CN114551514A - 透明显示装置 - Google Patents
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Abstract
透明显示装置可以提高透光率。该透明显示装置包括:基板,其设置有显示区域,在该显示区域上设置有多个子像素;第一非显示区域,其设置在所述显示区域的第一侧;以及第二非显示区域,其设置在面向所述第一侧的第二侧;第一公共电源电极,其从所述第一非显示区域沿第一方向延伸;第二公共电源电极,其从所述第二非显示区域沿第一方向延伸;以及初始化线,其从所述显示区域沿第二方向延伸,将所述第一公共电源电极与所述第二公共电源电极电连接,并且向所述多个子像素中的每一个提供初始化电压。
Description
技术领域
本发明涉及一种透明显示装置。
背景技术
随着面向信息社会的进步,对显示图像的显示装置的需求已经以各种形式增加。近来,诸如液晶显示器(LCD)器件、等离子体显示面板(PDP)器件、有机发光显示器(OLED)器件和量子点发光显示器(QLED)器件的各种类型的显示器件已被广泛使用。
近来,正在积极地进行对透明显示装置的研究,透明显示装置用于允许用户在透过显示装置之后查看布置在显示装置的相反侧上的对象或图像。
一种透明显示装置包括:显示区域,在该显示区域上显示图像;以及非显示区域,其中,所述显示区域可以包括透射外部光的透射区域和非透射区域。透明显示装置可以在显示区域中通过透射区域具有高透光率。
然而,当多条信号线设置在非透射区域中时,透明显示装置在提高透光率方面具有局限性。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而提出的,并且本发明的目的是提供一种可以提高透光率的透明显示装置。
除了如上所述的本公开的技术益处之外,本领域技术人员将从本公开的以下描述中清楚地理解本公开的附加技术益处和特征。
根据本公开的一个方面,可以通过提供一种透明显示装置来实现上述和其他技术益处,所述透明显示装置包括:基板,其设置有显示区域,在所述显示区域上布置有多个子像素;第一非显示区域,其布置在所述显示区域的第一侧;以及第二非显示区域,其布置在面向所述第一侧的第二侧;第一公共电源电极,其沿第一方向从所述第一非显示区域延伸;第二公共电源电极,其沿第一方向从所述第二非显示区域延伸;以及初始化线,其沿第二方向从所述显示区域延伸,将第一公共电源电极与第二公共电源电极电连接,并向多个子像素中的每一个提供初始化电压。
根据本公开的另一方面,上述和其它技术优点可通过提供一种透明显示装置来实现,该透明显示装置包括:基板,其设置有透射区域和非透射区域,多个子像素设置在该非透射区域上;第一信号线,其设置在非透射区域中,接收在初始化时段施加的初始化电压并接收在发光时段施加的第一电源电压;第二信号线,其设置在非透射区域中,接收在初始化时段施加的参考电压;以及第三信号线,其设置为与第一信号线间隔开,且透射区域插入第三信号线和第一信号线之间,接收在发光时段施加的第二电源电压。在第一层上设置第一信号线和第三信号线,并且在不同于第一层的第二层上设置第二信号线。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中将更清楚地理解本公开的以上和其他目的,特征和其他优点,在附图中:
图1是示出根据本公开的一个实施方式的透明显示装置的透视图;
图2是示出根据本公开的一个实施方式的透明显示面板的示意性平面图;
图3是示出图2的区域A的放大图;
图4是示出像素电路的示例的电路图;
图5是示出初始化时段的信号流的视图;
图6是示出感测时段的信号流的视图;
图7是示出在发光时段的信号流的视图;
图8是示出图4所示的像素电路的操作定时的示例的视图;
图9是沿图3的线I-I'截取的截面图;
图10是沿图3的线II-II'截取的截面图;
图11是示出图2的区域B的放大图;
图12是沿图11的线III-III'截取的截面图;
图13是示出基于线宽的电压偏差的曲线图;以及
图14是示出基于电压偏差的电流变化的曲线图。
具体实施方式
本公开的优点和特征及其实现方法将通过以下参照附图描述的实施方式来阐明。然而,本公开可以以不同的形式实施,并且不应当被解释为限于这里阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式是为了使本公开彻底和完整,并将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。
在用于描述本公开的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例,因此,本公开不限于所示的细节。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。在以下描述中,当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊了本公开的要点时,将省略该详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,可以添加另一部分,除非使用“仅~”。单数形式的术语可以包括复数形式,除非相反地提及。
在构造元素时,该元素被解释为包括误差范围,尽管没有明确的描述。
在描述位置关系时,例如,当位置关系被描述为“在……之上”、“在……上方”、“在……之下”和“紧挨着……”时,一个或多个部分可以布置在两个其它部分之间,除非使用“仅”或“直接”。
应当理解,虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可用于描述各种元件,但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开的元件时,可以使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在从其它元素中区分对应元素,并且对应元素的基础、顺序或数目不受这些术语的限制。元件“连接”或“联接”到另一元件的表述应理解为该元件可直接连接或联接到另一元件,但可直接连接或联接到另一元件,除非特别提及,或第三元件可插入在相应元件之间。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合,并且可以彼此不同地互操作并且在技术上被驱动,如本领域技术人员可以充分理解的。本公开的实施方式可以彼此独立地执行,或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开的透明显示装置的示例。只要可能,在所有附图中使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。
图1是示出根据本公开的一个实施方式的透明显示装置的透视图。
在下文中,X轴表示与扫描线平行的线,Y轴表示与数据线平行的线,Z轴表示透明显示装置100的高度方向。
