CN114487556B - 一种电流传感器 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电流传感器，包括：印制电路板，初级侧的边缘设置有若干个贯穿印制电路板厚度方向的第一导电半孔结构，次级侧的边缘设置有若干个贯穿印制电路板厚度方向的第二导电半孔结构，印制电路板的一侧表面设有与第二导电半孔结构电学连接若干个第三焊盘，第三焊盘位于第二导电半孔结构和第一导电半孔结构之间，对于任一个第三焊盘，第三焊盘至第二导电半孔结构之间的间距小于第三焊盘至第一导电半孔结构之间的间距；芯片封装结构，芯片封装结构的正面具有若干个第一焊盘，第一焊盘与第三焊盘连接。不需要围坝胶来增大爬电距离，能减小电流传感器的零点和增益变化，提高了电流传感器的可靠性。

Description

一种电流传感器

技术领域

本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种电流传感器。

背景技术

电流传感器是在电气绝缘的状态下，利用电流所产生的磁场来检测电流值的一种介于高、低电压之间的界面器件。其主要分为四大类：霍尔(Hall)电流传感器、各向异性磁阻(AMR)电流传感器、巨磁阻(GMR)电流传感器、隧道磁阻(TMR)电流传感器。

PCB板级电流传感器作为隧道磁阻(TMR)电流传感器的一种，目前主要为低导通内阻、小体积LGA封装PCB级电流传感，封装形式为SOP8封装，PCB导线作为原边导线，可降低导通内阻，采用TMR作为敏感器件，能够非接触检测原边电流产生的磁场，进而检测出原边电流的大小。现有的PCB板级电流传感器主要由PCB板、LGA封装芯片和围坝胶三部分组成。其中，TMR采用LGA封装形式，PCB作为原边电流导线产生磁场，TMR检测流过电流导线产生的磁场，从而检测出流过导线的电流。同时，为增加产品表面爬电距离，采用三边围坝制作工艺。然而，现有的技术方案，由于产品为贴片封装，现实应用时，需要把PCB板级电流传感器进行过炉SMT工艺，由于炉内高温的影响，围坝胶的胶水热胀冷缩，TMR为敏感器件，胶水产生的应力对芯片产生影响，造成产品零点和增益都发生了变化，可靠性较差，现有技术提供的PCB板级电流传感器的结构有待改进。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中PCB板极电流传感器零点和增益容易产生变化导致可靠性较差的问题，从而提供一种电流传感器。

本发明提供一种电流传感器，包括：印制电路板，所述印制电路板包括初级侧和次级侧，所述初级侧的边缘设置有若干个贯穿所述印制电路板厚度方向的第一导电半孔结构，所述次级侧的边缘设置有若干个贯穿所述印制电路板厚度方向的第二导电半孔结构，所述印制电路板的一侧表面设有与所述第二导电半孔结构电学连接的若干个第三焊盘，所述第三焊盘位于所述第二导电半孔结构和所述第一导电半孔结构之间，对于任一个所述第三焊盘，所述第三焊盘至所述第二导电半孔结构之间的间距小于所述第三焊盘至所述第一导电半孔结构之间的间距；芯片封装结构，所述芯片封装结构中包括磁电阻效应检测元件，所述芯片封装结构的正面具有若干个第一焊盘，所述第一焊盘与所述第三焊盘连接，所述磁电阻效应检测元件在所述印制电路板表面的投影位于所述若干个第三焊盘和所述第一导电半孔结构之间。

可选的，所述若干个第三焊盘沿第一方向排布，所述第一方向垂直于自所述初级侧至所述次级侧的方向。

可选的，所述第三焊盘至所述第二导电半孔结构之间的间距为所述第三焊盘至所述第一导电半孔结构之间的间距的40％-60％。

可选的，所述第三焊盘与所述第一导电半孔结构之间的距离大于或等于7mm。

可选的，所述芯片封装结构的正面还具有若干第二焊盘，所述第二焊盘分别与所述第一焊盘和所述磁电阻效应检测元件电绝缘；所述印制电路板的一侧表面还设有若干个第四焊盘，所述第四焊盘位于所述第一导电半孔结构和所述若干个第三焊盘之间，所述第四焊盘分别与所述第三焊盘、所述第一导电半孔结构和所述第二导电半孔结构均电绝缘；所述第四焊盘与所述第二焊盘连接；所述磁电阻效应检测元件在所述印制电路板表面的投影位于所述若干个第四焊盘和所述若干个第三焊盘之间。

可选的，所述印制电路板包括依次层叠的信号层、第一接地层和电流层，所述信号层和所述第一接地层与所述第一导电半孔结构电绝缘且与所述第二导电半孔结构电学连接，所述电流层与所述第一导电半孔结构电学连接且与所述第二导电半孔结构电绝缘；所述第三焊盘和所述第四焊盘位于所述信号层背向所述第一接地层的一侧表面；部分所述第二导电半孔结构与所述信号层电学连接，部分所述第二导电半孔结构与所述第一接地层电学连接。

可选的，所述信号层背向所述接地层的一侧表面设置有若干导电走线，所述第三焊盘通过所述导电走线与所述第二导电半孔结构电学连接。

可选的，所述电流层包括依次层叠的第一电流子层、第二电流子层、第三电流子层和第四电流子层，所述电流层开设有贯穿所述电流层的若干通孔，位于所述通孔上方的所述信号层和所述第一接地层的材料为绝缘材料，所述通孔的内壁表面涂覆有导电膜，所述第一电流子层、所述第二电流子层、所述第三电流子层和所述第四电流子层通过所述导电膜实现并联连接。

可选的，所述信号层背向所述接地层的一侧表面还设有若干个第五焊盘，所述第五焊盘位于所述若干个第三焊盘和所述若干个第四焊盘之间，所述第五焊盘分别与所述第三焊盘、所述第一导电半孔结构和所述第二导电半孔结构均电绝缘；所述第五焊盘至所述第二导电半孔结构之间的距离与所述第四焊盘至所述第二导电半孔结构之间距离不等。

可选的，所述芯片封装结构包括依次层叠的元件走线层、第二接地层和焊接层；所述元件走线层包括所述磁电阻效应检测元件、第一走线端子和第一接地端子，第一走线端子和部分第一焊盘相对设置，第一接地端子与部分第一焊盘相对设置，所述第一走线端子与所述磁电阻效应检测元件的电源端和信号端电学连接，所述第一接地端子与所述磁电阻效应检测元件的接地端电学连接；所述第二接地层包括第二接地膜、第二接地端子和第二连接端子，所述第二接地端子与所述第二接地膜和所述第一接地端子连接，所述第二连接端子与所述第二接地膜间隔且与所述第一走线端子连接；所述焊接层包括所述第一焊盘、所述第二焊盘、第一焊接连接端子和第二焊接连接端子，所述第一焊盘包括第一走线焊盘和第一接地焊盘；所述第二焊接连接端子与所述第一走线焊盘和所述第二连接端子连接，所述第一焊接连接端子与所述第一接地焊盘和所述第二接地端子连接。

本发明的技术方案具有以下有益效果：

1.本发明提供的电流传感器，对于任一个所述第三焊盘，所述第三焊盘至所述第二导电半孔结构之间的间距小于所述第三焊盘至所述第一导电半孔结构之间的间距；使得第一导电半孔结构与第三焊盘之间的距离较大，也就是增大了爬电距离，因此不需要通过在芯片封装结构的周围设置围坝胶来增大爬电距离，避免了芯片封装结构在后续工艺中受围坝胶热胀冷缩影响而产生零点影响和增益影响，因此能减小电流传感器的零点和增益变化，提高了电流传感器的可靠性。

2.进一步，所述若干个第三焊盘沿第一方向排布，所述第一方向垂直于自所述初级侧至所述次级侧的方向。第三焊盘集中分布且距离第一导电半孔结构较远，提高了电流传感器的爬电距离。

3.进一步，所述芯片封装结构的正面还具有若干第二焊盘，所述第二焊盘与所述第一焊盘和所述磁电阻效应检测元件电绝缘；所述印制电路板的一侧表面还设有若干个第四焊盘，所述第四焊盘位于所述第一导电半孔结构和所述若干个第三焊盘之间，所述第四焊盘与所述第三焊盘、所述第一导电半孔结构和所述第二导电半孔结构均电绝缘；所述第四焊盘与所述第二焊盘连接；由于芯片封装结构的正面的第一焊盘和第二焊盘均受力，使芯片封装结构的两侧受力平衡，有利于提高电流传感器的稳定性。

