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CN114846100A - 粘合片 - Google Patents

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CN114846100A
CN114846100A CN202080088639.3A CN202080088639A CN114846100A CN 114846100 A CN114846100 A CN 114846100A CN 202080088639 A CN202080088639 A CN 202080088639A CN 114846100 A CN114846100 A CN 114846100A
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CN
China
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adhesive sheet
layer
gas barrier
barrier layer
gas
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Application number
CN202080088639.3A
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English (en)
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上野周作
平山高正
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority claimed from PCT/JP2020/044513 external-priority patent/WO2021124856A1/ja
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Abstract

本发明提供一种粘合片,其可良好地暂时固定小型电子部件(例如,尺寸为100μm□以下的芯片)且能够良好地剥离。本发明的粘合片包含气体产生层与配置于气体产生层的至少单侧的气体阻隔层,该气体阻隔层为通过对该粘合片的激光照射而发生变形的层,该气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(1)算出的值以下,且该气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(2)算出的值以上;Er为气体阻隔层的高弹性部分的25℃下的利用纳米压痕法得到的弹性模量(MPa)。12546×EXP(‑0.728×log10(Er×106))···(1) 18096×EXP(‑0.949×log10(Er×106))···(2)。

Description

粘合片
技术领域
本发明涉及粘合片。
背景技术
以往,在对电子部件进行加工时,有时进行如下操作:在加工时将被加工体暂时固定于粘合片上,在加工后将被加工体自该粘合片剥离。作为这样的操作中使用的粘合片,有时使用在加工时具有规定的粘合力、在加工后粘合力会下降的粘合片。作为这样的粘合片之一,提出了使粘合剂层中含有热膨胀性微球而构成的粘合片(例如专利文献1)。含有热膨胀性微球的粘合片具有如下的特征:具有规定的粘合力,并且通过利用加热使热膨胀性微球膨胀,在粘合面上形成凹凸而使接触面积减小,由此粘合力下降或消失。这样的粘合片具有无外部应力便可容易地剥离被加工体的优点。
然而,近年来,伴随着各种装置的轻量化、搭载数增加的倾向,而推进电子部件的小型化,产生了将小型化为与上述热膨胀性微球相同程度的尺寸的电子部件暂时固定的必要性。在将已小型化的电子部件暂时固定而进行加工时,由于粒径偏差,存在粒径大的热膨胀性微球的部位、不存在热膨胀性微球的部位等的影响变大,存在在该部位无法进行良好的剥离的情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2001-131507号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是为了解决上述现有的课题而做出的发明,其目的在于提供一种能够良好地暂时固定小型电子部件(例如,尺寸为100μm□以下的芯片)且良好地剥离的粘合片。
用于解决问题的方案
本发明的粘合片包含气体产生层与配置于气体产生层的至少单侧的气体阻隔层,该气体阻隔层为其表面通过对该粘合片的激光照射而发生变形的层,该气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(1)算出的值以下,且该气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(2)算出的值以上;
35011×EXP(-0.812×log10(Er×106))···(1)
20081×EXP(-1.145×log10(Er×106))···(2)
Er为气体阻隔层的高弹性部分的25℃下的利用纳米压痕法得到的弹性模量(MPa)。
在一个实施方式中,上述气体产生层为能吸收紫外线的层。
在一个实施方式中,上述气体产生层含有紫外线吸收剂。
在一个实施方式中,上述气体阻隔层包含粘合剂层。
在一个实施方式中,上述气体阻隔层还包含中间层。
在一个实施方式中,上述气体阻隔层的高弹性部分的利用纳米压痕法得到的弹性模量为0.01MPa~10GPa。
在一个实施方式中,上述气体阻隔层的厚度为0.1μm~200μm。
在一个实施方式中,通过对上述气体阻隔层的激光照射而产生的上述气体阻隔层表面的变形量以上述气体阻隔层的垂直位移计为0.6μm以上。
在一个实施方式中,上述粘合片的穿刺强度为10mN~5000mN。
在一个实施方式中,上述粘合片的法线方向的伸长率为0.1mm以上。
在一个实施方式中,上述中间层含有热塑性树脂。
在一个实施方式中,上述中间层为由苯乙烯系弹性体形成的树脂薄膜。
在一个实施方式中,上述中间层含有固化型树脂。
在一个实施方式中,上述固化型树脂为紫外线固化型树脂。
根据本发明的其他方式,提供一种电子部件的处理方法。该电子部件的处理方法包括:将电子部件贴附于上述粘合片上;及对该粘合片照射激光而自该粘合片剥离该电子部件。
在一个实施方式中,上述电子部件的剥离选择位置地进行。
在一个实施方式中,包括:在将上述电子部件贴附于上述粘合片后且自该粘合片剥离该电子部件前,对该电子部件进行规定的处理。
在一个实施方式中,上述处理为研磨加工、切割加工、芯片接合、引线接合、蚀刻、蒸镀、模塑、电路形成、检查、产品检验、清洗、转印、排列、修复或装置表面的保护。
在一个实施方式中,上述电子部件的处理方法包括:自上述粘合片剥离上述电子部件后,将电子部件配置于其他片材。
发明的效果
根据本发明,可提供一种粘合片,其可良好地暂时固定小型电子部件(例如,尺寸为100μm□以下的芯片),且通过具备利用激光照射可产生气体的气体产生层,可使该小型电子部件良好地剥离。
附图说明
图1为本发明的一实施方式的粘合片的示意截面图。
图2为本发明的其他实施方式的粘合片的示意截面图。
图3为对穿刺强度及法线方向的伸长率的测定方法进行说明的示意图。
具体实施方式
A.粘合片的概要
图1为本发明的优选的实施方式的粘合片的示意截面图。粘合片100具备气体产生层10、及配置于气体产生层10的至少单面的气体阻隔层20。气体产生层10通过激光照射而产生气体。更详细而言,气体产生层10为通过利用激光照射使其成分气体化而产生气体的层。作为激光,代表性而言使用UV激光。气体阻隔层20的表面会通过对粘合片(实质上为气体产生层)照射激光而发生变形。在一个实施方式中,会因由气体产生层10产生的气体而在气体阻隔层20的与气体产生层10相反的一侧产生该变形。作为激光,代表性而言使用UV激光。
在一个实施方式中,气体阻隔层20包含粘合剂层21。代表性而言,粘合剂层21可配置于粘合片100的最外侧。
本发明的粘合片可在粘合剂层上贴附电子部件等被加工体而使用。本发明的粘合片具备气体产生层,通过激光照射而在微小范围局部地产生气体。因该气体的产生,而在粘合剂层中产生变形,其结果,在照射了激光的部分表现出剥离性。代表性而言,激光自气体产生层的与粘合剂层相反的一侧照射。本发明中,由于如上所述来配置气体阻隔层,因此,能够防止自气体产生层产生的气体的不必要的逸出,粘合剂层通过激光照射而良好地变形。根据本发明,能如上操作来在微小的范围产生变形,因此,在对极其微细的小型电子部件进行加工时,也可使该小型电子部件良好地剥离。此外,即便在需要剥离的小型电子部件与不需要剥离的小型电子部件相邻地暂时固定的情况下,也可以在剥离对象的部位进行剥离,在剥离对象外的部位不进行剥离,即,可以仅使需要剥离的小型电子部件剥离,还可以防止小型电子部件的不必要的脱离。此外,上述粘合片的剥离时的指向性优异,可仅在所期望的部位进行剥离,在防止破损且残胶较少的方面也是有利的。需要说明的是,所谓剥离时的指向性,是表示将小型电子部件等被粘物自该粘合片剥离、且对准某个相隔一定距离的场所射出时的位置精度的指标,若该指向性优异,则可防止剥离时被粘物向非预期的方向飞出。
所谓气体阻隔层的变形,是指在气体阻隔层的法线方向(厚度方向)与水平方向(与厚度方向正交的方向)产生的位移。气体阻隔层的变形例如通过如下方式产生:通过使用波长355nm、光束直径约20μmφ的UV激光,在0.80mW功率、40kHz频率下进行脉冲扫描,由此自气体产生层产生气体。关于变形后的形状,例如对于脉冲扫描过的任意1点,在激光照射后1分钟后,根据共焦激光显微镜或非接触型干涉显微镜(WYKO)等的测定来进行观测。其形状可为发泡(凸)、贯通孔(凹凸)、凹陷(凹),通过这些变形,可产生剥离性。在要沿法线方向将电子部件有效地剥离时,优选激光照射前后的法线方向的位移变化较大,形成发泡形状者是尤其适合的。发泡(凸)以未照射部的粘合片表面为基准,将最高点定义为垂直位移Y,将半峰全宽定义为水平位移X(直径)。关于激光照射后形成孔的贯通孔(凹凸)与凹陷(凹),将最高点与最低点的差定义为垂直位移Y,将孔的直径定义为水平位移X。以下,也将通过激光照射而发生变形的部分称为“变形部”。气体阻隔层的垂直位移优选为0.6μm以上,更优选为0.7μm以上,进一步优选为1.0μm以上。若为这样的范围,则剥离性优异,剥离时的指向性优异。此外,可沿着所期望的方向精度良好地剥离,其结果,可防止残胶、破损等。该垂直位移的上限例如为10μm(优选为20μm)。气体阻隔层的水平位移优选为60μm以下,更优选为50μm以下,进一步优选为40μm以下。若为这样的范围,则对于较小的被粘物,可优选地进行仅期望部位的剥离。此外,在被粘物以较窄的间隔排列的情况下,也可期待同样的效果。该水平位移的下限例如为3μm(优选为4μm)。
