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CN114361295B - 太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺 - Google Patents

太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺 Download PDF

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CN114361295B CN202111675167.4A CN202111675167A CN114361295B CN 114361295 B CN114361295 B CN 114361295B CN 202111675167 A CN202111675167 A CN 202111675167A CN 114361295 B CN114361295 B CN 114361295B
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Abstract

本发明涉及一种太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺。通过在N型硅片的背面形成氧化硅层；在氧化硅层上形成N型硅层,其中,N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；在N型硅层上形成减反射层并在减反射层上形成背面电极。在高温退火工序中利用磷烷能够对氢原子进行束缚，避免氢原子发生逃逸而发生爆膜，能够提升开路电压、转换效率与填充因子，还能增强背钝化效果，提升电池片的品质。

Description

太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺
技术领域
本发明涉及光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺。
背景技术
太阳能电池板的电池片在生产过程中，传统的方式包括先在N型硅片的背面隧穿氧化层上沉积一定厚度的超薄的本征多晶硅，再原位通入磷烷制备掺杂的N型多晶硅，起背面选择钝化的效果。
在采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)法制备掺杂的N型多晶硅时，通常会引入大量的氢以增强钝化效果。然而，在后续的高温退火工序中，氢原子会出现逃逸，从而引起爆膜现象，尤其在抛光片上或者抛光后再制绒的电池片上，高温退火后更容易发生爆膜，用显微镜观察时，在1mm2内出现爆膜点可高达200多个，爆膜直径约为1um-8um大小。同时，爆膜的点会成为缺陷而引起大量的载流子复合，从而降低了钝化效果，并降低了太阳能电池板的开压。
发明内容
基于此，有必要针对发生爆膜的问题，提供一种太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺。
其技术方案如下：
一方面，提供了一种电池片的生产工艺，包括以下步骤：
在N型硅片的背面形成氧化硅层；
在所述氧化硅层上形成N型硅层，其中，所述N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；
在所述N型硅层上形成减反射层并在所述减反射层上形成背面电极。
下面进一步对技术方案进行说明：
在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：
在所述氧化硅层上形成第一N型硅层，所述第一N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；
在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层，所述第二N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，且所述第二N型硅层的磷烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度。
在其中一个实施例中，在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：
所述第二N型硅层的磷烷浓度至少为所述第一N型硅层的磷烷浓度的两倍。
在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：通入小于或等于1000sccm的磷烷；在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：通入大于或等于2000sccm的磷烷。
在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：所述第一N型硅层的磷烷浓度随所述第一N型硅层的厚度的增加而递增；和/或在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：所述第二N型硅层的磷烷浓度随所述第二N型硅层的厚度的增加而递增。
在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：
