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CN114624969A - 检测装置和方法、曝光装置、曝光系统和物品制造方法 - Google Patents

检测装置和方法、曝光装置、曝光系统和物品制造方法 Download PDF

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CN114624969A
CN114624969A CN202111460846.XA CN202111460846A CN114624969A CN 114624969 A CN114624969 A CN 114624969A CN 202111460846 A CN202111460846 A CN 202111460846A CN 114624969 A CN114624969 A CN 114624969A
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Abstract

本公开涉及检测装置和方法、曝光装置、曝光系统和物品制造方法。提供了一种检测在基板上形成的标记的检测装置。检测装置包括将光照射在由台保持的基板上的标记上并检测标记的图像的检测光学系统，以及基于标记的图像执行标记的检测过程的处理器。处理器基于标记的图像找到指示标记在检测光学系统的观察场中的位置的检测值，在观察场中的多个子区域中找到标记所在的子区域，以及基于分别为多个子区域预先确定的校正值中与找到的子区域对应的校正值来校正检测值。

Description

检测装置和方法、曝光装置、曝光系统和物品制造方法
技术领域
本发明涉及检测装置、检测方法、曝光装置、曝光系统和物品制造方法。
背景技术
半导体曝光装置上物体的对准通常是通过使用检测光学系统观察物体(例如，基板)上的对准标记并检测对准标记的位置来进行的。检测光学系统可以包括具有宽观察场的预对准光学系统和具有窄观察场但测量准确度高的精细对准光学系统。通过首先使用预对准光学系统进行预对准测量，粗略地对准标记的位置，然后使用精细对准光学系统进行精细对准测量，可以在宽观察场上以高测量准确度实现对准。近来，随着图像传感器的小型化和像素数的增加，可以通过使用预对准光学系统在维持宽观察场的同时实现高测量准确度。
另一方面，存在作为误差因素的散焦特性(defocus characteristic)，其可以包括在使用检测光学系统的对准测量中。散焦特性是表示在垂直于光轴的方向(XY方向)上检测到的位置(对准标记的测量值)取决于作为检测光学系统的光轴方向(Z方向)上的位置的聚焦位置的波动现象的特性。如果在具有散焦特性的情况下测量对准标记，那么对准标记在Z方向上的位置变化表现为测量方向上的变化，这可能会降低测量再现性。
日本专利公开No.10-022211公开了调整检测光轴和照明光轴以尽可能地防止散焦特性的发生。在日本专利公开No.10-022211中，关于参考调整标记来调整散焦特性，并且在实际对准的标记具有与调整标记相同的散焦特性的前提下检测位置。
在精细对准测量中，为了最小化散焦特性的影响，期望用聚焦在最佳聚焦位置的检测光学系统来测量对准标记。但是，当尝试使用具有宽观察场的预对准光学系统进行精细对准测量时，不可能聚焦在光学系统的整个观察场上。因此，即使观察场的中心是对焦的，光学系统的观察场的边缘也可能失焦。在这种情况下，不是在最佳聚焦状态下进行精细对准测量，并且可能存在由于散焦特性的影响而导致测量值偏离的问题。在工艺晶片(process wafer)中存在底层(underlayer)的情况下，因为观察场中心和边缘之间的焦点差异由于底层引起的间距而变大，因此散焦特性对测量值的影响显著。因此，在日本专利公开2005-285916中，在测量标记一次之后，移动晶片台使得标记位于光学系统的视场中心附近，并且再次进行精细对准测量。
在日本专利公开No.10-022211公开的技术中，由于不能跟踪对准标记位置的变化和观察场边缘处的散焦特性的变化，因此存在不能以高准确度进行对准的问题。此外，日本公开No.2005-285916中公开的方法需要一次移动晶片台以使得标记位于观察场中心附近的过程，并且具有需要长时间才能完成对准测量的问题。
发明内容
本发明提供例如在实现检测过程的准确度和速度两者方面有利的检测装置。
本发明在其第一方面提供了一种检测在基板上形成的标记的检测装置，包括在保持基板的同时移动的台、将光照射在由台保持的基板上的标记上并且检测标记的图像的检测光学系统，以及基于由检测光学系统检测到的标记的图像执行标记的检测过程的处理器，其中处理器被配置为基于由检测光学系统检测到的标记的图像找到指示标记在检测光学系统的观察场中的位置的检测值、在观察场中的多个子区域中找到标记所在的子区域，以及基于分别为多个子区域预先确定的校正值中与找到的子区域对应的校正值来校正检测值。
本发明在其第二方面提供了一种检测方法，用于使用检测光学系统来检测标记的位置，该检测光学系统将光照射在由台保持的基板上形成的标记上并检测标记的图像，该方法包括基于由检测光学系统检测到的标记的图像找到指示标记在检测光学系统的观察场中的位置的检测值、在观察场中的多个子区域中找到标记所在的子区域，以及基于分别为多个子区域预先确定的校正值中与找到的子区域对应的校正值来校正检测值。
本发明在其第三方面提供了一种对基板进行曝光的曝光装置，包括根据第一方面的检测装置，其中曝光装置在校正了检测装置对基板上形成的标记的检测结果之后对基板进行曝光。
本发明在其第四方面提供了一种曝光系统，其包括多个曝光装置，各个曝光装置具有根据第二方面的检测装置，其中关于在多个曝光装置之一中创建的间距(gap)的信息被多个曝光装置共享。
本发明在其第五方面提供了一种物品制造方法，包括使用根据第三方面的曝光装置或根据第四方面的曝光系统对基板进行曝光的第一步骤，以及对在第一步骤中曝光的基板进行显影的第二步骤，其中从在第二步骤中显影的基板制造物品。
根据以下示例性实施例的描述(参考附图)，本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出曝光装置的配置的图。
图2是示出检测光学系统的配置的图。
图3是示出预对准标记的示例的图。
图4是示出精细对准标记的示例的图。
图5是间距信息和散焦特性的测量过程的流程图。
图6是示出精细对准标记位于观察场中心的状态的图。
图7是例示在多个测量点中的各个测量点处测量最佳聚焦位置和散焦特性的过程的图。
图8是例示创建校正表的过程的图。
图9是精细对准测量值的校正过程的流程图。
图10是示出精细对准标记位于观察场边缘的状态的图。
图11是例示识别精细对准标记所属的子区域的过程的图。
图12是例示计算精细对准测量值的校正值的方法的图。
图13是在装置之间共享间距信息的曝光系统的配置图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述实施例。注意的是，以下实施例并非旨在限制要求保护的本发明的范围。实施例中描述了多个特征，但并不限于需要所有这些特征的发明，并且多个这样的特征可以适当组合。此外，在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相似的配置，并且省略对其的冗余描述。
<第一实施例>
图1是根据实施例的曝光装置的示意图。在本说明书和附图中，在以水平面为XY平面的XYZ坐标系中示出方向。一般而言，将要曝光的基板4放置在基板台6上，使得基板4的表面平行于水平面(XY平面)。因此，在下文中，在沿着基板4表面的平面内相互正交的方向被定义为X轴和Y轴，并且垂直于X轴和Y轴的方向被定义为Z轴。此外，在下文中，与XYZ坐标系中的X轴、Y轴、Z轴平行的方向分别被称为X方向、Y方向、Z方向，并且绕X轴的旋转方向、绕Y轴的旋转方向和绕Z轴的旋转方向分别被称为θx方向、θy方向和θz方向。
1.装置的配置
图1是示出根据实施例的应用了检测装置的曝光装置的配置的图。曝光装置1具有投影光学系统3，其投影形成在原稿板2上的图案(例如，电路图案)。此外，曝光装置1具有用于保持基板4的基板卡盘5和用于将基板4定位在预定位置处的基板台6。曝光装置1还包括检测光学系统7，其用光照射由基板台6保持的基板4的对准标记并检测对准标记的图像。图案和对准标记是在前面的过程中形成在基板4上的。