虽然已经基于将根据本公开的一个实施方式的透明显示装置100实现为有机发光显示装置进行了描述,但是透明显示装置100可以实现为液晶显示装置、等离子体显示面板(PDP)、量子点发光显示器(QLED)或电泳显示装置。
参照图1,根据本公开的一个实施方式的透明显示装置100包括透明显示面板110、源驱动集成电路(IC)210、柔性膜220、电路板230和定时控制器240。
透明显示面板110包括彼此面对的第一基板111和第二基板112。第二基板112可以是封装基板。第一基板111可以是使用半导体工艺形成的塑料膜、玻璃基板或硅晶片基板。第二基板112可以是塑料膜、玻璃基板或封装膜。第一基板111和第二基板112可以由透明材料制成。
扫描驱动器可以通过面板中的选通驱动器(GIP)方法设置在透明显示面板110的显示区域的一侧,或者透明显示面板110的两个外围侧的非显示区域中。以另一种方式,扫描驱动器可以制造在驱动芯片中,可以安装在柔性膜上,并且可以通过带自动接合(TAB)方法附着到透明显示面板110的显示区域的一个外围侧或两个外围侧。
如果源驱动IC 210在驱动芯片中制造,则源驱动IC 210可以通过片上芯片(COF)方法或塑料上芯片(COP)方法安装在柔性膜220上。
可以在透明显示面板110的焊盘区域PA中设置焊盘,例如电源焊盘和数据焊盘。连接焊盘与源驱动IC 210的线和连接焊盘与电路板230的线的线可以设置在柔性膜220中。柔性膜220可以使用各向异性导电膜附着到焊盘上,由此焊盘可以与柔性膜220的线连接。
图2是示出根据本公开的一个实施方式的透明显示面板的示意性平面图,并且图3是示出图2的区域A的放大图。
参照图2和图3,透明显示面板110可包括设置有像素P以显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。
显示区域DA包括透射区域TA和非透射区域NTA。透射区域TA是大部分外部入射光通过的区域,非透射区域NTA是大部分外部入射光不能通过的区域。例如,透射区域TA可以是透光率大于α%(例如约90%)的区域,非透射区域NTA可以是透光率小于β%(例如约50%)的区域。此时,α大于β。由于透射区域TA,用户可以观看布置在透明显示面板110的后表面上的对象或背景。
非透射区域NTA可以设置有多个像素P和用于向多个像素P中的每一个提供信号的多条第一信号线。多条信号线可以以像素电源线VDDL、初始化线ViniL、参考线、数据线和扫描线SL设置。
扫描线SL可以在第一方向(例如,X轴方向)上延伸,并且可以与显示区域DA中的像素电源线VDDL、初始化线ViniL、参考线和数据线交叉。
像素电源线VDDL、初始化线ViniL、参考线和数据线可以从显示区域DA沿第二方向(例如,Y轴方向)延伸。此时,像素电源线VDDL和初始化线ViniL可以交替地设置在显示区域DA中。透射区域TA可以设置在像素电源线VDDL和初始化线ViniL之间。
像素P通过发射预定光来显示图像。发光区域EA可以对应于从像素P发射光的区域。
每个像素P可以包括第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。第一子像素P1可以包括发射绿色光的第一发光区域EA1。第二子像素P2可以包括发射红色光的第二发光区域EA2。第三子像素P3可以包括发射蓝色光的第三发光区域EA3。然而,发光区域不限于该示例。每个像素P还可以包括发射白色光的第四子像素。此外,子像素P1、P2和P3的排列顺序可以以各种方式改变。
在下文中,为了便于描述,将基于第一子像素P1是发射绿色光的绿色子像素,第二子像素P2是发射红色光的红色子像素,以及第三子像素P3是发射蓝色光的蓝色子像素给出描述。
第一子像素P1和第三子像素P3中的每一个可以被设置为与第一交叉区域和第二交叉区域中的任何一个交叠,在第一交叉区域中初始化线ViniL和扫描线SL彼此交叉,在第二交叉区域中像素电源线VDDL和扫描线SL彼此交叉。
例如,如图3所示,第一子像素P1的至少一部分可以设置成与初始化线ViniL和扫描线SL彼此交叉的第一交叉区域交叠,第三子像素P3的至少一部分可以设置成与像素电源线VDDL和扫描线SL彼此交叉的第二交叉区域交叠。然而,本公开不限于该示例。第一子像素P1的至少一部分可以与第二交叉区域交叠,第三子像素P3的至少一部分可以与第一交叉区域交叠。而且,第一子像素P1和第三子像素P3可以交替地沿着初始化线ViniL或像素电源线VDDL设置。
第二子像素P2可以设置在第一交叉区域和第二交叉区域之间。例如,第二子像素P2可以设置在第一子像素P1和第三子像素P3之间。此时,第二子像素P2的至少一部分可以与扫描线SL交叠。
例如,每个子像素P1、P2和P3可以基于十个晶体管来实现。
在下文中,将参照图4至图8基于像素P1、P2和P3中的每一个包括但不限于10T1C像素电路给出描述。根据本公开的一个实施方式,可以将用于向驱动晶体管DT和/或发光二极管提供初始化电压的各种像素电路应用于子像素P1、P2和P3。
图4是示出像素电路的示例的电路图,图5是示出初始化时段的信号流的示图,图6是示出感测时段的信号流的示图,图7是示出发光时段的信号流的示图,图8是示出图4所示的像素电路的操作定时的示例的示图。
参照图4至图8,根据本公开的一个实施方式的子像素P1、P2和P3中的每一个可以包括多个开关晶体管T1至T9、驱动晶体管DT、电容器Cst和发光二极管ED。
第一晶体管T1的栅极可以连接到第(n-1)扫描线SL[n-1],并且第一晶体管T1的第一电极可以连接到初始化线ViniL。而且,第一晶体管T1的第二电极可以连接到电容器Cst的一端、第三晶体管T3的第二电极和驱动晶体管DT的栅极。
第一晶体管T1可以响应于通过第n-1扫描线SL[n-1]施加的低电平的扫描信号SCAN[n-1]而导通。当第一晶体管T1导通时,可以基于初始化电压Vini来初始化驱动晶体管DT的栅极节点DRG。
第二晶体管T2的栅极可以连接到第n扫描线SL[n],并且第二晶体管T2的第一电极可以连接到发光二极管ED的阳极。而且,第二晶体管T2的第二电极可以连接到初始化线ViniL。
第二晶体管T2可以响应于通过第n扫描线SL[n]施加的低电平的扫描信号SCAN[n]而导通。当第二晶体管T2导通时,可以基于初始化电压Vini来初始化发光二极管ED。
第三晶体管T3的栅极可以连接到第n扫描线SL[n],并且第三晶体管T3的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极。此外,第三晶体管T3的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅极。
第三晶体管T3可以响应于通过第n扫描线SL[n]施加的低电平的扫描信号SCAN[n]而导通。当第三晶体管T3导通时,驱动晶体管DT可以是二极管连接状态。
第四晶体管T4的栅极可以连接到第n扫描线SL[n],并且第四晶体管T4的第一电极可以连接到第五晶体管T5的第二电极和驱动晶体管DT的源节点DRS。此外,第四晶体管T4的第二电极可以连接到数据线DL。
