CN114335062B - 一种显示基板、显示装置 - Google Patents

Abstract

一种显示基板、显示装置，显示基板包括基底、设置在所述基底上的发光器件、光敏器件以及遮光结构，所述遮光结构位于所述光敏器件的周侧，所述遮光结构至少配置为遮挡所述发光器件朝向所述光敏器件发出的光线。

Description

一种显示基板、显示装置

技术领域

本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示装置。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体器件。通过采用不同的半导体材料和结构，由于LED芯片具有结构简单、体积小、节能、高效、长寿、光线清晰等优点，近年来已逐渐取代白炽灯、荧光灯等传统照明灯具，正成为新一代照明市场的主流产品，在光电系统中的应用也极为普遍。

有机发光显示装置不仅应用领域多样化，而且部分产品逐渐向多功能化发展，例如光学式屏内指纹。目前指纹识别技术主要有电容式、光学式和超声波式。而电容式由于穿透距离的限制只能集成在盖板(Cover)，不能用于屏下；超声波式由于材料限制，不易集成屏内。符合全面屏的只有光学式和超声波式，既符合全面屏和大屏，又能屏幕集成的，优选光学式。

光学是指纹识别方法中，光敏器件通过接收信号光实现光电转换，进而实现光学指纹的功能。然而，光敏器件除了接收信号光，还会接收其他的噪声光。

发明内容

以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的发光器件、光敏器件以及遮光结构，所述遮光结构位于所述光敏器件的周侧，所述遮光结构至少配置为遮挡所述发光器件朝向所述光敏器件发出的光线。

在示例性实施方式中，所述遮光结构在所述基底的正投影与所述光敏器件在所述基底的正投影不交叠。

在示例性实施方式中，所述遮光结构环绕所述光敏器件的四周设置。

在示例性实施方式中，在垂直于所述基底方向，所述遮光结构远离所述光敏器件一侧表面的截面，沿着远离所述基底方向呈聚拢状。

在示例性实施方式中，还包括设置在所述基底上的有源层、设置在所述有源层远离所述基底一侧的第一栅极绝缘层、设置在所述第一栅极绝缘层远离所述基底一侧的第一栅金属层，所述第一栅金属层包括所述光敏器件。

在示例性实施方式中，还包括设置在所述第一栅金属层远离所述基底一侧的第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层中设置有第一开槽，所述第一开槽位于所述光敏器件的周侧，所述第一开槽包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁位于所述第二侧壁靠近所述光敏器件一侧，所述第一侧壁远离所述光敏器件一侧表面上设置有所述遮光结构。

在示例性实施方式中，所述第一开槽的底部延伸至所述第一栅极绝缘层远离所述基底一侧的表面。

在示例性实施方式中，还包括设置在所述第二栅极绝缘层远离所述基底一侧的层间介质层，所述层间介质层中设置有第二开槽，所述第二开槽与所述第一开槽连通，所述第二开槽包括第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁位于所述第四侧壁靠近所述光敏器件一侧，所述第三侧壁远离所述光敏器件一侧表面上设置有所述遮光结构。

在示例性实施方式中，所述第三侧壁与所述第一侧壁连接，所述第三侧壁上的遮光结构与所述第一侧壁上的遮光结构可以采用相同的材料一体成型。

在示例性实施方式中，还包括设置在所述第二栅极绝缘层远离所述基底一侧的层间介质层以及设置在所述层间介质层远离所述基底一侧的源漏电极层，所述遮光结构与所述源漏电极层采用相同的材料。

在示例性实施方式中，还包括设置在所述基底上的遮光层，所述遮光层位于所述有源层靠近所述基底一侧，至少部分所述遮光层在所述基底的正投影与所述有源层在所述基底的正投影交叠。

在示例性实施方式中，还包括聚光结构，所述聚光结构位于所述光敏器件远离所述基底一侧，至少部分聚光结构在所述基底的正投影与所述光敏器件在所述基底的正投影交叠，所述聚光结构配置为将从所述聚光结构远离所述基底一侧入射的光线聚拢，且聚拢的光线至少部分朝向所述光敏器件。

在示例性实施方式中，所述聚光结构包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层靠近所述基底一侧，所述第一材料层的折射率大于所述第二材料层的折射率，所述第一材料层远离所述基底一侧表面设置有凹凸结构，所述凹凸结构与所述第二材料层的交界面配置为将从所述凹凸结构远离所述基底一侧入射的光线聚拢，且聚拢的光线至少部分朝向所述光敏器件。

在示例性实施方式中，还包括位于所述光敏器件远离所述基底一侧的第一平坦层和第二平坦层，所述第一平坦层位于所述第二平坦层靠近所述基底一侧，所述第一平坦层与所述第一材料层采用相同的材料一体成型，所述第二平坦层与所述第二材料层采用相同的材料一体成型。

一种显示装置，其特征在于，包括前述的显示基板。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。

图1为本公开示例性实施例提供的显示基板示意图；

图2为本公开示例性实施例显示基板形成第一开槽和第二开槽图案后的示意图；

图3为图2中a处的俯视图；

图4为本公开示例性实施例显示基板形成遮光结构图案后的示意图；

图5为图4中a处的俯视图；

图6为本公开示例性实施例显示基板形成第一平坦层图案后的示意图；

图7为图6中a处的俯视图；

图8为本公开示例性实施例显示基板形成聚光结构图案后的示意图；

图9为图8中a处的俯视图。

具体实施方式

下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

光学方法中，光敏器件通过接收信号光实现光电转换，进而实现光学指纹识别的功能。然而，光敏器件除了接收信号光，还会接收其他噪声光(即信号光以外的光)，例如，显示基板外部的噪声光，或者显示区域的横向光线以及显示区域的反射光线。因此需要增加信号光与噪声光的比率来改善信噪比。本公开实施例中通过利用背板(BP)工艺段的金属膜层制备遮光结构图案，以增强信噪比。

本公开实施例提供一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的发光器件、光敏器件以及遮光结构，所述遮光结构位于所述光敏器件的周侧，所述遮光结构配置为遮挡所述发光器件朝向所述光敏器件发出的光线。其中，遮光结构可以使用显示基板的已有膜层，或者，新增膜层。

在示例性实施例中，可以利用BP工艺的金属膜层。比如源漏极层SD制备遮光结构图案。发光器件发出的光经手指反射到光敏器件(此即信号光)，从而进行指纹识别；本公开实施例显示基板利用遮光结构的阻光作用，避免光敏器件接收发光器件直接发出的光和外部的环境光，从而减少了噪声光，增强信噪比。

图1为本公开实施例提供的显示基板示意图。显示基板可以包括多个光敏器件和多个遮光结构，图1中仅示意了一个光敏器件和一个遮光结构。如图1所示，显示基板可以包括：基底10，设置在基底10上的第一缓冲层11，设置在第一缓冲层11远离基底10一侧的遮光层12，设置遮光层12远离基底10一侧并将遮光层12覆盖的第二缓冲层13，设置第二缓冲层13远离基底10一侧的有源层14，设置有源层14远离基底10一侧并将有源层14覆盖的第一栅极绝缘层15、设置在第一栅极绝缘层15远离基底10一侧的第一栅金属层；第一栅金属层可以包括第一栅电极16、第二栅电极17以及光敏器件18；设置在第一栅金属层远离基底10一侧并将第一栅电极16、第二栅电极17以及光敏器件18覆盖的第二栅极绝缘层19，设置在第二栅极绝缘层19远离基底10一侧的第二栅金属层；第二栅金属层可以包括第三栅电极20，第三栅电极20在基底10的正投影与第二栅电极17在基底10的正投影交叠，形成电容；设置在第三栅电极20远离基底10一侧并将第三栅电极20覆盖的层间介质层21，设置在层间介质层21远离基底10一侧的第一源漏电极层；第一源漏电极层可以包括源电极22和漏电极23，设置在第一源漏电极层远离基底10一侧并将源电极22和漏电极23覆盖的第一平坦层24，设置在第一平坦层24远离基底10一侧的第二源漏电极层；第二源漏电极层可以包括连接电极25，设置在第二源漏电极层远离基底10一侧并将连接电极25覆盖的第二平坦层26，设置在第二平坦层26远离基底10一侧的阳极27，设置在阳极27远离基底10一侧的像素定义层28，像素定义层28中设置有将阳极27暴露的像素开口，设置在阳极27远离基底10一侧的发光层(图1中未示出)，设置在发光层远离基底10一侧的阴极(图1中未示出)，设置在阴极远离基底10一侧的封装层(图1中未示出)，设置在像素定义层28远离基底10一侧的支撑层29，设置在支撑层29远离基底10一侧的盖板。其中，层间介质层21中开设有第一过孔，第一过孔延伸至有源层14，漏电极23通过第一过孔与有源层14连接；第一平坦层24中开设有第二过孔，第二过孔延伸至漏电极23，连接电极25通过第二过孔与漏电极23连接；第二平坦层26中开设有第三过孔，第三过孔延伸至连接电极25，阳极27通过第三过孔与连接电极25连接。