图2为本发明的其他实施方式的粘合片的示意截面图。粘合片200中,气体阻隔层20还包含中间层22。粘合片200依次包含粘合剂层21、中间层22及气体产生层10。通过设置中间层,可容易地控制变形部形状。此外,通过设置中间层,气体阻隔性提高,可获得可更优选地形成变形部的粘合片。中间层可为单层,也可为多层。
虽未图示,但上述粘合片可进而具备其他层。例如,也可在气体产生层的与气体阻隔层处于相反侧的面设有基材、其他粘合剂层等。作为基材,例如使用由任意适当的树脂形成的薄膜。
本发明的粘合片中,上述气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(1)算出的值以下,且上述气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(2)算出的值以上。
35011×EXP(-0.812×log10(Er×106))···(1)
20081×EXP(-1.145×log10(Er×106))···(2)
Er为气体阻隔层的高弹性部分的利用纳米压痕法得到的弹性模量(MPa)。
更优选上述气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(3)算出的值以下,且上述气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(4)算出的值以上。
20023×EXP(-0.761×log10(Er×106))···(3)
18923×EXP(-1.028×log10(Er×106))···(4)
进一步优选上述气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(5)算出的值以下,且上述气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(6)算出的值以上。
12546×EXP(-0.728×log10(Er×106))···(5)
18096×EXP(-0.949×log10(Er×106))···(6)
本说明书中,所谓“气体阻隔层的高弹性部分”,在气体阻隔层为单层结构的情况下(例如,由粘合剂层单层构成的情况)是指气体阻隔层本身(由粘合剂层单层构成的情况下为粘合剂层),在气体阻隔层为多层结构的情况下(例如,由粘合剂层与中间层构成的情况)是指弹性模量最高的层。在一个实施方式中,在气体阻隔层包含中间层与粘合剂层时,“气体阻隔层的高弹性部分的厚度”可相当于中间层的厚度,“气体阻隔层的高弹性部分的25℃下的利用纳米压痕仪法得到的弹性模量”可相当于中间层的该弹性模量。
利用纳米压痕法得到的弹性模量如下来获得:对于通过将金刚石制的Berkovich型(三角锥型)探针垂直地按压于测定对象层的切出的截面而获得的位移-载荷滞回曲线,利用测定装置附带的软件(triboscan)进行数值处理。本说明书中,所谓弹性模量,是使用纳米压痕仪(Hysitron Inc公司制造的Triboindenter TI-950),通过规定温度(25℃)下的单一压入法,在压入速度约500nm/sec、拔出速度约500nm/sec、压入深度约1500nm的测定条件下测得的弹性模量。需要说明的是,本说明书中,在未说明截面或表面而仅记作利用纳米压痕法得到的弹性模量时,该弹性模量是指截面的利用纳米压痕法得到的弹性模量。
本发明中,由于气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用上述式(1)算出的值以下,因此可提供气体阻隔层充分地变形而剥离性优异的粘合片。此外,由于气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用上述式(2)算出的值以上,因此可提供防止气体阻隔层的过量变形而难以产生破损等不良情况的粘合片。即,本发明中,通过以气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)的上限及下限满足上述式(1)及(2)的方式构成,通过气体产生而优选地变形,也难以产生变形部分的破裂等,在对小型电子部件进行加工时也可使该小型电子部件良好(即,剥离性良好地、选择性地防止残胶)地剥离。
本发明的粘合片的粘合剂层相对于SUS430的粘合力优选为0.1N/20mm以上,更优选为0.2N/20mm~50N/20mm,进一步优选为0.5N/20mm~40N/20mm,尤其优选为0.7N/20mm~20N/20mm,最优选为1N/20mm~10N/20mm。若为这样的范围,则可获得例如作为电子部件的制造中所使用的暂时固定用片材而表现出良好的粘合性的粘合片。本说明书中,所谓粘合力,是指在23℃的环境下通过依照JIS Z 0237:2000的方法(贴合条件:2kg辊1个往返,拉伸速度:300mm/min,剥离角度180°)而测定出的粘合力。
在一个实施方式中,上述气体产生层具有规定的粘合力。本发明的粘合片的气体产生层相对于SUS430的粘合力优选为0.1N/20mm以上,更优选为0.5N/20mm~50N/20mm,进一步优选为1N/20mm~40N/20mm,尤其优选为1.5N/20mm~30N/20mm,最优选为2N/20mm~20N/20mm。若为这样的范围,则可获得例如作为电子部件的制造中所使用的暂时固定用片材而表现出良好的粘合性的粘合片。
本发明的粘合片的厚度优选为2μm~200μm,更优选为3μm~150μm,进一步优选为5μm~120μm。
本发明的粘合片的水蒸气透过率优选为5000g/(m2·day)以下,更优选为4800g/(m2·day)以下,进一步优选为4500g/(m2·day)以下,进一步优选为4200g/(m2·day)以下。具有这样的范围的水蒸气透过率的粘合片可防止通过激光照射而产生的气体的逸出,在气体阻隔层形成优异形状的变形部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。本发明的粘合片的水蒸气透过率越小越优选,其下限值例如为0.1g/(m2·day)。水蒸气透过率可在30℃、90%RH的气氛下通过依照JIS K7129B的测定法而测定。
本发明的粘合片的穿刺强度优选为10mN~5000mN,更优选为30mN~4000mN,进一步优选为50mN~3000mN,尤其优选为100mN~2000mN。若为这样的范围,则可获得通过气体产生而优选地变形、也难以产生变形部分的破裂等的粘合片。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。穿刺强度如图3所示,使用压缩试验机6(Kato Tech公司制造,商品名“KES-G5”),将样品4(例如,粘合片)夹持于具有直径11.28mm的圆形开口部的试样保持件5A、5B而测定。更详细而言,可在23℃的测定温度下,在该圆形开口部的中心,将穿刺针(曲率半径:1mm)对样品穿刺(穿刺速度:0.1mm/s),将破裂点处的最大载荷作为穿刺强度。需要说明的是,粘合片的穿刺强度可为依赖于气体阻隔层的机械特性的特性。
上述粘合片的法线方向的伸长率优选为0.1mm以上,更优选为0.5mm以上,进一步优选为0.8mm以上。若为这样的范围,则可在阻隔层表面形成直径较小的凸部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。粘合片的法线方向的伸长率的上限例如为50mm。法线方向的伸长率相当于上述穿刺强度的测定中在破裂点处的压入的穿刺针的距离,是指面方向的样品(例如,粘合片)的伸长率。
本发明的粘合片的雾度值优选为50%以下,更优选为0.1%~40%,进一步优选为0.2%~30%。若为这样的范围,则可隔着粘合片视觉识别被粘物(例如,用于暂时固定电子部件的台子),从而可获得例如为了显示电子部件的暂时固定位置而设置于固定台的标记的视觉识别性优异的粘合片。本发明的粘合片可使该粘合片所具备的各层不含有不溶性的填料而构成,因此可成为如上所述那样雾度值较小而被粘物视觉识别性优异的粘合片。这样的效果为利用含有不溶性的填料(例如,热膨胀性微球)的粘合片无法获得的优异效果。
上述粘合片的波长360nm的紫外线透过率优选为30%以下,更优选为20%以下,进一步优选为15%以下,尤其优选为10%以下,最优选为5%以下。粘合片的波长360nm的紫外线透过率的下限例如为0%(优选为0.05%,更优选为0.1%)。
上述粘合片的10%重量减少温度优选为200℃~500℃,更优选为220℃~450℃,进一步优选为250℃~400℃,尤其优选为270℃~370℃。若为这样的范围,则可获得可通过激光照射而形成更良好的变形部的粘合片。所谓粘合片的10%重量减少温度,是指使粘合片升温时的TGA分析中,相对于升温前的重量而减少了10重量%(即,粘合片的重量相对于照射前的重量为90%)的时刻的温度。
B.气体产生层
气体产生层可为能吸收紫外线的层。在一个实施方式中,气体产生层含有紫外线吸收剂。通过含有紫外线吸收剂,可形成可吸收激光而进行气体化的气体产生层。代表性而言,气体产生层含有紫外线吸收剂与粘合剂A。优选紫外线吸收剂溶解于粘合剂A而存在。若紫外线吸收剂溶解于粘合剂A而存在,则可获得如下粘合片:可在气体阻隔层的任意部位产生变形部(例如,凹凸部),且变形部(例如,凹凸部)的形状的偏差较少。若使用这样的粘合片,则可在所期望的部位精度良好地产生变形部(例如,凹凸部),本发明的效果变得显著。需要说明的是,本说明书中,所谓“溶解于粘合剂而存在”的状态是指紫外线吸收剂不以颗粒的形式存在于气体产生层中。更具体而言,优选在上述气体产生层中不含有基于X射线CT的气体产生层截面内的颗粒分布测定中粒径为10μm以上的紫外线吸收剂。需要说明的是,气体产生层可含有不溶于粘合剂的成分,也可不含有。在一个实施方式中,气体产生层中的不溶成分的有无及含量通过气体产生层的雾度值而评价,雾度值越小,评价为气体产生层中的不溶成分的含量越少。优选气体产生层实质上不含不溶于粘合剂的成分。
