CN115038592B - 用于制造具有不同硬度的基底层和具有不同硬度的工件的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种用于制造具有不同硬度的基底层(3)的方法和装置。此外，还公开了通过这种方法制造具有基底层(3)的工件。

Description

用于制造具有不同硬度的基底层和具有不同硬度的工件的方 法和装置

技术领域

本公开涉及一种用于制造具有不同硬度的基底层的方法和装置以及一种具有不同硬度的工件。

背景技术

此外，可以制造具有装饰性印刷表面和相应的光学可见、触觉感知结构的工件，并且描述了用于制造此类工件的方法和装置。近年来，在这个问题上已经取得了许多进展。然而，关于此类结构的期望锐度以及光学和触觉深度仍然存在着未解决的问题，这些问题通过本公开的方法和本公开的面板得到解决。

对于以工业规模制造装饰性表面，例如以再现瓷砖或木材表面为目的，除了形成随后的表面的层之外，还临时应用其他处理剂来处理层的表面，以便最终制造出装饰表面。

例如，EP3109056A1描述了一种用于在表面上制造结构的方法。因此，液体层被施加在工件上。随后，将液滴形式的处理剂喷洒在液体层上，其中发生液滴对液体层的置换，从而在液体层中形成凹陷；这些凹陷共同在液体层中形成结构。该层随后被固定。以这种方式，可以在层上产生提供木材或瓷砖视觉的表面。

EP3415316A1公开了一种方法，其中处理剂以液滴或细滴的形式施加在液体层上，其中处理剂提供至少部分地吸收电磁辐射的特性。例如，通过用准分子激光照射液体层，液体层的表面发生聚合，导致那里的液体层发生微折叠，随后产生无光泽的表面。液体层表面的处理剂至少部分吸收辐射，使得在这些区域中，表面下的层聚合发生的程度较小。因此，这些区域的光泽度较低。在此，也可以使用处理剂将凹陷引入液体层中。

然而，上述所有方法和用其制造的工件都显示出以下明显缺点：用其制造的结构边缘不够锋利。因此，根据本公开，术语“锐边”应理解如下（参见图4a~4c至图6a~6c）：例如，在平均层厚度为d（参见图4a~4c）的数字印刷装饰层上方的基本透明的基底层3包括凹陷6，例如，木材孔隙的再现。因此，凹陷底部的水平切线（即凹陷6的最深位置）与凹陷6的壁的切线之间的锐角记为内角β。具有特别大的内角β（例如，大于60度，特别是大于80度）的凹陷在本公开中被称为“锐边”；而反过来，具有较小的边缘或内角（例如，仅为30度或更小）的凹陷被称为“非锐边”（总体上参见图4a至c）。

因此切线有利地应用于凹陷6上半部分的凹陷6的壁，即沿着从开口到凹陷6底部的距离的前半部分。如果凹陷6被设计为通孔，切线应用于凹陷的两个开口连接的一半处。由于此处不能应用凹陷底部的水平切线，因此可以改为应用垂直于通孔轴线或平行于基底层表面的线。

然而，根据该定义，也不排除在凹陷6的下半部分应用切线。

此外，根据现有技术生产的结构表现出边缘凸起，其中表面上层厚度的增加或整个工件厚度的增加在结构的孔周围可见（这意味着凹陷），特别是在1mm到3mm的范围内（参见图5a、b）。存在于现有技术中的这种边缘凸起也是不被希望的，因为它降低了结构“深度”的视觉和触觉印象，并对实木孔隙产生负面影响。因此，本发明旨在公开一种避免边缘凸起的方法和面板。关于现有技术，参见根据现有技术生产的样品的测量（参见图8a）。

此外，已知的数字方法具有在进一步的后处理期间没有移除或至少没有完全移除基底层3的缺点，对此参见，例如，WO / 2020 039 361A1。在本文中，根据此处提出的步骤，只有此处提到的“液体B”在辐照后再次被移除，而不是“液体A”。这导致了前面提到的较低“锐度”、较低光觉和触觉深度的缺点。由于凹陷6位置处的基底层3的不完全移除，另外的缺点导致无法在凹陷6的“底部”和工件上的顶层之间产生光学可见的光泽度差异。因为如果未完全移除，凹陷6的“底部”与基底层3的顶层由相同的涂层材料组成。根据现有技术，通过在基底层3上方的附加层，最多可能影响表面的光泽度，例如图6a~6c所示的被标明的底涂层9。然而，施加额外的涂层具有缺点，与材料和设备投资的显著的额外成本有关。此外，它可能会导致顶部的底涂层9也渗透到凹陷处，从而抵消了所需的光泽度差异。

根据DIN EN ISO 2813:2015-02的光泽度测量，光泽度规定如下。对于光泽度测量，测量与抛光玻璃的参考标准相关的表面反射的光量。使用的计量单位为GU（光泽单位）。表面反射的光量取决于入射角和表面特性。在光泽度测量中可以使用不同的入射角（20°、60°和85°）来记录反射程度，其中优选60°的入射角用于测量。或者，可以使用三个入射角的测量平均值。反射程度是在给定的入射角下，将光泽度计发射的光能和接收的光能以百分比的形式进行比较。

理想的但是现有技术无法实现的结构是，例如，孔表面的光泽度为8-15GU和孔底的光泽度为2到6GU的结构。或者，根据本发明，还可以生产孔表面的光泽度为2-8GU，优选为2-6GU的面板和孔底部的光泽度为8-15GU，优选为10-12GU的面板。

利用根据现有技术的制造方法和由此实现的小内角，即“边缘不尖锐的孔”，结果在视觉和触觉上都是非常平坦（即浅的）的结构的印象。对于观察者来说，根据现有技术产生的这种结构，例如似乎仅有20µm的深度，尽管存在70µm的可测量深度结构。

发明内容

因此，本发明的目的是解决上述问题中的至少一个。

该目的通过独立权利要求的主题来解决，有利的改进以从属权利要求为准。

已经证明有利的是，以这样的方式来制备基底层用以产生锐边凹陷，使基底层中逐个区域地产生不同程度的硬度。这是通过选择性固化基底层来实现的。优选地，通过后续处理步骤移除基底层中具有较低硬度的区域。例如，可通过物理和/或化学方式进行移除。

然而，也可以考虑在基底层中保留较少固化区域的应用。

因此，基底层可代表最终产品，其包括凹陷和/或具有不同硬度的区域。或者，也可以在后续生产过程中对基底层进行进一步处理，例如，通过进行进一步的表面处理、添加或移除材料等。后续的生产过程可以直接进行，例如，在生产不同硬度的基底层之后在同一条生产线上进行，或者可以在稍后的时间点进行，其中具有不同硬度的基底层最初作为中间产品存在。

在下文中，使用术语“电磁辐射”。如果没有详细说明，则可以理解为指的是UV辐射和/或IR辐射。然而，不排除其他辐射范围或辐射类型。

因此，优选地提供了一种方法，尤其是用于在基底层中制造具有不同硬度的区域，该方法包括以下步骤：

-在基底层表面的至少部分区域施加遮蔽物（masking），其中所述遮蔽物被配置为至少部分地吸收电磁辐射；和

-用电磁辐射照射所述基底层和施加的遮蔽物，以设置所述基底层的不同硬度，所述电磁辐射尤其用UV辐射和/或IR辐射。

电磁辐射可以导致基底层硬度的降低和基底层硬度的增加。

遮蔽物尤其用于通过吸收电磁辐射来减弱辐射对部分区域下方的基底层的影响。因此，尤其是，与基底层的未被遮蔽物覆盖的区域相比，在遮蔽物下方的基底层的硬度受电磁辐射的影响较小。

优选地，遮蔽物被配置为分别吸收特定波长或特定波长范围的电磁辐射。这被有利地选择从而减轻了用于进行辐照的电磁辐射对遮蔽物下方的基底层的影响。然而，遮蔽物也可以被设计成完全吸收特定波长或波长范围内的辐射。

优选地，通过电磁辐射照射基底层和施加的遮蔽物之后，在已施加遮蔽物的区域和未施加遮蔽物的区域之间，基底层的固化和/或聚合存在差异，尤其是通过UV辐射和/或IR辐射来设置基底层的不同硬度时，其中固化差异优选至少对应于2倍，更优选至少对应于3倍。

