CN114525486A - 溅射镀膜设备 - Google Patents
溅射镀膜设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114525486A CN114525486A CN202210136775.6A CN202210136775A CN114525486A CN 114525486 A CN114525486 A CN 114525486A CN 202210136775 A CN202210136775 A CN 202210136775A CN 114525486 A CN114525486 A CN 114525486A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sputtering
- chamber
- sputtering chamber
- magnetron
- turnover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 179
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 103
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 58
- 230000007306 turnover Effects 0.000 claims abstract description 39
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 claims 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000006115 industrial coating Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了溅射镀膜设备，包括送料机构与溅射镀膜机构，溅射镀膜机构包括周转室、第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室，周转室设于溅射镀膜机构的中间，而第一溅射腔室、第二溅射腔室、第三溅射腔室以及第四溅射腔室依次围绕周转室设置，第一溅射腔室的外部设有低压溅射装置，第二溅射腔室的外部设有第一磁控溅射装置、第二磁控溅射装置以及第三磁控溅射装置，第三溅射腔室的外部设有第四磁控溅射装置、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射装置，第四溅射腔室的外部设有第一RF离子源清洗装置、第六磁控溅射装置以及第七磁控溅射装置。
Description
技术领域
本发明涉及溅射镀膜技术领域，具体为塑胶溅射镀膜设备。
背景技术
磁控溅射为工业镀膜中广泛使用的工艺，其主要通过磁控溅射镀膜设备对基材进行镀膜，磁控溅射镀膜设备通过靶材对基材进行镀膜，然而现有的溅射镀膜设备自动化程度较低，进而导致玻璃镀膜的效率较低，无法满足生产需求。
发明内容
为了克服现有技术方案的不足，本发明提供塑胶溅射镀膜设备。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：塑胶溅射镀膜设备，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置与溅射镀膜装置，所述溅射镀膜装置包括周转室、第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，所述周转室设于溅射镀膜装置的中间，所述第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室依次围绕周转室而设置；
所述第一溅射室的外部设有低压溅射机构；
所述第二溅射室的外部设有第一磁控溅射机构、第二磁控溅射机构以及第三磁控溅射机构；
所述第三溅射室的外部设有第四磁控溅射机构、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射机构；
所述第四溅射室的外部设有第一RF离子源清洗机构、第六磁控溅射机构以及第七磁控溅射机构；
工件通过送料装置依次经过第一溅射室、周转室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，其中工件至少四次回归周转室，并且工件每经过一道工序均进行抽高真空处理。
特别的，所述送料装置包括入料轨道、第一周转组件、对接轨道以及送料轨道，所述第一周转组件设于送料装置的中间，所述入料轨道、对接轨道以及送料轨道依次围绕第一周转组件设置，所述入料轨道设于第一周转组件的右侧，所述对接轨道设于第一周转组件的后侧，所述送料轨道设于第一周转组件的左侧。
特别的，所述第一溅射室的内部安装有加热组件、第一工件旋转机构、第一抽真空机构及第二抽真空机构；
所述第二溅射室的内部安装有第三抽真空机构；
所述第三溅射室的内部安装有第二工件旋转机构、第四抽真空机构、第五抽真空机构以及充气ICP辅助溅射机构；
所述第四溅射室的内部安装有第三工件旋转机构以及第六抽真空机构；
并且，第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室及第四溅射室内安装有充气溅射机构。
所述周转室的内部安装有第七抽真空机构以及第二周转组件。
特别的，所述低压溅射机构设于第一溅射室的右侧；
所述第一磁控溅射机构及第三磁控溅射机构对称设置于第二溅射室的前侧与后侧，且第二磁控溅射机构设于第二溅射室的右侧；
所述第四磁控溅射机构及第五磁控溅射机构对称设置于第三溅射室的右侧与左侧，且电感耦合等离子光谱发生仪设于第三溅射室的后侧；
所述第一RF离子源清洗机构设于第四溅射室的后侧，所述第六磁控溅射机构设于第四溅射室的左侧，所述第七磁控溅射机构设于第四溅射室的前侧。
特别的，所述第一溅射室设于周转室的前侧，所述第二溅射室设于周转室的右侧，所述第三溅射室设于周转室的后侧，所述第四溅射室设于周转室的左侧。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
工件放置在入料轨道上，通过第一周转组件从对接轨道进入到第一溅射室内进行AF镀膜，工件于第一溅射室内部以旋转的方式加热、抽低真空、抽高真空及充气溅射处理，然后，工件从第一溅射室进入到周转室内，工件经过周转室内进行抽真空处理，下一步经过第二溅射室，第二溅射室内进行抽高真空及充气溅射处理，下一步回到周转室，下一步经过第三溅射室内进行抽高真空及充气ICP辅助溅射处理，下一步回到周转室，最后回到第一溅射室出料。
附图说明
图1为本发明的整体结构示意图；
图2为本发明的俯视结构示意图；
图3为本发明的送料装置结构示意图；
图4为本发明的溅射镀膜装置内部结构示意图；
图5为本发明的溅射镀膜工艺流程示意图。
图中标号:
1、送料装置；2、溅射镀膜装置；3、周转室；4、第一溅射室；5、第二溅射室；6、第三溅射室；7、第四溅射室；8、低压溅射机构；9、第一磁控溅射机构；10、第二磁控溅射机构；11、第三磁控溅射机构；12、第四磁控溅射机构；13、电感耦合等离子光谱发生仪；14、第五磁控溅射机构；15、第一RF离子源清洗机构；16、第六磁控溅射机构；17、第七磁控溅射机构；18、入料轨道；19、第一周转组件；20、对接轨道；21、送料轨道。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1-4所示，本发明提供了塑胶溅射镀膜设备，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置1与溅射镀膜装置2，所述溅射镀膜装置2包括周转室3、第一溅射室4、第二溅射室5、第三溅射室6以及第四溅射室7，所述周转室3设于溅射镀膜装置2的中间，所述第一溅射室4、第二溅射室 5、第三溅射室6以及第四溅射室7依次围绕周转室3而设置；
所述第一溅射室4的外部设有低压溅射机构8；
所述第二溅射室5的外部设有第一磁控溅射机构9、第二磁控溅射机构 10以及第三磁控溅射机构11；
所述第三溅射室6的外部设有第四磁控溅射机构12、电感耦合等离子光谱发生仪13以及第五磁控溅射机构14；
所述第四溅射室7的外部设有第一RF离子源清洗机构15、第六磁控溅射机构16以及第七磁控溅射机构17；
工件通过送料装置1依次经过第一溅射室4、周转室3、第二溅射室5、第三溅射室6以及第四溅射室7，其中工件至少四次回归周转室3，并且工件每经过一道工序均进行抽高真空处理，工件于第一溅射室4内部以旋转的方式加热、抽低真空、抽高真空及充气溅射处理，然后，工件从第一溅射室4进入到周转室3内，工件经过周转室3内进行抽真空处理，下一步经过第二溅射室5，第二溅射室5内进行抽高真空及充气溅射处理，下一步回到周转室3，下一步经过第三溅射室6内进行抽高真空及充气ICP辅助溅射处理，下一步回到周转室3，最后回到第一溅射室4出料。
进一步说明的是，所述送料装置1包括入料轨道18、第一周转组件19、对接轨道20以及送料轨道21，所述第一周转组件19设于送料装置1的中间，所述入料轨道18、对接轨道20以及送料轨道21依次围绕第一周转组件19设置，所述入料轨道18设于第一周转组件19的右侧，所述对接轨道 20设于第一周转组件19的后侧，所述送料轨道21设于第一周转组件19的左侧。
进一步说明的是，所述第一溅射室4的内部安装有加热组件、第一工件旋转机构、第一抽真空机构及第二抽真空机构；
所述第二溅射室5的内部安装有第三抽真空机构；
所述第三溅射室6的内部安装有第二工件旋转机构、第四抽真空机构、第五抽真空机构以及充气ICP辅助溅射机构；
所述第四溅射室7的内部安装有第三工件旋转机构以及第六抽真空机构；
并且，第一溅射室4、第二溅射室5、第三溅射室6及第四溅射室7内安装有充气溅射机构。
所述周转室3的内部安装有第七抽真空机构以及第二周转组件。
进一步说明的是，所述低压溅射机构8设于第一溅射室4的右侧；
所述第一磁控溅射机构9及第三磁控溅射机构11对称设置于第二溅射室5的前侧与后侧，且第二磁控溅射机构10设于第二溅射室5的右侧；
所述第四磁控溅射机构12及第五磁控溅射机构14对称设置于第三溅射室6的右侧与左侧，且电感耦合等离子光谱发生仪13设于第三溅射室6 的后侧；
所述第一RF离子源清洗机构15设于第四溅射室7的后侧，所述第六磁控溅射机构16设于第四溅射室7的左侧，所述第七磁控溅射机构17设于第四溅射室7的前侧。
所述第一溅射室4设于周转室3的前侧，所述第二溅射室5设于周转室3的右侧，所述第三溅射室6设于周转室3的后侧，所述第四溅射室7 设于周转室3的左侧。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (5)
1.塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，包括结构主体，所述结构主体包括送料装置与溅射镀膜装置，所述溅射镀膜装置包括周转室、第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室，所述周转室设于溅射镀膜装置的中间，所述第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室以及第四溅射室依次围绕周转室而设置；
