[go: up one dir, main page]

CN114725163A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN114725163A
CN114725163A CN202111405697.7A CN202111405697A CN114725163A CN 114725163 A CN114725163 A CN 114725163A CN 202111405697 A CN202111405697 A CN 202111405697A CN 114725163 A CN114725163 A CN 114725163A
Authority
CN
China
Prior art keywords
area
light
pixels
region
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111405697.7A
Other languages
English (en)
Inventor
朴成镇
李相彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN114725163A publication Critical patent/CN114725163A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8052Cathodes
    • H10K59/80521Cathodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/8791Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本公开内容涉及一种显示装置。该显示装置包括设置在第一区域中的多个第一像素、设置在被第一区域包围的第二区域中的多个第二像素、以及设置在第一区域与第二区域之间的第三区域中的多个第三像素。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0180376号的优先权权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开内容涉及显示装置。
背景技术
被配置成在显示屏上显示各种信息或数据的图像显示装置作为信息和通信时代的核心装置。显示装置变得更薄且更轻,并且正被开发成具有高性能且便携的。对用于显示图像的显示装置的各种需求已经增加,并且近来,例如液晶显示器(LCD)装置、包括含有量子点(QD)的量子点发光显示装置的电致发光显示器(ELD)装置、无机发光显示装置以及有机发光显示装置等的各种类型的显示装置已经被开发和利用。
此外,显示装置配备有使用触摸传感器等的输入单元以及诸如相机、接近传感器等的光学单元,以便为用户提供更多样化的应用功能。然而,由于将光学单元附接至显示装置,存在显示装置的设计变得困难的问题。特别地,由于需要将相机和接近传感器暴露于外部以用于光的入射和出射,因此存在的问题是显示面板的有源区域不可避免地减小。
因此,在一些情况下,显示装置已经被设计成(i)具有大的边框以安装和暴露光学单元,(ii)允许显示区域的一部分被切割为凹口形状,或(iii)允许光学单元通过形成在有源区域中的孔状部分被暴露。然而,由于相机导致显示屏幕的尺寸仍然被限制,因此在实际中不容易实现全屏显示。
发明内容
为了实现全屏显示,提出了如下方案:在显示屏中分配其中设置有低分辨率像素的成像区域,并将相机和/或各种传感器布置在显示面板下方面向该成像区域的位置或区域中。然而,由于像素设置在成像区域中,因此存在如下问题:透光率降低,并且相机和/或这样的传感器的性能劣化。为了解决这些问题,本公开内容的实施方式提供了用于允许更大量的光朝向光学单元透射的显示装置。本公开内容中要解决的问题或难题不限于此,并且根据以下描述,其他问题或难题对于本领域技术人员将变得明显。
根据本公开内容的方面,提供一种显示装置。该显示装置包括设置在第一区域中的多个第一像素、设置在被第一区域包围的第二区域中的多个第二像素、以及设置在第一区域与第二区域之间的第三区域中的多个第三像素。
第二区域可以与相机模块交叠,并且设置在第二区域中的第二像素的密度可以低于设置在第一区域中的第一像素的密度。
设置在第三区域中的第三像素的密度可以与设置在第二区域中的第二像素的密度相同。
在第二区域中,第二像素中的每个第二像素可以仅包括发光元件,并且驱动第二像素中的每个第二像素的发光元件的像素电路可以位于第三区域中。
显示装置还可以包括连接电极,该连接电极连接在第二区域中的发光元件和在第三区域中的与在第二区域中的发光元件对应的像素电路。连接电极可以由透明金属形成。