本实施例显示基板进行指纹识别的原理如下：在进行指纹识别时，使用者的手指会按压在盖板，发光层发出的光线照射到盖板。由于手指的谷并未与盖板实际接触，则光线在指纹的谷与脊处发生全反射的临界角不同，光敏器件18接收到的光线的光强不同，从而生成不同强度的电信号，即可判断出指纹的谷与脊，生成指纹图案。

本实施例显示基板中，有源层14、第一栅电极16、第二栅电极17、源电极22和漏电极23构成薄膜晶体管，该薄膜晶体管电连接到阳极27。该薄膜晶体管可以形成本实施例显示基板的驱动电路。

在示例性实施例中，薄膜晶体管可以为顶栅结构，但不限于此。在一些实施例中，薄膜晶体管可以为底栅结构。

本实施例显示基板中，阳极27、发光层、阴极以及封装层形成显示基板的发光器件。

在示例性实施例中，基底10可以为柔性基底。柔性基底的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料。

在示例性实施例中，第一缓冲层11和第二缓冲层13均可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等，可以是单层，或者可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。

在示例性实施例中，遮光层12位于有源层14靠近基底10一侧，至少部分遮光层12在基底10的正投影与有源层14在基底10的正投影交叠，遮光层12为有源层14遮挡外部光或内部光。

在示例性实施例中，有源层14包括半导体。例如，半导体可以包括多晶硅、单晶硅、非晶硅或诸如氧化物半导体的非硅基材料。

在示例性实施例中，第一栅极绝缘层15、第二栅极绝缘层19和层间介质层21均可以采用无机绝缘材料。例如，硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层。

在示例性实施例中，第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏电极层以及第二源漏电极层均可以采用金属材料，如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)和钨(W)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者是多层复合结构，如MoNb/Cu/MoNb等。

在示例性实施例中，第一平坦层24和第二平坦层26均可以采用有机绝缘材料，例如，树脂。

本实施例显示基板还包括遮光结构30，遮光结构30位于光敏器件18的周侧，遮光结构30至少配置为遮挡发光器件朝向光敏器件18发出的光线，避免光敏器件18接收发光器件直接发出的光和外部的环境光，尤其是发光器件的横向光线以及发光器件的反射光线，从而减少了噪声光，提高光敏器件18的信噪比，进而提高手指反射光的强度，更有利于指纹识别。

在示例性实施例中，遮光结构30在基底10的正投影与光敏器件18在基底10的正投影不交叠，避免手指反射光被遮光结构30遮挡，影响光敏器件18接收手指反射光。

在示例性实施例中，遮光结构30在平行于基底10的方向截面呈环状，遮光结构30环绕光敏器件18的四周设置，以确保遮光结构30能够将光敏器件18周围的发光器件发出的光线全部遮挡。

在示例性实施例中，在垂直于基底10方向，遮光结构30远离光敏器件18一侧表面的截面，沿着远离基底10方向呈聚拢状，使遮光结构30远离光敏器件18一侧表面与基底10的表面形成一定的倾斜角度，提高遮光结构30的挡光效果。

在示例性实施例中，第二栅极绝缘层19中设置有第一开槽，第一开槽位于光敏器件18的周侧。示例的，第一开槽围绕光敏器件18的四周设置。第一开槽包括相对的第一侧壁31a和第二侧壁31b，第一侧壁31a位于第二侧壁31b靠近光敏器件18一侧，第一侧壁31a远离光敏器件18一侧表面上设置有遮光结构30。

在示例性实施例中，遮光结构30可以采用金属材料，如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、铬(Cr)和钨(W)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者是多层复合结构，如MoNb/Cu/MoNb等。

在示例性实施例中，第一开槽的底部可以延伸至第一栅极绝缘层15远离基底10一侧表面，将第一栅极绝缘层15暴露。第一侧壁31a上的遮光结构30底部延伸至第一栅极绝缘层15远离基底10一侧表面，能够将光敏器件18侧部全部包裹，提高遮光结构30的遮光效果。

在一些实施例中，第一开槽的底部可以位于第二栅极绝缘层中，第一侧壁31a上的遮光结构30底部延伸至第二栅极绝缘层中；或者，第一开槽的底部可以延伸至第一栅极绝缘层中，第一侧壁31a上的遮光结构30底部延伸至第一栅极绝缘层中；或者，第一开槽的底部可以延伸至第二缓冲层13，第一侧壁31a上的遮光结构30底部延伸至第二缓冲层13。本公开在此不再赘述。

本公开实施例显示基板可以通过利用背板(BP)工艺段的金属膜层制备遮光结构图案。在示例性实施例中，本公开实施例遮光结构30与第一源漏电极层采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。即遮光结构30与源电极22和漏电极23采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成。简化了显示基板的制备工艺，降低了生产成本。

在示例性实施例中，层间介质层21中设置有第二开槽，第二开槽与第一开槽连通，且至少部分第二开槽在基底的正投影与第一开槽在基底的正投影交叠。第二开槽包括第三侧壁32a和第四侧壁32b，第三侧壁32a位于第四侧壁32b靠近光敏器件18一侧，第三侧壁32a远离光敏器件18一侧表面上设置有遮光结构30。

在示例性实施例中，第三侧壁32a与第一侧壁31a连接，第三侧壁32a上的遮光结构30与第一侧壁31a上的遮光结构30可以采用相同的材料一体成型。其中，第一开槽和第二开槽可以采用同一刻蚀工艺制备而成。

在示例性实施例中，本公开实施例显示基板还包括聚光结构，聚光结构位于光敏器件18远离基底10一侧，至少部分聚光结构在基底10的正投影与光敏器件18在基底10的正投影交叠，聚光结构配置为将从聚光结构远离基底10一侧入射的光线聚拢，且聚拢的光线至少部分朝向光敏器件18。发光器件发出的光经手指反射后进入聚光结构，聚光结构对光线进行汇聚后，入射到光敏器件19。本公开实施例显示基板通过使用聚光结构汇聚光线，可以增强入射到光敏器件19的光线强度，提高指纹检测的灵敏度，改善指纹图像对比度。

在示例性实施例中，聚光结构包括第一材料层33a和第二材料层33b，第一材料层33a位于第二材料层33b靠近基底10一侧，第一材料层33a的折射率大于第二材料层33b的折射率，且第一材料层33a远离基底10一侧表面设置有凹凸结构34，至少部分凹凸结构34在基底10的正投影与光敏器件18在基底10的正投影交叠。凹凸结构34具有凸透镜功能，以实现聚光结构将手指反射的大角度光线聚拢。凹凸结构34与第二材料层33b的交界面配置为将从凹凸结构34远离基底10一侧入射的光线聚拢，且聚拢的光线至少部分朝向光敏器件18。

在示例性实施例中，第一材料层33a与第一平坦层24可以采用相同的材料一体成型，即第一材料层33a与第一平坦层24可以采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成，从而简化了制备工艺，降低了生产成本。

在示例性实施例中，第二材料层33b与第二平坦层26可以采用相同的材料一体成型，即第二材料层33b与第二平坦层26可以采用相同的材料通过同一制备工艺制备而成，从而简化了制备工艺，降低了生产成本。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前面任一所述的显示基板。该显示装置包括手机、平板电脑、智能穿戴产品(例如智能手表、手环等)、个人数字助理(personaldigital assistant，PDA)、车载电脑等。本申请实施例对上述可折叠显示装置的具体形式不做特殊限制。

下面通过遮光结构的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于驱动背板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

图2至图9为显示基板中遮光结构制备过程的示意图。在示例性实施方式中，显示基板中遮光结构的制备过程可以包括如下操作。

(1)形成第一开槽和第二开槽图案。在示例性实施方式中，形成第一开槽和第二开槽图案包括：在基底10上依次形成第一缓冲层11，在第一缓冲层11远离基底10一侧形成遮光层12，在遮光层12远离基底10一侧形成第二缓冲层13，在第二缓冲层13远离基底10一侧形成有源层14，在有源层14远离基底10一侧形成第一栅极绝缘层15，在第一栅极绝缘层15远离基底10一侧形成第一栅金属层；第一栅金属层可以包括第一栅电极16、第二栅电极17以及光敏器件18；在第一栅金属层远离基底10一侧形成第二栅极绝缘层19，在第二栅极绝缘层19远离基底10一侧形成第二栅金属层；第二栅金属层可以包括第三栅电极20，第三栅电极20在基底10的正投影与第二栅电极17在基底10的正投影交叠，形成电容；在第三栅电极20远离基底10一侧形成层间介质层21；通过同一刻蚀工艺，在层间介质层21中形成第二开槽，在第二栅极绝缘层19中形成第一开槽，且第二开槽与第一开槽连通，第一开槽的底部可以延伸至第一栅极绝缘层15远离基底10一侧表面，将第一栅极绝缘层15暴露。其中，第一开槽与第二开槽均围绕光敏器件18的四周设置。第一开槽包括第一侧壁31a和第二侧壁31b，第一侧壁31a位于第二侧壁31b靠近光敏器件18一侧。第二开槽包括第三侧壁32a和第四侧壁32b，第三侧壁32a位于第四侧壁32b靠近光敏器件18一侧，第一侧壁31a与第三侧壁32a连接，如图2和图3所示。其中，图3为图2中a处的俯视图。

(2)形成遮光结构图案。在示例性实施方式中，形成遮光结构图案包括：在形成前述图案的基底10上，在层间介质层21远离基底10一侧沉积金属薄膜，通过图案化工艺对金属薄膜进行图案化，在层间介质层21上形成第一源漏电极层；第一源漏电极层可以包括源电极22、漏电极23以及遮光结构30，遮光结构30设置在第一开槽的第一侧壁31a远离光敏器件18一侧表面，以及遮光结构30设置在第二开槽的第三侧壁32a远离光敏器件18一侧表面，且第三侧壁32a上的遮光结构30与第一侧壁31a上的遮光结构30可以采用相同的材料一体成型，如图4和图5所示。其中，图5为图4中a处的俯视图。

(3)形成第一平坦层图案。在示例性实施方式中，形成第一平坦层图案包括：在形成前述图案的基底10上，在层间介质层21远离基底10一侧沉积覆盖第一源漏电极层的第一材料薄膜，通过图案化工艺对第一材料薄膜进行图案化，形成第一平坦层24和第一材料层33a，至少部分第一材料层33a在基底10的正投影与光敏器件18在基底10的正投影交叠；然后在第一材料层33a远离基底10一侧表面形成凹凸结构34，如图6和图7所示。其中，图7为图6中a处的俯视图。

(4)形成聚光结构图案。在示例性实施方式中，形成聚光结构图案包括：在形成前述图案的基底10上，在第一平坦层24和第一材料层33a远离基底10一侧沉积第二材料薄膜，通过图案化工艺对第二材料薄膜进行图案化，形成第二平坦层26和第二材料层33b，至少部分第二材料层33b在基底10的正投影均与光敏器件18在基底10的正投影和第一材料层33a在基底10的正投影交叠；第一材料层33a的折射率大于第二材料层33b的折射率，如图8和图9所示。其中，图8为图9中a处的俯视图。

在示例性实施方式中，第一材料层33a在基底10的正投影和第二材料层33b在基底10的正投影交叠的部分形成聚光结构。第一材料层33a的凹凸结构34具有凸透镜功能，以实现聚光结构将手指反射的大角度光线聚拢。凹凸结构34与第二材料层33b的交界面配置为将从凹凸结构34远离基底10一侧入射的光线聚拢，且聚拢的光线至少部分朝向光敏器件18。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。

Claims (15)

1.一种显示基板，其特征在于，包括基底、设置在所述基底上的发光器件、光敏器件以及遮光结构，所述光敏器件的周侧设置有第一开槽，所述第一开槽包括第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁位于所述第二侧壁靠近所述光敏器件一侧，所述第一侧壁上设置有所述遮光结构，所述遮光结构至少配置为遮挡所述发光器件朝向所述光敏器件发出的光线。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述遮光结构在所述基底的正投影与所述光敏器件在所述基底的正投影不交叠。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述遮光结构环绕所述光敏器件的四周设置。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在垂直于所述基底方向，所述遮光结构远离所述光敏器件一侧表面的截面，沿着远离所述基底方向呈聚拢状。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述基底上的有源层、设置在所述有源层远离所述基底一侧的第一栅极绝缘层、设置在所述第一栅极绝缘层远离所述基底一侧的第一栅金属层，所述第一栅金属层包括所述光敏器件。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第一栅金属层远离所述基底一侧的第二栅极绝缘层，所述第二栅极绝缘层中设置有所述第一开槽。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一开槽的底部延伸至所述第一栅极绝缘层远离所述基底一侧的表面。

8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第二栅极绝缘层远离所述基底一侧的层间介质层，所述层间介质层中设置有第二开槽，所述第二开槽与所述第一开槽连通，所述第二开槽包括第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁位于所述第四侧壁靠近所述光敏器件一侧，所述第三侧壁远离所述光敏器件一侧表面上设置有所述遮光结构。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述第三侧壁与所述第一侧壁连接，所述第三侧壁上的遮光结构与所述第一侧壁上的遮光结构采用相同的材料一体成型。

10.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述第二栅极绝缘层远离所述基底一侧的层间介质层以及设置在所述层间介质层远离所述基底一侧的源漏电极层，所述遮光结构与所述源漏电极层采用相同的材料。

11.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括设置在所述基底上的遮光层，所述遮光层位于所述有源层靠近所述基底一侧，至少部分所述遮光层在所述基底的正投影与所述有源层在所述基底的正投影交叠。

12.根据权利要求1至11任一所述的显示基板，其特征在于，还包括聚光结构，所述聚光结构位于所述光敏器件远离所述基底一侧，至少部分聚光结构在所述基底的正投影与所述光敏器件在所述基底的正投影交叠，所述聚光结构配置为将从所述聚光结构远离所述基底一侧入射的光线聚拢，且聚拢的光线至少部分朝向所述光敏器件。

13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述聚光结构包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层位于所述第二材料层靠近所述基底一侧，所述第一材料层的折射率大于所述第二材料层的折射率，所述第一材料层远离所述基底一侧表面设置有凹凸结构，所述凹凸结构与所述第二材料层的交界面配置为将从所述凹凸结构远离所述基底一侧入射的光线聚拢，且聚拢的光线至少部分朝向所述光敏器件。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，还包括位于所述光敏器件远离所述基底一侧的第一平坦层和第二平坦层，所述第一平坦层位于所述第二平坦层靠近所述基底一侧，所述第一平坦层与所述第一材料层采用相同的材料一体成型，所述第二平坦层与所述第二材料层采用相同的材料一体成型。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至14任一所述的显示基板。