成为这种无机材料的叠层。

第二数据导电层设置在第二层间绝缘层108上。第二数据导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。待提供给第一电极210的低电势电压(或第一电源电压VSS)可以被施加到第一电压线VL1，并且待提供给驱动晶体管DT的高电势电压(或第二电源电压VDD)可以被施加到第二电压线VL2。用于对准发光器件300的对准信号可以在显示装置10的制造期间被施加到第一电压线VL1。

第一导电图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层108中的接触孔电连接到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1。第一导电图案CDP可以与稍后将描述的第二电极220接触，并且驱动晶体管DT可以通过第一导电图案CDP将第二电源电压VDD从第二电压线VL2传输到第二电极220。第二数据导电层被示出为包括两个第一电压线VL1和一个第二电压线VL2，但是本公开不限于此。可选地，第二数据导电层可以包括多于两个的第一电压线VL1和多于一个的第二电压线VL2。

第二数据导电层可以形成为包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd、Cu及其合金中的一种的单层或多层，但本公开不限于此。

第一平坦化层109设置在第二数据导电层上。第一平坦化层109可以包括有机绝缘材料，具体地，诸如以聚酰亚胺(PI)为例的有机材料，并且可以执行表面平坦化功能。

多个电极210和220、外堤部450、多个接触电极261和262以及发光器件300设置在第一平坦化层109上。

第一电极210可以在子像素PXn中的每个中设置成在第二方向DR2上延伸。第一电极210可以设置成在第二方向DR2上延伸到彼此相邻的子像素PXn中。即，彼此连接的第一电极210可以设置于在第二方向DR2上彼此相邻的子像素PXn中。第一电极210可以在显示装置10的显示区域DPA的整个表面上形成线性图案。

显示装置10可以包括设置在子像素PXn中的每个中的第一电极210。例如，第一电极210可以包括第一电极线210A和第二电极线210B。第一电极线210A和第二电极线210B可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。多个发光器件300可以设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间，并且第一电极线210A和第二电极线210B可以电连接到发光器件300中的每个的两个端部分。相同的电信号可以被施加到第一电极线210A和第二电极线210B，并且第一电极线210A和第二电极线210B可以形成第一电极210。

第一电极210可以直接设置在第一平坦化层190上。第一电极210的第一电极线210A和第二电极线210b可以在第一平坦化层109上设置成彼此间隔开并且彼此面对，并且发光器件300可以设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间。如稍后将描述的，发光器件300可以设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间，以至少部分地放置在第一电极线210A和第二电极线210B上。第一电极线210A和第二电极线210B可以电连接到发光器件300的第一端部分。

第一电极线210A和第二电极线210B的宽度WE1以及第一电极线210A和第二电极线210B之间的距离DE没有特别限制。然而，在一些实施方式中，第一电极线210A和第二电极线210B之间的距离DE可以小于发光器件300的长度(图5的“LD”)并且大于第一接触电极261之间的距离(图3的“DC”)。第一电极线210A和第二电极线210B可以通过第一接触电极261电连接到发光器件300的第一端部分。由于第一电极线210A和第二电极线210B被设置成彼此间隔开距离DE那么多，因此第一电极线210A和第二电极线210B可以电连接到发光器件300的第一端部分。这将稍后描述。

第一电极210可以沿着在第二方向DR2上彼此相邻的子像素PXn之间的边界与外堤部450部分地重叠，并且可以在与外堤部450重叠的区域中电连接到第一电压线VL1。例如，第一电极210可以形成在与外堤部450重叠的区域中，并且可以通过穿透第一平坦化层109的第一接触孔CT1与第一电压线VL1接触。子像素PXn的在第一方向DR1上彼此相邻的第一电极210可以通过第一接触孔CT1电连接到第一电压线VL1，并且施加到第一电压线VL1的相同电信号可以通过在第二方向DR2上延伸的第一电极210传输到多个子像素PXn。

第二电极220设置在第一电极210上。例如，第二电极220可以设置成在厚度方向上与第一电极210至少部分地重叠。第二电极220可以设置成与子像素PXn中的每个对应。第二电极220可以设置在子像素PXn中的每个中，并且一个第二电极220可以不与其它子像素PXn的第二电极220连接，而是可以与其它子像素PXn的第二电极220间隔开。结果，第二电极220可以在显示装置10的整个表面上设置为岛图案。如稍后将描述的，多个发光器件300、第一接触电极261、第二接触电极262和第一绝缘层510可以设置在子像素PXn中的每个的第二电极220和第一电极210之间。

在平面图中，第二电极220可以具有其在一个方向上延伸的一个侧边和在另一方向上延伸的另一侧边成角度的形状，但是本公开不限于此。可选地，第二电极220可以具有相对于一个方向倾斜的形状或具有包括曲形外表面的圆形形状。第二电极220的尺寸没有特别限制，但是可以根据显示装置10的子像素PXn中的每个的面积而变化。第二电极220可以被形成为小于子像素PXn中的每个，并且可以被设置成与相邻的像素PXn之间的边界间隔开。

在一个实施方式中，第二电极220可以具有不同于第一电极210的电极线210A和210B的宽度或面积。例如，第二电极220的在第一方向DR1上的宽度WE2可以大于电极线210A和210B的宽度WE1。此外，第二电极220的宽度WE2可以大于第一电极线210A和第二电极线210B的宽度WE1与第一电极线210A和第二电极线210B之间的距离DE之和。因此，第二电极220可以覆盖第一电极线210A和第二电极线210B中的每个的在第一方向DR1上的两侧，但是本公开不限于此。

第二电极220可以设置成在与第一衬底101的顶表面垂直的方向上与第一电极210间隔开。例如，第二电极220可以在厚度方向上与第一电极210间隔开，并且可以直接设置在设置于第一电极210和第二电极220之间的第一绝缘层510上。多个发光器件300可以设置在第一电极210和第二电极220之间，并且第一电极210和第二电极220之间的空间可以利用第一绝缘层510填充。第二电极220可以电连接到发光器件300中的每个的至少一个端部分。例如，第二电极220可以通过第二接触电极262电连接到发光器件300的第二端部分，但是本公开不限于此。

第二电极220可以电连接到驱动晶体管DT。例如，第二电极220可以通过第二接触孔CT2与第一导电图案CDP接触，第二接触孔CT2通过第一绝缘层510和第一平坦化层109暴露第一导电图案CDP的顶表面的一部分。第二电极220可以通过第一导电图案CDP电连接到驱动晶体管DT的第一源/漏电极DT_SD1，并且可以接收通过第二电压线VL2施加的第二电源电压VDD。第二电极220可以电连接到设置在不同子像素PXn中的不同驱动晶体管DT，并且可以独立于不同驱动晶体管DT中的每个接收第二电源电压VDD。

子像素PXn中的每个被示出为包括一个第一电极210(其包括一对电极线210A和210B)和一个第二电极220，但是本公开不限于此。可选地，在一些实施方式中，可以在子像素PXn中的每个中设置多于一个的第一电极210和多于第二电极220。设置在子像素PXn中的每个中的第一电极210和第二电极220的形状没有特别限制，并且第一电极210和第二电极220可以以各种布局布置。例如，第一电极210和第二电极220可以是部分地曲化或弯曲的，并且第一电极210和第二电极220中的一个可以设置成围绕另一电极。第一电极210和第二电极220的至少一部分可以彼此间隔开并且彼此面对，并且第一电极210和第二电极220的结构和形状不受特别限制，只要形成有在其中布置发光器件300的区域即可。

电极210和220可以电连接到发光器件300，并且预定电压可以被施加到电极210和220，使得发光器件300可以发光。例如，电极210和220可以电连接到发光器件300，并且施加到电极210和220的电信号可以通过接触电极261和262传输到发光器件300。

在一个实施方式中，第一电极210可以遍及多个子像素PXn公共地连接，并且第二电极220可以在多个子像素PXn之间分离。然而，本公开不限于此。可选地，第一电极210可以在多个像素PXn之间分离，并且第二电极220可以遍及多个像素PXn公共地连接。第一电极210和第二电极220中的一个可以电连接到发光器件300的阳极，并且另一电极可以电连接到发光器件300的阴极。然而，本公开不限于此。