第四晶体管T4可以响应于通过第n扫描线SL[n]施加的低电平的扫描信号SCAN[n]而导通。当第四晶体管T4导通时,通过数据线DL施加的数据电压Vdata可以在第四晶体管T4的第二电极中充电。
第五晶体管T5的栅极可以连接到第n发光控制线EML[n],并且第五晶体管T5的第一电极可以连接到像素电源线VDDL和第七晶体管T7的第一电极。此外,第五晶体管T5的第二电极可以连接到第四晶体管T4的第一电极。
第五晶体管T5可以响应于通过第(n)发光控制线EML[n]施加的低电平的发光控制信号EM[n]而导通。当第五晶体管T5导通时,在第四晶体管T4的第二电极中充电的数据电压Vdata可以通过第七晶体管T7传输到电容器Cst的另一端。
第六晶体管T6的栅极可以连接到第n发光控制线EML[n],并且第六晶体管T6的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极。此外,第六晶体管T6的第二电极可以连接到发光二极管ED的阳极。
第六晶体管T6可以响应于通过第(n)发光控制线EML[n]施加的低电平的发光控制信号EM[n]而导通。当第六晶体管T6导通时,发光二极管ED可以响应于通过驱动晶体管DT产生的驱动电流而发光。
第七晶体管T7的栅极可以连接到第n发光控制线EML[n],并且第七晶体管T7的第一电极可以连接到像素电源线VDDL和第五晶体管T5的第一电极。而且,第七晶体管T7的第二电极可以连接到电容器Cst的另一端。
第七晶体管T7可以响应于通过第(n)发光控制线EML[n]施加的低电平的发光控制信号EM[n]而导通。当第七晶体管T7导通时,在第四晶体管T4的第二电极中充电的数据电压Vdata可以在经过第五晶体管T5之后被传输到电容器Cst的另一端。
电容器Cst的一端可以连接到第一晶体管T1的第二电极,电容器Cst的另一端可以连接到第七晶体管T7的第二电极。设置在第七晶体管T7的第二电极中和电容器Cst的另一端的节点可以被定义为参考电压传输节点RVN,参考电压Vref被传输到该参考电压传输节点RVN。有机发光二极管OLED的阳极可以连接到第六晶体管T6的第二电极,并且有机发光二极管OLED的阴极可以连接到公共电源电极VSS。
同时,每个子像素P1、P2和P3还可以包括第八晶体管T8和第九晶体管T9。
第八晶体管T8的栅极可以连接到第(n-1)扫描线SL[n-1],第八晶体管T8的第一电极可以连接到参考电压线REFL,并且第八晶体管T8的第二电极可以连接到参考电压传输节点RVN。
第八晶体管T8可以响应于通过第n-1扫描线SL[n-1]施加的低电平的扫描信号SCAN[n-1]而导通。当第八晶体管T8导通时,参考电压Vref可传输到电容器Cst的另一端。
第九晶体管T9的栅极可以连接到第n扫描线SL[n],第九晶体管T9的第一电极可以连接到参考电压线REFL,并且第九晶体管T9的第二电极可以连接到参考电压传输节点RVN。
第九晶体管T9可以响应于通过第n扫描线SL[n]施加的低电平的扫描信号SCAN[n]而导通。当第九晶体管T9导通时,参考电压Vref可传输到电容器Cst的另一端。
根据本公开的一个实施方式的子像素P1、P2和P3可以按照初始化时段INI、采样时段SAM、保持时段HLD和发光时段EM的顺序操作。初始化时段INI是用于初始化驱动晶体管DT的栅极节点DRG的时段。采样时段SAM是用于对驱动晶体管DT的阈值电压采样的同时初始化有机发光二极管OLED的时段。保持时段HLD是用于在特定节点中保持通过数据线DL施加的数据电压Vdata的时段。发光时段EM是允许有机发光二极管OLED基于根据数据电压产生的驱动电流发光的时段。
当低电平的发光控制信号未被施加到第n发光控制线EML[n]时,根据本公开的一个实施方式的子像素P1、P2和P3可以具有初始化时段INI、采样时段SAM和保持时段HLD。因此,根据本公开的一个实施方式,可以在子像素P1、P2和P3中进行基于内部电路的补偿。
第一晶体管T1可以响应于低电平的扫描信号SCAN[n-1]而导通,该扫描信号SCAN[n-1]在初始化时段INI通过第n-1扫描线SL[n-1]施加。此时,可以将初始化电压Vini施加到初始化线ViniL,并且可以基于如图5所示的初始化电压Vini来初始化驱动晶体管DT的栅极节点DRG。
同时,第八晶体管T8可以响应于低电平的扫描信号SCAN[n-1]而导通,该低电平的扫描信号SCAN[n-1]在初始化时段INI通过第n-1扫描线SL[n-1]施加。此时,高于初始化电压Vini的参考电压Vref可施加到参考线REFL,且可通过第八晶体管T8施加到参考电压传输节点RVN,如图5中所示。
第二晶体管T2、第三晶体管T3和第四晶体管T4可以响应于低电平的扫描信号SCAN[n]而导通,该扫描信号SCAN[n]在采样时段通过第n扫描线SL[n]施加。可以通过第二晶体管T2的导通操作基于初始化电压Vini来初始化发光二极管ED。通过第三晶体管T3的导通操作,驱动晶体管DT可以是二极管连接状态。此外,可以对驱动晶体管DT的阈值电压进行采样。
通过数据线DL施加的数据电压Vdata可以通过第四晶体管T4的导通操作施加到驱动晶体管DT的源极节点DRS。施加到驱动晶体管DT的源极节点DRS的数据电压Vdata可以通过第三晶体管T3在栅极节点DRG中充电,如图6所示。
同时,响应于通过第n扫描线SL[n]施加的低电平的扫描信号SCAN[n],第九晶体管T9可以在采样时段SAM导通。此时,高于初始化电压Vini的参考电压Vref可以施加到参考线REFL,并且可以通过第九晶体管T9施加到参考电压传输节点RVN,如图6所示。
第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以响应于低电平的发光控制信号EM[n]而导通,该低电平的发光控制信号EM[n]在发射周期EM通过第n发光控制线EML[n]施加。此时,可将像素电源电压Vdd施加到像素电源线VDDL。当第五晶体管T5在发光时段EM导通时,像素电源电压Vdd可以施加到驱动晶体管DT的源极节点DRS。因此,基于驱动晶体管DT的栅极节点DRG和像素电源电压Vdd确定的数据电流可以通过导通的第六晶体管T6提供给发光二极管ED的阳极。施加到公共电源电极VSS的公共电源电压VSS可以提供给发光二极管ED的阴极。
当第七晶体管T7导通时,通过像素电源线VDDL施加的像素电源电压Vdd可以施加到参考电压传输节点RVN。
参照图2和图3,非显示区域NDA可以设置有焊盘区域PA和至少一个扫描驱动器205,在焊盘区域PA中设置有焊盘PAD。
详细地,非显示区域NDA可以包括:第一非显示区域NDA1,在其中显示焊盘PAD;第二非显示区域NDA2,与第一非显示区域NDA1平行地设置,其中显示区域DA介于第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2之间;以及第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4,将第一非显示区域NDA1与第二非显示区域NDA2连接。