所述第一溅射室的外部设有低压溅射机构；
所述第二溅射室的外部设有第一磁控溅射机构、第二磁控溅射机构以及第三磁控溅射机构；
所述第三溅射室的外部设有第四磁控溅射机构、电感耦合等离子光谱发生仪以及第五磁控溅射机构；
所述第四溅射室的外部设有第一RF离子源清洗机构、第六磁控溅射机构以及第七磁控溅射机构；
2.根据权利要求1所述的塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，所述送料装置包括入料轨道、第一周转组件、对接轨道以及送料轨道，所述第一周转组件设于送料装置的中间，所述入料轨道、对接轨道以及送料轨道依次围绕第一周转组件设置，所述入料轨道设于第一周转组件的右侧，所述对接轨道设于第一周转组件的后侧，所述送料轨道设于第一周转组件的左侧。
3.根据权利要求1所述的塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，所述第一溅射室的内部安装有加热组件、第一工件旋转机构、第一抽真空机构及第二抽真空机构；
所述第二溅射室的内部安装有第三抽真空机构；
所述第三溅射室的内部安装有第二工件旋转机构、第四抽真空机构、第五抽真空机构以及充气ICP辅助溅射机构；
所述第四溅射室的内部安装有第三工件旋转机构以及第六抽真空机构；
并且，第一溅射室、第二溅射室、第三溅射室及第四溅射室内安装有充气溅射机构。
所述周转室的内部安装有第七抽真空机构以及第二周转组件。
4.根据权利要求1所述的塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，所述低压溅射机构设于第一溅射室的右侧；
所述第一磁控溅射机构及第三磁控溅射机构对称设置于第二溅射室的前侧与后侧，且第二磁控溅射机构设于第二溅射室的右侧；
所述第四磁控溅射机构及第五磁控溅射机构对称设置于第三溅射室的右侧与左侧，且电感耦合等离子光谱发生仪设于第三溅射室的后侧；
所述第一RF离子源清洗机构设于第四溅射室的后侧，所述第六磁控溅射机构设于第四溅射室的左侧，所述第七磁控溅射机构设于第四溅射室的前侧。
5.根据权利要求1所述的塑胶溅射镀膜设备，其特征在于，所述第一溅射室设于周转室的前侧，所述第二溅射室设于周转室的右侧，所述第三溅射室设于周转室的后侧，所述第四溅射室设于周转室的左侧。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210136775.6A CN114525486A (zh) | 2022-02-15 | 2022-02-15 | 溅射镀膜设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210136775.6A CN114525486A (zh) | 2022-02-15 | 2022-02-15 | 溅射镀膜设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114525486A true CN114525486A (zh) | 2022-05-24 |
Family
ID=81622698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210136775.6A Pending CN114525486A (zh) | 2022-02-15 | 2022-02-15 | 溅射镀膜设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114525486A (zh) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711442A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置製造用スパッタ装置 |
| JPH11200035A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Anelva Corp | スパッタ化学蒸着複合装置 |
| CN1414134A (zh) * | 2001-10-26 | 2003-04-30 | 株式会社爱发科 | 溅射方法 |
| US20040251112A1 (en) * | 2001-11-22 | 2004-12-16 | Karl Freudelsperger | Conveying device for conveying stock on pallets or the like with change of direction |
| JP2007100219A (ja) * | 2007-01-04 | 2007-04-19 | Canon Anelva Corp | 高温リフロースパッタリング装置及び高温リフロースパッタリング方法 |
| CN201148461Y (zh) * | 2007-07-09 | 2008-11-12 | 吕振华 | 可变轨迹的传送轨道及太阳能集热管连续溅射镀膜机 |
| CN103403215A (zh) * | 2010-12-28 | 2013-11-20 | 佳能安内华股份有限公司 | 制造设备 |
| CN109563615A (zh) * | 2017-06-28 | 2019-04-02 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
| CN112575299A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种适用于红外钝化膜层的磁控溅射系统 |
| CN217479541U (zh) * | 2022-02-15 | 2022-09-23 | 东莞市峰谷纳米科技有限公司 | 塑胶溅射镀膜设备 |
-
2022
- 2022-02-15 CN CN202210136775.6A patent/CN114525486A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0711442A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置製造用スパッタ装置 |
| JPH11200035A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Anelva Corp | スパッタ化学蒸着複合装置 |
| CN1414134A (zh) * | 2001-10-26 | 2003-04-30 | 株式会社爱发科 | 溅射方法 |
| US20040251112A1 (en) * | 2001-11-22 | 2004-12-16 | Karl Freudelsperger | Conveying device for conveying stock on pallets or the like with change of direction |
| JP2007100219A (ja) * | 2007-01-04 | 2007-04-19 | Canon Anelva Corp | 高温リフロースパッタリング装置及び高温リフロースパッタリング方法 |
| CN201148461Y (zh) * | 2007-07-09 | 2008-11-12 | 吕振华 | 可变轨迹的传送轨道及太阳能集热管连续溅射镀膜机 |
| CN103403215A (zh) * | 2010-12-28 | 2013-11-20 | 佳能安内华股份有限公司 | 制造设备 |
| CN109563615A (zh) * | 2017-06-28 | 2019-04-02 | 株式会社爱发科 | 溅射装置 |
| CN112575299A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 一种适用于红外钝化膜层的磁控溅射系统 |
| CN217479541U (zh) * | 2022-02-15 | 2022-09-23 | 东莞市峰谷纳米科技有限公司 | 塑胶溅射镀膜设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI401333B (zh) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
| CN109576654B (zh) | 成膜装置 | |
| WO2010035649A1 (ja) | 光学フィルターの製造方法 | |
| KR101017101B1 (ko) | 유도결합 플라즈마 안테나 | |
| KR20120096101A (ko) | 진공 배기 장치 및 진공 배기 방법, 그리고 기판 처리 장치 | |
| CN106298425A (zh) | 提高等离子体径向均匀性的等离子体腔室 | |
| CN105200381A (zh) | 阳极场辅磁控溅射镀膜装置 | |
| CN217479541U (zh) | 塑胶溅射镀膜设备 | |
| CN114525486A (zh) | 溅射镀膜设备 | |
| TWI469179B (zh) | 電漿裝置 | |
| CN104797072A (zh) | 一种电感耦合式射频等离子体源 | |
| CN108131274B (zh) | 一种真空抽气系统 | |
| CN102816997B (zh) | 一种降低铝合金镀银表面二次电子发射系数的方法 | |
| CN104282518A (zh) | 等离子体处理装置的清洁方法 | |
| CN218596493U (zh) | 一种靶阴极磁钢布置结构及采用该结构的磁控溅射装置 | |
| TWI418264B (zh) | 電漿裝置 | |
| JP2006045633A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| CN104733275B (zh) | 等离子体工艺设备 | |
| TWM628113U (zh) | 獨立式連續製程系統 | |
| CN205152320U (zh) | 阳极场辅磁控溅射镀膜装置 | |
| CN103035464A (zh) | 一种带水冷效果的空心阴极管 | |
| CN211284529U (zh) | 电致变色功能薄膜器件连续沉积装置 | |
| CN114845453A (zh) | Icp反应装置和icp发生器 | |
| TWM599322U (zh) | 一種水準立式磁控濺射鍍膜設備 | |
| CN102291924B (zh) | 一种新型等离子体处理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20220524 |