第一电极210和第二电极220可以用于在子像素PXn中的每个中形成电场，以对准发光器件300。通过将对准信号施加到第一电极210的第一电极线210A和第二电极线210B以在第一电极210和第二电极220之间形成电场，可以将发光器件300设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间。发光器件300可以在分散在油墨中的状态下通过喷墨印刷喷涂到第一电极210上。响应于在第一电极线210A和第二电极线210B之间施加对准信号，发光器件300可以接收介电泳力，并因此可以在第一电极210的第一电极线210A和第二电极线210B之间对准。

电极210和220可以包括透明导电材料。例如，电极210和220可以包括诸如ITO、IZO或ITZO的材料，但是本公开不限于此。发光器件300可以在其两个端部分的方向上发光，具体地，在面向第一电极210的顶表面的方向上发光。在一些实施方式中，第一电极210可以包括具有高反射率的导电材料，并且因此能够反射在由发光器件300发射之后朝向第一电极210的顶表面行进的光。第二电极220可以包括透明材料，并且因此在子像素PXn中的每个中，由发光器件300发射的光中的一些可以透射穿过第二电极220。在一个实施方式中，第一电极210可以包括具有高反射率的材料，诸如银(Ag)、铜(Cu)或Al。

然而，本公开不限于此。可选地，第一电极210可以具有一层或多层透明导电材料和一层或多层具有高反射率的金属的叠层，或者可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属的单层。在一个实施方式中，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO/IZO的叠层，或者可以包括Al、Ni或镧(La)的合金。

外堤部450可以设置在第一平坦化层109上。如图2和图3中所示，外堤部450可以沿着子像素PXn之间的边界设置。外堤部450可以设置成至少在第二方向DR2上延伸，并且设置成不仅围绕在电极线210A和210B之间的、在其中设置发光器件300的区域，而且围绕发光器件300中的至少一些。外堤部450还可以包括在第一方向DR1上延伸的部分，并且因此可以遍及显示区域DPA的整个表面形成网格图案。

外堤部450的高度可以大于第一绝缘层510的高度。此外，外堤部450的顶表面的高度可以大于第二电极220的顶表面的高度。外堤部450可以将相邻的子像素PXn彼此分离开，并且在显示装置10的制造期间，可以防止在用于布置发光器件300的喷墨印刷工艺中油墨在相邻的子像素PXn之间溢出。即，外堤部450可以将其中分散有针对不同子像素PXn的不同集合的发光器件300的油墨分离开，而不混合在一起。外堤部450可以包括聚酰亚胺(PI)，但本公开不限于此。

不仅发光器件300，而且第一接触电极261、第二接触电极262和第一绝缘层510可以设置在第一电极210和第二电极220之间。

发光器件300可以在子像素PXn中的每个中设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间。发光器件300也可以设置在第一电极210和第二电极220之间。发光器件300的第一端可以电连接到第一电极210，并且发光器件300的第二端可以电连接到第二电极220。

发光器件300可以彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。发光器件300之间的距离没有特别限制。发光器件300中的一些可以设置成彼此相邻以形成一组，并且发光器件300中的一些可以设置成彼此间隔开预定距离以形成另一组。可选地，发光器件300可以在一个方向上以不均匀的密度对准。此外，在一个实施方式中，发光器件300可以在一个方向上延伸，并且第一电极210沿其延伸的方向可以与发光器件300沿其延伸的方向形成大致直角。然而，本公开不限于此。可选地，发光器件300可以相对于第一电极210沿其延伸的方向成对角地延伸。

发光器件300可以设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间。例如，发光器件300的第一端部分可以设置在第一电极线210A上，并且发光器件300的第二端部分可以设置在第二电极线210B上。发光器件300中的每个的两个端部分可以设置成在厚度方向上与第一电极线210A和第二电极线210B重叠。如上所述，发光器件300的在一个方向上的长度(图5的“LD”)可以大于第一电极线210A和第二电极线210B之间的距离DE。发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分可以分别与第一电极线210A和第二电极线210B直接接触，但是本公开不限于此。可选地，在一些实施方式中，可以进一步设置绝缘层以覆盖第一电极，并且发光器件300可以直接设置在绝缘层上。

在发光器件300中的每个中，可以沿着与第一衬底101或第一平坦化层109的顶表面垂直的方向设置多个层。发光器件300可以在一个方向上延伸，并且多个半导体层可以在发光器件300中的每个中在一个方向上顺序地布置。发光器件300可以设置成使得发光器件300沿其延伸的方向可以平行于第一平坦化层109，并且包括在发光器件300中的每个中的多个半导体层可以沿着与第一平坦化层109的顶表面平行的方向顺序地布置。然而，本公开不限于此。可选地，在发光器件300具有不同结构的情况下，可以在发光器件300中的每个中在与第一平坦化层109垂直的方向上设置多个层。

如稍后将描述的，发光器件300中的每个可以包括具有大长度的主体部分(图5的“BP”)、以及形成在主体部分BP上并且其中设置有有源层(图5的“330”)的发光部分(图5的“AP”)。发光器件300可以部分地从其主体部分BP突出，并且发光器件300的主体部分BP可以从发光器件300的发光部分AP的两侧突出。发光器件300中的每个可以包括第一端部分、第二端部分和在其中设置有发光部分AP的第三端部分。

发光器件300的主体部分BP可以设置在第一电极线210A和第二电极线210B上，并且发光器件300的发光部分AP可以设置成相对于主体部分BP面向一个方向。例如，发光器件300的第一端部分可以设置在第一电极线210A上，并且发光器件300的第二端部分可以设置在第二电极线210B上。此外，发光器件300可以设置成使得发光器件300的发光部分AP可以面向第一电极210沿其延伸的方向，即第二方向DR2，或者可以面向第一衬底101的顶表面。取决于发光器件300的发光部分AP所面向的方向，发光器件300可以包括不同类型的发光器件300。例如，发光器件300可以包括其发光部分AP面向第一衬底101的向上方向的第一发光器件300A、以及其发光部分AP面向第二方向DR2的第二发光器件300B和第三发光器件300C。

如稍后将描述的，发光器件300的发光部分AP中的每个可以包括有源层330，并且有源层330可以响应于传输到其的电信号而发射特定波长带的光。由于显示装置10包括其发光部分AP的对准方向彼此不同的发光器件300A、300B和300C，因此显示装置10不仅可以在第一衬底101的向上方向上发光，而且可以在横向方向上发光。

在一些实施方式中，发光器件300的主体部分BP可以与第一电极210直接接触。如图3中所示，发光器件300可以设置在第一电极210上，并且发光器件BP的主体部分BP的第一端部分和第二端部分可以分别与第一电极线210A和第二电极线210B直接接触。图3的发光器件300是其发光部分AP被设置成面向第一衬底101的向上方向的第一发光器件300A。第一发光器件300A的主体部分BP的第一端部分和第二端部分的底表面可以分别与第一电极线210A和第二电极线210B直接接触，但是本公开不限于此。如稍后将描述的，第二发光器件300B和第三发光器件300C的发光部分AP可以被设置成面向第二方向DR2，并且第二发光器件300B和第三发光器件300C中的每个的第一端部分和第二端部分的侧部可以被设置成与第一电极210接触。这将稍后描述。

发光器件300可以包括包含不同材料的有源层330，并且因此可以向外部发射不同波长带的光。显示装置10可以包括能够发射不同波长带的光的发光器件300。第一子像素PX1的发光器件300可以包括发射具有第一波长作为中心波长的第一颜色光的有源层330，第二子像素PX2的发光器件300可以包括发射具有第二波长作为中心波长的第二颜色光的有源层330，并且第三子像素PX3的发光器件300可以包括发射具有第三波长作为中心波长的第三颜色光的有源层330。

因此，第一子像素PX1可以发射第一颜色光，第二子像素PX2可以发射第二颜色光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色光。在一些实施方式中，第一颜色光可以是具有450nm至495nm的中心波长的蓝光，第二颜色光可以是具有495nm至570nm的中心波长的绿光，并且第三颜色光可以是具有620nm至752nm的中心波长的红光。然而，本公开不限于此。可选地，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以包括相同类型的发光器件300，并且因此可以全部发射相同颜色的光。

