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CN114540921A - 电镀装置及方法 - Google Patents

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CN114540921A
CN114540921A CN202011348069.5A CN202011348069A CN114540921A CN 114540921 A CN114540921 A CN 114540921A CN 202011348069 A CN202011348069 A CN 202011348069A CN 114540921 A CN114540921 A CN 114540921A
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CN
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electrode
electrodes
wafer
electroplating
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CN202011348069.5A
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贾照伟
王坚
王晖
杨宏超
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ACM Research Shanghai Inc
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ACM Research Shanghai Inc
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Publication date
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Priority to PCT/CN2021/127543 priority patent/WO2022111210A1/en
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Abstract

本发明揭示了一种电镀装置，包括多个电极，所述的多个电极包括主电极和至少两个第二电极，各电极在晶圆表面对应区域形成电场，各第二电极与主电极之间分别可选择的独立控制或共同控制，所述的电极分别带有控制接口，通过选择各第二电极与主电极之间的控制关系的组合方式，实现对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀。本发明提出的电镀装置能对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀，而不需要更换整个电镀腔。

Description

电镀装置及方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种电镀装置及方法。
背景技术
在半导体制造领域，电镀工艺以晶圆为被镀基体，通过在特定区域形成金属层或者金属导线，以实现具体的电路功能；另外在先进封装的环节中，同样采用电镀的方式，在晶圆上形成铜柱、焊料凸点以实现芯片与基板的互连。
在杯镀式电镀机中，晶圆被水平地放置在夹具上作为阴极，在电镀时晶圆浸入电镀液，可溶性或不可溶性的阳极在晶圆的下方，通过电场的作用，电镀液中的金属离子沉积到晶圆表面。
含有非电镀区域(晶圆的缺口处)的晶圆在进行整体电镀时，由于非电镀区域的光刻胶没有开口，也没有金属沉积，在非电镀区域周边的开口处的电流就会更加集中，最终的结果是这些区域的电镀高度高于其它位置，这将造成产品良率的降低。因此在之前的专利中(CN 110512248 A)，提出了一种多电极电镀设备，每一个电极形成一个独立电场，当晶圆的缺口旋转至指定区域时，可以改变该区域对应的独立电场，降低该指定区域接收到的总电量来降低缺口处的电镀高度。