形成所述第一N型硅层时与形成所述第二N型硅层时通入的硅烷浓度相同，且所述硅烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度，所述硅烷浓度小于所述第二N型硅层的磷烷浓度。
在其中一个实施例中，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：
通入大于等于1200sccm、小于等于1800sccm的硅烷。
在其中一个实施例中，在形成所述第一N型硅层时与形成所述第二N型硅层时通入的硅烷浓度相同的步骤中，还包括：通入甲烷，且甲烷浓度小于等于三倍的硅烷浓度。
另一方面，提供了一种电池片，采用所述的生产工艺生产得到。
再一方面，提供了一种太阳能电池板，包括所述的电池片。
上述实施例的太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺，至少具有以下几个优点：1、在高温退火工序中能够对氢原子进行束缚，避免氢原子发生逃逸而发生爆膜；2、对氢原子的束缚能力从内到外不断加强，能够有效的对各个部位的氢原子进行束缚，有效的避免爆膜；3、能够提升开路电压、转换效率与填充因子，还能增强背钝化效果，提升电池片的品质。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一个实施例的电池片的生产工艺的流程图；
图2为另一个实施例的电池片的生产工艺的流程图；
图3为传统的方式与本申请的电池片的生产工艺的对比图；
图4为传统的方式生产的电池片的电池效率和开路电压与本申请的生产工艺的电池片的电池效率和开路电压的对比图；
图5为本申请的电池片的生产工艺的ECV测试图；
图6为采用图1的生产工艺生产的电池片的结构示意图。
附图标记：
100、N型硅片；200、氧化硅层；300、N型硅层；310、第一N型硅层；320、第二N型硅层；400、减反射层；500、背面电极。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
电池片传统的生产工艺包括：先在N型硅片的背面隧穿氧化层上沉积一定厚度的超薄的本征多晶硅，利用本征多晶硅能够有效阻止磷烷进入N型硅片的性质，从而起到一定的阻隔作用；接着原位通入磷烷以制备掺杂的N型多晶硅层，起背面选择钝化的效果。其中，为了增强钝化效果，通常会在制备掺杂的N型多晶硅层时通入氢气，然而，在后续的高温退火工序中，氢会受热而出现逃逸，从而引起爆膜。
如图1所示，在一个实施例中，提供了一种电池片的生产工艺，包括以下步骤：
S100、在N型硅片100的背面形成氧化硅层200。
可选地，在N型硅片100的背面制备SiOx隧穿氧化硅层200。
另外，还可以在N型硅片100的背面进行抛光或者抛光后再制绒，再在N型硅片100的背面制备SiOx隧穿氧化硅层200。
S200、在氧化硅层200上形成N型硅层300,其中,N型硅层300的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内。
如图6所示，可选地，采取PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)法在氧化硅层200背离N型硅片100的侧面上制备N型硅层300，并且，在N型硅层300制备过程中通入一定量的磷烷，使得N型硅层300上的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内。如此，在后续的高温退火工序中，由于N型硅层300中掺杂了一定浓度的磷烷，从而能够对氢原子进行束缚，进而能够避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜，从而能够提升开路电压、转换效率与填充因子，还能增强背钝化效果，提升电池片的品质。
其中，N型硅层300可以单独为多晶硅的形式，也可以单独为非晶硅的形式，还可以为多晶硅与非晶硅的组合形式，只需满足能够掺杂第一预设浓度的磷烷即可。
其中，第一预设浓度范围的具体取值范围或取值数值可以根据实际工艺条件或生产需要进行灵活的设计或调整，只需满足在后续的高温退火工序中使得磷烷能够对氢原子进行束缚，避免氢原子发生逃逸而引起爆膜即可。
并且，在制备N型硅层300时，还可以通入甲烷、氢气、笑气等气体以增强钝化。
此外，在氧化硅层200上制备N型硅层300前，还可以在氧化硅层200背离N型硅片100的侧面进行抛光或者抛光并制绒后再制备N型硅层300，从而提高陷光作用。
另外，由于气体在光滑的表面上本身易发生逃逸，传统的生产工艺在氧化硅层200上制备本征多晶硅，在后续的高温退火工序中，氢原子的逃逸现象更加严重。而本申请实施例通过在氧化硅层200上制备掺杂有磷烷的N型硅片100，利用磷烷对氢原子进行束缚，进而能够避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜。同时，相比本征多晶硅而言，N型硅层300的吸杂与阻塞效果优异，具有优异的场钝化效果和电子选择透过性。
S300、在N型硅层300上形成减反射层400并在减反射层400上形成背面电极500。
如图6所示，可选地，在N型硅层300背离氧化硅层200的侧面上制备一层含氮化硅的减反射层400，在减反射层400上印刷银浆以形成背面电极500。
需要进行说明的是，在电池片的生产工艺中，还包括对N型硅片100的正面进行加工的工序，由于其可以采用现有的任意一种加工工艺，在此不再赘述。