第一绝缘层510可以设置在第一电极210和第二电极220之间，以围绕发光器件300中的每个的外表面。例如，第一绝缘层510可以设置在第一平坦化层109上以覆盖第一电极210，并且可以与第一平坦化层109和第一电极210直接接触。第一绝缘层510可以防止第一电极210与第二电极220直接接触，并且可以使第一电极210和第二电极220彼此绝缘。此外，如稍后将描述的，第一绝缘层510可以使第一接触电极和第二接触电极261彼此绝缘。

第一绝缘层510可以设置在第一平坦化层109上，并且可以在子像素PXn中的每个中或者在一些子像素PXn中形成图案。在一些实施方式中，第一绝缘层510可以在显示装置10的整个表面上形成岛形状或线性形状。

第一绝缘层510可以设置成围绕设置在第一电极210上的发光器件300中的每个的外表面。第一绝缘层510可以足够厚以覆盖设置在第一电极210上的发光器件300。在一个实施方式中，第一绝缘层510的厚度可以至少大于发光器件300的高度(图5的“HD”)和第一电极210的厚度。第一绝缘层510可以补偿由设置在第一平坦化层109上的第一电极210和发光器件300形成的高度差。暴露发光器件300中的每个的外表面的至少一部分的孔HP可以形成在第一绝缘层510中，并且稍后将描述的第二接触电极262可以设置在孔HP中。发光器件300中的每个的至少一个端部分可以由第一绝缘层510中的孔HP暴露，并且发光器件300的暴露部分可以与第二接触电极262接触。穿透第一绝缘层510的第二接触孔CT2可以形成在第一绝缘层510中，并且第二电极220可以通过第二接触孔CT2电连接到驱动晶体管DT。

在一些实施方式中，第一绝缘层510可以甚至设置在第一电极线210A、第二电极线210B和发光器件300之间的空间中。发光器件300中的每个的两个端部分可以设置在第一电极线210A和第二电极线210B上，并且可以在发光器件300与第一电极线210A和第二电极线210B之间形成空间。第一绝缘层510的材料可以在显示装置10的制造期间填充所述空间。

发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分可以设置在第一电极线210A和第二电极线210B上。显示装置10可以包括设置在第一电极线210A和第二电极线210B上的第一接触电极261，并且发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分可以与第一接触电极261接触。此外，显示装置10可以包括设置在发光器件300和第二电极220之间的第二接触电极262，并且发光器件300的第三端部分可以与第二接触电极262接触。

第一接触电极261可以在第一电极210上在一个方向上延伸。第一接触电极261可以包括第一图案261A和第二图案261B，并且第一图案261A和第二图案261B可以分别设置在第一电极线210A和第二电极线210B上。与第一电极210类似，第一图案261A和第二图案261B可以设置成在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。第一接触电极261可以在子像素PXn中的每个中形成线性图案。

第一图案261A和第二图案261B可以分别至少部分地设置在第一电极线210A和第二电极线210B上并与其直接接触，但本公开不限于此。在一些实施方式中，另一绝缘层可以进一步设置在第一电极210上，并且第一接触电极261可以设置在绝缘层上。在这种情况下，第一接触电极261可以通过开口与第一电极210直接接触，所述开口通过绝缘层暴露第一电极210的顶表面的一部分。

第一接触电极261可以直接接触发光器件300的部分，例如，发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分。第一接触电极261的第一图案261A可以与发光器件300的第一端部分接触，并且第一接触电极261的第二图案261B可以与发光器件300的第二端部分接触。在一些实施方式中，第一图案261A和第二图案261B可以与发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分的顶表面和侧部接触，但是可以与发光器件300的突出部分(即，发光器件300的第三端部分)间隔开。图3示出第一图案261A和第二图案261B分别与发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分的顶表面和侧部接触，但是本公开不限于此。第一图案261A和第二图案261B可以在第一电极210上在第二方向DR2上延伸，并且因此可以甚至设置在发光器件300之间的间隙中，以围绕发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分。如稍后将描述的，发光器件300中的每个的半导体层可以在发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分中部分地暴露，并且第一图案261A和第二图案261B可以与发光器件300中的每个的半导体层直接接触。当发光器件300中的每个的半导体层与第一接触电极261直接接触时，发光器件300可以电连接到第一电极210。

第一接触电极261的第一图案261A和第二图案261B的宽度W1可以小于第一电极线210A和第二电极线210B的宽度WE1。由于第一图案261A和第二图案261B分别设置在第一电极线210A和第二电极线210B上，并且形成为具有比第一电极线210A和第二电极线210B小的宽度W1，所以第一电极线210A和第二电极线210B的顶表面的部分可以被暴露，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，第一图案216A和第二图案216B的宽度W1可以大于第一电极线210A和第二电极线210B的宽度WE1，并且第一接触电极261可以设置成覆盖第一电极210的顶表面。

第一图案261A和第二图案261B之间的距离DC可以小于第一电极线210A和第二电极线210B之间的距离DE。第一图案261A和第二图案261B之间的距离DC可以根据发光器件300的长度以及发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分的长度而变化。如上所述，第一电极线210A和第二电极线210B之间的距离DE可以小于发光器件300的长度，使得发光器件300中的每个的两个端部分可以放置在电极线210A和210B上。相反，可以控制第一图案261A和第二图案261B之间的距离DC以覆盖发光器件300中的每个的两个端部分。在一个实施方式中，第一图案261A和第二图案261B之间的距离DC可以小于电极线210A和210B之间的距离DE，并且第一图案261A和第二图案261B可以被设置成围绕发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分的一部分。

在平面图中，第二接触电极262可以设置在第一图案261A和第二图案261B之间，并且可以在第二方向DR2上延伸。即，第二接触电极262可以以与第一接触电极261基本上相同的布局进行布置，并且可以在子像素PXn中的每个中设置成形成线性图案。

第二接触电极262可以设置在发光器件300和第二电极220之间。在一个实施方式中，第二接触电极262可以与发光器件300的第三端部分或发光器件300的发光部分(图5的“AP”)接触。第二接触电极262可以形成在第一绝缘层510中，以设置在暴露发光器件300的第三端部分的一部分的孔HP中。发光器件300的第三端部分可以由孔HP部分地暴露，并且第二接触电极262可以设置在孔HP中以与发光器件300的第三端部分直接接触。发光器件300中的每个的半导体层可以在发光器件300的第三端部分中部分地暴露，并且第二接触电极262可以与发光器件300中的每个的半导体层直接接触。当发光器件300中的每个的半导体层与第二接触电极262直接接触时，发光器件300可以电连接到第二电极220。第二电极220可以在第一绝缘层510上设置成覆盖第二接触电极262。

图3示出了第二接触电极262与发光器件300的第三端部分的顶表面直接接触，但是本公开不限于此。形成在第一绝缘层510中的孔HP不仅可以暴露发光器件300的第三端部分的一部分，而且可以暴露发光器件300的第一表面和第二表面，并且第二接触电极262可以设置成基本上围绕发光器件300的中间部分。这将稍后描述。

在一个实施方式中，第二接触电极262的宽度W2可以与第一接触电极261的第一图案261A和第二图案261B的宽度W1相同。第二接触电极262的宽度W2可以小于第二电极220的宽度WE2，并且第二电极220可以完全覆盖第二接触电极262。然而，本公开不限于此，并且第二接触电极262的宽度W2可以变化。例如，第二接触电极262可以形成为比发光器件300的第三端部分长，并且因此可以与发光器件300的第三端部分的更大区域接触。

接触电极261和262可以包括导电材料。例如，接触电极261和262可以包括ITO、IZO、ITZO或Al。例如，接触电极261和262可以包括透明导电材料，并且从发光器件300发射的光可以通过接触电极261和262朝向电极210和220行进。当第一电极210包括具有高反射率的材料时，入射到第一电极210上的光可以朝向第一衬底101的向上方向反射。相反，当第二电极220包括透明材料时，入射到第二电极220上的光可以穿过第二电极220。然而，本公开不限于此。