优选地，在x方向上的硬度梯度在最高硬度和最低硬度之间被设置在其范围对应于以下范围之一的长度内：

-小于1mm；

-小于0.1mm；

-小于100µm；

-小于10µm；

-小于1µm。

最高硬度优选为1，最低硬度优选为0。

硬度可以例如通过根据König（DIN 53 157）规定的摆锤硬度测定方法来确定。摆锤被设置为在待测表面上以6°的偏转无脉冲摆动，然后记录摆锤在自由摆动中的摆动次数，以便从原始的6°偏转阻尼到3°的目标偏转阻尼。

硬区域的特点是摆锤至少需要八次摆动才能达到目标偏转。柔软或未固化区域的特点是摆锤至少需要一次摆动才能实现目标偏转。与硬区域相比，软区域的特点是，在上述测量过程中，软区域比硬区域允许更少的摆动。

这里，平行于基底层表面的方向可以理解为x方向。因此，考虑从未遮蔽位置开始到遮蔽位置的该长度上的相应硬度梯度。硬度从最大值到最小值的长度越短，不同硬度区域之间的界面越尖锐。

优选地，当施加遮蔽物时，至少一部分基底层或整个基底层是液体，或至少尚未完全固化。优选地，基底层和遮蔽物的密度和/或表面张力彼此调整，使得遮蔽物基本保持在基底层的表面。此外，为了使基底层对遮蔽物更具支撑性，可在施加遮蔽物之前对基底层进行第一次固化，其中基底层未完全固化，而是以所需的方式分别硬化以支撑遮蔽物。例如，固化可通过干燥和/或通过电磁辐射，尤其是UV辐射来进行。

优选地，基底层和遮蔽物彼此匹配，使得在对基底层和遮蔽物进行辐照时，基底层和遮蔽物之间的边缘角优选大于20°，更优选大于50°，特别是优选大于70°。如果在基底层上施加遮蔽物之前，基底层已经被低剂量率的电磁辐射“凝胶化”，理想地是具于极低剂量“并且在惰性条件下，则可以优选地进一步改善这种情况。因此，基底层可仅在其表面进行初始固化，优选在小于其厚度的50%，更优选小于其厚度的20%，进一步优选小于其厚度的5%的范围内。

优选地，随后进行基底层和遮蔽物的相互辐照，以设置基底层的不同硬度。在基底层和遮蔽物的横截面或侧视图中，边缘角被理解为基底层表面与遮蔽物外缘相切位置处的锐角，其中遮蔽物边缘紧靠基底层表面。如果基底层不是平坦的，则在该位置处也应用基底层的切线，然后边缘角形成为两个切线之间的锐角。

然而，这里也可使用以下定义，根据该定义，边缘角是遮蔽物边缘邻接基底层表面的位置处与遮蔽物外缘相切的切线与垂直于辐射发射方向的平面之间的锐角。通过这种方式定义了一个边缘角，边缘角越大，是衡量遮蔽区域和未遮蔽区域之间的分离程度的量度。然后在遮蔽区域和未遮蔽区域之间将输入到基底层的辐射分离，使该区域尽可能清晰。

可选地或另外，并且优选地，当对基底层进行辐照以设置基底层的不同硬度时，遮蔽物边缘处的遮蔽高度至少为遮蔽物中心处的遮蔽高度的50%，优选为70%，更优选为90%。理想情况下，遮蔽物的横截面形状近似为矩形，其中每个位置的辐射都会撞击到相同厚度的遮蔽物上。

通过使遮蔽物的边缘角度尽可能大，或通过形成遮蔽物边缘处的厚度尽可能接近遮蔽物中心的厚度的遮蔽物，有利于实现位于遮蔽下方的基底层区域在整个遮蔽区域内尽可能受到均匀的保护，以防受到电磁辐射的照射。这可以通过以下事实来解释：在遮蔽物的边缘也存在足够的遮蔽材料，因此与遮蔽物中心相比，可以吸收同样大量的辐射。另一方面，没有遮蔽物的区域会被完全辐射到遮蔽物的边缘。

中心的定义如下。如果以切割平面垂直于位于遮蔽物下的基底层表面的这样一种方式来切割所施加的遮蔽物，则结果是具有右端和左端的遮蔽物的横截面积，每个由遮蔽物的边缘定义。因此，横截面积从右向左的延伸分别由两端和边缘定义。因此中心尤其是将左右两端距离平分的点。作为该定义的替代，中心还可定义为延伸至平分距离的点的任一侧的区域。优选地，该区域总延伸超过右端和左端之间距离的10%，其中为此目的考虑的遮蔽物高度被认为是对应区域上遮蔽物高度剖面的平均值。

通过从上方照射到从左到右运行的基底层上，该基底层的表面上逐个区域地具有遮蔽，因此可以从左到右实现进入基底层的辐射在遮蔽区域和未遮蔽区域之间的尖锐边界。

通过这种方式，可以在基底层中获得具有不同硬度的区域，这些区域彼此之间明显地分离。基底层从左到右运行，在各个区域的过渡处，硬度从左到右呈现阶梯状变化。

优选地，进行进一步的步骤，其中将基底层施加在，尤其是板状或网状的，载体元件上和/或另外的层上，尤其是在涂层上；和/或其中，载体元件，尤其是板状或网状的载体元件，和/或另外的层，尤其是涂层，被施加在基底层上。载体元件优选包括木材或木纤维。然而，它也可能包括塑料或金属。基底层可以是液体和/或仅部分固化，或当其应用于载体元件上时已经作为成品，尤其是固化的部件存在。涂层和/或另外的层可设置于载体元件上。

通过这种方式，可以制造包括基底层的工件，尤其是面板。这种工件尤其可以用作功能性和/或装饰性部件，例如，用作地板覆盖物、墙壁覆盖物或家具部件。

优选地，基底层表面上的遮蔽物，尤其是当辐照基底层以设置基底层的不同硬度时，以液体形式存在。或者，优选地，在辐照基底层以设置基底层的不同硬度期间或之前，遮蔽物至少部分地、优选为完全地固化。还可以规定，例如部分遮蔽物固化来，例如，保持在基底层上以便它们形成最终工件的一部分。另一方面，遮蔽物的其他部分可以以液体形式存在或未完全固化，以将它们再次从基底层移除。

优选地，形成遮蔽物的材料以液体形式和/或气体形式施加在液态基底层表面上，其中优选地，当以气体形式施加材料时，材料在基底层表面上凝结形成遮蔽物。为此，可在基底层表面上或通过进一步施加的液体（例如在前述工艺步骤中形成或施加）提供冷凝核（例如以粉末形式或通过基底层的静电荷）。这些导致形成遮蔽物的材料在冷凝核处液化，并在那里形成遮蔽物。当以液体形式施加形成遮蔽物的材料时，可以优选使用数字和/或模拟印刷技术。

优选地，形成遮蔽物的材料，尤其是当使用数字印刷技术时，以至少一个液滴的形式施加在基底层上。所述至少一个液滴优选地具有对应于以下限制之一的体积：

-小于2n；

-优选小于1nL；

-更优选小于400pL；

-更优选小于200pL；

-进一步优选小于50pL；

-进一步优选小于40pL。

因此，液滴可单独作为基底层表面上的遮蔽物。然而，几个液滴也可能合并以覆盖更大的区域。可认为单个液滴的体积是变化的，即每个液滴的体积可根据需要调整。然而，通过具体控制液滴输送，液滴也可能在撞击基底层之前彼此合并，以便在基底层的区域上放置更大量的遮蔽材料。如果液滴大小不同，则单个液滴优选至少满足上面列出的一种体积限制。如果要遮盖更大的区域，则分配的液滴的体积可朝更大的体积变化，以覆盖相对较大的区域；而如果要遮盖相对小的区域，则液滴体积可相应减小。

优选地，在施加遮蔽物之前和/或期间进行一个步骤，其中用电磁辐射，尤其是采用UV辐射和/或IR辐射，照射基底层，由此优选地将基底层的硬度和/或粘度设置为期望值。这种方式可能会影响基底层对遮蔽物的支撑能力。照射优选在施加遮蔽物之前和/或期间立即进行。

优选地，由此形成粘度梯度或硬度梯度，使得基底层背离电磁辐射源的一侧的粘度或硬度小于基底层朝向电磁辐射源的一侧，优选至少小于4倍。

优选地，液态基底层在施加遮蔽物（尤其是液滴形式）的位置处的层厚度减小，其中减小量优选小于10µm，更优选小于1µm；其中，层厚度的减小特别是通过将所述遮蔽物沉入基底层和/或通过遮蔽物置换基底层来实现。

结果是优选地在基底层中形成凹陷，凹陷最初被遮蔽物材料填充。这些凹陷可以由不同的途径形成，这些途径在形成过程中可单独使用或组合使用。

例如，这种凹陷可以由遮蔽物材料（特别是作为液滴）传递到基底层的物理脉冲形成。另一种途径仅通过掩蔽材料的重力导致凹陷的形成，从而使其沉入基底层。物理和/或化学途径也可以通过使用与基底层之一不混溶的遮蔽物材料来起作用。

这种凹陷形成了随后在遮蔽位置移除部分基底层的起点。

在可选的实施方式中，遮蔽物也可在不形成凹陷的情况下施加，或在相对于液态基底层表面的凹陷小于1µm的情况下施加。优选情况为，液态基底层已经通过采用低于施加遮蔽物之前完全固化所需的剂量的电磁辐射进行了预处理。

优选地，形成遮蔽物的材料的表面张力等于或大于基底层的表面张力。通过这种方式，实现了基底层表面上的遮蔽物在边缘处强烈弯曲，从而形成最大可能的边缘角和/或使得遮蔽物的厚度也在遮蔽物的边缘处形成，与遮蔽物中心处的遮蔽厚度偏差最大为50%。

优选地，在已经使用电磁辐射，尤其是UV辐射和/或IR辐射来辐照基底层和所施加的遮蔽物，以设置基底层的不同硬度之后，进行一个步骤，在该步骤中移除遮蔽物；或者在施加遮蔽物的位置移除遮蔽物和基底层；或者只移除基底层的材料。

特别地，位于遮蔽物下方且先前通过遮蔽物屏蔽电磁辐射的基底层的材料被移除。优选地，移除基底层的层厚度的至少80%。更优选地，在遮蔽物下方的位置处的基底层被完全移除。如果遮蔽物下面的基底层材料比其他基底层材料更软，则优选进行该操作。

相反，如果在基底层上施加遮蔽物的位置防止或减少了由电磁辐射引起的基底层软化，则基底层未遮蔽部分具有较低的硬度，因此优选地从基底层的该区域移除材料。

基底层材料的移除导致在基底层的这些位置中形成凹陷和/或通孔，其中优选地以物理和/或化学的方式进行遮蔽物的移除或遮蔽物和基底层的移除或仅基底层材料的移除。特别是，刷洗和/或研磨可以作为物理移除，这可以通过抽吸来支持。可选地或者另外地，也可以通过抽吸进行物理移除，尤其是单独或唯一地通过抽吸。化学移除可以通过蚀刻来实现。

如果使用刷子，或可选地或附加地，使用研磨或刨削元件移除基底层的材料，则通过电磁辐射处理基底层和/或遮蔽物，或调整其硬度或粘度，以使刷子、研磨元件和/或刨削元件不会被基底层和/或遮蔽物的溶解材料堵塞。因此避免在工件生产过程中必须清洁刷子、研磨元件和/或刨削元件。优选地，辐照在移除之前和/或移除期间立即发生。

产生的凹陷在基底层中形成结构。这可能只是装饰性的，也可能具有技术功能。例如，当基底层用作具有木材外观的地板覆盖物时，结构化可以与所描绘的木纤维同步运行，同时通过结构化实现一定的防滑性。

由于具有不同硬度的各个区域之间的尖锐分离，凹陷可能形成非常锋利的边缘，如开头所述。

优选地，已经用电磁辐射，特别是用UV辐射和/或IR辐射，来辐照基底层和所施加的遮蔽物以设置基底层的不同硬度之后，进行一个步骤，其中施加包含基底涂层的另一层。

优选地，已经用电磁辐射，特别是用UV辐射和/或IR辐射，来辐照基底层和所施加的遮蔽物以设置基底层的不同硬度之后，进行一个步骤，其中用电磁辐射，优选用UV辐射来辐照整个层结构。通过这种方式，可以实现所有组件的完全固化。

优选地，遮蔽物被配置为吸收电磁辐射，利用电磁辐射辐照基底层和施加的遮蔽物，以将基底层的不同硬度设置为至少60%，优选至少80%，更优选为完全。

优选地，遮蔽物被配置为吸收波长低于阈值波长的电磁辐射，其中阈值波长优选为380nm，更优选为315nm，进一步优选为280nm。

优选地，用波长低于阈值波长的电磁辐射来辐照基底层，以设置基底层的不同硬度。辐照波长优选小于380nm，更优选小于315nm，特别是小于280nm。或者，辐照在小于380nm，更优选小于315nm，特别是小于280nm的波长处具有其发射最大值。但在每种情况下，尤其是更小的波长处，部分发射光谱仍高于相应波长。

优选地，遮蔽物被配置为让具有至少预定最小波长的电磁辐射通过，其中，通过电磁辐射的辐照来设置基底层的不同硬度，从而使用的电磁辐射仅具有波长小于最小波长之一的辐射。例如，这可以通过使用滤波器来实现，由此滤除低于预定波长的波长范围。

可选地或另外地，遮蔽物被配置为吸收波长超过阈值波长的电磁辐射，其中阈值波长优选为300nm，更优选为380nm，特别是1000nm。

优选地，用波长超过阈值波长的电磁辐射来辐照基底层，以设置基底层的不同硬度。优选地，辐射的波长大于300nm，更优选大于380nm，特别是大于1000nm。或者，辐射优选在大于300nm，更优选大于380nm，特别是大于1000nm的波长处具有其发射最大值，但在每种情况下，尤其是在更小的波长处，部分发射光谱仍低于相应的波长。

优选地，遮蔽物被配置为让具有至少预定最大波长的电磁辐射通过，其中，优选地，通过电磁辐射的辐照来设置基底层的不同硬度，从而使用的电磁辐射仅具有波长大于最大波长之一的辐射。例如，这可以通过使用滤波器来实现，由此滤除高于预定波长的波长范围。

优选地，施加遮蔽物使其至少在部分区域与已经在基底层上或基底层中,或者已经随后被施加到基底层或包含基底层的工件中的装饰图像同步运行。因此，可以实现由该方法产生的具有不同硬度的区域与装饰图像同步运行。此外，如上文所述，如果随后将结构插入到基底层中，则通过结构的锐利边缘实现结构和装饰图像之间的显著改进的同步性。

有利地，由此实现装饰图像的结构和相应图像部分之间的最大差异小于5mm，优选小于2mm，更优选小于1mm。

或者，也可以想到将本发明用于不提供特定装饰但是例如单色表面的工件，例如板材或网材。作为一个具体的示例，这里描述了一种具有涂漆表面的单色红色刨花板，然后使用根据本发明的方法，在该刨花板上可以看到诸如气泡之类的圆圈作为凹陷。以同样的方式，本发明的锐边凹陷可以布置成一种棋盘图案。

此外，还可以设想到对装饰性印刷表面的有意“非同步”结构。

通过移除基底层的材料形成的结构优选具有5µm至300µm的深度。

此外，根据本发明，提供了一种工件，其包括根据如上所述的方法生产的基底层。

本领域技术人员清楚的是，上述方法描述所包括的与工件相关的特征和特性也可以理解为此处描述的工件的可选特征和特性。

优选地，基底层包括至少一个凹陷，凹陷具有大于60度，优选大于70度，更优选大于80度的内角β。

可选地或另外，每个凹陷的边缘区域中，尤其是在距离每个凹陷边缘0至3mm的范围内，基底层的平均厚度与整个基底层的平均厚度的偏差小于20%，优选小于10%。

可选地或另外，工件包括另外的层，优选为涂层，和/或，尤其是板状或网状的，载体元件；其中该层和/或载体元件连接到基底层的表面，其中基底层包括至少一个凹陷，在该凹陷的底部，另外的层和/或载体元件至少部分地被暴露。

可选地或另外，基底层包括凹陷，凹陷底部使工件的底层发光，或者凹陷的底部是底层，由此可识别凹陷中底层的光泽度，其中，所述光泽度优选地与基底层或面板的顶层的光泽度相差至少2个光泽度点，优选为至少4个光泽度点，更优选为至少8个光泽度点。

优选地，在执行所述方法之后，遮蔽物至少部分地保留在基底层上，从而形成包括基底层和至少部分的遮蔽物的工件。例如，如果通过辐照在基底层中提供包括较低硬度是未遮蔽区域从而影响硬度，则可移除这些区域，保留较高硬度区域上的遮蔽物。然后，通过具有较高硬度的基底层区域和覆盖在其上的遮蔽物来定义凹陷。因此，遮蔽物还可以被配置为保持在基底层上时尤其是可固化，和/或包括改变基底层的表面性质的性质，例如防滑性或光泽度。

本发明的另一个方面涉及一种包含基底层的工件，其中基底层包括至少一个凹陷，在该凹陷处，内角β大于60度，优选大于70度，更优选大于80度；和/或，

每个凹陷边缘区域的，尤其是在距离每个凹陷边缘0至3mm的范围内，基底层的平均厚度与整个基底层的平均厚度相差小于20%，优选小于10%；和/或，其中

工件包括另外的层，尤其是涂层；和/或，尤其是板状或网状载体元件；其中该层和/或载体元件连接至基底层的表面；其中该基底层包括至少一个凹陷，在该凹陷的底部，另外的层和/或载体元件至少部分地被暴露，和/或，其中

基底层包括凹陷，凹陷的底部使工件的底层发光；或者凹陷的底部是底层，由此可识别凹陷底层的光泽度，其中，所述光泽度优选地与基底层或面板的顶层的光泽度相差至少10个光泽度点，优选为至少5个光泽度点。

优选地，工件的基底层已根据上述方法制造。

优选地，基底层中的凹陷形成结构，该结构至少部分地与之前或之后在基底层或工件上印刷的装饰图像同步设置。

根据本发明，提供了一种用于执行该方法的装置。

本领域技术人员清楚的是，由上述方法和/或工件的描述所包括的并与装置相关的特征和特性也可以理解为此处描述的装置的可选的特征和特性。

优选地，该装置包括控制装置，尤其是具有电子控制装置，该控制装置通过各自的编码被配置为由该装置执行上述方法。

特别地，该装置包括传输装置，用于将基底层和/或载体元件传输到该装置的不同处理站和/或将该装置的不同处理站移动到基底层和/或载体元件。

优选地，该装置被配置包括施加遮蔽物的处理站。为此目的，所述处理站优选地包括数字印刷技术。

优选地，该装置至少包括一个被配置为照射基底层和/或遮蔽物的处理站。为此目的，所述处理站优选地包括UV和/或IR辐射源。

优选地，该装置包括至少一个处理站，该处理站被配置为在已施加遮蔽物的位置处移除遮蔽物和/或基底层。所述处理站特别是被配置为以物理形式和/或化学形式（如上所述）移除基底层和/或遮蔽物。

附图说明

在下文中，参考附图更详细地解释本发明。具体地：

图1示出了一个施加了遮蔽物的工件；

图2示出了边缘角度的影响；

图3示出了本发明方法可能的步骤顺序；

图4a至c示出了内角的表示；

图5a至b示出了结构凸起；

图6a至c示出了发明的工件；

图7示出了工件的示例性表面；

图8a至c示出了凹陷的对比测量；以及

图9a和b示出了将基底层的区域排除在电磁辐射影响之外的可能性。

附图标记说明

参考符号列表

1-第一基底涂层

1a-第一基底涂层（底漆部分）

1b-第一基底涂层（装饰图）

2-第二基底涂层

3-涂层（基底层）

4-液滴（遮蔽物）

5-工件芯

6-凹陷（孔）

7-内角β

8-边缘角α

9-基底涂层

10-工件表面

11-用于木材重现的孔（从上方）

12-用于木材重现的节孔（从上方）

α-边缘角

d₁´-凸起高度

d₂´-凸起高度

具体实施方式

图1示出了施加遮蔽物的工件。

该图显示了包含多个层的工件。工件芯位于最下方，在其上具有第一基底涂层1和第二基底涂层2。在其上施加基底层3，在其表面上具有液滴4形式的遮蔽物。然而，也有一些不需要第一层底涂层1和/或第二层底涂层2的应用。

这些液滴4以不同的液滴体积示出。此外，边缘角α显示为基底层3的表面与液滴4的外边缘在邻接基底层3的表面位置处的切线之间的角度。

例如，基底层3和遮蔽物的横截面或侧视图中的边缘角α被理解为基底层3的表面与遮蔽物的外边缘（在这种情况下，液滴4的边缘）与基底层的表面邻接的点处的切线之间的锐角。如果基底层3不是平坦的，则在该位置也应用基底层3的切线，边缘角α随后形成两条切线之间的锐角。

然而，这里也可以使用上面的以下定义，根据该定义，边缘角α是在遮蔽物边缘（在这种情况下是液滴4的边缘）邻接基底层3的表面的位置处，与遮蔽物的外边缘相切的切线与垂直于辐射发射方向的平面之间的锐角。通过这种方式，定义了一个边缘角α，边缘角越大，是衡量遮蔽区域和未遮蔽区域之间的分离程度的量度。然后，在遮蔽区域和未遮蔽区域之间存在输入到基底层3的辐射的尽可能明显的分离。

因此，平坦的液滴具有较小的边缘角α，而非常高的直立液滴具有较大的边缘角α。

为了清楚起见，在图2中示出。

该图显示了基底层3（尤其是液体）的表面，该基底层3具有以液滴4形式施加在其上的遮蔽物，液滴4示出了不同边缘角α。在上的图中，液滴4以虚线显示，没有表示边缘角，在下的图中，相同的液滴不以虚线表示，但每个液滴都显示有边缘角α。为了更好地理解，在每种情况下，扁平液滴（左）示出的边缘角α相对较小，较高的上升液滴4示出的边缘角α较大（右），因此α（左）<α（右）适用。

很明显，边缘角α₁非常小的遮蔽物具有从遮蔽物边缘向中心缓慢增加的厚度。这反过来导致在遮蔽物边缘处的下层基底层的电磁辐射的遮蔽效应较低，因为在基底层3上方几乎没有遮蔽物材料。另一方面，在遮蔽物的中心存在最大的遮蔽厚度，因此最大的遮蔽物效应也发生在这里。因此，从遮蔽物边缘到遮蔽物中心，进入基底层3的电磁辐射的辐射输入持续减少，这导致遮蔽物下方基底层3的硬度受到不均匀影响。

以这种方式，在陡峭的边缘角α₂的情况下，也可能实现在遮蔽物边缘已经存在大量的遮蔽物材料，这最终导致均匀的遮蔽效果，由此影响基底层3的硬度程度均匀进行。

图3示出了本发明方法的可能的步骤顺序。

根据本发明的方法中的工艺步骤顺序如图所示。为了阐明工艺步骤，还参考图1。根据该方法，工件芯5涂有基底涂层1（步骤S10），随后用电磁辐射照射涂有基底涂层1的工件（步骤S12）。例如，第一基底涂层1可以用作底漆。随后施加第二基底涂层2（步骤S14），并用电磁辐射进行照射（步骤S16）。基底涂层2用于实现通过该方法生产的工件所需的光泽度。然后在其上施加基底层3（步骤S20），并且还用电磁辐射进行照射（步骤S30）。之后将用于形成遮蔽物的液滴4施加在基底层3上（步骤S40）。随后用电磁辐射照射液态基底层3和施加的液滴4（步骤S50），以在基底层3中设置预期的硬度。因此，基底层3的被遮蔽物覆盖区域的硬度变化小于不覆盖遮蔽物区域。以机械方式对这样照射的基底层3进行处理（步骤S60）。例如，可以通过刷洗，或者也可以通过非接触处理，例如喷砂、水、空气或用于喷射的替代液体来进行。在步骤S60之后进行另一步骤70，其中施加另外的基底涂层；和最后步骤S80，其中用电磁辐射照射工件芯5上的整个层结构。

应当注意的是，步骤S10、S12、S14、S16、S20、S30、S60、S70和S80将应视为可选的方法步骤，这里仅示例性地列出。然而，该方法的实施方式可以仅包括步骤S40和S50。此外，除了步骤S40和S50之外，该方法的其他实施方式可以包括步骤S10、S12、S14、S16、S20、S30、S60、S70和S80中的至少一个。

图4a至c示出基底层中凹陷的内角的表示。

通过本发明方法获得的工件表面上结构的内角7如图4b和c所示。因此，该结构由凹陷6形成，凹陷6如图4a所示，并在图4b中以放大形式表示。由附图标记描述的其他元素与前面图中的元素相对应。厚度为d的基底层3的材料已在凹陷6的位置被移除，大约到基底涂层2。内角7在图4b显示为凹陷6底部最深处水平切线与凹陷6壁的切线之间的锐角β。有关内角7的精确定义参见说明书的介绍。图4c再次以三种可能的特征形式显示了具有β值的内角7，其值为β=90度、β=60度或β=30度。β值越大，相应凹陷6的边缘越锋利。

图5a和b示出凹陷区域中结构的凸起。

在该图中，以放大形式显示凹陷6，其具有从基底层3的表面延伸至下层（第二基底涂层2）的深度d。特别地，图5b显示了凹陷6（也称为孔）的左右边缘，其中显示了高度为d₁'的凸起（左侧）和高度为d₂'的凸起（右侧）。这些凸起是平均层厚为d的基底层3的隆起，位于凹陷6的边缘。根据本发明面板的一个实施方式，凸起的最大高度和/或平均高度d'（即d₁'和d₂'和/或0.5x[d₁'+d₂']）小于d的20%，优选为小于d的10%。

图6a~6c示出了根据本发明的工件。

图6a所示的根据本发明的工件具有工件芯5、第一基底涂层1和第二基底涂层2以及覆在上面的基底层3。基底层3包括一个（或多个）凹陷6。凹陷6是通过移除基底层3的区域而形成的，这些区域与基底层3的其他区域一样具有较低的硬度。

在图6b中，在基底层3上方设有另外的有基底涂层9，其可以，例如，影响表面的光泽度。此外，该基底涂层9还可用于调整表面的化学和物理性质，例如划痕硬度或微划痕抗划伤性。

图6c还表示另一种变体，其中第一基底涂层1的第一层包括底基漆层1a以及在其上的以数字方式和/或类似方式印刷的装饰层1b，或者仅包括基底漆层1a和/或装饰层1b。该装饰层1b可以根据数字模板，例如图像文件，例如木材复制品、石头装饰或幻想装饰（fantasy decor），以及照片般逼真的其他对象或图像。

由凹陷6形成的结构也可以根据数字模板以与下面的装饰层1b同步的方式创建。如上所述，同步创建的基础可以是数字模板，装饰层1b也基于该数字模板。它也可以是从该数字模板衍生的模板。

图7示出了工件的示例性表面。

平面图中示出了根据本发明的工件的示例性表面。这里，选择位于工件表面10上的木材复制品作为示例。在工件表面10上具有木材的孔11和节孔12的图示。木材的孔11和节孔12都通过数字印刷层1b作为装饰图像印刷在面板上，参见图6c。此外，部分木材的孔11和节孔12也由根据本发明的凹陷6在触觉上和视觉上表现，在每种情况下它们印刷的确切位置，在这方面参见图4a~4c、5a~5b和6a~6c。从而提供与凹陷6同步地装饰图像的木材的孔11和节孔12的表现，使工件作为真实木板的印象尽可能逼真。

图8a到c示出了凹陷的比较测量值。

图8a示出了根据现有技术生产的具有凹陷的基底层的实验室测量的原理结果。凹陷的深度向上显示，凹陷的宽度向右显示。在这里凹陷边缘的凸起清晰可见，凹陷的小内角也是如此。

图8b示出了根据本发明的方法生产的具有凹陷的基底层的实验室测量的重要结果。在这里，没有可见的边缘凸起，或者只有从基底层表面开始的高度小于该层厚度10%的轻微边缘凸起。此外，可以看到凹陷的大内角7，其特征是凹陷壁的急剧下降。

图8c示出了对应于图8a和8b的两个测结果。灰色是根据现有技术生产的具有凹陷的基底层的测量结果。在这里清晰可见凹陷的相对较浅的上升侧，导致相对较小的内角。此外，凹陷开口周围的边缘凸起是可识别的，因此凹陷不会相对陡峭地倾斜。相反，根据本发明的教导生产的凹陷以黑色显示。在这里，边缘凸起很小，或者在某些情况下，没有凸起；与灰色显示的凹陷相比，凹陷的两侧相对陡峭，导致内角较大。因此，由根据本发明的方法产生的图8c中的结构或凹陷比现有技术方法能做到更加锋利的边缘。

图9a和b示出了一种将基底层的区域排除在电磁辐射影响之外的方法。

图9a示出了从左向右延伸的基底层3。在基底层3的表面上施加液滴4形式的遮蔽物。用于在基底层3及遮蔽物上释放射线的电磁辐射的辐射源设置在基底层3和遮蔽物的上方。

遮蔽物的材料被配置为允许波长大于380nm的电磁辐射通过，并吸收波长小于380nm的电磁辐射。通常，遮蔽物材料被配置为允许波长等于或大于特定阈值波长的电磁辐射通过，并吸收波长小于特定阈值波长的电磁辐射。然而，遮蔽物的材料也可以被配置为吸收非常宽的波长的电磁辐射，例如从180nm到1500nm。

因此，基底层3在遮蔽物下方的区域内受到波长超过380nm的辐射输入，而其左侧和右侧的区域接收具有辐射源完整光谱的辐射输入。

这样，遮蔽物下面的基底层3的硬度受辐射的影响比其左侧和右侧的暴露区域更小。为了进一步减低辐射对基底层的影响，可使用滤波器，如图9b所示，滤波器位于辐射源前面。

滤波器被配置为仅允许波长小于380nm的电磁辐射通过。这样可以确保没有辐射入射到可以被该电磁辐射透射的遮蔽物上。因此，遮蔽下面的区域不会受到任何辐射输入。通常，滤波器被调谐到遮蔽物的阈值波长。

基底层3的左侧和右侧的区域各自接收波长小于380nm的滤波后光谱的辐射输入。

通过这种方式，可以非常精确地逐个区域地实施对基底层硬度的影响，其中屏蔽区域被完全屏蔽，不受电磁辐射的影响。

本领域技术人员清楚地知道，该示例对本发明没有限制作用。特别是，在其他实施例中，可以在不改变本发明所述原理的情况下，本发明所指的380nm波长以及遮蔽物和滤波器的特性可以在其他示例中被不同地选择。

在下文中，参考与凹陷生产相关的优选方面来描述本发明。

根据本发明的实施例，印刷表面与视觉和触觉结构之间的内角非常大的工件被制造。由于这产生了结构的“锐度”，尽管与平面结构具有相同的可测量深度，例如70µm，但仍会产生更大深度的印象。内角大于60度，特别是大于80度的任何结构都适合（参见图4a至c）。

另一个方面是移除基底层直到底部或直到工件的底层出现。

例如，图6a~6c表示本发明的工件或面板。可描述如下：面板包括工件芯5和层结构1、2、3，其中层结构1、2、3包括数字印刷装饰层和一个或多个单色或透明涂层，层结构1、2、3被涂覆在工件芯的至少一侧；其中至少一个透明涂层（基底层3）已部分地被移除，使得在被移除的位置（以下称为孔6）下面的基底涂层2（也称为底漆）表示层结构的最上层。

在下文中，更具体的术语“液滴”用于“遮蔽物”。根据本发明的一个方面，提供了以下方法。在步骤S40中，将液滴4施加在液态基底层3上，其中通过电磁辐射对所述液态基底层进行预处理（步骤S30），使得液滴4没有或仅很少，即小于基底层3的层厚度的10%，优选小于基底层层厚度的1%，沉入其中并在其撞击基底层3的表面的位置处形成大于20度，优选大于50度，更优选大于70度的边缘角。在进行的试验中，已证明特别有用的是：在惰性条件下（通过引入氮气）使用UV LED（制造商ITL-Integration Technology，Ltd；功率2-4 W/cm²；进料25 m/min；或者，Phoseon Fireedge FE 300或400；2-4 W/cm²；也可为25m/min）对液态基底层3进行预处理（步骤S30）。通过使用示例给出的组合物的液体为液滴4，在施加液滴4后已经形成大于70度的边缘角。液滴包含至少一种组分，该组分吸收被选择的波长光谱中的UV辐射，例如BASF Tinuvin 477可阻挡380nm以下的波长，以便随后进一步用UV辐射照射液基底层和所施加的液滴4之后，液态基底层在已施加液滴的位置处固化，比在其他位置处固化低至少2倍。

试验表明，因此在进一步的步骤中，在之前已涂覆液滴4的位置处的基底层3可以再次被完全移除直至基底涂层2的底层。可使用机械辅助手段或流体射流（例如，水、固体混合物等）移除基底层3中至少2个固化程度较低的区域。在进行的试验中，使用了电刷直径为350mm、刷毛直径为200µm的金属刷毛的圆形旋转刷，具有良好效果。在分别生产的面板上进行的测量表明，利用电磁辐射（此处：在步骤S30中的惰性条件下，在上述波长范围内的UV辐射）单独和/或结合使用液滴4的组合物对液体层进行本发明的预处理，以使其具有比基底层3更高的表面张力，已经导致在液滴4和基底层3之间建立了大的边缘角；因此在随后的进一步辐照（步骤S50）中，基底层的高固化区域和液滴4覆盖的区域发生了非常明显的分离。因此，在接下来的步骤S60中，通过对已施加液滴4的位置处的表面进行机械处理，可以将基底层3完全移除直至及底涂层2的底层。

此外，该步骤导致测量的孔的内角（参见图4a~4c）大于75度，且孔边缘处的最大边缘凸起测量值不超过基底层3的层厚度的10%（参见图5a~5b和图8a~8c）。

例如，工件可以在施加液态基底层3之前涂上白色底漆，然后用数字装饰图像印刷。这层数字印刷油墨1b，专门用于创建装饰图像，可以用基底涂层2覆盖，基底涂层2还用于设置随后生成的孔6的光泽度，因此随后根据所述方法在孔6的位置再次完全移除施涂在基底涂层2上方的基底层3，使基底涂层2在所述位置再次可见。

特别地，根据本发明的面板的这三个特性，即边缘的低凸起、孔的大内角和孔到下层的大深度，明显地从现有技术中脱颖而出。它们都是问题解决方案的一部分，即根据本发明的方法产生的孔应该在视觉和触觉上都能被很好地感知，并且应该给观察者留下深刻的印象。

在描述具体实施例之前，下面再次强调本发明的具体方面。

根据第一方面，提供了一种方法，尤其是制造具有不同硬度区域的基底层3的方法，包括以下步骤：

-步骤（S40）：在所述基底层3的表面的至少部分区域上施加遮蔽物，其中所述遮蔽物被配置为至少部分吸收电磁辐射；

-步骤（S50）：用电磁辐射照射基底层3和所施加的遮蔽物，尤其是采用UV辐射和/或IR辐射，以设置基底层3的不同硬度。

根据第二方面提供了根据第一方面的方法，其中在最高硬度1和最低硬度0之间的x方向上的硬度梯度设置在小于0.1mm，优选小于10µm，更优选小于1µm的长度范围内。

根据第三方面提供了根据第一或第二方面的方法，当进行步骤S40时，基底层3的至少一部分或整个基底层3为液体或至少尚未完全固化。

根据第四方面提供了根据上述三个方面中任一方面所述的方法，所述基底层3和所述遮蔽物相互补充，使得所述基底层3和所述遮蔽物之间的形成边缘角α，其优选大于20度，更优选大于50度，尤其是大于70度；和/或其中，优选地，在进行步骤S50时，遮蔽物边缘处的掩蔽高度为遮蔽物中心处的掩蔽高度的至少50%，优选相互补充至少70%，更优选为至少90%。

根据第五方面提供了根据上述四个方面中任一方面所述的方法，其中进行进一步的步骤S20，其中将基底层3施加在，尤其是板状或网状的，载体元件上和/或施加在外的层上，尤其是施加在涂层上；和/或，尤其是板状或网状载体元件和/或施加在另外的层，尤其是在涂层上，被施加在基底层3上。

根据第六方面提供了根据上述五个方面中任一方面所述的方法，其中，在基底层3表面上的遮蔽物，尤其是在进行步骤S50时，以液体形式存在或已至少部分地，优选完全地固化，和/或其中

形成遮蔽物的材料以液体形式和/或以气体形式施加在液态基底层3的表面上，其中优选地，当以气体形式施加材料时，材料在基底层3表面上发生凝结形成所遮蔽物；和/或其中形成遮蔽物的材料以至少一个液滴4的形式施加在基底层3上，优选至少一个液滴的体积小于1nL，更优选体积小于200pL，尤其是体积小于40pL。

根据第七方面提供了根据上述六个方面中任一方面所述的方法，其中在进行步骤S40之前和/或期间进行步骤S30，其中用电磁辐射照射基底层3，尤其是采用UV辐射和/或IR辐射，由此将基底层3的硬度和/或粘度和/或表面张力设置为期望值，其中优选地，通过在步骤S30中采用电磁辐射照射液态基底层3，在基底层3中形成粘度梯度或硬度梯度，使得基底层3背离电磁辐射源的一侧的粘度或硬度小于基底层3朝向辐射源的一侧的粘度或硬度，优选为至少4倍；或者使得产生变化的表面张力。

根据第八方面提供了根据上述七个方面中任一方面所述的方法，其中液态基底层3在施加遮蔽物（尤其是以液滴4的形式）的位置处层厚度减少，层厚度的减少量优选小于10µm，更优选小于1µm；其中，层厚度的减小尤其是通过将遮蔽物沉入基底层3和/或通过遮蔽物置换基底层3来实现。

根据第九方面提供了根据上述八个方面中任一方面所述的方法，其中形成遮蔽物的材料的表面张力等于或大于基底层3的表面张力。

根据第十方面提供了根据上述九个方面中任一方面所述的方法，其中在步骤S50之后，在已施加遮蔽物的区域与未施加遮蔽物的区域之间，基底层3的固化和/或聚合存在差异；其中固化的差异优选为对应于至少2倍，更优选为对应于至少3倍。

根据第十一方面提供了根据上述十个方面中的任一方面所述的方法，其中在步骤S50之后进行步骤S60；其中移除遮蔽物，或者在施加遮蔽物的位置移除遮蔽物和基底层3，其中优选移除基底层3层厚度的至少80%，并且更优选为完全移除基底层3，以在基底层3的所述位置处形成凹陷和/或通孔，其中优选以物理和/或化学方式移除遮蔽物或遮蔽物和基底层3；和/或，在步骤S50之后进行步骤S70，其中施加包含基底涂层的另一层；和/或，在步骤S50之后进行步骤S80，其中用电磁辐射照射整个层结构，尤其是采用UV辐射。

根据第十二方面提供了根据上述十一个方面中任一方面所述的方法，所述遮蔽物被配置为吸收至少60%的电磁辐射，优选为至少80%，更优选为全部，所述电磁辐射照射基底层3和在步骤S50中施加的遮蔽物，和/或其中，所述遮蔽物被配置为吸收波长低于阈值波长的电磁辐射；和/或其中，利用波长低于阈值波长的电磁辐射进行步骤S50中的辐照；和/或其中，遮蔽物被配置为至少让具有预定最小波长的电磁辐射通过，其中优选步骤S50中采用电磁辐射的照射，使用仅提供波长低于最小波长的辐射的电磁辐射进行。

根据第十三方面提供了根据上述十三方面中任一方面所述的方法，其中施加遮蔽物使其至少在部分区域与装饰图像同步运行，装饰图像已经在基底层3上或在基底层3中，或随后被添加到基底层3或包括基底层3的工件中。

根据第十四方面提供了根据上述十三方面中任一方面所述的方法，其中遮蔽物至少部分地保留在基底层3上。

根据第十五方面提供了一种包括基底层3的工件，尤其是该基底层3为采用上述十四个方面中任一方面所述的方法制造而成；其中

基底层3包括至少一个凹陷，其中内角β大于60度，优选大于70度，更优选大于80度；和/或，

在每个凹陷边缘区域，尤其是在距离每个凹陷边缘0~3mm的范围内，基底层3的平均厚度与整个基底层3的平均厚度相差小于20%，优选小于10%；和/或，

工件包括另外的层，尤其是涂层；和/或，尤其是板状或网状载体元件，其中该层和/或载体元件连接到基底层3的表面；其中基底层3包括至少一个凹陷，在该凹陷的底部，另外的层和/或载体元件至少部分地被暴露；和/或

基底层3包括凹陷，凹陷底部使工件的底层发光；或者凹陷的底部是底层，由此可识别凹陷中底层的光泽度；其中，所述光泽度优选地与基底层3或面板的顶层的光泽度相差至少10个光泽度点，优选为至少5个光泽度点。

下面参考特定示例性实施例描述本发明。

示例性实施例1：

将厚度为6mm的矿物填充PVC板5输送到第一个涂装站。其中，采用辊涂工艺，以80g/m²的层厚涂覆以辐射固化丙烯酸酯涂料形式的基底涂层1，该底涂层1用TiO₂着色成白色。所述基底涂层1随后通过具有300-440nm宽波长范围的Hg-UV灯固化，其中板5在Hg灯下以20m/min的恒定速度传送。然后，使用单程数字印刷机和数字印刷油墨1b在连续过程中将先前数字扫描的大理石片作为装饰图像印刷到所述白色底漆上。平均使用4g/m²的数字油墨，对应于约4µm的层厚。

随后，在所述数字印刷油墨上涂覆基底涂层2，所述基底涂层2由光泽度为具有3个光泽度点的辐射固化丙烯酸酯混合物（哑光涂层）提供，其中所述丙烯酸酯混合物的相对于光泽度为5个光泽度点（测量设备：Byk Micro TRI gloss，角度60度）。以这种方式涂覆的面板送入另一个固化站，并用功率为60W/cm（相当于最大灯功率的约50%）的Hg-UV灯以20m/min的速度在1250mm的产品宽度上进行照射。然后通过辊涂工艺，在表面上涂覆另一种丙烯酸酯混合物，即液态基底层3，其层厚为80µm。所述液态基底层在干燥装置中充满氮气，以置换空气中所含的氧气，从而使表面上的丙烯酸酯聚合物具有良好的反应性。在具有氮气的干燥装置中，通过在395nm具有辐射峰值的UV-LED使表面初步固化。在随后的处理步骤中，液滴4通过平均液滴体积为12pL的单程数字印刷装置施加在表面上。因此，使用体积为3pL至100pL的液滴。将液滴施加在表面上，使其不会沉入或最多以80µm层厚的10%沉入液态基底层中。这是通过使用上述LED惰性固化对表面进行初始固化来实现的。在上述大理石装饰的示例中，液滴4根据数字印刷模板分布，该模板是通过或不通过大理石装饰图像的数字处理而创建的，因此液滴随后形成的孔6与底层装饰图像同步。在这个例子中，液滴质量的面板面积约为3g/m²。然后将带有液滴的面板表面送入另一个干燥站，在此处用功率为100W/cm的Hg-UV灯固化整个层结构。随后，将面板运输到刷洗装置中，在该装置中，每根刷毛直径为0.2mm的钢刷毛的圆形旋转刷子在已施加液滴4的位置处再次移除基底层3。以这种方式形成的表面最终在最终干燥站中使用功率为240 W/cm的Hg-UV灯作为最后一步进行固化。

示例性实施例2：

厚度为10mm的HDF板，之前已通过数字印刷机或其他类似的印刷工艺印刷过装饰性图像，被送入涂装站，并在丙烯酸酯基础上涂上SIS基底涂层，该基底涂层包含0.5质量百分比的Byk 3505，层厚为60g/m²。

所述的哑光涂层随后在Hg-UV灯上固化，其功率为示例性实施例1的50%，即50W/cm。继所述UV灯之后，该板再次被送入涂装站，在该涂装站中接收例如60g/m²的SIS底涂层作为应用，然后在惰性条件下用UV-LED固化，例如，在没有氧气的情况下充满氮气，使所述层固化至50-80%，优选为60-70%。随后，在惰性条件下，从数字印刷头将液滴大小为12pL的遮蔽物试剂施加到表面，例如分辨率为300dpi。在惰性条件下，以这种方式施加在最初由UV-LED凝胶化的表面上的12pL液滴的边缘角大于70°。

随后，将用这种方式涂有遮蔽物试剂的板与液态涂层和所述结构一起放置到Hg-UV灯下，其完全固化第二SIS基底涂层的未遮蔽部分，其中遮蔽物下的部分固化至最大70%，优选固化至小于50%。然后，将具有上述层结构的HDF板送入刷洗站，在该刷洗站中，带有铜丝的刷子刷除遮蔽物表面部分，并移除遮蔽物层和尚未完全固化的底层的SIS基底涂层。然后，为了确定表面的光泽度，涂上一层光泽度不同于上述哑光涂层的表面涂层。例如，可以达到12-16个光泽点的光泽度。

然后，最后一步是将涂有表面涂层的HDF板送入最终固化，其中整个层结构用大于100W/cm，优选大于150W/cm的Hg-UV灯固化。整个包装的进料速度大于15m/min，优选大于20m/min。

在该示例性实施例中，所使用的消光剂可以是纯水或基本上由作为溶剂的水以及其他UV吸收剂和粘合剂组成。在可选地实施方式中，遮蔽物包含丙烯酸酯清漆，并且还包含相应的UV吸收剂。同样，也可以使用由纯聚丙烯或含有适当添加剂的聚丙烯制成的PP板来代替HDF板，例如填充矿物组分。

根据本发明的可选的方法，图3的方法步骤也可以互换，单个步骤可以省略和/或单个步骤可以重复。特别是，在步骤S10之前和/或之后，可以施加另外的涂层，并部分或完全固化。

Claims (46)

1.一种用于制造具有不同硬度的基底层的方法，包括以下步骤：

-步骤（S40）：在所述基底层（3）的表面的至少部分区域施加遮蔽物，其中所述遮蔽物被配置为至少部分地吸收电磁辐射；

-步骤（S50）：用电磁辐射照射所述基底层（3）和所施加的遮蔽物，以设置所述基底层（3）的不同硬度；

其中，所述基底层（3）和所述遮蔽物相互匹配，使得所述基底层（3）和所述遮蔽物之间形成边缘角（α），所述边缘角（α）大于20度；和/或，其中，

在进行步骤（S50）时，所述遮蔽物边缘处的遮蔽高度为所述遮蔽物中心处的掩蔽高度的至少50%。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电磁辐射用UV辐射和/或IR辐射。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在x方向上的硬度梯度在最高硬度和最低硬度之间被设置在一个长度内，该长度的范围对应于以下限制之一：

-小于1mm；

-小于0.1mm；

-小于100µm；

-小于10µm；

-小于1µm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行步骤（S40）时，至少一部分所述基底层（3）或整个所述基底层（3）为液态或至少尚未完全固化。

5.根据权利要求1中所述的方法，其中，所述边缘角（α）大于50度；和/或，其中，

在进行步骤（S50）时，所述遮蔽物边缘处的遮蔽高度为所述遮蔽物中心处的掩蔽高度的至少70%。

6.根据权利要求5中所述的方法，其中，所述边缘角（α）大于70度；和/或，其中，

在进行步骤（S50）时，所述遮蔽物边缘处的遮蔽高度为所述遮蔽物中心处的掩蔽高度的至少90%。

7.根据权利要求1中所述的方法，其中，进行进一步的步骤（S20）；在步骤（S20）中，将所述基底层（3）施加在载体元件上和/或另外的层上；和/或，

其中，载体元件和/或另外的层，被施加在所述基底层（3）上。

8.根据权利要求7中所述的方法，其中，所述载体元件为板状或网状的；所述另外的层为涂层。

9.根据权利要求1中所述的方法，其中，在所述基底层（3）表面上的所述遮蔽物，以液体形式存在或者已至少部分地固化，和/或其中，

形成所述遮蔽物的材料以液体形式和/或以气体形式施加在液态的基底层（3）表面上；和/或，

形成所述遮蔽物的材料以至少一个液滴（4）的形式施加在所述基底层（3）上。

10.根据权利要求9中所述的方法，其中，在进行步骤（S50）时，在所述基底层（3）表面上的所述遮蔽物以液体形式存在或者已至少部分地固化，和/或其中，

当以气体形式施加所述材料时，所述材料在所述基底层（3）表面上发生凝结形成所述遮蔽物；和/或，

形成所述遮蔽物的材料以至少一个体积小于1nL的液滴（4）的形式施加在所述基底层（3）上。

11.根据权利要求10中所述的方法，其中，在所述基底层（3）表面上的所述遮蔽物以已完全地固化形式存在；和/或其中，

形成所述遮蔽物的材料以至少一个体积小于200pL的液滴（4）的形式施加在所述基底层（3）上。

12.根据权利要求11中所述的方法，其中，形成所述遮蔽物的材料以至少一个体积小于40pL的液滴（4）的形式施加在所述基底层（3）上。

13.根据权利要求1中所述的方法，其中，在进行步骤（S40）之前和/或期间，进行步骤（S30）；

在步骤（S30）中，采用电磁辐射，照射所述基底层（3），由此将所述基底层（3）的硬度和/或粘度和/或表面张力设置为期望值。

14.根据权利要求13中所述的方法，其中，通过在步骤（S30）中采用电磁辐射照射液态的基底层（3），在所述基底层（3）中形成粘度梯度或硬度梯度，使得所述基底层（3）背对所述电磁辐射的辐射源的一侧的粘度或硬度小于所述基底层（3）朝向所述辐射源的一侧；或者使得产生变化的表面张力。

15.根据权利要求14中所述的方法，其中，通过在步骤（S30）中采用电磁辐射照射液态的基底层（3），在所述基底层（3）中形成粘度梯度或硬度梯度，使得所述基底层（3）背对所述电磁辐射的辐射源的一侧的粘度或硬度至少4倍地小于所述基底层（3）朝向所述辐射源的一侧。

16.根据权利要求13中所述的方法，其中，在步骤（S30）中，采用UV辐射和/或IR辐射照射所述基底层（3）。

17.根据权利要求1中所述的方法，其中，液态的基底层（3）的层厚度在施加遮蔽物的位置处减小。

18.根据权利要求17中所述的方法，其中，液态的基底层（3）的层厚度在以液滴（4）的形式施加遮蔽物的位置处减小。

19.根据权利要求17中所述的方法，其中，液态的基底层（3）的层厚度在施加遮蔽物的位置处减小的减小量小于10µm。

20.根据权利要求19中所述的方法，其中，液态的基底层（3）的层厚度在施加遮蔽物的位置处减小的减小量小于1µm。

21.根据权利要求17中所述的方法，其中，所述层厚度的减小是通过将所述遮蔽物沉入所述基底层（3）和/或通过所述遮蔽物置换所述基底层（3）来实现。

22.根据权利要求1中所述的方法，其中，形成所述遮蔽物的材料的表面张力等于或大于所述基底层（3）的表面张力。

23.根据权利要求1中所述的方法，其中，在步骤（S50）之后，在所述基底层（3）上已施加所述遮蔽物的区域和未施加所述遮蔽物的区域之间的固化和/或聚合存在差异。

24.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤（S50）之后，进行步骤（S60）；其中移除所述遮蔽物；或者在施加所述遮蔽物的位置移除所述遮蔽物和基底层（3）；和/或，其中

在步骤（S50）之后，进行步骤（S70），其中施加包含基底涂层的另一层，和/或，其中

在步骤（S50）之后，进行步骤（S80），其中采用电磁辐射照射整个层结构。

25.根据权利要求24所述的方法，其中，在步骤（S60）中，所述的移除所述遮蔽物；或者在施加所述遮蔽物的位置移除所述遮蔽物和基底层（3），用以在所述基底层（3）的该位置处形成凹陷和/或通孔。

26.根据权利要求24所述的方法，其中，步骤（S60）中，移除所述基底层（3）层厚度的至少80%。

27.根据权利要求26所述的方法，其中，步骤（S60）中，完全移除基底层（3）。

28.根据权利要求24所述的方法，其中，步骤（S60）中，以物理和/或化学方式完成移除所述遮蔽物或所述遮蔽物和基底层（3）。

29.根据权利要求24所述的方法，其中，步骤（S80）中，采用UV辐射照射整个层结构。

30.根据权利要求1中所述的方法，其中，所述遮蔽物被配置为吸收至少60%的电磁辐射；所述电磁辐射照射所述基底层（3）和在步骤（S50）中施加的所述遮蔽物；和/或，其中

所述遮蔽物被配置为吸收波长低于阈值波长的电磁辐射；和/或，其中，

步骤（S50）中的照射采用波长低于阈值波长的电磁辐射；和/或，其中

所述遮蔽物被配置为至少让具有预定最小波长的电磁辐射通过。

31.根据权利要求30中所述的方法，其中，所述遮蔽物被配置为吸收至少80%的电磁辐射；和/或，

其中，步骤（S50）中采用电磁辐射的照射，以采用仅提供波长低于最小波长的辐射的电磁辐射进行。

32.根据权利要求31中所述的方法，其中，所述遮蔽物被配置为吸收全部的电磁辐射。

33.根据权利要求1所述的方法，其中，所述遮蔽物被配置为吸收至少60%的电磁辐射，所述电磁辐射照射所述基底层（3）和在步骤（S50）中施加的所述遮蔽物；和/或，其中

所述遮蔽物被配置为吸收波长超过阈值波长的电磁辐射；和/或，其中

步骤（S50）中的照射采用波长超过阈值波长的电磁辐射；和/或，其中

所述遮蔽物被配置为至少让具有预定最大波长的电磁辐射通过。

34.根据权利要求33所述的方法，其中，所述遮蔽物被配置为吸收至少80%的电磁辐射，和/或，其中

步骤（S50）中采用电磁辐射的照射，以采用仅提供波长高于最大波长的辐射的电磁辐射进行。

35.根据权利要求34所述的方法，其中，所述遮蔽物被配置为吸收全部的电磁辐射。

36.根据权利要求1中所述的方法，其中，施加所述遮蔽物使所述遮蔽物至少在部分区域与装饰图像同步运行，所述装饰图像已经在所述基底层（3）上或在基底层（3）中，或者随后被添加到所述基底层（3）或包括所述基底层（3）的工件中。

37.根据权利要求1中所述的方法，其中，所述遮蔽物至少部分保留在所述基底层（3）上。

38.一种包含基底层（3）的工件，所述基底层采用权利要求1~37中任意一项所述的方法制造；其中，

所述基底层（3）包括至少一个凹陷，在该凹陷处，内角β大于60度；和/或，其中

在每个凹陷边缘区域的所述基底层（3）的平均厚度与整个所述基底层（3）的平均厚度相差小于20%；和/或，其中

所述工件包括另外的层；和/或，载体元件；其中所述层和/或所述载体元件连接到所述基底层（3）的表面；其中所述基底层（3）包括至少一个凹陷，在该凹陷的底部，所述另外的层和/或所述载体元件至少部分地被暴露；和/或，其中

所述基底层（3）包括凹陷，所述凹陷的底部使工件的底层发光；或者其中所述凹陷的底部是所述底层，从而可识别所述凹陷中所述底层的光泽度；和/或，其中

所述基底层（3）中的凹陷形成结构，该结构至少部分地与之前或之后在所述基底层（3）或所述工件上印刷的装饰图像同步设置。

39.根据权利要求38中所述的工件，其中，内角β大于70度；和/或，其中

在每个凹陷边缘区域的所述基底层（3）的平均厚度与整个所述基底层（3）的平均厚度相差小于10%；和/或，其中

所述工件的另外的层是涂层；和/或，载体元件是板状或网状载体元件；和/或，其中

所述光泽度与所述基底层（3）或面板的顶层的光泽度相差至少10个光泽度点。

40.根据权利要求39中所述的工件，其中，内角β大于80度；和/或，其中

凹陷边缘区域是在距离每个凹陷边缘0至3mm的范围内的区域；和/或，其中

所述光泽度与所述基底层（3）或面板的顶层的光泽度相差至少5个光泽度点。

41.用于执行权利要求1~37中任意一项所述的用于制造具有不同硬度的基底层的方法的装置，包括：

-一种控制装置，其通过各自的编码被配置为由所述装置执行根据权利要求1~37中任意一项所述的方法。

42.根据权利要求41中所述的装置，其中，所述控制装置为电子控制装置。

43.根据权利要求41中所述的装置，其中，该装置包括一种处理站，被配置为施加所述遮蔽物。

44.根据权利要求43中所述的装置，其中，所述处理站包括数字印刷技术。

45.根据权利要求43中所述的装置，其中，至少一个处理站被配置为照射所述基底层（3）和/或所述遮蔽物。

46.根据权利要求45中所述的装置，其中，所述处理站包括UV和/或IR辐射源。