扫描驱动器205连接到扫描线SL并向扫描线SL提供扫描信号。扫描驱动器205可以设置在面板(GIP)型选通驱动器中的第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4中的至少一个中。例如,如图2所示,扫描驱动器205可以形成在第三非显示区域NDA3中,而另一扫描驱动器205可以形成在第四非显示区域NDA4中,但是这些选通驱动器不限于此。在一些实施方式中,扫描驱动器205可仅形成于第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4中的任一者中。
焊盘PAD可以包括第一焊盘VDDP、第二焊盘VSSP、第三焊盘VREFP和第四焊盘DP,并且可以设置在第一非显示区域NDA1中。即,第一非显示区域NDA1可以包括焊盘区域PA。
在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,多条金属线可以设置在非显示区域NDA中,特别是第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中。
第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2中的每一个可以具有像素电源电极VDD和公共电源电极VSS。
详细地,第一公共电源电极VSS1可以被设置为在第一方向上从第一非显示区域NDA1延伸,并且可以与第二焊盘VSSP连接以从第二焊盘VSSP接收第一电源。第二公共电源电极VSS2可以被设置为从第二非显示区域NDA2沿第一方向延伸。
第一公共电源电极VSS1和第二公共电源电极VSS2可以通过从显示区域DA沿第二方向延伸的多条初始化线ViniL彼此电连接。多条初始化线ViniL可以将提供给第二焊盘VSSP的第一电源传输到第二公共电源电极VSS2。第一公共电源电极VSS1和第二公共电源电极VSS2可以连接到子像素P1、P2和P3的阴极140以提供第一电源。此时,第一电源可以是共同提供给子像素P1、P2和P3的公共电源。
第一像素电源电极VDD1可以被设置为从第一非显示区域NDA1沿第一方向延伸,并且可以与第一焊盘VDDP连接以从第一焊盘VDDP接收第二电源。第二像素电源电极VDD2可以设置为从第二非显示区域NDA2沿第一方向延伸。
第一像素电源电极VDD1和第二像素电源电极VDD2可以通过从显示区域DA沿第二方向延伸的多个像素电源线VDDL彼此电连接。多个像素电源线VDDL可以将提供给第一焊盘VDDP的第二电源(例如像素电源)提供给设置在显示区域DA中的每个子像素P1、P2和P3的驱动晶体管DT,并且同时将像素电源传输给第二像素电源电极VDD2。
根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110的特征在于,设置在第一非显示区域NDA1中的第一公共电源电极VSS1和设置在第二非显示区域NDA2中的第二公共电源电极VSS2通过初始化线ViniL彼此电连接。因此,由于根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110可以不在显示区域DA中设置单独的公共电源线,所以可以增大透射区域TA的尺寸。
在下文中,将参考图9至图12详细描述上述特征以及透明显示面板110的元件。
图9是沿图3的线I-I'截取的截面图,图10是沿图3的线II-II'截取的截面图,图11是示出图2的区域B的放大图,图12是沿图11的线III-III'截取的截面图。图13是表示基于线宽的电压偏差的曲线图,图14是表示基于电压偏差的电流变化的曲线图。
参照图2、图3和图9至图12,第一基板111可被分类为设置有用于显示图像的像素P的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。
显示区域DA包括如图3所示的透射区域TA和非透射区域NTA。非透射区域NTA可以设置有包括第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的像素P,以及用于向多个子像素P1、P2和P3中的每一个提供信号的多条信号线。
可以在第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的每一个中设置包括电容器、薄膜晶体管等的电路元件以及发光二极管。薄膜晶体管可以包括参考图4到图8描述的多个晶体管和驱动晶体管DT。
驱动晶体管DT包括有源层ACT、栅极GE、源极SE和漏极DE。
详细地,可以在第一基板111上提供有源层ACT。有源层ACT可以由硅基半导体材料或氧化物基半导体材料形成。可以在有源层ACT和第一基板111之间设置缓冲层(未示出)。
可以在有源层ACT上设置栅极绝缘层GI。栅极绝缘层G1可以形成为无机膜,例如,氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或SiOx和SiNx的多层膜。
栅极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅极GE可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金制成的单层或多层形成。
可以在栅极GE上方设置第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2。第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2可以形成为无机层,例如,氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或SiOx和SiNx的多层。
可以在第二层间绝缘层ILD2上设置源极SE和漏极DE。源极SE和漏极DE之一可以通过第二接触孔CH2连接到有源层ACT,该第二接触孔CH2穿过栅极绝缘层G1以及第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2。
源极SE和漏极DE可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金制成的单层或多层形成。
可以在源极SE和漏极DE上设置第一平坦化层PLN1,以平坦化由驱动晶体管DT引起的阶梯差。第一平坦化层PLN1可以由有机层形成,例如,丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等。
可以在第一平坦化层PLN1上设置阳极辅助电极115。阳极辅助电极115可以通过穿过第一平坦化层PLN1的第三接触孔CH3连接到源极SE和漏极DE之一。例如,阳极辅助电极115可以通过穿过第一平坦化层PLN1的第三接触孔CH3连接到漏极DE。
阳极辅助电极115可以由Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu中的任一种或它们的合金制成的单层或多层形成。
