CN114497409A - 显示模组和具有其的显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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Abstract
本发明公开了一种显示模组和具有其的显示装置,所述显示模组包括:驱动基板、像素界定层、OLED器件层、彩膜层和遮挡层,彩膜层包括与多个子像素区域一一相对设置的多个子滤光区域,遮挡层为至少一层,设于OLED器件层的远离驱动基板的一侧,每个遮挡层均包括开口区域和遮光区域,开口区域与子像素区域沿驱动基板的厚度方向相对设置,遮光区域与相邻的两个子滤光区域相接的部分沿驱动基板的厚度方向相对设置,在垂直于驱动基板的横截面上,遮光区域的两端连线长度小于相应遮光区域的实际长度。根据本发明的显示模组,可以改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,并可以增大水氧入侵的路径,提高显示模组的可靠性和显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种显示模组和具有其的显示装置。
背景技术
相关技术中,硅基OLED(有机发光半导体,Organic Light Emitting Diode的简称)微型显示器作为近眼显示器常应用在VR(虚拟现实技术Virtual Reality的简称)、AR(增强现实技术,Augmented Reality的简称)等技术领域中,因为硅基半导体CMOS(互补金属氧化物,Complementary Metal Oxide Semiconductor的简称)工艺的成熟,集成度高,可以实现超高PPI(像素密度,Pixels Per Inch的简称)显示等。
由于硅基OLED微型显示器的尺寸小,超高PPI,其阳极间距很小,因此相邻子像素之间常常由于出光角导致硅基OLED串扰严重。更加具体地说,由于OLED器件层在制作时,有机发光层通常采用整面蒸镀为连续膜层,因此,与相邻子像素区域对应的有机发光层是相连的,由于阳极间隙仅有零点几微米,相邻子像素常常会发生漏光串扰,特别对于tandem(叠层)器件,OLED器件层较厚给相邻子像素出光带来的漏光串扰更加严重。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明在于提出一种显示模组,所述显示模组可以改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,并且可以增大水氧入侵的路径。
本发明还提出一种具有上述显示模组的显示装置。
根据本发明第一方面实施例的显示模组,包括:驱动基板;像素界定层,所述像素界定层设在所述驱动基板上,且界定出多个子像素区域;OLED器件层,所述OLED器件层设在所述像素界定层上,且包括有机发光层和位于所述有机发光层厚度两侧的第一电极层和第二电极层;彩膜层,所述彩膜层设在所述OLED器件层的远离所述驱动基板的一侧,且包括与多个子像素区域一一相对设置的多个子滤光区域;遮挡层,所述遮挡层为至少一层,设于所述OLED器件层的远离所述驱动基板的一侧,每个所述遮挡层均包括开口区域和遮光区域,所述开口区域与所述子像素区域沿所述驱动基板的厚度方向相对设置,所述遮光区域与相邻的两个所述子滤光区域相接的部分沿所述驱动基板的厚度方向相对设置,在垂直于所述驱动基板的横截面上,所述遮光区域的两端连线长度小于相应所述遮光区域的实际长度。
根据本发明实施例的显示模组,由于遮光区域的两端连线长度小于它的实际长度,从而可以改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,而且可以增大水氧入侵的路径,降低水氧从相邻子像素拼接位置入侵的可能,从而保护驱动基板不与水氧接触,提高显示模组的可靠性和显示效果。
在一些实施例中,所述遮光区域上具有朝向靠近所述驱动基板的方向凹陷的第一凹陷部。
在一些实施例中,在垂直于所述驱动基板的横截面上,所述第一凹陷部位于相应所述遮光区域的宽度中心位置。
在一些实施例中,所述有机发光层连续,所述第一电极层设于所述有机发光层的靠近所述驱动基板的一侧,所述第一电极层包括间隔开设置的多个子电极层,多个所述子电极层分别一一对应地设于多个所述子像素区域。
在一些实施例中,所述第二电极层上具有朝向靠近所述驱动基板的方向凹陷的第二凹陷部,且所述第二凹陷部与相邻的两个所述子滤光区域相接的部分沿所述驱动基板的厚度方向相对设置。
在一些实施例中,所述遮光区域上具有朝向靠近所述驱动基板的方向凹陷的第一凹陷部,在垂直于所述驱动基板的横截面上,所述第一凹陷部的宽度小于所述第二凹陷部的宽度。
在一些实施例中,所述彩膜层的远离所述OLED器件层的一侧设有所述遮挡层。
