CN114488639B - 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 - Google Patents
阵列基板、液晶显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114488639B CN114488639B CN202210330834.3A CN202210330834A CN114488639B CN 114488639 B CN114488639 B CN 114488639B CN 202210330834 A CN202210330834 A CN 202210330834A CN 114488639 B CN114488639 B CN 114488639B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sub
- pixel
- pixel electrode
- array substrate
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 13
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 13
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004091 panning Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
本申请公开一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。阵列基板包括多条扫描线、多条数据线以及多个像素单元。每一像素单元均包括第一子像素电极和第二子像素电极,第一子像素电极和第二子像素电极电连接至同一条数据线。其中,相邻的两列像素单元之间均设有一条数据线,相邻的两行像素单元之间均设有两条扫描线。在每一行像素单元中,第一子像素电极和第二子像素电极交替排布,每一第一子像素电极均与像素单元所在行的上一级且邻近的一条扫描线电连接,每一第二子像素电极均与像素单元所在行下一级且邻近的一条扫描线电连接。本申请能够减少阵列基板中子像素的连接种类,进而减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
背景技术
随着科技的进步,液晶显示面板已经广泛的被运用在各种领域,尤其是液晶显示面板,因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性,而应用在多种电子产品中。而随着解析度及分辨率的提升,液晶显示面板中的数据线的数量会成比例增加,进而提供数据信号的源极驱动芯片的数量成倍增加,导致生产成本上升。对此,常采用DLS(Data LineSharing,数据线共享)的驱动方式,以减少数据线的数量。
在静止情况下观察这种DLS架构的液晶显示面板时,由于正负帧不断切换,像素显示的亮度也不断亮暗变化,亮度在人眼叠加,人眼并不能分辨出任何亮度差异。但是当液晶显示面板显示动态画面或者人摇头观看屏幕的情况下,亮、亮或暗、暗相叠加,人眼就会捕捉到条纹或网格状的显示画面,即所谓的摇头纹现象。
发明内容
本申请提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,以解决具有DLS架构的阵列基板的显示画面中出现摇头纹的技术问题。
本申请提供一种阵列基板,其包括:
多条扫描线,多条所述扫描线沿第一方向排布;
多条数据线,多条所述数据线沿第二方向排布,所述第二方向与所述第一方向交叉;
多个像素单元,多个所述像素单元呈阵列排布,每一所述像素单元均包括第一子像素电极和第二子像素电极,所述第一子像素电极和所述第二子像素电极电连接至同一条所述数据线;
其中,相邻的两列所述像素单元之间均设有一条所述数据线,相邻的两行所述像素单元之间均设有两条所述扫描线;在每一行所述像素单元中,所述第一子像素电极和所述第二子像素电极交替排布,每一所述第一子像素电极均与所述像素单元所在行的上一级且邻近的一条所述扫描线电连接,每一所述第二子像素电极均与所述像素单元所在行的下一级且邻近的一条所述扫描线电连接。
本申请实施例中,减少了第一子像素电极和第二子像素电极的连接类型,从而减小了各子像素之间的亮度差异,改善了摇头纹问题。
可选的,在本申请一些实施例中,沿所述第一方向,位于相邻两行所述像素单元中的所述第一子像素电极交错设置,在同一列所述像素单元中,相邻的两个所述像素单元分别连接至相邻的两条所述数据线。
本申请实施例中,通过改变相邻数据线传输的数据电压的极性,即可控制第一子像素电极和第二子像素电极的极性,从而在第一方向上,实现更多电压反转的功能。
可选的,在本申请一些实施例中,在同一个所述像素单元中,所述第一子像素电极更靠近同时连接所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的所述数据线。
本申请实施例中,阵列基板仅包括B型和C型两种像素连接类型。且C型的栅源电容Cgs较小,B型的耦合电容Cpg较小,对第一子像素电极和第二子像素电极的影响更小,从而进一步减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
可选的,在本申请一些实施例中,在同一个所述像素单元中,所述第二子像素电极更靠近同时连接所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的所述数据线。
本申请实施例中,阵列基板仅包括A型和D型两种像素连接类型,可以减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
可选的,在本申请一些实施例中,在同一帧显示画面中,相邻两条所述数据线被配置为传输极性相反的数据电压。
本申请实施例中,阵列基板采用2点反转的驱动方式,可以进一步改善显示画面的质量。
可选的,在本申请一些实施例中,在同一帧显示画面中,每条所述数据线均被配置为传输极性相同的数据电压,在相邻两帧显示画面中,同一所述数据线被配置为传输极性相反的数据电压。
