CN114725265A - 一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 155
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 155
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical compound [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 14
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 13
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 10
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
- H10H20/835—Reflective materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
- H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/832—Electrodes characterised by their material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
本公开属于半导体技术领域，具体而言涉及一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法。所述倒装深紫外二极管，包括二极管外延面以及设置在所述二极管外延面上的N电极和P电极，所述N电极，包括由铜铝合金形成的金属膜和设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属形成的单质膜；所述P电极包括NiO膜和位于所述NiO膜上的透明电极，所述透明电极包括位于底层的ITO膜，以及设置在所述ITO膜上的Ga2O3膜；所述N电极和所述P电极上设置有加厚电极，所述加厚电极包括由Al、Ag和Rh中的一种形成的高反射金属膜。以实现减低漏电风险，防止光衰，减小二极管使用功耗并且提高二极管亮度的效果。
Description
技术领域
本公开属于半导体技术领域，具体而言涉及一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法。
背景技术
现有技术中，N电极常使用Al金属膜以实现欧姆接触，但金属铝会产生电子迁移，即由于电子的流动会带给金属原子一个动量，以使得金属原子脱离金属表面四处流动，导致金属膜表面上形成坑洞(void)或土丘(hillock)，致使倒装深紫外二极管的反射率下降，并增大光衰的风险，此外，甚至会造成整个二极管的电路短路。此外，P电极常采用金属电极，使得二极管的出光率有限。
发明内容
本公开正是基于现有技术的上述需求而提出的，本公开要解决的技术问题是提供一种倒装深紫外二极管及倒装深紫外二极管的制备方法以优化二极管的使用性能，提升二极管的使用效果。
为了解决上述问题，本公开提供的技术方案包括：
提供了一种倒装深紫外二极管，包括二极管外延面以及设置在所述二极管外延面上的N电极和P电极，所述N电极，包括由铜铝合金形成的金属膜和设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属形成的单质膜；所述P电极包括NiO膜和位于所述NiO膜上的透明电极，所述透明电极包括位于底层的ITO膜，以及设置在所述ITO膜上的Ga2O3膜；所述N电极和所述P电极上设置有加厚电极，所述加厚电极包括由Al、Ag和Rh中的一种形成的高反射金属膜。
通过使用具有铜铝合金的N电极以实现在使用Al欧姆接触的同时，金属铜的稳定性能够有效抑制所述深紫外二极管的使用过程中金属铝的电子迁移，进而降低漏电风险，并防止光衰；所述P电极包括NiO膜，以有效改善欧姆接触，进而实现降低倒装深紫外二极管电压的效果，同时减小倒装深紫外二极管的使用功耗，以在一定程度上延长二极管的使用寿命。此外，在NiO膜上设置ITO膜和Ga2O3膜，以使得倒装深紫外二极管具有较高的深紫外光线透过率，进而提高倒装深紫外二极管的亮度。
优选的，所述ITO膜与所述Ga2O3膜相接设置；所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，所述Ga2O3膜的厚度为50nm-300nm。
所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，较薄的ITO膜有效减少对深紫外光的吸收。而在ITO膜上叠加Ga2O3膜，通过所述ITO膜和所述Ga2O3膜的堆叠设置，增强深紫外光线的透光率，进而提高倒装深紫外二极管10%-30%的亮度。
优选的，所述透明电极包括至少两层ITO膜和至少一层Ga2O3膜，所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，所述Ga2O3膜的厚度为3nm-10nm；所述ITO膜与所述Ga2O3膜交错堆叠设置；所述透明电极的厚度为100nm-300nm。
通过上述设置以提升倒装深紫外二极管的透光率，进而增强二极管的发光亮度。
优选的，所述铜铝合金中铜的重量占比为1%-5%。
由于金属Cu具有较高的稳定性，在使用Al欧姆接触的同时，实现有效抑制所述深紫外二极管的使用过程中金属铝的电子迁移，进而降低漏电风险，并防止光衰。
优选的，所述NiO的厚度为5nm-20nm。
如此设置以有效改善欧姆接触，进而实现降低倒装深紫外二极管电压的效果，同时减小倒装深紫外二极管的使用功耗，以在一定程度上延长二极管的使用寿命。
还提供了一种倒装深紫外二极管的制备方法，包括：在半导体外延材料的N电极台面上蒸镀以形成多层金属膜，并退火形成欧姆接触以得到N电极，所述金属膜包括由铜铝合金形成的金属膜，以及设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属所形成的单质膜，在P电极台面上形成一层Ni金属膜；通过王水、盐酸或硝酸中的一种处理后形成NiO膜；在所述NiO膜上形成透明电极；形成所述透明电极的过程包括，在底层通过溅射得到ITO膜，在ITO膜上溅射叠加Ga2O3膜，并退火形成欧姆接触以得到P电极；分别在N电极和P电极表面蒸镀形成加厚电极；所述加厚电极包括多层金属膜，所述金属膜中包括使用Al、Ag和Rh中的一种蒸镀形成的高反射金属膜。
通过使用具有铜铝合金的N电极以实现在使用Al欧姆接触的同时，金属铜的稳定性能够有效抑制所述深紫外二极管的使用过程中金属铝的电子迁移，进而降低漏电风险，并防止光衰；所述P电极包括NiO膜，以有效改善欧姆接触，进而实现降低倒装深紫外二极管电压的效果，同时减小倒装深紫外二极管的使用功耗，以在一定程度上延长二极管的使用寿命。此外，在NiO膜上设置ITO膜和Ga2O3膜，以使得倒装深紫外二极管具有较高的深紫外光线透过率，进而提高倒装深紫外二极管的亮度。
优选的，所述透明电极包括3nm-10nm厚的ITO膜以及位于所述ITO膜上的50nm-300nm厚的Ga2O3膜；所述ITO膜与所述Ga2O3膜相接设置。
所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，较薄的ITO膜有效减少对深紫外光的吸收。而在ITO膜上叠加Ga2O3膜，通过所述ITO膜和所述Ga2O3膜的堆叠设置，增强深紫外光线的透光率，进而提高倒装深紫外二极管10%-30%的亮度。
优选的，所述透明电极包括厚度为3nm-10nm的ITO膜和厚度为3nm-10nm的Ga2O3膜；所述ITO膜与所述Ga2O3膜相互堆叠设置；所述透明电极的厚度为100nm-300nm。
通过上述设置以提升倒装深紫外二极管的透光率，进而增强二极管的发光亮度。
优选的，在所述P电极台面上形成的Ni金属膜的厚度为1nm-50nm。
优选的，所述铜铝合金中铜的重量占比为1%-5%。
由于金属Cu具有较高的稳定性，在使用Al欧姆接触的同时，实现有效抑制所述深紫外二极管的使用过程中金属铝的电子迁移，进而降低漏电风险，并防止光衰。
与现有技术相比，本公开通过使用具有铜铝合金的N电极以实现在使用Al欧姆接触的同时，金属铜的稳定性能够有效抑制所述深紫外二极管的使用过程中金属铝的电子迁移，进而降低漏电风险，并防止光衰；所述P电极包括NiO膜，以有效改善欧姆接触，进而实现降低倒装深紫外二极管电压的效果，同时减小倒装深紫外二极管的使用功耗，以在一定程度上延长二极管的使用寿命。此外，在NiO膜上设置ITO膜和Ga2O3膜，以使得倒装深紫外二极管具有较高的深紫外光线透过率，进而提高倒装深紫外二极管的亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本说明书实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书实施例中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开实施例中的基础外延面结构图；
图2为本公开实施例中的刻蚀后的外延面结构图；
图3为本公开实施例中制备N电极后的结构图；
图4为本公开实施例中制备P电极后的结构图；
图5为本公开实施例中叠加加厚电极后的结构图；
图6为本公开实施例中设置钝化层后的结构图；
图7为本公开实施例中的一种倒装深紫外二极管层结构图；
图8为本公开实施例中制备倒装深紫外二极管的步骤流程图。
附图标记：
1、衬底；2、AlN层；3、n-AlGaN层；4、量子阱层；5、P型电子阻挡层；6、p-AlGaN层；7、N电极；8、NiO膜；9、透明电极；10、加厚电极；11、钝化层；12、PAD电极。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本公开实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接可以是机械连接，也可以是电连接可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
全文中描述使用的术语“顶部”、“底部”、“在……上方”、“下”和“在……上”是相对于装置的部件的相对位置，例如装置内部的顶部和底部衬底1的相对位置。可以理解的是装置是多功能的，与它们在空间中的方位无关。
为便于对本申请实施例的理解，下面将结合附图以具体实施例做进一步的解释说明，实施例并不构成对本申请实施例的限定。
实施例1
本实施例提供了一种倒装深紫外二极管，参照图7。
所述倒装深紫外二极管包括衬底1、外延层、设置在所述外延层上的N电极7和P电极、覆盖在所述N电极7和所述P电极上的加厚电极10、钝化层11以及PAD电极12。
所述外延层设置在所述衬底1上，所述外延层由下至上分别为AlN层2、n-AlGaN层3、量子阱层4（MQW）、P型电子阻挡层5（EBL）、p-AlGaN层6。所述n-AlGaN层3上依次设置有N电极7、加厚电极10、钝化层11和PAD电极12；所述p-AlGaN层6上依次设置有P电极、加厚电极10、钝化层11和PAD电极12。
所述N电极7具有多层结构，由上到下依次设置有Cr金属膜、铜铝合金膜以及由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的至少一种金属形成的金属单质膜。具体而言，所述Cr金属膜设置在n-AlGaN层3上，以粘合N电极台面以及Cr金属膜上的金属膜。在所述Cr金属膜上设置铜铝合金膜，所述铜铝合金膜中金属铜重量占有1%-5%的比重。现有技术中，在Cr金属膜上叠加Al金属膜，使用倒装深紫外二极管时，金属铝会产生电子迁移，即由于电子的流动会带给金属原子一个动量，以使得金属原子脱离金属表面四处流动，导致金属膜表面上形成坑洞(void)或土丘(hillock)，致使倒装深紫外二极管的反射率下降，并增大光衰的风险，此外，甚至会造成整个二极管的电路短路。本实施例使用铜铝合金替代金属Al，由于金属Cu具有较高的稳定性，在使用Al欧姆接触的同时，实现有效抑制所述深紫外二极管的使用过程中金属铝的电子迁移，进而降低漏电风险，并防止光衰。在所述铜铝合金膜叠加由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的至少一种金属形成的金属单质膜。具体而言，在铜铝合金金属膜上蒸镀上述金属中的其中一种金属形成第一金属单质膜，可以在所述第一金属单质膜上继续蒸镀其他金属单质，每蒸镀一次金属单质形成一层金属单质膜。在金属Cr、铜铝合金以及Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的至少一种金属共同作用下，形成欧姆接触。
所述P电极具有多层结构，在所述p-AlGaN层6的上表面上设置有NiO膜8，以有效改善欧姆接触，进而实现降低倒装深紫外二极管电压的效果，同时减小倒装深紫外二极管的使用功耗，以在一定程度上延长二极管的使用寿命。所述NiO膜8的厚度为5nm-20nm。
所述NiO膜8上设置透明电极9，所述透明电极9包括ITO膜和Ga2O3膜，所述ITO膜位于所述透明电极9的底层，与所述NiO相接触，所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，较薄的ITO膜有效减少对深紫外光的吸收。所述ITO膜上叠加有Ga2O3膜，Ga2O3材料能够透过较多的深紫外光线，以使得本实施例中的倒装深紫外二极管具有较高的深紫外光线透过率，进而提高倒装深紫外二极管的亮度。其中所述ITO膜为欧姆接触层，所述Ga2O3膜为电流扩展层。在本实施例的一个实施方式中，所述透明电极9具有两层膜，分别为位于透明电极9底层的ITO膜和位于透明电极9顶层的Ga2O3膜，且所述Ga2O3膜与所述ITO膜接触着堆叠设置，所述Ga2O3膜的厚度为50nm-300nm。在本实施例的另一个实施方式中，所述透明电极9包括多层膜，具体而言，包括位于所述透明电极9底层的ITO膜以及设置在所述ITO膜上的Ga2O3膜，所述Ga2O3膜的厚度为3nm-10nm。所述ITO膜与所述Ga2O3膜交叉堆叠设置，二者共同形成透明电极9，所述透明电极9的厚度为100nm-300nm。通过所述ITO膜和所述Ga2O3膜的堆叠设置，增强深紫外光线的透光率，进而提高倒装深紫外二极管的亮度，进一步的，能够提升10%-30%的亮度。
所述N电极7和所述P电极上设置有加厚电极10。所述加厚电极10包括多层金属膜，所述加厚电极10的底层为金属粘附膜，所述金属粘附膜与所述N电极7以及P电极接触。所述金属粘附膜由金属Cr或金属Ni形成，其厚度保持在1nm-5nm。所述金属粘附膜上叠加高反射金属膜，所述高反射金属膜由高反射金属Al、Ag和Rh中的一种形成，所述高反射金属膜的厚度维持在50nm-200nm之间。上述设置将不会对欧姆接触的特性造成影响，同时在设置透明电极9提高深紫外光线的透光率的前提下，通过高反射金属膜提高光线的反射率，进而再次提高倒装深紫外二极管的发光亮度，使得倒装深紫外二极管具有更高的光效率。在所述高反射金属膜上还可以继续叠加其他金属膜。
在上述形成的倒装深紫外二极管除第一区域和第二区域之外的区域设置钝化层11，所述钝化层11由氧化硅、氮化硅或三氧化二铝中的一种形成。所述第一区域位于所述P电极的上方，所述第二区域位于所述N电极7的上方，由此形成以第一区域所在加厚电极10的上表面为底面，以周围围绕的所述钝化层11的侧面为侧面所形成的第一空间，以及以第二区域所在加厚电极10的上表面为底面，以周围围绕的所述钝化层11的侧面为侧面所形成的第二空间。所述第一空间和所述第二空间用以设置PAD电极12。
所述第一空间和所述第二空间内设置PAD电极12，所述PAD电极12包括多层金属膜，所述金属膜包括由Cr、Ni、Ti、Pt、Au、Sn等多种金属形成的多种金属单质膜，且所述PAD电极12的最上层金属膜为由Au形成的金属膜或由Sn所形成的金属膜，如此设置以供后续封装共晶使用。
实施例2
本实施例提供了一种倒装深紫外二极管的制备方法，参照图1-8。
在衬底1上制备基础外延面。
在所述衬底1上由下向上的依次设置AlN层2、n-AlGaN层3、量子阱层4（MQW）、P型电子阻挡层5（EBL）和p-AlGaN层6，参照图1所示。
刻蚀所述基础外延面，得到P电极台面和N电极台面。
参照图2所示，在所述基础外延面上通过光刻以及ICP刻蚀以得到P电极台面和N电极台面。所述光刻将光刻掩模板的图形转移到基片的光刻胶上，再通过刻蚀把光刻胶上的图形转移到基片上。通过上述过程，所述P电极台面露出的上表面为p-AlGaN层6的面，所述N电极台面露出的上表面为n-AlGaN层3的面。
在N电极台面上进行N电极7的制备，制备过程包括光刻、金属蒸镀以及对部分金属和光刻胶的剥离。
参照图3，在所述n-AlGaN层3的上表面上进行光刻，具体而言，通过光刻预留出需要铺设金属的区域，在不需要铺设金属的区域上铺设光刻胶。
之后，在N电极台面的上表面通过金属蒸镀进行镀膜以形成多层金属膜，所述金属膜包括由铜铝合金形成的金属膜，以及设置在铜铝合金金属膜上的由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的至少一种金属所形成的金属单质膜。具体而言，在N电极台面上使用Cr进行首层的金属蒸镀，以粘合N电极台面以及Cr金属膜上的金属膜，并在Cr金属膜上继续进行铜铝合金的蒸镀，其中金属铜在铜铝合金中重要占有1%-5%的比重。在现有技术中，通常将金属Al叠加在Cr金属膜上，但在倒装深紫外二极管的使用过程中，金属铝会产生电子迁移，即由于电子的流动会带给金属原子一个动量，以使得金属原子脱离金属表面四处流动，导致金属膜表面上形成坑洞(void)或土丘(hillock)，致使倒装深紫外二极管的反射率下降，并增大光衰的风险，此外，甚至会造成整个二极管的电路短路。在本实施例中，使用铜铝合金替代金属Al，由于金属Cu具有较高的稳定性，在使用Al进行欧姆接触的同时，实现有效抑制所述深紫外二极管的使用过程中金属铝的电子迁移，进而降低漏电风险，并防止光衰。在铜铝合金金属膜上再次蒸镀由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的至少一种金属形成金属单质膜。示例性的，在铜铝合金金属膜上蒸镀上述金属中的一种金属形成第一金属单质膜，可以在所述第一金属单质膜上继续蒸镀其他金属单质，每蒸镀一次金属单质形成一层金属单质膜。在金属Cr、铜铝合金以及Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的至少一种金属共同作用下，形成欧姆接触。
由于金属蒸镀所形成的金属膜将会覆盖N电极台面上表面的全部区域，而半导体需要将金属露出以形成欧姆接触，所以通过剥离将覆盖在光刻胶上的金属膜去除，同时除去光刻胶，以在N电极台面的上表面留下所述金属以作为形成N电极7。
将N电极7进行750℃-1000℃的退火，使之形成欧姆接触，以不产生明显的附加阻抗，且不会使半导体二极管内部的平衡载流子浓度发生明显变化。
在P电极台面上进行P电极的制备，制备过程包括光刻、镀膜以及溅射透明电极9。
参照图4，在所述p-AlGaN层6的上表面上进行光刻和金属镀膜，金属镀膜使用金属Ni完成，并在p-AlGaN层6表面形成1nm-50nm的Ni金属膜。将形成的结构整体放置在王水、盐酸或硝酸中浸泡1min-5min，得到NiO膜8，所述NiO膜8的厚度为5nm-20nm。在NiO膜8上设置透明电极9能够具有更好的欧姆接触，以有效降低二极管的工作电压，同时减小二极管的使用功耗，可以在一定程度上延长二极管的使用寿命。
参照图5，所述透明电极9包括设置在底层的ITO膜和设置在ITO膜上的Ga2O3膜。
在本实施例的一个实施方式中，在NiO膜8上通过溅射制备ITO膜，所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，如此设置以有效减少对深紫外光的吸收。在所述ITO膜上再次通过溅射形成Ga2O3膜，叠加Ga2O3膜能够有效提高深紫外光线的透过率，进而提高深紫外二极管的亮度。所述Ga2O3膜的厚度为50nm-300nm。其中所述ITO膜为欧姆接触层，所述Ga2O3膜为电流扩展层。
在本实施例的又一个实施方式中，在NiO膜8上通过溅射制备ITO膜，所述ITO膜的厚度为3nm-10nm；在所述ITO膜上再次通过溅射形成Ga2O3膜所述Ga2O3膜的厚度为3nm-10nm。可以在所述Ga2O3膜上继续叠加ITO膜，以此类推，将ITO膜和Ga2O3膜交错堆叠在一起，形成透明电极9，所述透明电极9的厚度保持在100nm-300nm。
通过上述两种对透明电极9的制备方式能够有效提高倒装深紫外二极管的亮度，进一步的，能够提升10%-30%的亮度。
所述NiO膜8以及所述透明电极9共同形成P电极，在具有良好的欧姆接触且能够降低电压，减小倒装深紫外二极管使用功率的同时，还能有效提高二极管的发光亮度。所述P电极通过400℃-600℃的退火形成欧姆接触。
在所述N电极7和所述P电极表面蒸镀加厚电极10，参照图5所示。
具体而言，通过光刻和金属蒸镀在N电极7和P电极表面形成加厚电极10，所述加厚电极10同样包括多层金属膜，所述金属膜包括形成在所述N电极7和所述P电极表面的金属粘附膜，所述金属粘附膜由金属Cr或金属Ni蒸镀形成，其厚度为1nm-5nm。在所述金属粘附膜上叠加高反射金属膜，所述高反射金属膜由高反射金属Al、Ag和Rh中的一种形成，以通过提高反射率实现提高亮度的效果，所述高反射金属膜的厚度设置在50nm-200nm之间。之后可以继续在所述高反射金属膜上堆叠其他金属。通过上述对所述加厚电极10的设置以在不影响欧姆接触特性的条件下提高深紫外二极管的亮度，提高光功率。
参照图6，在所述加厚电极10表面形成钝化层11，所述钝化层11由氧化硅、氮化硅或三氧化二铝中的一种形成。在钝化层11上通过光刻和刻蚀所述N电极7和所述P电极上的部分钝化层11，分别形成第一空间和第二空间，为在设置在钝化层11上的PAD电极12提供空间。
在所述第一空间和所述第二空间内通过光刻和蒸镀制备PAD电极12。
参照图7，在所述第一空间和所述第二空间的底部进行光刻，进一步的，在所述加厚电极10的上表面进行光刻，完成光刻后进行金属蒸镀形成多层金属膜，所述金属膜包括由Cr、Ni、Ti、Pt、Au、Sn等多种金属形成的多种金属单质膜。其中最上层为金属Au或Sn形成的金属膜，以供后续封装共晶使用。
以上所述的具体实施方式，对本申请的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本申请的具体实施方式而已，并不用于限定本申请的保护范围，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种倒装深紫外二极管，包括二极管外延面以及设置在所述二极管外延面上的N电极和P电极，其特征在于，
所述N电极，包括由铜铝合金形成的金属膜和设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属形成的单质膜；
所述P电极包括NiO膜和位于所述NiO膜上的透明电极，所述透明电极包括位于底层的ITO膜，以及设置在所述ITO膜上的Ga2O3膜；
所述N电极和所述P电极上设置有加厚电极，所述加厚电极包括由Al、Ag和Rh中的一种形成的高反射金属膜。
2.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外二极管，其特征在于，
所述ITO膜与所述Ga2O3膜相接设置；
所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，所述Ga2O3膜的厚度为50nm-300nm。
3.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外二极管，其特征在于，
所述透明电极包括至少两层ITO膜和至少一层Ga2O3膜，所述ITO膜的厚度为3nm-10nm，所述Ga2O3膜的厚度为3nm-10nm；
所述ITO膜与所述Ga2O3膜交错堆叠设置；
所述透明电极的厚度为100nm-300nm。
4.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外二极管，其特征在于，所述铜铝合金中铜的重量占比为1%-5%。
5.根据权利要求1所述的一种倒装深紫外二极管，其特征在于，所述NiO的厚度为5nm-20nm。
6.一种倒装深紫外二极管的制备方法，其特征在于，包括：
在半导体外延材料的N电极台面上蒸镀以形成多层金属膜，并退火形成欧姆接触以得到N电极，所述金属膜包括由铜铝合金形成的金属膜，以及设置在铜铝合金金属膜上的至少一层由Cr、Ni、Au、Ti以及Pt中的一种金属所形成的单质膜，
在P电极台面上形成一层Ni金属膜；通过王水、盐酸或硝酸中的一种处理后形成NiO膜；在所述NiO膜上形成透明电极；形成所述透明电极的过程包括，在底层通过溅射得到ITO膜，在ITO膜上溅射叠加Ga2O3膜，并退火形成欧姆接触以得到P电极；
分别在N电极和P电极表面蒸镀形成加厚电极；所述加厚电极包括多层金属膜，所述金属膜中包括使用Al、Ag和Rh中的一种蒸镀形成的高反射金属膜。
7.根据权利要求6所述的一种倒装深紫外二极管的制备方法，其特征在于，所述透明电极包括3nm-10nm厚的ITO膜以及位于所述ITO膜上的50nm-300nm厚的Ga2O3膜；所述ITO膜与所述Ga2O3膜相接设置。
8.根据权利要求6所述的一种倒装深紫外二极管的制备方法，其特征在于，
所述透明电极包括厚度为3nm-10nm的ITO膜和厚度为3nm-10nm的Ga2O3膜；
所述ITO膜与所述Ga2O3膜相互堆叠设置；
所述透明电极的厚度为100nm-300nm。
9.根据权利要求6所述的一种倒装深紫外二极管的制备方法，其特征在于，在所述P电极台面上形成的Ni金属膜的厚度为1nm-50nm。
10.根据权利要求6所述的一种倒装深紫外二极管的制备方法，其特征在于，所述铜铝合金中铜的重量占比为1%-5%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114725265A (zh) |
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