在一些实施例中,所述显示模组还包括:封装层,所述封装层为至少一层,包括设在所述OLED器件层与所述彩膜层之间的内封装层,和/或设在所述彩膜层的远离所述OLED器件层的一侧的外封装层,至少一个所述封装层的远离所述OLED器件层的一侧设有所述遮挡层。
在一些实施例中,至少一个所述封装层上具有朝向靠近所述驱动基板的方向凹陷的第三凹陷部,且所述第三凹陷部与相邻的两个所述子滤光区域相接的部分沿所述驱动基板的厚度方向相对设置。
在一些实施例中,所述的显示模组包括多个所述内封装层,多个所述内封装层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层,所述第二封装层设于所述第一封装层的远离所述OLED器件层的一侧,所述第三封装层设在所述第一封装层与所述第二封装层之间,所述第一封装层与所述第三封装层之间设有所述遮挡层和/或所述第二封装层的远离所述第一封装层的一侧设有所述遮挡层。
在一些实施例中,所述显示模组还包括:内封装层,所述内封装层为至少一层,设在所述OLED器件层与所述彩膜层之间;平坦化层,所述平坦化层设在所述内封装层和所述彩膜层之间,至少一个所述内封装层和所述平坦化层之间和/或所述平坦化层和所述彩膜层之间设有所述遮挡层。
在一些实施例中,所述遮挡层采用刻蚀工艺或剥离工艺制作。
在一些实施例中,在垂直于所述驱动基板的横截面上,所述遮光区域的宽度大于等于相应位置处的串扰光线所经过区域的宽度。
在一些实施例中,所述OLED器件层与所述彩膜层之间、沿着远离所述驱动基板的方向,依次排列有第一介质层、第二介质层和第三介质层,所述第一介质层的厚度为t1、折射率为n1,所述第二介质层的厚度为t2、折射率为n2,所述第三介质层的厚度为t3、折射率为n3,其中,n1>n2,临界入射光线从所述第一介质层沿临界角度α射入所述第二介质层,然后沿入射角度β从所述第二介质层射入所述第三介质层,然后沿入射角度γ从所述第三介质层射入所述彩膜层,所述遮挡层包括第一遮光层、第二遮光层和第三遮光层中的至少一个,所述第一遮光层位于所述第一介质层和所述第二介质层之间,所述第二遮光层位于所述第二介质层和所述第三介质层之间,所述第三遮光层位于所述第三介质层和所述彩膜层之间;所述第一遮光层的遮光区域的宽度为d1,d1≥2*(t2*tanβ+t3*tanγ);所述第二遮光层的遮光区域的宽度为d2,d2≥2*t3*tanγ;所述第三遮光层的遮光区域的宽度为d3,d3≥2*(t1*tanα+t2*tanβ+t3*tanγ)-d,其中,d为相邻的两个所述子像素区域之间的间距。
在一些实施例中,相邻的两个所述子滤光区域边缘重叠设置。
在一些实施例中,所述遮挡层为金属层。
根据本发明第二方面实施例的显示装置,包括根据本发明第一方面实施例的显示模组。
根据本发明实施例的显示装置,通过设置上述第一方面实施例的显示模组,从而提高了显示装置的整体显示性能。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1为根据本发明一个实施例的显示模组的剖视图;
图2为图1中所示的一个遮光区域的局部放大图;
图3为根据本发明另一个实施例的显示模组的剖视图;
图4为根据本发明另一个实施例的显示模组的剖视图;
图5为根据本发明另一个实施例的显示模组的剖视图;
图6为根据本发明另一个实施例的显示模组的剖视图;
图7为根据本发明另一个实施例的显示模组的剖视图;
图8为根据本发明一个实施例的遮挡层的制作工艺流程图;
图9为根据本发明另一个实施例的遮挡层的制作工艺流程图;
图10为根据本发明一个实施例的显示模组的剖视图。
附图标记:
显示模组100:
驱动基板1;
像素界定层2;子像素区域20;
OLED器件层3;有机发光层31;第一电极层32;
第二电极层33;子电极层30;第二凹陷部331;
彩膜层4;子滤光区域40;
封装层5;第一封装层51;第二封装层52;第三封装层53;
内封装层5A;外封装层5B;第三凹陷部50;
平坦化层6;
遮挡层7;开口区域701;遮光区域702;第一凹陷部7021;
第一遮挡层71;第二遮挡层72;
第三遮挡层73;第四遮挡层74;
第一遮光层7A;第二遮光层7B;第三遮光层7C;
第一介质层8A;第二介质层8B;第三介质层8C。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。
下面,参照附图,描述根据本发明实施例的显示模组100和具有其的显示装置。
如图1所示,根据本发明实施例的显示模组100,可以包括:驱动基板1、像素界定层2、OLED器件层3和彩膜层4,像素界定层2设在驱动基板1上,且界定出多个子像素区域20,OLED器件层3设在像素界定层2上,且包括有机发光层31和位于有机发光层31厚度两侧的第一电极层32和第二电极层33,彩膜层4设在OLED器件层3的远离驱动基板1的一侧,且包括与多个子像素区域20一一相对设置的多个子滤光区域40,也就是说,一个子像素区域20与一个子滤光区域40沿显示模组100的厚度方向相对设置。
可以理解的是,通常显示模组上的每个像素可由红色(Red简称R)、绿色(Green简称G)、蓝色(Blue简称B)三原色组成,每个像素上的每种颜色叫一个“子像素”。当然,不限于此,例如,还有一些显示模组在红色(R)子像素、绿色(G)子像素、蓝色(B)子像素的基础上,追加了白色(White简称W)子像素,等等。即OLED器件层3、彩膜层4、以及OLED器件层3和彩膜层4之间的膜层所组成的膜层组中,与一个子像素区域20沿显示模组100的厚度方向相对的部分为一个“子像素”。
另外,可以理解的是,OLED又称有机发光半导体(Organic Light Emitting Diode的简称),第一电极层32和第二电极层33中的一个为阴极层、另一个为阳极层。此外,可以理解的是,彩膜层4即为Color Filter(彩色滤光片,简称CF),像素界定层2即为pixeldefinition layer,(简称PDL)。
如图1所示,显示模组100还包括遮挡层7,遮挡层7为至少一层且每层遮挡层7均设于OLED器件层3的远离驱动基板1的一侧,每个遮挡层7均包括开口区域701和遮光区域702,开口区域701与子像素区域20沿驱动基板1的厚度方向相对设置,从而保证光线可以射出,遮光区域702与相邻的两个子滤光区域40相接的部分沿驱动基板1的厚度方向相对设置,且在垂直于驱动基板1的横截面上(例如图1和图2所示),遮光区域702的两端连线长度(如图2中所示的长度L)小于相应遮光区域702(即该遮光区域702)的实际长度(如2图中所示的长度L1+L2+L3+L4+L5),也就是说,对于每个遮光区域702来说,其两端连线长度小于其实际长度。
由此说明,在垂直于驱动基板1的横截面上,遮光区域702并不是直线段形状,而是曲折的,例如可以具有凸起部、凹陷部、斜线部、甚至曲线部等等,从而使得遮光区域702的两端连线长度小于它的实际长度,从而可以改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,而且可以增大水氧入侵的路径,降低水氧从相邻子像素拼接位置入侵的可能,从而保护驱动基板1不与水氧接触,提高显示模组100的可靠性和显示效果。
在本发明的一些实施例中,如图1和图2所示,遮光区域702上具有朝向靠近驱动基板1的方向凹陷的第一凹陷部7021。由此,遮光区域702的制作方便,且可以简单且有效低保证在垂直于驱动基板1的横截面上,遮光区域702并不是直线段形状,而是曲折的,从而保证遮光区域702的两端连线长度小于它的实际长度,改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,而且可以增大水氧入侵的路径,保护驱动基板1不与水氧接触,提高显示模组100的可靠性和显示效果。
在本发明的一些实施例中,如图1和图2所示,在垂直于驱动基板1的横截面上,第一凹陷部7021位于相应遮光区域702的宽度中心位置,使得第一凹陷部7021与相邻的两个子滤光区域40的拼接位置可以沿驱动基板1的厚度方向正对设置或者接近正对设置,从而可以进一步改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,以及可以更好地降低水氧从相邻子像素拼接位置入侵的可能,从而保护驱动基板1不与水氧接触,进一步提高显示模组100的可靠性和显示效果。
根据本发明一些实施例的显示模组100,如图2所示,有机发光层31可以连续,即在相邻子像素连接之间的位置连续,或者说,与相邻子像素区域20之间区域对应位置处的有机发光层31是相连的,第一电极层32设于有机发光层31的靠近驱动基板1的一侧,第一电极层32包括多个子电极层30,多个子电极层30分别一一对应地设于多个子像素区域20,也就是说,第一电极层32在相邻子像素连接之间的位置不连续,从而OLED器件层3可以使得显示模组100用于Micro OLED显示器。由此,通过设置遮挡层7,从而解决了相邻子像素之间的漏光串扰问题。
在本发明的一些实施例中,遮挡层7可以为金属层,即金属材质的层,从而可以简单且有效地满足超高解析度要求,符合Micro OLED显示器的超高需求PPI,降低对像素开口率造成的不良影响,保证显示亮度要求,且利用金属的透过率低的特点,在与相邻的两个子滤光区域40相接的部分相对的位置进行遮光,从而遮挡相邻子像素出光带来的漏光串扰。当然,本发明实施例的遮挡层7的应用不限于Micro OLED显示器,例如在本发明的一些其他实施例中,有机发光层31也可以断开、不连续,例如在相邻子像素连接之间的位置断开、不连续等等,这里不作赘述。在本发明的一些实施方式中,有机发光层31可以包括一层或多层发光单元层,发光单元层包括由朝向远离驱动基板1的方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