上述气体产生层(气体产生层截面)的利用纳米压痕法得到的弹性模量优选为0.01MPa~1000MPa,更优选为0.05MPa~800MPa。若为这样的范围,则令人满意地发生通过气体产生而引起的气体产生层的形状变化,其结果,在气体阻隔层形成优异形状的变形部。需要说明的是,气体产生层的弹性模量可通过该层中所含的材料的种类、构成材料的基础聚合物的结构、添加至该层中的添加剂的种类、量等而进行调整。
上述气体产生层表面的利用纳米压痕法得到的弹性模量优选为0.01MPa~1000MPa,更优选为0.05MPa~800MPa。若为这样的范围,则令人满意地发生通过气体产生而引起的气体产生层的形状变化,其结果,在气体阻隔层形成优异形状的变形部。所谓利用纳米压痕法得到的弹性模量,是指从负载时直至卸载时连续测定将压头压入至试样(例如,粘合面)时对压头的负载载荷与压入深度,并根据所得的负载载荷-压入深度曲线而求出的弹性模量。利用纳米压痕法得到的弹性模量如下来获得:对于通过垂直地按压金刚石制的Berkovich型(三角锥型)探针而获得的位移-载荷滞回曲线,利用测定装置附带的软件(triboscan)进行数值处理,由此获得。本说明书中,所谓表面的利用纳米压痕法得到的弹性模量,是使用纳米压痕仪(Hysitron Inc公司制造的Triboindenter TI-950),通过规定温度(25℃)下的单一压入法,在压入速度约500nm/sec、拔出速度约500nm/sec、压入深度约3000nm的测定条件下测得的弹性模量。需要说明的是,气体产生层的弹性模量可通过该层中所含的材料的种类、构成材料的基础聚合物的结构、添加至该层中的添加剂的种类、量等而进行调整。本发明中,将截面作为测定面并通过上述方法而测定的利用纳米压痕法得到的弹性模量、与将表面作为测定面并通过上述方法而测定的利用纳米压痕法得到的弹性模量没有显著差异,在难以进行自截面的测定的情况下,可采用自表面测定的值作为自截面的测定值。
上述气体产生层的气体化起始温度优选为150℃~500℃,更优选为170℃~450℃,进一步优选为190℃~420℃,尤其优选为200℃~400℃。若为这样的范围,则可获得可通过激光照射而形成更良好的变形部的粘合片。需要说明的是,本说明书中,所谓气体产生层的气体化起始温度,是指使粘合片升温时的根据EGA分析算出的气体产生开始温度。气体产生开始温度由达到根据EGA分析所得的EGA/MS图谱的最大气体产生峰的半值的温度定义。气体化起始温度越低,激光照射时开始产生气体的温度越低,在以更小功率进行激光照射时也产生充分的气体量。在一个实施方式中,气体产生层的气体化起始温度相当于紫外线吸收剂的气体化起始温度。
上述气体产生层的10%重量减少温度优选为150℃~500℃,更优选为170℃~450℃,进一步优选为200℃~400℃。若为这样的范围,则可获得可通过激光照射而形成更良好的变形部的粘合片。所谓气体产生层的10%重量减少温度,是指使粘合片升温时(例如,通过激光照射而升温时)的TGA分析中气体产生层的重量相对于升温前的重量而减少了10重量%(即,气体产生层的重量相对于升温前的重量而成为90%)的时刻的温度。
上述气体产生层的厚度优选为0.1μm~50μm,更优选为1μm~40μm,进一步优选为2μm~30μm,尤其优选为5μm~20μm。若为这样的范围,则可获得可通过激光照射而形成更良好的变形部的粘合片。
上述气体产生层的利用纳米压痕法得到的弹性模量Er(gas)[单位:MPa]与厚度h(gas)[单位:μm]满足下述式(i)。
Log(Er(gas)×106)≥8.01×h(gas)-0.116···(i)
本发明中,通过以满足上述式(1)的方式构成气体产生层,可防止因自气体产生层产生的气体所引起的过度变形,粘合片通过激光照射而良好地变形。通过形成这样的气体产生层,无需配置较厚的阻隔层作为防止过度变形的层便可产生微小范围内的表面变形,可柔软地构成气体阻隔层。
在一个实施方式中,利用纳米压痕法得到的弹性模量Er(gas)[单位:MPa]与厚度h(gas)[单位:μm]满足下述式(ii)。在一个实施方式中,利用纳米压痕法得到的弹性模量Er(gas)[单位:MPa]与厚度h(gas)[单位:μm]满足下述式(iii)。
Log(Er(gas)×106)≥7.66×h(gas)-0.092···(ii)
Log(Er(gas)×106)≥7.52×h(gas)-0.081···(iii)
若为这样的范围,则上述效果变得更显著。
在一个实施方式中,利用纳米压痕法得到的弹性模量Er(gas)[单位:MPa]与厚度h(gas)[单位:μm]还满足下述式(iv)。
Log(Er(gas)×106)≤47.675×h(gas)-0.519···(iv)
上述气体产生层的波长360nm的紫外线透过率优选为30%以下,更优选为20%以下,进一步优选为15%以下,尤其优选为10%以下,最优选为5%以下。气体产生层的波长360nm的紫外线透过率的下限例如为0%(优选为0.05%,更优选为0.1%)。
上述气体产生层的雾度值优选为55%以下,更优选为0.1%~50%,进一步优选为0.5%~40%。
B-1.紫外线吸收剂
作为上述紫外线吸收剂,只要获得本发明的效果,则可使用任意适当的紫外线吸收剂。作为紫外线吸收剂,例如可列举:苯并三唑系紫外线吸收剂、二苯甲酮系紫外线吸收剂、三嗪系紫外线吸收剂、水杨酸酯系紫外线吸收剂、氰基丙烯酸酯系紫外线吸收剂等。其中,优选为三嗪系紫外线吸收剂或苯并三唑系紫外线吸收剂,尤其优选为三嗪系紫外线吸收剂。尤其是在使用丙烯酸系粘合剂作为粘合剂A时,三嗪系紫外线吸收剂由于与该丙烯酸系粘合剂的基础聚合物的相容性高而可优选使用。三嗪系紫外线吸收剂更优选由具有羟基的化合物构成,尤其优选由羟基苯基三嗪系化合物构成的紫外线吸收剂(羟基苯基三嗪系紫外线吸收剂)。
作为羟基苯基三嗪系紫外线吸收剂,例如可列举:2-(4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪-2-基)-5-羟基苯基与[(C10-C16(主要是C12-C13)烷氧基)甲基]环氧乙烷的反应产物(商品名“TINUVIN 400”,BASF公司制造)、2-[4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪-2-基]-5-[3-(十二烷氧基)-2-羟基丙氧基]苯酚、2-(2,4-二羟基苯基)-4,6-双-(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪与缩水甘油酸(2-乙基己基)酯的反应产物(商品名“TINUVIN405”,BASF公司制造)、2,4-双(2-羟基-4-丁氧基苯基)-6-(2,4-二丁氧基苯基)-1,3,5-三嗪(商品名“TINUVIN 460”,BASF公司制造)、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[(己基)氧基]苯酚(商品名“TINUVIN 1577”,BASF公司制造)、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-5-[2-(2-乙基己酰氧基)乙氧基]苯酚(商品名“Adekastab LA-46”,ADEKA公司制造)、2-(2-羟基-4-[1-辛氧基羰基乙氧基]苯基)-4,6-双(4-苯基苯基)-1,3,5-三嗪(商品名“TINUVIN479”,BASF公司制造)、BASF公司制造的商品名“TINUVIN477”等。
作为苯并三唑系紫外线吸收剂(苯并三唑系化合物),例如可列举:2-(2-羟基-5-叔丁基苯基)-2H-苯并三唑(商品名“TINUVIN PS”,BASF公司制造)、苯丙酸与3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-(1,1-二甲基乙基)-4-羟基(C7-9侧链及直链烷基)的酯化合物(商品名“TINUVIN 384-2”,BASF公司制造)、3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸辛酯及3-[3-叔丁基-4-羟基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸2-乙基己酯的混合物(商品名“TINUVIN109”,BASF公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚(商品名“TINUVIN 900”,BASF公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯基乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚(商品名“TINUVIN 928”,BASF制造)、3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸甲酯/聚乙二醇300的反应产物(商品名“TINUVIN 1130”,BASF公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)对甲酚(商品名“TINUVIN P”,BASF公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-双(1-甲基-1-苯基乙基)苯酚(商品名“TINUVIN 234”,BASF公司制造)、2-[5-氯-2H-苯并三唑-2-基]-4-甲基-6-(叔丁基)苯酚(商品名“TINUVIN 326”,BASF公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4,6-二-叔戊基苯酚(商品名“TINUVIN 328”,BASF公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚(商品名“TINUVIN 329”,BASF公司制造)、2,2'-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚](商品名“TINUVIN 360”,BASF公司制造)、3-(3-(2H-苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基)丙酸甲酯与聚乙二醇300的反应产物(商品名“TINUVIN 213”,BASF公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-十二烷基-4-甲基苯酚(商品名“TINUVIN 571”,BASF公司制造)、2-[2-羟基-3-(3,4,5,6-四氢邻苯二甲酰亚胺-甲基)-5-甲基苯基]苯并三唑(商品名“Sumisorb 250”,住友化学株式会社制造)、2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯-2H-苯并三唑(商品名“SEESORB 703”,Shipro Kasei公司制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(3,4,5,6-四氢邻苯二甲酰亚胺基甲基)苯酚(商品名“SEESORB 706”,Shipro Kasei公司制造)、2-(4-苯甲酰氧基-2-羟基苯基)-5-氯-2H-苯并三唑(ShiproKasei公司制造的商品名“SEESORB 7012BA”)、2-叔丁基-6-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基苯酚(商品名“KEMISORB 73”,Chemipro Kasei公司制造)、2,2'-亚甲基双[6-(2H-苯并三唑-2-基)-4-叔辛基苯酚](商品名“Adekastab LA-31”,ADEKA株式会社制造)、2-(2H-苯并三唑-2-基)对纤维素(商品名“Adekastab LA-32”,ADEKA株式会社制造)、2-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)-6-叔丁基-4-甲基苯酚(商品名“Adekastab LA-36”,ADEKA株式会社制造)等。
构成上述紫外线吸收剂的化合物的分子量优选为200~1500,更优选为250~1200,进一步优选为300~1000。若为这样的范围,则可获得可通过激光照射而形成更良好的变形部的粘合片。
上述紫外线吸收剂的最大吸收波长优选为300nm~450nm,更优选为320nm~400nm,进一步优选为330nm~380nm。
相对于气体产生层100重量份,上述紫外线吸收剂的含有比率优选为1重量份~100重量份,更优选为1重量份~50重量份,进一步优选为5重量份~30重量份。若为这样的范围,则可获得可通过激光照射而形成更良好的变形部的粘合片。
B-2.粘合剂A
作为上述气体产生层中所含的粘合剂A,优选使用压敏粘合剂A。作为粘合剂A,例如可列举:丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂等。其中优选为丙烯酸系粘合剂或橡胶系粘合剂,更优选为丙烯酸系粘合剂。需要说明的是,上述粘合剂可单独使用或组合2种以上而使用。
作为上述丙烯酸系粘合剂,例如可列举将使用(甲基)丙烯酸烷基酯的1种或2种以上作为单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯的具体例,可列举:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。其中,可优选使用具有碳数为4~18的直链状或支链状的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
上述丙烯酸系聚合物也可以出于内聚力、耐热性、交联性等的改性的目的,根据需要含有对应于可与上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他单体成分的单元。作为这样的单体成分,例如可列举:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体;马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体;(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯等含羟基的单体;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的单体;(甲基)丙烯酰胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体;(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体;(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系单体;N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体;N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体;N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧基六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-8-氧基八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体;乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基系单体;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基的丙烯酸系单体;(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸四氢糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、有机硅(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体;己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯等多官能单体;异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体;乙烯醚等乙烯醚系单体等。这些单体成分可单独使用或组合2种以上而使用。
作为上述橡胶系粘合剂,例如可列举将如下物质作为基础聚合物的橡胶系粘合剂:天然橡胶;聚异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯(SB)橡胶、苯乙烯-异戊二烯(SI)橡胶、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)橡胶、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)橡胶、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)橡胶、苯乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物(SEP)橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、聚异丁烯、它们的改性体等合成橡胶等。
自上述气体产生层产生的气体优选为烃(优选为脂肪族烃)系气体。可产生烃系气体的气体产生层例如以烃系化合物为主成分而构成。气体产生层优选不含有含卤素元素的化合物。若产生的气体为烃系气体,则可防止作为被加工物的电子部件的腐蚀。这样的效果通过形成不含有含卤素元素的化合物的气体产生层而变得更显著。来自气体产生层的产生离子式量优选为10m/z~800m/z,更优选为11m/z~700m/z,进一步优选为12m/z~500m/z,尤其优选为13m/z~400m/z。
上述粘合剂A可根据需要含有任意适当的添加剂。作为该添加剂,例如可列举:交联剂、增粘剂(例如,松香系增粘剂、萜烯系增粘剂、烃系增粘剂等)、增塑剂(例如,偏苯三甲酸酯系增塑剂、均苯四甲酸酯系增塑剂)、颜料、染料、抗老化剂、导电材料、抗静电剂、光稳定剂、剥离调整剂、软化剂、表面活性剂、阻燃剂、抗氧化剂等。
作为上述交联剂,例如可列举:异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、三聚氰胺系交联剂、过氧化物系交联剂、以及脲系交联剂、金属烷氧化物系交联剂、金属螯合物系交联剂、金属盐系交联剂、碳二亚胺系交联剂、噁唑啉系交联剂、氮丙啶系交联剂、胺系交联剂等。其中,优选为异氰酸酯系交联剂或环氧系交联剂。
作为上述异氰酸酯系交联剂的具体例,可列举:亚丁基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯等低级脂肪族多异氰酸酯类;亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等脂环族异氰酸酯类;2,4-甲苯二异氰酸酯、4,4'-二苯甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯等芳香族异氰酸酯类;三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司制造,商品名“Coronate L”)、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚物加成物(Nippon Polyurethane Industry公司制造,商品名“CoronateHL”)、六亚甲基二异氰酸酯的异氰脲酸酯体(Nippon Polyurethane Industry公司制造,商品名“Coronate HX”)等异氰酸酯加成物等。异氰酸酯系交联剂的含量可根据所需的粘合力而设定为任意适当的量,相对于基础聚合物100重量份,代表性而言为0.1重量份~20重量份,更优选为0.5重量份~10重量份。
作为上述环氧系交联剂,例如可列举:N,N,N',N'-四缩水甘油基间苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1,3-双(N,N-缩水甘油基氨基甲基)环己烷(三菱瓦斯化学公司制造,商品名“Tetrad C”)、1,6-己二醇二缩水甘油醚(共荣社化学公司制造,商品名“Epolight 1600”)、新戊二醇二缩水甘油醚(共荣社化学公司制造,商品名“Epolight 1500NP”)、乙二醇二缩水甘油醚(共荣社化学公司制造,商品名“Epolight 40E”)、丙二醇二缩水甘油醚(共荣社化学公司制造,商品名“Epolight 70P”)、聚乙二醇二缩水甘油醚(日本油脂公司制造,商品名“EPIOL E-400”)、聚丙二醇二缩水甘油醚(日本油脂公司制造,商品名“EPIOL P-200”)、山梨糖醇多缩水甘油醚(Nagase chemteX公司制造,商品名“Denacol EX-611”)、甘油多缩水甘油醚(Nagase chemteX公司制造,商品名“Denacol EX-314”)、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚(Nagase chemteX公司制造,商品名“Denacol EX-512”)、山梨糖醇酐多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三(2-羟乙基)异氰脲酸三缩水甘油酯、间苯二酚二缩水甘油醚、双苯酚-S-二缩水甘油醚、分子内具有2个以上环氧基的环氧系树脂等。环氧系交联剂的含量可根据所需的粘合力而设定为任意适当的量,相对于基础聚合物100重量份,代表性而言为0.01重量份~10重量份,更优选为0.03重量份~5重量份。
C.气体阻隔层
上述气体阻隔层是指水蒸气透过率为10000/(m2·day)以下的层。上述气体阻隔层的水蒸气透过率优选为7000g/(m2·day)以下,更优选为5000g/(m2·day)以下,进一步优选为4800g/(m2·day)以下,尤其优选为4500g/(m2·day)以下,最优选为4200g/(m2·day)以下。若为这样的范围,则可获得形成优异形状的变形部、可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离的粘合片。气体阻隔层的水蒸气透过率越小越优选,其下限值例如为1g/(m2·day)。
上述气体阻隔层的穿刺强度优选为10mN~5000mN,更优选为30mN~4000mN,进一步优选为50mN~3000mN,尤其优选为100mN~2000mN。若为这样的范围,则气体阻隔层良好地发挥作用,且令人满意地发生基于气体产生所引起的形状变化,其结果,在气体阻隔层(粘合剂层)形成优异形状的变形部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。
本发明中,通过气体阻隔层的穿刺强度为上述范围,可形成气体阻隔性优异的气体阻隔层。此外,令人满意地发生基于气体产生所引起的气体阻隔层的形状变化,其结果,形成优异形状的凹部。更具体而言,通过气体阻隔层的穿刺强度为上述范围,在照射激光而产生气体时,该气体阻隔层容易沿厚度方向发生形状变化,其结果,例如可形成直径较小的凸部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。
上述气体阻隔层的每单位厚度的穿刺强度优选为2mN/μm~1200mN/μm,更优选为3mN/μm~1000mN/μm,进一步优选为5mN/μm~700mN/μm。若为这样的范围,则气体阻隔层发挥作用,且令人满意地发生基于气体产生所引起的形状变化,其结果,在气体阻隔层(粘合剂层)形成优异形状的变形部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。“气体阻隔层的每单位厚度的穿刺强度”可利用气体阻隔层的穿刺强度(mN)/气体阻隔层的厚度(μm)而求出。
上述气体阻隔层的高弹性部分的利用纳米压痕法得到的弹性模量优选为0.01MPa~10GPa,更优选为0.05MPa~10GPa,进一步优选为0.1MPa~10GPa,尤其优选为0.5MPa~9.8GPa。若为这样的范围,则可成为机械特性优异、且气体阻隔性优异的气体阻隔层。此外,若在上述范围内设为高弹性,则可减薄气体阻隔层的厚度。
上述气体阻隔层的厚度优选为0.1μm~200μm,更优选为0.5μm~150μm,进一步优选为1μm~100μm,尤其优选为1.5μm~50μm。若为这样的范围,则可形成可优选地变形的气体阻隔层。
上述气体阻隔层的波长360nm的紫外线透过率优选为50%~100%,更优选为60%~95%。
C-1.粘合剂层
上述粘合剂层含有任意适当的粘合剂B。作为粘合剂B,可为压敏粘合剂B1,也可为固化型粘合剂B2。
上述粘合剂层的厚度优选为0.1μm~200μm,更优选为0.5μm~150μm,进一步优选为1μm~100μm,尤其优选为2μm~50μm。若为这样的范围,则可形成具有优选的粘合力、且作为气体阻隔层良好地发挥作用的粘合剂层。
上述粘合剂层的水蒸气透过率优选为20000g/(m2·day)以下,更优选为10000g/(m2·day)以下,进一步优选为7000g/(m2·day)以下,进一步优选为5000g/(m2·day)以下,尤其优选为4800g/(m2·day)以下,最优选为4500g/(m2·day)以下。若为这样的范围,则粘合剂层作为气体阻隔层良好地发挥作用,形成优异形状的变形部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。粘合剂层的水蒸气透过率越小越优选,其下限值例如为100g/(m2·day)。
上述粘合剂层的穿刺强度优选为10mN~3000mN,更优选为30mN~2500mN,进一步优选为50mN~2000mN,尤其优选为100mN~2000mN。若为这样的范围,则粘合剂层作为气体阻隔层良好地发挥作用,且令人满意地发生基于气体产生所引起的形状变化,其结果,形成优异形状的变形部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。
上述粘合剂层的波长360nm的紫外线透过率优选为50%~100%,更优选为60%~95%。
C-1-1.压敏粘合剂B1
作为上述压敏粘合剂B1,例如可列举:丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、有机硅系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂等。其中,优选为丙烯酸系粘合剂或橡胶系粘合剂,更优选为丙烯酸系粘合剂。作为含有压敏粘合剂的粘合剂层所含有的粘合剂B1,可使用B-2项中说明的粘合剂。
C-1-2.固化型粘合剂B2
作为固化型粘合剂B2,例如可列举:热固化型粘合剂、活性能量射线固化型粘合剂等。优选使用活性能量射线固化型粘合剂。通过该活性能量射线固化型粘合剂而形成的上述粘合剂层为照射活性能量射线而形成的粘合剂层,即,为在活性能量射线照射后具有规定粘合力的粘合剂层。
作为构成上述活性能量射线固化型粘合剂的树脂材料,例如可列举:紫外线固化系统(加藤清视著,综合技术中心发行(1989))、光固化技术(技术信息协会编(2000))、日本特开2003-292916号公报、日本特许4151850号等中记载的树脂材料。更具体而言,可列举含有成为母剂的聚合物与活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)的树脂材料(B2-1)、含有活性能量射线反应性聚合物的树脂材料(B2-2)等。
作为上述成为母剂的聚合物,例如可列举:天然橡胶、聚异丁烯橡胶、苯乙烯-丁二烯橡胶、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、聚异丁烯橡胶、丁腈橡胶(NBR)等橡胶系聚合物;有机硅系聚合物;丙烯酸系聚合物等。这些聚合物可单独使用或组合2种以上而使用。
作为上述活性能量射线反应性化合物,例如可列举含有多个丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多重键的官能团的光反应性的单体或低聚物。其中,优选使用具有烯属不饱和官能团的化合物,更优选使用具有烯属不饱和官能团的(甲基)丙烯酸系化合物。具有烯属不饱和官能团的化合物通过紫外线而容易生成自由基,因此若使用该化合物,则可形成可在短时间固化的粘合剂层。此外,若使用具有烯属不饱和官能团的(甲基)丙烯酸系化合物,则可形成固化后具有适度硬度的粘合剂层。作为光反应性的单体或低聚物的具体例,可列举:三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯系化合物等含(甲基)丙烯酰基的化合物;该含(甲基)丙烯酰基的化合物的二聚物~五聚物等。这些化合物可单独使用或组合2种以上而使用。
此外,作为上述活性能量射线反应性化合物,可使用环氧化丁二烯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酰胺、乙烯基硅氧烷等单体;或由该单体构成的低聚物。含有这些化合物的树脂材料(B2-1)可通过紫外线、电子束等高能射线而固化。
进而,作为上述活性能量射线反应性化合物,可使用鎓盐等有机盐类与分子内具有多个杂环的化合物的混合物。该混合物通过活性能量射线(例如,紫外线、电子束)的照射,有机盐会裂解而生成离子,其成为起始种而引发杂环的开环反应,从而可形成三维网状结构。作为上述有机盐类,例如可列举:碘鎓盐、鏻盐、锑盐、锍盐、硼酸盐等。作为上述分子内具有多个杂环的化合物中的杂环,可列举:环氧乙烷、氧杂环丁烷、氧戊环、环硫乙烷、氮丙啶等。
含有上述成为母剂的聚合物与活性能量射线反应性化合物的树脂材料(B2-1)中,相对于成为母剂的聚合物100重量份,活性能量射线反应性化合物的含有比率优选为0.1重量份~500重量份,更优选为1重量份~300重量份,进一步优选为10重量份~200重量份。
作为上述活性能量射线反应性聚合物,例如可列举含有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多重键的活性能量射线反应性官能团的聚合物。优选使用具有烯属不饱和官能团的化合物(聚合物),更优选为使用具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的(甲基)丙烯酸系聚合物。作为具有活性能量射线反应性官能团的聚合物的具体例,可列举由多官能(甲基)丙烯酸酯构成的聚合物等。该由多官能(甲基)丙烯酸酯构成的聚合物优选在侧链具有碳数为4以上的烷基酯,更优选具有碳数为6以上的烷基酯,进一步优选具有碳数为8以上的烷基酯,尤其优选具有碳数为8~20的烷基酯,最优选具有碳数为8~18的烷基酯。
含有上述活性能量射线反应性聚合物的树脂材料(B2-2)也可进而含有上述活性能量射线反应性化合物(单体或低聚物)。
上述活性能量射线固化型粘合剂可通过活性能量射线的照射而固化。本发明的粘合片中,在使粘合剂固化前贴附被粘物之后,照射活性能量射线而使粘合剂固化,由此可使该被粘物密合。作为活性能量射线,例如可列举:γ射线、紫外线、可见光线、红外线(热射线)、射频波、α射线、β射线、电子束、等离子体流、电离射线、粒子射线等。活性能量射线的波长、照射量等条件可根据使用的树脂材料的种类等而设定为任意适当的条件。例如,可照射10~1000mJ/cm2照射量的紫外线而使粘合剂固化。
C-2.中间层
作为上述中间层的形态,例如可列举树脂层、具有粘合性的层等。
在一个实施方式中,上述中间层含有热塑性树脂。这样的中间层可为含有热塑性树脂的树脂薄膜、含有由热塑性树脂构成的粘合剂C的层等。在其他实施方式中,上述中间层含有固化型树脂(例如,紫外线固化型树脂、热固化型树脂)。这样的中间层可为含有固化型树脂的树脂薄膜、含有固化型粘合剂D的层等。
中间层的厚度优选为0.1μm~200μm,更优选为0.5μm~100μm,进一步优选为1μm~50μm,尤其优选为1μm~30μm。若为这样的范围,则可形成作为气体阻隔层良好地发挥作用的中间层。
上述中间层的水蒸气透过率优选为5000g/(m2·day)以下,更优选为4800g/(m2·day)以下,进一步优选为4500g/(m2·day)以下,进一步优选为4200g/(m2·day)以下。若为这样的范围,则中间层作为气体阻隔层良好地发挥作用,形成优异形状的变形部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。中间层的水蒸气透过率越小越优选,其下限值例如为0.1g/(m2·day)。
上述中间层的穿刺强度优选为300mN~5000mN,更优选为500mN~4500mN,进一步优选为1000mN~4000mN。若为这样的范围,则中间层作为气体阻隔层良好地发挥作用,且令人满意地发生基于气体产生所引起的形状变化,其结果,形成优异形状的凸部。若使用这样的粘合片,则可精度良好地使小型被粘物(例如,电子部件)剥离。
上述中间层的波长360nm的紫外线透过率优选为50%~100%,更优选为60%~95%。
C-2-1.作为树脂层的中间层
作为树脂层的中间层例如由树脂薄膜形成。作为形成该树脂薄膜的树脂,例如可列举:聚对苯二甲酸乙二醇酯系树脂、聚烯烃系树脂、苯乙烯系弹性体(例如SEBS等)、紫外线固化型树脂、热固化性树脂、氨基甲酸酯系树脂、环氧系树脂等。在一个实施方式中,上述树脂薄膜由热塑性树脂构成。
上述树脂薄膜的厚度优选为0.1μm~50μm,更优选为0.5μm~30μm,进一步优选为1μm~20μm。
C-2-2.作为具有粘合性的层的中间层
关于作为具有粘合性的层的中间层,可列举:含有压敏粘合剂的中间层、含有固化型粘合剂的中间层等。优选配置含有固化型粘合剂C的中间层。尤其是作为粘合剂层而将含有压敏粘合剂A的粘合剂层与含有固化型粘合剂C的中间层组合时,可获得可通过激光照射而形成更良好的变形部的粘合片。作为固化型粘合剂C,可使用C-1-2项中说明的粘合剂。
作为具有粘合性的层的中间层的厚度优选为5μm~50μm,更优选为5μm~30μm。
D.粘合片的制造方法
本发明的粘合片可通过任意适当的方法而制造。关于本发明的粘合片,例如可列举如下方法:在规定的基材上直接涂布含有粘合剂A及紫外线吸收剂的气体产生层形成用组合物而形成气体产生层,并在该气体产生层上涂布含有粘合剂B的粘合剂层形成用组合物而形成粘合剂层。在一个实施方式中,在粘合片具有中间层的情况下,在形成粘合剂层之前,将中间层形成用组合物涂布于气体产生层上而形成中间层,并在该中间层上涂布粘合剂层形成用组合物而形成粘合剂层。此外,也可在分别形成各层之后进行贴合而形成粘合片。
作为上述组合物的涂布方法,可采用任意适当的涂布方法。例如,可在涂布后进行干燥而形成各层。作为涂布方法,例如可列举使用多层涂布机(multi coater)、模涂布机、凹版涂布机、涂抹器等的涂布方法。作为干燥方法,例如可列举:自然干燥、加热干燥等。进行加热干燥的情况下的加热温度可根据成为干燥对象的物质的特性而设定为任意适当的温度。此外,可根据各层的形态而进行活性能量射线照射(例如,紫外线照射)。
E.电子部件的加工方法
本发明的电子部件的处理方法包括:将电子部件贴附于上述粘合片;及对该粘合片照射激光,自该粘合片剥离电子部件。作为电子部件,例如可列举:半导体芯片、LED芯片、MLCC等。
上述电子部件的剥离可选择位置地进行。具体而言,将多个电子部件贴附、固定于粘合片,能以将电子部件的一部分剥离、其他电子部件仍被固定的方式进行电子部件的剥离。
在一个实施方式中,本发明的电子部件的处理方法包括:在将电子部件贴附于粘合片后且自粘合片剥离电子部件前,对该电子部件进行规定的处理。上述处理并无特别限定,例如可列举:研磨加工、切割加工、芯片接合、引线接合、蚀刻、蒸镀、模塑、电路形成、检查、产品检验、清洗、转印、排列、修复、装置表面的保护等处理。
上述电子部件的尺寸(贴附面的面积)例如为1μm2~250000μm2。在一个实施方式中,可将电子部件的尺寸(贴附面的面积)为1μm2~6400μm2的电子部件供于处理。在其他实施方式中,可将电子部件的尺寸(贴附面的面积)为1μm2~2500μm2的电子部件供于处理。
在一个实施方式中,如上所述可将多个电子部件配置于粘合片上。电子部件的间隔例如为1μm~500μm。本发明中,在可缩小间隔地暂时固定被处理物的方面是有利的。
作为激光,例如可使用UV激光。激光的照射功率例如为1μJ~1000μJ。UV激光的波长例如为240nm~380nm。
在一个实施方式中,上述电子部件的处理方法包括:在电子部件剥离后,将该电子部件配置于其他片材(例如,粘合片、基板等)。
实施例
以下,利用实施例对本发明进行具体说明,但本发明并不受这些实施例限定。实施例中的评价方法如下所述。需要说明的是,下述评价中,使用剥离隔离体后的粘合片。此外,实施例中,只要无特别明确记载,则“份”及“%”为重量基准。
(1)弹性模量
使用纳米压痕仪(Hysitron Inc公司制造的Triboindenter TI-950),通过在规定温度(25℃)下的单一压入法,在压入速度约500nm/sec、拔出速度约500nm/sec、压入深度约1500nm的测定条件下测定气体阻隔层截面及气体产生层截面(实施例10、11)的弹性模量。
(2)穿刺强度
如图3所示,使用压缩试验机6(Kato Tech公司制造,商品名“KES-G5”),将样品4夹持于具有直径11.28mm的圆形开口部的试样保持件5A、5B来进行测定。更详细而言,在23℃的测定温度下,在该圆形开口部的中心,将穿刺针(曲率半径:1mm)对样品穿刺(穿刺速度:0.1mm/s),将破裂点处的最大载荷作为穿刺强度。
(3)法线方向的伸长率
在上述(2)的测定中,测定在破裂点处的压入的穿刺针的距离,将面方向的样品的伸长率作为法线方向的伸长率。
(4)表面形状变化
在粘合片的气体产生层侧(粘合剂层的相反侧)贴合玻璃板(松波硝子公司制造,大型载玻片S9112(标准大型白缘磨No.2))而获得测定样品。自测定样品的玻璃板侧,使用波长355nm、光束直径约20μmφ的UV激光,以0.80mW功率、40kHz频率进行脉冲扫描,使气体自气体产生层产生。对于与脉冲扫描过的任意1点对应的粘合剂层表面,在激光照射后24小时后,利用共焦激光显微镜进行观察,测定垂直位移Y与水平位移X(直径;半峰全宽)。
在位移Y为8μm以上的情况下,剥离性显著优异(表中,◎);在位移Y为0.6μm以上且小于8μm的情况下,剥离性良好(表中,〇);在位移Y小于0.6μm的情况下,剥离性不充分(表中,×)。
(5)粘合力(气体产生层侧)
在粘合片的粘合剂层侧贴合PET#25而获得测定样品。对于测定样品的气体产生层侧相对于SUS430的粘合力,通过依照JIS Z 0237:2000的方法(贴合条件:2kg辊1个往返,拉伸速度:300mm/min,剥离角度180°)进行测定。
(6)粘合力(粘合剂层)
在粘合片的气体产生层侧贴合PET#25而获得测定样品。对于测定样品的粘合剂层侧相对于SUS430的粘合力,通过依照JIS Z 0237:2000的方法(贴合条件:2kg辊1个往返,拉伸速度:300mm/min,剥离角度180°)进行测定。
[制造例1]粘合剂a的制备
向甲苯中添加丙烯酸2-乙基己酯30重量份、丙烯酸乙酯70重量份、丙烯酸2-羟乙酯4重量份、甲基丙烯酸甲酯5重量份、及作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2重量份后,加热至70℃而获得丙烯酸系共聚物(聚合物A)的甲苯溶液。
将聚合物A的甲苯溶液(聚合物A:100重量份)、异氰酸酯系交联剂(NipponPolyurethane公司制造,商品名“Coronate L”)3重量份、及表面活性剂(花王公司制造,商品名“EXCEPARL IPP”)5重量份混合而制备粘合剂a。将粘合剂a的组成示于表1。
[制造例2]粘合剂b的制备
将马来酸改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS:苯乙烯部位/乙烯-丁烯部位(重量比)=30/70,酸值:10(mg-CH3ONa/g),旭化成化学公司制造,商品名“TuftecM1913”)100重量份、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学公司制造,商品名“TETRAD-C”)3重量份、脂肪酸酯系表面活性剂(花王公司制造,商品名“EXCEPARL IPP”,分子量:298.5,烷基的碳数:16)3重量份、及作为溶剂的甲苯混合,获得粘合剂b。将粘合剂b的组成示于表1。
[制造例3]粘合剂c的制备
向乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯95重量份、丙烯酸5重量份、及作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.15重量份后,加热至70℃而获得丙烯酸系共聚物(聚合物A2)的乙酸乙酯溶液。
将聚合物A2的乙酸乙酯溶液(聚合物A2:100重量份)、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学公司制造,商品名“TETRAD-C”)1重量份、及异氰酸酯系交联剂(Nippon Polyurethane公司制造,商品名“Coronate L”)3重量份混合而制备粘合剂c。将粘合剂c的组成示于表1。
[表1]
Figure BDA0003702262690000281
[制造例4]中间层形成用组合物a的制备
向乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯30重量份、丙烯酸甲酯70重量份、丙烯酸10重量份、及作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.2重量份后,加热至70℃而获得丙烯酸系共聚物(聚合物B)的乙酸乙酯溶液。
将聚合物B的乙酸乙酯溶液(聚合物B:100重量份)、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学公司制造,商品名“Tetrad C”)1重量份、UV低聚物(三菱化学公司制造,商品名“紫光UV-1700B”)50重量份、及光聚合引发剂(BASF公司制造,商品名“Omnirad127”)3重量份混合而制备中间层形成用组合物a。将中间层形成用组合物a的组成示于表2。
[制造例5]中间层形成用组合物b的制备
将马来酸改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS:苯乙烯部位/乙烯-丁烯部位(重量比)=30/70,酸值:10(mg-CH3ONa/g),旭化成化学公司制造,商品名“TuftecM1913”)100重量份、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学公司制造,商品名“TETRAD-C”)3重量份、脂肪酸酯系表面活性剂(花王公司制造,商品名“EXCEPARL IPP”,分子量:298.5,烷基的碳数:16)3重量份、及作为溶剂的甲苯混合,而获得中间层形成用组合物b。将中间层形成用组合物b的组成示于表2。
[表2]
Figure BDA0003702262690000291
[制造例6]气体产生层形成用组合物a的制备
以与制造例1同样的方式获得聚合物A。
将聚合物A的甲苯溶液(聚合物A:100重量份)、异氰酸酯系交联剂(NipponPolyurethane公司制造,商品名“Coronate L”)1.5重量份、及紫外线吸收剂(BASF公司制造,商品名“Tinuvin477”)20重量份混合而制备气体产生层形成用组合物a。将气体产生层形成用组合物a的组成示于表3。
[制造例7]气体产生层形成用组合物b的制备
向乙酸乙酯中添加丙烯酸2-乙基己酯95重量份、丙烯酸5重量份、及作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰0.15重量份后,加热至70℃而获得丙烯酸系共聚物(聚合物C)的乙酸乙酯溶液。
将聚合物C的乙酸乙酯溶液(聚合物C:100重量份)、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学公司制造,商品名“TETRAD-C”)0.1重量份、及紫外线吸收剂(BASF公司制造,商品名“Tinuvin 477”)20重量份混合而制备气体产生层形成用组合物b。将气体产生层形成用组合物b的组成示于表3。
[制造例8]气体产生层形成用组合物c的制备
将马来酸改性苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS:苯乙烯部位/乙烯-丁烯部位(重量比)=30/70,酸值:10(mg-CH3ONa/g),旭化成化学公司制造,商品名“TuftecM1913”)100重量份、环氧系交联剂(三菱瓦斯化学公司制造,商品名“TETRAD-C”)3重量份、紫外线吸收剂(BASF公司制造,商品名“Tinuvin 477”)20重量份、及作为溶剂的甲苯混合,而制备气体产生层形成用组合物c。将气体产生层形成用组合物c的组成示于表3。
[实施例1]
将制造例1中获得的粘合剂a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为50μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度:75μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成粘合剂层前体层a。
将制造例5中获得的气体产生层形成用组合物a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为15μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Cerapeel”厚度:38μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成气体产生层前体层a。
将上述粘合剂层前体层a与上述气体产生层前体层a在辊间层压而贴合,获得夹持于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的粘合片(粘合剂层/气体产生层)。
将所得的粘合片供于上述评价(1)~(6)。将结果示于表3。
[实施例2]
代替粘合剂a而使用粘合剂b,将粘合剂层的厚度设为30μm,除此以外,以与实施例1同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表3。
[实施例3]
将制造例1中获得的粘合剂a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为7μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度:75μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成粘合剂层前体层a。
将制造例3中获得的中间层形成用组合物a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为15μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Cerapeel”厚度:38μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成中间层前体层a。
接着,将上述粘合剂层前体层a与上述中间层前体层a在辊间层压而贴合,自中间层前体层侧在500mJ/cm2的条件下进行UV照射,获得夹持于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的气体阻隔层前体层a。
将制造例5中获得的气体产生层形成用组合物a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为7μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Cerapeel”厚度:38μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成气体产生层前体层a。
将上述气体阻隔层前体层a的中间层前体层a侧的带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜剥离后,将层叠体前体层a的中间层前体层a与上述气体产生层前体层a在辊间层压而贴合,获得夹持于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的粘合片(粘合剂层/中间层/气体产生层)。
将所得的粘合片供于上述评价(1)~(6)。将结果示于表3。
[实施例4]
将中间层的厚度设为7μm,除此以外,以与实施例3同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表3。
[实施例5]
代替中间层形成用组合物a而使用中间层形成用组合物b,将中间层的厚度设为30μm,除此以外,以与实施例3同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表3。
[实施例6]
将中间层的厚度设为15μm,除此以外,以与实施例5同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表3。
[实施例7]
将制造例1中获得的粘合剂a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为7μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(厚度:75μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成粘合剂层前体层a。
将制造例5中获得的气体产生层形成用组合物a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为7μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Cerapeel”厚度:38μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成气体产生层前体层a。
将上述粘合剂层前体层a在辊间层压而贴合于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Lumirror#2F51N”厚度:2μm)的单侧。
接着,将气体产生层前体层a在辊间层压而贴合于上述聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的与粘合剂层前体层a相反的一侧。
由此,获得夹持于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜的粘合片(粘合剂层/中间层/气体产生层)。
将所得的粘合片供于上述评价(1)~(6)。将结果示于表3。
[实施例8]
使用厚度4.5μm的PET薄膜,除此以外,以与实施例7同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表3。
[实施例9]
使用厚度9μm的PET薄膜,除此以外,以与实施例7同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表3。
[实施例10]
将气体产生层形成用组合物b以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为20μm的方式涂布于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Lumirror S10”,厚度:50μm)的一面,形成气体产生层。
接着,将粘合剂c以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为10μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Cerapeel”厚度:38μm),形成粘合剂层。
接着,将气体产生层与粘合剂层层叠,获得被带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜保护的粘合片(粘合剂层/气体产生层/基材)。
将所得的粘合片供于上述评价。将结果示于表4。
[实施例11]
代替气体产生层形成用组合物b而使用气体产生层形成用组合物c,除此以外,以与实施例10同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价。将结果示于表4。
[比较例1]
将制造例5中获得的气体产生层形成用组合物a以溶剂挥发(干燥)后的厚度成为7μm的方式涂布于带有有机硅脱模剂处理面的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(东丽公司制造,商品名“Cerapeel”厚度:38μm),其后进行干燥,在该聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜上形成仅包含气体产生层的粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[比较例2]
将粘合剂层的厚度设为7μm,除此以外,以与实施例1同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[比较例3]
将粘合剂层的厚度设为2μm,除此以外,以与实施例2同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[比较例4]
将粘合剂层的厚度设为60μm,除此以外,以与实施例2同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[比较例5]
将中间层的厚度设为40μm,除此以外,以与实施例3同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[比较例6]
将中间层的厚度设为2μm,除此以外,以与实施例5同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[比较例7]
将中间层的厚度设为60μm,除此以外,以与实施例5同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[比较例8]
使用厚度25μm的PET薄膜,除此以外,以与实施例7同样的方式获得粘合片。将所得的粘合片供于上述评价(1)至(6)。将结果示于表5。
[表3]
Figure BDA0003702262690000351
Figure BDA0003702262690000352
[表4]
Figure BDA0003702262690000361
[表5]
Figure BDA0003702262690000371
Figure BDA0003702262690000372
附图标记说明
10 气体产生层
20 气体阻隔层
21 粘合剂层
22 中间层
100,200 粘合片

Claims (19)

1.一种粘合片,其包含气体产生层与配置于气体产生层的至少单侧的气体阻隔层,
该气体阻隔层为其表面通过对该粘合片的激光照射而发生变形的层,
该气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(1)算出的值以下,且
该气体阻隔层的高弹性部分的厚度(μm)为利用下述式(2)算出的值以上;
35011×EXP(-0.812×log10(Er×106))···(1)
20081×EXP(-1.145×log10(Er×106))···(2)
Er为气体阻隔层的高弹性部分的25℃下的利用纳米压痕法得到的弹性模量(MPa)。
2.根据权利要求1所述的粘合片,其中,所述气体产生层为能吸收紫外线的层。
3.根据权利要求2所述的粘合片,其中,所述气体产生层含有紫外线吸收剂。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的粘合片,其中,所述气体阻隔层包含粘合剂层。
5.根据权利要求4所述的粘合片,其中,所述气体阻隔层还包含中间层。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的粘合片,其中,所述气体阻隔层的高弹性部分的利用纳米压痕法得到的弹性模量为0.01MPa~10GPa。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的粘合片,其中,所述气体阻隔层的厚度为0.1μm~200μm。
8.通过对所述气体阻隔层的激光照射而产生的所述气体阻隔层表面的变形量以所述气体阻隔层的垂直位移计为0.6μm以上。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的粘合片,其中,所述粘合片的穿刺强度为10mN~5000mN。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的粘合片,其中,所述粘合片的法线方向的伸长率为0.1mm以上。
11.根据权利要求5至10中任一项所述的粘合片,其中,所述中间层含有热塑性树脂。
12.根据权利要求5至11中任一项所述的粘合片,其中,所述中间层为由苯乙烯系弹性体形成的树脂薄膜。
13.根据权利要求5至10中任一项所述的粘合片,其中,所述中间层含有固化型树脂。
14.根据权利要求13所述的粘合片,其中,所述固化型树脂为紫外线固化型树脂。
15.一种电子部件的处理方法,其包括:将电子部件贴附于权利要求1至14中任一项所述的粘合片上;及对该粘合片照射激光而自该粘合片剥离该电子部件。
16.根据权利要求15所述的电子部件的处理方法,其中,所述电子部件的剥离选择位置地进行。
17.根据权利要求15或16所述的电子部件的处理方法,其包括:
在将所述电子部件贴附于所述粘合片之后且自该粘合片剥离该电子部件之前,
对该电子部件进行规定的处理。
18.根据权利要求17所述的电子部件的处理方法,其中,所述处理为研磨加工、切割加工、芯片接合、引线接合、蚀刻、蒸镀、模塑、电路形成、检查、产品检验、清洗、转印、排列、修复或装置表面的保护。
19.根据权利要求15至18中任一项所述的电子部件的处理方法,其包括:自所述粘合片剥离所述电子部件后,将电子部件配置于其他片材。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100129988A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device
JP2010202833A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品加工用粘着テープ
JP2019070104A (ja) * 2017-10-06 2019-05-09 積水化学工業株式会社 表面保護フィルム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3594853B2 (ja) 1999-11-08 2004-12-02 日東電工株式会社 加熱剥離型粘着シート
JP2003342540A (ja) * 2002-05-28 2003-12-03 Asahi Kasei Corp 半導体加工用粘着シート
JP2004186200A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Sekisui Chem Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP2005097507A (ja) * 2003-09-02 2005-04-14 Sekisui Chem Co Ltd 粘着テープ
JP6908395B2 (ja) * 2017-02-28 2021-07-28 日東電工株式会社 粘着テープ
JP7017334B2 (ja) * 2017-04-17 2022-02-08 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100129988A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device
JP2010202833A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品加工用粘着テープ
JP2019070104A (ja) * 2017-10-06 2019-05-09 積水化学工業株式会社 表面保護フィルム

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