本申请实施例中,阵列基板采用帧反转的驱动方式,在改善显示画面质量的同时,降低数据电压的变化复杂性,降低提供数据电压的驱动芯片的功耗。
可选的,在本申请一些实施例中,位于相邻两行所述像素单元中的所述第一子像素电极一一对应设置,且位于同一列的所述像素单元与同一条所述数据线电连接;
其中,在每一所述像素单元中,所述第一子像素电极位于第二列,所述第二子像素电极位于第一列,或者所述第一子像素电极位于第二列,所述第二子像素电极位于第一列。
本申请实施例中,阵列基板仅包括两种像素连接类型,且由于每一行像素单元中,第一子像素电极和第二子像素电极的位置相同,使得第一子像素电极和第二子像素电极与扫描线以及数据线的连接更加规律,简化了制程工艺。
可选的,在本申请一些实施例中,沿所述第一方向,共用同一条所述数据线的相邻两个所述像素单元接收的数据电压的极性相反。
本申请实施例中,在简化制成工艺的同时,可以通过数据电压极性的改变,实现2点反转,进一步改善显示画面。
本申请还提供一种液晶显示面板,其包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板为权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
可选的,在本申请一些实施例中,所述彩膜基板包括多个色阻,所述多个色阻包括红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻;
其中,每一所述色阻对应一所述第一子像素电极或一所述第二子像素电极设置,对应一行所述像素单元设置的所述红色色阻、所述绿色色阻以及所述蓝色色阻以任一排列组合重复排列,位于同一列的所述第一子像素电极或所述第二子像素电极对应的所述色阻的颜色相同。
本申请实施例中,RGB像素排列架构结构简单,工艺成熟,应用在本申请中,可以简化工艺制程,降低生产成本。
相应的,本申请还提供一种显示装置,其包括阵列基板、源极驱动芯片和栅极驱动电路,所述源极驱动芯片用于提供数据电压至所述阵列基板,所述栅极驱动电路用于提供扫描信号至所述阵列基板,所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。
本申请提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。阵列基板包括多条扫描线、多条数据线以及多个像素单元。每一像素单元均包括第一子像素电极和第二子像素电极,第一子像素电极和第二子像素电极电连接至同一条数据线。其中,相邻的两列像素单元之间均设有一条数据线,相邻的两行像素单元之间均设有两条扫描线。在每一行像素单元中,第一子像素电极和第二子像素电极交替排布,每一第一子像素电极均与像素单元所在行的上一级且邻近的一条扫描线电连接,每一第二子像素电极均与像素单元所在行的下一级且邻近的一条扫描线电连接。本申请通过上述设置能够减少阵列基板中子像素的连接种类,减小各子像素之间受到的干扰差异,进而减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1是本申请提供的现有技术中阵列基板的结构示意图;
图2是本申请提供的图1中A处的放大结构示意图;
图3是本申请提供的图1中A处的电路结构示意图;
图4是本申请提供的图1中相邻列绿色子像素的亮度分布示意图;
图5是本申请提供的数据电压与馈路电压的关系示意图;
图6是本申请提供的阵列基板的第一结构示意图;
图7是本申请提供的图6中相邻列绿色子像素的亮度分布示意图;
图8是本申请提供的阵列基板的第三结构示意图;
图9是本申请提供的图8中相邻列绿色子像素的亮度分布示意图;
图10是本申请提供的阵列基板的第四结构示意图;
图11是本申请提供的阵列基板的第五结构示意图;
图12是本申请提供的液晶显示面板的一种结构示意图;
图13是本申请提供的显示装置的一种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”和“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征,因此不能理解为对本申请的限制。
本申请提供一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置,以下进行详细说明。需要说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对本申请实施例优选顺序的限定。
具体的,请参阅图1-图3。图1是本申请提供的现有技术中阵列基板的结构示意图。图2是本申请提供的图1中A处的放大结构示意图。图3是本申请提供的图1中A处的电路结构示意图。
通常每一子像素10均通过一晶体管(图中未标识)与相应的扫描线11以及数据线12电连接。每一子像素10均包括像素电极13。晶体管的栅极与扫描线11电连接。晶体管的源极与数据线12电连接。晶体管的漏极与像素电极13电连接。
首先,对于与同一根数据线12连接的相邻两个子像素10,由于两个子像素10与同一条数据线12之间的距离不同,两个子像素10的像素电极13与晶体管之间的连接线长度也不同。比如,图2中的第一连接线210的长度大于第二连接线220的长度。本申请以下实施例均将连接线的长短不同分别称为长轴连接和短轴连接。长轴连接的子像素10的栅源电容Cgs较大,短轴连接的子像素10的栅源电容Cgs较小。
其次,由于扫描线11逐行打开,位于子像素10上方的第一行扫描线11将与其连接的子像素10先打开。随后位于子像素10下方的第二行扫描线11打开与其连接的子像素10。此时,第二行扫描线11对经第一行扫描线11打开的子像素10的像素电极13有较大的耦合电容Cpg,而第三行扫描线11由于距离较远,对经第二行扫描线11打开的像素电极13只有较小的耦合电容Cpg,可忽略不计。
因此,根据栅源Cgs以及耦合电容Cpg引起的Feedthrough(馈路)电压公式为:
Vft=(Cgs+Cpg)/Ctotal
可知栅源CgsCgs和耦合电容Cpg的大小差异会造成不同子像素10的馈路电压Vft大小差异。其中,Ctotal为所有像素相关电容,常见的公式为Ctotal=Cgs+Cst+Clc。其中,Cst为存储电容,Clc为液晶电容。