控制器CN综合控制曝光装置的各个单元。存储单元SU存储用于控制器CN执行曝光过程的程序和各种数据。控制器CN和存储单元SU可以被配置为包括CPU和存储器的计算机设备。此外，在本实施例中，特别地，控制器CN可以用作基于由检测光学系统7检测到的对准标记的图像执行对准标记检测过程的处理单元。
图2是示出检测光学系统7的配置的图。来自光源8的照明光被分束器9反射、穿过透镜10，并且照亮基板4上的预对准标记11。来自预对准标记11的衍射光穿过透镜10、分束器9和透镜13，并被传感器14接收。这里，预对准标记11被透镜10和透镜13以预定倍率放大，并被成像在传感器14上。常规上，为针对大范围的预对准测量和进行高精度测量的精细对准测量设置了不同的倍率，但是在本实施例中，“预定倍率”是可以适当地用于预对准测量和精细对准测量两者的倍率。
图3是示出预对准标记11的示例的图，以及图4是示出精细对准标记12的示例的图。预对准标记11和精细对准标记12的形状不限于附图中所示的那些。各个对准标记的形状可以取决于基板工艺所处的阶段等而变化。
虽然图2中没有具体示出，但是在检测光学系统7中配置了AF(自动对焦)系统(在下文中称为“OA-AF系统”)。利用该OA-AF系统，可以计算预对准标记11或精细对准标记12的最佳聚焦位置。
2.观察场中间距信息和散焦特性的测量
图5是包括在可以检测精细对准标记的观察场中测量间距信息和散焦特性的过程的曝光过程的流程图。根据该流程图的曝光过程例如可以在每个过程中对第一基板进行曝光时执行。
在步骤S501中，控制器CN控制基板传送器(未示出)以将基板传送到曝光装置1中。传送的基板由基板卡盘5保持。
在步骤S502中，控制器CN(处理单元)计算基板上的预对准标记11的位置作为预对准测量结果。此时，通过在基板中的多个拍摄区域中检测预对准标记11，计算整个基板的偏移量和一阶线性分量(倍率和/或旋转)。
在步骤S502中的预对准测量之后，在步骤S503中，控制器CN执行精细对准测量。这里，控制器CN基于预对准测量的结果将基板台6驱动到检测光学系统7能够观察到精细对准标记12的位置，并且在多个拍摄区域中检测精细对准标记12的位置。在图4的示例中，精细对准标记12具有其中多条线在X方向上以预定间隔布置的线和间隔(line-and-space)图案和其中多条线在Y方向上以预定间隔布置的线和间隔图案。当测量方向为X方向时，由检测光学系统7获取的精细对准标记12的图像在非测量方向(Y方向)上积分，以生成一维波形信号，并且对该信号进行处理以找出精细对准标记12在X方向上的位置。当测量方向为Y方向时，由检测光学系统7获取的精细对准标记12的图像在非测量方向(X方向)上积分，以生成一维波形信号，并且对该信号进行处理以找出精细对准标记12在Y方向上的位置。
控制器CN然后准确地计算整个基板的偏移量和线性分量(倍率和/或旋转)。此时，控制器CN可以通过在多个拍摄区域中测量精细对准标记12的位置来准确地计算基板的高阶变形分量。这使得可以在基板上的每个拍摄区域中计算标记的精确位置。
在步骤S504中，控制器CN使用OA-AF系统在检测光学系统7的观察场的中心处测量精细对准标记12的最佳聚焦位置(参考最佳聚焦测量)。图6示出了精细对准标记12布置在观察场的中心61处的状态。在观察场的中心61处测量的最佳聚焦位置被确定为间距的参考位置。在下文中，这被称为“参考最佳聚焦位置”，并且该值被存储在存储单元SU中。
在步骤S505中，控制器CN在观察场中的多个测量点中的各个测量点处测量最佳聚焦位置和散焦特性。散焦特性表示在垂直于光轴(Z方向)的方向(XY方向)上检测到的位置(精细对准标记12的测量值)取决于作为在检测光学系统7的光轴方向上的位置的聚焦位置(取决于散焦量)而波动的现象。在步骤S505中，控制器CN移动基板台6，使得精细对准标记12的中心与观察场中的多个测量点之一(例如，测量点71)重合，如图7中所示。之后，控制器CN使用OA-AF系统来测量精细对准标记12的最佳聚焦位置和散焦特性。接下来，控制器CN在箭头72的方向上移动基板台6，使得精细对准标记12的中心与下一个测量点重合，并测量精细对准标记12的最佳聚焦位置和散焦特性。类似地，在观察场中的多个测量点中的各个测量点处进行最佳聚焦位置和散焦特性的测量。
在步骤S506中，控制器CN计算作为各个测量点处的最佳聚焦位置与参考最佳聚焦位置之间的差的间距，并创建具有各个测量点处的间距值的间距信息。此外，控制器CN基于各个测量点处的间距和散焦特性获得校正值。例如，如图8中所示，控制器CN针对各个测量点获得间距和散焦特性的乘积作为校正值。控制器CN使用针对多个测量点中的各个测量点获得的校正值来创建显示多个测量点的位置(XY坐标值)与校正值之间的对应关系的校正表。由于针对精细对准标记12的每个测量方向(X方向、Y方向)测量散焦特性，因此可以创建X方向上的校正表和Y方向上的校正表。创建的校正表存储在存储单元SU中。上述步骤S502至S506为校正表创建过程。
在步骤S507中，控制器CN对基板的各个拍摄区域进行曝光。在步骤S508中，控制器CN控制基板传送器(未示出)以将基板传送出曝光装置。
如上所述，根据该流程图的曝光过程例如在每个过程中对第一基板进行曝光时执行，但是在精细对准标记12改变或者测量点的位置改变的情况下，可以重新创建校正表。
3.精细对准测量值的校正过程
图9是涉及精细对准测量值的校正过程的曝光过程的流程图。根据该流程图的曝光过程可以在对基板进行曝光时执行，而不是在执行涉及上述间距信息和散焦特性的测量的曝光过程时执行。
在步骤S901中，控制器CN控制基板传送器(未示出)以将基板传送到曝光装置1中。转移的基板由基板卡盘5保持。
在步骤S902中，控制器CN测量精细对准标记12的位置而不进行预对准，即不将精细对准标记12对准在视场的中心处。通过该位置测量，可以获得指示精细对准标记12在检测光学系统7的观察场中的位置的检测值(精细对准测量值)。由于没有进行预对准，因此不能保证如图6中所示的精细对准标记12将设置在检测光学系统7的观察场的中心处。因此，如图10中所示，可能出现精细对准标记12布置在偏离观察场中心的位置处的情况。
检测光学系统7的观察场可以被划分为多个子区域，各个子区域以多个测量点中的各个测量点为中心。在图11的示例中，观察场具有用R1至R12表示的12个子区域，并且各个子区域中示出了测量点的XY坐标值和校正值。在实施例中，多个子区域中的各个子区域可以具有包括精细对准标记12的尺寸。但是，多个子区域中的各个子区域的尺寸不限于与精细对准标记12相关联的具体尺寸。在另一个实施例中，多个子区域中的各个子区域可以小于精细对准标记12。在步骤S903中，控制器CN基于在步骤S902中测量的精细对准标记12的XY坐标值，在多个子区域R1至R12中识别出精细对准标记12所在的一个/多个子区域。在图11的示例中，精细对位标记12所在的子区域为R1、R2、R7和R8。精细对准标记12被四个点包围，即子区域R1的测量点(x1，y1)、子区域R2的测量点(x2，y2)、子区域R7的测量点(x7，y7)以及子区域R8的测量点(x8，y8)。
在步骤S904和步骤S905中，控制器CN基于各自针对多个子区域中的各个子区域预先确定的多个校正值中在步骤S903中获得的一个/多个子区域的一个/多个校正值来校正对准测量值。例如，在步骤S904中，控制器CN使用步骤S903中指定的一个/多个子区域的一个/多个测量点的一个/多个校正值来计算作为标记检测结果的精细对准测量值的校正值。
如上所述，在本实施例中，多个子区域中的各个子区域具有能够包括精细对准标记12的尺寸。当精细对准标记12的中心与一个子区域的中心重合时，可以将该子区域中预设的校正值取为精细对准标记12的校正值。如果精细对准标记12的中心不与一个子区域的中心重合，那么精细对准标记12将跨越两个或更多个子区域。图11中示出的示例表示这种情况。在这种情况下，通过对在步骤S903中指定的子区域的测量点的校正值取加权平均，获得精细对准测量值的校正值。
将参考图12描述计算精细对准测量值的校正值的方法。这里，令精细对准标记12的中心为M1。此外，令精细对准标记12所属的子区域R1、R2、R7和R8的校正值1、2、7和8分别为C1(xc1，yc1)、C2(xc2，yc2)、C7(xc7，yc7)和C8(xc8，yc8)。首先，控制器CN找到精细对准标记12的中心M1所在的子区域(第一子区域)。在图12的示例中，精细对准标记12的中心M1所在的子区域为子区域R1。接下来，控制器CN通过利用根据精细对准标记12的中心M1与子区域R1的中心之间的未对准量的权重取子区域R1、R2、R7和R8的预定校正值的加权平均来找到校正值。根据精细对准标记12的中心M1与子区域R1的中心之间的未对准量，可以获得在以围绕中心M1的测量点为顶点的矩形区域中表示M1在X方向上的位置的比率和表示M1在Y方向上的位置的比率b。如上所述，由于针对每个测量方向创建了校正表，因此也针对X方向和Y方向获得经校正的校正值。X方向上针对精细对准标记12的经校正的校正值通过使用以下公式获得。
(1-b)*(xc1*(1-a)+xc2*a)+b*(xc7*a+xc8*(1-a))
此外，Y方向上针对精细对准标记12的经校正的校正值通过使用以下公式获得。
(1-a)*(yc1*(1-b)+yc8*b)+a*(yc7*b+yc2*(1-b))
接下来，在步骤S905中，控制器CN使用在步骤S904中计算出的经校正的校正值来校正精细对准测量值。注意的是，在步骤S904中计算出的经校正的校正值不限于加权平均值。例如，当各个校正值的测量准确度低时，可以使用利用校正值表的平面近似。在完成精细对准测量值的校正之后，控制器CN根据经校正的精细对准测量值精确地计算整个基板的偏移量和一阶线性分量(倍率和/或旋转)。
接下来，在步骤S906中，控制器CN对基板的各个拍摄区域进行曝光。在步骤S907中，控制器CN控制基板传送器(未示出)以将基板传送出曝光装置。
根据上述曝光过程，不进行将精细对准标记12与观察场中心对准的过程，并且即使精细对准标记12在其位于检测光学系统7的观察场边缘时被测量，也可以在不受散焦特性影响的情况下进行高度准确的测量。
应该注意的是，本实施例可以应用于图像检测方法和衍射光检测方法。
<第二实施例>
在上述第一实施例中，已经描述了针对每个过程创建校正表并在曝光时使用校正表来校正精细对准测量值的方法。在第二实施例中，将描述在创建校正表时在装置之间共享间距信息。
图13是在多个曝光装置之间共享间距信息的曝光系统的配置图。曝光系统包括多个曝光装置，各个曝光装置具有上述检测装置。存在围绕精细对准标记12的间距信息对于相同的过程稳定的情况。在这种情况下，不用以相同的方式在第一曝光装置(装置A)和第二曝光装置(装置B)中的每一个中在多个测量点处执行最佳聚焦测量，通过装置A中的测量获得的间距信息可以在装置B中使用。通过装置A中的测量生成的间距信息存储在外部存储装置中。装置B可以访问外部存储装置以获取和使用相同过程的间距信息。
通过以这种方式在多个曝光装置之间共享间距信息，装置B可以省略在多个测量点处的最佳聚焦测量，并且可以预期生产率的提高。
<物品制造方法的实施例>
根据本发明的实施例的物品制造方法例如适用于制造诸如微器件(诸如半导体器件)和具有精细结构的元件之类的物品。本实施例的物品制造方法包括通过使用上述曝光装置在施加到基板的感光剂上形成潜像图案的步骤(曝光基板的步骤)，以及对在上述步骤中在上面形成潜像图案的基板进行显影的步骤。此外，这样的制造方法包括其它众所周知的步骤(氧化、成膜、气相沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、接合、封装等)。与常规方法相比，本实施例的物品制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个方面是有利的。
<其它实施例>
本发明的(一个或多个)实施例还可以通过读出并执行记录在存储介质(其也可以被更完整地称为“非暂态计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能的一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机来实现，以及通过由系统或装置的计算机通过例如从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能而执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络，以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供给计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储装置、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)TM)、闪存设备、存储卡等中的一个或多个。
本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应该理解的是，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最广泛的解释以便涵盖所有此类修改以及等同的结构和功能。

Claims (9)

1.一种检测装置，所述检测装置检测在基板上形成的标记，包括：
在保持基板的同时移动的台；
检测光学系统，将光照射在由台保持的基板上的标记上并且检测标记的图像；以及
处理器，基于由检测光学系统检测到的标记的图像，执行标记的检测过程，
其中处理器被配置为：
基于由检测光学系统检测到的标记的图像，找到指示标记在检测光学系统的观察场中的位置的检测值，
在观察场中的多个子区域中找到标记所在的子区域，以及
基于分别为所述多个子区域预先确定的校正值中与找到的子区域对应的校正值，校正所述检测值。
2.根据权利要求1所述的检测装置，其中，在所述标记跨越两个或更多个子区域的情况下，所述处理器被配置为：
找到第一子区域，该第一子区域是其中存在标记的中心的子区域，
通过使用取决于标记的中心和第一子区域的中心之间的位置偏移量的权重，取各自针对所述两个或更多个子区域中的各个子区域预先确定的校正值的加权平均，找到经校正的校正值，以及
使用经校正的校正值，校正所述检测值。
3.根据权利要求1所述的检测装置，其中所述控制器被配置为：
执行创建校正表的创建过程，所述校正表示出了多个测量点的位置与分别为所述多个子区域设置的校正值之间的关系，以及
基于通过创建过程预先创建的校正表，分别找到针对所述多个子区域的校正值，以及
所述创建过程包括：
在检测光学系统的观察场的中心处测量精细对准标记的最佳聚焦位置，并将测量的最佳聚焦位置确定为参考位置，
在所述多个测量点中的各个测量点处测量精细对准标记的最佳聚焦位置和散焦特性，
找到作为测量的最佳聚焦位置和参考位置之间的差的间距，以及基于所述多个测量点中的各个测量点的散焦特性的校正值，以及
使用各自为所述多个测量点中的各个测量点找到的校正值，创建校正表。
4.根据权利要求3所述的检测装置，其中所述创建过程还包括进行预对准测量和在预对准测量之后的精细对准测量的过程，以及
在基于精细对准测量的结果移动台之后，在检测光学系统的观察场的中心处进行精细对准标记的最佳聚焦位置的测量。
5.根据权利要求3所述的检测装置，其中所述散焦特性示出了精细对准标记的测量值取决于检测光学系统的散焦量而波动的现象。
6.一种检测方法，用于使用检测光学系统来检测标记的位置，所述检测光学系统将光照射在由台保持的基板上形成的标记上并检测标记的图像，所述方法包括：
基于由检测光学系统检测到的标记的图像，找到指示标记在检测光学系统的观察场中的位置的检测值；
在观察场中的多个子区域中找到标记所在的子区域；以及
基于分别为所述多个子区域预先确定的校正值中与找到的子区域对应的校正值，校正所述检测值。
7.一种曝光装置，所述曝光装置对基板进行曝光，包括：
根据权利要求1所述的检测装置，
其中曝光装置在通过检测装置校正了对基板上形成的标记的检测结果之后对基板进行曝光。
8.一种曝光系统，包括多个曝光装置，各个曝光装置具有根据权利要求3所述的检测装置，其中关于在所述多个曝光装置中的一个曝光装置中创建的间距的信息被所述多个曝光装置共享。
9.一种物品制造方法，包括：
使用根据权利要求7所述的曝光装置或根据权利要求8所述的曝光系统对基板进行曝光的第一步骤；以及
对在第一步骤中曝光的基板进行显影的第二步骤，
其中从在第二步骤中显影的基板制造物品。
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