此外，由于“终端效应”，整片晶圆上的电流密度不是均匀的，这种不均匀性导致晶圆边缘的电镀速率较高，晶圆中心的电镀速率较低，从而导致镀膜的不均匀性。扩散板在阴极与阳极之间，表面设有许多通孔，孔的直径从中心向边缘减少。扩散板的这种设计加强了晶圆中心区域电镀液的流动，并加强了中心电场，使得整片晶圆上电镀金属的高度更加均匀。
对于不同尺寸或具有不同缺口形状的晶圆，电极的位置也需要随之改变，继而需要改动整个电镀腔的设计，这无疑会增加大量的成本。
发明内容
本发明的一个目的是使电镀装置能对不同尺寸或具有不同缺口形状的晶圆进行电镀，在进行不同尺寸或具有不同缺口形状的晶圆电镀切换时，不需要更换整个电镀腔。
为实现上述目的，本发明一个实施例提出了一种电镀装置，包括多个电极，所述的电极包括主电极和至少两个第二电极，各电极在晶圆表面对应区域形成电场，各第二电极与主电极之间分别可选择的独立控制或共同控制，各电极分别带有控制接口，通过选择各第二电极与主电极之间的控制关系的组合方式，实现对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀，所述的控制关系为独立控制或共同控制。
作为可选方式，所述的第二电极与主电极之间独立控制时，第二电极在对应区域形成的电场与主电极形成的电场强度不同，所述的第二电极与主电极之间共同控制时，第二电极在对应区域形成的电场与主电极形成的电场强度相同。
作为可选方式，所述的控制接口为电源接口，所述的主电极连接至主电源，各第二电极可选择的连接至第二电源或主电源。
作为可选方式，所述的主电极与晶圆的中心区域相对应，各第二电极的对应区域形成的电场不重叠。
作为可选方式，所述的第二电极数量为2个，第一个第二电极对称轴与第二个第二电极对称轴之间的夹角为180°。
作为可选方式，每个第二电极对应一个晶圆缺口，其中主电极中心与较大尺寸晶圆的缺口对应的第二电极之间的距离为较大距离，主电极中心与较小尺寸晶圆的缺口对应的第二电极之间的距离为较小距离。
作为可选方式，各第二电极分别设置在第一围墙内，所述的第一围墙用于分隔第二电极形成的电场与主电极形成的电场。
作为可选方式，电镀装置还包括设置在离子膜骨架上的离子膜，所述的离子膜位于所述的多个电极与晶圆之间，用于分隔电镀腔的阴极区域和阳极区域，所述的第一围墙的端部与所述的离子膜相接。
进一步的，为了对晶圆的电镀高度进行更好的控制，所述的离子膜与晶圆之间安装有扩散板，所述的扩散板上具有与待电镀晶圆尺寸相匹配的通孔区域，所述的通孔区域中设有多个通孔，所述的离子膜与扩散板之间设有第二围墙，所述的第二围墙两端分别与离子膜骨架和扩散板相接，所述的第二围墙的形状及位置与所述的第一围墙的形状及位置匹配。
进一步的，为了对晶圆缺口附近的电镀高度进行更好的控制，所述的离子膜与晶圆之间安装有主扩散板，所述的主扩散板上具有主通孔区域，所述的主通孔区域中设有至少一个缺口，所述的缺口的形状和位置与至少一个第二电极匹配，所述的离子膜骨架上设有第二围墙，所述的第二围墙的形状及位置与所述的第一围墙的形状及位置匹配，所述的第二围墙端部设有第二扩散板，所述的第二扩散板上具有第二通孔区域，所述的主通孔区域和第二通孔区域中设有多个通孔，当主扩散板安装好后，将第二扩散板对应安装在主扩散板上的缺口处，主扩散板的主通孔区域和第二扩散板的第二通孔区域拼合成完整的圆形。
作为可选方式，所述的主扩散板和二扩散板可拆卸的安装。
作为可选方式，所述的扩散板与晶圆之间可拆卸的安装有挡板，所述的挡板用于遮挡通孔区域的外圈，以适用不同尺寸的晶圆电镀。
作为可选方式，所述的第二通孔区域中的通孔密度小于主通孔区域中的通孔密度，并且/或第二通孔区域中的通孔孔径小于主通孔区域中的通孔孔径。
本发明一个实施例提出了一种电镀方法，该方法使用具有电极的电镀设备在晶圆表面进行电镀，所述的电极包括主电极和至少两个第二电极，控制各电极在晶圆表面对应区域形成电场，各第二电极与主电极之间分别可选择的独立控制或共同控制，通过改变各第二电极与主电极之间的控制关系的组合方式，实现对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀。
作为可选方式，通过将所述的主电极连接至主电源，将各第二电极可选择的连接至第二电源或主电源，实现各第二电极与主电极之间的独立控制或共同控制。
作为可选方式，通过将主电极连接至主整流器，将各第二电极可选择的连接至第二整流器或主整流器，实现各第二电极与主电极之间的独立控制或共同控制。
本发明可在不对电镀腔体进行整体更换的前提下，使电镀装置适应不同尺寸或具有不同缺口形状的晶圆，减少设备成本，更好的控制晶圆各处的电镀高度。
附图说明
图1示例了实施例1的电镀装置的俯视示意图。
图2示例了实施例2的电镀装置的剖视示意图。
图3示例了实施例3的电镀装置的剖视示意图。
图4示例了实施例4的未安装挡板的电镀装置剖视示意图。
图5示例了实施例4的安装了挡板的电镀装置的剖视示意图。
图6示例了实施例5的电镀装置的剖视示意图。
图7示例了实施例6的装有第二扩散板的电镀装置的剖视示意图。
图8示例了实施例6的第二扩散板形状示意图。
图9A和图9B示例了实施例6的电镀装置配置的两种型号的主扩散板形状示意图。
图10示例了实施例6的安装了挡板的电镀装置的剖视示意图。
图11A、图11B示例了实施例1的电镀装置在进行两种不同晶圆电镀时的电路图。
图12示例了实施例7的电镀装置的电路图。
图中，1为主阳极区域；2为12寸晶圆第二阳极区域；3为8寸晶圆第二阳极区域；4为电镀腔；5为通孔；6为第一围墙；7为离子膜；8为扩散板；801为主扩散板；802为第二扩散板；9为挡板；10为主电源；11为第二电源；12为第二围墙；13为基板夹具；14为晶圆。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及效果，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
本发明的实施例披露的电镀装置，包括主电极和至少两个第二电极，各电极在晶圆表面对应区域形成电场，各电极分别带有控制接口，通过选择各第二电极与主电极之间的控制关系的组合方式，实现对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀，所述的控制关系为独立控制或共同控制，控制接口可以是用于连接至电源的电源接口，也可以是用于连接至多路开关电路的开关接口等。
以下是本发明电镀装置的具体实施例。
实施例1
参照图1，展示了实施例1的电镀装置的俯视示意图。电镀装置包括电镀腔4，阳极区域位于电镀腔4的底层，阳极区域中有3个电极，分别位于主阳极区域1、12寸晶圆第二阳极区域2和8寸晶圆第二阳极区域3。
主阳极区域1设有一个通孔5用于将主阳极区域1内的主电极连接主电源的正极；两个第二阳极区域各有一个通孔5分别用于将12寸晶圆第二阳极区域2内的第二电极和8寸晶圆第二阳极区域3内的第二电极连接第二电源的正极或主电源的正极，实际电镀中根据晶圆的尺寸进行选择连接。通孔5作为电源接口，可用于将各电极连接至各种类型的电源，例如PWM开关电源、线性电源等。
8寸晶圆第二阳极区域3的形状和位置与8寸晶圆的缺口的形状和位置对应，12寸晶圆第二阳极区域2的形状和位置与12寸晶圆的缺口的形状和位置对应，且12寸晶圆第二阳极区域2与电镀腔4中心的最近距离大于8寸晶圆第二阳极区域3与电镀腔4中心的最远距离，也就是说，8寸晶圆所覆盖的区域与12寸晶圆缺口所覆盖的区域没有重叠。主阳极区域1为带有两个缺口的圆形，12寸晶圆第二阳极区域2和8寸晶圆第二阳极区域3位于缺口中。主阳极区域1圆心与待电镀晶圆的圆心相对，8寸晶圆第二阳极区域3与主阳极区域1圆心的距离小于12寸晶圆第二阳极区域2与主阳极区域1圆心的距离。
参照图11A，8寸晶圆电镀时，将第二电源11的正极连接8寸晶圆第二阳极区域3内的第二电极，12寸晶圆第二阳极区域2内的第二电极不接电源，将主阳极区域1内的主电极连接主电源10的正极。参照图11B，12寸晶圆电镀时，将8寸晶圆第二阳极区域3内的第二电极与主阳极区域1内的主电极并联，接主电源10的正极，将12寸晶圆第二阳极区域2内的第二电极连接第二电源11的正极。图11A、图11B和图12中，主电源10和第二电源11的负极均通过基板夹具13连接至晶圆14。
具体地，8寸晶圆电镀时，由于12寸晶圆第二阳极区域2与8寸晶圆没有重叠，因此12寸晶圆第二阳极区域2不工作，不产生电场；由于8寸晶圆第二阳极区域3内的第二电极与主阳极区域1内的主电极各自连接独立的电源，因此产生的电场强度可以分别控制，从而控制8寸晶圆缺口旋转至指定位置时接收到的总电量，以使8寸晶圆缺口附近的电镀高度与其他区域一致。
12寸晶圆电镀时，由于12寸晶圆缺口与8寸晶圆没有重叠，且8寸晶圆第二阳极区域3被包含在12寸晶圆覆盖范围内，因此需要共同控制8寸晶圆第二阳极区域3内的第二电极与主阳极区域1内的主电极，均连接至主电源10的正极，以产生相同强度的电场，12寸晶圆第二阳极区域2内的第二电极连接第二电源11的正极，与主阳极区域1和8寸晶圆第二阳极区域3产生不同强度的电场。
为了降低12寸晶圆第二阳极区域2和8寸晶圆第二阳极区域3之间的影响，二者最好尽量远离，二者各自的对称轴之间的夹角最好为180°。
实施例2
参照图2，与实施例1不同的是，实施例2的电镀装置中，主阳极区域1设有多个通孔5，在电镀过程中，各通孔5均连接主电源的正极，以提高电场均匀性。各第二电极分别设置在一第一围墙6内，第一围墙6用于分隔第二电极形成的电场与主电极形成的电场，更好地控制晶圆缺口区域附近的电镀高度。
其他结构与实施例1相同。
实施例3
参照图3，实施例3的电镀装置包含了实施例2的电镀装置的所有结构，在此不再重复。
此外，阳极区域的上方有一层离子膜7，离子膜7设置在离子膜骨架上，其划分了电镀腔4的阴极区域和阳极区域，离子膜7的上方是阴极区域，下方是阳极区域。离子膜7的作用是允许阳极区域的欲镀金属离子穿过以补充阴极欲镀金属离子的浓度，并阻止阴极的添加剂分子到达阳极区域。第一围墙的端部与离子膜相接。阴极区域设有两个第二围墙12，两个第二围墙12分别与阳极区域内的两个第一围墙6相对应，用于分隔流场与电场，第二围墙12端部与离子膜骨架相接。
实施例4
参照图4，实施例4的电镀装置包含了实施例3的电镀装置的所有结构，在此不再重复。
此外，电镀腔4的阴极区域设有扩散板8，扩散板8与第二围墙12端部相接，扩散板8上设有相同或不同孔径的通孔，用来控制电镀的流场和电场。欲镀金属离子从阳极区域穿过离子膜7和扩散板8到达晶圆并沉积。
图4中，扩散板8固定安装在电镀腔4上，扩散板8上带有通孔的区域产生的电场可完全覆盖最大尺寸的待电镀晶圆(例如12寸晶圆)。
参照图5，若要对更小尺寸(例如8寸)的晶圆进行电镀，则采用挡板9遮住扩散板8的外圈，使扩散板8只露出中心部分区域以用于该小尺寸(例如8寸)晶圆的电镀，扩散板8外圈的阴极液被挡板9阻挡。挡板9可拆卸的安装在电镀腔4或扩散板8上。
实施例5
参照图6，实施例5的电镀装置包含了实施例3的电镀装置的所有结构，在此不再重复。
此外，电镀腔4的阴极区域设有扩散板8，扩散板8上设有相同或不同孔径的通孔，用来控制电镀的流场和电场。欲镀金属离子从阳极区域穿过离子膜7和扩散板8到达晶圆并沉积。
本实施例中，扩散板8可拆卸的安装在电镀腔4上，每个电镀装置可配置不同型号的扩散板8以匹配不同尺寸或带有不同形状缺口的晶圆，电镀前，根据实际情况，安装对应的扩散板8。
本实施例中展示的是8寸(较小尺寸)晶圆电镀对应的扩散板8，由图可以看出，扩散板8上带有通孔的区域对应8寸晶圆第二阳极区域3，扩散板8上对应12寸晶圆第二阳极区域2的区域上未开设通孔。
若要进行12寸晶圆电镀，或进行具有其他缺口形状晶圆电镀，则拆下8寸晶圆电镀对应的扩散板8，换成匹配的扩散板8即可。
当然，也可以同实施例4一样，在本电镀装置中安装可拆卸的挡板9，在安装12寸晶圆电镀对应的扩散板8后，利用挡板9遮住扩散板8的外圈，使扩散板8只露出中心部分区域以用于8寸晶圆的电镀。
实施例6
参照图7，实施例6的电镀装置包含了实施例3的电镀装置的所有结构，在此不再重复。
此外，两个第二围墙12的顶部分别安装有第二扩散板802，第二扩散板802具有第二通孔区域。图8展示了两个第二扩散板802的形状。
阴极区域可拆卸地安装有主扩散板801，主扩散板801的位置对应主阳极区域，主扩散板801上具有主通孔区域。
每个电镀装置配置两种型号的主扩散板801，分别用于12寸晶圆和8寸晶圆电镀。
参照图9A，第一种型号的主扩散板801上设有两个缺口，每个缺口对应一个第二扩散板802。当主扩散板801安装好后，将两个第二扩散板802分别安装在主扩散板801上的两个缺口处，主扩散板801的主通孔区域和两个第二扩散板802的第二通孔区域拼合成完整的圆形，用于12寸晶圆的电镀。
参照图9B，另一种型号的主扩散板801上设有一个缺口，该缺口对应一个第二扩散板802，当主扩散板801安装好后，将该第二扩散板802安装在主扩散板801上的缺口处，主扩散板801的主通孔区域和第二扩散板802的第二通孔区域拼合成完整的圆形，用于8寸晶圆的电镀。