第二平坦化层PLN2形成第二平坦化层PLN2。第二平坦化层PLN2可以由有机层形成,例如,丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等。
在第二平坦化层PLN2上方设置由阳极120、有机发光层130和阴极140组成的发光二极管以及堤状物125。
阳极120可以设置在第二平坦化层PLN2上方并与驱动晶体管DT连接。详细地,阳极120可以通过穿过第二平坦化层PLN2的第一接触孔CH1连接到阳极辅助电极115。由于阳极辅助电极115通过第三接触孔CH3连接到驱动晶体管DT的源极SE或漏极DE,因此阳极120可以与驱动晶体管DT电连接。
可以为每个子像素P1、P2和P3设置阳极120。阳极120不设置在透射区域TA中。
根据本公开的一个实施方式的阳极120可以包括第一阳极121、第二阳极122和第三阳极123。
第一阳极121可以设置在初始化线ViniL上方。详细地,第一阳极121的至少一部分可以设置成与初始化线ViniL和扫描线SL彼此交叉的第一交叉区域交叠。
第一阳极121可以沿着初始化线ViniL以多个数量设置在初始化线ViniL上方。设置有多个第一阳极121的子像素可以是第一子像素P1或第三子像素P3中的至少一个。例如,设置有多个第一阳极121的子像素可以是第一子像素P1。对于另一个例子,设置有多个第一阳极121的子像素可以是第三子像素P3。对于其他示例,设置有多个第一阳极121的子像素可以是第一子像素P1和第三子像素P3。此时,第一子像素P1和第三子像素P3可以交替地布置在初始化线ViniL上方。
第三阳极123可以设置在像素电源线VDDL上方。详细地,第三阳极123的至少一部分可以设置为与像素电源线VDDL和扫描线SL彼此交叉的第二交叉区域交叠。
可以沿着像素电源线VDDL在像素电源线VDDL上设置多个第三阳极123。设置有多个第三阳极123的子像素可以是第一子像素P1或第三子像素P3中的至少一个。例如,设置有多个第三阳极123的子像素可以是第一子像素P1。对于另一个例子,设置有多个第三阳极123的子像素可以是第三子像素P3。对于其他示例,设置有多个第三阳极123的子像素可以是第一子像素P1和第三子像素P3。此时,第一子像素P1和第三子像素P3可以交替地设置在公共电源线VSSL上方。
第二阳极122可以设置在第一阳极121和第三阳极123之间。详细地,第二阳极122可以设置在扫描线SL上方,扫描线SL设置在第一交叉区域和第二交叉区域之间。
第一阳极121和第三阳极123中的每一个可以具有与第二阳极122不同的形状。例如,第一阳极121和第三阳极123可以形成为多边形,例如六边形或八边形,并且第二阳极122可以形成为正方形,但是阳极不限于此。
同时,第二阳极122的面积可以小于第一阳极121和第三阳极123中的每一个的面积。因此,设置有第二阳极122的第二子像素P2的发光面积可以小于设置有第一阳极121或第三阳极123的第一子像素P1或第三子像素P3的发光面积。第二子像素P2可以是发射红光的红色子像素。通常,由于红色子像素的寿命比绿色子像素和蓝色子像素中的每一个的寿命更优,所以即使红色子像素形成为具有小的面积,透明显示面板110的寿命也不会降低。
第一阳极121、第二阳极122和第三阳极123可以由高反射率的金属材料形成,例如铝和钛的沉积结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的沉积结构(ITO/Al/ITO)、Ag合金以及Ag合金和ITO的沉积结构(ITO/Ag合金/ITO)。Ag合金可以是银(Ag)、钯(Pb)和铜(Cu)的合金。
可以在第二平坦化膜PLN2上设置堤状物125。而且,堤状物125可以设置在阳极120之间。详细地,堤状物125可以设置在第一阳极121、第二阳极122和第三阳极123之间,第一阳极121、第二阳极122和第三阳极123设置成在第一方向(例如,X轴方向)上彼此相邻。此外,堤状物125可以设置在沿第二方向(例如,Y轴方向)设置在初始化线ViniL上方的多个第一阳极121之间。此外,可以在沿第二方向(例如,Y轴方向)布置在像素电源线VDDL上方的多个第三阳极123之间设置堤状物125。
堤状物125可以形成为覆盖或至少部分地覆盖第一阳极121、第二阳极122和第三阳极123中的每一个的边缘,并且暴露第一阳极121、第二阳极122和第三阳极123中的每一个的一部分。因此,堤状物125可以防止发光效率由于集中在第一阳极121、第二阳极122和第三阳极123中的每一个的端部上的电流而劣化。
堤状物125可以分别限定子像素P1、P2和P3的发光区域EA1、EA2和EA3。子像素P1、P2和P3的每个发光区域EA1、EA2和EA3表示这样的区域,其中阳极120、有机发光层130和阴极140被顺序地沉积,然后来自阳极120的空穴和来自阴极140的电子在有机发光层130中彼此复合以发光。在这种情况下,没有形成堤状物125并且阳极120被暴露的区域可以是发光区域EA,而其它区域可以是非发光区域NEA。
堤状物125可以由有机层形成,例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等。
有机发光层130可以设置在阳极120上方。有机发光层130可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。在这种情况下,如果向阳极120和阴极140施加电压,则空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层,并在发光层中彼此复合以发光。
如图9所示,有机发光层130可以包括在每个子像素P1、P2和P3中形成的发光层。例如,可以在第一子像素P1中形成发射绿光的绿光发光层131,可以在第二子像素P2中形成发射红光的红光发光层132,并且可以在第三子像素P3中形成发射蓝光的蓝光发光层133。在这种情况下,有机发光层130的发光层不形成在透射区域TA中。
阴极140可以设置在有机发光层130和堤状物125上方。阴极140可以设置在包括发光区域EA的透射区域TA以及非透射区域NTA中,但不限于此。在一些实施方式中,可以仅在包括发光区域EA的非透射区域NTA中设置阴极140,但是可以不在透射区域TA中设置阴极140以提高透射率。
阴极140可以是通常形成在子像素P1、P2和P3中以施加相同电压的公共层。阴极140可由可传输光的导电材料形成。例如,阴极140可由低电阻金属材料形成,例如Ag或Mg和Ag的合金。
阴极140可以由ITO或IZO形成。然而,由于ITO或IZO具有高表面电阻,因此在阴极140中可能发生电压降(IR降)。为了防止电压降发生,可以在与阳极120相同的层上形成单独的阴极辅助电极,并且可以形成用于将阴极140连接到阴极辅助电极的阴极接触结构。然而,阴极接触结构应该在阳极120之间形成阴极辅助电极,非透射区域NTA的尺寸可能增加。由于阳极120之间的间隔距离也增加,所以非透射区域NTA中的发光区域EA的尺寸可能减小。