在本发明的一些实施例中,如图1所示,第二电极层33上具有朝向靠近驱动基板1的方向凹陷的第二凹陷部331,且第二凹陷部331与相邻的两个子滤光区域40相接的部分沿驱动基板1的厚度方向相对设置。也就是说,第二电极层33在对应相邻的两个子电极层30拼接的位置设置第二凹陷部331,从而可以有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,降低水氧从相邻子像素拼接位置入侵的可能,从而保护驱动基板1不与水氧接触,进一步提高显示模组100的可靠性和显示效果。
进一步地,如图1所示,当第二电极层33上具有上述第二凹陷部331,且遮光区域702上具有朝向靠近驱动基板1的方向凹陷的第一凹陷部7021,且第一凹陷部7021与相邻的两个子滤光区域40相接的部分沿驱动基板1的厚度方向相对设置时,从而通过设置第一凹陷部7021和第二凹陷部331可以进一步降低相邻子像素之间的漏光串扰问题,而且可以更好地降低水氧从相邻子像素拼接位置入侵的可能,从而保护驱动基板1不与水氧接触,进一步提高显示模组100的可靠性和显示效果。
并且,如图1所示,在一些实施例中,在垂直于驱动基板1的横截面上,第一凹陷部7021的宽度(如图1中所示的第一凹陷部7021在左右方向上的宽度,或者说第一凹陷部7021的两端连线长度)小于第二凹陷部331的宽度(如图1中所示的第二凹陷部331在左右方向上的宽度,或者说第二凹陷部331的两端连线长度)。由此,可以降低遮光区域702对像素开口率造成的不良影响,保证像素开口率足够大,保证显示亮度满足要求。
在本发明的实施例中,遮挡层7的具体设置位置不限,可以根据实际要求具体选择,例如下面将给出一些具体实施例,但是本发明不限于以下实施例。
在一些实施例中,如图1所示,彩膜层4的远离OLED器件层3的一侧设有遮挡层7。也就是说,至少一个遮挡层7设于彩膜层4的远离OLED器件层3的一侧。由此,便于加工,且可以有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题。
例如在图1所示的示例中,彩膜层4的远离OLED器件层3的一侧设有第一遮挡层71,第一遮挡层71直接设置在彩膜层4上,且第一遮挡层71的遮光区域702位于每相邻的两个子滤光区域40相接的部分的上方,从而方便加工。
在一些实施例中,如图3所示,显示模组100还包括:封装层5,封装层5为至少一层,且包括设在OLED器件层3与彩膜层4之间的内封装层5A,和/或设在彩膜层4的远离OLED器件层3的一侧的外封装层5B。也就是说,显示模组100包括:至少一个内封装层5A和/或至少一个外封装层5B,内封装层5A设在OLED器件层3与彩膜层4之间,外封装层5B设在彩膜层4的远离OLED器件层3的一侧,至少一个封装层5的远离OLED器件层3的一侧设有遮挡层7。例如后文所述的第二遮挡层72、第三遮挡层73、第四遮挡层74均设于至少一个封装层5的远离OLED器件层3的一侧。由此,便于加工,可以保证封装效果,且可以有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题。其中,封装层5可以为薄膜封装层(即TFE,Thin-Film Encapsulation的简称)。
在一些实施例中,如图3所示,至少一个封装层5上具有朝向靠近驱动基板1的方向凹陷的第三凹陷部50,且第三凹陷部50与相邻的两个子滤光区域40相接的部分沿驱动基板1的厚度方向相对设置。由此,可以进一步降低相邻子像素之间的漏光串扰问题,而且可以更好地降低水氧从相邻子像素拼接位置入侵的可能,从而保护驱动基板1不与水氧接触,进一步提高显示模组100的可靠性和显示效果。
根据本发明一些实施例,如图3所示,显示模组100包括内封装层5A和平坦化层6(即PLN,Planarization laye的简称),所述内封装层5A为至少一层且设在所述OLED器件层3与所述彩膜层4之间,平坦化层6设在内封装层5A和彩膜层4之间(例如图3所示),其中,平坦化层6和彩膜层4之间设有遮挡层7(例如后文所述的第二遮挡层72),和/或至少一个内封装层5A和平坦化层6之间设有遮挡层7(例如后文所述的第三遮挡层73、第四遮挡层74)。由此,便于加工,且可以有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题。
例如在图3和图4所示的示例中,平坦化层6的远离OLED器件层3的一侧设有第二遮挡层72,第二遮挡层72直接设置在平坦化层6上,且第二遮挡层72的遮光区域702位于每相邻的两个子滤光区域40相接的部分的下方,从而方便加工。
例如在图5所示的示例中,封装层5为多层且包括第一封装层51和第二封装层52,第二封装层52设于第一封装层51的远离OLED器件层3的一侧。例如在一些具体示例中,第一封装层51和第二封装层52可以分别为有机薄膜封装层和无机薄膜封装层。又例如在另外一些实施例中,封装层5还可以包括设于第一封装层51和第二封装层52之间的第三封装层53,此时第一封装层51和第二封装层52可以均为无机薄膜封装层,第三封装层53可以为有机薄膜封装层。但本发明不限于此。