用于驱动第二像素中的每个第二像素的发光元件的像素电路可以具有与用于驱动第三像素中的每个第三像素的发光元件的像素电路不同的结构。
第三像素中的每个第三像素的发光元件和用于驱动该发光元件的像素电路可以位于第三区域中。
第二区域可以包括设置在第二像素之间的透光区域,并且在第二像素中包括的发光元件的阴极可以不设置在透光区域中。
第三区域可以包括设置在第三像素之间的透光区域,并且在第三像素中包括的发光元件的阴极可以不设置在透光区域中。
各种具体特征、配置、技术和过程包括在详细描述和附图中,并且将在下面详细讨论。
根据本公开内容的方面,可以在不减小相关联的显示面板的显示区域的情况下提供配备有光学单元的显示装置。更具体地,根据本文中描述的实施方式,可以显著增加显示装置的成像区域中的透光率。此外,根据本文中描述的实施方式,可以提供具有改进的美观性和功能性的显示装置。根据本公开内容的方面的效果不限于以上描述,在以下描述中更多的各种效果将是明显的。
附图说明
图1示意性地示出了根据本公开内容的方面的显示装置。
图2是示意性地示出在根据本公开内容的方面的显示装置中包括的显示面板和光学传感器的截面图。
图3示出了根据本公开内容的方面的显示面板的显示区域中设置的像素。
图4示出了根据本公开内容的方面的成像区域中的像素和透光区域。
图5是图4的部分A的放大图。
图6示出了根据本公开内容的方面的像素区域和透光区域的截面结构。
图7是示出根据本公开内容的另一方面的显示装置的平面图。
图8是示出根据本公开内容的另一方面的显示装置的截面图。
具体实施方式
通过参考如下结合附图详细描述的本公开内容的实施方式,本公开内容的优点和特征以及实现本公开内容的优点和特征的方法将是明显的。然而,本公开内容不限于以下阐述的实施方式,而是可以以各种不同的形式实现。以下实施方式仅被提供用于完全公开本公开内容并且告知本领域技术人员本公开内容的范围,并且本公开内容仅由所附权利要求的范围限定。
另外,在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例,并且本公开内容不限于此。在整个说明书中,相似的附图标记通常表示相似的元件。此外,在本公开内容的以下描述中,当确定对并入本文中的已知功能和配置的详细描述可能使本公开内容的一些实施方式中的主题相当不清楚时,将省略该详细描述。本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“由……构成”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非该术语与术语“仅”一起使用。除非上下文另有明确指示,否则本文中使用的单数形式旨在包括复数形式。在解释本公开内容的实施方式的任何元件或特征时,应当认为,即使在没有进行具体描述时,层、区域和范围的任何尺寸和相对大小包括公差或误差范围。
空间相对术语例如“在……上”、“在……上方”、“上方”、“下方”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“上”、“靠近”、“接近”、“邻近”等可以在本文中用于描述如图所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系,并且应当解释为除非使用诸如“直接”、“仅”的术语,否则一个或更多个元件还可以“介于”这些元件之间。第一元件或层在第二元件或层“上”的位置、布置或设置不仅可以包括第一元件或层直接位于、布置或设置在第二元件或层上,而且可以包括第三元件或层介于第一元件或层和第二元件或层之间。在本文中,包括在本公开内容的实施方式中的两个或更多个元件被连接、组合、耦接、接触等的情况不仅可以包括两个或更多个元件之间的直接或物理连接、组合、耦接或接触,而且可以包括在两个或更多个元件之间介入另外的元件。
当在本文中使用诸如“第一”、“第二”等术语描述各种元件或部件时,应当认为,这些元件或部件不限于此。这些术语在本文中仅用于将元件与其他元件区分开。因此,在本公开内容的技术构思中,下面提到的第一元件可以是第二元件。
附图中所示的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的,因此,本公开内容的实施方式不必限于此。在下文中,将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。
图1示意性地示出了根据本公开内容的方面的显示装置。图2是示意性地示出包括在显示装置中的显示面板和光学传感器的截面图。图3示出了设置在显示面板的显示区域中的像素。