在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,阴极140可由低电阻金属材料形成,例如Ag或Mg和Ag的合金。由于Ag或Mg和Ag的合金具有低电阻,因此不会发生电压降(IR降)。在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,由于阴极辅助电极和阴极接触结构没有形成在显示区域DA中,所以透射区域TA的尺寸可以增加或最大化,并且发光区域EA的尺寸也可以在非透射区域NTA中增加或最大化。
而且,由于薄的Ag或Mg和Ag的合金具有高的透光率,即使在透射区域TA中形成阴极140,也不会降低透射区域TA的透光率。
可以在发光二极管上方设置封装层150。封装层150可以形成在阴极140上方,以覆盖阴极140。封装层150用于防止氧或水渗透到有机发光层130和阴极140中。为此,封装层150可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。
同时,尽管在图9中未示出,但还可以在阴极140和封装层150之间形成覆盖层。
可在封装层150上设置滤色器层170。滤色器层170可以设置在第二基板112的面对第一基板111的一个表面上。在这种情况下,设置有封装层150的第一基板111和设置有滤色层170的第二基板112可以通过粘合剂层160彼此结合。此时,粘合剂层160可以是光学透明树脂(OCR)层或光学透明粘合剂(OCA)膜。
滤色器层170可以形成为对每个子像素P1、P2和P3进行构图。详细地,滤色器层170可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以设置成对应于第一子像素P1的发光区域EA1,并且可以是透射绿光的绿色滤色器。第二滤色器CF2可以设置成对应于第二子像素P2的发光区域EA2,并且可以是透射红光的红色滤色器。第三滤色器CF3可以设置成对应于第三子像素P3的发光区域EA3,并且可以是透射蓝光的蓝色滤色器。
在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,不使用偏振器,并且滤色器层170形成在第二基板112中。当偏振器附着到透明显示面板110时,偏振器降低了透明显示面板110的透射率。当偏振器未附着到透明显示面板110时,出现外部入射光在电极中反射的问题。
根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110可以防止透射率随着偏振器未附着到其上而降低。此外,在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,滤色器层170可形成在第二基板112中以部分地吸收外部入射光,从而防止入射光在电极中反射。即,根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110可以在不降低透射率的情况下降低外部光反射。
同时,可以在滤色器CF1、CF2和CF3之间设置黑底BM。可以在子像素SP1、SP2和SP3之间设置黑底BM,以防止在彼此相邻的子像素SP1、SP2和SP3之间发生颜色混合。此外,黑底BM可以防止外部入射光在子像素SP1、SP2和SP3中提供的多条线(例如,扫描线、数据线、像素电源线、公共电源线、参考线等)中反射。
黑底BM可以包括吸收光的材料,例如完全吸收可见光波长范围的光的黑色染料。
滤色器层170可限定显示区域DA中的非透射区域NTA。详细地,设置有滤色器CF1、CF2和CF3以及黑底BM的区域可以变成非透射区域NTA,而其它区域可以变成透射区域TA。
同时,除了电路元件和发光二极管之外,用于向多个子像素P1、P2和P3中的每一个提供信号的多个信号线可以设置在显示区域DA的非透射区域NTA中。根据一个实施方式的多条信号线可以包括像素电源线VDDL、初始化线ViniL、参考线REFL、数据线DL1和DL2以及扫描线SL。
扫描线SL可以从显示区域DA沿第一方向(例如,X轴方向)延伸,并且可以与像素电源线VDDL、初始化线ViniL、参考线REFL以及数据线DL1和DL2交叉。
像素电源线VDDL,初始化线ViniL,参考线和数据线DL1和DL2可以从显示区域DA沿第二方向(例如,Y轴方向)延伸。
此时,如图9和10所示,像素电源线VDDL和初始化线ViniL可以设置为在同一层上彼此隔开。在一个实施方式中,像素电源线VDDL和初始化线ViniL可以设置在与阳极辅助电极115相同的层上。
像素电源线VDDL和初始化线ViniL可以交替地设置,其间插入透射区域TA。因此,一个透射区域TA可以被像素电源线VDDL、初始化线ViniL和两个相邻扫描线SL包围。
尽管图9和图10示出在两个相邻的透射区域TA之间,在像素电源线VDDL和初始化线ViniL中,仅设置像素电源线VDDL,或者仅设置初始化线ViniL,但是本发明不限于此。
在另一个实施方式中,像素电源线VDDL和初始化线ViniL可以设置在两个相邻的透射区域TA之间。
如上所述设置的每条初始化线ViniL的一端可以电连接到设置在第一非显示区域NDA1中的第一公共电源电极VSS1,并且每条初始化线ViniL的另一端可以电连接到设置在第二非显示区域NDA2中的第二公共电源电极VSS2。
此时,初始化线ViniL、第一公共电源电极VSS1和第二公共电源电极VSS2可以设置在同一层上。
在一个实施方式中,每条初始化线ViniL可以与第一公共电源电极VSS1形成在单个主体中。也就是说,每条初始化线ViniL可以形成为从第一公共电源电极VSS1的一侧分叉并延伸到显示区域DA。
在一个实施方式中,如图11和图12所示,每条初始化线ViniL可以设置成与第二公共电源电极VSS2间隔开,并通过连接线CL与第二公共电源电极VSS2电连接。第二公共电源电极VSS2可以通过第三接触孔CH3连接到连接线CL的一端。初始化线ViniL可以通过第四接触孔CH4连接到连接线CL的另一端。
此时,第二公共电源电极VSS2可以设置为多个。例如,第二公共电源电极VSS2的数量可以是两个,如图11和图12所示,但不限于此。一条第二公共电源线VSS21可以设置成与另一条第二公共电源线VSS22间隔开。在这种情况下,多条第二公共电源线VSS21和VSS22中的每一条可以通过多个第三接触孔CH3连接到连接线CL,并且因此可以更稳定地连接到连接线CL。
同时,每条第二公共电源电极VSS2可以通过阴极接触部分CCT与阴极140电连接。为此,还可以在第二公共电源电极VSS2上方设置用于连接第二公共电源电极VSS2与阴极140的连接电极124。连接电极124的至少一部分可以与第二公共电源电极VSS2交叠,并且可以直接邻接第二公共电源电极VSS2的上表面。
阴极接触部分CCT可以部分地暴露连接电极124的上表面,从该连接电极124的上表面部分地去除堤状物125,并且该连接电极124邻接第二公共电源电极VSS2。阴极接触部分CCT可沿第一方向(例如,X轴方向)纵向暴露连接电极124的上表面。结果,连接电极124可以具有与阴极140的宽的接触区域,并且因此可以稳定地连接到阴极140。
根据本公开的一个实施方式的初始化线ViniL可以根据操作时段选择性地提供初始化电压Vini或第一电源电压Vss。详细地,如图5所示,第一晶体管T1可以在初始化时段INI导通,因此初始化线ViniL可以向每个子像素P1、P2和P3的驱动晶体管DT提供初始化电压Vini。
如图6所示,第二晶体管T2可以在采样时段SAM导通,因此初始化线ViniL可以向发光二极管ED提供初始化电压Vini。
同时,第一晶体管T1和第二晶体管T2可以在发光时段EM截止。因此,初始化线ViniL不与驱动晶体管DT和发光二极管ED连接,由此初始化线ViniL将从第一公共电源电极VSS1施加的第一电源电压Vss传输到第二公共电源电极VSS2。第二公共电源电极VSS2可以通过阴极接触部分CCT向阴极140提供第一电源电压Vss。
在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,施加到初始化线ViniL的初始化电压Vini和第一电源电压Vss可以具有相同的电压值。即,初始化电压Vini和第一电源电压Vss可以彼此相等。
通常,初始化电压Vini与第一电源电压Vss的差值在第一电源电压Vss、第二电源电压Vdd、数据电压Vdata和参考电压Vref之间最小,并且具有类似于第一电源电压Vss的范围。因此,即使初始化电压Vini和第一电源电压Vss具有相同的电压值,在像素电路的操作中也不会出现问题。
然而,与现有技术不同,根据本公开的一个实施方式的初始化线ViniL连接到设置在第一非显示区域NDA1中的第一公共电源电极VSS1和设置在第二非显示区域NDA2中的第二公共电源电极VSS2,电压降可以在从第一公共电源电极VSS1到第二公共电源电极VSS2的方向上增加。
因此,当初始化电压Vini的电压降增加时,需要考虑对在发光二极管ED中流动的电流的影响。
参照图13,注意到基于电压降的电压偏差随着信号线宽度的增加而减小。例如,当信号线的宽度为12μm时,电压偏差约为0.1V。当信号线的宽度小于12μm时,电压偏差可以大于0.1V。当信号线的宽度大于12μm时,电压偏差可以小于0.1V。
参照图14,注意到随着电压偏差增加,在发光二极管中流动的电流ioled减小。
在其中将初始化电压施加到初始化线并且将第一电源电压施加到单独的公共电压线的第一实施方式Vini_VSS中,基于电压偏差在发光二极管中流动的电流ioled的减小比率小于其中将初始化电压和第一电源电压施加到初始化线的第二实施方式Vini&VSS的减小比率。
即,在其中初始化电压和第一电源电压被施加到初始化线的第二实施方式Vini&VSS中,在发光二极管中流动的电流ioled的波动范围可能很大。然而,当电压偏差为0.1V或更小时,第一实施方式和第二实施方式之间关于在发光二极管中流动的电流ioled的波动范围的差异小于0.3%。因此,第一实施方式和第二实施方式之间的亮度差可能不大。
当电压偏差大于0.1V时,第一实施方式和第二实施方式之间关于在发光二极管中流动的电流ioled的波动范围的差异可以增加到1%或更大。因此,可以增大第一实施方式和第二实施方式之间的亮度差。
在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,基于初始化线ViniL中的电压降的电压偏差可以是0.1V或更小。为此,初始化线ViniL可以具有12μm或更大的宽度W1,其比其它信号线更宽。因此,在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,即使初始化线ViniL连接到第一公共电源电极VSS1和第二公共电源电极VSS2,在发光二极管中流动的电流ioled的波动范围也不大,由此可以减小或最小化亮度差。
此外,在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,设置在第一非显示区域NDA1中的第一公共电源电极VSS1和设置在第二非显示区域NDA2中的第二公共电源电极VSS2可以使用初始化线ViniL彼此电连接,由此公共电源电极可以不设置在第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4中。根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110可以减小或最小化由电压降(IR降)引起的亮度偏差,并且同时可以改善第三非显示区域NDA3和第四非显示区域NDA4中的透射率。
此外,根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110没有设置用于将第一公共电源电极VSS1与第二公共电源电极VSS2连接的单独的公共电源线,由此可以减小显示区域DA中的非透射区域NTA的宽度。
当设置单独的公共电源线时,公共电源线、初始化线ViniL,参考线REFL和数据线DL1和DL2应该被设置在两个相邻的透射区域TA之间。公共电源线、初始化线ViniL、参考线REFL和数据线DL1和DL2被设置为在非透射区域NTA中彼此间隔开。此时,由于公共电源线、初始化线ViniL、参考线REFL和数据线DL1和DL2中的每一条的线宽和间隔距离,非传输区域NTA在减小区域尺寸方面具有限制。同时,当公共电源线的宽度增加时,公共电源线可以减小由电压降引起的电压偏差。然而,由于透光率降低,所以在增加公共电源线的宽度方面存在限制。
由于根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110没有设置单独的公共电源线,因此可以减小非透射区域NTA的尺寸。此外,在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,可以增大用于将第一公共电源电极VSS1与第二公共电源电极VSS2连接的初始化线ViniL的宽度W1,由此可以减小由电压降引起的电压偏差。也就是说,随着设置在非透射区域NTA中的信号线的数量减少,可以确保初始化线ViniL和像素电压线VDDL的线宽的设计自由度。
同时,每条像素电源线VDDL的一端可以电连接到设置在第一非显示区域NDA1中的第一像素电源电极VDD1,并且每条像素电源线VDDL的另一端可以电连接到设置在第二非显示区域NDA2中的第二像素电源电极VDD2。
像素电源线VDDL可以将从第一像素电源电极VDD1施加的第二电源电压提供给设置在显示区域DA中的每个子像素P1、P2和P3的驱动晶体管DT,并且同时将第二电源电压传输到第二像素电源电极VDD2。
参考线REFL和数据线DL1和DL2可以设置为在如图9和图10所示的相同层上彼此隔开。在一个实施方式中,参考线REFL和数据线DL1和DL2可以设置在与驱动晶体管DT的源极SE和漏极DE相同的层上。