例如在图5所示的示例中,第二封装层52和平坦化层6之间设有第三遮挡层73,且第三遮挡层73直接设置在第二封装层52上,且三遮挡层7的遮光区域702位于每相邻的两个子滤光区域40相接的部分的下方,由此,便于加工,且可以有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,且当第二封装层52为无机薄膜封装层时,可以保证第三遮挡层73的设置位置稳定,遮挡效果可靠。
又例如在图6所示的示例中,第一封装层51和平坦化层6之间设有第四遮挡层74,且第四遮挡层74直接设置在第一封装层51上,且第四遮挡层74的遮光区域702位于每相邻的两个子滤光区域40相接的部分的下方,由此,便于加工,且可以有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,且当第一封装层51为无机薄膜封装层时,可以保证第四遮挡层74的设置位置稳定,遮挡效果可靠。
根据本发明实施例的显示模组100,还可以同时包括上述多种遮挡层7中的任意多个(两个或多于两个)。由此,当遮挡层7为多个时,可以更加可靠且有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题。此外,可以理解的是,当遮挡层7仅为一个时,可以简化加工工序,并保证显示模组100的整体厚度较小。
例如,根据本发明一些实施例的显示模组100,包括多个内封装层5A,多个内封装层5A包括第一封装层51、第二封装层52和第三封装层53,第二封装层52设于第一封装层51的远离OLED器件层3的一侧,第三封装层53设在第一封装层51与第二封装层52之间,第一封装层51与第三封装层53之间设有封装层5(例如图6中所示的第四遮挡层74)和/或第二封装层52的远离第一封装层51的一侧设有封装层5(例如图5中所示的第三遮挡层73)。由此,便于加工,且可以有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,且当第一封装层51和第二封装层52为无机薄膜封装层时,可以保证遮挡层7的设置位置稳定,遮挡效果可靠。
例如图7所示的具体示例中,显示模组100还包括:封装层5和平坦化层6,封装层5设在OLED器件层3的远离驱动基板1的一侧,平坦化层6设在封装层5和彩膜层4之间,封装层5为多层且包括第一封装层51、第二封装层52和第三封装层53,第二封装层52设于第一封装层51的远离OLED器件层3的一侧,第三封装层53设于第一封装层51和第二封装层52之间,遮挡层7为至少一层且包括第一遮挡层71(结合图1)、第二遮挡层72、第三遮挡层73(结合图5)、第四遮挡层74中的至少一个,第一遮挡层71直接设置在彩膜层4上,第二遮挡层72直接设置在平坦化层6上,第三遮挡层73直接设置在第二封装层52上,第四遮挡层74直接设置在第一封装层51上。由此,当遮挡层7为多个时,可以更加可靠且有效地改善相邻子像素之间的漏光串扰问题,当遮挡层7仅为一个时,可以简化加工工序,并保证显示模组100的整体厚度较小。
根据本发明一些实施例的显示模组100,遮挡层7可以采用刻蚀工艺或剥离工艺制作。例如图8所示,当遮挡层7采用刻蚀工艺制作时,制作工序可以包括金属成膜、光阻涂布、图案曝光、图案显影、金属刻蚀,光阻剥离等,例如图9所示,当遮挡层7采用剥离工艺制作时,制作工序可以包括底部抗反射涂层涂布、光阻涂布、图案曝光、图案显影、金属成膜、光阻剥离、显影等。由此,都可以简单且有效地获得符合需求的遮挡层7。当然,本发明不限于此,在本发明的其他实施例中,还可以采用其他工艺制作遮挡层7,例如在条件允许的情况下,还可以采用3D打印技术制作等等。需要说明的是,遮挡层7的材料不限,例如可以为钼(Mo)、铝(Al)等。
在本发明的一些实施例中,在垂直于驱动基板1的横截面上,遮光区域702的两端连线长度为遮光区域702的宽度,遮光区域702的宽度大于等于相应位置处的串扰光线所经过区域的宽度。也就是说,每个遮光区域702需要覆盖其所在位置可能经过串扰光线的区域。由此,可以起到可靠且有效地防止相邻子像素间的漏光串扰问题。
例如在图10所示的示例中,OLED器件层3与彩膜层4之间、沿着远离驱动基板1的方向,依次排列有第一介质层8A、第二介质层8B和第三介质层8C,第一介质层8A的厚度为t1、折射率为n1,第二介质层8B的厚度为t2、折射率为n2,第三介质层8C的厚度为t3、折射率为n3,其中,n1>n2,临界入射光线从第一介质层8A沿临界角度α射入第二介质层8B,然后沿入射角度β从第二介质层8B射入第三介质层8C,然后沿入射角度γ从第三介质层8C射入彩膜层4。可以理解的是,入射角度β等于临界入射光线从第一介质层8A射入第二介质层8B内的折射角,入射角度γ等于临界入射光线从第二介质层8B射入第三介质层8C内的折射角,由此,当n1、n2、n3确定后,可以计算出α、β、γ。