当然，也可以同实施例4一样，将第一种型号的主扩散板801固定安装在阴极区域。参照图10，若要对8寸晶圆进行电镀，则采用挡板9遮住由主扩散板801的主通孔区域和两个第二扩散板802的第二通孔区域拼合成的完整圆形的外圈，非遮挡的区域适用于8寸晶圆的电镀。挡板9可拆卸地安装在电镀腔4或主扩散板801上。
第二扩散板802可以根据工艺需求进行设计和替换，例如，可以根据工艺需求设计第二扩散板802的第二通孔区域的通孔的开孔密度和孔径等。
为了配合晶圆缺口在第二阳极区域接收到的总电量减小，第二扩散板802的第二通孔区域中的通孔密度小于主扩散板801的主通孔区域中的通孔密度，和/或第二扩散板802的第二通孔区域中的通孔孔径小于主扩散板801的主通孔区域中的通孔孔径，从而进一步控制晶圆缺口附近的电镀高度。此外，可以单独调整第二通孔区域的通孔的密度和孔径，以适应不同产品，因为不同产品的晶圆缺口处的非电镀区域不同。
实施例7
与实施例1不同的是，参照图12，在实施例7的电镀装置中，8寸晶圆第二阳极区域3和12寸晶圆第二阳极区域2各自连接一个独立的第二电源11，主阳极区域1连接主电源10。主电源10和两个第二电源11的负极均通过基板夹具13连接至晶圆14。12寸晶圆电镀时，主阳极区域1、8寸晶圆第二阳极区域3和12寸晶圆第二阳极区域2三者单独控制，由于8寸晶圆第二阳极区域3位于靠近12寸晶圆的中间区域，12寸晶圆第二阳极区域2对应12寸晶圆的边缘区域，因此可以实现12寸晶圆中间区域和边缘区域的单独控制，更加灵活。
其余与实施例1相同。
实施例8
与实施例1不同的是，本实施例8的电镀装置中，通孔5作为开关接口，可用于将各电极连接至多路开关电路，多路开关电路再连接至不同的电源或其他的控制机构。
其余与实施例1相同。
实施例1～实施例8中，主阳极区域1、8寸晶圆第二阳极区域3和12寸晶圆第二阳极区域2，这三个区域各自有单独的阳极电解液供应支路，每条支路上装有针阀，可以通过调整针阀的开度从而控制不同区域流量，通过增大/减小流量可以为对应区域补充/减少流场，与电场强度相结合，控制各区域的电镀高度。
实施例1～实施例8的电镀装置均可适用于其他尺寸的晶圆，而不限于8寸和12寸；第二阳极区域的形状可为扇形、弧形、拱形等，与晶圆的缺口形状相对应。
实施例9
实施例9揭示了一种电镀方法，该方法包括：使用具有电极的电镀设备在晶圆表面进行电镀，电极包括主电极和至少两个第二电极，控制各电极在晶圆表面对应区域形成电场，各第二电极与主电极之间分别可选择的独立控制或共同控制，通过改变各第二电极与主电极之间的控制关系的组合方式，实现对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀。
根据一个可选方式，通过将主电极连接至主电源10，将各第二电极可选择的连接至第二电源11或主电源10，实现各第二电极与主电极之间的独立控制或共同控制。第二电极与主电极之间独立控制时，第二电极在对应区域形成的电场强度与主电极形成的电场强度不同，第二电极与主电极之间共同控制时，第二电极在对应区域形成的电场强度与主电极形成的电场强度相同。
根据另一个可选方式，通过将主电极连接至主整流器，将各第二电极可选择的连接至第二整流器或主整流器，实现各第二电极与主电极之间的独立控制或共同控制。第二电极与主电极之间独立控制时，第二电极在对应区域形成的电场强度与主电极形成的电场强度不同，第二电极与主电极之间共同控制时，第二电极在对应区域形成的电场强度与主电极形成的电场强度相同。电场强度可通过调节电流、电压或占空比来改变。
综上所述，本发明通过上述实施方式及相关图示说明，己具体、详实的揭露了相关技术，使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本发明，而不是用来限制本发明的，本发明的权利范围，应由本发明的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本发明的权利范围。

Claims (18)

1.一种电镀装置，其特征在于，包括多个电极，所述的多个电极包括主电极和至少两个第二电极，各电极在晶圆表面对应区域形成电场，所述的电极分别带有控制接口，通过选择各第二电极与主电极之间的控制关系的组合方式，实现对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀，所述的控制关系为独立控制或共同控制。
2.根据权利要求1所述的电镀装置，其特征在于，所述的控制接口为电源接口，所述的主电极连接至主电源，各第二电极可选择的连接至第二电源或主电源。
3.根据权利要求1所述的电镀装置，其特征在于，所述的第二电极与主电极之间独立控制时，第二电极在对应区域形成的电场与主电极形成的电场强度不同，所述的第二电极与主电极之间共同控制时，第二电极在对应区域形成的电场与主电极形成的电场强度相同。
4.根据权利要求1所述的电镀装置，其特征在于，所述的主电极与晶圆的中心区域相对应，各第二电极的对应区域形成的电场不重叠。
5.根据权利要求1所述的电镀装置，其特征在于，所述的第二电极数量为2个，第一个第二电极对称轴与第二个第二电极对称轴之间的夹角为180°。
6.根据权利要求1所述的电镀装置，其特征在于，每个第二电极对应一个晶圆缺口，其中主电极中心与较大尺寸晶圆的缺口对应的第二电极之间的距离为较大距离，主电极中心与较小尺寸晶圆的缺口对应的第二电极之间的距离为较小距离，所述的较大距离大于所述的较小距离。
7.根据权利要求1所述的电镀装置，其特征在于，各第二电极分别设置在第一围墙内，所述的第一围墙用于分隔第二电极形成的电场与主电极形成的电场。
8.根据权利要求7所述的电镀装置，其特征在于，还包括设置在离子膜骨架上的离子膜，用于分隔电镀腔的阴极区域和阳极区域，所述的第一围墙的端部与所述的离子膜相接。
9.根据权利要求8所述的电镀装置，其特征在于，所述的离子膜与晶圆之间安装有扩散板，所述的扩散板上具有与待电镀晶圆尺寸相匹配的通孔区域，所述的通孔区域中设有多个通孔，所述的离子膜与扩散板之间设有第二围墙，所述的第二围墙两端分别与离子膜骨架和扩散板相接，所述的第二围墙的形状及位置与所述的第一围墙的形状及位置匹配。
10.根据权利要求9所述的电镀装置，其特征在于，所述的扩散板可拆卸的安装。
11.根据权利要求8所述的电镀装置，其特征在于，所述的离子膜与晶圆之间安装有主扩散板，所述的主扩散板上具有主通孔区域，所述的主通孔区域中设有至少一个缺口，所述的缺口的形状和位置与至少一个第二电极匹配，所述的离子膜骨架上设有第二围墙，所述的第二围墙的形状及位置与所述的第一围墙的形状及位置匹配，所述的第二围墙端部设有第二扩散板，所述的第二扩散板上具有第二通孔区域，所述的主通孔区域和第二通孔区域中设有多个通孔，当主扩散板安装好后，将第二扩散板对应安装在主扩散板上的缺口处，主扩散板的主通孔区域和第二扩散板的第二通孔区域拼合成完整的圆形。
12.根据权利要求11所述的电镀装置，其特征在于，所述的主扩散板和第二扩散板可拆卸的安装。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的电镀装置，其特征在于，所述的扩散板与晶圆之间可拆卸的安装有挡板，所述的挡板用于遮挡通孔区域的外圈，以适用不同尺寸的晶圆电镀。
14.根据权利要求11所述的电镀装置，其特征在于，所述的第二通孔区域中的通孔密度小于主通孔区域中的通孔密度，和/或第二通孔区域中的通孔孔径小于主通孔区域中的通孔孔径。
15.一种电镀方法，其特征在于，使用具有电极的电镀设备在晶圆表面进行电镀，所述的电极包括主电极和至少两个第二电极，控制各电极在晶圆表面对应区域形成电场，各第二电极与主电极之间分别可选择的独立控制或共同控制，通过改变各第二电极与主电极之间的控制关系的组合方式，实现对不同尺寸或不同缺口形状的晶圆进行电镀。
16.根据权利要求15所述的电镀方法，其特征在于，通过将所述的主电极连接至主电源，将各第二电极可选择的连接至第二电源或主电源，实现各第二电极与主电极之间的独立控制或共同控制。
17.根据权利要求15所述的电镀方法，所述的第二电极与主电极之间独立控制时，第二电极在对应区域形成的电场与主电极形成的电场强度不同，所述的第二电极与主电极之间共同控制时，第二电极在对应区域形成的电场与主电极形成的电场强度相同。
18.根据权利要求15所述的电镀方法，其特征在于，通过将主电极连接至主整流器，将各第二电极可选择的连接至第二整流器或主整流器，实现各第二电极与主电极之间的独立控制或共同控制。
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