CN114889327B - 一种静电式喷墨打印机喷头及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种静电式喷墨打印机喷头，包括第一硅基片和设置在第一硅基片上方的第二硅基片；所述第二硅基片朝向第一硅基片一侧具有储液池；所处第一硅基片上具有连通储液池使液体进入储液池的进液通道和与进液通道间隔设置使储液池内液体流出的喷嘴；所述储液池内还设有将储液池分为进液区与喷液区的限流部；所述限流部位于进液通道与喷嘴之间；所述限流部上具有连通进液去与喷液区的限流通道；所述限流通道上设有限流柱；所述限流柱向限流通道内侧凸起，使限流通道的进液面积大于出液面积，本发明的有益效果是不会发生回流或者串扰的情况，提高了打印机的打印质量，降低了墨水的消耗。
Description
技术领域
本发明属于微机电系统制造技术领域，尤其涉及一种静电式喷墨打印机喷头及其制备方法。
背景技术
微滴喷射打印技术是一种通过一定的挤压方式产生墨水腔室与外界之间的压力差，导致喷嘴内部压力大于外界压力，进而将墨水推出喷嘴产生微小墨滴的一种打印技术。
静电式喷墨打印头中，墨水能够通过主墨道直接流向各个压力腔之中，使得主墨道与各个压力腔之间的压力差较小，使墨水从主墨道进入腔室的驱动力就会较小，从而导致腔室内的墨水容易出现回流和串扰的情况。
针对以上技术问题，故需要进行改进。
发明内容
本发明针对现有技术存在的问题，提出了一种静电式喷墨打印机喷头以及其制备方法。
为实现以上目的，本发明采用以下技术方案：
一种静电式喷墨打印机喷头，包括第一硅基片和设置在第一硅基片上方的第二硅基片；所述第二硅基片朝向第一硅基片一侧具有储液池；所述第一硅基片上具有连通储液池使液体进入储液池的进液通道和与进液通道间隔设置使储液池内液体流出的喷嘴；所述储液池内还设有将储液池分为进液区与喷液区的限流部；所述限流部位于进液通道与喷嘴之间；所述限流部上具有连通进液区与喷液区的限流通道；所述限流通道上设有限流柱；所述限流柱向限流通道内侧凸起，使限流通道的进液面积大于出液面积。
作为优选方案，限流柱阵列式分布在限流通道两侧，所述限流柱为锯齿形，且锯齿斜面朝向进液区；所述限流通道两侧的限流柱交错排列。
作为优选方案，限流柱阵列式分布在限流通道两侧，所述限流柱为圆弧形；所述限流通道两侧的限流柱交错排列，所述限流柱的圆弧内侧朝向喷液区。
作为优选方案，限流部具有多个限流通道。
作为优选方案，喷液区内分隔成若干个腔室；所述腔室与限流通道一一对应。
作为优选方案，所述储液池内还设置有喷墨组件，喷墨组件包括设置在进液区内的振动膜片和设置在振动膜片上方使振动膜片振动的固定电极。
作为优选方案，第二硅基片上表面与下表面均设置有二氧化硅绝缘层。
本发明还提供如上方案所述的一种静电式喷墨打印机喷头的制备方法，包括步骤：
S1、第一硅基片制备；选取硅基片，在第一硅基片下表面刻透出进液通道和喷嘴；
S2、第二硅基片制备；选取硅基片，在第二硅基片下表面刻蚀出储液池凹槽并在储液池内刻蚀出限流部；
S3、玻璃基片制备；选取玻璃基片，在玻璃基片下表面刻蚀出固定电极凹槽；
S4、安装；采用硅-硅键合处理将第一硅基片与第二硅基片键合安装；采用硅-玻璃键合处理将第二硅基片与玻璃基片键合安装。
作为优选方案，步骤S2中，在第二硅基片刻蚀出振动膜片凹槽宽度约为200-500μm，厚度约为5-50μm；所述步骤S3中，在玻璃基片刻蚀出的固定电极凹槽长度为3000-6000μm，宽度为200-500μm，深度约50-100μm。
本发明与现有技术相比，有益效果是：通过在限流通道内设置限流柱，使通过限流通道的液体的流速加快，根据伯努利原理加大进液区与喷液区的压力差进而使液体在通过限流通道后，在压力差的作用下，不会发生回流或者串扰的情况，进而提高了打印机的打印质量，降低了墨水的消耗。
附图说明
图1为本发明实施例的静电式喷墨打印机喷头的平面结构示意图；
图2为本发明实施例的静电式喷墨打印机喷头的整体结构示意图；
图3为本发明实施例一的静电式喷墨打印机喷头的第一硅基片部分结构示意图；
图4为本发明实施例一的静电式喷墨打印机喷头的第二硅基片部分结构示意图；
图5为本发明实施例一的静电式喷墨打印机喷头的玻璃基片部分结构示意图；
图6为本发明实施例一的静电式喷墨打印机喷头的第一硅基片制作工艺流程图；
图7为本发明实施例一的静电式喷墨打印机喷头的第二硅基片制作工艺流程图；
图8为本发明实施例一的静电式喷墨打印机喷头的玻璃基片制作工艺流程图；
图9为本发明实施例一的静电式喷墨打印机喷头的最终键合示意图；
其中：1.第一硅基片；11.进液通道；12.喷嘴；13.上电极层；14.PZT压电层；15.下电极层；2.第二硅基片；21.储液池；22.限流部；23.振动膜片；24.振动膜片电极接口；25.振动膜片电极；26.二氧化硅绝缘层；27.二氧化硅绝缘层；3.玻璃基片；31.固定电极；32.接电口；200.进液区；201.喷液区；202.限流通道；203.限流柱；40.喷墨组件。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
实施例一：
本实施例的静电式喷墨打印机喷头，如图1-5所示，包括第一硅基片1、设置在第一硅基片1上方的第二硅基片2和设置在第二硅基片2上方的玻璃基片3。
第一硅基片1具有进液通道11和喷嘴12，若干喷嘴12能够组成喷液通路，且喷液通路阵列位于第一硅基片1与第二硅基片2的键合面之间。
第二硅基片2的下表面还具有连通进液通道11的储液池21和设置在储液池21内的限制墨水回流的限流部22。
如图4所示，限流部22将储液池21分隔成进液区200与喷液区201，限流部22上还具有连通进液区200与喷液区201的限流通道202，液体通过进液通道11进入储液池21进液区，在通过限流部22内的限流通道202流向喷液区201，最后液体通过喷嘴12从喷液区201离开。
限流通道202内设有增大液体通过限流通道202流速的限流柱203，限流柱203阵列式分布在限流通道202两侧，限流柱203为锯齿形。限流柱203的锯齿斜面朝向进液区200，限流通道202两侧的限制柱203层交错排列。
通过限流通道202两侧交错排列的限流柱203，使限流通道202形成锯齿状的流路，并使限流通道202的进液口大于出液口，锯齿状不仅能起到阻碍回流的作用还能进一步增大限流通道202内的压力差。
液体通过限流柱203上的斜面，在流量不变的情况下，增大液体的行程，进而使增加液体通过限流通道202的流速，使进液区200与喷液区201产生压力差，使通过限流通道202进入喷液区201内的液体在压力差的作用下不会发生回来和串扰的情况。
限流部22上设置有多个限流通道202，每个通道内都设置有限流柱203。喷液区分隔成多个腔室，每个腔室与一个限流通道202相对对应，液体能够通过不同的限流通道202从进液区流向不同的腔室。
储液池21上方设置喷墨组件40。喷墨组件40包括能够通过受力能发生弯曲产生吸力的振动膜片23和设置在振动膜片23上方为其提供静电力的固定电极31。第二硅基片2上还设置有与振动膜片23适配的振动膜片电极接口24和振动膜片电极25。第二硅基片的上表面还设置有二氧化硅绝缘层27。
如图3所示，第一硅基片1下方设置有对墨滴切割的切割头，切割头包括设置在第一硅基片1上的上电极层13、设置在上电极层13下方的PZT压电层14和嵌设在PZT压电层下表面的下电极层15，所述PZT压电层14的逆压电效应形变方向垂直于电场方向，PZT压电层14包裹下电极层15两侧。
如图5所示，固定电极31四周被玻璃基片3包围，固定电极31导线阵列于玻璃基片3下表面，通过接电口32与外部电路相连。
如图6至图9所示，本实施例的静电式喷墨打印机喷头的制备方法，包括以下步骤：
S1.选取4inch硅基片，采用光刻工艺将进液通道和喷嘴图形转移至第一硅基片1的下表面，并采用深反应离子刻蚀技术，刻透进液通道11和喷嘴区；
S2.采用光刻工艺将切割头的图形转移到第一硅基片1的下表面，并采用反应离子刻蚀技术，刻蚀出切割头凹槽约10-100μm；
S3.采用PECVD工艺，在第一硅基片1的下表面沉积一层二氧化硅；
S4.采用光刻工艺和金属溅射工艺，在切割头凹槽制备切割头的上电极层13；
S5.采用光刻工艺和PECVD工艺，将PZT沉积到切割头凹槽内，形成PZT压电层14；
S6.采用光刻工艺和金属溅射工艺，在截割头凹槽制备切割头的下电极层15，去胶并清洗硅片；
S7.选取4inch硅基片，采用光刻工艺，将储液池21图形转移至第二硅基片2的下表面，采用反应离子刻蚀技术，刻蚀出储液池21凹槽，使得振动膜片23宽度约为200-500μm，厚度约为5-50μm；
S8.采用光刻工艺和浓硼扩散工艺，在储液池21上的硅片薄板掺杂硼离子，制备出硼硅膜的振动膜片23；
S9.采用光刻工艺，将限流部22图形转移至第二硅基片2的下表面，采用反应离子刻蚀技术，刻蚀出限流部22凹槽；
S10.采用光刻工艺，将振动膜片23图形转移至第二硅基片2的下表面，采用反应离子刻蚀技术，刻蚀出振动膜片凹槽；
S11.采用金属溅射工艺，在振动膜片凹槽制备出振动膜片23；
S12.采用光刻工艺和金属溅射工艺，在储液池21凹槽和限流部22凹槽下表面，制备出振动膜片电极25；
S13.采用光刻工艺和PECVD工艺，在第二硅基片2的下表面，沉积一层二氧化硅绝缘层26；清洗硅片；
S14.采用光刻工艺和PECVD工艺，在第二硅基片2的上表面，沉积一层二氧化硅绝缘层27；
S15.选取4inch玻璃基片，采用光刻工艺将静电电极凹槽图形转移至玻璃基片3下表面，并采用反应离子刻蚀技术，刻蚀出固定电极31凹槽，固定电极凹槽长度为3000-6000μm，宽度为200-500μm，深度约20-50μm；
S16.采用光刻工艺将接电口32图形转移至玻璃基片3下表面，并采用反应离子刻蚀技术，刻蚀出接电口32；
S17.采用光刻工艺和金属溅射工艺，在玻璃基片3上制备固定电极31及导线阵列，去胶并清洗玻璃基片3；
S18.采用氢氟酸漂洗第一硅基片1的上表面和第二硅基片2的下表面，并采用硅-硅键合工艺将第一硅基片1的上表面和第二硅基片2的下表面键合；
S19.采用氢氟酸漂洗第二硅基片2的上表面和玻璃基片3的下表面，并采用硅-玻璃键合工艺将第二硅基片2的上表面和玻璃基片3的下表面键合；
S20.清洗并划片，完成制备。
在打印机喷头工作时，固定电极31接受到电压，振动膜片23在静电力作用下向上弯曲，吸入墨水；然后固定电极31电压消失，振动膜片23复位，挤压墨水喷出，在墨水挤出后，切割头开始工作，在墨滴速度达到最大时，利用逆压电效应，使切割头形变推挤喷嘴12切割墨滴，避免卫星墨滴的产生；墨滴喷出后，切割头打开，开始下一轮墨滴的喷出。
本实例的静电式喷墨打印机喷头在传统喷墨打印机喷头的基础上，增加了切割头，避免了墨滴在喷射过程中产生长尾柱，可以有效的控制墨滴的体积，提高墨滴喷出速度；同时设计了锯齿状限流部，通过多重限流柱阻止墨水回流，降低了喷嘴之间的串扰，在工艺允许的情况下可以进一步减小喷头尺寸，使喷头的排列更加紧密。
本实施例阵列式喷液通路中的喷液通路的数量不限于实施例一所示的数量，还可以根据实际应用需求进行增加或减少。
实施例二：
本实施例与实施例一的不同之处在于，限流柱为圆弧形，限流柱圆弧内侧朝向喷液区，其他具体结构与实施例一相同。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (10)
1.一种静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，包括第一硅基片和设置在第一硅基片上方的第二硅基片；所述第二硅基片朝向第一硅基片一侧具有储液池；所述第一硅基片上具有连通储液池使液体进入储液池的进液通道和与进液通道间隔设置使储液池内液体流出的喷嘴；
所述储液池内还设有将储液池分为进液区与喷液区的限流部；所述限流部位于进液通道与喷嘴之间；所述限流部上具有连通进液区与喷液区的限流通道；
所述限流通道上设有限流柱；所述限流柱向限流通道内侧凸起，使限流通道的进液面积大于出液面积；所述限流柱阵列式分布在限流通道两侧，所述限流通道两侧的限流柱交错排列；
第一硅基片下方设置有对墨滴切割的切割头，切割头包括设置在第一硅基片上的上电极层、设置在上电极层下方的PZT压电层和嵌设在PZT压电层下表面的下电极层，所述PZT压电层的逆压电效应形变方向垂直于电场方向，PZT压电层包裹下电极层两侧。
2.如权利要求1所述的静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，所述限流柱为锯齿形，且锯齿斜面朝向进液区。
3.如权利要求1所述的静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，所述限流柱为圆弧形，所述限流柱的圆弧内侧朝向喷液区。
4.如权利要求2或3所述的静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，所述限流部具有多个限流通道。
5.如权利要求4所述的静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，所述喷液区内分隔成若干个腔室；所述腔室与限流通道一一对应。
6.如权利要求5所述的静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，所述储液池内还设置有喷墨组件，喷墨组件包括设置在进液区内的振动膜片和设置在振动膜片上方使振动膜片振动的固定电极。
7.如权利要求6所述的静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，所述第二硅基片上方还设置有玻璃基片，所述固定电极安装在玻璃基片上。
8.如权利要求7所述的静电式喷墨打印机喷头，其特征在于，所述第二硅基片上表面与下表面均设置有二氧化硅绝缘层。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的静电式喷墨打印机喷头的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、第一硅基片制备；选取硅基片，在第一硅基片下表面刻透出进液通道和喷嘴；
S2、第二硅基片制备；选取硅基片，在第二硅基片下表面刻蚀出储液池凹槽并在储液池内刻蚀出限流部；
S3、玻璃基片制备；选取玻璃基片，在玻璃基片下表面刻蚀出固定电极凹槽；
S4、安装；采用硅-硅键合处理将第一硅基片与第二硅基片键合安装；采用硅-玻璃键合处理将第二硅基片与玻璃基片键合安装。
10.如权利要求9所述的静电式喷墨打印机喷头的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，在第二硅基片刻蚀出振动膜片凹槽宽度为200-500μm，厚度为5-50μm；所述步骤S3中，在玻璃基片刻蚀出的固定电极凹槽长度为3000-6000μm，宽度为200-500μm，深度为50-100μm。
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