请同时参阅图1-图4,图4是本申请提供的数据电压与馈路电压的关系示意图。其中,图中实线代表子像素10的理想电压。虚线代表子像素10的实际电压。同一灰阶的正极性数据电压DA+和负极性数据电压DA-关于公共电压COM对称。可知,馈路电压Vft的差异对应的即是子像素10的显示亮度差异。其中,对于正极性像素,馈路电压Vft越大,实际电压越小,像素越暗。而对于负极性像素,馈路电压Vft越大,实际越大,像素越亮。
因此,结合图1可知,现有阵列基板中子像素10的连接方式可通过馈路电压Vft分为四种类型。第一种:从下(与位于子像素10下方的扫描线11连接)短轴连接的A型(栅源电容Cgs较小,耦合电容Cpg忽略,馈路电压Vft最小)。第二种:从下长轴连接的B型(栅源电容Cgs较大,耦合电容Cpg忽略,馈路电压Vft较小)。第三种:从上(与位于子像素10上方的扫描线11连接)短轴连接的C型(栅源电容Cgs较小,耦合电Cpg较大,馈路电压Vft较大)。第四种:从上长轴连接的D(栅源电容Cgs较大,耦合电Cpg较大,馈路电压Vft最大)。
进一步的,请同时参阅图1-图5,图5是本申请提供的图1中相邻列绿色子像素的亮度分布示意图。其中,现有阵列基板中,每行子像素10以RGB为重复单元重复排列,且相邻两条数据线12被配置为传输极性相反的数据电压。由于在RGB三色子像素中,人眼对绿色较为敏感,所以本申请以绿色子像素的亮度分布为例进行说明。
具体的,根据上述四种像素连接类型以及子像素10的正负极性,发现相邻列绿色子像素的亮度总和为8和12之间的切换,本身有列亮度差异,最终导致摇头纹现象的形成。
请参阅图6,图6是本申请提供的阵列基板的第一结构示意图。在本申请实施例中,阵列基板100包括多条扫描线11、多条数据线12以及多个像素单元20。
具体的,每条扫描线11均沿第二方向X延伸。多条扫描线11沿第一方向Y排布。每条数据线12沿第一方向Y延伸。多条数据线12沿第二方向X排布。多个像素单元20呈阵列排布。每一像素单元20均包括第一子像素电极21和第二子像素电极22。第一子像素电极21和第二子像素电极22电连接至同一条数据线12。
其中,相邻的两列像素单元20之间均设有一条数据线12。相邻的两行像素单元20之间均设有两条扫描线11。在每一行像素单元20中,第一子像素电极21和第二子像素电极22交替排布。每一第一子像素电极21均与像素单元20所在行的上一级且邻近的一条扫描线11电连接。每一第二子像素电极22均与像素单元20所在行的下一级下方且邻近的一条扫描线11电连接。
其中,在阵列基板100处于竖直平面时,上一级即为上方。第一方向Y和第二方向X可以垂直交叉,也可以只交叉不垂直。附图仅为示例,不能理解为对本申请的限定。
其中,扫描线11和数据线12的材料可以为银(Ag)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、钨(W)或钛(Ti)中的任一种。上述金属的导电性好,成本较低,在保证扫描线11和数据线12的导电性的同时可以降低生产成本。扫描线11和数据线12的材料也可以为碳纳米管或石墨烯等电阻率较小的透明材料,以降低扫描线11和数据线12对像素开口率的影响。
其中,扫描线11和数据线12的条数可根据阵列基板100的尺寸以及阵列基板100的分辨率规格进行设定,本申请对此不作具体限定。
其中,第一子像素电极21和第二子像素电极22电连接至同一条数据线12,也即采用了DLS驱动方式,减少数据线12的数量,进而减少了源极驱动芯片的数量,降低了生产成本。
其中,由于扫描线11逐行打开,因此在每一像素单元20中,与先打开的扫描线11电连接的子像素电极为第一子像素电极21。与后打开的扫描线11电连接的子像素电极为第二子像素电极22。
在本申请实施例中,在每一行像素单元20中,设置第一子像素电极21和第二子像素电极22交替排布。并且设置每一第一子像素电极21均与位于像素单元20上方且邻近的一条扫描线11电连接,每一第二子像素电极22均与位于像素单元20下方且邻近的一条扫描线11电连接,使得每一行像素单元20中的第一子像素电极21和第二子像素电极22与扫描线11以及数据线12之间的连接方式比较单一。从而能够减少第一子像素电极21和第二子像素电极22的连接类型,减小各子像素之间受到的干扰差异,进而减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
需要说明的是,在本申请实施例中,至少位于奇数行的像素单元20的像素连接类型均相同,位于偶数行的像素单元20的像素连接类型均相同。因此,图中仅示出第一行像素单元20和第二行像素单元20作为示例。
请继续参阅图6,在本申请实施例中,沿第一方向Y,位于相邻两行像素单元20中的第一子像素电极21交错设置。在同一列像素单元20中,相邻的两个像素单元20分别连接至相邻的两条数据线12。
具体的,其中一行像素单元20中的每一像素单元20均与左侧邻近的一条数据线12电连接。另一行像素单元20中的每一像素单元20均与右侧邻近的一条数据线12电连接。
本申请实施例中,位于相邻两行像素单元20中的第一子像素电极21交错设置,且同一列中,相邻的像素单元20连接至不同的数据线12。在减少阵列基板100中第一子像素电极21和第二子像素电极22的像素连接类型的同时,通过改变相邻数据线12传输的数据电压的极性,即可控制第一子像素电极21和第二子像素电极22的极性。从而在第一方向Y上,可实现更多电压反转的功能。
进一步的,在同一个像素单元20中,第一子像素电极21更靠近同时连接第一子像素电极21和第二子像素电极22的数据线12。
具体的,在与左侧邻近的一条数据线12电连接的像素单元20中,第一子像素电极21位于第一列,第二子像素电极22位于第二列。在与右侧邻近的一条数据线12电连接的像素单元20中,第一子像素电极21位于第二列,第二子像素电极22位于第一列。
可以理解的是,在本申请实施例的阵列基板100中,第一子像素电极21的像素连接类型均为C型,即从上短轴连接。第二子像素电极22的像素连接类型均为B型,即从下长轴连接。