4.进一步，所述电流层包括依次层叠的第一电流子层、第二电流子层、第三电流子层和第四电流子层，所述第一电流子层、所述第二电流子层、所述第三电流子层和所述第四电流子层通过所述导电膜实现并联连接，使电流传感器具有阻抗小，抗雷击电流强的优点。由于位于所述通孔上方的所述信号层和所述接地层的材料为绝缘材料，因此，通孔的设置并没有增大爬电距离。

5.进一步，所述信号层背向所述接地层的一侧表面还设有若干个第五焊盘，所述第五焊盘与所述第三焊盘、所述第一导电半孔结构和所述第二导电半孔结构均电绝缘。所述第五焊盘至所述第二导电半孔结构之间的距离与所述第四焊盘至所述第二导电半孔结构之间距离不等。第五焊盘作为与芯片封装结构焊接的备用焊盘，使印制电路板可以与不同尺寸的芯片封装结构焊接，提高了印制电路板的适用范围。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例提供的芯片封装结构中的元件走线层的俯视结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的芯片封装结构中的第二接地层的俯视结构示意图；

图3为本发明一实施例提供的芯片封装结构中的焊接层的仰视结构示意图；

图4为本发明一实施例提供的芯片封装结构的俯视结构示意图；

图5为本发明一实施例提供的印制电路板的俯视结构示意图；

图6为本发明一实施例提供的电流传感器的侧视结构示意图；

图7为现有技术电流传感器经过表面贴装工艺之后的零点变化测试结果图；

图8为现有技术电流传感器经过表面贴装工艺之后的增益变化测试结果图；

图9为本发明一实施例提供的电流传感器经过表面贴装工艺之后的零点变化测试结果图；

图10为本发明一实施例提供的电流传感器经过表面贴装工艺之后的增益变化测试结果图。

附图标记说明：

1、印制电路板；1a、初级侧；1b、次级侧；11、信号层；11a、导电走线；12、第一接地层；13、电流层；13a、通孔；131、第一电流子层；132、第二电流子层；133、第三电流子层；134、第四电流子层；2、第一导电半孔结构；3、第二导电半孔结构；4、第三焊盘；5、芯片封装结构；5a、磁电阻效应检测元件；51、元件走线层；51a、第一连接端子；501a、第一走线端子；502a、第一接地端子；52b、第二接地端子；52c、第二连接端子；52d，第二接地膜；52、第二接地层；52a、第二接地支撑层；53、焊接层；53a、焊接支撑层；6、第一焊盘；61、第一焊接连接端子；62、第二焊接连接端子；6a、第一走线焊盘；6b、第一接地焊盘；7、第二焊盘；8、第四焊盘；9、第五焊盘。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电学连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

本发明一实施例提供一种电流传感器，请参考图4和图5，包括：

印制电路板1，所述印制电路板1包括初级侧1a和次级侧1b，所述初级侧1a的边缘设置有若干个贯穿所述印制电路板1厚度方向的第一导电半孔结构2，所述次级侧1b的边缘设置有若干个贯穿所述印制电路板1厚度方向的第二导电半孔结构3，所述印制电路板1的一侧表面设有与所述第二导电半孔结构3电学连接的若干个第三焊盘4，所述第三焊盘4位于所述第二导电半孔结构3和所述第一导电半孔结构2之间，对于任一个所述第三焊盘4，所述第三焊盘4至所述第二导电半孔结构3之间的间距小于所述第三焊盘4至所述第一导电半孔结构2之间的间距；

芯片封装结构5，所述芯片封装结构5中包括磁电阻效应检测元件5a，所述芯片封装结构5的正面具有若干个第一焊盘6，所述第一焊盘6与所述第三焊盘4连接，所述磁电阻效应检测元件5a在所述印制电路板1表面的投影位于所述若干个第三焊盘4和所述第一导电半孔结构2之间。

由于对于任一个所述第三焊盘4，所述第三焊盘4至所述第二导电半孔结构3之间的间距小于所述第三焊盘4至所述第一导电半孔结构2之间的间距；使得第一导电半孔结构2与第三焊盘4之间的距离较大，也就是增大了爬电距离，因此不需要通过在芯片封装结构5的周围设置围坝胶来增大爬电距离，避免了芯片封装结构5在后续工艺中受围坝胶热胀冷缩影响而产生零点影响和增益影响，因此能减小电流传感器的零点和增益变化，提高了电流传感器的可靠性。

在本实施例中，磁电阻效应检测元件5a包括TMR(Tunnel Magneto Resistance)传感器，芯片封装结构5中还包括瞬变电压抑制二极管(TVS管)和专用集成电路芯片(ASIC芯片)，芯片封装结构5为栅格阵列封装(LGA封装)。

请参考图5，所述若干个第三焊盘4沿第一方向排布，所述第一方向垂直于自所述初级侧1a至所述次级侧1b的方向。第三焊盘4集中分布且距离第一导电半孔结构2较远，提高了电流传感器的爬电距离。

在一个实施例中，所述第三焊盘4至所述第二导电半孔结构3之间的间距为所述第三焊盘4至所述第一导电半孔结构2之间的间距的40％-60％，例如，40％、45％、50％或者60％，优选为45％。若所述第三焊盘4至所述第二导电半孔结构3之间的间距过小，将造成初级测1a和次级侧1b耐压不足；若所述第三焊盘4至所述第二导电半孔结构3之间的间距过大，将造成表层爬电距离增大。

在本实施例中，所述芯片封装结构5的正面还具有若干第二焊盘7，所述第二焊盘7分别与所述第一焊盘6和所述磁电阻效应检测元件5a电绝缘；所述印制电路板1的一侧表面还设有若干个第四焊盘8，所述第四焊盘8位于所述第一导电半孔结构2和所述若干个第三焊盘4之间，所述第四焊盘8分别与所述第三焊盘4、所述第一导电半孔结构2和所述第二导电半孔结构3均电绝缘；所述第四焊盘8与所述第二焊盘7连接；所述磁电阻效应检测元件5a在所述印制电路板1表面的投影位于所述若干个第四焊盘8和所述若干个第三焊盘4之间。由于芯片封装结构5的正面的第一焊盘6和第二焊盘7均受力，使芯片封装结构5的两侧受力平衡，有利于提高电流传感器的稳定性。

请参考图5和图6，所述印制电路板1包括依次层叠的信号层11、第一接地层12和电流层13，所述信号层11和所述第一接地层12与所述第一导电半孔结构2电绝缘且与所述第二导电半孔结构3电学连接，所述电流层13与所述第一导电半孔结构2电学连接且与所述第二导电半孔结构3电绝缘；所述第三焊盘4和第四焊盘8位于所述信号层11背向所述第一接地层12的一侧表面；部分所述第二导电半孔结构3与所述信号层11电学连接，部分所述第二导电半孔结构3与所述第一接地层12电学连接。

所述信号层11背向所述接地层的一侧表面设置有若干导电走线11a，所述第三焊盘4通过所述导电走线11a与所述第二导电半孔结构3电学连接。

请继续参考图6，所述电流层13包括依次层叠的第一电流子层131、第二电流子层132、第三电流子层133和第四电流子层134，所述电流层13开设有贯穿所述电流层13的若干通孔13a，位于所述通孔13a上方的所述信号层11和所述第一接地层12的材料为绝缘材料，所述通孔13a的内壁表面涂覆有导电膜，导电膜包括金属，例如铜，所述第一电流子层131、所述第二电流子层132、所述第三电流子层133和所述第四电流子层134通过所述导电膜实现并联连接，使电流传感器具有阻抗小，抗雷击电流强的优点。由于位于所述通孔13a上方的所述信号层11和所述第一接地层12的材料为绝缘材料，通孔13a在印制电路板1中呈盲孔状，因此，通孔13a的设置增大了爬电距离。

所述信号层11背向所述接地层的一侧表面还设有若干个第五焊盘9，所述第五焊盘9位于所述若干个第三焊盘4和所述若干个第四焊盘8之间，所述第五焊盘9分别与所述第三焊盘4、所述第一导电半孔结构2和所述第二导电半孔结构3均电绝缘。所述第五焊盘9至所述第二导电半孔结构之间的距离与所述第四焊盘至所述第二导电半孔结构之间距离不等。第五焊盘9作为与芯片封装结构5焊接的备用焊盘，使印制电路板1可以与不同尺寸的芯片封装结构5焊接，提高了印制电路板1的适用范围。

本实施例中，所述若干个第五焊盘9沿着第一方向排布，所述若干个第四焊盘8沿着第一方向排布。

请参考图1、图2、图3和图4，所述芯片封装结构5包括依次层叠的元件走线层51、第二接地层52和焊接层53。

所述元件走线层51包括磁电阻效应检测元件5a、第一走线端子501a和第一接地端子502a，第一走线端子501a和部分第一焊盘6相对设置，第一接地端子502a与部分第一焊盘6相对设置，所述第一走线端子501a与所述磁电阻效应检测元件5a的电源端和信号端电学连接，所述第一接地端子502a与所述磁电阻效应检测元件5a的接地端电学连接。

请参考图2，所述第二接地层52包括第二接地膜52d、第二接地端子52b和第二连接端子52c，所述第二接地端子52b与所述第二接地膜52d和所述第一接地端子502a连接，所述第二连接端子52c与所述第二接地膜52d间隔且与所述第一走线端子501a连接。

请参考图3，所述焊接层53包括第一焊盘6、第二焊盘7、第一焊接连接端子61和第二焊接连接端子62，所述第一焊盘6包括第一走线焊盘6a和第一接地焊盘6b；所述第二焊接连接端子62与所述第一走线焊盘6a和所述第二连接端子52c连接，所述第一焊接连接端子61与所述第一接地焊盘6b和所述第二接地端子52b连接。

请继续参考图3，所述焊接层53还包括焊接支撑层53a，所述第一焊盘6和所述第二焊盘7位于所述焊接支撑层53a背向所述元件走线层51的一侧表面。

请参考图1，所述元件走线层51还包括元件支撑层51a，磁电阻效应检测元件5a设于所述元件支撑层51a背向所述焊接层53的一侧表面；所述第一走线端子501a和所述第一接地端子502a贯穿所述元件支撑层51a。

请参考图2，所述第二接地层52还包括第二接地支撑层52a，所述第二接地膜52d位于部分所述第二接地支撑层52a背离所述焊接层53的一侧表面；所述第二接地端子52b和所述第二连接端子52c贯穿所述第二接地支撑层52a。

在本实施例中，第二接地层52包括层叠的两层结构，能够提高第二接地层52对元件走线层51的屏蔽效果和散热效果。

在一个实施例中，所述第三焊盘4与所述第一导电半孔结构2之间的距离大于7mm。第三焊盘4与所述第一导电半孔结构2之间的距离足够大，不需要通过在芯片封装结构5的周围设置围坝胶来增大爬电距离，避免了芯片封装结构5在后续工艺中受围坝胶热胀冷缩影响而产生零点影响和增益影响，因此能减小电流传感器的零点和增益变化，提高了电流传感器的可靠性。

请参考图7，选取14个同类型的电流传感器，横坐标代表现有技术电流传感器表面贴装工艺(SMT)的次数，纵坐标代表电流传感器的零点变化(offset变化)值，零点变化最大为30mA。

请参考图8，选取14个同类型的电流传感器，横坐标代表现有技术电流传感器表面贴装工艺(SMT)的次数，纵坐标代表当次表面贴装工艺相对于上次表面贴装工艺，电流传感器在输入电流为0A时输出变化值和电流传感器在输入电流为10A时输出变化值，即增益变化值，增益变化最大为4.2％。

请参考图9，选取37个同类型的电流传感器，横坐标代表本实施例提供的电流传感器表面贴装工艺(SMT)的次数，纵坐标代表电流传感器的零点变化(offset变化)值，零点变化最大为6mA。

请参考图10，选取37个同类型的电流传感器，横坐标代表本实施例提供的电流传感器表面贴装工艺(SMT)的次数，纵坐标代表当次表面贴装工艺相对于上次表面贴装工艺，电流传感器在输入电流为0A时输出变化值和电流传感器在输入电流为10A时输出变化值，即增益变化值，增益变化最大为0.15％。

由以上测试结果可知，本实施例提供的电流传感器的零点变化和增益变化明显减小，因此，提高了电流传感器的可靠性。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (8)

1.一种电流传感器，其特征在于，包括：

印制电路板，所述印制电路板包括初级侧和次级侧，所述初级侧的边缘设置有若干个贯穿所述印制电路板厚度方向的第一导电半孔结构，所述次级侧的边缘设置有若干个贯穿所述印制电路板厚度方向的第二导电半孔结构，所述印制电路板的一侧表面设有与所述第二导电半孔结构电学连接的若干个第三焊盘，所述第三焊盘位于所述第二导电半孔结构和所述第一导电半孔结构之间，对于任一个所述第三焊盘，所述第三焊盘至所述第二导电半孔结构之间的间距小于所述第三焊盘至所述第一导电半孔结构之间的间距；所述第三焊盘至所述第二导电半孔结构之间的间距为所述第三焊盘至所述第一导电半孔结构之间的间距的40％-60％；

芯片封装结构，所述芯片封装结构中包括磁电阻效应检测元件，所述芯片封装结构的正面具有若干个第一焊盘，所述第一焊盘与所述第三焊盘连接，所述磁电阻效应检测元件在所述印制电路板表面的投影位于所述若干个第三焊盘和所述第一导电半孔结构之间；

所述芯片封装结构包括依次层叠的元件走线层、第二接地层和焊接层；

所述元件走线层包括所述磁电阻效应检测元件、第一走线端子和第一接地端子，第一走线端子和部分第一焊盘相对设置，第一接地端子与部分第一焊盘相对设置，所述第一走线端子与所述磁电阻效应检测元件的电源端和信号端电学连接，所述第一接地端子与所述磁电阻效应检测元件的接地端电学连接；

所述第二接地层包括第二接地膜、第二接地端子和第二连接端子，所述第二接地端子与所述第二接地膜和所述第一接地端子连接，所述第二连接端子与所述第二接地膜间隔且与所述第一走线端子连接；

所述第二接地层还包括第二接地支撑层，所述第二接地膜位于部分所述第二接地支撑层背离所述焊接层的一侧表面；所述第二接地端子和所述第二连接端子贯穿所述第二接地支撑层；

所述芯片封装结构的正面还具有若干第二焊盘，所述第二焊盘分别与所述第一焊盘和所述磁电阻效应检测元件电绝缘；所述印制电路板的一侧表面还设有若干个第四焊盘，所述第四焊盘位于所述第一导电半孔结构和所述若干个第三焊盘之间，所述第四焊盘分别与所述第三焊盘、所述第一导电半孔结构和所述第二导电半孔结构均电绝缘；所述第四焊盘与所述第二焊盘连接；所述磁电阻效应检测元件在所述印制电路板表面的投影位于所述若干个第四焊盘和所述若干个第三焊盘之间。

2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述若干个第三焊盘沿第一方向排布，所述第一方向垂直于自所述初级侧至所述次级侧的方向。

3.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述第三焊盘与所述第一导电半孔结构之间的距离大于或等于7mm。

4.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，所述印制电路板包括依次层叠的信号层、第一接地层和电流层，所述信号层和所述第一接地层与所述第一导电半孔结构电绝缘且与所述第二导电半孔结构电学连接，所述电流层与所述第一导电半孔结构电学连接且与所述第二导电半孔结构电绝缘；所述第三焊盘和所述第四焊盘位于所述信号层背向所述第一接地层的一侧表面；部分所述第二导电半孔结构与所述信号层电学连接，部分所述第二导电半孔结构与所述第一接地层电学连接。

5.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，所述信号层背向所述接地层的一侧表面设置有若干导电走线，所述第三焊盘通过所述导电走线与所述第二导电半孔结构电学连接。

6.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，所述电流层包括依次层叠的第一电流子层、第二电流子层、第三电流子层和第四电流子层，所述电流层开设有贯穿所述电流层的若干通孔，位于所述通孔上方的所述信号层和所述第一接地层的材料为绝缘材料，所述通孔的内壁表面涂覆有导电膜，所述第一电流子层、所述第二电流子层、所述第三电流子层和所述第四电流子层通过所述导电膜实现并联连接。

7.根据权利要求4所述的电流传感器，其特征在于，所述信号层背向所述接地层的一侧表面还设有若干个第五焊盘，所述第五焊盘位于所述若干个第三焊盘和所述若干个第四焊盘之间，所述第五焊盘分别与所述第三焊盘、所述第一导电半孔结构和所述第二导电半孔结构均电绝缘；所述第五焊盘至所述第二导电半孔结构之间的距离与所述第四焊盘至所述第二导电半孔结构之间距离不等。

8.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，

所述焊接层包括所述第一焊盘、所述第二焊盘、第一焊接连接端子和第二焊接连接端子，所述第一焊盘包括第一走线焊盘和第一接地焊盘；所述第二焊接连接端子与所述第一走线焊盘和所述第二连接端子连接，所述第一焊接连接端子与所述第一接地焊盘和所述第二接地端子连接。

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