CN115101563B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括：衬底和显示基板，显示基板形成有存储电容；显示基板包括驱动层和发光层，驱动层位于衬底与发光层之间，驱动层包括间隔分布的像素电路和开关电路，发光层包括间隔分布的发光器件和感光器件；像素电路与发光器件连接，感光器件的第一端分别与开关电路的第一端、存储电容的第一端连接，感光器件的第二端、存储电容的第二端均用于加载恒压信号，开关电路的第二端用于与信号采集电路连接，开关电路的控制端用于加载控制信号。本公开实施方式中，通过将感光器件和存储电容同时集成在显示基板中，从而能够简化膜层结构，实现显示面板的超薄化。

Description

显示面板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着科技的发展，显示装置广泛地应用在人们的日常生活中。为了使显示装置的外观更加美观时尚，显示装置包括的显示面板越来越趋向于超薄化发展。目前，大多数显示面板都包括感光器件，以实现指纹识别等功能，而感光器件通常设置在靠近盖板的一侧，且单独设置在一层，如此增加了显示面板包括的膜层的复杂度，且不利于显示面板的超薄化发展。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种显示面板及显示装置，在实现指纹识别功能的前提下，能够简化显示面板的膜层结构，实现显示面板的超薄化。

根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：

衬底；

显示基板，位于所述衬底的一侧，且形成有存储电容；

所述显示基板包括驱动层和发光层，所述驱动层位于所述衬底与所述发光层之间，所述驱动层包括间隔分布的像素电路和开关电路，所述发光层包括间隔分布的发光器件和感光器件；

所述像素电路与所述发光器件连接，所述感光器件的第一端分别与所述开关电路的第一端、所述存储电容的第一端连接，所述感光器件的第二端、所述存储电容的第二端均用于加载恒压信号，所述开关电路的第二端用于与信号采集电路连接，所述开关电路的控制端用于加载控制信号。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述发光层包括沿背离所述衬底的方向依次分布的第一极板和第二极板；

所述第一极板、所述第二极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第一极板和所述第二极板构成第一存储电容，所述第一极板与所述开关电路的第一端连接，所述第二极板用于加载所述恒压信号。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述第一极板的上表面呈曲面结构。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述驱动层背离所述衬底的表面具有凸起，所述第一极板在所述衬底上的正投影与所述凸起在所述衬底上的正投影存在重合区域。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述驱动层包括第三极板；

所述第三极板、所述第一极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第三极板、所述第一极板构成第二存储电容，所述第三极板与所述第二极板连接。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述驱动层包括第四极板；

所述第四极板位于所述第三极板靠近所述衬底的一侧，所述第四极板、所述第三极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第四极板、所述第三极板构成第三存储电容，所述第三极板与所述开关电路的第一端连接。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述驱动层包括沿背离所述衬底的方向依次分布的第一极板和第二极板；

所述第一极板、所述第二极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第一极板和所述第二极板构成第一存储电容，所述第一极板与所述开关电路的第一端连接，所述第二极板用于加载所述恒压信号。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述感光器件包括沿背离所述衬底的方向依次分布的第一导电电极、光电转换单元和第二导电电极；

所述第一导电电极与所述开关电路的第一端连接，所述第二导电电极用于加载所述恒压信号。

根据本公开任一所述的所述显示面板，所述开关电路包括开关晶体管，所述开关晶体管的第一极与所述感光器件的第一端连接，所述开关晶体管的第二极用于与信号采集电路连接，所述开关晶体管的栅极用于加载控制信号。

根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括上述一方面所述的显示面板。

本公开实施方式至少包括以下技术效果：

本公开实施方式中，通过将感光器件和存储电容同时集成在显示基板中，从而能够简化膜层结构，实现显示面板的超薄化。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图2为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图3为本公开实施方式提供的一种触控信号采集电路的结构示意图。

图4为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图5为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图6为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图7为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图8为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图9为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图10为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

图11为本公开实施方式提供的一种显示面板的剖面结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源电极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流可以流过漏电极、沟道区域以及源电极。沟道区域是指电流主要流过的区域。

第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

本公开实施方式提供了一种显示面板。如图1或图2所示，该显示面板包括：衬底BP和显示基板，显示基板包括驱动层DR和发光层EE；驱动层DR和发光层EE位于衬底BP的一侧，且驱动层DR位于衬底BP与发光层EE之间。驱动层DR包括多个像素电路，发光层EE包括多个发光器件；多个像素电路与多个发光器件一一对应，且一像素电路与对应的发光器件连接。如此能够在像素电路的驱动下控制对应的发光器件发光，以实现显示面板上画面的显示。

其中，衬底BP的材料可以为无机材料，也可以为有机材料。举例而言，在一些实施方式中，衬底BP的材料可以为钠钙玻璃(so-lime glass)、石英玻璃、蓝宝石玻璃等玻璃材料，或者可以为不锈钢、铝、镍等金属材料。在另一些实施方式中，衬底BP的材料可以为聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol，PVA)、聚乙烯基苯酚(Polyvinyl phenol，PVP)、聚醚砜(Polyether sulfone，PES)、聚酰亚胺、聚酰胺、聚缩醛、聚碳酸酯(Poly carbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate，PEN)或其组合。

可选地，衬底BP除了可以为单层材料外，还可以为多层材料的复合。举例而言，在一些实施方式中，衬底BP包括依次层叠设置的底膜层、压敏胶层、第一聚酰亚胺层和第二聚酰亚胺层。

本公开实施方式中，一个像素电路可以包括有多个晶体管和像素电容。

其中，晶体管可以为薄膜晶体管，薄膜晶体管可以选自顶栅型薄膜晶体管、底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管；像素电容可以为双极板电容或者三极板电容。薄膜晶体管的有源层的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料；薄膜晶体管可以为N型薄膜晶体管或者P型薄膜晶体管。

可以理解的是，一个像素电路包括的多个晶体管中，任意两个晶体管之间的类型可以相同或者不相同。示例性地，在一些实施方式中，一个像素电路中的部分晶体管可以为N型晶体管且部分晶体管可以为P型晶体管。再示例性地，在另一些实施方式中，一个像素电路中的部分晶体管的有源层的材料可以为低温多晶硅半导体材料，且部分晶体管的有源层的材料可以为金属氧化物半导体材料。

本公开实施方式中，如图1或图2所示，驱动层DR包括在背离衬底BP的方向依次分布的绝缘缓冲层BUF、晶体管层、层间电介质层ILD、源漏金属层SD和平坦层PLN，晶体管层包括层叠于绝缘缓冲层BUF和层间电介质层ILD之间的半导体层ACT、栅极绝缘层GI、栅金属层Ga。晶体管层包括的各膜层的位置关系可以根据薄膜晶体管的膜层结构确定。

其中，绝缘缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、层间电介质层ILD的材料可以为氧化硅、氮化硅等无机绝缘材料。对于绝缘缓冲层BUF，可以为一层无机材料层，也可以为多层层叠的无机材料层。

其中，源漏金属层SD可以用于形成电源线、数据线、连接线、恒压信号线、信号采集线等金属走线，还可以用于形成像素电容的一个电极板。驱动层DR可以包括一层源漏金属层SD，也可以包括两层或者三层源漏金属层SD。示例性地，驱动层DR包括第一源漏金属层SD1和第二源漏金属层SD2。

其中，平坦层PLN设有多个过孔，多个像素电路、多个过孔、多个发光器件一一对应，一发光器件的第一电极通过对应的过孔与对应的像素电路连接。

在一些实施方式中，晶体管层包括在背离衬底BP的方向依次层叠的半导体层ACT、栅极绝缘层GI和栅金属层Ga，如此所形成的薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。在另一些实施方式中，晶体管层包括在背离衬底BP的方向依次层叠的栅金属层Ga、栅极绝缘层GI和半导体层ACT，如此所形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。

其中，半导体层ACT可以用于形成像素电路包括的各晶体管的有源部，各有源部包括沟道区和位于沟道区两侧的两个连接部(即源极和漏极)。沟道区可以保持半导体特性，两个连接部对应的半导体材料被局部或者全部导体化。半导体层ACT的材料可以为非晶硅半导体材料、低温多晶硅半导体材料、金属氧化物半导体材料、有机半导体材料或者其他类型的半导体材料。晶体管层可以包括一层半导体层ACT，也可以包括两层半导体层ACT。示例性地，晶体管层包括一层半导体层ACT，且为金属氧化物半导体层ACT。

其中，栅金属层Ga可以用于形成控制信号线、扫描线等栅金属层Ga走线，还可以用于形成像素电容的另一电极板。晶体管层可以包括一层栅金属层Ga，也可以包括两层或者三层栅金属层Ga。示例性地，如图1所示，晶体管层包括第一栅金属层Ga1和第二栅金属层Ga2，此时像素电路包括的晶体管可以为双栅型薄膜晶体管。

结合上述半导体层ACT的结构，以及栅金属层Ga的结构，当晶体管层包括多层栅金属层Ga和/或多层半导体层ACT时，晶体管层中的栅极绝缘层GI可以进行适应性地增减。示例性地，如图1所示，晶体管层包括依次层叠设置于衬底BP的第一栅金属层Ga1、第一栅极绝缘层GI1、金属氧化物半导体层ACT、第二栅极绝缘层GI2、第二栅金属层Ga2。

可选地，驱动层DR还包括设于源漏金属层SD和平坦层PLN之间的钝化层，以通过钝化层的设置实现对源漏金属层SD的保护。可选地，驱动层DR还包括设于绝缘缓冲层BUF与衬底BP之间的遮挡层，遮挡层可以与至少部分晶体管的沟道区交叠，以遮蔽照射向晶体管的光线，使得晶体管的电学特性稳定。

本公开实施方式中，发光器件可以为有机电致发光二极管、微发光二极管、量子点-有机电致发光二极管、量子点发光二极管或者其他类型的发光器件。

示例性地，在一些实施方式中，发光器件为有机电致发光二极管，则该显示面板为OLED显示面板。如下，以发光器件为有机电致发光二极管为例，对发光器件的一种可行结构进行示例性的介绍。

如图1或图2所示，发光层EE包括沿背离衬底BP的方向依次层叠的第一电极层AN、像素定义层PDL、功能层EL和第二电极层COM。

第一电极层AN包括多个第一电极，像素定义层PDL具有与多个第一电极一一对应的第一像素开口，第一电极包括在对应的第一像素开口处裸露的裸露区；功能层EL包括与多个第一像素开口一一对应的多个发光单元，一发光单元位于对应的第一像素开口内；第二电极层COM为整层设置，多个发光器件的第二电极共用第二电极层COM。

其中，第一电极的裸露区形成相应发光器件的发光区，第一电极通过平坦层PLN的过孔与对应的像素电路连接。一发光单元可以包括有机电致发光材料层，还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。

在一些实施方式中，如图1或图2所示，显示面板还可以包括薄膜封装层TFT。薄膜封装层TFT设于发光层EE背离衬底BP的一侧，可以包括交替层叠设置的无机封装层和有机封装层。无机封装层可以有效的阻隔外界的水分和氧气，避免水氧入侵有机发光功能层EL而导致材料降解。有机封装层位于相邻的两层无机封装层之间，以便实现平坦化和减弱无机封装层之间的应力。

其中，显示面板具有显示区和位于显示区外围的外围区，无机封装层的边缘可以位于外围区，有机封装层的边缘可以位于显示区的边缘和无机封装层的边缘之间。示例性地，薄膜封装层TFT包括依次层叠于发光层EE背离衬底BP一侧的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。

在一些实施方式中，显示面板还可以包括触控功能层，触控功能层设于薄膜封装层TFT背离衬底BP的一侧，用于实现显示面板的触控操作。

在一些实施方式中，如图1或图2所示，显示面板还包括导光层BM，导光层BM设置触控功能层背离衬底BP的一侧，导光层BM包括与多个发光器件一一对应的第一光通道BM1，以便于各发光器件发出的光能够穿过对应的第一光通道BM1。

相关技术中，为了实现显示面板的指纹识别、触控等功能，通常会在发光层EE背离衬底BP的一侧设置感光器件OPD，如此造成了显示面板膜层结构的复杂性，同时增加了显示面板的厚度，难以实现显示面板的超薄化。

而本公开实施方式中，如图1或图2所示，显示基板形成有存储电容C，且显示基板包括的驱动层DR包括开关电路DR1，显示基板包括的发光层EE包括感光器件OPD。如此，通过将感光器件OPD和存储电容C同时集成在显示基板中，从而能够简化膜层结构，实现显示面板的超薄化。

其中，开关电路DR1与像素电路间隔分布，感光器件OPD与发光器件间隔分布。显示面板的显示区可以具有一个感光器件OPD，以及与之对应的一个开关电路DR1；当然，显示面板的显示区也可以具有多个感光器件OPD，以及与多个感光器件OPD一一对应的多个开关电路DR1。

对于包括多个感光器件OPD的情况，可以是在一组发光器件(红色发光器件、绿色发光器件、蓝色发光器件)对应的区域设置一个感光器件OPD，也可以是在一组发光器件(红色发光器件、绿色发光器件、蓝色发光器件)对应的区域设置多个感光器件OPD，只要不影响发光器件的发光即可，本公开实施方式对此不做限定。

其中，如图1或图2所示，导光层BM还包括与感光器件OPD对应的第二光通道BM2，如此对于发光器件发出的光经过遮挡物的遮挡反射后，能够沿第二光通道BM2被感光器件OPD检测到，也即是感光器件OPD能够通过第二光通道BM2检测到反射光。

如图1、或图2，以及图3所示，感光器件OPD的第一端分别与开关电路DR1的第一端、存储电容C的第一端连接，感光器件OPD的第二端、存储电容C的第二端均用于加载恒压信号，开关电路DR1的第二端用于与信号采集电路连接，开关电路DR1的控制端用于加载控制信号。

其中，开关电路DR1用于根据加载的控制信号在导通和断开之间切换，先基于第一控制信号控制开关电路DR1导通，此时感光器件OPD、存储电容C、开关电路DR1、信号采集电路处于导通状态，从而实现对感光器件OPD、存储电容C的复位；之后基于第二控制信号控制开关电路DR1断开，此时感光器件OPD、存储电容C与开关电路DR1均处于断开状态，此时感光器件OPD可检测遮挡反射后的反射光，并产生电子-空穴对，以在存储电容C中储存电量，实现光电转换的功能；再基于第三控制信号控制开关电路DR1导通，此时感光器件OPD、存储电容C、开关电路DR1、信号采集电路处于导通状态，从而通过信号采集电路实现对存储电容C上所储存的电量的采集，并根据采集的电量进行指纹识别等。

在一些实施方式中，如图1或图2所示，感光器件OPD包括沿背离衬底BP的方向依次分布的第一导电电极OPD1、光电转换单元OPD2和第二导电电极OPD3，第一导电电极OPD1与开关电路DR1的第一端连接，第二导电电极OPD3用于加载恒压信号。

其中，第一导电电极OPD1可与第一电极同层制作，第二导电电极OPD3可与第二电极同层制作，结合上述所述的发光层EE的结构，第一电极层AN包括第一电极和第一导电电极OPD1，发光器件的第二电极、感光器件OPD的第二导电电极OPD3均共用第二电极层COM。如此，结合感光器件OPD的第二导电电极OPD3的情况，感光器件OPD的第二导电电极OPD3(第二端)加载的恒压信号为VSS电压信号。

而对于光电转换单元OPD2，光电转换单元OPD2可以是PIN光电转换单元，也可以是OPD有机光电转换单元。当光电转换单元OPD2为OPD有机光电转换单元时，由于光电转换单元OPD2包括的有机光电转换材料与发光单元包括的电致发光材料存在区别，可在同一层单独制作光电转换单元OPD2和发光单元；若光电转换单元OPD2包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种，则光电转换单元OPD2、发光单元可共用空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层中的一种或者多种。

在一些实施方式中，如图3所示，开关电路DR1包括开关晶体管TS，开关晶体管TS的第一极与感光器件OPD的第一端连接，开关晶体管TS的第二极用于与信号采集电路连接，开关晶体管TS的栅极用于加载控制信号。

结合上述对驱动层DR的解释，示例地，如图1所示，驱动层DR包括沿背离衬底BP的方向依次层叠的第一栅金属层Ga1、第一栅极绝缘层GI1、半导体层ACT、第二栅极绝缘层GI2、第二栅金属层Ga2、层间电介质层ILD、源漏金属层SD、平坦层PLN，半导体层ACT包括开关晶体管TS的有源部，有源部具有沟道区和位于沟道区两侧的连接部，第一栅金属层Ga1包括第一控制信号线，第二栅金属层Ga2包括第二控制信号线，第一控制信号线、第二控制信号线均与开关晶体管TS的沟道区在衬底BP的厚度方向上存在交叠区域；源漏金属层SD包括信号采集线、第一连接线和第二连接线，第一连接线的两端分别与开关晶体管TS的一个连接部、信号采集线连接，第二连接线的两端分别与开关晶体管TS的另一个连接部、感光器件OPD的第一端连接。

本公开实施方式中，存储电容C可以形成在发光层EE，也可以形成在驱动层DR，当然也可以在发光层EE形成一极板，在驱动层DR形成另一极板。存储电容C的数量可以是一个，也可以是多个，比如包括第一存储电容C1、第二存储电容C2等。

在一些实施方式中，如图4或图5所示，发光层EE包括沿背离衬底BP的方向依次分布的第一极板Cs1和第二极板Cs2；第一极板Cs1、第二极板Cs2在衬底BP上的正投影存在重合区域，第一极板Cs1和第二极板Cs2构成第一存储电容C1，第一极板Cs1与开关电路DR1的第一端连接，第二极板Cs2用于加载恒压信号。

结合上述所述的感光器件OPD的结构，示例地，第一极板Cs1可与感光器件OPD的第一导电电极OPD1同层制作，第二极板Cs2可与感光器件OPD的第二导电电极OPD3同层制作，结合上述所述的发光层EE的结构，第一电极层AN包括第一电极、第一导电电极OPD1和第一极板Cs1，发光器件的第二电极、感光器件OPD的第二导电电极OPD3、第一存储电容C1的第二极板Cs2均共用第二电极层COM。如此，结合感光器件OPD的第二导电电极OPD3和第一存储电容C1的第二极板Cs2的情况，第二导电电极OPD3(感光器件OPD的第二端)、第二极板Cs2(第一存储电容C1的第二端)加载的恒压信号为VSS电压信号。

其中，第一存储电容C1的第一极板Cs1可以与感光器件OPD的第一导电电极OPD1一体化设置，当然也可以间隔设置，只要保证存储电容C的第一极板Cs1、感光器件OPD的第一导电电极OPD1同时与开关电路DR1的第一端连接，本公开实施方式对此不做限定。

在另一些实施方式中，如图6或图7所示，驱动层DR包括沿背离衬底BP的方向依次分布的第一极板Cs1和第二极板Cs2；第一极板Cs1、第二极板Cs2在衬底BP上的正投影存在重合区域，第一极板Cs1和第二极板Cs2构成第一存储电容C1，第一极板Cs1与开关电路DR1的第一端连接，第二极板Cs2用于加载恒压信号。

其中，第一存储电容C1的第二极板Cs2与源漏金属层SD的恒压信号线连接，或者与发光层EE的第二电极层COM连接。

结合上述所述的驱动层DR的结构，示例地，驱动层DR包括半导体层ACT、栅金属层Ga和源漏金属层SD，第一极板Cs1形成在栅金属层Ga，第二极板Cs2形成在源漏金属层SD。当然，也可以是如图6所示，第一极板Cs1形成在源漏金属层SD，第二极板Cs2形成在栅金属层Ga，本公开实施方式对此不做限定。

本公开实施方式中，在开关电路DR1处于断开状态，以通过存储电容C储存电量时，存储电容C的电容量越大，则存储电容C能够储存的电量越大，而储存的电量越大，则信噪比越大，从而能够提高检测精度。

如此，为了增大存储电容C可存储的电容量，一方面，可对第一存储电容C1包括的第一极板Cs1、第二极板Cs2的结构进行调整；另一方面，可对存储电容C的数量进行调整，即显示基板还形成有第二存储电容C2、第三存储电容C3等，且多个存储电容C之间并联。

接下来以第一存储电容C1的第一极板Cs1、第二极板Cs2均形成在发光层EE为例，进行详细解释。而对于第一存储电容C1的第一极板Cs1、第二极板Cs2均形成在驱动层DR的情况，可参考第一极板Cs1、第二极板Cs2均形成在发光层EE的情况。

在一些实施方式中，如图4所示，第一极板Cs1的上表面(朝向第二极板Cs2的表面)呈曲面结构。示例地，第一极板Cs1的上表面为波浪状结构，球面状结构、弧面状结构。当然，第一极板Cs1的上表面除了为曲面结构外，还可以是其他结构，比如为齿面状结构等。

如此，通过调整第一极板Cs1的上表面的结构，从而增大第一极板Cs1的面积，结合电容的计算公式可知，电容的电容量与电容的极板面积呈正比，从而在第一极板Cs1的面积增大的情况下，使得存储电容C的电容量增大。

其中，可通过驱动层DR背离衬底BP的表面的调整，实现对第一极板Cs1整体结构的调整，进而实现对第一极板Cs1朝向第二极板Cs2的表面的调整。结合上述所述的驱动层DR的结构，示例地，可将平坦层PLN背离衬底BP的表面设置为波浪状结构，以使得形成在平坦层PLN上的第一极板Cs1呈波浪状结构，进而使得第一极板Cs1朝向第二极板Cs2的表面呈波浪状结构。

在另一些实施方式中，如图5所示，驱动层DR背离衬底BP的表面具有凸起DR2，第一极板Cs1在衬底BP上的正投影与凸起DR2在衬底BP上的正投影存在重合区域。

如此，通过在驱动层DR的表面设置凸起DR2结构，从而拉近第一极板Cs1与第二极板Cs2之间的距离，结合电容的计算公式可知，电容的电容量与极板间的距离呈反比，从而在第一极板Cs1、第二极板Cs2拉近的情况下，使得存储电容C的电容量增大。另外，通过凸起DR2的设置还能够增大第一极板Cs1的表面积，从而结合上述所述，在第一极板Cs1的面积增大的情况下，使得存储电容C的电容量增大。

其中，结合上述所述的驱动层DR的结构，驱动层DR上的凸起DR2可以是平坦层PLN百里衬底BP的表面形成的凸起DR2。驱动层DR上的凸起DR2可以是一个块状凸起，可以是多个柱状凸起，也可以是沿第一方向延伸沿第二方向分布的多个条状凸起，本公开实施方式对此不做限定。第一方向、第二方向可以是相交的两个方向，比如第一方向为行方向，第二方向为列方向。

在又一些实施方式中，如图8或图9所示，驱动层DR包括第三极板Cs3，第三极板Cs3、第一极板Cs1在衬底BP上的正投影存在重合区域，第三极板Cs3、第一极板Cs1构成第二存储电容C2，第三极板Cs3与第二极板Cs2连接。如此，通过增加存储电容C的数量，即增加与第一存储电容C1并联的第二存储电容C2，从而增加可存储的电容量，实现信噪比的增大。

其中，第三极板Cs3可形成在驱动层DR包括的任一金属层。结合上述所述的驱动层DR的结构，如图8所示，驱动层DR包括半导体层ACT、栅极绝缘层GI、栅金属层Ga、层间电介质层ILD、源漏金属层SD，第三极板Cs3可以设置在栅金属层Ga、半导体层ACT、源漏金属层SD中的任一层。示例地，如图8所示，第三极板Cs3设置源漏金属层SD。

进一步地，如图10或图11所示，驱动层DR包括第四极板Cs4，第四极板Cs4位于第三极板Cs3靠近衬底BP的一侧，第四极板Cs4、第三极板Cs3在衬底BP上的正投影存在重合区域，第四极板Cs4、第三极板Cs3构成第三存储电容C3，第三极板Cs3与开关电路DR1的第一端连接。如此，通过进一步增加存储电容C的数量，即增加与第一存储电容C1并联的第二存储电容C2、第三存储电容C3，从而增加可存储的电容量，实现信噪比的增大。

其中，第四极板Cs4可形成在驱动层DR包括的任一金属层，第四极板Cs4所在的金属层位于第三极板Cs3所在金属层靠近衬底BP的一侧，当然，也可以位于第三极板Cs3所在金属层远离衬底BP的一侧。结合上述所述的驱动层DR的结构，如图10所示，驱动层DR包括半导体层ACT、栅极绝缘层GI、栅金属层Ga、层间电介质层ILD、源漏金属层SD，第三极板Cs3设置在栅金属层Ga、半导体层ACT、源漏金属层SD中的任一层，第四极板Cs4设置在半导体层ACT、栅金属层Ga、源漏金属层SD中剩余两层中的任一层。示例地，如图10所示，第三极板Cs3设置源漏金属层SD，第四极板Cs4设置在栅金属层Ga。

本公开实施方式提供了一种显示面板的制造方法，该方法用于制造上述实施方式所述的显示面板。该方法包括如下步骤S1210-S1220。

步骤S1210、提供一衬底。

步骤S1220、在衬底的一侧制作显示基板，显示基板形成有存储电容，显示基板包括驱动层和发光层，驱动层位于衬底与发光层之间，驱动层包括开关电路和多个像素电路，发光层包括感光器件和多个发光器件。

多个像素电路与多个发光器件一一对应，且一像素电路与对应的发光器件连接，开关电路的第一端与感光器件的第一端连接，开关电路的第二端用于与信号采集电路连接，感光器件的第二端、存储电容的第一端用于加载恒压信号，存储电容的第二端与开关电路的第一端连接。

本公开实施方式中，通过将感光器件和存储电容同时集成在显示基板中，从而能够简化膜层结构，实现显示面板的超薄化。

上述步骤S1220中制作显示基板的具体实现过程可参考上述实施方式所述的显示基板的具体结构，以及相关技术中的制作工艺，本公开实时方式对此不做限定。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中显示面板的制造方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

本公开实施方式提供了一种显示装置，包括上述实施方式所述的显示面板。结合上述实施方式所述的显示面板，在保证指纹识别功能的情况下，实现显示面板的超薄化的情况下，进而能够实现显示装置的超薄化。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

显示基板，位于所述衬底的一侧，且形成有存储电容；

所述显示基板包括驱动层和发光层，所述驱动层位于所述衬底与所述发光层之间，所述驱动层包括间隔分布的像素电路和开关电路，所述发光层包括间隔分布的发光器件和感光器件；

所述像素电路与所述发光器件连接，所述感光器件的第一端分别与所述开关电路的第一端、所述存储电容的第一端连接，所述感光器件的第二端、所述存储电容的第二端均用于加载恒压信号，所述开关电路的第二端用于与信号采集电路连接，所述开关电路的控制端用于加载控制信号；

所述发光器件包括沿背离衬底的方向依次层叠的第一电极、发光单元和第二电极，所述感光器件包括沿背离所述衬底的方向依次分布的第一导电电极、光电转换单元和第二导电电极，所述第一电极与所述第一导电电极同层制作，所述第二电极与所述第二导电电极同层，且为一整层结构，所述第一导电电极与所述开关电路的第一端连接，所述第二导电电极用于加载所述恒压信号。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光层包括沿背离所述衬底的方向依次分布的第一极板和第二极板；

所述第一极板、所述第二极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第一极板和所述第二极板构成第一存储电容，所述第一极板与所述开关电路的第一端连接，所述第二极板用于加载所述恒压信号。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一极板的上表面呈曲面结构。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层背离所述衬底的表面具有凸起，所述第一极板在所述衬底上的正投影与所述凸起在所述衬底上的正投影存在重合区域。

5.如权利要求2-4任一所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层包括第三极板；

所述第三极板、所述第一极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第三极板、所述第一极板构成第二存储电容，所述第三极板与所述第二极板连接。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层包括第四极板；

所述第四极板位于所述第三极板靠近所述衬底的一侧，所述第四极板、所述第三极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第四极板、所述第三极板构成第三存储电容，所述第三极板与所述开关电路的第一端连接。

7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动层包括沿背离所述衬底的方向依次分布的第一极板和第二极板；

所述第一极板、所述第二极板在所述衬底上的正投影存在重合区域，所述第一极板和所述第二极板构成第一存储电容，所述第一极板与所述开关电路的第一端连接，所述第二极板用于加载所述恒压信号。

8.如权利要求1-4、6-7任一所述的显示面板，其特征在于，所述开关电路包括开关晶体管，所述开关晶体管的第一极与所述感光器件的第一端连接，所述开关晶体管的第二极用于与信号采集电路连接，所述开关晶体管的栅极用于加载控制信号。

9.一种显示装置，其特征在于，包括上述权利要求1-8任一所述的显示面板。