可知,本申请实施例提供的阵列基板100仅包括两种像素连接类型。且由上述分析可知,C型的栅源电容Cgs较小,B型的耦合电容Cpg较小。因此,本申请实施例中的像素连接类型对第一子像素电极21和第二子像素电极22的影响更小,从而进一步减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
进一步的,在同一帧显示画面中,相邻两条数据线12被配置为传输极性相反的数据电压。
由此,在本申请实施例中,沿第二方向X,阵列基板100采用2点反转的驱动方式,且沿第一方向Y,同样采用2点反转的驱动方式,可以进一步改善显示画面的质量。
需要说明的是,本申请以下实施例均以在每一行像素单元20中,多个第一子像素电极21以及多个第二子像素电极22对应的子像素以RGB为重复单元重复排列,且位于同一列的第一子像素电极21或第二子像素电极22对应的子像素颜色都相同为例进行说明,但不能理解为对本申请的限定。
此外,请参阅图7,图7是本申请提供的图6中相邻列绿色子像素的亮度分布示意图。由上述分析可知,在本申请实施例中,当相邻两条数据线12被配置为传输极性相反的数据电压时,在第一行像素单元20中,第一个绿色子像素为正极性像素,且为从下长轴连接的B型,第二个绿色子像素为正极性像素,且为从上短轴连接的C型,第三个绿色子像素为负极性像素,且为从下长轴连接的B型,第四个绿色子像素为负极性像素,且为从上短轴连接的C型。第二行像素单元20、第三行像素单元20以及第四行像素单元20(图中未示出)中的绿色子像素的像素连接类型均可根据上述内容得到,在此不一一赘述。
其中,在第一行像素单元20中,对于第一个绿色子像素而言,栅源电容Cgs较大,耦合电容Cpg忽略。对于第二个绿色子像素而言,栅源电容Cgs较小,耦合电容Cpg较大。因此,综合考虑栅源电容Cgs和耦合电容Cpg对子像素的亮度影响,B型和C型的馈路电压Vft可视为相同。且第一个绿色子像素和第二个绿色子像素均为正极性像素。因此,第一个绿色子像素和第二个绿色子像素的亮度视为相同。同理,第三个绿色子像素和第四个绿色子像素的亮度视为相同。又因为,相同馈路电压Vft下,负极性像素的亮度大于正极性像素的亮度,因此,将第一个绿色子像素和第二个绿色子像素的亮度设为2,第三个绿色子像素和第四个绿色子像素的亮度设为3。第二行像素单元20、第三行像素单元20以及第四行像素单元20的亮度排布均可根据上述分析得到,在此不再赘述。
由此可知,在本申请实施例的阵列基板100的亮度分布中,相邻列绿色子像素的亮度总和均为10,本身没有列亮度差异,则不会形成条纹状的摇头纹现象。
当然,在本申请其它实施例中,在同一帧显示画面中,每条数据线12均可被配置为传输极性相同的数据电压。在相邻两帧显示画面中,数据线12被配置为传输极性相反的数据电压。
由此,阵列基板100采用帧反转的驱动方式,在改善显示画面质量的同时,降低数据电压的变化复杂性,降低提供数据电压的驱动芯片的功耗。且此时,若同一帧画面中不存在正负极性的差异,由于第一子像素电极21和第二子像素电极22的像素连接类型固定,相邻列绿色子像素的亮度总和也均相同,不会产生摇头纹问题。
请参阅图8,图8是本申请提供的阵列基板的第二结构示意图。与图6所示的阵列基板100的不同之处在于,在本申请实施例中,在同一个像素单元20中,第二子像素电极22更靠近同时连接第一子像素电极21和第二子像素电极22的数据线12。
具体的,在与左侧邻近的一条数据线12电连接的像素单元20中,第一子像素电极21位于第二列,第二子像素电极22位于第一列。在与右侧邻近的一条数据线12电连接的像素单元20中,第一子像素电极21位于第一列,第二子像素电极22位于第二列。
在本申请实施例的阵列基板100中,第一子像素电极21的像素连接类型均为D型,即从上长轴连接。第二子像素电极22的像素连接类型均为A型,即从下短轴连接。
可知,本申请实施例提供的阵列基板100仅包括两种像素连接类型,可以减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
进一步的,相邻两条数据线12也可被配置为传输极性相反的数据电压。此时,第一行像素单元20中,第一个绿色子像素为正极性像素,且为从上长轴连接的D型,第二个绿色子像素为正极性像素,且为从下短轴连接的A型,第三个绿色子像素为负极性像素,且为从上长轴连接的D型,第四个绿色子像素为负极性像素,且为从下短轴连接的A型。第二行像素单元20、第三行像素单元20以及第四行像素单元20中的绿色子像素的像素连接类型均可根据上述内容得到,在此不一一赘述。
请参阅图9,图9是本申请提供的图8中相邻列绿色子像素的亮度分布示意图。由图可知,在本申请实施例的阵列基板100的亮度分布中,相邻列绿色子像素的亮度总和均为10,本身没有列亮度差异,则不会形成条纹状的摇头纹现象。
请参阅图10,图10是本申请提供的阵列基板的第三结构示意图。与图6所示的阵列基板100的不同之处在于,在本实施例中,位于相邻两行像素单元20中的第一子像素电极21一一对应设置,且位于同一列的像素单元20与同一条数据线12电连接。其中,在每一像素单元20中,第一子像素电极21位于第一列,第二子像素电极22位于第二列。
在本申请实施例中,第一子像素电极21的像素连接类型均为C型,即从上短轴连接。第二子像素电极22的像素连接类型均为B型,即从下长轴连接。第一子像素电极21和第二子像素电极22的像素连接类型固定,减少了阵列基板100中像素连接类型,减小了各子像素之间受到的干扰差异。
此外,由于每一行像素单元20中,第一子像素电极21和第二子像素电极22的位置相同,使得第一子像素电极21和第二子像素电极22与扫描线11以及数据线12的连接更加规律,简化了制程工艺。
进一步的,当相邻两条数据线12也可被配置为传输极性相反的数据电压时,沿第二方向X,采用2点反转的驱动方式,沿第一方向Y,每一像素单元20接入的数据电压的极性均相同。
当然,在其它实施例中,也可以通过改变每条数据线12在每行扫描线11打开时传输的数据电压的极性,使得沿第一方向Y,共用同一条数据线12的相邻两个像素单元20接收的数据电压的极性相反。在简化制成工艺的同时,通过数据电压极性的改变,实现2点反转,进一步改善显示画面。
请参阅图11,图11是本申请提供的阵列基板的第四结构示意图。与图10所示的阵列基板100的不同之处在于,在本实施例中,在每一像素单元20中,第一子像素电极21位于第二列,第二子像素电极22位于第一列。
在本申请实施例中,第一子像素电极21的像素连接类型均为A型,即从上长轴连接。第二子像素电极22的像素连接类型均为D型,即从下短轴连接。第一子像素电极21和第二子像素电极22的像素连接类型固定,减少了阵列基板100中的像素连接类型,减小了各子像素之间受到的干扰差异。
同理,由于每一行像素单元20中,第一子像素电极21和第二子像素电极22的位置相同,使得第一子像素电极21和第二子像素电极22与扫描线11以及数据线12的连接更加规律,简化了制程工艺。
相应的,本申请还提供一种液晶显示面板。具体的,请参阅图12,图12是本申请提供的液晶显示面板的一种结构示意图。
液晶显示面板1000包括相对设置的阵列基板100和彩膜基板200。阵列基板100和彩膜基板200之间设有液晶层30。阵列基板100包括功能膜层101以及设置在功能膜层101上的第一子像素电极21和第二子像素电极22。彩膜基板200包括衬底201和设置在衬底201上的色阻202。每一色阻202对应一第一子像素电极21或一第二子像素电极22设置。
在液晶显示面板1000中,显示画面中呈现的子像素可以是红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、白色子像素、黄色子像素等,本申请对此不作具体限定。本申请提供的液晶显示面板1000可以采用标准RGB像素排列架构、RGB PenTile像素排列架构、RGB Delta像素排列架构、RGBW像素排列架构等,具体可根据液晶显示面板1000的显示需求进行设置。
对此,在本申请一些实施例中,多个色阻202可以包括红色色阻、绿色色阻、蓝色色阻等,以对应形成红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素。
其中,在本申请实施例中,对应一行像素单元20设置的红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻以任一排列组合重复排列。位于同一列的第一子像素电极21或第二子像素电极22对应的色阻202的颜色相同。
其中,RGB像素排列架构结构简单,工艺成熟,应用在本申请中,可以简化工艺制程,降低生产成本。
相应的,本申请还提供一种显示装置,显示装置包括阵列基板、源极驱动芯片和栅极驱动电路。源极驱动芯片用于提供数据电压至阵列基板。栅极驱动电路用于提供扫描信号至阵列基板。该阵列基板为上述任一实施例所述的阵列基板,具体可参阅上述内容,在此不再赘述。
此外,显示装置可以是智能手机、平板电脑、电子书阅读器、智能手表、摄像机、游戏机等,本申请对此不作限定。
具体的,请参阅图13,图13是本申请提供的显示装置的一种结构示意图。其中,显示装置2000包括液晶显示面板1000、栅极驱动电路500、源极驱动芯片300以及时序控制器400。
其中,液晶显示面板1000包括阵列基板。阵列基板包括多条扫描线11和多条数据线12。多条扫描线11沿第一方向Y排布。多条数据线12沿第二方向X排布。液晶显示面板1000包括多个子像素(图中未标示),每一子像素均与相应的扫描线11以及数据线12电连接。
时序控制器400可以响应于外部接收的控制信号生成用于控制栅极驱动电路500的扫描控制信号以及用于控制源极驱动芯片300的数据控制信号。例如,控制信号可以包括点时钟、数据使能信号、垂直同步信号和水平同步信号。时序控制器400可以将扫描控制信号供应给栅极驱动电路500,并且可以将数据控制信号供应给源极驱动芯片300。
栅极驱动电路500通过扫描线11传输扫描信号至液晶显示面板1000。在一些实施例中,栅极驱动电路500可以是独立设置的栅极芯片。在另一些实施例中,栅极驱动电路500可以是设置在阵列基板内的GOA(阵列基板栅极驱动技术),本申请对此不做具体限定。
源极驱动芯片300通过数据线12传输数据信号至液晶显示面板1000。在一些实施例中,源极驱动芯片300可以通过COF(Chip On Film,覆晶薄膜)绑定在阵列基板上,本申请对此不做具体限定。
本申请提供一种显示装置2000。显示装置2000包括液晶显示面板1000。在液晶显示面板1000的每一行像素单元中,设置第一子像素电极和第二子像素电极交替排布,在相邻两行像素单元中设置第一子像素电极交错设置或一一对应设置。并且设置每一第一子像素电极均与位于像素单元上方且邻近的一条扫描线电连接,每一第二子像素电极均与位于像素单元下方且邻近的一条扫描线电连接,使得每一行像素单元中的第一子像素电极和第二子像素电极与扫描线以及数据线之间的连接方式比较单一。从而能够减少第一子像素电极和第二子像素电极的连接类型,减小各子像素之间受到的干扰差异,进而减小各子像素之间的亮度差异,改善摇头纹问题。
以上对本申请提供的阵列基板、液晶显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (4)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
多条扫描线,多条所述扫描线沿第一方向排布;
多条数据线,多条所述数据线沿第二方向排布,所述第二方向与所述第一方向交叉;
多个像素单元,多个所述像素单元呈阵列排布,每一所述像素单元均包括第一子像素电极和第二子像素电极,所述第一子像素电极和所述第二子像素电极连接至同一条所述数据线,连接同一条所述数据线的所述像素单元的极性相同;
其中,相邻的两列所述像素单元之间均设有一条所述数据线,相邻的两行所述像素单元之间均设有两条所述扫描线;在每一行所述像素单元中,所述第一子像素电极和所述第二子像素电极交替排布,每一所述第一子像素电极均与所述像素单元所在行的上一级且邻近的一条所述扫描线电连接,每一所述第二子像素电极均与所述像素单元所在行的下一级且邻近的一条所述扫描线电连接;
沿所述第一方向,位于相邻两行所述像素单元中的所述第一子像素电极交错设置,在同一列所述像素单元中,相邻的两个所述像素单元分别连接至相邻的两条所述数据线;
在每一个所述像素单元中,所述第一子像素电极更靠近同时连接所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的所述数据线;
在同一帧显示画面中,每条所述数据线均被配置为传输极性相同的数据电压,在相邻两帧显示画面中,同一条所述数据线被配置为传输极性相反的数据电压。
2.一种液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板为权利要求1所述的阵列基板。
3.根据权利要求2所述的液晶显示面板,其特征在于,所述彩膜基板包括多个色阻,所述多个色阻包括红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻;
其中,每一所述色阻对应一所述第一子像素电极或一所述第二子像素电极设置,对应一行所述像素单元设置的所述红色色阻、所述绿色色阻以及所述蓝色色阻以任一排列组合重复排列,位于同一列的所述第一子像素电极或所述第二子像素电极对应的所述色阻的颜色相同。
4.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括液晶显示面板、源极驱动芯片和栅极驱动电路,所述源极驱动芯片用于提供数据电压至所述液晶显示面板,所述栅极驱动电路用于提供扫描信号至所述液晶显示面板,所述液晶显示面板包括如权利要求1所述阵列基板,或者所述液晶显示面板为权利要求2或3所述的液晶显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210330834.3A CN114488639B (zh) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
US17/770,357 US11947230B2 (en) | 2022-03-30 | 2022-04-12 | Array substrate, liquid crystal display panel, and display device |
PCT/CN2022/086293 WO2023184567A1 (zh) | 2022-03-30 | 2022-04-12 | 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210330834.3A CN114488639B (zh) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114488639A CN114488639A (zh) | 2022-05-13 |
CN114488639B true CN114488639B (zh) | 2024-01-12 |
Family
ID=81488284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210330834.3A Active CN114488639B (zh) | 2022-03-30 | 2022-03-30 | 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114488639B (zh) |
WO (1) | WO2023184567A1 (zh) |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101566744A (zh) * | 2009-06-08 | 2009-10-28 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器及其液晶显示面板 |
KR20120035035A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 삼성전자주식회사 | 표시표널 및 이를 갖는 표시장치 |
KR20140118010A (ko) * | 2013-03-27 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN104280962A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-01-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板 |
CN104808406A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种基板及其液晶显示装置 |
CN105182638A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-23 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示装置及其驱动方法 |
CN105511184A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-04-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其驱动方法 |
CN105867040A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-08-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其液晶显示面板 |
CN106652951A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示器 |
CN106991953A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-07-28 | 惠科股份有限公司 | 像素驱动电路、驱动方法及显示装置 |
KR20180076408A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110308599A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种阵列基板和显示面板 |
CN210298135U (zh) * | 2019-06-13 | 2020-04-10 | 北京京东方显示技术有限公司 | 用于显示面板的驱动电源 |
CN111258139A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素结构及显示面板 |
CN112086077A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
CN112540487A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其显示装置 |
CN114170986A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104062820B (zh) * | 2014-06-04 | 2018-01-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种hsd液晶显示面板、显示装置及其驱动方法 |
CN104820325B (zh) * | 2015-04-13 | 2018-01-09 | 深超光电(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器及阵列基板 |
US10192501B2 (en) * | 2015-04-24 | 2019-01-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with color pixels and subpixels |
CN105446034A (zh) * | 2015-12-04 | 2016-03-30 | 昆山龙腾光电有限公司 | 双扫描线像素阵列结构、显示面板、显示装置及驱动方法 |
CN105629606A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其驱动方法 |
CN109581758B (zh) * | 2017-09-28 | 2020-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN107749282A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-02 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
US10714043B2 (en) * | 2018-09-19 | 2020-07-14 | Chongqing Hkc Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display device and liquid crystal display |
CN110456585B (zh) * | 2019-08-19 | 2022-09-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双栅阵列基板和显示装置 |
CN113608386B (zh) * | 2021-08-05 | 2024-03-26 | 福州京东方光电科技有限公司 | 一种双栅驱动的像素结构及显示面板 |
CN113376912B (zh) * | 2021-08-12 | 2021-12-17 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
-
2022
- 2022-03-30 CN CN202210330834.3A patent/CN114488639B/zh active Active
- 2022-04-12 WO PCT/CN2022/086293 patent/WO2023184567A1/zh active Application Filing
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101566744A (zh) * | 2009-06-08 | 2009-10-28 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器及其液晶显示面板 |
KR20120035035A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 삼성전자주식회사 | 표시표널 및 이를 갖는 표시장치 |
KR20140118010A (ko) * | 2013-03-27 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN104280962A (zh) * | 2014-10-22 | 2015-01-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板 |
CN104808406A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-07-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种基板及其液晶显示装置 |
CN105182638A (zh) * | 2015-08-28 | 2015-12-23 | 重庆京东方光电科技有限公司 | 阵列基板、显示装置及其驱动方法 |
CN105511184A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-04-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其驱动方法 |
CN105867040A (zh) * | 2016-06-23 | 2016-08-17 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其液晶显示面板 |
KR20180076408A (ko) * | 2016-12-27 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN106652951A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-05-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及液晶显示器 |
CN106991953A (zh) * | 2017-05-11 | 2017-07-28 | 惠科股份有限公司 | 像素驱动电路、驱动方法及显示装置 |
CN210298135U (zh) * | 2019-06-13 | 2020-04-10 | 北京京东方显示技术有限公司 | 用于显示面板的驱动电源 |
CN110308599A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-10-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种阵列基板和显示面板 |
CN111258139A (zh) * | 2020-02-26 | 2020-06-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素结构及显示面板 |
CN112086077A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-15 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
CN112540487A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其显示装置 |
CN114170986A (zh) * | 2021-12-09 | 2022-03-11 | Tcl华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及显示装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
A Novel Pixel Circuit with Threshold Voltage Variation Compensation in Three‐Dimensional AMOLED on Silicon Microdisplay;Weiling Zeng;SID Symposium Digest of Technical Papers;全文 * |
基于点对点架构TCON的研究与设计;李聪;郑学仁;刘汉华;闾晓晨;;现代显示(第05期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114488639A (zh) | 2022-05-13 |
WO2023184567A1 (zh) | 2023-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10417954B2 (en) | Display panel and display device | |
CN114170986B (zh) | 液晶显示面板及显示装置 | |
US8552950B2 (en) | Liquid crystal display device, active matrix type liquid crystal display device, and method of driving the same | |
US7796106B2 (en) | Liquid crystal display | |
US20130300781A1 (en) | Cost-effective display methods and apparatuses | |
CN111028812B (zh) | 显示面板及其驱动方法 | |
US20110241979A1 (en) | Liquid crystal display | |
US8120566B2 (en) | Timing controller and display device including the same | |
CN111768740B (zh) | 显示面板及其驱动方法、显示装置 | |
CN109188749A (zh) | 显示装置 | |
CN111025791B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN100533538C (zh) | 液晶显示器像素结构及其驱动方法 | |
US8766889B2 (en) | Liquid crystal display and driving method thereof | |
CN110910846A (zh) | 显示驱动方法及液晶显示装置 | |
CN106597773B (zh) | 阵列基板及液晶显示面板 | |
CN114488639B (zh) | 阵列基板、液晶显示面板及显示装置 | |
US12205511B2 (en) | Display panel, driving method thereof, and electronic device | |
US11947230B2 (en) | Array substrate, liquid crystal display panel, and display device | |
US12153315B2 (en) | Display panel and array substrate thereof | |
CN215006149U (zh) | 像素结构、液晶显示面板和液晶显示装置 | |
CN115755449A (zh) | 阵列基板、显示面板及显示装置 | |
CN115079479A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR100956343B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
CN100498444C (zh) | 液晶显示面板公共电压的调整方法 | |
US9905176B2 (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |