CN115101602B - 一种太阳能电池及光伏组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种太阳能电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，在实现载流子能量选择性传输的基础上降低能量选择性接触层的制作难度。该太阳能电池包括：吸收层；位于吸收层表面的能量选择性接触层，能量选择性接触层具有电子能量或空穴能量的选择性；其中，能量选择性接触层的材料包括低维钙钛矿材料。本发明提供的太阳能电池及光伏组件用于制造光伏组件。
Description
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
太阳能电池，尤其是热载流子太阳能电池，可以利用能量选择性接触层对吸收层所产生的载流子进行选择性传输，导出到外电路。
现有技术中，通常在电介质材料中设置金属或半导体材料的量子点，以形成能量选择性接触层。但是，这种能量选择性接触层，制作难度大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池及光伏组件，在实现载流子能量选择性传输的基础上降低能量选择性接触层的制作难度。
第一方面，本发明提供一种太阳能电池。该太阳能电池包括：吸收层；位于吸收层表面的能量选择性接触层，能量选择性接触层具有电子能量或空穴能量的选择性；其中，能量选择性接触层的材料包括低维钙钛矿材料。
采用上述技术方案时，能量选择性接触层的材料包括低维钙钛矿材料。低维钙钛矿材料是在三维钙钛矿结构中引入间隔阳离子，间隔阳离子将八面体结构的限制在较小的空间里，使得钙钛矿材料的维度降低。此时，低维钙钛矿材料的低维钙钛矿晶格，其价带和导带发生能级分裂，可以作为能量选择性接触层的量子层。低维钙钛矿材料的间隔阳离子可以作为能量选择性接触层的势垒层。这种情况下，利用低维钙钛矿材料这一种材料形成单一材质的薄膜，即可制作谐振隧穿结构的能量选择性接触层。无需与其他材料相配合，形成两种功能镶嵌的能量选择性接触层。基于此，当能量选择性接触层的材料包括低维钙钛矿材料时，可以大大降低能量选择性接触层的制作难度，继而可以比较容易的制作能量选择性接触层，提高生产效率。
在一些实现方式中，上述低维钙钛矿材料的化学通式为LmA(n-1)BnX(3n+m-1)，L为间隔阳离子，A和B均为阳离子，X为阴离子；m为2、3或4，n为大于或等于1的整数；间隔阳离子L的离子半径大于铯离子的离子半径。此时，间隔阳离子L的离子半径较大。这种离子半径较大的间隔阳离子，可以较好的将三维的钙钛矿结构撑开，转变为结构稳定的低维的钙钛矿结构。
在一些实现方式中，上述间隔阳离子L的离子半径大于或等于200pm。间隔阳离子L与能量选择性接触层的势垒高度相关。当间隔阳离子L的离子半径在该范围时，间隔阳离子能为能量选择性接触层提供适宜的势垒高度。
在一些实现方式中，上述间隔阳离子L为有机阳离子。该有机阳离子包括芳香胺离子、胍离子、碳原子数大于或等于3的长链胺离子中的一种或多种。这些有机阳离子，分子量较大，具有较大的电阻，作为间隔阳离子时，可以提供较好的绝缘性能，为能量选择性接触层提供势垒层。
在一些实现方式中，上述芳香胺离子包括苯乙胺离子、苯胺离子、间苯二胺离子中的一种或多种。
在一些实现方式中，上述长链胺离子为碳链长度为4-20个碳原子的长链胺离子。此时，长链铵离子不仅可以稳定的将低维钙钛矿晶格限定在较小的尺寸，而且可以为能量选择性接触层提供适当的势垒高度，避免势垒过高或过低。
在一些实现方式中，上述长链胺离子包括n-丁胺离子、n-辛胺离子中的一种或多种。
在一些实现方式中，1≤n≤5。n的取值与低维钙钛矿晶格中的[BX6]4-结构单元数量正相关。当n在该范围内时，低维钙钛矿晶格的尺寸较小，可以以量子点的形态分布在能量选择性接触层。与此同时，可以避免低维钙钛矿晶格尺寸较大，无法形成能量选择性接触中量子点的问题。
在一些实现方式中，A为甲胺离子、甲脒离子、Cs+离子中的一种或几种；B为二价金属离子；X为卤素离子。
在一些实现方式中，上述吸收层的材料为晶体硅、钙钛矿、III-V族半导体材料或有机材料。相应的，太阳能电池可以为晶体硅太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等。
在一些实现方式中，上述能量选择性接触层的厚度为10nm～200nm。此时，能量选择性接触层可以稳定的将电子或空穴导出到外电路。
在一些实现方式中，上述太阳能电池具有两个能量选择性接触层。两个能量选择性接触层分别为电子能量选择性接触层和空穴能量选择性接触层。此时，可以实现电子和空穴两者的能量选择性传输。
在一些实现方式中，上述能量选择性接触层的制作工艺为涂布工艺或印刷工艺。制作能量选择性接触层时，材料单一，仅需要配置溶液进行涂布或印刷即可，制作难度较低且成本较低。与现有技术中，利用两种材料制作谐振隧穿结构的能量选择性接触层时，采用的沉积工艺相比，不仅降低了工艺难度，而且降低了成本，提高了生产效率。
第二方面，本发明提供一种光伏组件。该光伏组件包括第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的太阳能电池。
第二方面提供的光伏组件的有益效果，可以参考第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的太阳能电池的有益效果，在此不再赘言。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为热电子能量选择性接触示意图；
图2为谐振隧穿能量选择性接触层的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的太阳能电池的结构示意图；
图4为钙钛矿材料从三维结构转变为二维结构的过程示意图，其中a为三维的钙钛矿晶体结构，b、c及d为二维的钙钛矿晶体结构。
附图标记：
图1中，11-吸收层。
图2中，121-势垒层，122-量子层。
图3中，21-吸收层，22-能量选择性接触层，221-电子能量选择性接触层，222-空穴能量选择性接触层，231-第一电极，232-第二电极。
具体实施方式
为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
需要说明的是，本发明中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本发明中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b的结合，a和c的结合，b和c的结合，或a、b和c的结合，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。
理论研究表明，太阳能电池的转换效率受到肖克利奎伊瑟极限(Shockley-Queisser limit)的限制。单结太阳能电池，对应于禁带宽度为1.34eV的吸收材料制作的太阳能电池，其太阳能转换为电能的最大热力学转换效率为33.7％。
当能量高于吸收层带隙的光子照射到太阳能电池的吸收层时，在吸收层中会产生能级高于导带底的电子以及能级低于价带顶的空穴，这些电子和空穴统称为热载流子。在热载流子冷却之前将其收集并导出至外电路，则能够突破Shockley-Queisser limit的限制，得到更高效率的太阳能电池，这就是热载流子太阳能电池。理论预测热载流子太阳能电池的能量转换效率可以达到66％以上。在热载流子太阳能电池中，热电子、热空穴在吸收层中产生后，需要能量选择性接触层将吸收层中的热载流子导出。
如图1所示，以热电子能量选择性接触为例，说明热载流子太阳能电池的能量选择性接触。处在导带尚未冷却的热电子，其能量在冷却至导带底之前，通过能量选择性接触直接将其从吸收层11中导出，并在能量选择性接触层中稳定传输，再通过电极导出至外电路。此过程，完成了热载流子太阳能电池的能量转换。图1中的能量选择性接触需要满足如下条件：1，能量选择性接触层的导带底需要大于吸收层11的导带底CBMabs。2，能量选择性接触层的导带宽度较窄，只能允许能量在ΔEe范围内的热电子通过。此时，能量选择性接触层的能量选择范围为ΔEe。能量高于和低于ΔEe的热电子无法进入能量选择性接触层，被弹性散射回吸收层11。其中，能量低于ΔEe的热电子进入热电子能量选择性接触层后，会拉低选择性接触层中热电子的平均能量，对热载流子太阳能电池的效率不利。能量高于ΔEe的热电子进入热电子能量选择性接触层后，仍会驰豫至热电子能量选择性接触层的晶格温度，导致热电子的能量浪费。当高于或低于ΔEe能量选择范围的热电子被反射回吸收层11后，经过弹性散射能量重新排布后，符合能量选择范围的热电子会再次被热电子能量选择性接触层收集。
目前，主要采用谐振隧穿结构实现能量选择性接触。图2示出谐振隧穿能量选择性接触层的结构示意图。图2中的势垒层121一般为电介质材料，热电子无法穿过。在势垒层121中设置量子层122结构。量子层122一般为金属或者半导体材料。基于量子限域效应，量子层122的导带呈现为分立化的能级，仅允许具有特定能量的热电子在量子层122中传输。在量子层122的辅助下，热电子通过隧道效应隧穿至量子点中，量子点的分立化能级对热电子的能量进行选择。符合由量子层122所限定的能量选择范围的热电子，通过隧道效应穿越势垒层121，实现对吸收层中热电子的能量选择性导出。不符合能量选择范围的热电子，将被散射回吸收层。
上述谐振隧穿结构的能量选择性接触层需要在一层电介质材料中制备半导体或金属量子点，生产难度高，不易控制。并且，这种能量选择性接触层需要通过沉积工艺完成，设备成本高，生产效率低。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种太阳能电池，通过能量选择性材料的设计，在单一材料中形成热载流子的能量选择性传输，实现热载流子太阳能电池。从光电转换材料来说，该太阳电池可以是晶体硅太阳能电池，也可以是钙钛矿太阳能电池等。以下为本发明实施例提供的太阳能电池的结构。
如图3所示，上述太阳能电池包括吸收层21以及位于吸收层21表面的能量选择性接触层22。吸收层21的材料可以为晶体硅、钙钛矿、III-V族半导体材料或有机材料等。当太阳能电池为热载流子太阳能电池时，吸收层21的厚度较小，吸收层21所产生的热载流子，能够在冷却至导带底之前传输至吸收层21表面。能量选择性接触层22具有电子能量或空穴能量的选择性；其中，能量选择性接触层22的材料包括低维钙钛矿材料。
本发明实施例的能量选择性接触层22的材料包括低维钙钛矿材料。图4示出钙钛矿材料从三维结构转变为二维结构的过程示意图。如图4中a所示，钙钛矿材料的通式为ABX3，A和B为阳离子，X为卤素阴离子。B离子和X离子组成[BX6]4-八面体结构，多个八面体结构共顶连接形成三维网格结构，A离子填充在八面体之间的间隙中；[BX6]4-八面体网格整体带负电，A离子带正电，从而使材料满足电中性要求。如图4中b所示，当将部分A离子替换为大半径的间隔阳离子L时，[BX6]4-八面体网格结构变得不稳定，被逐渐撑开。随着间隔阳离子L的比例逐渐增大，三维的网格逐渐演变为准二维的结构，如图4中b和c所示。当三维钙钛矿中的A离子全部被间隔阳离子L取代后，则变成二维钙钛矿材料，如图4中d所示。
基于上述太阳能电池，低维钙钛矿材料是在三维钙钛矿结构中引入间隔阳离子，间隔阳离子将八面体结构限制在较小的空间里，使得钙钛矿材料的维度降低。此时，基于量子限域效应，低维钙钛矿材料的低维钙钛矿晶格，其价带和导带的能级发生分裂，使得带宽变窄或转变为分立的能级，维度越低，限域效果越明显。这种低维钙钛矿晶格可以作为能量选择性接触层22的量子层。低维钙钛矿材料的间隔阳离子，不仅可以稳定低维钙钛矿晶格，而且可以作为能量选择性接触层22的势垒层。这种情况下，利用低维钙钛矿材料这一种材料形成单一材质的薄膜，即可制作谐振隧穿结构的能量选择性接触层22。无需与其他材料相配合，形成两种功能镶嵌的能量选择性接触层22。基于此，当能量选择性接触层22的材料包括低维钙钛矿材料时，可以大大降低能量选择性接触层22的制作难度，继而可以比较容易的制作能量选择性接触层22，提高生产效率。
上述能量选择性接触层22的材料包括低维钙钛矿材料。该低维钙钛矿材料的化学通式为LmA(n-1)BnX(3n+m-1)，L为间隔阳离子，A和B均为阳离子，X为阴离子；m为2、3或4，n为大于或等于1的整数。
上述间隔阳离子L的离子半径大于铯离子的离子半径。此时，间隔阳离子L的离子半径较大。这种离子半径较大的间隔阳离子，可以较好的将三维的钙钛矿结构撑开，转变为结构稳定的低维的钙钛矿结构。优选的，间隔阳离子L的离子半径大于或等于200pm。例如，间隔阳离子L的离子半径为200pm、250pm、300pm、500pm、600pm、700pm、1000pm等。间隔阳离子L与能量选择性接触层22的势垒高度相关。当间隔阳离子L的离子半径在该范围时，间隔阳离子L能为能量选择性接触层22提供适宜的势垒高度。
上述间隔阳离子L为一价阳离子。在实际应用中，间隔阳离子L可以为有机阳离子。该有机阳离子包括芳香胺离子、胍离子、碳原子数大于或等于3的长链胺离子中的一种或多种。这些有机阳离子分子量较大，具有较大的电阻，作为间隔阳离子时，可以提供较好的绝缘性能，为能量选择性接触层22提供势垒层。芳香胺离子可以包括苯乙胺离子、苯胺离子、间苯二胺离子中的一种或多种。长链胺离子可以为碳链长度为4-20个碳原子的长链胺离子。具体的，长链胺离子可以包括n-丁胺离子、n-辛胺离子中的一种或多种。此时，长链铵离子不仅可以稳定的将低维钙钛矿晶格限定在较小的尺寸，而且可以为能量选择性接触层22提供适当的势垒高度，避免势垒过高或过低。在实际应用中，能量选择性接触层22所包括的间隔阳离子L可以是同一种阳离子，也可以是多种阳离子。
上述A为甲胺离子、甲脒离子、Cs+离子中的一种或几种。B为二价金属离子。例如，铅离子、锡离子等。X为卤素离子。
上述n的取值，与低维钙钛矿晶格形成的量子点的大小有关。n值越大，低维钙钛矿晶格中的[BX6]4-结构单元越多，材料的性质越接近于常规钙钛矿。因此，在实际应用中，1≤n≤5。例如，n可以等于1、2、3、4或5。当n在该范围内时，低维钙钛矿晶格的尺寸较小，可以以量子点的形态分布在能量选择性接触层。与此同时，可以避免低维钙钛矿晶格尺寸较大，无法形成能量选择性接触中量子点的问题。
上述m的取值，与低维钙钛矿材料的维度有关。当m＝2时，间隔阳离子L只对三维钙钛矿的晶体结构进行“上下”拆分，即仅在“上下”方向上限制钙钛矿晶体结构的维度，使之成为二维钙钛矿材料，如图4所示。此时，低维钙钛矿材料为二维钙钛矿材料，其化学通式为L2A(n-1)BnX(3n+1)。当n＝1时，低维钙钛矿材料为二维钙钛矿材料。当1＜n≤5时，低维钙钛矿材料为准二维钙钛矿材料。
当m＝3时，相对于二维钙钛矿材料，进一步增加间隔阳离子L的数量。也就是说，在二维钙钛矿晶体结构的基础上，利用间隔阳离子进一步进行拆分，可以将二维钙钛矿晶体结构转换为一维钙钛矿晶体结构。此时，低维钙钛矿材料为一维钙钛矿材料，其化学通式为L3A(n-1)BnX(3n+2)。当n＝1时，低维钙钛矿材料为一维钙钛矿。当1＜n≤5时，低维钙钛矿材料为准一维钙钛矿材料。
当m＝4时，相对于一维钙钛矿材料，进一步增加间隔阳离子L的数量。将一维钙钛矿晶体结构进一步拆分，形成零维钙钛矿晶体结构。此时，低维钙钛矿材料为零维钙钛矿材料，其化学通式为L4A(n-1)BnX(3n+3)。当n＝1时，低维钙钛矿材料为零维钙钛矿材料。当1＜n≤5时，低维钙钛矿材料为准零维钙钛矿材料。
在实际应用中，可以通过控制低维钙钛矿材料的组分及配比，以及控制m和n的取值，实现对低维钙钛矿材料的价带顶和导带底的位置的调控。示例性的，通过控制低维钙钛矿材料的组分配比，精确控制低维钙钛矿材料的维度(控制m的取值)。低维钙钛矿材料的维度越小，低维钙钛矿材料的价带顶越低，导带底越高。当m取值确定时，n的取值越小，低维钙钛矿晶格的尺寸越小，低维钙钛矿材料的价带顶越低，导带底越高。通过调控低维钙钛矿材料的间隔阳离子L的材料选择，可以调控低维钙钛矿材料所制作的能量选择性接触层22的势垒高度。通过调控B与X的配比，也可以对低维钙钛矿材料的价带顶和导带底进行调控。当低维钙钛矿材料中B的含量大于X的含量时，低维钙钛矿材料的价带顶和导带底均下调。当低维钙钛矿材料中B的含量小于X的含量时，低维钙钛矿材料的价带顶和导带底均上调。当然，应当注意B：X＝(0.9～1):(1～0.9)。
应理解，在实际应用中，根据上述低维钙钛矿的化学通式，可以利用湿化学法配制符合电子能量选择性接触层221和空穴能量选择性接触层222要求的低维钙钛矿材料。制作电子能量选择性接触层221的低维钙钛矿材料的导带底能级大于吸收层21导带底能级。制作空穴能量选择性接触层222的低维钙钛矿材料的价带顶能级小于吸收层21导带底能级。
如图3所示，上述包括低维钙钛矿材料的能量选择性接触层22的厚度可以为10nm～200nm。例如，能量选择性接触层的厚度可以为10nm、30nm、40nm、50nm、70nm、100nm、120nm、130nm、150nm、180nm、200nm等。此时，能量选择性接触层22可以稳定的将电子或空穴导出到外电路。
上述能量选择性接触层22的制作工艺可以为涂布工艺或印刷工艺。涂布工艺可以为旋涂、刮涂、浸涂、喷涂等。制作能量选择性接触层22时，材料单一，仅需要配置溶液进行涂布或印刷即可，制作难度较低且成本较低。与现有技术中，利用两种材料制作谐振隧穿结构的能量选择性接触层22时，采用的沉积工艺相比，不仅降低了工艺难度，而且降低了成本，提高了生产效率。
上述太阳能电池可以包括一个上述的能量选择性接触层22，也可以包括两个上述的能量选择性接触层22。
当太阳能电池包括一个上述的能量选择性接触层22时，该能量选择性接触层22可以是电子能量选择性接触层221，也可以是空穴能量选择性接触层222。此时，吸收层21的第一侧设置本发明实施例的能量选择性接触层22，导出热电子或热空穴。吸收层21的第二侧可以设置常规载流子传输层，导出常规载流子。当然，吸收层21的第二侧也可以设置现有技术中由两种材料镶嵌而成的能量选择性接触层22，导出热载流子。
如图3所示，当太阳能电池包括两个上述的能量选择性接触层22时，这两个能量选择性接触层22分别为电子能量选择性接触层221和空穴能量选择性接触层222。电子能量选择性接触层221位于吸收层21的一侧，空穴能量选择性接触层222位于吸收层21的另一侧，可以实现热电子和热空穴的能量选择性传输。可替代地，电子能量选择性接触层221和空穴能量选择性接触层222也可以图案化地位于吸收层21的同一侧。
如图3所示，上述太阳能电池还可以包括第一电极231和第二电极232。以太阳能电池包括两个能量选择性接触层22为例，第一电极231位于电子能量选择性接触层221远离吸收层21的表面。第二电极232位于空穴能量选择性接触层222远离吸收层21的表面。第一电极231和第二电极232可以为金属电极、透明电极或碳电极等。并且，第一电极231和第二电极232中的至少一个为透明电极。
上述太阳能电池的制作工艺，除能量选择性接触层采用湿化学法制作以外，其余结构均采用常规方法制作即可。
本发明实施例还提供一种光伏组件。该光伏组件包括上述的太阳能电池。该光伏组件的有益效果，可以参考上述太阳能电池的有益效果，在此不再赘言。
为了进一步详细说明上述的太阳能电池，本发明实施例还提供上述太阳能电池的具体实施例。
实施例一
本实施例的太阳能电池中，吸收层采用单晶硅材料。空穴传输层采用NiO材料。电子传输层为能量选择性接触层(电子能量选择性接触层)，采用二维钙钛矿材料。第一电极和第二电极为银电极。
电子能量选择性接触层的二维钙钛矿材料采用PEA2PbI4二维钙钛矿材料(n＝1)，PEA+(苯乙胺)离子为间隔阳离子。该二维钙钛矿材料的导带底能级(CBM)＝-3.51eV，单晶硅的导带底能级(CBM)＝-5.0eV。
采用旋涂工艺，制备由PEA2PbI4二维钙钛矿材料组成的50nm厚薄膜，作为电子能量选择性接触层。
实施例二
本实施例的太阳能电池中，吸收层采用FAPbI3钙钛矿材料。空穴传输层采用Spiro-OMeTAD。电子传输层为能量选择性接触层(电子能量选择性接触层)，采用一维钙钛矿材料。第一电极采用掺锡氟氧化物(FTO)。第二电极采用银电极。
电子能量选择性接触层的一维钙钛矿材料采用BAPEA2PbI5(n＝1)，正丁胺离子(BA+)、PEA+(苯乙胺)离子共同作为间隔离子，比例为1:2。基于量子限域效应，BAPEA2PbI5的CBM大于实施例一中的PEA2PbI4的CBM，FAPbI3钙钛矿材料的CBM＝-4.0eV。可见，该电子能量选择性接触层的CBM大于吸收层的CBM。
采用刮涂工艺，制备60nm厚的一维钙钛矿BAPEA2PbI5组成的薄膜，作为电子能量选择性接触层。
实施例三
本实施例的太阳能电池与实施例二的太阳能电池基本相同，区别在于：采用零维材料Cs4PbI6钙钛矿(n＝1)，形成厚度为40nm的薄膜，作电子能量选择性接触层。Cs4PbI6的CBM＝-2.95eV，大于吸收层的CBM。
实施例四
本实施例的太阳电池，在实施例一的太阳能电池结构的基础上进行改进。改进在于，将空穴传输层设置也为能量选择性接触层(空穴能量选择性接触层)。
空穴能量选择性接触层采用二维BA2PbI3.9钙钛矿(n＝1)材料，BA+为间隔离子。该二维钙钛矿材料价带顶能级(VBM)＝-5.9eV，FAPbI3钙钛矿吸收层的VBM＝-5.4eV。
上述实施例一至实施例四的太阳能电池，避免了现有的基于量子谐振隧穿结构的能量选择性接触层结构复杂、制作难度高的问题，通过湿化学方法即可制备能量选择性接触层。
尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。
尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
Claims (12)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
吸收层；
位于吸收层表面的能量选择性接触层，所述能量选择性接触层具有电子能量或空穴能量的选择性；
其中，所述能量选择性接触层的材料包括低维钙钛矿材料。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述低维钙钛矿材料的化学通式为LmA(n-1)BnX(3n+m-1)，L为间隔阳离子，A和B均为阳离子，X为阴离子；m为2、3或4，n为大于或等于1的整数；
所述间隔阳离子L的离子半径大于铯离子的离子半径。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述间隔阳离子L的离子半径大于或等于200pm。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述间隔阳离子L为有机阳离子，所述有机阳离子包括芳香胺离子、胍离子、碳原子数大于或等于3的长链胺离子中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述芳香胺离子包括苯乙胺离子、苯胺离子、间苯二胺离子中的一种或多种。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，长链胺离子为碳链长度为4-20个碳原子的长链胺离子。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述长链胺离子包括n-丁胺离子、n-辛胺离子中的一种或多种。
8.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，1≤n≤5，和/或，
A为甲胺离子、甲脒离子、Cs+离子中的一种或几种；B为二价金属离子；X为卤素离子。
9.根据权利要求1～8任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述吸收层的材料为晶体硅、钙钛矿、III-V族半导体材料或有机材料；和/或，所述能量选择性接触层的厚度为10nm～200nm。
10.根据权利要求1～8任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池具有两个能量选择性接触层，所述两个能量选择性接触层分别为电子能量选择性接触层和空穴能量选择性接触层。
11.根据权利要求1～8任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述能量选择性接触层的制作工艺为涂布工艺或印刷工艺。
12.一种光伏组件，其特征在于，包括权利要求1～11任一项所述的太阳能电池。
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Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101790793A (zh) * | 2007-08-31 | 2010-07-28 | 丰田自动车株式会社 | 光伏电力元件 |
| CN102379033A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-03-14 | 旭化成微电子株式会社 | 半导体器件 |
| CN104769736A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-07-08 | 埃西斯创新有限公司 | 光电器件 |
| EP3051600A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-03 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Heterojunction device |
| CN108321296A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-24 | 淮阴工学院 | 基于光子晶体异质结的反式低维钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| CN108847446A (zh) * | 2018-06-12 | 2018-11-20 | 常州大学 | 基于近场光耦合的二维有机无机杂化钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
| CN109768162A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-05-17 | 南京工业大学 | 一种低维氯化钙钛矿薄膜及太阳能电池制备方法 |
| CN111403609A (zh) * | 2020-03-18 | 2020-07-10 | 武汉理工大学 | 一种新型低维钙钛矿薄膜的制备方法 |
| CN112002813A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-11-27 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
Family Cites Families (3)
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| CN108336249B (zh) * | 2018-02-22 | 2020-03-27 | 南京工业大学 | 一种基于直链有机二胺低维钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用 |
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101790793A (zh) * | 2007-08-31 | 2010-07-28 | 丰田自动车株式会社 | 光伏电力元件 |
| CN102379033A (zh) * | 2009-03-31 | 2012-03-14 | 旭化成微电子株式会社 | 半导体器件 |
| CN104769736A (zh) * | 2012-09-18 | 2015-07-08 | 埃西斯创新有限公司 | 光电器件 |
| EP3051600A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-03 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Heterojunction device |
| CN108321296A (zh) * | 2018-01-31 | 2018-07-24 | 淮阴工学院 | 基于光子晶体异质结的反式低维钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
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| GR01 | Patent grant | ||
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