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CN114883368A - 一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置 - Google Patents

一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置 Download PDF

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CN114883368A
CN114883368A CN202210489326.XA CN202210489326A CN114883368A CN 114883368 A CN114883368 A CN 114883368A CN 202210489326 A CN202210489326 A CN 202210489326A CN 114883368 A CN114883368 A CN 114883368A
Authority
CN
China
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layer
hole injection
display device
film layer
light
Prior art date
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Pending
Application number
CN202210489326.XA
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English (en)
Inventor
郝鹏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

本申请实施例提供一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置，本申请中的显示器件结构，包括阳极层、像素界定层、空穴注入层以及出光膜层，所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面；所述像素界定层设置在第一面上且部分覆盖所述第一面；所述空穴注入层设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；所述出光膜层设置在所述空穴注入层上，所述出光膜层的边缘与所述像素界定层接触。由于出光膜层的边缘与像素界定层接触，可以改善空穴注入层与其上部的电子传输层/阴极金属形成直接接触，避免造成较大的漏电流和击穿形成短路。

Description

一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)以其自发光、全固态、高对比度等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。喷墨打印(Ink-Jet Printing,IJP)是目前最适用于目前OLED发光器件的制程。
当前IJP技术可用制备空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL)/空穴传输层(Hole Transport Layer,HTL)/发光层(Emission layer,EML)三层叠加的膜层。但是，IJP的制程特点决定了有机膜层在像素区内的分布并不是平整的，并且容易在像素区边缘处形成爬升。因HIL层边缘沿像素界定层攀爬，边缘处膜厚较厚，此时其上部的HTL/EML等膜层因基底和侧壁的膜层性质已经改变，不易向上攀爬，则会在边缘处形成HIL与其上部的电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)/阴极金属形成直接接触，在显示器件中造成较大的漏电流，并易击穿形成短路。
发明内容
本申请实施例提供一种显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置，可改善因HIL膜厚边缘爬坡带来的漏电流及短路击穿问题。
本申请提供一种显示器件结构，包括：
阳极层，所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面；
像素界定层，所述像素界定层设置在第一面上且部分覆盖所述第一面；
空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；
出光膜层，所述出光膜层设置在所述空穴注入层上，所述出光膜层的边缘与所述像素界定层接触。
在一些实施例中，所述出光膜层包括空穴传输层和发光层；所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上，所述空穴传输层的边缘与所述像素界定层接触；所述发光层设置在所述空穴传输层上，所述发光层的边缘与所述像素界定层接触。
在一些实施例中，所述出光膜层靠近像素界定层处的膜厚大于所述出光膜层远离像素界定层处的膜厚。
本申请提供一种显示器件制程方法，包括：
提供一阳极层，所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面上设置像素界定层，所述像素界定层部分覆盖所述第一面；
在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；
在所述空穴注入层上设置出光膜层，所述出光膜层的边缘与像素界定层接触。
在一些实施例中，所述在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层包括：
将空穴注入层材料滴加在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域；
对滴加在所述第一面上的所述空穴注入层材料进行干燥处理得到空穴注入层，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；
对所述空穴注入层进行退火处理；
所述在所述空穴注入层上设置出光膜层包括：
将出光膜层材料滴加在所述空穴注入层上，所述出光膜层的材料中添加有有机溶剂以增加膜层的延展性；
对所述空穴注入层上的所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层，所述出光膜层的边缘与像素界定层接触；
对所述出光膜层进行退火处理。
在一些实施例中，所述有机溶剂组分中包括正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种，所述正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种在所述有机溶剂中的含量在10％以上。
在一些实施例中，所述对所述空穴注入层上的所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层，包括：
提供一腔室，将所述阳极层、所述空穴注入层、所述出光膜层材料置于所述腔室中；
对所述腔室进行抽真空处理以降低所述腔室的压强；
升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层。
在一些实施例中，在所述升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层时，还包括：降低对所述腔室抽真空的速率，在所述腔室的压力在保压压力范围内时进行保压暂停，所述保压压力范围为100mbar至700mbar，所述保压暂停时间为100s以上。
在一些实施例中，所述升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层包括：采用加热装置提升腔室的温度，所述腔室的温度保持在为30℃至60℃之间。
本申请提供一种显示装置，包括以上所述的显示器件结构。
本申请实施例所提供的显示器件结构，包括阳极层、像素界定层、空穴注入层以及出光膜层，所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面；所述像素界定层设置在第一面上且部分覆盖所述第一面；所述空穴注入层设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；所述出光膜层设置在所述空穴注入层上，所述出光膜层的边缘与所述像素界定层接触。由于出光膜层的边缘与像素界定层接触，可以阻隔空穴注入层与其上部的电子传输层/阴极金属形成直接接触，避免所述显示器件结构造成较大的漏电流和击穿形成短路。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中显示器件结构的结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示器件结构的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的显示器件结构的另一个结构示意图。
图4为本申请实施例提供的显示器件结构制程方法的流程图。
图5为本申请实施例提供的显示器件结构制程方法的另一种流程图。
图6为本申请实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
需要说明的是，在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
相关技术中，提供了一种显示结构，请参阅图1，图1是相关技术中显示器件结构的结构示意图。其中，显示器件结构10包括阳极层101、像素界定层102、空穴注入层103以及出光膜层104，阳极层101包括相对设置的第一面101a和第二面101b。像素界定层设置在第一面101a上且部分覆盖第一面101a。空穴注入层103设置在第一面101a未被像素界定层覆盖的区域，空穴注入层103的边缘与像素界定层102接触。出光膜层104设置在空穴注入层103上，出光膜层104的边缘未与像素界定层102接触。在显示器件结构10中，由于出光膜层104未能将空穴注入层103完全覆盖，空穴注入层103会在靠近像素界定层的边缘处与出光膜层104上部的电子传输层或阴极层直接接触，在显示器件中造成漏电流并形成短路。
为了解决相关技术中的技术问题，本申请实施例提供一种显示器件结构20，以下对显示器件结构20做详细介绍。请参阅图2，图2是本申请实施例提供的显示器件结构的结构示意图。其中，显示器件结构20包括阳极层201、像素界定层202、空穴注入层203以及出光膜层204，阳极层201包括相对设置的第一面201a和第二面201b。像素界定层设置在第一面201a上且部分覆盖第一面201a。空穴注入层203设置在第一面201a未被所述像素界定层覆盖的区域，空穴注入层203的边缘与像素界定层202接触。出光膜层204设置在空穴注入层203上，出光膜层204的边缘与像素界定层202接触。
需要说明的是，第一面201a可以为阳极层201的上表面，第二面201b可以为阳极层201的下表面。当然，第一面201a也可以为阳极层201的下表面，第二面201b可以为阳极层201的上表面。本申请实施例中不做特殊说明的情况下，默认为第一面201a为阳极层201的上表面，第二面201b为阳极层201的下表面。
其中，空穴注入层203(Hole Injection Layer,HIL)设置在阳极层201上，降低从阳极注入空穴的势垒，使空穴能从阳极有效地注入到有机发光二极管器件OLED中。
其中，出光膜层204靠近像素界定层202处的膜厚大于出光膜层204远离像素界定层202处的膜厚。该显示器件结构利用出光膜层204靠近像素界定层202的膜厚大于出光膜层204远离像素界定层202处的膜厚，使得出光膜层204靠近像素界定层202的一侧贴合于所述像素界定层202，该出光膜层204可以完全覆盖住靠近像素界定层202处的空穴注入层203，以消除因空穴注入层203靠近像素界定层202边缘处膜厚较大而导致的漏电流或者短路现象。
具体地，出光膜层204靠近像素界定层202处的膜厚T2为出光膜层204远离像素界定层202处的膜厚T1的1.2倍以上。进一步地，两处膜厚的关系可以为T2＝1.2T1、T2＝1.3T1、T2＝1.4T1、T2＝1.5T1或T2＝2T1。
具体地，出光膜层204沿靠近像素界定层202处的膜厚朝远离像素界定层202处的膜厚均匀减小直至厚度均匀不变，可以理解地，覆盖于空穴注入层203之上的出光膜层204，在靠近像素界定层202处的堆积区域厚度呈现渐变，且所述出光膜层204存在膜厚均匀且固定不变的区域，该区域与所述空穴注入层203厚度均匀部分相对应。该显示器件结构通过设置与空穴注入层203不同区域所对应的出光膜层204厚度变化，以使所述出光膜层204与所述像素界定层202可以完全将所述空穴注入层203覆盖和包裹，进而避免出现空穴注入层203边缘处膜厚较大而导致的漏电或者短路现象。
具体地，出光膜层204靠近像素界定层202的膜厚T2正好为出光膜层204远离像素界定层202处的膜厚T1的1.2倍时，所述出光膜层204恰好能够覆盖空穴注入层203，同时其边缘正好与像素界定层202相接触，足以防止漏电流产生。即显示器件工作过程中，所述出光膜层204与所述像素界定层202在空穴注入层203发挥作用产生电流时足以将空穴注入层203覆盖和包裹，避免漏电流的形成，从而保证出光膜层204不被电流击穿。如果出光膜层204靠近像素界定层202的膜厚T2不足出光膜层204远离像素界定层202处的膜厚T1的1.2倍时，出光膜层204不足以覆盖空穴注入层203，以致出光膜层204的边缘与像素界定层202不接触，形成缝隙和间隔，出光膜层204上部的其他膜层与空穴注入层203相接触产生漏电流，当漏电流较大时击穿出光膜层204，空穴注入层203与出光膜层204上部的其他膜层形成短路。
其中，出光膜层204由添加有增加膜层延展性的有机溶剂材料而制成。具体地，所述有机溶剂的组分中包括正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种，正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种在有机溶剂中的含量在10％以上。进一步地，正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种在有机溶剂中的含量可以为10％、15％、20％、25％、30％、40％、50％或100％。增加出光膜层204的延展性更有利于出光膜层204的展开以及膜层边缘与像素界定层202的接触和爬坡，可以使出光膜层204材料更好的覆盖空穴注入层203，并且有利于上述出光膜层204在靠近至远离像素界定层202的渐变厚度膜层的成型。所述出光膜层204可以阻隔空穴注入层203与其上部的膜层直接接触，从而避免在显示器件中形成较大的漏电流并击穿形成短路。
请参阅图3，图3为本申请实施例提供的显示器件结构的另一种示意图。本实施例中的显示器件结构20中的出光膜层204包括空穴传输层204a和发光层204b，空穴传输层204a设置在空穴注入层203上，空穴传输层204a的边缘与像素界定层202接触；发光层204b设置在空穴传输层204a上，发光层204b的边缘与像素界定层202接触。
其中，空穴传输层204a(Hole Transport Layer,HTL)设置在空穴注入层203上，由于显示器件中空穴的传输速率一般大于电子的传输速率，因此在空穴注入层203上设置空穴传输层204a结构，使注入的电子和空穴的复合能够发生在发光层204b中。发光层204b(Emission layer,EML)设置在空穴传输层204a上，在发光层204b中电子和空穴发生复合而发光。
本申请实施例所提供的显示器件结构，包括阳极层201、像素界定层202、空穴注入层203以及出光膜层204，阳极层201包括相对设置的第一面和第二面；像素界定层202设置在第一面上且部分覆盖所述第一面；空穴注入层203设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域，空穴注入层203的边缘与所述像素界定层202接触；出光膜层204设置在所述空穴注入层203上，出光膜层204的边缘与所述像素界定层202接触。由于出光膜层204的边缘与像素界定层202接触，可以阻隔空穴注入层203与其上部的电子传输层/阴极金属形成直接接触，避免显示器件结构造成较大的漏电流和击穿形成短路。
本申请实施例还提供一种显示器件结构制程方法，以下对显示器件结构制程方法做详细介绍。请参阅图4，图4是本申请实施例提供的显示器件结构制程方法的流程示意图。
301提供一阳极层，包括相对设置的第一面和第二面。
302在第一面上设置像素界定层，像素界定层部分覆盖第一面。
像素界定层(pixel definition layer,PDL),或者称为bank。在显示装置中像素界定层界定各像素坑，每个像素坑对应于一个像素阳极。在阳极层上设置像素界定层，可便于喷墨打印工艺中将空穴注入层材料和出光膜层材料滴入像素界定层界定的像素坑，使空穴注入层材料和出光膜层材料可在像素界定层所围绕的区域内铺展，然后对空穴注入层材料和出光膜层材料进行干燥处理以得到均匀的膜层。
303在第一面未被像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层。
其中，采用喷墨打印工艺(Ink-Jet Printing,IJP)在第一面未被像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层。具体地，将空穴注入层材料滴加在第一面未被像素界定层覆盖的区域，对滴加在第一面上的空穴注入层材料进行干燥处理得到空穴注入层，对空穴注入层进行退火处理。
其中，在第一面未被像素界定层覆盖的区域设置的空穴注入层边缘与像素界定层接触。
其中，退火处理可以提升空穴注入层的品质。
304在空穴注入层上设置出光膜层，出光膜层的边缘与像素界定层接触。
其中，采用喷墨打印工艺(Ink-Jet Printing,IJP)在空穴注入层上设置出光膜层。具体地，将出光膜层材料滴加在空穴注入层上；对空穴注入层上的出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层；对出光膜层进行退火处理。
其中，出光膜层的材料中添加有有机溶剂以增加膜层的延展性。具体地，有机溶剂组分中包括正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种，正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种在有机溶剂中的含量在10％以上。进一步地，正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种在有机溶剂中的含量可以为10％、15％、20％、25％、30％、40％、50％或100％。增加出光膜层的延展性可以使出光膜层材料更好的覆盖空穴注入层，以达到阻隔空穴注入层与出光膜层上部的膜层直接接触的目的，从而避免在显示器件中形成较大的漏电流并击穿形成短路。
其中，在空穴注入层上设置的出光膜层的边缘与像素界定层接触。
其中，退火处理可以提升出光膜层的品质。
请参阅图5，图5是本申请实施例提供的显示器件结构制程方法的另一种流程示意图。
401提供一阳极层，包括相对设置的第一面和第二面。
402在第一面上设置像素界定层，像素界定层部分覆盖第一面。
403在第一面未被像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层。
其中，采用喷墨打印工艺(Ink-Jet Printing,IJP)在第一面未被像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层。具体地，将空穴注入层材料滴加在第一面未被像素界定层覆盖的区域；对滴加在第一面上的空穴注入层材料进行干燥处理得到空穴注入层；对空穴注入层进行退火处理。
其中，在第一面未被像素界定层覆盖的区域设置的空穴注入层边缘与像素界定层接触。
404将出光膜层材料滴加在空穴注入层上。
其中，出光膜层材料中添加有有机溶剂以增加膜层的延展性。具体地，有机溶剂组分中包括正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种，正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种在有机溶剂中的含量在10％以上。进一步地，正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种在有机溶剂中的含量可以为10％、15％、20％、25％、30％、40％、50％或100％。增加出光膜层的延展性可以使出光膜层材料更好的覆盖空穴注入层，以达到阻隔空穴注入层与出光膜层上部的膜层直接接触的目的，从而避免在显示器件中形成较大的漏电流并击穿形成短路。
405提供一腔室，将阳极层、空穴注入层、出光膜层材料置于腔室中。
406对腔室进行抽真空处理以降低腔室的压强。
407升高腔室的温度以对出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层。
其中，升高腔室的温度可以采用在阳极下方增加加热台的方式，或采用在腔室的四周增加电热丝的方式。在阳极下方增加加热台的方式可以方便、直接地控制出光膜层材料的温度，可得到较高的干燥效率；在腔室的四周增加电热丝的方式可以使腔室内的温度保持均一，干燥后出光膜层的质量较高。
其中，腔室的温度保持在30℃至60℃之间。具体地，腔室的温度可以为30℃、40℃、50℃或60℃。
其中，在升高腔室温度的同时，降低对腔室抽真空的速率，在腔室的压力在保压压力范围内时进行保压暂停。具体地，保压压力范围为100mbar至700mbar。进一步地，当压力值为100mbar、200mbar、300mbar、400mbar、500mbar、600mbar或700mbar时，进行保压暂停。具体地，保压暂停的时间为100s以上。进一步地，保压暂停的时间可以为100s、200s、300s、400s或500s。保压暂停可以增加出光膜层材料在有机溶剂中的扩散速度，使出光膜层材料更好的覆盖空穴注入层，以达到阻隔空穴注入层与出光膜层上部的膜层直接接触的目的，从而避免在显示器件中形成较大的漏电流并击穿形成短路。
408对出光膜层进行退火处理。
具体地，对出光膜层缓慢加热至设定温度，在设定温度下保持设定时间，然后自然冷却。退火处理可以提升出光膜层的品质，降低膜层硬度，改善切削加工性；降低残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向，消除膜层缺陷。
本申请提供一种显示装置100，图6为本申请实施例中显示装置100的结构示意图。其中，显示装置100包括显示器件结构20和玻璃基板30，显示装置100还可以包括其他装置。本申请实施例的显示器件结构为上述实施例中显示器件结构，本申请实施例中对显示器件结构不做过多赘述。本申请实施例中其他装置及其装配是本领域技术人员所熟知的相关技术，在此不做过多赘述。
以上对本申请实施例提供的显示器件结构、显示器件制程方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示器件结构，其特征在于，包括：
阳极层，所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面；
像素界定层，所述像素界定层设置在第一面上且部分覆盖所述第一面；
空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；
出光膜层，所述出光膜层设置在所述空穴注入层上，所述出光膜层的边缘与所述像素界定层接触。
2.根据权利要求1所述的显示器件结构，其特征在于，所述出光膜层包括空穴传输层和发光层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上，所述空穴传输层的边缘与所述像素界定层接触；所述发光层设置在所述空穴传输层上，所述发光层的边缘与所述像素界定层接触。
3.根据权利要求1所述的显示器件结构，其特征在于，所述出光膜层靠近像素界定层处的膜厚大于所述出光膜层远离像素界定层处的膜厚。
4.一种显示器件制程方法，其特征在于，包括：
提供一阳极层，所述阳极层包括相对设置的第一面和第二面；
在所述第一面上设置像素界定层，所述像素界定层部分覆盖所述第一面；
在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；
在所述空穴注入层上设置出光膜层，所述出光膜层的边缘与像素界定层接触。
5.根据权利要求4所述的显示器件制程方法，其特征在于，所述在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域设置空穴注入层包括：
将空穴注入层材料滴加在所述第一面未被所述像素界定层覆盖的区域；
对滴加在所述第一面上的所述空穴注入层材料进行干燥处理得到空穴注入层，所述空穴注入层的边缘与所述像素界定层接触；
对所述空穴注入层进行退火处理；
所述在所述空穴注入层上设置出光膜层包括：
将出光膜层材料滴加在所述空穴注入层上，所述出光膜层的材料中添加有有机溶剂以增加膜层的延展性；
对所述空穴注入层上的所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层，所述出光膜层的边缘与像素界定层接触；
对所述出光膜层进行退火处理。
6.根据权利要求5所述的显示器件制程方法，其特征在于，所述有机溶剂组分中包括正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚中任一种，所述正己醇、对二甲苯、氯苯、环己基苯、环己基酮、三苯氧基甲苯、丁氧乙氧基乙醇或二甲基苯甲醚在所述有机溶剂中的含量在10％以上。
7.根据权利要求5所述的显示器件制程方法，其特征在于，所述对所述空穴注入层上的所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层，包括：
提供一腔室，将所述阳极层、所述空穴注入层、所述出光膜层材料置于所述腔室中；
对所述腔室进行抽真空处理以降低所述腔室的压强；
升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层。
8.根据权利要求7所述的显示器件制程方法，其特征在于，在所述升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层时，还包括：降低对所述腔室抽真空的速率，在所述腔室的压力在保压压力范围内时进行保压暂停，所述保压压力范围为100mbar至700mbar，所述保压暂停时间为100s以上。
9.根据权利要求7所述的显示器件制程方法，其特征在于，所述升高所述腔室的温度以对所述出光膜层材料进行干燥处理得到出光膜层包括：采用加热装置提升腔室的温度，所述腔室的温度保持在30℃至60℃之间。
10.一种显示装置，包括一种显示器件结构，其特征在于，所述显示器件结构为权利要求1至3任一项所述的显示器件结构。
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