封装层550可以设置在第一衬底101的整个表面上。封装层550可以保护设置在第一衬底101上的元件免受外部环境的影响。

第一绝缘层510和封装层550可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在一个实施方式中，第一绝缘层510和封装层550可以包括无机绝缘材料，诸如SiO_x、SiN_x、SiO_xN_y、氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)。在另一实施方式中，第一绝缘层510和封装层550可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多(cardo)树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂。然而，本公开不限于这些实施方式。

图3示出了第一绝缘层510具有平坦的顶表面，无关于任何在下面的高度差，但是本公开不限于此。第一绝缘层510可以包括无机绝缘材料，可以具有均匀的厚度，并且取决于由设置在其下方的元件所形成的高度差，可以具有曲形顶表面。

图4是根据本公开的另一实施方式的显示装置的部分剖视图。

参考图4，在显示装置10中，第一绝缘层510可以具有均匀的厚度，并且可以设置成覆盖第一电极210、第一接触电极261A和261B以及发光器件300。第一绝缘层510可以沉积在每个子像素PXn中以覆盖第一电极210、第一接触电极261A和261B以及发光器件300，并且遵循着第一电极210、第一接触电极261A和261B以及发光器件300的形状，其可以是阶梯状。因此，设置在第一绝缘层510上的第二电极220可以沿着第一绝缘层510的顶表面被曲化。

第一绝缘层510可以被沉积成不仅覆盖发光器件300，而且覆盖第一接触电极261A和261B以及第一电极210，并且然后可以被图案化以暴露发光器件300的顶部的部分。第二接触电极262可以设置在第一绝缘层510的图案化部分中，并且可以电连接到发光器件300。除了以上提及的特征之外，图4的实施方式与图3的实施方式相同，并且因此，将省略对其的详细描述。

显示装置10可以包括其中设置有多个发光器件300的多个子像素PXn和像素PX，并且因此可能能够在其每个区域中发射特定波长带的光。发光器件300可以发射不同颜色的光，并且因此可以在子像素PXn中的每个的中显示出不同颜色，但是本公开不限于此。在子像素PXn中的每个中的发光器件300可以发射相同颜色的光，并且显示装置10还可以包括颜色转换衬底(未示出)，该颜色转换衬底设置成与第一衬底101间隔开并且面向第一衬底101，并且转换由发光器件300发射的光的颜色。颜色转换衬底可以包括多个颜色控制层和防颜色混合构件，并且颜色控制层可以设置成对应于显示装置10的子像素PXn。由发光器件300发射的光可以入射到颜色控制层上，并且颜色控制层可以包括转换入射光的波长的光转换层、以及入射光透射穿过其同时保持入射光的波长的光透射层。波长转换层或光透射层可以设置成在子像素PXn之间分离开，并且防颜色混合构件可以沿着波长转换层或光透射层之间的边界设置。

波长转换层可以设置在从发光器件300入射的光的波长由于其不同于子像素PXn的颜色而不需要改变的子像素PXn中。发光层可以设置在其颜色与从发光器件300入射的光的波长相同的子像素PXn中。然而，本公开不限于此。可以在发光器件300在其中发射与子像素PXn的颜色不同波长的光(例如，紫外光)的子像素PXn中仅设置波长转换层，而不设置波长转换层。可选地，可以在发光器件300在其中发射与子像素PXn相同颜色的光的子像素PXn中仅设置光透射层，而不设置波长转换层。

波长转换层中的每个可以包括波长转换材料和其中分散有波长转换材料的基础树脂。光透射层中的每个可以包括散射体和其中分散有散射体的基础树脂。

基础树脂可以包括透光有机材料。例如，基础树脂可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂或酰亚胺树脂。对于所有的波长转换层或对于所有的光透射层，基础树脂可以由相同的材料形成，但是本公开不限于此。

散射体可以是金属氧化物的颗粒或有机材料的颗粒。金属氧化物的示例包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)或氧化锡(SnO₂)，并且有机材料可以是丙烯酸树脂或氨基甲酸酯树脂。

波长转换材料可以是量子点、量子棒、磷光体等。量子点可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族纳米晶体或其组合。然而，本公开不限于此。

防颜色混合构件可以包括有机材料。防颜色混合构件可以包括能够吸收可见光波长带的光吸收材料。在一个实施方式中，防颜色混合构件可以包括有机光阻挡材料。

颜色转换衬底可以包括单独的衬底，可以设置成与其上设置有发光器件300的第一衬底101间隔开并且面向所述第一衬底101，并且可以经由密封构件联接到第一衬底101，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，颜色转换衬底的波长转换层和光透射层可以直接形成在其中设置有发光器件300的子像素PXn上，而不需要单独的衬底。在这种情况下，波长转换层和光透射层可以直接设置在封装层550上，并且防颜色混合构件可以设置在外堤部450上。

发光器件300可以是发光二极管(LED)，具体地，是具有数微米或纳米的尺寸并且由无机材料形成的无机LED。无机LED可以响应于在其中形成极性的两个相对电极之间形成的电场，在所述两个相对电极之间对准。发光器件300可以通过电场在两个相对电极之间对准。

发光器件300中的每个可以包括多个半导体层和部分地围绕半导体层的绝缘膜。发光器件300中的每个的半导体层可以包括掺杂有任意导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。半导体层可以从外部源接收施加到其的电信号，并且因而可以发射特定波长带的光。

图5是根据本公开的实施方式的发光器件的立体图。图6是图5的发光器件的剖视图。图5示出了发光器件300的多个半导体层，且从其去除了绝缘膜380的一部分，并且图6是沿着发光器件300沿其延伸的方向截取的剖视图。

参考图5和图6，发光器件300可以包括多个半导体层和部分地围绕半导体层的外表面的绝缘膜380。发光器件300可以至少部分地在一个方向上延伸，并且可以包括在与半导体层沿其堆叠的方向垂直的方向上延伸的部分。例如，发光器件300可以包括在一个方向上延伸的主体部分BP、以及形成在主体部分BP上的发光部分AP。如稍后将描述的，发光部分AP，其是发光器件300的在其中设置有有源层330的部分，可以是发光器件300的响应于接收到的电信号而发光的一部分。

发光器件300的主体部分BP和发光部分AP可以在一个方向上具有不同的长度。主体部分BP的长度LD可以大于发光部分AP的长度LA。发光部分AP可以形成在主体部分BP的一个表面上，并且可以从主体部分BP的表面突出。主体部分BP的表面中的一部分可以由于其上没有发光部分AP而暴露，并且半导体层可以在主体部分BP的表面的暴露部分上被直接暴露。如上所述，发光器件300可以包括第一端部分和第二端部分(其是主体部分BP的两个端部分)以及在其中设置有发光部分AP的第三端部分。发光器件300的第一端部分和第二端部分可以是主体部分BP的由于没有发光部分AP而暴露的两个端部分。突出超过主体部分BP的第三端部分可以是发光器件300的在其中设置有发光部分AP的端部分。

主体部分BP、发光部分AP以及第一端部分、第二端部分和第三端部分可以简单地用于限定发光器件300的部分或发光器件300的半导体层的部分，并且可以一起一体地形成以形成发光器件300，而非形成为彼此分离。即，主体部分BP、发光部分AP以及第一端部分、第二端部分和第三端部分可以表示发光器件300的部分。然而，主体部分BP、发光部分AP以及第一端部分、第二端部分和第三端部分不一定限于包括多个半导体层的发光器件300的部分，而是可以理解为表示发光器件300的元件的部分，例如第一半导体层310、有源层330和第二半导体层320的部分。

发光器件300可以包括多个半导体层，并且发光器件300的端部分可以与以上已描述的第一接触电极261或第二接触电极262直接接触。发光器件300的第一端部分、第二端部分和第三端部分可以包括在其中不设置绝缘膜380并且暴露半导体层的部分。暴露的半导体层可以与第一接触电极261或第二接触电极262直接接触。

发光器件300的主体部分BP和发光部分AP可以具有相同的宽度，即宽度WD。结果，发光器件300的第一表面和第二表面可以是平坦的，而在其上没有任何突出部。发光器件300的主体部分BP的长度LD可以大于发光部分AP的长度LA，但是主体部分BP的第一端部分和第二端部分的长度LC可以小于发光部分AP的长度LA。由于发光部分AP具有长度LA和宽度WD，有源层330可以具有相对大的面积，并且可以改善发光器件300的发射效率。发光器件300的主体部分BP的长度LD可以大于发光器件300的高度HD。

在一个实施方式中，发光器件300的主体部分BP的长度LD可以是3μm至10μm或5μm至8μm，优选地约7μm。发光器件300的高度HD可以是0.1μm至5μm或0.3μm至2μm，优选地0.5μm至1μm。发光部分AP的高度HA可以是100nm至500nm，并且发光器件300的宽度WD可以是300nm至700nm。然而，本公开不限于此，并且显示装置10的发光器件300的宽度WD和发光部分AP的高度HA可以根据有源层330的成分而变化。优选地，发光器件300的宽度WD可以是约500nm，并且发光部分AP的高度HA可以是约150nm。

发光器件300的侧部中的每个被示出为在一个方向上延伸，并且发光器件300的侧部在其中相交的拐角被示出为成角度的。即，发光器件300的一部分可以具有多边形棱柱形状，诸如立方体、长方体或六边形棱柱形状，但是本公开不限于此。可选地，发光器件300可以具有曲形的形状，诸如棒、线或管形状。发光器件300的侧部在其中相交的拐角将在下文中描述为成角度的，如图4和图5中所示。

发光器件300的半导体层可以包括第一半导体层310、第二半导体层320和有源层330。发光器件300还可以包括设置在第一半导体层310下方的子半导体层390和设置在第二半导体层320上的电极层370。发光器件300的第一半导体层310和子半导体层390可以设置在发光器件300的主体部分BP中，并且第一半导体层310的一部分、有源层330、第二半导体层320和电极层370可以设置在发光器件300的发光部分AP中。绝缘膜380可以围绕发光器件300的半导体层的外表面，但是可以设置成暴露发光器件300的半导体层的一部分。发光器件300被示出为包括子半导体层390和电极层370二者，但是本公开不限于此。可选地，可以不设置子半导体层390和电极层370中的至少一个。

具体地，子半导体层390可以是未掺杂杂质的半导体。例如，子半导体层390可以包括与第一半导体层310相同的半导体材料，但是可以是不掺杂n型或p型掺杂剂的半导体层。在一个实施方式中，子半导体层390可以包括半导体材料，即Al_xGa_yIn_1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)，并且可以是例如未掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。子半导体层390可以具有0.01μm至0.1μm的厚度，但本公开不限于此。在一些实施方式中，可以设置子半导体层390。

第一半导体层310可以设置在子半导体层390上。第一半导体层310可以是n型半导体。例如，在发光器件300发射蓝色波长的光的情况下，第一半导体层310可以包括半导体材料，即AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1，以及0≤x+y≤1)。例如，第一半导体层310可以包括掺杂有n型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一半导体层310可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是例如Si、Ge或Sn。例如，第一半导体层310可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层310可以具有0.3μm至0.75μm的厚度，但本公开不限于此。

第一半导体层310可以包括与发光器件300的主体部分BP对应的第一部分和与发光器件300的发光部分对应的第二部分。第二部分可以形成在第一部分的一部分上并且可以从第一部分的顶表面的一部分突出。第一半导体层310的长度LD可以大于第二部分的长度LA。子半导体层390可以设置在第一半导体层310的第一部分的底表面上并与其直接接触，并且有源层330、第二半导体层320和电极层370可以顺序地设置在第一半导体层310的第二部分上。然而，本公开不限于此。

第二半导体层320可以设置在发光器件300的发光部分AP中。第二半导体层320可以设置在第一半导体层310的第二部分上，并且可以设置在第一半导体层310上，且有源层330插置在其间。第二半导体层320可以是p型半导体。在发光器件300发射蓝色波长的光或绿色波长的光的情况下，第二半导体层320可以包括半导体材料，即AlxGayIn1-x-yN(其中0≤x≤1，0≤y≤1和0≤x+y≤1)。例如，第二半导体层320可以包括掺杂有p型掺杂剂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二半导体层320可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是例如Mg、Zn、Ca、Se或Ba。在一个实施方式中，第二半导体层320可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层320可以具有0.05μm至0.10μm的厚度，但本公开不限于此。

第一半导体层310和第二半导体层320被示出为形成为单层，但是本公开不限于此。可选地，在一些实施方式中，取决于有源层330的材料，第一半导体层310和第二半导体层320中的每个可以包括多于一个的层，诸如，以包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层为例。

有源层330设置在第一半导体层310和第二半导体层320之间。有源层330可以在发光部分AP中在第一半导体层310和第二半导体层320之间设置在第一半导体层310的第二部分上。有源层330可以包括量子层，并且因此能够发射特定波长带的光。由有源层330发射的光的波长可以根据量子层的材料的含量而变化。量子层的材料的含量可以取决于在其上设置有源层330的第一半导体层310的晶格常数而变化。第一半导体层310的晶格常数可以取决于第一半导体层310的材料、直径或形状而变化。

有源层330可以包括单量子阱或多量子阱结构材料。在有源层330包括具有多量子阱结构的材料的情况下，有源层330可以具有多个量子层和多个阱层交替堆叠的结构。有源层330可以通过根据经由第一半导体层310和第二半导体层320施加到其的电信号使电子-空穴对结合来发光。例如，在有源层330发射蓝色波长的光的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。具体地，在有源层330具有多个量子层和多个阱层交替堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。在一个实施方式中，在有源层330包括AlGaInN作为其(多个)量子层并且包括AlInN作为其(多个)阱层的情况下，有源层330可以发射具有450nm至495nm的中心波长范围的蓝光。

然而，本公开不限于此。可选地，有源层330可以呈具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替堆叠的结构，或者取决于待发射的光的波长，可以包括III族或V族半导体材料。由有源层330发射的光的类型没有特别限制。有源层330可以根据需要发射红色或绿色波长范围的光，来代替蓝光。有源层330可以具有0.05μm至0.10μm的厚度，但是本公开不限于此。

光不仅可以从发光器件300的圆周表面在高度HD的方向上发射，而且可以从发光器件300的两侧发射。从有源层330发射的光的方向性没有特别限制。

电极层370可以是欧姆接触电极，但本公开不限于此。可选地，电极层370可以是肖特基接触电极。发光器件300可以包括至少一个电极层370。图5和图6示出了发光器件300包括一个电极层370，但是本公开不限于此。可选地，发光器件300可以包括多于一个电极层370，或者可以不设置电极层370。然而，发光器件300的以下描述也可以直接应用于具有多于一个电极层370或具有与图5和图6的发光器件300不同的结构的发光器件300。

电极层370可以设置在第二半导体层320上。例如，电极层370可以直接设置在第二半导体层320上。电极层370可以具有与第二半导体层320基本上相同的形状。

当发光器件300电连接到第二电极220(或第二接触电极262)时，电极层370可以降低发光器件300和第二电极220(或第二接触电极262)之间的电阻。电极层370可以包括导电金属。例如，电极层370可以包括Al、Ti、In、Au、Ag、ITO、IZO和ITZO中的至少一种。此外，电极层370可以包括掺杂有n型或p型掺杂剂的半导体材料。电极层370可以包括相同的材料或不同的材料，但是本公开不限于此。

绝缘膜380可以设置成围绕发光器件300的半导体层的一部分。绝缘膜380可以保护发光器件300的半导体层，具体地有源层330。如上所述，发光器件300可以电连接到第一电极210和第二电极220，并且发光器件300的外表面可以直接接触其它层，例如第一绝缘层510以及接触电极261和262。

绝缘膜380可以设置成暴露发光器件300的半导体层的外表面的至少一部分。例如，绝缘膜380可以设置在主体部分BP的在宽度WD的方向上的两个表面上。如上所述，由于主体部分BP和发光部分AP具有相同的宽度(即，宽度WD)，所以绝缘膜380可以在发光器件300的第一表面和第二表面中的每个上形成平坦表面。绝缘膜380可以被设置成围绕与发光器件300的发光部分AP对应的半导体层的侧部，但是可以暴露发光部分AP的顶表面，例如电极层370或第二半导体层320的顶表面。然而，绝缘膜380可以不设置在主体部分BP的第一端部分和第二端部分中的每个的顶表面和侧部上。可以暴露第一半导体层310的与主体部分BP对应的第一部分的顶表面和侧部的一部分。

因此，发光器件300的半导体层可以在发光器件300的在其中未设置绝缘膜380的部分中(即，在主体部分BP的底表面、主体部分BP的第一端部分和第二端部分中的每个的顶表面和侧部的部分以及发光部分AP的顶表面上)被暴露。发光器件300的暴露的半导体层可以与显示装置10的电极210和220或接触电极261和262直接接触，并且因此可以接收来自电极210和220或接触电极261和262的电信号。例如，在发光器件300的第一端部分和第二端部分中暴露的第一半导体层310可以与第一接触电极261接触，并且在发光器件300的发光部分AP中(即，在发光器件300的第三端部分中)暴露的电极层370可以与第二接触电极262接触。然而，本公开不限于该示例。

绝缘膜380可以具有10nm至1.0μm的厚度，但本公开不限于此。优选地，绝缘膜380可以具有约40nm的厚度。

绝缘膜380可以包括诸如以SiO_x、SiN_x、SiO_xN_y、AlN、Al₂O₃或有机绝缘材料为例的具有绝缘特性的材料。绝缘膜380可以防止当有源层330放置成与将电信号直接传输到发光器件300的电极直接接触时可能发生的任何短路。此外，由于绝缘膜380包括有源层330以保护发光器件300的外表面，因此可以防止发光器件300的发射效率的任何劣化。

此外，在一些实施方式中，可以对绝缘膜380的外表面进行表面处理。在制造显示装置10期间，发光器件300可以在分散在预定的油墨中的同时被喷涂在电极上。这里，可以对绝缘膜380的表面进行疏水或亲水处理，以保持发光器件300分散在油墨中，而不会与其它发光器件300聚集。然而，本公开不限于此。

可以通过在晶片衬底上生长用于形成上述半导体层的晶体的外延生长方法来制造发光器件300。由于发光器件300包括主体部分BP和发光部分AP，并且具有侧部在其中相交的成角度的拐角，因此晶片衬底的每单位面积的有源层330的面积可以增加。即，可以改善发光器件300的制造效率。

参考图7，发光器件300可以在晶片衬底上制造成彼此隔开预定距离。发光器件300可以具有宽度WD和长度LD，并且可以确定发光器件300的发光部分AP的长度LA。发光部分AP的长度LA和宽度WD可以与发光器件300的有源层330的长度和宽度相同。一旦确定了发光器件300之间的距离(图7的“S1”和“S2”)，每单位面积的发光器件330的有源层330的面积可以由式1表示。

[式1]

(LA×WD)/[(LD+S1)×(WD+S2)]

其中，以上已经描述了LA、WD和LD，S1指示发光器件300之间的在长度LD或LA的方向上的距离，并且S2指示发光器件300之间的在宽度WD的方向上的距离。当发光器件300在一个方向上延伸并且发光器件300的高度HD大于发光器件300的长度LD和LA时，有源层330的尺寸可以增加，并且每单位面积的有源层330的面积也可以增加。

如上所述，发光器件300中的每个可以包括主体部分BP和发光部分AP，并且发光部分AP可以从主体部分BP突出。在发光器件300的发光部分AP相对于发光器件300的主体部分BP所面向的方向被称为对准方向的情况下，可以根据发光器件300的对准方向来对设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间的发光器件300进行分类。

参考图8，显示装置10可以包括发光器件300A、300B和300C，它们在发光器件300的第三端部分或发光部分AP所面向的方向上彼此不同。发光器件300可以包括其发光部分AP面向第一衬底100的向上方向的第一发光器件300A、以及其发光部分AP面向第二方向DR2的第二发光器件300B和第三发光器件300C。第二发光器件300B和第三发光器件300C可以设置成使它们的发光部分AP面向与第一电极210沿其延伸的方向平行的方向。第二发光器件300B的发光部分AP可以在第二方向DR2上在一个方向上对准，并且第三发光器件300C的发光部分AP可以在第二方向DR2上在另一方向上对准。

在制造显示装置10期间，发光器件300可以以分散在油墨中的状态喷射到第一电极210上。响应于施加到第一电极线210A和第二电极线210B的对准信号，可以在第一电极210上产生电场。分散在油墨中的发光器件300可以接收来自电场的介电泳力，并且因此可以在它们的位置和对准方向连续变化的情况下布置在第一电极线210A和第二电极线210B之间。发光器件300中的每个可以包括具有大长度LD的主体部分BP和具有比主体部分BP短的长度LA的发光部分AP，并且发光器件300的发光部分AP可以具有不同的对准方向。从第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C清楚地看出，主体部分BP(其占据了发光器件300的大部分)可以直接设置在第一电极线210A和第二电极线210B上。当发光器件300的发光部分AP被设置成面向第二方向DR2或第一衬底101的向上方向时，由发光器件300的有源层330产生的光可以在各个方向上发射。

第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C的主体部分中的每个的第一端部分和第二端部分可以设置在第一电极210上，并且可以在不同的位置处与第一电极210接触。第一发光器件300A的第一端部分和第二端部分的底表面(具体地，发光器件300的子半导体层390)可以直接设置在第一电极线210A和第二电极线210B上。相反，第二发光器件300B和第三发光器件300C中的每个的第一端部分和第二端部分的表面(具体地，发光器件300的绝缘膜380)可以直接设置在第一电极线210A和第二电极线210B上。

当发光器件的第一半导体层310在发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分中暴露时，设置在发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分以及第一电极210上的第一接触电极261可以与发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分的侧部上的暴露的第一半导体层310直接接触。第一接触电极261可以设置成在第二方向DR2上延伸，并且可以围绕发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分。因此，第一接触电极261可以与在发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分中暴露的第一半导体层310的顶表面和侧部直接接触。

此外，第一接触电极261的第一图案261A和第二图案261B之间的距离DC可以小于第一电极线210A和第二电极线210B之间的距离DE。当第一接触电极261被设置成围绕发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分时，第一接触电极261的至少一部分可以直接设置在第一平坦化层109上。然而，由于第一图案261A和第二图案261B之间的距离DC大于发光器件300的发光部分AP的长度LA，所以第一图案261A和第二图案261B可以不与发光器件300的发光部分AP接触。

图9是沿着图2的线VIII-VIII'截取的剖视图。图9示出了相对于第二发光器件300B或第三发光器件300C的第一接触电极261和第二接触电极262的布局。

参考图9并进一步参考图3，发光器件300的第一端部分和第二端部分可以分别与第一接触电极261的第一图案261A和第二图案261B接触。第一半导体层310可以在第一端部分和第二端部分中的每个的顶表面和侧部上暴露，并且第一图案261A和第二图案261B可以与暴露的第一半导体层310直接接触。

这里，当第一接触电极261被设置成在第二方向DR2上延伸时，第一接触电极261可以与暴露的第一半导体层310的顶表面和侧部二者接触，而与设置在第一电极线210A和第二电极线210B之间的发光器件300的对准方向无关。在如图3中所示，发光器件300是第一发光器件300A的情况下，在第一接触电极261的与发光器件300的第一端部分和第二端部分接触的表面中，第一接触电极261的与暴露的第一半导体层310的顶表面接触的表面可以平行于第一衬底101的顶表面。相反，在发光器件300是第二发光器件300B或第三发光器件300C的情况下，如图8中所示，在第一接触电极261的与发光器件300的第一端部分和第二端部分接触的表面中，第一接触电极261的与暴露的第一半导体层310的顶表面接触的表面可以垂直于第一衬底101的顶表面。第一接触电极261的与第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C中的每个的第一端部分和第二端部分的侧部接触的表面可以形成为垂直于第一衬底101的顶表面。

图10是沿着图2的线IX-IX'截取的剖视图。图10示出了第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C中的每个的与第一接触电极261接触的第一端部分和第二端部分，具体地，第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C中的每个中的第一半导体层310的侧部和子半导体层390的侧部。

参考图10并进一步参考图3和图9，第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C中的每个的第一端部分和第二端部分中的至少一个可以被第一接触电极261围绕。第一接触电极261不仅可以与暴露的第一半导体层310接触，而且可以与绝缘膜380接触。第一接触电极261和在发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分中暴露的第一半导体层310的接触表面可以增加。结果，第一接触电极261和第一半导体层310之间的接触电阻可以减小。

类似地，第二接触电极262可以设置成不仅围绕第三端部分，而且围绕发光器件300的发光部分AP和主体部分BP的一部分。

图11是沿着图2的线X-X'截取的剖视图。图11示出了第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C的与第二接触电极262接触的第三端部分。

参考图11并进一步参考图3和图9，第一绝缘层510可以包括孔(图3的“HP”)，其暴露发光器件300的第三端部分的一部分，并且第二接触电极262可以通过孔HP与发光器件300的第三端部分接触。然而，第一绝缘层510的孔HP可以在第二方向DR2上延伸以暴露发光器件300的中间部分的一部分。在第一发光器件300A的情况下，不仅发光器件300的第三端部分的顶表面(即，电极层370的顶表面)，而且发光器件300的第一表面和第二表面可以由第一绝缘层510的孔HP暴露。在第二发光器件300B和第三发光器件300C的情况下，不仅发光器件300中的每个的电极层370的顶表面，而且发光器件300中的每个的第一表面或第二表面以及底表面可以通过第一绝缘层510的孔HP暴露。当第二接触电极262设置在孔HP中并且在第二方向DR2上延伸时，第二接触电极262可以围绕第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C的一部分。

在一个实施方式中，第二接触电极262可以不仅与发光器件300的发光部分AP或第三端部分接触，而且与发光器件300的主体部分BP的与发光器件300的发光部分AP直接连接的部分接触。主体部分BP的与第二接触电极262接触的部分可以是主体部分BP的在其中设置有绝缘膜380的部分，具体地，主体部分BP中的每个的在宽度WD的方向上的第一表面和第二表面，并且可以是子半导体层390的底表面。例如，在第一发光器件300A的情况下，不仅第一发光器件300A的电极层370的顶表面，而且第一发光器件300A的主体部分BP的在宽度WD的方向上的第一表面和第二表面以及第一发光器件300A的子半导体层390的底表面可以与第二接触电极262接触。相反，不仅第二发光器件300B和第三发光器件300C的电极层370的顶表面，而且第二发光器件300B和第三发光器件300C中的每个的主体部分BP中的每个的在宽度WD的方向上的第一表面和第二表面以及第二发光器件300B和第三发光器件300C的子半导体层390的底表面可以与第二接触电极262接触。

与主体部分BP接触的第二接触电极262可以与主体部分BP中的每个的绝缘膜380或子半导体层390直接接触，但不与第一半导体层310直接接触。取决于发光部分AP的对准方向，第一发光器件300A、第二发光器件300B和第三发光器件300C从第一平坦化层109的顶表面起具有不同的高度，并且因而形成高度差，并且当第二接触电极262被设置成沿着高度差具有均匀的厚度时，从第一平坦化层109到第二接触电极262的顶表面的高度可以变化。

第二接触电极262可以与发光器件300的由孔HP暴露的第三端部分直接接触，具体地，与暴露的电极层370的顶表面直接接触。此外，第二接触电极262可以直接接触发光器件300中的每个的绝缘膜380和子半导体层390。由于第一绝缘层510的存在，第二接触电极262可以不与第一接触电极261直接接触，并且可以防止第一接触电极261和第二接触电极262之间的任何短路。

发光器件300可以包括主体部分BP和具有与主体部分BP不同长度的发光部分AP，并且可以至少部分地突出。包括在发光部分AP中的有源层330可以具有相对大的面积，并且可以改善发光器件300的发射效率。此外，显示装置10可以包括其布局取决于发光部分AP所面向的方向而变化的发光器件300。第一接触电极261和第二接触电极262可以沿着发光器件300沿其布置的方向延伸，并且可以与发光器件300中的每个的半导体层具有大的接触面积，而不管发光器件300的对准方向如何。结果，可以减小接触电极261和262与发光器件300之间的接触电阻。

下文中，将描述发光器件300和显示装置10的各种实施方式。

图12是根据本公开的实施方式的发光器件的剖视图。图13是包括图12的发光器件的显示装置的剖视图。

参考图12和图13，发光器件300_1的第一半导体层310_1可以包括多个层。第一半导体层310_1可以包括第一层310A、第二层310B和第三层310C，并且第一层310A、第二层310B和第三层310C可以沿着半导体层沿其堆叠的方向顺序地布置。图12和图13的发光器件300_1和显示装置10_1与图3和图5的其相应的对应部分的不同之处在于，第一半导体层310_1包括多个层。下文中，将主要侧重于与图3和图5的实施方式的不同之处，来描述图12和图13的实施方式。

发光器件300_1的第一半导体层310_1可以用n型掺杂剂掺杂成n型半导体层。第一半导体层310_1可以包括具有不同n型掺杂剂掺杂浓度或载流子浓度的多个层，例如第一层310A、第二层310B和第三层310C。第一层310A可以设置在第一半导体层310_1的第一部分(其与发光器件300的主体部分BP对应)上，并且与第一半导体层310_1的第一部分对应的第一层310A的顶表面的一部分可以突出以形成第一半导体层310_1的第二部分。有源层330可以设置在第一层310A的突出部分上。第二层310B和第三层310C可以设置在第一半导体层310_1的第一部分上。

在一些实施方式中，第一半导体层310_1的载流子浓度可以从第一层310A向第三层310C逐渐减小。即，第三层310C的载流子浓度可以低于第一层310A和第二层310B的载流子浓度，并且第二层310B的载流子浓度可以低于第一层310A的载流子浓度。然而，本公开不限于此。第一半导体层310_1的载流子浓度越高，第一半导体层310_1的电阻越低。由于第一半导体层310_1包括多个层310A、310B和310B，发光器件300_1的载流子浓度可以从子半导体层390向有源层330增加，并且发光器件300_1的电阻可以从子半导体层390向有源层330减小。可以进一步改善发光器件300_1的器件效率。

图14是根据本公开的另一实施方式的显示装置的子像素的平面图。图15是沿着图14的线Q1-Q1'截取的剖视图。

参考图14和图15，显示装置10_2可以包括第一电极210_2和设置在第一平坦化层109的整个表面上的第二绝缘层520_2。第一接触电极261_2可以直接设置在第二绝缘层520_2上，并且可以与通过形成在第二绝缘层520_2中的开口OP暴露的第一电极210_2直接接触。图14和图15的显示装置10_2与图2和图3的其对应部分的不同之处在于，它还包括第二绝缘层520_2。下文中，将主要侧重于与图2和图3的实施方式的不同之处，来描述图14和图15的实施方式。

显示装置10_2还可以包括设置成覆盖第一电极210_2的第二绝缘层520_2。第二绝缘层520_2可以包括与第一绝缘层510_2基本上相同的材料，并且因此可以形成设置成覆盖第一电极210_2和第一平坦化层109的另一层。当第二绝缘层520_2设置成覆盖第一电极210_2时，发光器件300可以直接设置在第二绝缘层520_2上。第二绝缘层520_2可以防止发光器件300与第二绝缘层520_2直接接触，并且施加到第一电极210_2的电信号可以通过第一接触电极261_2传输到发光器件300。

通过第二绝缘层520_2暴露第一电极210_2的顶表面的部分的开口OP可以形成在第二绝缘层520_2中。开口OP可以形成在与第一电极线210A和第二电极线210B重叠的区域中。虽然没有具体示出，但是开口OP可以在第二方向DR2上延伸。开口OP可以形成为与发光器件300隔开预定距离，并且第一接触电极261_2可以形成为具有比开口OP大的宽度，即宽度W1_2，并且因此覆盖开口OP。当第一接触电极261_2的宽度W1_2大于图2的第一接触电极261的宽度时，第一接触电极261_2的宽度W1_2可以不同于第二接触电极262的宽度W2。例如，第一接触电极261_2的宽度W1_2可以大于第二接触电极262的宽度W2。第一接触电极261_2可以具有相对大的宽度，即宽度W1_2，并且可以覆盖开口OP，同时保持第一图案261A和第二图案261B之间的距离DC。第一图案261A和第二图案261B可以分别与由开口OP暴露的第一电极线210A和第二电极线210B接触，并且发光器件300可以通过第一电极线210A和第二电极线210B电连接到第一电极210_2。

图16是根据本公开的另一实施方式的显示装置的子像素的平面图。图17是沿着图16的线Q2-Q2'截取的剖视图。

参考图16和图17的显示装置10_3，第一接触电极261_3的宽度W1_3可以大于第一电极210_3的宽度WE1。第一接触电极261_3的第一图案261A和第二图案261B可以被设置成分别覆盖第一电极线210A和第二电极线210B。第一接触电极261_3可以与第一电极210_3的相对大的区域接触，并且可以进一步减小第一接触电极261_3和第一电极210_3之间的接触电阻。图16和图17的显示装置10_3与图2和图3的其对应部分的不同之处在于第一图案261A_3和第二图案261B_3的宽度W1_3，并且将省略对显示装置10_3的其它特征的描述。

图18是根据本公开的另一实施方式的显示装置的子像素的平面图。图19是沿着图18的线Q3-Q3'截取的剖视图。

参考图18和图19的显示装置10_4，显示装置10_4的第二接触电极262_4的宽度W2_4可以大于第一接触电极261_4的宽度W1_4。图18和图19的显示装置10_4与图2和图3的其对应部分的不同之处在于第二接触电极262_4的宽度W2_4。下文中，将主要侧重于与图2和图3的实施方式的不同之处，来描述图18和图19的实施方式。

显示装置10_4的第二接触电极262_4可以设置在第一绝缘层510_4的孔HP中，以围绕发光器件300的第三端部分。第二接触电极262_4的基本上与发光器件300中的每个的半导体层接触的部分可以是第二接触电极262_4的表面的与在发光器件300的发光部分AP的顶表面上暴露的电极层370接触的部分。第一接触电极261_4可以与发光器件300中的每个的第一端部分和第二端部分中的每个的顶表面和侧部接触，并且因此可以与发光器件300中的每个的暴露的第一半导体层310的相对大的区域接触。显示装置10_4的第二接触电极262_4可以形成为具有比第一接触电极261_4大的宽度，并且可以与发光器件300中的每个的发光部分AP的顶表面的相对大的面积接触，即发光器件300中的每个的电极层370或第二半导体层320。因此，可以进一步减小第二接触电极262_4和发光器件300之间的接触电阻。

在详细描述的最后，本领域的技术人员将理解，在本质上不背离本发明的原理的情况下，可以对优选实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的本发明的优选实施方式仅以概述性和描述性的含义使用，而不是出于限制的目的。

Claims

1.显示装置，包括：

第一电极，包括在第一方向上延伸的第一电极线、以及在所述第一方向上延伸并且在第二方向上与所述第一电极线间隔开的第二电极线；

发光器件，设置在所述第一电极线和所述第二电极线之间；

第一接触电极，在所述第一方向上延伸并且包括第一图案和第二图案，所述第一图案设置成与所述第一电极线和所述发光器件中的每个的一个端部分重叠，所述第二图案设置成与所述第二电极线和所述发光器件中的每个的另一端部分重叠；

第二电极，设置在所述发光器件上以与所述第一电极和所述发光器件至少部分地重叠；以及

第二接触电极，在所述第一方向上延伸并且设置在所述发光器件和所述第二电极之间，

其中，所述发光器件是各自包括多个半导体层和围绕所述多个半导体层的外表面的部分的绝缘膜的发光器件，所述发光器件包括在所述第二方向上延伸的主体部分、以及设置在所述主体部分上并且在所述第二方向上具有比所述主体部分小的长度的发光部分。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件的所述发光部分设置成面向所述第二电极，所述第二发光器件的所述发光部分设置成面向所述第一方向。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述发光器件的所述主体部分中的每个包括在所述第二方向上的第一端部分和第二端部分，

所述第一接触电极的所述第一图案设置成与所述第一电极线和所述第一端部分重叠，以及

所述第一接触电极的所述第二图案设置成与所述第二电极线和所述第二端部分重叠。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

所述第一电极线和所述第二电极线之间的距离小于所述主体部分的在所述第二方向上的长度，以及

所述主体部分的长度小于所述第一图案和所述第二图案之间的距离。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

所述第一图案设置成围绕所述第一端部分的至少一部分，以及

所述第二图案设置成围绕所述第二端部分的至少一部分，但不与所述发光器件的所述发光部分接触。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二接触电极与所述发光器件的所述发光部分和所述第二电极接触。

7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一电极线和所述第二电极线的宽度小于所述第二电极的宽度。

8.显示装置，包括：

衬底；

第一电极，设置在所述衬底上，并且包括设置成彼此间隔开的第一电极线和第二电极线；

发光器件，设置在所述第一电极线和所述第二电极线之间；

第一接触电极，包括第一图案和第二图案，所述第一图案设置在所述第一电极线和所述发光器件的至少部分上，所述第二图案设置在所述第二电极线和所述发光器件的至少部分上；

第二接触电极，在所述第一图案和所述第二图案之间设置在所述发光器件上；以及

第二电极，设置在所述第二接触电极上，

其中，

所述发光器件包括在一个方向上延伸的主体部分和在所述一个方向上具有比所述主体部分小的长度的发光部分，

所述第一接触电极的所述第一图案设置在所述主体部分的第一端部分上，

所述第一接触电极的所述第二图案设置在所述主体部分的第二端部分上，以及

所述第二接触电极设置在所述发光部分上。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

所述第一接触电极的所述第一图案与所述发光器件的所述第一端部分的顶表面和侧部接触，以及

所述第一接触电极的所述第二图案与所述发光器件的所述第二端部分的顶表面和侧部接触。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第二接触电极与所述发光部分的顶表面和侧部接触。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二接触电极与直接连接到所述发光部分的一些部分接触。

12.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

所述发光器件中的每个包括多个半导体层和围绕所述多个半导体层的外表面的部分的绝缘膜，以及

所述绝缘膜设置成围绕所述主体部分、以及所述发光部分的侧部，但不设置在所述主体部分的侧部和顶表面中的、所述主体部分的在其上不设置所述发光部分的部分上。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述发光器件包括第一发光器件和第二发光器件，所述第一发光器件的所述发光部分设置成面向所述衬底的向上方向，所述第二发光器件的所述发光部分设置成面向与所述衬底的顶表面平行的方向。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

在所述发光器件的所述第一端部分中，所述发光器件中的每个的所述多个半导体层的顶表面和侧部的在其中不设置所述绝缘膜的部分暴露，以及

所述第一发光器件的与所述第一图案接触的表面和所述第一端部分的顶表面平行于所述衬底的所述顶表面。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第二发光器件的与所述第一图案接触的表面和所述第一端部分的所述顶表面垂直于所述衬底的所述顶表面。

16.发光器件，包括：

多个半导体层；以及

绝缘膜，围绕所述多个半导体层的外表面的部分；

其中，

所述多个半导体层包括第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层，

所述发光器件包括在一个方向上延伸的主体部分、以及设置在所述主体部分上并且在所述一个方向上具有比所述主体部分小的长度的发光部分，以及

所述有源层设置在所述发光部分上。

17.根据权利要求16所述的发光器件，还包括：

子半导体层，设置在所述第一半导体层下方；以及

电极层，设置在所述第二半导体层上。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其中，

所述第一半导体层包括设置在所述主体部分上的第一部分和从所述第一部分的顶表面的一部分突出的第二部分，以及

所述有源层设置在所述第一半导体层的所述第二部分上。

19.根据权利要求16所述的发光器件，其中，

所述主体部分的宽度与所述发光部分的宽度相同，以及

所述主体部分和所述发光部分的高度之和小于所述主体部分的在所述一个方向上的所述长度。

20.根据权利要求19所述的发光器件，其中，

所述绝缘膜设置在所述主体部分的在所述宽度的方向上的两个表面上，以围绕所述发光部分的侧部，并且所述绝缘膜不设置在所述主体部分的顶表面的在其上不设置所述发光部分的部分上。