如图10所示,遮挡层7包括第一遮光层7A、第二遮光层7B和第三遮光层7C中的至少一个,第一遮光层7A位于第一介质层8A和第二介质层8B之间,第二遮光层7B位于第二介质层8B和第三介质层8C之间,第三遮光层7C位于第三介质层8C和彩膜层4之间。如图10所示,第一遮光层7A的遮光区域702的宽度为d1,d1≥2*(t2*tanβ+t3*tanγ);第二遮光层7B的遮光区域702的宽度为d2,d2≥2*t3*tanγ;第三遮光层7C的遮光区域702的宽度为d3,d3≥2*(t1*tanα+t2*tanβ+t3*tanγ)-d。
其中,d为相邻的两个子像素区域20之间的间距,可以理解的是,当有机发光层31连续时,相邻的两个子像素区域20之间的间距即为:相邻两个子电极层30之间的间距。由此,可以简单且有效地保证遮光区域702的间距大于等于相应位置处的串扰光线经过区域的间距。在一些实施例中,n1>n2>n3,从而可以保证显示模组100的出光效果好。
具体而言,在OLED器件层3发光时从第一介质层8A到第二介质层8B的部分光因出光角度形成全反射,靠近每个子像素边缘的部分光线会进入邻近子像素造成串色。通过如上设计第一遮光层7A、第二遮光层7B和第三遮光层7C的宽度,从而可以保证每个遮光区域702需要覆盖其所在位置可能经过串扰光线的区域,以可靠且有效地防止相邻子像素间的漏光串扰问题。
需要说明的是,上述计算方案只是提供一个计算思路,当然,根据本发明实施例的显示模组100不限于上述数量的介质层,例如还可以在OLED器件层3与所述彩膜层4之间仅设置一个或者两个或者多于三个介质层,都可以根据上述思路计算,以保证每个遮光区域702需要覆盖其所在位置可能经过串扰光线的区域,这里不作赘述。
在本发明的一些实施例中,相邻的两个子滤光区域40可以边缘重叠设置,由此,可以进一步改善相邻子像素之间的串扰问题,而且可以增大水氧入侵的路径,降低水氧从相邻子像素拼接位置入侵的可能,从而保护驱动基板1不与水氧接触,提高显示模组100的可靠性和显示效果。
此外,需要说明的是,根据本发明实施例的各层的具体结构尺寸不限,例如,第二电极层33为阳极层,且厚度可以为80~120nm,相邻子电极层30之间的间距可以为:0.2~0.1um;第一电极层32可以为阴极层,且厚度可以为8~20nm;有机发光层31的厚度可以为130~400nm;像素界定层2的厚度可以为30~150nm。第一凹陷部7021的深度和宽度不限,可以根据实际情况设定,例如,第一凹陷部7021的深度可以小于遮挡层7的最大厚度的两倍,其中,第一凹陷部7021的深度指第一凹陷部7021的最大深度。第一凹陷部7021的宽度可以大于遮光区域702的宽度的1/5且小于遮光区域702的宽度的4/5。由此,可以在满足加工要求的前提下,更加可靠地改善相邻子像素之间的串扰问题,而且可以有效地保证增大水氧入侵的路径。
根据本发明实施例的显示装置,具体类型不限,包括根据本发明实施例的显示模组100,由于显示模组100设置有遮挡层7,可靠且有效地防止相邻子像素间的漏光串扰问题,从而可以提升显示装置的整体显示效果。此外,需要说明的是,根据本发明实施例的显示装置的其他构成以及操作,在显示装置的具体类型确定后,对于本领域普通技术人员而言都是已知的,这里不再详细描述。
此外,术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (17)
1.一种显示模组(100),其特征在于,包括:
驱动基板(1);
像素界定层(2),所述像素界定层(2)设在所述驱动基板(1)上,且界定出多个子像素区域(20);
OLED器件层(3),所述OLED器件层(3)设在所述像素界定层(2)上,且包括有机发光层(31)和位于所述有机发光层(31)厚度两侧的第一电极层(32)和第二电极层(33);
彩膜层(4),所述彩膜层(4)设在所述OLED器件层(3)的远离所述驱动基板(1)的一侧,且包括与多个子像素区域(20)一一相对设置的多个子滤光区域(40);
遮挡层(7),所述遮挡层(7)为至少一层,设于所述OLED器件层(3)的远离所述驱动基板(1)的一侧,每个所述遮挡层(7)均包括开口区域(701)和遮光区域(702),所述开口区域(701)与所述子像素区域(20)沿所述驱动基板(1)的厚度方向相对设置,所述遮光区域(702)与相邻的两个所述子滤光区域(40)相接的部分沿所述驱动基板(1)的厚度方向相对设置,在垂直于所述驱动基板(1)的横截面上,所述遮光区域(702)的两端连线长度小于相应所述遮光区域(702)的实际长度。
2.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,所述遮光区域(702)上具有朝向靠近所述驱动基板(1)的方向凹陷的第一凹陷部(7021)。
3.根据权利要求2所述的显示模组(100),其特征在于,在垂直于所述驱动基板(1)的横截面上,所述第一凹陷部(7021)位于相应所述遮光区域(702)的宽度中心位置。
4.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,所述有机发光层(31)连续,所述第一电极层(32)设于所述有机发光层(31)的靠近所述驱动基板(1)的一侧,所述第一电极层(32)包括间隔开设置的多个子电极层(30),多个所述子电极层(30)分别一一对应地设于多个所述子像素区域(20)。
5.根据权利要求4所述的显示模组(100),其特征在于,所述第二电极层(33)上具有朝向靠近所述驱动基板(1)的方向凹陷的第二凹陷部(331),且所述第二凹陷部(331)与相邻的两个所述子滤光区域(40)相接的部分沿所述驱动基板(1)的厚度方向相对设置。
6.根据权利要求5所述的显示模组(100),其特征在于,所述遮光区域(702)上具有朝向靠近所述驱动基板(1)的方向凹陷的第一凹陷部(7021),在垂直于所述驱动基板(1)的横截面上,所述第一凹陷部(7021)的宽度小于所述第二凹陷部(331)的宽度。
7.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,所述彩膜层(4)的远离所述OLED器件层(3)的一侧设有所述遮挡层(7)。
8.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,还包括:
封装层(5),所述封装层(5)为至少一层,且包括设在所述OLED器件层(3)与所述彩膜层(4)之间的内封装层(5A),和/或设在所述彩膜层(4)的远离所述OLED器件层(3)的一侧的外封装层(5B),至少一个所述封装层(5)的远离所述OLED器件层(3)的一侧设有所述遮挡层(7)。
9.根据权利要求8所述的显示模组(100),其特征在于,至少一个所述封装层(5)上具有朝向靠近所述驱动基板(1)的方向凹陷的第三凹陷部(50),且所述第三凹陷部(50)与相邻的两个所述子滤光区域(40)相接的部分沿所述驱动基板(1)的厚度方向相对设置。
10.根据权利要求8所述的显示模组(100),其特征在于,所述的显示模组(100)包括多个所述内封装层(5A),多个所述内封装层(5A)包括第一封装层(51)、第二封装层(52)和第三封装层(53),所述第二封装层(52)设于所述第一封装层(51)的远离所述OLED器件层(3)的一侧,所述第三封装层(53)设在所述第一封装层(51)与所述第二封装层(52)之间,所述第一封装层(51)与所述第三封装层(53)之间设有所述遮挡层(7),和/或所述第二封装层(52)的远离所述第一封装层(51)的一侧设有所述遮挡层(7)。
11.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,还包括:
内封装层(5A),所述内封装层(5A)为至少一层,设在所述OLED器件层(3)与所述彩膜层(4)之间;和
平坦化层(6),所述平坦化层(6)设在所述内封装层(5A)和所述彩膜层(4)之间,至少一个所述内封装层(5A)和所述平坦化层(6)之间,和/或所述平坦化层(6)和所述彩膜层(4)之间设有所述遮挡层(7)。
12.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,所述遮挡层(7)采用刻蚀工艺或剥离工艺制作。
13.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,在垂直于所述驱动基板(1)的横截面上,所述遮光区域(702)的宽度大于等于相应位置处的串扰光线所经过区域的宽度。
14.根据权利要求13所述的显示模组(100),其特征在于,所述OLED器件层(3)与所述彩膜层(4)之间、沿着远离所述驱动基板(1)的方向,依次排列有第一介质层(8A)、第二介质层(8B)和第三介质层(8C),所述第一介质层(8A)的厚度为t1、折射率为n1,所述第二介质层(8B)的厚度为t2、折射率为n2,所述第三介质层(8C)的厚度为t3、折射率为n3,其中,n1>n2,临界入射光线从所述第一介质层(8A)沿临界角度α射入所述第二介质层(8B),然后沿入射角度β从所述第二介质层(8B)射入所述第三介质层(8C),然后沿入射角度γ从所述第三介质层(8C)射入所述彩膜层(4),
所述遮挡层(7)包括第一遮光层(7A)、第二遮光层(7B)和第三遮光层(7C)中的至少一个,所述第一遮光层(7A)位于所述第一介质层(8A)和所述第二介质层(8B)之间,所述第二遮光层(7B)位于所述第二介质层(8B)和所述第三介质层(8C)之间,所述第三遮光层(7C)位于所述第三介质层(8C)和所述彩膜层(4)之间;
所述第一遮光层(7A)的遮光区域(702)的宽度为d1,d1≥2*(t2*tanβ+t3*tanγ);
所述第二遮光层(7B)的遮光区域(702)的宽度为d2,d2≥2*t3*tanγ;
所述第三遮光层(7C)的遮光区域(702)的宽度为d3,d3≥2*(t1*tanα+t2*tanβ+t3*tanγ)-d,其中,d为相邻的两个所述子像素区域(20)之间的间距。
15.根据权利要求1所述的显示模组(100),其特征在于,相邻的两个所述子滤光区域(40)边缘重叠设置。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的显示模组(100),其特征在于,所述遮挡层(7)为金属层。
17.一种显示装置,其特征在于,包括根据权利要求1-16中任一项所述的显示模组(100)。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011166196.3A CN114497409B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 显示模组和具有其的显示装置 |
EP21884692.1A EP4203048A4 (en) | 2020-10-27 | 2021-09-01 | Display module and display apparatus with same |
US17/922,088 US20230172003A1 (en) | 2020-10-27 | 2021-09-01 | Display module and display device having same |
PCT/CN2021/116037 WO2022088961A1 (zh) | 2020-10-27 | 2021-09-01 | 显示模组和具有其的显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202011166196.3A CN114497409B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 显示模组和具有其的显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114497409A true CN114497409A (zh) | 2022-05-13 |
CN114497409B CN114497409B (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=81381860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011166196.3A Active CN114497409B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 显示模组和具有其的显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230172003A1 (zh) |
EP (1) | EP4203048A4 (zh) |
CN (1) | CN114497409B (zh) |
WO (1) | WO2022088961A1 (zh) |
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-
2020
- 2020-10-27 CN CN202011166196.3A patent/CN114497409B/zh active Active
-
2021
- 2021-09-01 US US17/922,088 patent/US20230172003A1/en active Pending
- 2021-09-01 WO PCT/CN2021/116037 patent/WO2022088961A1/zh unknown
- 2021-09-01 EP EP21884692.1A patent/EP4203048A4/en active Pending
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---|---|---|---|---|
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---|---|
EP4203048A4 (en) | 2024-01-31 |
CN114497409B (zh) | 2024-04-05 |
WO2022088961A1 (zh) | 2022-05-05 |
EP4203048A1 (en) | 2023-06-28 |
US20230172003A1 (en) | 2023-06-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |