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CN115151414A - 用于电子器件的聚合物组合物 - Google Patents

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CN115151414A CN202180016695.0A CN202180016695A CN115151414A CN 115151414 A CN115151414 A CN 115151414A CN 202180016695 A CN202180016695 A CN 202180016695A CN 115151414 A CN115151414 A CN 115151414A
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ohm
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金荣申
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Ticona LLC
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Abstract

提供了一种聚合物组合物。该聚合物组合物包含液晶、导电填料和矿物填料。该聚合物组合物表现出如根据ASTM D257‑14测定的1×1012ohm至约1×1018ohm的表面电阻率。

Description

用于电子器件的聚合物组合物
相关申请的交叉引用
本申请要求申请日为2020年2月26日的美国临时专利申请第62/981,681号和申请日为2020年7月28日的美国临时专利申请第63/057,349号的优先权，其全部内容通过引用整体并入本文。
背景技术
模制互连器件(Molded interconnect device，MID)是通常包括塑料组件和电子电路迹线的三维机电部件。创建塑料基板或壳体，并将电路和器件镀覆、成层或植入在塑料基板上。MID通常比传统生产的器件具有更少的部件，从而节省空间和重量。当前制造MID的工艺包括双射模制和激光直接模制。例如，激光直接模制包括注塑模制、塑料材料的激光活化然后金属化等步骤。激光将布线图蚀刻到部件上，为金属化做好准备。尽管这种器件具有很多好处，但仍然需要电子封装，电子封装能够在较小的空间中使用并且能够以较高的速度运行，同时使用较少的功率并且制造成本相对较低。为帮助解决这些问题而开发的一种技术被称为“专用电子封装”(Application Specific Electronics Packaging，ASEP)。这种封装系统能够通过依赖于使用模制在单个化载体部分上的镀覆塑料基板，而使用卷轴对卷轴(reel-to-reel)(连续流)制造工艺来制造产品。不幸的是，这些系统的限制之一是用于塑料基板的聚合材料不容易镀上导电电路迹线，并且通常也不具备所需的耐热程度和机械强度。
因此，目前需要一种可用于经封装的电子器件的基板中的改进的聚合物组合物。
发明内容
根据本发明的一个实施方式，公开了一种聚合物组合物，该聚合物组合物包含液晶聚合物、导电填料和矿物填料。该聚合物组合物表现出如根据ASTM D257-14测定的1×1012ohm至约1×1018ohm的表面电阻率。
本发明的其他特征和方面在下文中更详细地阐述。
附图说明
在说明书的其余部分中，包括参考附图，更具体地阐述了本发明的完整且可行的披露，包括对本领域技术人员而言的最佳实施方式。
图1是可用于形成本发明的电子器件的制造过程的一个实施方式的流程图；
图2是图1所示的制造过程的透视图，其中显示出在形成电子器件期间在载体上的各个阶段的基板；
图3是图2所示电子器件与载体分离后的透视图；
图4是可用于图1所示的制造过程的卷轴对卷轴载体的一个实施方式的透视图；
图5是在基板上形成电路迹线的一个实施方式的示意图；
图6是示出了可用于图1的制造过程的附加步骤的流程图；
图7是车灯形式的本发明的电子器件的一个实施方式的透视图；和
图8是图7所示的电子器件的分解透视图。
具体实施方式
本领域普通技术人员将理解，本文的讨论仅仅是描述示例性实施方式，不意在限制本发明的更宽泛的方面。
一般而言，本发明涉及一种聚合物组合物，该聚合物组合物可用于电子器件，例如印刷电路板、柔性电路、连接器、热管理功能、EMI屏蔽、大电流导体、RFID设备、天线、无线功率器件、传感器、MEMS设备、LED器件、微处理器、存储器件、ASIC、无源器件、阻抗控制器件、机电设备或其组合。值得注意的是，聚合物组合物包含一定量的液晶聚合物、导电填料和矿物填料，使得所得表面电阻率在特定范围内，例如根据IEC 60093测定的，例如为约1×1012ohm至约1×1018ohm，在一些实施方式中为约1×1013ohm至约1×1018ohm，在一些实施方式中为约1×1014ohm至约1×1017ohm，以及在一些实施方式中为约1×1015ohm至约1x1017ohm。类似地，组合物还可表现出例如根据ASTM D257-14(技术上等同于IEC 62631-3-1)测定的约1x1010ohm-m至约1x1016ohm-m的体积电阻率，在一些实施方式中为约1x1011ohm-m至约1x1016ohm-m，在一些实施方式中为约1x1012ohm-m至约1x1015ohm-m，并且在一些实施方式中为约1x1013ohm-m至约1x1015ohm-m。以这种方式，聚合物组合物在性质上通常可以是抗静电的，使得大量电流不会流过其中。尽管所得聚合物组合物通常是抗静电的，但所得聚合物组合物仍然可以允许一定程度的静电耗散以促进导电迹线在其上的镀覆和沉积。
通常，认为具有这种电阻率值的组合物不会具有良好的机械性能。然而，与常规想法相反，已发现本发明的组合物具有优异的强度性能。例如，该组合物可以表现出根据ISO测试179-1:2010号在23℃所测定的约2kJ/m2、在一些实施方式中约4kJ/m2至约40kJ/m2以及在一些实施方式中约6kJ/m2至约30kJ/m2的简支梁无缺口和/或缺口冲击强度。该组合物也可以表现出：约20MPa至约500MPa、在一些实施方式中约50MPa至约400MPa以及在一些实施方式中约60MPa至约350MPa的拉伸强度；约0.5％或更大、在一些实施方式中约0.8％至约15％以及在一些实施方式中约1％至约10％的拉伸断裂应变；和/或约5000MPa至约30000MPa、在一些实施方式中约7000MPa至约25000MPa以及在一些实施方式中约10000MPa至约20000MPa的拉伸模量。拉伸性能可以根据ISO测试527:2019号在23℃下测定。该组合物也可以表现出：约40MPa至约500MPa、在一些实施方式中约50MPa至约400MPa以及在一些实施方式中约100MPa至约350MPa的拉伸强度；约0.5％或更大、在一些实施方式中约0.8％至约15％以及在一些实施方式中约1％至约10％的弯曲断裂应变；和/或约7000MPa或更大、在一些实施方式中约9000MPa或更大、在一些实施方式中约10000MPa至约30000MPa、以及在一些实施方式中约12000MPa至约25000MPa的弯曲模量。弯曲性能可以根据ISO测试178:2019号在23℃下测定。该组合物还可以表现出如根据ASTM D648-07(技术上等效于ISO测试75-2:2013号)在1.8MPa的指定负荷下所测定的，约180℃或更高以及在一些实施方式中约190℃至约280℃的载荷挠曲温度(Deflection temperature under load，DTUL)。
该聚合物组合物还可以表现出如在2GHz的频率下通过分离介质谐振器方法所测定的约4或更高、在一些实施方式中为约5或更高、在一些实施方式中为约6或更高、在一些实施方式中为约8至约30、在一些实施方式中为约10至约25、以及在一些实施方式中为约12至约24的高介电常数。如此高的介电常数可以促进形成薄基板的能力，并且还允许采用多个导电元件(例如，天线)，这些导电元件同时工作，只有最小程度的电干扰。耗散因数(能量损失率的量度)也可以相对较低，如在2GHz的频率下通过分离介质谐振器方法所测定的，例如为约0.3或更低，在一些实施方式中为约0.2或更低，在一些实施方式中为约0.1或更低，在一些实施方式中为约0.06或更低，在一些实施方式中为约0.04或更低，在一些实施方式中为约0.001至约0.03。本发明人还发现，即使暴露于各种温度，例如约-30℃至约100℃的温度下，介电常数和耗散因数也可以保持在上述范围内。例如，当经历如本文所述的热循环测试时，热循环后的介电常数与初始介电常数之比可以为约0.8或更大，在一些实施方式中为约0.9或更大，在一些实施方式中为约0.95至约1.1。同样地，暴露于高温后的耗散因数与初始耗散因数之比可以为约1.3或更小，在一些实施方式中为约1.2或更小，在一些实施方式中为约1.1或更小，在一些实施方式中为约1.0或更小，在一些实施方式中为约0.95或更小，在一些实施方式中为约0.1至约0.95，以及在一些实施方式中为约0.2至约0.9。耗散因数的变化(即，初始耗散因数-热循环后的耗散因数)也可以在约-0.1至约0.1的范围内，在一些实施方式中，在约-0.05至约0.01的范围内，以及在一些实施方式中，在约-0.001至0的范围内。
现将更详细地描述本发明的各种实施方式。
I.聚合物组合物
A.聚合物基质
聚合物基质通常含有一般占聚合物组合物的约30wt.％至约80wt.％、在一些实施方式中约40wt.％至约75wt.％以及在一些实施方式中约50wt.％至约70wt.％的一种或多种液晶聚合物。这种聚合物通常具有高结晶度，使它们能够有效地填充模具的小空隙。液晶聚合物一般被分类为“热致性”，因为液晶聚合物可拥有棒状结构且在其熔融状态(例如，热致性向列状态)下表现出结晶行为。这种聚合物可以由本领域已知的一种或多种类型的重复单元形成。液晶聚合物可以，例如，含有一个或多个通常由下式(I)表示的芳族酯重复单元：
Figure BDA0003814403910000051
其中，
环B为取代或未取代的6元芳基(例如，1,4-亚苯基或1,3-亚苯基)、与取代或未取代的5元或6元芳基稠合的取代或未取代的6元芳基(例如，2,6-萘)或与取代或未取代的5元或6元芳基连接的取代或未取代的6元芳基(例如，4,4-亚联苯基)；以及
Y1和Y2独立地为O、C(O)、NH、C(O)HN或NHC(O)。
通常，Y1和Y2中的至少一个为C(O)。这种芳族酯重复单元的实例可以包括：例如，芳族二羧基重复单元(式I中的Y1和Y2为C(O))、芳族羟基羧基重复单元(式I中的Y1为O，且Y2为C(O))、及其各种组合。
例如，可以使用衍生自芳族羟基羧酸的芳族羟基羧系重复单元，例如4-羟基苯甲酸；4-羟基-4'-联苯羧酸；2-羟基-6-萘甲酸；2-羟基-5-萘甲酸；3-羟基-2-萘甲酸；2-羟基-3-萘甲酸；4'-羟苯基-4-苯甲酸；3'-羟苯基-4-苯甲酸；4'-羟苯基-3-苯甲酸等，以及其烷基、烷氧基、芳基和卤素取代物及其组合。特别合适的芳族羟基羧酸为4-羟基苯甲酸(HBA)和6-羟基-2-萘甲酸(HNA)。当使用时，衍生自羟基羧酸的重复单元(例如，HBA和/或HNA)通常占聚合物的约40mol.％或更多、在一些实施方式中约45mol.％或更多以及在一些实施方式中约50mol.％至100mol.％。在一个实施方式中，例如，衍生自HBA的重复单元可以占聚合物的约30mol.％至约90mol.％、在一些实施方式中占聚合物的约40mol.％至约85mol.％，在一些实施方式中占聚合物的约50mol.％至约80mol.％。类似地，衍生自HNA的重复单元可以占聚合物的约1mol.％至约30mol.％、在一些实施方式中占聚合物的约2mol.％至约25mol.％，在一些实施方式中占聚合物的约3mol.％至约15mol.％。
也可以使用衍生自芳族二羧酸的芳族二羧系重复单元，例如对苯二甲酸、间苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、二苯醚-4,4'-二羧酸、1,6-萘二羧酸、2,7-萘二羧酸、4,4'-二羧基联苯、双(4-羧基苯基)醚、双(4-羧基苯基)丁烷、双(4-羧基苯基)乙烷、双(3-羧基苯基)醚、双(3-羧基苯基)乙烷等，以及其烷基、烷氧基、芳基和卤素取代物及其组合。特别合适的芳族二羧酸可以包括：例如，对苯二甲酸(“TA”)、间苯二甲酸(“IA”)和2,6-萘二羧酸(“NDA”)。当使用时，衍生自芳族二羧酸(例如，IA、TA和/或NDA)的重复单元通常占聚合物的约1mol.％至约50mol.％、在一些实施方式中约2mol.％至约40mol.％以及在一些实施方式中约5mol.％至约30mol.％。
其他重复单元也可以用于该聚合物中。在某些实施方式中，例如，可以使用衍生自芳族二醇的重复单元，例如，对苯二酚、间苯二酚、2,6-二羟基萘、2,7-二羟基萘、1,6-二羟基萘、4,4'-二甲基联苯(或4,4'-联苯酚)、3,3'-二羟基联苯、3,4'-二羟基联苯、4,4'-二羟基联苯醚、双(4-羟苯基)乙烷等以及其烷基、烷氧基、芳基和卤素取代物及其组合。特别合适的芳族二醇可以包括，例如对苯二酚(HQ)和4,4'-联苯酚(BP)。当使用时，衍生自芳族二醇(例如，HQ和/或BP)的重复单元通常占聚合物的约1mol.％至约30mol.％、在一些实施方式中约2mol.％至约25mol.％以及在一些实施方式中约5mol.％至约20mol.％。也可以使用重复单元，例如，衍生自芳族酰胺(例如，对乙酰氨基酚(APAP))和/或芳族胺(例如，4-氨基苯酚(AP)、3-氨基苯酚、1,4-苯二胺、1,3-苯二胺等)的那些重复单元。当使用时，衍生自芳族酰胺(例如，APAP)和/或芳族胺(例如，AP)的重复单元通常占聚合物的约0.1mol.％至约20mol.％、在一些实施方式中约0.5mol.％至约15mol.％以及在一些实施方式中约1mol.％至约10mol.％。还应当理解，可以将各种其他单体重复单元并入到该聚合物中。例如，在某些实施方式中，该聚合物可以含有衍生自非芳族单体(例如脂肪族或脂环族羟基羧酸、二羧酸、二醇、酰胺、胺等)的一个或多个重复单元。当然，在其他实施方式中，由于该聚合物缺少衍生自非芳族(例如，脂肪族或脂环族)单体的重复单元，该聚合物可以为“全芳族的”。
尽管不一定需要，但在该液晶聚合物含有相对低含量的衍生自环烷羟基羧酸和环烷二羧酸(例如，萘-2,6-二羧酸(NDA)、6-羟基-2-萘甲酸(HNA))或其组合的重复单元的方面来看，该液晶聚合物可以为“低环烷”聚合物。也就是说，衍生自环烷羟基羧酸和/或环烷二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA和NDA的组合)的重复单元的总量通常为聚合物的约15mol.％或更少，在一些实施方式中为约10mol.％或更少多，在一些实施方式中为约1mol.％至约8mol.％。
B.导电填料
如上所述，在聚合物组合物中还使用了导电填料以实现所需的表面和/或体积电阻率值。这可以通过选择单一材料作为具有期望电阻率的填料或通过将多种材料(例如，绝缘的和导电的)共混在一起以使所得填料具有期望的电阻率来实现。在一个特定的实施方式中，例如，可以采用例如根据ASTM D257-14(技术上等同于IEC 62631-3-1)在约20℃在温度下测定的体积电阻率小于约1ohm-cm、在一些实施方式中约小于约0.1ohm-cm，并且在一些实施方式中为约1x10-8至约1x10-2ohm-cm、小于约0.1ohm-cm，并且在一些实施方式中为约1x10-8hm-cm至约1x10-2ohm-cm的导电材料。合适的导电材料可以包括例如碳材料，例如石墨、炭黑、碳纤维、石墨烯、碳纳米管等。类似地，其他合适的导电填料可以包括金属(例如，金属粒子、金属片、金属纤维等)、离子液体等。无论采用何种材料，导电填料通常占每100重量份聚合物基质的约0.5重量份至约20重量份、在一些实施方式中约1重量份至约15重量份以及在一些实施方式中约2重量份至约8重量份。例如，导电填料可以占聚合物组合物的约0.1wt.％至约10wt.％，在一些实施方式中约0.2wt.％至约8wt.％，并且在一些实施方式中约0.5wt.％至约4wt.％。
C.矿物填料
如果需要，聚合物组合物还可以含有分布于聚合物基质内的一种或多种矿物填料。这种(一种或多种)矿物填料通常占每100重量份聚合物基质的约10重量份至约80重量份、在一些实施方式中约20重量份至约70重量份以及在一些实施方式中约30重量份至约60重量份。例如，纤维填料可以占聚合物组合物的约5wt.％至约60wt.％，在一些实施方式中约10wt.％至约55wt.％，在一些实施方式中约25wt.％至约40wt.％。此外，矿物填料与导电填料的重量比可以为约2至约500、在一些实施方式中为约3至约150、在一些实施方式中为约4至约75以及在一些实施方式中为约5至约15。通过选择性地调整矿物填料的类型和相对量，本发明人发现不仅可以提高机械性能，而且可以在不显著影响聚合物组合物的整体电导率的情况下提高热导率。这使得该组合物能够产生用于将热量从所得的电子器件转移出去的热通路，从而可以快速消除“热点”并且可以在使用过程中降低整体温度。例如，该组合物可以表现出如根据ASTM E 1461-13测定的约0.2W/m-K或更大、在一些实施方式中约0.5W/m-K或更大、在一些实施方式中约0.6W/m-K或更大、在一些实施方式中约0.8W/m-K或更大以及在一些实施方式中为约1W/m-K至约3.5W/m-K的层内热导率(in-plane thermalconductivity)。该组合物还可以表现出如根据ASTM E 1461-13测定的约0.3W/m-K或更大、在一些实施方式中约0.5W/m-K或更大、在一些实施方式中约0.40W/m-K或更大以及在一些实施方式中为约0.7W/m-K至约2W/m-K的层间热导率(through-plane thermalconductivity)。值得注意的是，已经发现这种热导率可以在不使用具有高度的本征热导率的常规材料的情况下实现。例如，聚合物组合物通常可以不含本征热导率为50W/mK或更高、在一些实施方式中为100W/mK或更高、并且在一些实施方式中为150W/mK或更高的填料。这种高本征导热材料的示例可以包括例如氮化硼、氮化铝、氮化硅镁、石墨(例如膨胀石墨)、碳化硅、碳纳米管、氧化锌、氧化镁、氧化铍、氧化锆、氧化钇、铝粉、和铜粉。虽然通常希望使这种高本征导热材料的存在最小化，但它们在某些实施方式中仍然可以占聚合物组合物相对较小的百分比存在，例如以约10wt.％或更少的量存在，在一些实施方式中约5wt.％或更少，并且在一些实施方式中约0.01wt.％至约2wt.％。
聚合物组合物中所使用的矿物填料的性质可以变化，例如，矿物粒子、矿物纤维(或“须晶”)等以及其掺合物。例如，合适的矿物纤维可以包括那些衍生自以下的矿物纤维：硅酸盐，例如岛状硅酸盐、俦硅酸盐、链硅酸盐(例如，链硅酸钙，例如硅灰石；链硅酸钙镁，例如透闪石；链硅酸钙镁铁，例如阳起石；链硅酸镁铁，例如直闪石；等等)、页硅酸盐(例如，页硅酸铝，例如坡缕石)、网状硅酸盐等；硫酸盐，例如硫酸钙(例如，脱水或无水石膏)；矿物棉(例如，岩棉或渣棉)；等等。特别合适的是链硅酸盐，例如可从Nyco Minerals获得的商品名为
Figure BDA0003814403910000101
(例如，
Figure BDA0003814403910000102
4W或
Figure BDA0003814403910000103
8)的硅灰石纤维。矿物纤维的中数直径可以为约1微米至约35微米、在一些实施方式中约2微米至约20微米、在一些实施方式中约3微米至约15微米以及在一些实施方式中约7微米至约12微米。矿物纤维也可以具有较窄的尺寸分布。也就是说，至少约60vol％的纤维、在一些实施方式中至少约70vol％的纤维以及在一些实施方式中至少约80vol％的纤维可以具有在上文所提及的范围内的尺寸。不受理论的限制，据信具有上述尺寸特征的矿物纤维可更容易地通过模塑装置，这增强了聚合物基质内的分布并使表面缺陷的产生最小化。除具有上述尺寸特征以外，矿物纤维也可以具有相对高的长径比(平均长度除以中数直径)以帮助进一步改进所得聚合物组合物的机械特性和表面质量。例如，矿物纤维可以具有约2至约100、在一些实施方式中约2至约50、在一些实施方式中约3至约20以及在一些实施方式中约4至约15的长径比。这种矿物纤维的体积平均长度可以例如介于约1微米至约200微米、在一些实施方式中约2微米至约150微米、在一些实施方式中约5微米至约100微米以及在一些实施方式中约10微米至约50微米的范围内。
其他合适的矿物填料是矿物粒子。粒子的平均直径可以例如介于约5微米至约200微米、在一些实施方式中约8微米至约150微米以及在一些实施方式中约10微米至约100微米的范围内。粒子的形状可以根据需要变化，例如颗粒状、片状等。例如，可以使用具有相对高的径厚比(例如，平均直径除以平均厚度)、例如约4或更大、在一些实施方式中约8或更大以及在一些实施方式中约10至约500的片状粒子。类似地，这种片状粒子的平均厚度可以为约2微米或更小，在一些实施方式中约5纳米至约1微米，并且在一些实施方式中，约20纳米至约500纳米。不管它们的形状和尺寸如何，粒子通常由天然和/或合成硅酸盐矿物形成，例如滑石、云母、埃洛石、高岭石、伊利石、蒙脱石、蛭石、坡缕石、叶蜡石、硅酸钙、硅酸铝、硅灰石等。滑石和云母是特别合适的。通常可以使用任何形式的云母，包括，例如白云母(KAl2(AlSi3)O10(OH)2)、黑云母(K(Mg,Fe)3(AlSi3)O10(OH)2)、金云母(KMg3(AlSi3)O10(OH)2)、锂云母(K(Li,Al)2-3(AlSi3)O10(OH)2)、海绿石((K,Na)(Al,Mg,Fe)2(Si,Al)4O10(OH)2)等。基于白云母的云母特别适合用于聚合物组合物。
D.可选组分
聚合物组合物还可以包括很多额外的添加剂，例如，玻璃纤维、抗冲改性剂、润滑剂、颜料(例如炭黑)、抗氧化剂、稳定剂、表面活性剂、蜡、阻燃剂、抗滴落添加剂、成核剂(例如，氮化硼)和添加以增强特性和可加工性的其他材料。例如，聚合物组合物中可以使用润滑剂，该润滑剂占聚合物组合物的约0.05wt.％至约1.5wt.％，在一些实施方式中约0.1wt.％至约0.5wt.％。这种润滑剂的实例包括通常在工程塑料材料的加工中用作润滑剂的类型的脂肪酸酯、其盐、酯、脂肪酸酰胺、有机磷酸酯及烃蜡，包括其混合物。合适的脂肪酸通常具有含有约12个至约60个碳原子的碳主链，例如肉豆蔻酸、棕榈酸、硬脂酸、花生酸、褐煤酸、十八酸、帕里拉油酸(parinric acid)等。合适的酯包括脂肪酸酯、脂肪醇酯、蜡酯、甘油酯、二醇酯和复合酯。脂肪酸酰胺包括脂肪初级酰胺、脂肪二级酰胺、亚甲基和亚乙基双酰胺及烷醇酰胺，例如，棕榈酸酰胺、硬脂酸酰胺、油酸酰胺、N,N'-亚乙基双硬脂酰胺等。脂肪酸的金属盐也是合适的，例如，硬脂酸钙、硬脂酸锌、硬脂酸镁等；烃蜡，包括石蜡、聚烯烃和氧化聚烯烃蜡及微晶蜡。特别合适的润滑剂为硬脂酸的酸、盐或酰胺，例如季戊四醇四硬脂酸酯、硬脂酸钙或N,N'-亚乙基双硬脂酰胺。另一种合适的润滑剂可以是改进内部润滑且也有助于加强组合物遇到另一表面的磨损及摩擦特性的硅氧烷聚合物。这种硅氧烷聚合物通常占每100份用于组合物中的聚合物基质的约0.2份至约20份、在一些实施方式中约0.5份至约10份以及在一些实施方式中约0.8份至约5份。通常可以使用多种硅氧烷聚合物中的任何一种。硅氧烷聚合物可以例如涵盖主链中包括具有下式的硅氧烷单元的任何聚合物、共聚物或寡聚物：
RrSiO(4-r/2)
其中，
R独立地为氢或取代或未取代的烃基，且
r为0、1、2或3。
合适的基团R的一些实例包括，例如，任选取代的烷基、芳基、烷芳基、烯基或炔基或环烷基基团，且这些基团可以被杂原子中断，也就是说，在碳链或环中可以含有(一个或多个)杂原子。合适的烷基基团可以包括，例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基和叔戊基基团、己基基团(例如，正己基)、庚基基团(例如，正庚基)、辛基基团(例如，正辛基)、异辛基基团(例如，2,2,4-三甲基戊基)、壬基基团(例如，正壬基)、癸基基团(例如，正癸基)、十二烷基基团(例如，正十二烷基)、十八烷基基团(例如，正十八烷基)等。同样，合适的环烷基可以包括环戊基、环己基、环庚基基团、甲基环己基基团等等；合适的芳基可以包括苯基、联苯基、萘基、蒽基和菲基基团；合适的烷芳基基团可以包括邻甲苯基、间甲苯基或对甲苯基基团、二甲苯基基团、乙基苯基基团等等；以及合适的烯基或炔基基团可以包括乙烯基、1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、5-己烯基、丁二烯基、己二烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、乙炔基、炔丙基、1-丙炔基等。取代的烃基的实例为卤代烷基基团(例如，3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基和全氟己基乙基)和卤代芳基基团(例如，对氯苯基和对氯苯甲基)。在一个特定的实施方式中，硅氧烷聚合物包括与至少70mol.％的Si原子键合的烷基基团(例如，甲基基团)和可选的与0.001mol.％至30mol.％的Si原子键合的乙烯基和/或苯基基团。硅氧烷聚合物还优选主要由双有机硅氧烷单元构成。聚有机硅氧烷的端基可以为三烷基硅烷氧基，特别是三甲基硅烷氧基或二甲基乙烯基硅烷氧基。然而，这些烷基基团中的一种或多种也可以被羟基或烷氧基(例如，甲氧基或乙氧基)所取代。硅氧烷聚合物的特别合适的实例包括，例如，二甲基聚硅氧烷、苯基甲基聚硅氧烷、乙烯基甲基聚硅氧烷和三氟丙基聚硅氧烷。
硅氧烷聚合物也可以在聚合物的至少一部分硅氧烷单体单元上包括反应官能团，例如乙烯基基团、羟基基团、氢化物、异氰酸酯基、环氧基、酸基、卤素原子、烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基和丙氧基)、酰氧基(例如，乙酰氧基和辛酰氧基)、酮肟基(例如，二甲基酮肟、甲基酮肟和甲基乙基酮肟)、胺基(例如，二甲胺基、二乙胺基和丁胺基)、酰胺基(例如，N-甲基乙酰胺和N-乙基乙酰胺)、酸性酰胺基、胺基氧基、巯基、烯氧基(例如，乙烯氧基、异丙烯氧基和1-乙基-2-甲基乙烯氧基)、烷氧基烷氧基(例如，甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基和甲氧基丙氧基)、胺氧基(例如，二甲基胺氧基和二乙基胺氧基)、巯基等中的一种或多种。
与其特定结构无关，硅氧烷聚合物具有相对高的分子量，这降低了其迁移或扩散至聚合物组合物表面的可能性并因此进一步使相分离的可能性最小化。例如，硅氧烷聚合物的重均分子量通常为约100000克每摩尔或更大、在一些实施方式中约200000克每摩尔或更大以及在一些实施方式中约500000克每摩尔至约2000000克每摩尔。硅氧烷聚合物也可以具有相对高的运动黏度，例如约10000厘沲或更大、在一些实施方式中约30000厘沲或更大以及在一些实施方式中约50000厘沲至约500000厘沲。
如果需要，二氧化硅粒子(例如，气相二氧化硅)也可以与硅氧烷聚合物组合使用以帮助改进其分散于组合物内的能力。这种二氧化硅粒子可以例如具有约5纳米至约50纳米的粒度、约50平方米每克(m2/g)至约600m2/g的表面积和/或约160千克每立方米(kg/m3)至约190kg/m3的密度。当使用时，基于100重量份的硅氧烷聚合物计，二氧化硅粒子通常占约1重量份至约100重量份以及在一些实施方式中约20重量份至约60重量份。在一个实施方式中，二氧化硅粒子可与硅氧烷聚合物组合，然后将该混合物添加至聚合物组合物中。例如，可以将包括超高分子量聚二甲基硅氧烷及气相二氧化硅的混合物掺入聚合物组合物中。这种预形成混合物可以从Wacker Chemie，AG以
Figure BDA0003814403910000151
Pellet S获得。
本发明的一个好处是聚合物组合物可以在不使用常规的激光可激活的尖晶石晶体的情况下容易地被镀覆，所述尖晶石晶体通常具有式AB2O4，其中A是2价金属阳离子(例如，镉、铬、锰、镍、锌、铜、钴、铁、镁、锡或钛)，B是3价金属阳离子(例如铬、铁、铝、镍、锰或锡)。通常，上式中的A提供第一金属氧化物簇的主要阳离子组分，B提供第二金属氧化物簇的主要阳离子组分。例如，第一金属氧化物簇通常具有四面体结构，第二金属氧化物簇通常具有八面体簇。这种尖晶石晶体的具体例子包括，例如，MgAl2O4、ZnAl2O4、FeAl2O4、CuFe2O4、CuCr2O4、MnFe2O4、NiFe2O4、TiFe2O4、FeCr2O4或MgCr2O4。聚合物组合物可以不含这种尖晶石晶体(即，0wt.％)，或者这种晶体可仅以小浓度存在，例如以约1wt.％或更少的量存在，在一些实施方式中为约0.5wt.％或更少，以及在一些实施方式中为约0.001wt.％至约0.2wt.％。
II.形成
聚合物组合物的组分(例如，(一种或多种)芳族聚合物、导电填料、矿物填料等)可以经熔融加工或共混在一起。组分可以单独或组合供应至挤出机，该挤出机包括以可旋转安装并容纳于筒(例如，圆柱形筒)内的至少一个螺杆并且可以限定进料区段及沿着螺杆的长度定位于进料区段下游的熔融区段。挤出机可以为单螺杆挤出机或双螺杆挤出机。可以选择螺杆的速度以达到所需的滞留时间、剪切率、熔融加工温度等。例如，螺杆速度可以在约50转每分钟至约800转每分钟(rpm)、在一些实施方式中约70rpm至约150rpm以及在一些实施方式中约80rpm至约120rpm的范围内。熔融共混期间的表观剪切率也可以在约100s-1至约10000s-1、在一些实施方式中约500s-1至约5000s-1以及在一些实施方式中约800s-1至约1200s-1的范围内。表观剪切率等于4Q/πR3，其中Q为聚合物熔体的体积流量(m3/s)，以及R为熔融聚合物流动通过的毛细管(例如，挤出机模头)的半径(m)。
与其形成的具体方式无关，所得聚合物组合物可具有优异的热性质。例如，聚合物组合物的熔体粘度可以足够低以使其可容易流入具有小尺寸的模具的空腔中。在一个特定实施方式中，聚合物组合物在1000s-1剪切率下测定的熔体粘度可以为约10Pa-s至约250Pa-s、在一些实施方式中约15Pa-s至约200Pa-s、在一些实施方式中约20Pa-s至约150Pa-s以及在一些实施方式中约30Pa-s至约100Pa-s。熔体粘度可以根据ISO测试11443:2014号在高于组合物的熔融温度15℃的温度(例如，熔融温度为约325℃时，温度为340℃)下测定。
III.电子器件
如上所述，该聚合物组合物特别适用于其上设置有导电电路迹线的电子器件基板。在某些实施方式中，例如，可以使基板模制到单个化载体部分上。如本文所用，术语“单个化”通常意味着载体部分已经与较大的载体(例如，结合的或连续的)分离。可以使用多种不同的技术来形成基板。合适的技术可以包括，例如，注射模制、低压注射模制、挤压压缩模制、气体注射模制、泡沫注射模制、低压气体注射模制、低压泡沫注射模制、气体挤压压缩模制、泡沫挤压压缩模制、挤压模制、泡沫挤压模制、压缩模制、泡沫压缩模制、气体压缩模制等。例如，可以使用包括模具的注射模制系统，该模具内可以注射聚合物组合物。可以对在注射器内的时间进行控制和优化以使得聚合物基质不提前凝固。当达到循环时间并且筒充满用于排出时，可以使用活塞将组合物注射至模具腔。也可以使用压缩模制系统。如同注射模制，将聚合物组合物模制为所需制品也发生在模具内。可以使用任何已知技术，例如通过自动化机器人臂拾取将组合物置放于压缩模具中。模具的温度可以维持在聚合物基质的凝固温度或高于该凝固温度持续所需时间段以允许凝固。然后可以通过使模制产品达到低于熔融温度的温度来使其凝固。所得产物可以经脱模。可以调节各模制工艺的循环时间以适合聚合物基质，以获得充分黏结并提高总体工艺生产力。
图1示出了可用于形成电子器件的制造过程的实施方式的流程图。如步骤1所示，提供载体40，该载体40包含外部区域，臂56从该外部区域延伸以形成引线框54。如图4所示，载体40，例如，可以从物料源卷轴(bulk source reel)68a上解开，然后被收集到第二卷轴68b中。载体40通常由金属(例如，铜或铜合金)或其他合适的导电材料形成。如果需要，臂56还可以包含设置在其中的开口58。类似地，载体孔52可以位于载体40的外部以允许其以连续方式沿着生产线横向移动。在步骤2中，可以由本发明的聚合物组合物形成的基板42随后可以模制(例如，包覆模制)在引线框54上。可以在基板42中提供开口60，该开口60对应于指部56中的开口58。
一旦将基板42模制在引线框54上，就可以形成导电电路迹线。这种迹线可以通过多种已知的金属沉积技术形成，例如通过镀覆(例如，电镀、化学镀等)、打印(例如，数字打印、气溶胶喷射打印等)等。如果需要，最初可在基板上形成晶种层以促进金属沉积工艺。例如，在图1的步骤3和3A中，晶种层44最初可以沉积在基板42的表面上，这使得由载体40形成的内部汇流条43电连接到晶种层44。然后可以用金属(例如铜、镍、金、银、锡、铅、钯等)沉积晶种层44以形成包含电子电路迹线62的部分46(步骤4)。例如，在一个实施方式中，可以通过将电压施加到载体40上并随后置于电镀浴中来进行电镀。也可以将通孔选择性地模制到基板的表面中，以在迹线和电路内层之间创建电通路。这些迹线创建了至载体部分的“电汇流条”，这使得在施加沉积的导电糊剂之后能够沉积迹线。如果需要，可以在镀覆之前使用各种已知技术例如激光烧蚀、等离子蚀刻、紫外光处理、氟化等使基板的表面粗糙化。此外，这种粗糙化有助于促进镀覆以所需的互连图案进行。例如，参考图5，更详细地说明了为此目的使用激光的过程的一个实施方式。更具体地，如步骤9中所示，最初可以使用激光70来烧蚀基板42的表面以产生通道72，该通道72形成互连图案66。在步骤10中，然后可以通过任何已知技术、例如通过喷墨工艺、气溶胶工艺或筛选工艺将导电糊剂74设置在通道72内。可选择地，代替使用糊剂和/或除了使用糊剂之外，可以采用镀覆工艺(例如，化学镀覆)。然而，当使用时，如步骤11所示，沉积的糊剂74可以可选地通过激光或闪热76进行烧结，以帮助确保糊剂74充分粘附到基板42上。一旦可选地进行烧结，则如步骤12所示对糊剂74进行镀覆(例如，电镀)以形成电子电路迹线62。
再次参考图1，一旦进行镀覆，可以通过使用多种技术(例如焊接、引线接合等)中的任何一种，将一个或多个电子组件50连接到基板42(步骤6)来形成电子器件。在某些实施方式中，可以在连接组件50之前可选地施加阻焊层48(步骤5)。然后可以将所得电子器件与载体40分离。例如，图2至图3示出了电子器件22在其形成的各个阶段期间的一个实施方式。例如，在步骤A中，示出了在模制之前的载体40。步骤B示出了在被模制到载体部分40上并施加电子电路迹线62之后的基板42。在步骤C和D中，可以添加可选的触销和电路金属化以形成完整的电子器件(步骤E)。如图3所示，完成的电子器件22之后可以与邻接的载体40分离，以形成包含单个化载体部分40的电子器件22。得到的电子器件可以包含各种类型的电子组件，例如用于灯如隧道灯、前照灯等或其他电子设备(例如用于计算机、电话、电子控制单元等)的光源(例如，发光二极管(“LED”))的壳体。此类产品可以是特别适用于载具(例如汽车、公共汽车、摩托车、船等)，例如电动载具(EV)、混合动力载具(HEV)、插电式混合动力载具(PHEV)或使用电力进行驱动的的其他类型载具(统称为“电动载具”)。
参考图7至图8，例如，示出了电子产品的一个实施方式，该电子产品为用于汽车产品的灯20的形式。灯20包括壳体24、电子器件22(仍参见图2)和光管28。壳体24可以形成为如图8所示的两个部件24a和24b。壳体24具有壁32和开口36，壁32形成穿过壳体24的通道34，开口36延伸穿过壁32并与通道34连通。开口36可以横向于通道34。电子器件22可以安装在壳体30的通道34内。光管28延伸穿过壳体30中的开口36并且安装在发光二极管(LED)38上方，该发光二极管(LED)38形成为如本文所述的电子器件22的电子组件50中的一个或多个。图6提供了用于形成灯20的代表性过程。例如，步骤7和8示出了将电子器件22从其他器件中单个化并与壳体24和光管28组装在一起。在形成器件22之后，将器件22安装在通道34内并将壳体24的部件24a和24b组装在一起。触销64保持暴露。光管28通过壳体24中的开口36安装并设置在LED(一个或多个)38上方。
参照以下实施例可以更好地理解本发明。
测试方法
熔体粘度：可以根据ISO测试11443:2014号，在1000s-1的剪切速率和高于熔融温度15℃的温度下，使用Dynisco LCR7001毛细管流变仪来测定熔体粘度(Pa-s)。流变仪孔口(模头)的直径为1mm，长度为20mm，L/D比为20.1，入口角为180°。料桶的直径为9.55mm+0.005mm，料杆的长度为233.4mm。
熔融温度：可以通过如本领域中已知的差示扫描量热法(DSC)来确定熔融温度(Tm)。如通过ISO测试11357-2:2018号所测定的，熔融温度为差示扫描量热法(DSC)峰值熔融温度。在DSC程序下，使用在TA Q2000仪器上进行的DSC测量，按照ISO标准10350所记载的，以每分钟20℃加热和冷却样本。
载荷挠曲温度(DTUL)：可以根据ISO测试75-2:2013号(技术上等效于ASTM D648)来测定载荷挠曲温度。更具体地，可以对长度为80mm、厚度为10mm和宽度为4mm的测试条样品进行沿边三点弯曲测试，其中指定载荷(最大外层纤维应力)为1.8兆帕。可以将试样放入温度每分钟升高2℃的硅酮油浴中，直至其挠曲0.25mm(对于ISO测试第75-2:2013号为0.32mm)。
拉伸模量、拉伸应力和拉伸伸长率：可以根据ISO测试527:2019号(技术上等效于ASTM D638)来测试拉伸特性。可以在长度为80mm、厚度为10mm和宽度为4mm的相同测试条样品上进行模量和强度测量。测试温度可以为23℃，以及测试速度可以为1mm/min或5mm/min。
弯曲模量、弯曲应力和弯曲伸长率：弯曲特性可以根据ISO测试178:2019号(技术上等效于ASTM D790)来测试。可以在64mm支撑跨度上进行该测试。可以在未切割的ISO3167多用途棒的中心部分上进行测试。测试温度可以为23℃以及测试速度可以为2mm/min。
无缺口和缺口简支梁冲击强度：简支梁特性可以根据ISO测试ISO 179-1:2010号(技术上等效于ASTM D256-10，方法B)来测试。可以使用1型试样尺寸(80mm长度、10mm宽度和4mm厚度)进行该测试。当测试缺口冲击强度时，缺口可以为A型缺口(0.25mm基圆半径)。可以使用单齿铣床从多用途棒的中心切割试样。测试温度可以为23℃。
介电常数(“Dk”)和耗散因数(“Df”)：使用已知的分离介质谐振器技术来测定介电常数(或相对静电电容率)和耗散因数，例如在Baker-Jarvis,et al.,IEEE Trans.onDielectric and Electrical Insulation,5(4),p.571(1998)and Krupka,et al.,Proc.7th International Conference on Dielectric Materials:Measurements andApplications,IEEE Conference Publication No.430(Sept.1996)中所描述的。更具体地，将尺寸为80mm×90mm×3mm的板样品插入到两个固定的介电谐振器之间。谐振器测量了试样的平面中的电容率分量。测试五个样品并记录平均值。分离介质谐振器可用于在低千兆赫兹区域(例如2GHz至1GHz)进行介电测量。
热循环测试：将试样置于温度控制室中，并对其在-30℃至100℃的温度范围内进行加热/冷却。首先，将样品加热至100℃的温度，然后立即冷却。当温度达到-30℃时，立即再次加热试样直至达到100℃。可以在3小时的时间段内进行23个加热/冷却循环。
表面/体积电阻率：表面和体积电阻率值通常根据IEC 62631-3-1:2016或ASTMD257-14来测定。根据该程序，将标准试样(例如，1米立方体)放置于两个电极之间。施加电压六十(60)秒并测量电阻。表面电阻率为电位梯度(以V/m计)与每电极长度单位的电流(以A/m计)的商，并且通常表示沿绝缘材料的表面对泄漏电流的电阻。因为电极的四(4)端界定正方形，所以商中的长度抵消且表面电阻率以ohm为单位报告，尽管更具描述性的单位每平方ohm也常见。体积电阻率也被确定为平行于材料中的电流的电位梯度与电流密度的比率。在SI单位中，体积电阻率在数值上等于材料的一米立方体的相对面之间的直流电阻(ohm-m或ohm-cm)。
实施例1
样品1至样品4由不同百分比的液晶聚合物(“LCP 1”和“LCP 2”)、硅灰石纤维(NyglosTM8)、炭黑颜料、碳纤维和润滑剂(GlycolubeTMP)形成。LCP 1由60mol.％HBA、5mol.％HNA、12％mol.％BP、17.5mol.％TA和5mol.％APAP形成。LCP 2由73mol.％HBA和27mol.％HNA形成。使用18-mm单螺杆挤出机进行混配。将样品注射模制成为板(60mm×60mm)。
表1
样品 1 2 3 4
LCP 1 37.2 47.2 57.2 62.2
LCP 2 21.0 14.0 7.0 3.5
硅灰石纤维 30 30 30 30
炭黑颜料 2.5 2.5 2.5 2.5
碳纤维 9.0 6.0 3.0 1.5
润滑剂 0.3 0.3 0.3 0.3
测试样品1至4的热性质和机械性质。结果示于下表2中。
表2
样品 1 2 3 4
表面电阻率(ohm) 4.20E+15 7.30E+15 1.40E+16 6.40E+15
体积电阻率(ohm-m) 5.00E+13 1.60E+14 1.20E+14 9.30E+13
介电常数(2GHz) - - 13.1 12.5
耗散因数(2GHz) - - 0.0170 0.0176
缺口简支梁(kJ/m<sup>2</sup>) 7.1 6.7 7.6 8.1
无缺口简支梁(kJ/m<sup>2</sup>) 11 18 34 28
拉伸强度(MPa) 124 127 133 134
拉伸模量(MPa) 18,916 16,690 13,067 14,278
拉伸伸长率(％) 1.29 1.5 2.12 1.9
弯曲强度(MPa) 177 179 166 171
弯曲模量(MPa) 18,466 16,180 13,364 14,466
弯曲伸长率(％) 1.59 1.77 2.54 2.21
1000s<sup>-1</sup>下的熔体粘度(Pa-s) 38.3 42.3 40.3 41.8
熔融温度(℃，DSC的第一热量) 319.15 317.2 328.11 325.28
DTUL(1.8MPa，℃) 235 231 234 233
还对样品3至样品4进行了如上所述的热循环测试。经测试，确定样品的最终耗散因数分别为0.021和0.015。因此，对于样品3和4，热循环测试后的耗散因数与初始耗散因数之比分别为1.24和0.86。经测试，还确定了样品的最终介电常数分别为12.9和12.6。因此，对于样品3和4，热循环测试后的介电常数与初始介电常数之比分别为0.98和1.01。
实施例2
样品5至样品9由不同百分比的液晶聚合物(“LCP 1”和“LCP 2”)、NyglosTM8、炭黑颜料、石墨和GlycolubeTMP形成。使用18-mm单螺杆挤出机进行混配。将样品注射模制成为板(60mm×60mm)。
表3
样品 1 2 3 4
LCP 1 37.2 47.2 57.2 62.2
LCP 2 22.5 15.5 7.5 3.75
硅灰石纤维 30 30 30 30
炭黑颜料 2.5 2.5 2.5 2.5
石墨 7.5 4.5 2.5 1.25
润滑剂 0.3 0.3 0.3 0.3
测试样品5至9的热性质和机械性质。结果示于下表4中。
表4
样品 5 6 7 8
表面电阻率(ohm) 4.10E+16 2.80E+17 1.40E+16 3.50E+16
体积电阻率(ohm-m) 1.10E+14 3.50E+14 2.30E+14 7.80E+13
介电常数(2GHz) 12.6 8.8 6.3 -
耗散因数(2GHz) 0.0492 0.0201 0.009 -
缺口简支梁(kJ/m<sup>2</sup>) 4.3 5.3 7.8 12.6
无缺口简支梁(kJ/m<sup>2</sup>) 26 30 43 50
拉伸强度(MPa) 109 132 139 130
拉伸模量(MPa) 13491 14737 14562 14229
拉伸伸长率(％) 1.53 1.68 1.96 1.79
弯曲强度(MPa) 144 167 177 176
弯曲模量(MPa) 13689 13858 14259 14091
弯曲伸长率(％) 1.7 2.4 2.54 2.47
1000s<sup>-1</sup>下的熔体粘度(Pa-s) 46.7 45.5 43.5 39.4
熔融温度(℃，DSC的第一热量) 329.28 327.96 330.63 329.94
DTUL(1.8MPa，℃) 221 228 234 239
还对样品5至样品7进行了如上所述的热循环测试。经测试，确定样品的最终耗散因数分别为0.0578、0.0214和0.0098。因此，对于样品5、6和7，热循环测试后的耗散因数与初始耗散因数之比分别为1.17、1.06和1.09。经测试，还确定了样品的最终介电常数分别为12.6、8.9和6.3。因此，对于样品5、6和7，热循环测试后的介电常数与初始介电常数之比分别为1.0、1.0和1.0。
在不脱离本发明的精神和范围的情况下，本领域普通技术人员可以对本发明进行这些和其他修改和变型。另外，应当理解的是，各个实施方式的方面可以全部互换或部分互换。此外，本领域普通技术人员将理解，前述描述仅是示例性的，并且不意在限制如所附权利要求中进一步描述的本发明。

Claims (28)

1.一种用于电子器件的聚合物组合物，其中，所述聚合物组合物包含液晶聚合物、导电填料和矿物填料，并且进一步地，其中所述聚合物组合物表现出如根据ASTM D257-14测定的约1×1012ohm至约1×1018ohm的表面电阻率。
2.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，所述聚合物组合物表现出如根据ASTMD257-14测定的1×1010ohm-m至约1×1016ohm-m的体积电阻率。
3.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，所述聚合物基质占所述聚合物组合物的约30wt.％至约80wt.％。
4.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，所述液晶聚合物含有一个或多个衍生自芳族羟基羧酸的重复单元，其中羟基羧酸重复单元占所述聚合物的约40mol.％或更多。
5.根据权利要求4所述的聚合物组合物，其中，所述液晶聚合物含有衍生自4-羟基苯甲酸、6-羟基-2-萘甲酸或其组合的重复单元。
6.根据权利要求4所述的聚合物组合物，其中，所述液晶聚合物包含占所述聚合物的约30mol.％至约90mol.％的量的衍生自4-羟基苯甲酸的重复单元，并且包含占所述聚合物的约1mol.％至约30mol.％的量的衍生自6-羟基-2-萘甲酸的重复单元。
7.根据权利要求4所述的聚合物组合物，其中，所述液晶聚合物进一步含有衍生自对苯二甲酸、间苯二甲酸、2,6-萘二羧酸、对苯二酚、4,4'-联苯酚、对乙酰氨基酚、4-氨基苯酚或其组合的重复单元。
8.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，所述导电填料包括碳材料。
9.根据权利要求8所述的聚合物组合物，其中，所述碳材料具有小于约1ohm-cm的体积电阻率。
10.根据权利要求8所述的聚合物组合物，其中，所述碳材料包括石墨、炭黑、碳纤维、石墨烯、碳纳米管或其组合。
11.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，所述导电填料以每100重量份所述聚合物基质的约0.5重量份至约20重量份的量存在于所述聚合物组合物中。
12.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，所述矿物填料以每100重量份所述聚合物基质的约10重量份至约80重量份的量存在于所述聚合物组合物中。
13.根据权利要求12所述的聚合物组合物，其中，所述矿物填料与所述导电填料的重量比为约2至约500。
14.根据权利要求12所述的聚合物组合物，其中，所述矿物填料含有矿物粒子、矿物纤维或其组合。
15.根据权利要求14所述的聚合物组合物，其中，所述矿物粒子包括滑石、云母或其组合。
16.根据权利要求14所述的聚合物组合物，其中，所述矿物纤维包括硅灰石。
17.根据权利要求14所述的聚合物组合物，其中，所述矿物纤维具有约1微米至约35微米的中数直径。
18.根据权利要求14所述的聚合物组合物，其中，所述矿物纤维的长径比为约1至约50。
19.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，如根据ISO测试11443:2014号在1000s-1的剪切速率和高于所述聚合物组合物的熔融温度15℃的温度下测定的，所述聚合物组合物具有约10至约250Pa-s的熔体粘度。
20.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，如在2GHz的频率下测定的，所述聚合物组合物表现出约4或更高的介电常数和约0.3或更低的耗散因数。
21.根据权利要求20所述的聚合物组合物，其中，所述组合物在暴露于约-30℃至约100℃的温度循环后表现出介电常数，其中所述温度循环后的所述介电常数与热循环之前的介电常数之比为约为0.8或更大。
22.根据权利要求20所述的聚合物组合物，其中，所述组合物在暴露于约-30℃至约100℃的温度循环后表现出耗散因数，其中所述温度循环后的所述耗散因数与热循环之前的耗散因数之比为约为1.3或更小。
23.根据权利要求1所述的聚合物组合物，其中，所述聚合物组合物不含尖晶石晶体。
24.一种包含权利要求1所述的聚合物组合物的基板，其中，导电电路迹线设置在所述基板的表面上。
25.一种包含根据权利要求24所述的基板的电子器件，其中，所述基板模制在单个化载体部分上。
26.根据权利要求24所述的电子器件，其中，所述单个化载体部分包括金属。
27.根据权利要求24所述的电子器件，其中，所述基板包含通道，在所述通道内设置有晶种层，并且进一步地，其中所述电路迹线设置在所述晶种层上。
28.根据权利要求27所述的电子器件，其中，所述通道由激光形成。
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