参考线REFL和多条数据线DL1和DL2可以设置在两个相邻的透射区域TA之间。参考线REFL的至少一部分可以设置在第一数据线DL1和第二数据线DL2之间,并且可以与初始化线ViniL交叠。
在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,可以在第一层上方显示初始化线ViniL和像素电压线VDDL,并且可以在第二层上方设置参考线REFL和数据线DL1和DL2。以此方式,在根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110中,多条信号线被分开地设置在多个层上,由此非透射区域NTA的尺寸可被减小或最小化。因此,根据本公开的一个实施方式的透明显示面板110可以提高透光率。
根据本公开,可以获得以下有利效果。
根据本公开,设置在第一非显示区域中的第一公共电源电极和设置在第二非显示区域中的第二公共电源电极可以使用初始化线彼此电连接,由此可以不设置单独的公共电源线。因此,可以减少设置在非透射区域中的信号线的数量,并且可以确保初始化线和像素电压线的线宽的设计自由度。即,可以增加初始化线和像素电压线的线宽,由此可以减小由电压降引起的电压偏差。
此外,由于可以不在第三非显示区域和第四非显示区域中设置公共电源电极,所以可以提高第三非显示区域和第四非显示区域中的透射率。
而且,多条信号线被分开地设置在多个层上,由此非透射区域的尺寸可以被减小或最小化。因此,可以提高透光率。
对于本领域技术人员显而易见的是,上述本公开不限于上述实施方式和附图,并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中进行各种替换、修改和变化。因此,本公开的范围由所附权利要求限定,并且旨在从权利要求的含义,范围和等效概念导出的所有变化或修改落入本公开的范围内。
Claims (19)
1.一种透明显示装置,所述透明显示装置包括:
基板,所述基板设置有显示区域、第一非显示区域和第二非显示区域,在所述显示区域上设置有多个子像素,所述第一非显示区域设置在所述显示区域的第一侧,所述第二非显示区域设置在面对所述第一侧的第二侧;
第一公共电源电极,所述第一公共电源电极从所述第一非显示区域沿第一方向延伸;
第二公共电源电极,所述第二公共电源电极从所述第二非显示区域沿所述第一方向延伸;以及
初始化线,所述初始化线从所述显示区域沿第二方向延伸,所述初始化线将所述第一公共电源电极与所述第二公共电源电极电连接,并向所述多个子像素中的每一个提供初始化电压。
2.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述初始化线在初始化时段施加初始化电压,并且在发光时段施加第一电源电压。
3.根据权利要求2所述的透明显示装置,其中,所述初始化电压和所述第一电源电压具有相同的电压值。
4.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述初始化线在初始化时段向所述多个子像素中的每一个的驱动晶体管提供初始化电压。
5.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述初始化线在发光时段将从所述第一公共电源电极施加的第一电源电压传输到所述第二公共电源电极。
6.根据权利要求1所述的透明显示装置,所述透明显示装置还包括从所述显示区域沿所述第二方向延伸的像素电源线,以向所述多个子像素中的每一个提供第二电源电压,其中,所述显示区域包括设置有所述初始化线和所述像素电源线的非透射区域以及设置在所述初始化线和所述像素电源线之间的透射区域。
7.根据权利要求6所述的透明显示装置,其中,所述初始化线和所述像素电源线中的每一种被设置为多条,并且多条初始化线和多条像素电源线被交替地设置。
8.根据权利要求1所述的透明显示装置,所述透明显示装置进一步包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极;
第一平坦化层,所述第一平坦化层设置在所述驱动晶体管上方;
阳极辅助电极,所述阳极辅助电极设置在所述第一平坦化层上方;
第二平坦化层,所述第二平坦化层设置在所述阳极辅助电极上方;以及
发光二极管,所述发光二极管设置在所述第二平坦化层上方,
其中,所述初始化线与所述阳极辅助电极设置在同一层上。
9.根据权利要求8所述的透明显示装置,所述透明显示装置还包括多条信号线,所述多条信号线在所述第二方向上与所述源极和所述漏极在同一层延伸。
10.根据权利要求9所述的透明显示装置,其中,所述初始化线的宽度比所述多条信号线中的每一条的宽度宽。
11.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述初始化线的一端与所述第一公共电源电极连接。
12.根据权利要求1所述的透明显示装置,其中,所述初始化线和所述第二公共电源电极被设置为在同一层上彼此间隔开。
13.根据权利要求1所述的透明显示装置,所述透明显示装置还包括连接线,所述连接线的一端与所述第二公共电源电极连接,所述连接线的另一端与所述初始化线连接。
14.一种透明显示装置,所述透明显示装置包括:
基板,所述基板设置有透射区域和非透射区域,多个子像素设置在所述基板上;
第一信号线,所述第一信号线设置在所述非透射区域中,所述第一信号线接收在初始化时段施加的初始化电压,并接收在发光时段施加的第一电源电压;
第二信号线,所述第二信号线设置在所述非透射区域中,所述第二信号线接收在所述初始化时段施加的参考电压;以及
第三信号线,所述第三信号线设置为与所述第一信号线间隔开,所述透射区域插入在所述第三信号线与所述第一信号线之间,所述第三信号线接收在所述发光时段施加的第二电源电压,
其中,所述第一信号线和所述第三信号线设置在第一层上方,并且所述第二信号线设置在与所述第一层不同的第二层上方。
15.根据权利要求14所述的透明显示装置,其中,所述第二信号线的至少一部分与所述第一信号线或所述第三信号线交叠。
16.根据权利要求14所述的透明显示装置,其中,所述第一信号线在所述初始化时段将所述初始化电压提供给所述多个子像素中的每一个的驱动晶体管。
17.根据权利要求14所述的透明显示装置,其中,所述初始化电压和所述第一电源电压具有相同的电压值。
18.根据权利要求14所述的透明显示装置,其中,所述第一信号线的宽度比所述第二信号线的宽度宽。
19.根据权利要求14所述的透明显示装置,所述透明显示装置进一步包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管包括有源层、栅极、源极和漏极;
第一平坦化层,所述第一平坦化层设置在所述驱动晶体管上方;
阳极辅助电极,所述阳极辅助电极设置在所述第一平坦化层上方;以及
第二平坦化层,所述第二平坦化层设置在所述阳极辅助电极上方,
其中,所述第一层为设置有所述阳极辅助电极的层,并且所述第二层为设置有所述源极和所述漏极的层。
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