参照图1,显示装置100的整个表面或者大部分表面可以用作显示区域。显示区域可以包括第一区域DA和第二区域CA。在这种情况下,第一区域DA和第二区域CA都可以呈现图像,但是可以具有彼此不同的分辨率。例如,设置在第二区域CA中的多个第二像素的分辨率可以低于设置在第一区域DA中的多个第一像素的分辨率。可以允许与设置在第二区域CA中的多个第二像素的分辨率降低的程度相对应的足够量的光进入设置在第二区域CA中的一个或更多个传感器(41,42)。然而,本公开内容的实施方式不限于此。例如,如果第二区域CA具有足够的透光率,或者实现适当的噪声补偿算法,则第二区域CA的分辨率可以基本上等于第一区域DA的分辨率。
第二区域CA可以是设置有一个或更多个传感器(41,42)的区域。第二区域CA是与一个或更多个传感器交叠的区域;因此,可以具有比其中显示大多数图像的第一区域DA小的区域。每个传感器(41,42)可以包括图像传感器、接近传感器、照度传感器、手势传感器、运动传感器、指纹识别传感器和生物测定传感器中的至少一个。例如,第一传感器41可以是照度传感器,第二传感器42可以是用于捕获图像或视频的图像传感器;然而,本公开内容的实施方式不限于此。
第二区域CA可以放置在需要光进入的位置。例如,第二区域CA可以放置在显示区域的左上部分或右上部分中,或者跨显示区域的整个上部或大多数上部被放置。在这些情况下,这些部分的相应宽度可以根据期望的要求进行不同地改变。然而,本文中描述的实施方式不限于此。例如,第二区域CA可以放置在显示区域的中心区域或下部区域中。在下文中,第一区域DA可以被称为显示区域,并且第二区域CA可以被称为成像区域。
显示区域DA和成像区域CA各自可以包括一个或更多个像素阵列,在所述一个或更多个像素阵列中,布置有像素数据被写入的像素。为了确保足够的透光率,成像区域CA的每单位面积的像素数(例如,每英寸的像素,PPI)可以低于显示区域DA的PPI。
由于显示区域DA和成像区域CA两者均包括像素,因此可以在显示区域DA和成像区域CA上再现输入图像。显示区域DA和成像区域CA中的每个像素可以包括具有不同颜色的子像素,以实现具有颜色的图像。每个子像素可以是红色子像素(在下文中称为“R子像素”)、绿色子像素(在下文中称为“G子像素”)和蓝色子像素(在下文中称为“B子像素”)中的一个。尽管未示出,每个像素P还可以包括白色子像素(在下文中称为“W子像素”)。每个子像素可以包括像素电路和发光元件,例如发光二极管,更具体地,有机发光二极管(OLED)。
显示面板具有在X轴方向上的宽度、在Y轴方向上的长度以及在Z轴方向上的厚度。显示面板可以包括设置在基板10上或上方的电路层12以及设置在电路层12上或上方的发光元件层14。偏振层18可以设置在发光元件层14上或上方,并且盖玻璃20可以设置在偏振层18上或上方。
电路层12可以包括诸如数据线、栅极线和电力线的布线、连接至这样的布线的像素电路、连接至栅极线的栅极驱动器等。电路层12可以包括电路元件,例如实现为薄膜晶体管(TFT)的至少一个晶体管、电容器等。电路层12的布线和电路元件可以实现或设置在多个绝缘层、其间由绝缘层隔开的两个或更多个金属层、以及包括半导体材料的有源层中或者穿过多个绝缘层、其间由绝缘层隔开的两个或更多个金属层、以及包括半导体材料的有源层实现或设置。
发光元件层14可以包括由像素电路驱动的发光元件,例如发光二极管,更具体地,有机发光二极管(OLED)等。在一个实施方式中,发光元件可以实现为有机发光二极管(OLED)。OLED可以包括在阳极与阴极之间形成的有机材料层。有机材料层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL);然而,本公开内容的实施方式不限于此。当电压施加到OLED的阳极和阴极时,穿过空穴传输层(HTL)的空穴和穿过电子传输层(ETL)的电子可以移动到发光层(EML),然后形成激子。因此,可以从发光层(EML)发射可见光。发光元件层14可以被设置在选择性地透射红光、绿光和蓝光的相应波长的像素上或上方,并且还包括滤色器阵列。
发光元件层14可以被封装层覆盖。封装层可以具有其中交替地堆叠有机膜和无机膜的结构。在这种情况下,无机膜可以用于阻挡水分或氧气的渗透,并且有机膜可以用于使无机膜的表面变平。在具有由一个或更多个有机膜以及一个或更多个无机膜堆叠的多层的结构中,水分或氧气行进通过的路径可以变得比具有单层的结构中的路径更长,因此,可以有效地防止影响发光元件层14的水分/氧气的渗透。
偏振层18可以接合在发光元件层14或封装层上。偏振层18可以用于提高显示装置的户外可见性。偏振层18可以用于减少从显示面板的表面反射的光并且阻挡从电路层12的金属反射的光,以提高像素的亮度。偏振层18可以实现为线性偏振板18、其上接合有相位延迟膜的偏振板18、或圆形偏振板18。
根据本公开内容的方面的显示装置100可以包括设置在显示屏下方的光学传感器。光学传感器可以在捕获模式下捕获外部图像并提供静态和/或视频图像数据。光学传感器可以对应于成像区域CA并位于成像区域CA下方。在一个实施方式中,光学传感器的透镜30可以面向成像区域CA。外部光可以通过成像区域CA进入光学传感器的透镜,并且透镜30可以将光会聚到光学传感器。同时,在降低成像区域CA的分辨率以确保透光率的情况下,可以应用图像质量补偿算法以对成像区域CA中的像素的亮度和颜色坐标进行补偿。
根据本文中描述的实施方式,由于像素也被设置在成像区域CA中,因此可以实现全屏显示而不受由于光学传感器而导致的显示区域的限制。
如图3所示,显示区域DA可以包括以矩阵模式布置的像素。每个像素可以实现为包括构成一个像素的三原色的R、G和B子像素的实型像素。每个像素还可以包括在附图中省略的W子像素。此外,两个子像素可以使用子像素渲染算法构成一个像素。例如,第一像素PIX1可以由R和G子像素构成,并且第二像素PIX2可以由B和G子像素构成。可以通过相邻像素之间的对应颜色数据的平均值来补偿像素PIX1和PIX2中的每个像素中的颜色表示不足。
图4示出了根据本公开内容的方面的成像区域。图5是图4的部分A的放大图。
参照图4和图5,成像区域CA可以包括:彼此间隔开预定距离D1的一个或更多个像素组PG,每个像素组PG包括一个或更多个像素;以及设置在相邻像素组PG之间的一个或更多个透光区域AG。透光区域AG可以设置在像素之间。由此,更充足的外部光可以通过透光区域AG进入光学传感器的透镜。透光区域AG的形状以圆形形状示出;然而,本公开内容的实施方式不限于此。例如,透光区域AG可以设计成各种形状,例如圆形、椭圆形、多边形等。
透光区域AG可以包括具有高透光率的一种或更多种透明材料,以使光能够进入透光区域AG,使得入射光的损失最小化。例如,透光区域AG可以包括透明绝缘材料,而不包括金属线或像素。在一个实施方式中,像素的线TS可以设置在透光区域AG的外部。然而,本文中的实施方式不限于此;例如,金属电极材料可以保留在透光区域AG中的部分区域中。这样,通过透光区域入射到传感器上的光量可以增加,并且成像区域CA的透光率可以随着透光区域AG增加而增加。
每个像素组PG可以包括一个或两个像素。此外,每个像素可以包括两个到四个子像素。例如,每个像素组中的每个像素可以包括所有的R、G和B子像素,或者可以包括R、G和B子像素中的两个。根据实现方式,每个像素还可以包括W子像素。
透光区域AG之间的距离D3可以小于像素组PG之间的距离(例如,间距)D1。子像素之间的距离D2可以小于像素组PG之间的距离D1。
图6示出了根据本公开内容的方面的像素区域和透光区域的截面结构。
根据本文中描述的实施方式的显示装置100的截面结构不限于图6中的结构。图6示出像素电路的驱动晶体管DT。参照图6,电路层、发光元件层等可以堆叠在像素区域PIX中的至少一个基板(PI1,PI2)上或上方。基板可以包括第一PI基板PI1和第二PI基板PI2。无机膜IPD可以设置在第一PI基板PI1和第二PI基板PI2之间。无机膜IPD可以阻挡水分的渗透。
第一缓冲层BUF1可以设置在第二PI基板PI2上。第一金属层LS可以设置在第一缓冲层BUF1上,并且第二缓冲层BUF2可以设置在第一金属层LS上。第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2中的每一个可以由无机绝缘材料形成,并且可以包括一个或更多个绝缘层。
第一金属层LS可以在光刻工艺中被图案化。第一金属层LS可以包括光屏蔽图案。光屏蔽图案可以阻挡外部光,使得光不能照射到晶体管例如薄膜晶体管(TFT)的有源层,从而防止设置在像素区域中的TFT的光电流。当光屏蔽图案由具有与要从成像区域CA去除的金属层(例如,阴极电极)相比的较低的在激光烧蚀工艺中使用的激光波长的吸收系数的金属形成时,光屏蔽图案还可以用作在激光烧蚀工艺中阻挡相应的激光束LB的屏蔽层。
有源层ACT可以由第二缓冲层BUF2上的半导体材料形成并且通过光刻工艺被图案化。有源层ACT可以包括像素电路的一个或更多个TFT以及栅极驱动器的一个或更多个TFT中的每个TFT的有源图案。有源层ACT的一部分可以通过离子掺杂被金属化。金属化部分可以用作用于在像素电路的一些节点处连接金属层的跨接图案,从而连接像素电路的一个或更多个元件。
栅极绝缘层GI可以设置在第二缓冲层BUF2上以覆盖有源层ACT。栅极绝缘层GI可以由无机绝缘材料形成。
第二金属层GATE可以设置在栅极绝缘层GI上。第二金属层GATE可以通过光刻工艺被图案化。第二金属层GATE可以用作栅极线、栅电极、存储电容器Cst1的下电极、连接第一金属层LS和第三金属层TM的相应图案的跨接图案等。
第一层间绝缘层ILD1可以设置在栅极绝缘层GI上以覆盖第二金属层GATE。第三金属层TM可以设置在第一层间绝缘层ILD1上,并且第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第三金属层TM。第三金属层TM可以通过光刻工艺被图案化。第三金属层TM可以包括与存储电容器Cst1的上电极的金属图案相同的金属图案。第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2可以包括无机绝缘材料。