如图2所示，可选地，在S200步骤中，包括：
S210、在氧化硅层200上形成第一N型硅层310，第一N型硅层310的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内。
具体地，在氧化硅层200背离N型硅层300的侧面上采取PECVD法制备第一N型硅层310，在制备的过程中，通入一定浓度的磷烷，使得第一N型硅层310的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内。
更具体地，在制备第一N型硅层310过程中，通入小于等于1000sccm的磷烷(优选为500sccm，保证第一N型硅层310的磷烷浓度能够有效的对氢原子进行束缚，有效的避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜)，从而使得第一N型硅层310的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内。
如此，在后续的高温退火工序中，由于第一N型硅层310中掺杂了一定浓度的磷烷，从而能够对氢原子进行束缚，进而能够避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜，从而能够提升开路电压、转换效率与填充因子，提升电池片的品质。
S220、在氧化硅层200上形成第二N型硅层320，第二N型硅层320的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，并且，第二N型硅层320的磷烷浓度大于第一N型硅层310的磷烷浓度。
具体地，在第一N型硅层310背离氧化硅层200的侧面上采取PECVD法制备第二N型硅层320，在制备的过程中，通入一定浓度的磷烷，使得第二N型硅层320的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，并且，使得第二N型硅层320的磷烷浓度大于第一N型硅层310的磷烷浓度。
更具体地，在制备第二N型硅层320过程中，通入大于等于2000sccm的磷烷(优选为2500sccm，保证第二N型硅层320的磷烷浓度较高，从而能够有效的对氢原子进行束缚，有效的避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜)，从而使得第二N型硅层320的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，并且，使得第二N型硅层320的磷烷浓度大于第一N型硅层310的磷烷浓度。
如此，在后续的高温退火工序中，由于第二N型硅层320中掺杂了一定浓度的磷烷，从而能够对氢原子进行束缚，进而能够避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜，从而能够提升开路电压、转换效率与填充因子，提升电池片的品质。
并且，第二N型硅层320相对第一N型硅层310靠近电池片的外侧，从而在高温退火工序中更易发生氢离子的逃逸，由于第二N型硅层320的磷烷浓度大于第一N型硅层310的磷烷浓度，从而能够对氢原子进行很好的束缚，保证氢原子不会出现逃逸而发生溢散，能够有效的避免爆膜。
可选地，在制备第二N型硅层320过程中，使得第二N型硅层320的磷烷浓度至少为第一N型硅层310的磷烷浓度的两倍，在保证第一N型硅层310的磷烷浓度能够满足对氢原子进行有效的束缚的基础上，使得第二N型硅层320的磷烷浓度较大，从而能够更好的对第二N型硅层320内的氢原子进行束缚，避免发生氢原子的逃逸而产生爆膜。
其中，第二N型硅层320的磷烷浓度可以为第一N型硅层310的磷烷浓度的两倍、三倍、四倍或更多。
其中，在后续的高温退火工序中，越靠近电池片的外侧，则发生氢原子的逃逸的可能性越高。
可选地，在步骤S210步骤中，还包括：S211、第一N型硅层310的磷烷浓度随第一N型硅层310的厚度的增加而递增。如此，在采取PECVD法等方法进行第一N型硅层310的制备过程中，第一N型硅层310的厚度随着时间的推移不断变厚，而磷烷浓度也同步不断变高，从而使得第一N型硅层310远离氧化硅层200的磷烷浓度高于靠近氧化硅层200的磷烷浓度，进而使得第一N型硅层310对氢原子的束缚能力沿远离氧化硅层200方向(如图6的A方向所示)不断加强，保证第一N型硅层310的各个部位均能对氢原子进行有效的束缚，能够有效的避免爆膜。
具体地，可以通过逐渐提升磷烷的供应量的方式使得磷烷浓度随第一N型硅层310的厚度的增加而递增。
可选地，在步骤S220步骤中，还包括：S221、第二N型硅层320的磷烷浓度随第二N型硅层320的厚度的增加而递增。如此，在采取PECVD法等方法进行第二N型硅层320的制备过程中，第二N型硅层320的厚度随着时间的推移不断变厚，而磷烷浓度也同步不断变高，从而使得第二N型硅层320远离第一N型硅的磷烷浓度高于靠近第一N型硅的磷烷浓度，进而使得第二N型硅层320对氢原子的束缚能力沿远离第一N型硅方向(如图6的A方向所示)不断加强，保证第二N型硅层320的各个部位均能对氢原子进行有效的束缚，能够有效的避免爆膜。
具体地，可以通过逐渐提升磷烷的供应量的方式使得磷烷浓度随第二N型硅层320的厚度的增加而递增。
并且，第二N型硅层320的磷烷浓度始终大于第一N型硅层310的磷烷浓度。
需要进行说明的是，在实际制备过程中，第一N型硅层310的层数和第二N型硅层320的层数可以根据实际使用需要进行灵活的设计或调整，只需满足能够在高温退火工序中对氢原子进行束缚以避免发生爆膜即可。
例如，第一N型硅层310可以至少为两层(两层、三层或更多)，第二N型硅层320也可以至少为两层(两层、三层或更多)，并且，第一N型硅层310与第二N型硅层320交替设置，即相邻的两个第一N型硅层310之间具有一层第二N型硅层320，相邻的两个第二N型硅层320之间具有一层第一N型硅层310。
此外，采取PECVD法制备得到第一N型硅层310和第二N型硅层320，连续且致密性好，具有十分优异的吸杂，阻塞杂质，强场钝化和高电子选择透过性。
另外，在制备N型硅层300时，还可以通入其他气体，以增强钝化或起到隔绝杂质的作用。
具体地，在步骤S200中，还包括：S230、形成第一N型硅层310时与形成第二N型硅层320时通入的硅烷浓度相同。如此，使得第一N型硅层310中的硅烷浓度与第二N型硅层320中的硅烷浓度相同，满足性能要求，而且，硅烷的通入还可以增强钝化或起到隔绝杂质的作用。并且，硅烷浓度大于第一N型硅层310的磷烷浓度，硅烷浓度小于第二N型硅层320的磷烷浓度，从而使得第一N型硅层310和第二N型硅层320均能够对氢原子进行束缚，且相对靠近外侧的第二N型硅层320对氢原子的束缚能力更强，保证各个部分的氢原子均不会发生逃逸，能够有效的避免爆膜。
可选地，通入大于等于1200sccm、小于等于1800sccm的硅烷，从而使得第一N型硅层310的硅烷浓度与第二N型硅层320的硅烷浓度相同，并且，使得硅烷浓度大于第一N型硅层310的磷烷浓度，使得硅烷浓度小于第二N型硅层320的磷烷浓度。
具体地，在步骤S230中，还包括：S231、通入甲烷，且甲烷浓度小于等于三倍的硅烷浓度。如此，甲烷的通入，能够使得碳掺杂降低多晶硅的结晶质量，降低了高温退火过程中残余应力，C-Si键的形成，提高了化学键的强度，两者共同抑制了起泡爆膜。并且，C-H键的形成则有利于抑制氢气的释放水平，使得碳对氢原子的捕获能力增强，也能抑制氢原子发生逃逸而产生爆膜。
其中，通入的甲烷的量可以根据实际使用需要进行灵活的设计或调整，只需满足甲烷浓度小于等于三倍的硅烷浓度，从而能够进一步避免爆膜即可。
需要进行说明的是，上述实施例电池片的生产工艺中，硅烷的通入和磷烷的通入可以同时进行，也可以分先后进行，不做限制。
另外，需要进行解释的是，N型硅层300的磷烷浓度是指N型硅层300中磷烷的含量；第一N型硅层310的磷烷浓度是指第一N型硅层310中磷烷的含量；第二N型硅层320的磷烷浓度是指第二N型硅层320中磷烷的含量；第一N型硅层310的硅烷浓度是指第一N型硅层310中硅烷的含量；第二N型硅层320的硅烷浓度是指第二N型硅层320中硅烷的含量。
如图3的(c)与(d)所示，采用上述实施例的生产工艺生产出的电池片在显微镜下观察，不会出现爆膜。而采用传统工艺生产的电池片在显微镜下观察，如图3的(a)与(b)所示，存在爆膜问题。
此外，如图4所示，通过调节第一N型硅层310的磷烷浓度，能够完全解决爆膜问题，解决爆膜问题后电池效率与开路电压均有明显提升，其中，SP1为采用传统的方式生产的电池片的电池效率和开路电压，SP2为本申请实施例的生产工艺的电池片的电池效率和开路电压。
另外，本申请实施例的生产工艺，将本征多晶硅层替换为低掺杂的第一N型硅层310后，在不改变其他工艺条件的情况下，ECV(Electrochemical capacitance-voltageprofiler，电化学微分电容电压)测试可知电池片整体厚度增加约10nm～30nm左右，使用本申请实施例的生产方法在磷烷浓度为500sccm的电池ECV如图5所示。
需要进行说明的是，氧化硅层200、N型硅层300及减反射层400的制备温度，可以根据各自的工艺条件或工艺要求进行灵活的设计或调整。例如制备第一N型硅层310和第二N型硅层320的温度可以为80℃～380℃。并且，N型硅片100的尺寸和具体形状规格也可以不做限制。
上述实施例的电池片的生产工艺，至少具有以下几个优点：1、在高温退火工序中能够对氢原子进行束缚，避免氢原子发生逃逸而发生爆膜；2、对氢原子的束缚能力从内到外不断加强，能够有效的对各个部位的氢原子进行束缚，有效的避免爆膜；3、能够提升开路电压、转换效率(转换效率的平均提升可达24.67％以上，最高可提升达24.9％以上)与填充因子，还能增强背钝化效果，提升电池片的品质。
如图6所示，在一个实施例中，还提供了一种电池片，采用上述任意实施例的生产工艺得到。
上述实施例的电池片，不存在爆膜的问题，产品的品质高。并且，开路电压、转换效率与填充因子均较高。
在一个实施例中，还提供了一种太阳能电池板，包括上述任意实施例的电池片。
上述实施例的太阳能电池板，不存在爆膜的问题，产品的品质高。并且，开路电压、转换效率与填充因子均较高。
需要说明的是，“某体”、“某部”可以为对应“构件”的一部分，即“某体”、“某部”与该“构件的其他部分”一体成型制造；也可以与“构件的其他部分”可分离的一个独立的构件，即“某体”、“某部”可以独立制造，再与“构件的其他部分”组合成一个整体。本申请对上述“某体”、“某部”的表达，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本申请的保护的范围的限制，只要包含了上述特征且作用相同应当理解为是本申请等同的技术方案。
需要说明的是，本申请“单元”、“组件”、“机构”、“装置”所包含的构件亦可灵活进行组合，即可根据实际需要进行模块化生产，以方便进行模块化组装。本申请对上述构件的划分，仅是其中一个实施例，为了方便阅读，而不是对本申请的保护的范围的限制，只要包含了上述构件且作用相同应当理解是本申请等同的技术方案。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。本发明中使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”、“设置于”、“固设于”或“安设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。进一步地，当一个元件被认为是“固定传动连接”另一个元件，二者可以是可拆卸连接方式的固定，也可以不可拆卸连接的固定，能够实现动力传递即可，如套接、卡接、一体成型固定、焊接等，在现有技术中可以实现，在此不再累赘。当元件与另一个元件相互垂直或近似垂直是指二者的理想状态是垂直，但是因制造及装配的影响，可以存在一定的垂直误差。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
还应当理解的是，在解释元件的连接关系或位置关系时，尽管没有明确描述，但连接关系和位置关系解释为包括误差范围，该误差范围应当由本领域技术人员所确定的特定值可接受的偏差范围内。例如，“大约”、“近似”或“基本上”可以意味着一个或多个标准偏差内，在此不作限定。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电池片的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在N型硅片的背面形成氧化硅层；
在所述氧化硅层上形成N型硅层，其中，所述N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，使得所述N型硅层中掺杂了一定浓度的磷烷，从而使得所述N型硅层在高温退火工序能够对氢原子进行束缚，进而能够避免因氢原子的逃逸产生的溢散而引起的爆膜；
在所述N型硅层上形成减反射层并在所述减反射层上形成背面电极。
2.根据权利要求1所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：
在所述氧化硅层上形成第一N型硅层，所述第一N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内；
在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层，所述第二N型硅层的磷烷浓度处于第一预设浓度范围内，且所述第二N型硅层的磷烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度。
3.根据权利要求2所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述第一N型硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：
所述第二N型硅层的磷烷浓度至少为所述第一N型硅层的磷烷浓度的两倍。
4.根据权利要求2所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：通入小于或等于1000sccm的磷烷；在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：通入大于或等于2000sccm的磷烷。
5.根据权利要求2所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成第一N型硅层的步骤中，包括：所述第一N型硅层的磷烷浓度随所述第一N型硅层的厚度的增加而递增；和/或在所述氧化硅层上形成第二N型硅层的步骤中，包括：所述第二N型硅层的磷烷浓度随所述第二N型硅层的厚度的增加而递增。
6.根据权利要求2至5任一项所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：
形成所述第一N型硅层时与形成所述第二N型硅层时通入的硅烷浓度相同，且所述硅烷浓度大于所述第一N型硅层的磷烷浓度，所述硅烷浓度小于所述第二N型硅层的磷烷浓度。
7.根据权利要求6所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在所述氧化硅层上形成N型硅层的步骤中，包括：
通入大于等于1200sccm、小于等于1800sccm的硅烷。
8.根据权利要求6所述的电池片的生产工艺，其特征在于，在形成所述第一N型硅层时与形成所述第二N型硅层时通入的硅烷浓度相同的步骤中，还包括：通入甲烷，且甲烷浓度小于等于三倍的硅烷浓度。
9.一种电池片，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的生产工艺生产得到。
10.一种太阳能电池板，其特征在于，包括如权利要求9所述的电池片。
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