第四金属层SD1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上,并且无机绝缘层PAS1和第一平坦化层PLN1可以堆叠在第四金属层SD1和第二层间绝缘层ILD2中的至少一个上或上方。第五金属层SD2可以设置在第一平坦化层PLN1上。
第四金属层SD1的一个或更多个图案可以通过形成在第一平坦化层PLN1和无机绝缘层PAS1中的接触孔连接至第三金属层TM。第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2可以由使表面变平的有机绝缘材料形成。
第四金属层SD1可以包括TFT的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极通过形成在第二层间绝缘层ILD2中的接触孔连接至TFT的有源图案。数据线和电力线可以用第四金属层SD1或第五金属层SD2来实现。
作为发光元件OLED的第一电极层的阳极电极AND可以设置在第二平坦化层PLN2上。阳极电极AND可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的接触孔连接至驱动TFT的一个电极。阳极电极AND可以包括透明或半透明的电极材料。
像素限定膜BNK可以覆盖发光元件OLED的阳极电极AND。像素限定膜BNK可以形成为限定发光区域(或开口区域)的图案,光从每个像素通过该发光区域到达外部。间隔物SPC可以形成在像素限定膜BNK上。像素限定膜BNK和间隔物SPC可以用相同的有机绝缘材料集成。间隔物SPC能够在精细金属掩模(FMM)与阳极电极AND之间形成间隙,使得在有机化合物EL的沉积过程中FMM不能接触阳极电极AND。
有机化合物EL可以形成在由像素限定膜BNK限定的每个像素的发光区域中。在显示装置100中,作为发光元件OLED的第二电极层的阴极电极CAT可以被设置成覆盖像素限定膜BNK、间隔物SPC和有机化合物EL。在一个实施方式中,阴极电极CAT可以设置在显示装置100的整个表面或大部分表面中。阴极电极CAT可以连接至由下金属层中的任何一个形成的VSS线。盖层CPL可以覆盖阴极电极CAT。盖层(CPL)可以由无机绝缘材料形成,并且可以通过阻止施加在盖层CPL上的空气和有机绝缘材料的释气穿透到阴极电极CAT来保护阴极电极CAT。
封装层可以包括无机绝缘层PAS2和PAS3以及设置在无机绝缘层PAS2与PAS3之间的异物补偿层PCL。下无机绝缘层PAS2可以覆盖盖层CPL,并且异物补偿层PCL可以设置在下无机绝缘层PAS2上。异物补偿层PCL可以包括有机绝缘材料。上无机绝缘层PAS3可以设置在异物补偿层PCL上。
偏振板18可以设置在无机绝缘层PAS3上,以提高显示装置100的户外可见性。偏振板18可以减少从显示装置100表面反射的光,并阻挡从电路层12的金属反射的光,从而提高像素的亮度。参照图6,可以在透光区域AG中在偏振板18上形成第一透光图案18d。第一透光图案18d可以由于通过激光使偏振器18b的颜色变化而形成,或者可以通过部分去除偏振器18b而形成。
可以在透光区域AG中在阴极电极CAT中形成开口H1。通过在像素限定膜BNK上形成阴极电极CAT之后立即蚀刻阴极电极CAT和像素限定膜BNK来形成开口H1。因此,可以在像素限定膜BNK中形成第一凹槽RC1,并且可以在第一凹槽RC1上形成阴极电极CAT的开口H1。然而,本文中描述的实施方式不限于此。例如,像素限定膜BNK可以不设置在透光区域AG中,并且阴极电极CAT可以设置在第二平坦化层PLN2上。
在一些实施方式中,在透光区域AG中,第一透光图案18d可以设置在偏振板18中,并且开口H1可以形成在阴极电极中。由此,可以提高透光率。因此,由于允许足够量的光进入相机模块400,因此可以提高相机性能。此外,可以降低所捕获的图像数据的噪声。
图7是示出根据本公开内容的另一方面的显示装置的平面图。图8是显示装置的截面图。
根据本文中描述的实施方式的显示装置700可以包括第一区域DA、第二区域CA1和第三区域CA2。第一区域DA、第二区域CA1和第三区域CA2均是显示图像的区域,并且第三区域CA2是为进一步提高第二区域CA1的透光率而设置的区域。
第一区域DA和第二区域CA1基本上等同于参照图1讨论的以上描述。也就是说,第二区域CA1是与安装在显示装置中的各种传感器交叠的区域。如上所述,为了使进入基板下方的光学传感器的入射光量最大化,第二区域CA1的分辨率可以低于第一区域DA的分辨率。
本公开内容的发明人认识到,尽管通过允许第一区域和第二区域具有不同分辨率的这样的设计可以在一定程度上提高透光率,但是由于设置在第二区域CA1中的一些元件,透光率不能提高到一定水平以上。具体地,发现设置在第二区域CA1中的电路元件(TFT、电容器等)和布线充当提高透射率的障碍。因此,考虑通过改变设置在第二区域CA1中的元件的布置来进一步提高透射率的设计方案。这样的设计可以通过仅在第二区域CA1中设置发光元件和在第三区域CA2中设置驱动电路来实现。
如上所述,根据本文中描述的实施方式的显示装置700包括设置在第一区域DA中的多个第一像素、设置在被第一区域包围的第二区域CA1中的多个第二像素、以及设置在第一区域与第二区域之间的第三区域CA2中的多个第三像素。第三区域CA2可以包围第二区域CA1。在图7中,尽管第二区域CA1和第三区域CA2具有相同的平面形状(方形);然而,本公开内容的实施方式不限于此。例如,第二区域CA1和第三区域CA2在平面图中可以具有不同的形状。
第二区域CA1可以与光学传感器(例如,相机模块)交叠。在一个实施方式中,设置在第二区域CA1中的第二像素的密度可以低于设置在第一区域DA中的第一像素的密度,以使得能够建立一定水平的透射率。
可以在第二区域CA1中仅设置第二像素中的每个第二像素的发光元件LE2(例如,OLED),并且可以在与第二区域CA1不同的第三区域CA2中设置驱动第二像素中的每个第二像素的发光元件LE2的像素电路PC2。
参照图8,当发光元件和用于驱动发光元件的驱动电路设置在不同区域中时,该配置变得与发光元件和相关像素电路在区域内设置在一起的配置不同。具体地,根据本文中描述的实施方式的显示装置700还可以包括连接电极CNT,其用于连接在第二像素中的每个第二像素的发光元件LE2与对应于发光元件LE2的像素电路PC2。连接电极CNT可以电连接在第二区域CA1中的发光元件LE2与第三区域CA2中的用于驱动发光元件LE2的像素电路PC2之间。连接电极CNT可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明金属形成。
同时,如图4或图5所示,第二区域CA1可以包括设置在第二像素之间的透光区域AG。在一个实施方式中,包括在第二像素中的发光元件LE2的阴极CAT可以不设置在透光区域AG中。也就是说,这样的阴极可以在第二区域CA1中被图案化。
设置在第三区域CA2中的第三像素的密度可以与设置在第二区域CA1中的第二像素的密度相同。也就是说,第三区域CA2的分辨率可以低于第一区域DA的分辨率。本实施方式具有以下优点:提供足够的空间余量以设置用于驱动第二区域CA1中的发光元件的像素电路。然而,在另一实施方式中,设置在第三区域CA2中的第三像素的密度可以与设置在第一区域DA中的第一像素的密度相同,或者与第一区域DA和第二区域CA1的各自密度不同。
第三像素中的每个第三像素的发光元件LE3(例如,OLED)和驱动发光元件LE3的像素电路(未示出)可以位于第三区域CA2中。用于驱动第三像素中的每个第三像素的发光元件LE3的像素电路可以具有与用于驱动第二像素中的每个第二像素的发光元件LE2的像素电路PC2不同的结构。例如,第三区域CA2的像素电路可以具有6T1C结构,而第二区域CA1的像素电路可以具有7T1C结构。此外,由于第一区域DA的像素电路具有5T2C结构,因此所有三个区域可以具有不同的像素电路结构。
第三区域可以包括设置在第三像素之间的透光区域AG。在本实施方式中,包括在第三像素中的每个第三像素中的发光元件LE3的阴极CAT可以不设置在透光区域AG中。也就是说,阴极可以在第三区域CA2中被图案化。
在根据本公开内容的方面的显示装置中,由于通过上述配置允许足够量的光进入光学传感器,因此可以提高图像质量,并且可以降低所捕获的图像数据的噪声。
已经给出了以上描述以使本领域的任何技术人员能够实现和使用本发明,并且已经在特定应用及其要求的背景下提供了以上描述。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员而言将是明显的,并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下,本文中限定的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。尽管出于说明性目的描述了示例性实施方式,但是本领域技术人员将理解,在不脱离本公开内容的必要特征的情况下,各种修改和应用是可能的。例如,可以对示例性实施方式的特定部件进行各种修改。如本领域普通技术人员可以完全理解的那样,本公开内容的各种示例性实施方式的元件或特征可以部分地或全部地彼此结合或组合,并且可以在技术上以各种方式互锁和操作,并且各种示例性实施方式可以彼此独立地或彼此关联地执行。
本公开内容的保护范围应根据权利要求来解释,并且在权利要求的范围内的所有技术思想应被解释为包括在本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种显示装置,包括:
设置在第一区域中的多个第一像素;
设置在被所述第一区域包围的第二区域中的多个第二像素;以及
设置在所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域中的多个第三像素。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二区域与相机模块交叠,并且
其中,设置在所述第二区域中的所述第二像素的密度低于设置在所述第一区域中的所述第一像素的密度。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,设置在所述第三区域中的所述第三像素的密度与设置在所述第二区域中的所述第二像素的密度基本相同。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二像素中的每个第二像素仅包括发光元件。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,在所述第三区域中设置用于驱动所述第二像素中的每个第二像素的发光元件的像素电路。
6.根据权利要求5所述的显示装置,还包括连接电极,所述连接电极用于连接在所述第二区域中的发光元件和在所述第三区域中的与在所述第二区域中的所述发光元件对应的像素电路。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述连接电极由透明金属形成。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,用于驱动所述第二像素中的每个第二像素的发光元件的所述像素电路具有与用于驱动所述第三像素中的每个第三像素的发光元件的像素电路不同的结构。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第三像素中的每个第三像素的发光元件和用于驱动所述第三像素中的每个第三像素的所述发光元件的像素电路位于所述第三区域中。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二区域包括设置在所述第二像素之间的透光区域,并且
其中,在所述第二像素中的每个第二像素中包括的发光元件的阴极不设置在所述透光区域中。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第三区域包括设置在所述第三像素之间的透光区域,并且
其中,在所述第三像素中的每个第三像素中包括的发光元件的阴极不设置在所述透光区域中。
12.根据权利要求2所述的显示装置,其中,设置在所述第三区域中的所述第三像素的密度与设置在所述第一区域中的所述第一像素的密度相同。
CN202111405697.7A 2020-12-22 2021-11-24 显示装置 Pending CN114725163A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0180376 2020-12-22
KR1020200180376A KR20220089825A (ko) 2020-12-22 2020-12-22 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114725163A true CN114725163A (zh) 2022-07-08

Family

ID=81846928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111405697.7A Pending CN114725163A (zh) 2020-12-22 2021-11-24 显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US12120912B2 (zh)
KR (1) KR20220089825A (zh)
CN (1) CN114725163A (zh)
DE (1) DE102021134074A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230165108A1 (en) * 2021-01-21 2023-05-25 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device
WO2024029683A1 (ko) * 2022-08-01 2024-02-08 삼성전자 주식회사 디스플레이 아래에 카메라가 배치된 구조를 갖는 전자 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11063091B2 (en) * 2018-08-10 2021-07-13 Au Optronics Corporation Display panel
KR102776381B1 (ko) * 2020-04-02 2025-03-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11437408B2 (en) * 2020-05-15 2022-09-06 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
CN111584582B (zh) * 2020-05-15 2022-05-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及电子装置
CN111584591B (zh) * 2020-05-22 2023-03-28 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、驱动方法及显示装置
KR20210150903A (ko) * 2020-06-04 2021-12-13 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR20220070135A (ko) * 2020-11-20 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220115709A (ko) * 2021-02-09 2022-08-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20220199702A1 (en) 2022-06-23
DE102021134074A1 (de) 2022-06-23
KR20220089825A (ko) 2022-06-29
US20250008772A1 (en) 2025-01-02
US12120912B2 (en) 2024-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102664048B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US12069906B2 (en) Display device
US11737329B2 (en) Display apparatus having column spacer between emission panel and color panel
US20250008772A1 (en) Display Device
US20220045160A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US12189911B2 (en) Display device
US12262614B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20210138211A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20230153321A (ko) 유기발광 디스플레이 장치
US20220068830A1 (en) Display device including alignment pattern
KR102591727B1 (ko) 정전기 방지 다이오드 및 정전기 방지 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치
US20240315079A1 (en) DISPLAY PANEL HAVING AT LEAST ONE LlGHT-TRANSMITTING PORTION
US20240237399A1 (en) Display panel and display device including the same for light transmittance in light-transmitting areas and enhancing reliability of display panel
KR20240106481A (ko) 표시장치
US10978521B2 (en) Display device
KR20220088107A (ko) 표시 장치
KR20220092732A (ko) 디스플레이 장치
KR20250033489A (ko) 표시 장치
KR20220121968A (ko) 표시 장치
KR20210079071A (ko) 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination