CN114207182A - 具有清扫的用于腐蚀性气体的蒸气储蓄器 - Google Patents

Abstract

提供了用于半导体处理操作，例如原子层沉积操作的蒸气储蓄器。这种蒸气储蓄器可以包括填充有惰性气体的周边充气部容积，这可以减少或防止外部污染物泄漏到处理气体中。在一些实现方案中，储液器可由耐腐蚀材料构成以减少进入处理气体的内部污染物。

Description

具有清扫的用于腐蚀性气体的蒸气储蓄器

通过引用并入

PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

背景技术

在半导体处理操作期间，一种或多种反应物可分配在半导体晶片上，以实施蚀刻、沉积、清洁、或其他操作。在一些这样的半导体操作中，该一种或多种反应物可以以悬浮在载体气体中的汽化形式提供，所述载体气体例如：在流动经过该半导体晶片之前对所使用的其他反应物会是化学惰性或不反应的气体。

处理气体可包含该载体气体和汽化反应物。分配在半导体晶片上的处理气体可来自储蓄器，在特定温度和压强范围，该储蓄器储蓄大容积的处理气体(相对于晶片处理区域的体积)。在部分处理气体分配在一个或多个半导体晶片上之前、期间以及之后的半导体处理期间，储蓄器可储蓄高挥发性、毒性、和/或活性的处理气体。

本公开内容涉及用于改进半导体处理室中的储蓄器的设计和构造的新技术和装置。

发明内容

在此说明书中所述主题的一或多个实现方案的细节在以下附图和实施方式中阐明。其他特征、方面和优点将根据实施方式、附图和权利要求而变得显而易见。以下的非限制的实现方案被视为本公开内容的一部分；其他实现方案也将由本公开内容的整体以及附图而变得明显。

在此所公开的实现方案的一个方面，可提供一种用于半导体处理工具中的装置。所述装置可以包含具有底部开口的钟罩、布置在底部开口周围且自其径向向外延伸的一个或多个凸缘结构以及密封表面；所述装置还可以包含主O形环和板。所述板可以具有第一侧以及与第一侧相反的第二侧，所述钟罩可以定位成使所述密封表面相邻于所述第一侧，主O形环沟槽可以被定位在所述板的第一侧和/或所述钟罩的密封表面中，所述主O形环可至少部分地被定位在所述主O形环沟槽内且可被夹在所述钟罩的密封表面以及所述板的第一侧之间，且所述板可以包含一个或多个流体密封界面。每一流体密封界面可以包含：i)端口，其位于所述主O形环的内部周边内且从所述第一侧延伸穿过所述板到达所述第二侧；以及ii)至少一个清扫气体出口，其位于所述板的第二侧上，且通过位于所述板内的对应的清扫气体通道而与位于所述板的所述第一侧的对应的清扫气体入口呈流体连接。所述装置还可以包括一个或多个夹持结构，其具有靠近于所述板的所述第一侧的底面、以及从所述底面径向向内延伸且靠近所述一个或多个凸缘结构的内部凸缘；以及周边充气部容积，其至少部分由以下项限定：所述主O形环、所述主O形环沟槽的一部分、所述板的第一侧的一部分、所述密封表面的一部分、以及所述一个或多个凸缘结构中的每一者的至少一部分，其介于所述一个或多个夹持结构的所述内部凸缘与所述密封表面之间。所述装置还可以包括一个或多个清扫廊道沟槽：a)位于选自由以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板和/或所述一个或多个夹持结构；以及b)布置在所述主O形环沟槽周围；所述一个或多个清扫廊道沟槽可以与所述周边充气部容积以及在所述装置内的每一清扫气体入口呈流体连接；以及清扫气体馈送入口可以与所述一个或多个清扫廊道沟槽呈流体连接。

在一些实现方案中，所述装置还可以包含：钟罩盖，其具有底部开口和底面。所述钟罩盖的所述底面可以靠近于所述第一板的第一侧，所述钟罩可以被容纳在至少部分由所述板的第一侧和所述钟罩盖的内部表面所限定的容积内。所述周边充气部容积可以至少部分地由所述钟罩盖的内部表面和所述钟罩的外部表面额外限定。

在一些实现方案中，所述一个或多个夹持结构可以是所述钟罩盖的部分，其中：所述一个或多个夹持结构的底面是所述钟罩盖的底面，以及所述一个或多个夹持结构的内部凸缘是所述钟罩盖的内部凸缘。

在一些实现方案中，所述钟罩盖的底面的内边缘可以靠近于所述板的所述第一侧，所述一个或多个清扫廊道沟槽可以定位在所述内边缘外，以及所述钟罩盖可以具有多个清扫气体端口，将所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积连接。在一些实现方案中，所述多个清扫气体端口可以在与所述清扫廊道沟槽所遵循的路径相垂直的平面中，具有比所述清扫廊道沟槽的截面积的约10％更小的截面积。

在一些实现方案中，所述一个或多个夹持结构可以是由在所述钟罩盖的所述底部开口的周边周围延伸的内部凸缘提供。在一些实现方案中，所述装置可以进一步包含靠近于所述板的第二侧的一个或多个加热元件。在一些实现方案中，所述装置可以包括：一个或多个温度传感器设备，每个温度传感器设备与选自以下项所组成的群组的零件接触：所述钟罩、所述板和所述一个或多个流体密封界面中的一者。

在一些实现方案中，该一个或多个凸缘结构可以是单凸缘结构。在一些实现方案中，该一个或多个夹持结构可以是单夹持结构。在一些实现方案中，所述一个或多个凸缘结构可以是单凸缘结构，以及所述装置可以进一步包含：次要O形环；次要O形环沟槽，其位于所述单凸缘结构和/或所述单夹持结构，并且所述次要O形环可以至少部分地定位在所述次要O形环沟槽内且可以径向插入在所述单凸缘结构和所述单夹持结构的第二表面之间。

在一些实现方案中，可以具有六个流体密封界面。在一些实现方案中，所述主O形环沟槽可以定位在该板中。在一些实现方案中，每一流体密封界面可以包含凸缘板、界面O形环以及界面O形环沟槽，其位于该凸缘板和/或该板的第二侧中。

在一些实现方案中，所述装置可以包含蒸气储蓄容积，所述蒸气储蓄容积至少部分地由以下项所限定：所述钟罩的内部表面，所述主O形环，以及所述板的所述第一侧。

在一些实现方案中，所述装置可以进一步包含：泵，其与所述钟罩容积呈流体连接，和控制器，其包含一个或多个处理器以及一个或多个存储器设备。所述一个或多个处理器、所述一个或多个存储器设备和所述泵可以彼此能操作地连接，且所述一个或多个存储器设备可以储存计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于控制所述一个或多个处理器以使得所述泵将所述钟罩中的绝对压强减少至小于10torr至200torr的程度。

在一些实现方案中，所述清扫气体馈送入口可以与包含惰性气体的气体供给源连接。在一些实现方案中，所述惰性气体可以包含氩、氦、氮和氖中的一或多者。在一些实现方案中，所述装置可以包含次要O形环，其至少部分定位在所述一或多凸缘结构与所述一或多夹持结构之间。

在一些实现方案中，所述主O形环可以包含平坦的环形段，所述平坦的环形段从环状段径向向内延伸。

在一些实现方案中，所述装置可以包含多个清扫气体端口，其将所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积连接。所述多个清扫气体端口中的每一者可以在与所述清扫廊道沟槽所遵循的路径垂直的平面中具有比所述清扫廊道沟槽的截面积的约10％更小的截面积。

在一些实现方案中，所述一个或多个清扫廊道沟槽可以是由单清扫廊道沟槽所提供。在一些实现方案中，所述单清扫廊道沟槽可以在主O形环沟槽周围形成完整的环路。在一些实现方案中，所述一个或多个流体密封界面中的一或多者可以与气体供给源连接。在一些实现方案中，所述一个或多个流体密封界面中的一或多者是用于分配气体的出口界面。

在一些实现方案中，所述钟罩和/或所述板对含氯化合物可以是非活性的。在一些实现方案中，所述钟罩和/或所述板对含氟化合物可以是非活性的。在一些实现方案中，所述钟罩和所述板各自可以包含以下材料中的一种或多种：石英(SiO₂)，有蓝宝石(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化铝(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化钇(Y₂O₃)涂层的石英，有钇稳定的氧化锆(ZrO₂)涂层的石英，有氧化铝/氧化钇层压涂层的石英，有石英涂层的硼硅酸盐玻璃，有蓝宝石涂层的硼硅酸盐玻璃，铝合金，有氧化铝涂层的铝6061，有氧化铝涂层的铝7075，或有氧化铝涂层的铝3003，有硬质阳极处理(Al₂O₃)涂层的铝合金，有硬质阳极处理涂层的铝6061，有硬质阳极处理涂层的铝7075，或有硬质阳极处理涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆(NiP)的铝合金，具有无电解高磷镍镀覆的铝6061，具有无电解高磷镍镀覆的铝7075、或具有无电解高磷镍镀覆的铝3003，具有聚合物聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、或聚对二甲苯涂层的铝合金，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝6061，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝7075，或具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢合金，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢316，或具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢304，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢合金，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢316，或具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢304，抗腐蚀Ni-合金，哈氏合金C-22，哈氏合金C-276，哈氏合金B-2或Inconel 718。

下面将参考相关附图详细描述所公开的实施方案的这些和其他特征。

附图说明

在附图的图中通过示例而非限制的方式示出了本文公开的各种实现方式，其中相似的附图标记指代相似的元件。

图1描绘了如本文所讨论的示例性蒸气储蓄器的分解图。

图2描绘了该示例性蒸气储蓄器的组合图。

图3A-C描绘了该示例性蒸气储蓄器的剖面图。

图4描绘了该示例性蒸气储蓄器的另一剖面图。

图5描绘了另一示例性蒸气储蓄器的剖面图。

图6描绘了结合蒸气储蓄器的半导体处理工具的高阶示意图。

除了是图3A的部分放大图的图3B和3C之外，图1至5在每一图中均按比例绘制。这些图彼此间可以是不成比例的。

具体实施方式

在以下描述中，许多特定细节被阐明以提供对所呈现的实现方案的透彻理解。在此所公开的实现方案可以在没有这些特定细节中的一些或全部的情况下实施。此外，尽管所公开的实现方案将与特定实现方案结合描述，但应理解，特定实现方案不旨在限制所公开的实现方案。

在此所公开的是用于将汽化前体或其他反应物输送至一个或多个半导体处理室的方法、技术、系统和装置。在此公开的构思可能尤其适用于循环、多阶段的半导体处理操作，例如ALD或ALE处理，且可能还适合用于单站或多站半导体处理工具，即在同室或在共享一个或多个工具子系统的多个独立室中可同时处理多个半导体晶片的工具，例如控制器、气体分配系统、真空泵系统、等等。如果希望的话，在此公开的构思可能还被在不涉及循环、多阶段的半导体处理操作和/或在单站半导体处理工具中的情形下实现。

本发明人理解现有的半导体处理系统(例如，用于实施ALD操作的那些)可以在一些方面提供不理想的表现。例如，许多ALD系统使用质量流控制器(MFC)以控制前体流至正在接受ALD处理的半导体晶片的流量。然而，ALD前体的配料周期其实相当短，例如在小于1秒或普遍不多于2-3秒的数量级。相反，MFC具有非常慢的反应时间，例如比前体配料周期来得更长。因此，使用MFC以调节前体配料的ALD系统将通常在该MFC的下游包含转向或分流阀——前体流可因此分配到处理室(于该处其流动横跨半导体晶片)或转向至排气系统。无论前体最终被输送哪一目的地，流经该MFC的前体的流量可维持在相对稳定的状态。在这样的系统中，有时会根据MFC所提供的质量流量，通过启动该转向阀(其具有比该MFC快得多的反应时间)控制输送到处理室的前体的量。然而，该方法是非常浪费的，这是因为前体必须持续流动经过MFC，且未输送至半导体晶片的前体因此必须被输送至排气系统中，于该处将其废弃。MFC也是昂贵的构件，且在多站半导体处理工具中，为了如此目的，每一站将需要自己的MFC及转向阀。

多站式ALD工具可对在工具中正在处理的半导体晶片使用低蒸气压前体的脉冲沉积。这样的工具(例如)可使用例如五氯化钨或六氯化钨之类的前体，该前体可能以汽化形式悬浮在惰性或其他非活性载体气体中。取代使用常用的MFC/转向阀方法，更有效率的是，将汽化前体提供至相对较大的蒸气储蓄器，并接着根据需求计量出通往一个或多个处理室的小量汽化前体。可通过蒸气入口从一个或多个汽化器向这样的蒸气储蓄器提供汽化前体，且该蒸气储蓄器通过对应的蒸气输送线路连接至一个或多个处理室。需要理解的是，在此所讨论的蒸气储蓄器不应与汽化器本身的工作容积混淆，该工作容积即是固相或液相的汽化实际发生处(固相至气相的转变技术上称为升华，但为了此应用的目的，术语“汽化”等应被理解为指固相或液相材料至气态的转变)。当“蒸气储蓄器”作为术语在此使用时是指储蓄器，其接收已夹带在载体气体中但本身不包含待蒸发的固态或液态物质的蒸气。例如，液体或固体前体可存放于具有容积的安瓿中；可导致该前体在该安瓿容积内被蒸发，从而产生蒸气——该蒸气可接着通过管件、管路、或其他流通截面积相对较小的管道(与安瓿自身的流通截面积相比)往下游输送至该蒸气储蓄器——由于该安瓿包含待蒸发的固相或液相反应物，所以该安瓿自身将不被认为是蒸气储蓄器。可用于实现在此所讨论的实现方案的若干汽化器的示例可见于在2018年10月2日授权的美国专利No.10,087,523，并且通过引用将其全部并入此处。

汽化前体从该蒸气储蓄器至每一独立处理室的流动可通过对应的阀进行调节，可启动该阀以输送非常短的脉冲，例如数秒、500ms或以下、50ms或以下等等的脉冲宽度的汽化前体至该处理室。该蒸气储蓄器的容积可设定大小以使其包含足够的前体，从而使得从该蒸气储蓄器向其可能连接的任一处理室提供单一前体剂量不会负面影响该蒸气储蓄器同时输送准确剂量至其所连接的其他处理室的能力(虽然在处理期间，该剂量也可能异步地输送)。

为了使前体维持在蒸气状态，以允许准确配料，以及与该处理室中的压强是压强兼容的，该蒸气储蓄器可被维持在相对较低的压强，例如中度真空，在约10torr与约200torr之间、在约10torr与约20torr之间、或在约50torr与约200torr之间。通常，在处理操作期间，该蒸气储蓄器的压强将是该处理室的压强的至少约两倍。因此，储存在该蒸气储蓄器内的气体量(汽化前体和载体气体两者)在体积上可能是相当稀薄的。泵可以与该蒸气储蓄器呈流体连接，可控制该泵以减少该蒸气储蓄器内的压强。

在一些实现方案中，储存在蒸气储蓄器中的处理气体可以是氯化前体或氯氧化物，包含六氯化钨、五氯化钨、氧四氯化钨、二氯二氧化钨、五氯化钼、氧四氯化钼、二氯二氧化钼、以及四氯化钛。在一些实现方案中，处理气体是氟化前体或氟氧化物，包含六氟化钨、五氟化钨、氧四氟化钨、二氟二氧化钨、五氟化钼、氧四氟化钼、二氟二氧化钼、以及四氟化钛。在一些实现方案中，处理气体可遵循通式MeCl_x、MeO_yCl_x、MeF_x和/或MeO_yF_x，其中Me代表：钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、铌(Nb)和/或铑(Rh)，而x和y两者大于或等于1。在一些实现方案中，可以使用溴化和碘化前体，其遵循通式MeHal_x(异MeO_yHal_x)和/或MeO_yHal_x，其中Hal代表：氯、氟、溴和/或碘。

可以设计诸如本文所讨论的蒸气储蓄器，以使其具有限定蒸气储蓄器内的容积的大致两个主要部分：钟罩以及将该钟罩底部密封的板。举例来说，该钟罩可限定该蒸气储蓄器内的容积的一个或多个三维内部表面，而该板可大致限定出该蒸气储蓄器内的容积的标称平坦的(例如，大致是二维的)表面。应理解，在此所讨论的该板和钟罩结构或因其所提供的功能性可以以多种方式提供，包含以组件的方式提供，其中该板和/或该钟罩可以是其他部件的组件。例如，该钟罩可作为圆柱部分和圆顶盖部分的组件加以提供，当组合完成时，该组件提供相似于在此讨论的单件式钟罩的内部容积。

往来于蒸气储蓄器流动的处理气体可使其腐蚀，这引起污染物和微粒，因此其是不理想的。为减少污染物的数量以及减少部件更换的频率，可选择抗腐蚀材料用于蒸气储蓄器的建造。一些抗腐蚀材料(如陶瓷或石英)比金属合金(如哈氏合金(Hastelloy))较，但也较难加工。因此，在一些实现方案中，蒸气储蓄器的一些部分(如板)可以包含被加工的金属合金，而抵靠该板形成密封的钟罩可能需要较少的加工，并且可以包含陶瓷。

在钟罩和板之间的密封可能不完全防漏。由于蒸气储蓄器通常维持在小于大气压的压强，渗漏将空气引入处理气体，这可能造成污染物(如水蒸气)或其他微粒进入处理气体流，且因此可能污染正在处理的晶片。一种解决方案是将处理气体容积封闭在惰性气体(也称为清扫气体)的周边充气部容积内，该惰性气体如果维持在大于处理气体容积的压强，则在周边充气部容积和处理气体容积之间的任何渗漏将导致惰性气体与处理气体混合，从而将不会导致有害污染。更进一步，在一些实现方案中，周边充气部容积具有大于一个大气压的压强，使得在周边充气部容积与大气之间的任何渗漏将导致惰性气体流入蒸气储蓄器周围的空气，而非相反的情形。这可提供额外的保护层以防止污染物与处理气体的混合。在一些实现方案中，惰性气体是氩、氦、氮、或氖中的一者或多者。在一些实现方案中，惰性气体的气体供给源可使用阀以与周边充气部容积连接，该阀被配置成调节惰性气体的流动及周边充气部容积内的压强。

图1根据一些实现方案显示了蒸气储蓄器100的分解图。如先前所讨论的，该蒸气储蓄器100包含钟罩102和板110，在它们之间可大致限定该蒸气储蓄器100的内部容积。该钟罩102和板110可能利用夹在它们之间的主O形环108进行组合，以在两部件之间的接口提供大致气密密封。在一些实现方案中，可提供钟罩盖138，该钟罩盖138可附接至板110且可用于在该钟罩102上提供保护屏蔽。举例而言，该钟罩盖138可以由铝、不锈钢、或其他相对耐用的材料所制成，以对该钟罩102提供冲击保护，在一些实现方案中，该钟罩102可以由相对较脆的材料(例如石英或陶瓷)制成。在一些实现方案中，该钟罩盖138也可以与夹持结构整合，该夹持结构可被用于将该钟罩102相对于该板110维持在适当位置。在所示的实现方案中，该钟罩102具有外部凸缘104(可在后续图中更详细地看到)，且钟罩盖138具有内部凸缘，当沿着垂直于该板110的轴观看时，该内部凸缘与钟罩102的外部凸缘重叠。举例而言，钟罩盖138可以以多个扣件(例如螺丝、或其他安装系统)栓接至板110上，而钟罩102的外部凸缘可能因此卡在钟罩盖138的内部凸缘与板110之间。对以相对脆性的材料(如石英或陶瓷)所制成的钟罩102而言，这样的布置可被配置成避免压缩(或仅轻微挤压)在钟罩102上的外部凸缘，以避免使钟罩102的外部凸缘可能受到过度应力而使得钟罩102可能破裂和损坏。这样的夹持布置可用于将钟罩102大致维持在适当位置，因此当钟罩102内的压强(例如，通过使用泵)减少时，确保在钟罩102上由大气/周遭空气给予的外部压强将使得钟罩102压在主O形环108上，从而整体上将钟罩102内的容积密封。

板110可用作对蒸气储蓄器100的内部容积的入口和出口的主要接口，且可具有暴露于该储存容积的内部的第一侧112，以及与第一侧相反的第二侧，该第二侧与蒸气输送线路121连接。该板还具有连接特征115(例如，螺柱或用于螺纹扣件的通孔)，其可被用于使板110与钟罩盖138连接，但是也可以使用其他扣接系统(例如，卡口式安装座、螺纹轴环等等)以将钟罩盖138与板110连接。主O形环108可装入板110的主O形环沟槽，但是在一些实现方案中，该主O形环沟槽可替代地或额外地定位在钟罩102的与主O形环108相配合的面中。

可提供蒸气输送线路121以从蒸气储蓄器100的内部容积(例如经由喷头或位于半导体处理工具的每一站的其他气体分配站)输送处理气体至每一站(未显示)。蒸气输送线路121可使用例如板110的流体密封接口118以与蒸气储蓄器100流体连接。流体密封接口118中的每一者通常可以包含：在板110中的通孔，该通孔从板110的第一侧112延伸至板110的第二侧，气体可经由该通孔往来于该蒸气储蓄器容积传递；以及用于将蒸气输送线路121安装至板110的特征，例如，从板110的第二侧突出的螺柱或在板110的第二侧中用于接受螺丝或螺栓的螺纹盲孔。流体密封接口118可被设计以与密封部件(如O形环)对接。在一些实现方案中，用于容纳该密封部件的额外特征可以被包含在该流体密封接口中，例如，可在板110的第二侧上的流体密封接口118的通孔周围提供用于接受O形环的环形沟槽，但是这样的特征可以额外地或替代地被包含在例如蒸气输送线路121或相似部件的一个或多个凸缘板中。在一些实现方案中，附加于底部，或替代底部，该流体密封接口可定位在该蒸气储蓄器的顶部、或侧部上。在这样的实现方案中，该通孔可以定位在该蒸气储蓄器的顶部或侧部。

在一些实现方案中，可以对蒸气储蓄容积103进行监控的蒸气浓度传感器154以(例如)对在蒸气储蓄容积103内的气体取样。蒸气浓度传感器154可被用于确定在蒸气储蓄容积103内的处理气体的压强、相对浓度、或温度。该信息可接着被控制器用于调整该蒸气储蓄器的操作参数。该蒸气浓度传感器可通过与蒸气输送线路121相同的方式使用流体密封接口与蒸气储蓄容积103流体连接。

在一些实现方案中，还可以具有转向线路(未显示)，其可用于在不将气体分配至每一站的情况下，使气体流动经过蒸气储蓄容积103。转向线路可通过与蒸气输送线路121相同的方式使用流体密封接口与蒸气储蓄容积103流体连接。该转向线路还可用于将泵连接至该蒸气储蓄容积。

在一些实现方案中，一个或多个加热元件139(例如，电阻加热垫或毯)可被定位在钟罩盖138上或周围。这些加热元件可被用于将蒸气储蓄器100维持在恒温，该恒温在一些实现方案中于操作期间可在130℃至200℃之间变化。在一些实现方案中，可以没有钟罩盖，例如在钟罩102是以不锈钢或其他不易发生脆性破坏的材料所制成的情况下，而在如此的实现方案中，如果希望的话，这些加热元件可直接放置在钟罩本身上。在一些实现方案中，该加热元件或额外的加热元件可被放置靠近于板110的第二侧。

在一些实现方案中，该蒸气储蓄器可以包含一个或多个热电偶148，该热电偶148可以与该板和/或该钟罩接触。例如，热电偶148a可经由在该钟罩盖中的一传感器端口149与该钟罩接触；热电偶148可以具有弹簧加压的热敏感尖端以允许该热电偶主体被安装在板110和/或钟罩盖138中，从而仍允许热电偶148的尖端压在待监控表面以提供良好热接触。在一些实现方案中，额外的热电偶可以与一个或多个蒸气输送线路121(未显示)连接，例如，额外的热电偶可被配置成与每一蒸气输送线路121的外部表面接触以监控每一该蒸气输送线路的温度。在一些实现方案中，取代热电偶，可以使用不同的温度传感器设备以测量各种部件的温度。

图2以组合、非展开的状态显示图1的蒸气储蓄器100的视图。如可看见的，钟罩盖138和板110将该钟罩和该主O形环(未显示)封装。可以看到来自板110底部的蒸气输送线路121，以及蒸气浓度传感器154。

如图所示，蒸气储蓄器100可以基本上是圆形的。应理解的是，也可使用其他形状及配置的蒸气储蓄器100。

图3A-C根据一些实现方案显示了蒸气储蓄器100的剖面图以及该剖面部分的重点详细视图。图3B显示了如图3A所示的蒸气储蓄器100左侧的剖面部分的详细视图，而图3C是在图3A所示的蒸气储蓄器100的右侧的不同的剖面部分的第二视图。

在图3B中，蒸气储蓄器100的剖面图被显示，其中板110具有第一侧112和第二侧114，其中第一侧112和第二侧114分别以虚线表示。板110的第一侧112可以具有主O形环沟槽116以及至少部分地定位在主O形环沟槽116中的主O形环108。在一些实现方案中，主O形环108可完全在主O形环沟槽116内。主O形环108被定位在板110和钟罩102的密封表面106之间，从而形成蒸气储蓄容积103，该蒸气储蓄容积103至少由板110、主O形环108和钟罩102限定。在一些实现方案中，该主O形环可以具有从环状段径向向内延伸且定位在板110及密封表面106之间的平坦段。这可以有助于减少在主O形环108的环状段上的压强，以及增进该密封件的质量和寿命。在一些实现方案中，主O形环沟槽116可位于板110内，而在其他实现方案中，该主O形环沟槽可位于钟罩102内。在一些实现方案中，该主O形环沟槽可部分地位于板110和钟罩102两者中。

钟罩102还可以具有围绕钟罩102的周边延伸的外部凸缘104。虽然在所示实现方案中，钟罩102具有环形的外部凸缘104，该外部凸缘104形成在整个钟罩102的周缘周围延伸的单凸缘结构，在其他实现方案中，外部凸缘104可以包含围绕钟罩102的外周缘而间隔开的多个凸缘结构。外部凸缘104靠近钟罩盖138的内部凸缘128。在一些实现方案中，此内部和外部凸缘可以被设计为，当钟罩盖138与板110接触时，在这些凸缘之间具有小间隙(例如，约0.010英寸)，以防止将内部凸缘128过度夹持在外部凸缘104上。

钟罩盖138还可以具有接触板110的底面130。钟罩盖138和板110可以使用多种常规方法中的任何一种进行连接；在所示的示例中，板110具有穿过它的圆形阵列的孔洞，且钟罩盖138的底面130具有匹配图案的螺纹盲孔，允许螺丝锁入钟罩盖138以将钟罩盖138夹持至板110。在其他实现方案中，钟罩盖138和板110可以使用其他机制连接。

在一些实现方案中，次要O形环150可以在内部凸缘128和底面130之间沿着钟罩盖138的内部表面定位。在一些实现方案中，次要O形环150可定位在该钟罩的外部凸缘104与钟罩盖138的内部表面之间，如图3B所示。在这样的实现方案中，钟罩盖138可以在内部表面中具有次要O形环沟槽152，其中该次要O形环沟槽152可容纳次要O形环150，使得次要O形环150部分被定位在钟罩盖138的内部表面内。在一些这样的实现方案中，次要O形环150可设定尺寸以使得次要O形环150不在钟罩盖138和钟罩102之间形成气密或液密密封；在这样的实现方案中，次要O形环150可以替代地作为弹性缓冲器，其用于使钟罩102相对于钟罩盖138和板110居中，以及缓冲在钟罩102和钟罩盖138之间的潜在的冲击。在一些实现方案中，次要O形环沟槽152可定位在钟罩102的最外表面，而非钟罩盖138中。

如先前所讨论的，在一些实现方案中，可能根本没有钟罩盖138。例如，虽然在图1所示实现方案中包含钟罩盖138，该钟罩盖138包含夹持结构呈该钟罩盖138中的内部凸缘128形式，但其他实现方案可能省略钟罩盖138，而可能利用延伸在钟罩102周围的夹持环(类似于部分的钟罩盖138，包含所示的该夹持结构但没有钟罩盖138的圆柱壁及圆顶)替代。在这样的实现方案中，O形环可被放置在内部凸缘128的底面和外部凸缘104的上表面之间，以避免将内部凸缘128直接夹持在外部凸缘104上，且还至少提供部分气密的密封。在其他实现方案中，被用于将钟罩102维持在适当位置的该一个或多个夹持结构可以从钟罩盖138分离，例如，可以在外部凸缘104的周边周围使用多个线夹将钟罩102夹持在板110上的适当位置，而钟罩盖138接着被固定在板110上以覆盖钟罩102与线夹夹持结构。

无论是否有钟罩盖，在此所讨论的该蒸气储蓄器的实现方案可包含至少部分以主O形环108、主O形环沟槽116、以及第一侧112所限定的周边充气部容积132。周边充气部容积132基本上可以是密闭容积，其可以以气体(例如惰性气体)加压以置换任何环境大气空气，否则该空气可能会潜在地与该主O形环接触并且因此具有穿过该主O形环108被吸入蒸气储蓄容积103中的风险。在一些实现方案中，周边充气部容积可额外地通过钟罩盖138的内部表面(例如在底面130与内部凸缘128两者之间的钟罩盖138的内部表面)限定。在一些实现方案中，周边充气部容积可通过该一个或多个夹持结构的内部凸缘128额外地进行限定。

在此所讨论的该蒸气储蓄器还可以包含可能位于板110中的清扫廊道沟槽134。在一些实现方案中，可能有在该板的周边周围延伸的单清扫廊道沟槽。在一些实现方案中，可能有非连续且部分地在该板的周边周围延伸的一个或多个清扫廊道沟槽。在一些实现方案中，清扫廊道沟槽134可能仅在板110的第一侧112，而在其他实现方案中，该清扫廊道沟槽可能位于钟罩盖138的底面130(或夹持结构，如果没有钟罩盖的话)与板110的第一侧112中的一者或两者中。

在一些实现方案中，一个或多个清扫气体馈送入口136可被包含在板110的第二侧114中；这样的清扫气体馈送入口中的每一者可以与清扫廊道沟槽134连接。该清扫气体馈送入口可能可连接至清扫气体供给源且被配置成允许清扫气体流动进入清扫廊道沟槽134。在一些实现方案中，可存在与该一个或多个清扫廊道沟槽连接的多个清扫气体馈送入口。清扫廊道沟槽可以允许清扫气体(或相对于蒸气储蓄器100内所包含的处理气体而言，是功能上惰性或非活性的其他气体)分配至环绕主O形环108的位置。

图3C是在图3A所示的蒸气储蓄器100的不同剖面部分的第二视图。图3C显示了清扫廊道沟槽134，其在所示的实现方案中是与图3B所示的清扫廊道沟槽134相同而呈环型沟槽，但在一些实现方案中，可以是不同的清扫廊道沟槽，例如，如果使用两个C形清扫廊道沟槽，每一者通过相对应的清扫气体馈送入口136提供清扫气体。在一些实现方案中，周边充气部容积132和清扫廊道沟槽134(在此可能也简单地称为“清扫廊道”)可能普遍是单一整合的容积(cohesive volume)，例如，周边充气部容积132和清扫廊道沟槽134可以在钟罩102的大部分或全部周缘的周围彼此流体连接。

然而在其他实现方案中，如图3C所示，周边充气部容积132和清扫廊道沟槽134可有意地仅沿钟罩102的周缘在分散的位置流体连接。举例而言，多个清扫气体端口142可以在钟罩102周缘周围相间隔的位置上提供；这样的清扫气体端口142中的每一者可以按一定尺寸制作以具有比清扫廊道沟槽134的截面积小得多(例如，小一个数量级或更小)的截面积(这样的截面积取在与气体流动经过清扫气体端口142或清扫廊道沟槽134的总体行进方向垂直的平面上)且可具有开通进入清扫廊道沟槽134的第一端，以及与第一端反向、开通进入周边充气部容积132的第二端，以在清扫廊道沟槽内产生背压，使得清扫气体经由所有的清扫气体端口均匀地分配。在这样的实现方案中，清扫廊道沟槽134可定位在钟罩盖138的内边缘外，使得钟罩盖138的底面覆盖清扫廊道沟槽134，且清扫气体端口142被定位在钟罩盖138中。

清扫廊道沟槽134可以与清扫气体入口124流体连接，清扫气体入口124可被用于提供对可流动经过蒸气储蓄器100的处理气体为惰性或非活性的清扫气体(或者，如果清扫气体经由主O形环108或其他密封件少量地被吸入该储蓄器容积和/或蒸气输送线路121，不会以其他方式对半导体处理操作造成负面影响的清扫气体)。清扫气体可流动进入清扫廊道沟槽134并且接着分配至(例如，经由清扫气体端口142)周边充气部容积132中，其中该清扫气体可围绕主O形环108的外部表面且替换任何可能占据周边充气部容积的大气或环境空气。因此，如果有经由主O形环108进入蒸气储蓄容积103的渗漏，被吸入蒸气储蓄容积103中的气体将是清扫气体而非环境空气，从而保护半导体处理操作免于污染或其他不利影响。可调节进入清扫廊道沟槽134的清扫气体的流量，以使清扫廊道沟槽内的清扫气体的压强维持在规定范围内，例如高于大气压约50torr与约250torr之间：这样的调节可主动地实施，例如使用压强传感器和阀以控制清扫气体流动至清扫廊道沟槽134，或可被动地实施，例如，通过确定来自蒸气储蓄器100的清扫气体的平均渗漏率，接着调整清扫气体的流量以应对该渗漏率。举例而言，清扫气体可经由为热电偶提供的端口(其可能普遍插着热电偶，但可能为非气密接口)，或经由钟罩盖138与板110之间的接口(其可能是金属与金属的接触接口，虽然紧密接合，但可能未装配真正的密封件而可能因此出现气体渗漏)，从钟罩盖138渗漏而出。

除了上述经由周边充气部容积132对板110的第一侧112上的主O形环108提供清扫气体的特征外，蒸气储蓄器100还可以包含用于还使清扫气体分配至位于板110的第二侧114上的元件或特征的额外特征。举例而言，每一流体密封接口118可提供额外的潜在渗漏路径，以让大气空气进入来自蒸气储蓄器100的处理气体流，例如通过流动进入蒸气输送线路121中(其中，取决于流动条件，渗漏气体可接着回流进入蒸气储蓄容积103中或进入通过蒸气输送线路121被提供处理气体的半导体处理室中)。

为了减轻该潜在渗漏的影响，如在此所述的蒸气储蓄器可以在板110中具有额外特征以促进每一流体密封接口118的局部清扫。举例而言，该一个或多个清扫廊道沟槽可以与每一流体密封接口118通过对应的清扫气体通道123而流体连接，清扫气体通道123中的每一者可具有打开通向界面O形环沟槽160的清扫气体出口122，该界面O形环沟槽160用于可将流体密封界面118密封的界面O形环158；清扫气体通道123还可以具有相对应的清扫气体入口124，该清扫气体入口124打开通向清扫廊道沟槽134以允许清扫廊道沟槽134，以便还对流体密封接口118的接口O形环沟槽160也利用清扫气体加压，从而替换任何可能相邻于接口O形环158密封件的大气空气，且防止这样的大气空气免于潜在地被吸入通过接口O形环158密封而进入处理气体流。清扫气体通道123被显示为在板110中。在所示的实现方案中，清扫气体通道123通过从板110的周边径向向内钻出的孔洞所提供，接着以例如固定螺丝(如图所示)插入该孔洞；相对应的清扫气体入口和清扫气体出口接着从相反侧钻入板110，以与清扫气体通道123相交。

在一些实现方案中，清扫气体通道123可由从第一侧112径向向内钻出、并与第一测112成角度的孔洞所提供，该清扫气体通道123与清扫廊道沟槽134以及清扫气体出口122相交。因为清扫气体通道直接连接至清扫廊道沟槽134，在这样的实现方案中没有清扫气体入口124。在一些实现方案中，清扫气体通道123也可部分地位于钟罩盖138中。

在一些实现方案中，蒸气输送线路121(或其他可与板110连接的气体流部件，例如处理气体入口)可以包含连接至板110的第二侧114的凸缘板156，且界面O形环沟槽160可位于凸缘板156中。在其他实现方案中，该界面O形环沟槽可位于板110的第二侧114，或部分地位于凸缘板156和第二侧114两者中。无论界面O形环沟槽160位于哪一或哪些部分中，相对应的流体密封界面118的清扫气体出口122可被定位，使得从清扫气体出口122进入界面O形环沟槽160的清扫气体通常自由流动，例如，当沿着垂直于板110的第二侧114的方向观看时，使得清扫气体出口122与界面O形环沟槽160重叠。

流体密封界面118中的每一者还包含延伸通过板110的端口120；该端口120是在主O形环108的周边内，使得端口120与蒸气储蓄容积103流体连接。因此，每一流体密封界面118可以包含至少一个相对应的端口120、清扫气体出口122、以及一个或多个安装特征(例如螺柱、螺纹孔等等)，以允许将流体流动部件(例如蒸气输送线路121)安装至流体密封界面。如以上所讨论的，流体密封界面118还可以包含界面O形环沟槽160(假设界面O形环沟槽160被加工至板110而非例如凸缘板156或相似物)。在一些实现方案中，流体密封界面118还可以包含，例如，凸缘板156、界面O形环沟槽160以及界面O形环158。在所描绘的实现方案中，存在六个流体密封界面118——四者用于经由蒸气输送线路121提供处理气体至半导体处理室、一者用于提供处理气体至蒸气储蓄器100、以及一者用于允许监控对蒸气储蓄容积103的访问，例如，允许蒸气浓度传感器对蒸气储蓄容积103内的气体进行取样。应理解，可提供任何数量的流体密封界面118。

图4是蒸气储蓄器100的另一剖面图。如可看见的，板110和钟罩102限定蒸气储蓄容积103。钟罩盖138的内部表面、钟罩102的外部表面和板110可以部分地限定周边充气部容积132。周边充气部容积可延伸超出钟罩102，从而包覆钟罩102。蒸气输送线路121经由流体密封界面118连接至蒸气储蓄器100以输送处理气体至半导体处理站(未显示)。蒸气浓度传感器154可感测蒸气储蓄器中处理气体的各种不同性质。热电偶148与板110连接，且可被用于监控板110的温度。

图5是不具有钟罩盖的蒸气储蓄器500的剖面图。蒸气储蓄器500具有板510和钟罩502，它们一起可以部分地限定蒸气储蓄容积503。还存在被夹在板510和钟罩502之间且被容纳在主O形环沟槽内的主O形环。蒸气输送线路521和蒸气浓度传感器554可以与蒸气储蓄容积503经由流体密封界面518而流体连接。

在所示的实现方案中，蒸气储蓄器500并不具有带有内部凸缘的钟罩盖，而是具有夹持结构532。可以以夹持结构取代该钟罩盖以减少材料成本或为了其他理由。如果该钟罩不是由脆性材料(有着较高的概率在操作期间破裂)制成，则该方式可能特别有用。

在一些实现方案中，夹持结构532可以具有靠近于板510的第一侧512的第一表面，以及靠近于钟罩502的外部凸缘的第二表面。该第一表面可以与板510以相同于钟罩盖的方式对接。在一些实现方案中，该第二表面可靠近于钟罩502的外部凸缘并且有足够的距离以防止在该外部凸缘上的应力。

在其他实现方案中，存在次要O形环沟槽552，该次要O形环沟槽552部分地位于夹持结构532的第二表面和钟罩502的外部凸缘中的一者或两者，而次要O形环550至少部分地位于次要O形环沟槽552中。当夹持结构532与板510连接时，夹持结构532的第二表面可以以相似于主O形环在钟罩502与板510之间产生密封的方式将次要O形环550抵靠钟罩502的外部凸缘而密封。该密封可以产生周边充气部容积538，该周边充气部容积538是以第一侧512、该主O形环、该主O形环沟槽、在该第一表面与该第二表面之间的该夹持结构的第三表面、以及钟罩502的外部凸缘的一部分所限定。流动进入该周边充气部容积的惰性或清扫气体将通过次要O形环550而非钟罩盖的内部表面进行密封。

如可看见的，且在不提供特定标注的情况下，在一些实现方案中，蒸气储蓄器500可以具有由清扫气体入口、清扫气体通道、及清扫气体出口所提供的清扫廊道沟槽和流体密封界面。在一些实现方案中，还存在定位在钟罩502与夹持结构532之间的O形环，以提供缓冲效应且如上述将夹持结构居中于钟罩502上。这可能伴随将夹持结构抵靠外部凸缘而密封的次要O形环550。

在一些实现方案中，该板和该钟罩可以以抗腐蚀材料制成，但它们不需要以相同材料制成。该板和该钟罩部分地限定该蒸气储蓄容积，且因此暴露于可能是腐蚀性的处理气体。该蒸气储蓄容积的内部表面腐蚀可导致在处理气体中的污染，以及因此在暴露于处理气体的半导体晶片中导致缺陷。

在一些实现方案中，该板和该钟罩可以以对处理气体是非活性的一种或多种材料制成，该材料包含：氯化前体、氯氧化物、氟化前体或者氟氧化物。如在此所使用的，非活性材料可以是与流动经过该蒸气储蓄器的处理气体为完全非活性的或实质上非活性的，使得来自处理气体与非活性材料的反应的微粒不会在所处理半导体晶片中造成缺陷。可以与氯化前体、氯氧化物、氟化前体、或氟氧化物一起使用的非活性材料可以包含：石英(SiO₂)，有蓝宝石(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化铝(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化钇(Y₂O₃)涂层的石英，有钇稳定氧化锆(ZrO₂)涂层的石英，有氧化铝/氧化钇层压涂层的石英，有石英涂层的硼硅酸盐玻璃，有蓝宝石涂层的硼硅酸盐玻璃，有氧化铝涂层的铝合金(如6061、7075、或3003)，有硬质阳极处理(Al₂O₃)涂层的铝合金(如6061、7075、或3003)，具有无电解高磷镍镀覆(NiP)的铝合金(如6061、7075、或3003)，具有聚合物聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、或聚对二甲苯涂层的铝合金(如6061、7075、或3003)，具有无电解高磷镍镀覆(NiP)的不锈钢合金(如316或304)，具有聚合物、PTFE、PFA、或聚对二甲苯涂层的不锈钢合金(如316或304)，抗腐蚀Ni-合金，哈氏合金C-22，哈氏合金C-276，哈氏合金B-2，或英高镍合金718。如以上讨论的，在一些实施方案中，该板可以是以与陶瓷材料相比普遍较容易加工的金属合金材料所制成的。

在一些实现方案中，处理气体可以包含溴化前体、溴氧化物、碘化前体、和/或碘氧化物。在这样的实现方案中，以上列出的非活性材料可能与这样的化合物一同使用。

图6描绘了结合蒸气储蓄器的半导体处理工具的高阶示意图。图6的该半导体处理工具是多站ALD型工具，虽然在此讨论的该蒸气储蓄器可以使用在其他类型的工具中，例如包含：PECVD、CVD、或蚀刻工具。在图6中，显示了两个半导体处理室670(在本文中也可以被称为“反应器”、“反应室”、或“处理室”)——每一处理室670可以包含基座671，该基座671在半导体处理操作期间支撑半导体晶片673。基座671可能可以在多个垂直高度之间移动以有助于于半导体晶片673的加载/卸除或处理；在最右处理室670中的基座671处于下降位置，其中在最左处理室670中的基座671处于上升位置。

每一处理室670可以包含室盖639，室盖639可以包含在半导体晶片673上分配处理气体的多个气体分配通道。在该示例中，每一室盖639包含两组分离的气体分配通道，每一组用于分配一种不同的前体气体。这防止前体与其他前体的残留物混和，这样的混和在两种前体流动经过相同的通道将发生——这样的混合可能导致化学反应在半导体晶片673以外的其他位置发生，这可能是不理想的。在一些实现方案中，该气体分配通道可以位于与室盖639分离的结构中，例如，喷头型气体分配器；应理解，在此所述的概念可以与任一类型的室盖639或气体分配器一起使用。

在如ALD或ALE处理工具的系统中，“微容积”672可以在半导体处理操作期间形成在该处理室内。当基座671处于晶片处理所要求的位置中，微容积672形成在基座671与室盖639/气体分配器之间；室盖639或气体分配器可能也具有环形壁，该环形壁向下延伸在基座671的外周缘周围，从而对该微容积限定周向边界。该微容积的容积与处理室670的整体容积相比小得多，因此允许使用较小量的前体——这允许较快的剂量输送、较快的清扫、较少的反应物浪费、以及各种不同的其他好处。微容积672可被认为是气体在整个半导体晶片673上分配时所经过的表面与基座671之间的连续容积，且可终止于超出半导体晶片673被支撑处以外的第一主要流体限制件(其中，该第一主要流体限制件涉及足够大的流体限制，以防止在正常半导体处理操作期间处理气体回流进入微容积中)。处理气体可经由可以与真空泵(未显示)流体连接的真空前级管路640从处理室670进行排放。

可以对每一室盖639供给含有来自蒸气储蓄容积603的蒸气的第一处理气体，该蒸气储蓄容积603是通过如本文所讨论的蒸气储蓄器(未显示)所提供。第一处理气体可以从蒸气储蓄容积603经过对应的蒸气输送线路621供给至每一处理室670。经过每一蒸气输送线路621的该第一处理气体的流量可通过对应的第一处理气体剂量阀674(或控制阀组件)进行控制，该第一处理气体剂量阀674还可以包含流量限制器，使得经过蒸气输送线路621的流体流量被限制为完全阻流或声速跨过该限制器。替代地，该流量限制器可位于蒸气输送线路621的其他位置上。

该蒸气储蓄容积可以具有充分大的容积而足以在不影响该蒸气储蓄器对其他处理室提供单剂量的能力的情况下，允许对每一处理室提供单剂量的蒸气。在一些实现方案中，蒸气储蓄容积可能被界定的容积满足关系：

其中，n＝被该蒸气储蓄器服务的半导体处理室的数量；P_c＝在原子层沉积操作期间在这些半导体处理室的微容积中的平均压强；V_m＝每一半导体处理室的微容积的容积(假设所有半导体处理室是相似设计)；q＝单剂量期间，输送至处理室微容积的蒸气的相当微容积数量；以及P_P＝在对半导体处理室进行脉冲输送的期间在该蒸气储蓄器内的峰值压强。这些参数中的许多可以根据该蒸气储蓄器将支持的半导体制造处理的特定情形而改变，且蒸气储蓄器可能因此根据这些参数而在尺寸上改变。

还可以从第二处理气体源689对这些室盖中的每一者供给第二处理气体，例如氢，以及其他气体，例如化学惰性清扫气体(未显示，虽然可使用相似于被用于该第二处理气体的系统输送)。进入每一室盖639的第二处理气体的流量可以以对应的第二处理气体剂量阀675进行控制。

如可看见的，蒸气储蓄容积603可以与传感器654流体连接。传感器654可测量在蒸气储蓄容积603中的蒸气浓度，且从而允许在蒸气储蓄容积603中的蒸气浓度的确定。

在一些实现方案中，该蒸气储蓄容积可以与连接储蓄清扫气体源688的清扫气体馈送入口636呈流体连接。经过清扫气体馈送入口636的清扫气体的流量可通过例如储蓄清扫气体阀690或其他合适的控制装置进行控制。如果希望的话，可添加清扫气体以填充至少部分围绕蒸气储蓄容积603的周边充气部容积(未显示，但见于先前的讨论和图)。

蒸气储蓄容积603可以经由蒸气入口656用从一或多汽化器676(如汽化器676a/b/c/d)供给的蒸气连续补充。这些汽化器676a/b/c/d中的每一者可以包含可含有反应物687的安瓿677；来自载体气体源679的载体气体可经由相对应的载体气体流控制器680选择性地提供给每一安瓿677，该载体气体流控制器可控制载体气体是否被提供至相对应的安瓿677，以及如果提供的话要以多少流量提供。当载体气体流动经过这些安瓿(其可被维持在特定压强和温度)中的一者，该反应物687可蒸发进入载体气体且被携带出该安瓿而朝向流量限制器682。在到达该流量限制器682之前，反应物蒸气和载体气体混和物可以由安瓿稀释气体源683提供的额外载体气体进行以扩充；每一安瓿677的额外载体气体流可以通过相对应的安瓿稀释气体流控制器691进行调节。该载体气体以及蒸汽的混流可接着经过该流量限制器682，该流量限制器682可将尺寸设定成在涉及半导体处理操作的正常操作条件下在载体气体/蒸气流中诱导声速流动。这样的声速流动可作为缓冲器以使安瓿677中的压强环境免受该蒸气储蓄器中的压强变动的影响，该缓冲器不受该压强波动影响，即便是相对微小的压强变动(例如在1到5torr的数量级)也如此。应理解，其他类型的汽化器也可与该蒸气储蓄器一起使用——该蒸气储蓄器所提供的功能性不取决于所使用的汽化器的类型。还可以使用具有较少安瓿稀释气体流控制器691的其他架构，例如，可以使用安瓿稀释气体流控制器691以控制稀释气体至多个安瓿677的流量。

在一些实现方案中，可提供控制器691。该控制器691可以是系统的一部分(可包含上述示例)，且可与各种不同的阀、质量流控制器、泵等等操作性地连接，以便能够接收来自这样的设备的信息和/或控制这样的设备。这样的系统可以包含半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括各种气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、流率设置、流体输送设置、以及位置和操作设置。

概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实现方案中，操作参数可以是由处理工程师定义的配方的一部分，以在一个或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的处理。

示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。

如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

应理解，在本文中所使用的短语“一个或多个连接的＜零件＞”不仅包含具有多个＜零件＞的示例，还包含具有单一＜零件＞的示例(且因此技术上没有其他＜零件＞会被视为与该单一＜零件＞连接)。换言之，短语“一个或多个连接的＜零件＞”的应被理解为意指“单一＜零件＞或两个以上的连接的＜零件＞”。相似地，如果在本文中使用短语“对一或多＜零件＞的每一＜零件＞”或“每一＜零件＞的”，应被理解为包含单一零件群组和多个零件群组两者，即该短语“对......每一者(for…each)”是以其在程序语言中指代所涉及的无论什么零件群体中的每一零件的意义而使用。例如，如果所涉及的零件的数量是单一零件，则“每一”将涉及仅仅该单一零件(尽管事实上字典对“每一”的定义时常将该词定义为涉及“两个以上事物中的全部”)且将不意指这些零件必须具有至少两个。

在本文所使用的短语“流体连接”描述两个容积或部件，其连接使得流体可在它们之间流动，其意义非常相同于“电性连接”，其可以被用于描述两部件连接在一起使得电流可以从一者流动至另一者。

虽然前述实现方案已为清晰理解的目的以一些细节进行描述，但显而易见的是，特定改变及修饰可在所附权利要求的范围内实施。应注意，目前实现方案的处理、系统和装置具有许多替代的实现方式。因此，本文的这些实现方案应被视为示例性性且非限制性，且这些实现方案不应限制在本文所给定的细节。

上述各种实现方案可至少通过附随的实施方案提供。虽然该实施方案清单被认为是在本公开的范围内，但应理解，根据以上讨论而显而易见，却未在下文明确列出的额外实施方案也在本公开的范围内；以下的实施方案清单不应被认为是排他性的实施方案清单。

实施方案1：一种装置，其包含：钟罩，其具有底部开口和布置在所述底部开口周围且从所述底部开口处径向向外延伸的一个或多个凸缘结构；板，其中：所述板具有第一侧、以及与所述第一侧相反的第二侧，所述钟罩定位成使所述底部开口与所述第一侧相邻，以及所述板包含一个或多个流体密封界面，每一流体密封界面包含：至少一个清扫气体出口，其位于所述板的第二侧上，且通过位于所述板内的对应的清扫气体通道，与位于所述板的所述第一侧的对应的清扫气体入口呈流体连接；一个或多个夹持结构，其具有靠近于所述板的所述第一侧的底面、以及从所述处径向向内延伸且靠近所述一个或多个凸缘结构的内部凸缘；周边充气部容积，其至少部分由以下项限定：所述板的所述第一侧的一部分，所述一个或多个夹持结构中的每一者的一部分，以及所述一个或多个凸缘结构中的每一者的至少一部分；以及一个或多个清扫廊道沟槽，其位于选自由以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板及所述一个或多个夹持结构；所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积以及在所述装置内的每一清扫气体入口呈流体连接。

实施方案2：一种装置，其包含：钟罩，其具有底部开口、布置在所述底部开口周围且从所述底部开口处径向向外延伸的一个或多个凸缘结构、以及密封表面；主O形环；板，其中：所述板具有第一侧、以及与所述第一侧相反的第二侧，所述钟罩定位成使所述密封表面与所述第一侧相邻，主O形环沟槽定位在选自以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板的第一侧和所述钟罩的密封表面，所述主O形环至少部分地定位在所述主O形环沟槽内且夹在所述钟罩的密封表面和所述板的第一侧之间，所述板包含一个或多个流体密封界面，每一流体密封界面包含：i)端口，其位于所述主O形环的内部周边内且从所述第一侧延伸穿过所述板到达所述第二侧；以及ii)至少一个清扫气体出口，其位于所述板的第二侧上，且通过位于所述板内的对应的清扫气体通道而与位于所述板的所述第一侧的对应的清扫气体入口呈流体连接；一个或多个夹持结构，其具有靠近于所述板的所述第一侧的底面、以及从所述底面径向向内延伸且靠近所述一个或多个凸缘结构的内部凸缘；周边充气部容积，其至少部分由以下项限定：所述主O形环、所述主O形环沟槽的一部分、所述板的第一侧的一部分、所述密封表面的一部分、以及所述一个或多个凸缘结构中的每一者的至少一部分，其介于所述一个或多个夹持结构的所述内部凸缘与所述密封表面之间；一个或多个清扫廊道沟槽：a)位于选自由以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板和所述一个或多个夹持结构；以及b)布置在所述主O形环沟槽周围，所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积以及在所述装置内的每一清扫气体入口呈流体连接；以及清扫气体馈送入口，其与所述一个或多个清扫廊道沟槽呈流体连接。

实施方案3：根据实施方案1或实施方案2所述的装置，其还包含：钟罩盖，其具有底部开口和底面，其中：所述钟罩盖的所述底面靠近于所述第一板的第一侧，所述钟罩被容纳在至少部分由所述板的第一侧和所述钟罩盖的内部表面所限定的容积内，以及所述周边充气部容积至少部分由所述钟罩盖的内部表面和所述钟罩的外部表面额外限定。

实施方案4：根据实施方案1至3中任一项所述的装置，其中所述一个或多个夹持结构是所述钟罩盖的部分，其中：所述一个或多个夹持结构的底面是所述钟罩盖的底面，以及所述一个或多个夹持结构的内部凸缘是所述钟罩盖的内部凸缘。

实施方案5：根据实施方案1至4中任一项所述的装置，其中：所述钟罩盖的底面的内边缘靠近于所述板的所述第一侧，所述一个或多个清扫廊道沟槽定位在所述内边缘外，以及所述钟罩盖具有多个清扫气体端口，将所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积连接。

实施方案6：根据实施方案5所述的装置，其中所述多个清扫气体端口在与所述清扫廊道沟槽所遵循的路径相垂直的平面中，具有比所述清扫廊道沟槽的截面积的约10％更小的截面积。

实施方案7：根据实施方案3至6中任一项所述的装置，其中所述一个或多个夹持结构是由在所述钟罩盖的所述底部开口的周边周围延伸的内部凸缘提供。

实施方案8：根据实施方案1至7中任一项所述的装置，其进一步包含靠近于所述板的第二侧的一个或多个加热元件。

实施方案9：根据实施方案1至8中任一项所述的装置，其还包括：一个或多个温度传感器设备，每个温度传感器设备与选自以下项所组成的群组的零件接触：所述钟罩、所述板和所述一个或多个流体密封界面中的一者。

实施方案10：根据实施方案1至9中任一项所述的装置，其中该一个或多个凸缘结构是单凸缘结构。

实施方案11：根据实施方案1至10中任一项所述的装置，其中该一个或多个夹持结构是单夹持结构。

实施方案12：根据实施方案11所述的装置，其中：所述一个或多个凸缘结构是单凸缘结构，以及所述装置进一步包含：次要O形环；次要O形环沟槽，其位于选自由以下项所组成的群组的一个或多个零件中：所述单凸缘结构和所述单夹持结构，其中所述次要O形环至少部分地定位在所述次要O形环沟槽内且径向插入在所述单凸缘结构和所述单夹持结构的第二表面之间。

实施方案13：根据实施方案1至12中任一项所述的装置，具有六个流体密封界面。

实施方案14：根据实施方案2至13中任一项所述的装置，其中所述主O形环沟槽定位在该板中。

实施方案15：根据实施方案1至14中任一项所述的装置，其中每一流体密封界面包含凸缘板、界面O形环，以及界面O形环沟槽，位于选自由该凸缘板和该板的第二侧组成的群组的一个或多个零件中。

实施方案16：根据实施方案1至15中任一项所述的装置，其进一步包含蒸气储蓄容积，所述蒸气储蓄容积至少部分地由以下项所限定：所述钟罩的内部表面，所述主O形环，以及所述板的所述第一侧。

实施方案17：根据实施方案1至16中任一项所述的装置，其进一步包含：泵，其与所述钟罩呈流体连接，控制器，其包含一个或多个处理器以及一个或多个存储器设备，其中：所述一个或多个处理器、所述一个或多个存储器设备和所述泵彼此能操作地连接，且所述一个或多个存储器设备储存计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于控制所述一个或多个处理器以使得所述泵将所述钟罩中的绝对压强减少至小于10torr至200torr的程度。

实施方案18：根据实施方案1至17中任一项所述的装置，其中所述清扫气体馈送入口与包含惰性气体的气体供给源连接。

实施方案19：根据实施方案18所述的装置，其中所述惰性气体包含氩、氦、氮和氖中的一或多者。

实施方案20：根据实施方案1至19中任一项所述的装置，其进一步包含次要O形环，其至少部分定位在所述一或多凸缘结构与所述一或多夹持结构之间。

实施方案21：根据实施方案1至20中任一项所述的装置，其中所述主O形环包含平坦的环形段，所述平坦的环形段从环状段径向向内延伸。

实施方案22：根据实施方案1至3或7至21中任一项所述的装置，其进一步包含多个清扫气体端口，其将所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积连接，其中所述多个清扫气体端口中的每一者在与所述清扫廊道沟槽所遵循的路径垂直的平面中具有比所述清扫廊道沟槽的截面积的约10％更小的截面积。

实施方案23：根据实施方案1至22中任一项所述的装置，其中所述一个或多个清扫廊道沟槽是由单清扫廊道沟槽所提供。

实施方案24：根据实施方案23所述的装置，其中所述单清扫廊道沟槽在主O形环沟槽周围形成完整的环路。

实施方案25：根据实施方案1至24中任一项所述的装置，其中所述一个或多个流体密封界面中的一或多者与气体供给源连接。

实施方案26：根据实施方案1至25中任一项所述的装置，其中所述一个或多个流体密封界面中的一或多者是用于分配气体的出口界面。

实施方案27：根据实施方案1至26中任一项所述的装置，其中所述钟罩对含氯化合物是非活性的。

实施方案28：根据实施方案1至27中任一项所述的装置，其中所述钟罩对含氟化合物是非活性的。

实施方案29：根据实施方案1至28中任一项所述的装置，其中所述板对含氯化合物是非活性的。

实施方案30：根据实施方案1至29中任一项所述的装置，其中所述板对含氟化合物是非活性的。

实施方案31：根据实施方案1至30中任一项所述的装置，其中所述钟罩包含一或多种材料，所述材料选自由以下所组成的群组：石英(SiO₂)，有蓝宝石(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化铝(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化钇(Y₂O₃)涂层的石英，有钇稳定的氧化锆(ZrO₂)涂层的石英，有氧化铝/氧化钇层压涂层的石英，有石英涂层的硼硅酸盐玻璃，有蓝宝石涂层的硼硅酸盐玻璃，铝合金，有氧化铝涂层的铝6061，有氧化铝涂层的铝7075，或有氧化铝涂层的铝3003，有硬质阳极处理(Al₂O₃)涂层的铝合金，有硬质阳极处理涂层的铝6061，有硬质阳极处理涂层的铝7075，或有硬质阳极处理涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆(NiP)的铝合金，具有无电解高磷镍镀覆的铝6061，具有无电解高磷镍镀覆的铝7075、或具有无电解高磷镍镀覆的铝3003，具有聚合物聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、或聚对二甲苯涂层的铝合金，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝6061，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝7075，或具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢合金，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢316，或具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢304，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢合金，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢316，或具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢304，抗腐蚀Ni-合金，哈氏合金C-22，哈氏合金C-276，哈氏合金B-2，以及Inconel718。

实施方案32：根据实施方案1至31中任一项所述的装置，其中所述板包含一或多种材料，所述材料选自由以下所组成的群组：铝合金，有氧化铝涂层的铝6061，有氧化铝涂层的铝7075，或有氧化铝涂层的铝3003，有硬质阳极处理(Al₂O₃)涂层的铝合金，有硬质阳极处理涂层的铝6061，有硬质阳极处理涂层的铝7075，或有硬质阳极处理涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆(NiP)的铝合金，具有无电解高磷镍镀覆的铝6061，具有无电解高磷镍镀覆的铝7075、或具有无电解高磷镍镀覆的铝3003，具有聚合物聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、或聚对二甲苯涂层的铝合金，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝6061，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝7075，或具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢合金，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢316，或具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢304，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢合金，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢316，或具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢304，抗腐蚀Ni-合金，哈氏合金C-22，哈氏合金C-276，哈氏合金B-2，以及Inconel 718。

Claims (22)

1.一种半导体处理装置，其包含：

钟罩，其具有底部开口、布置在所述底部开口周围且从所述底部开口处径向向外延伸的一个或多个凸缘结构、以及密封表面；

主O形环；

板，其中：

所述板具有第一侧、以及与所述第一侧相反的第二侧，

所述钟罩定位成使所述密封表面与所述第一侧相邻，

主O形环沟槽定位在选自以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板的第一侧和所述钟罩的密封表面，

所述主O形环至少部分地定位在所述主O形环沟槽内且夹在所述钟罩的密封表面和所述板的第一侧之间，

所述板包含一个或多个流体密封界面，每一流体密封界面包含：

i)端口，其位于所述主O形环的内部周边内且从所述第一侧延伸穿过所述板到达所述第二侧；以及ii)至少一个清扫气体出口，其位于所述板的第二侧上，且通过位于所述板内的对应的清扫气体通道而与位于所述板的所述第一侧的对应的清扫气体入口呈流体连接；

一个或多个夹持结构，其具有靠近于所述板的所述第一侧的底面、以及从所述底面径向向内延伸且靠近所述一个或多个凸缘结构的内部凸缘；

周边充气部容积，其至少部分由以下项限定：

所述主O形环、

所述主O形环沟槽的一部分、

所述板的第一侧的一部分、

所述密封表面的一部分，以及

所述一个或多个凸缘结构中的每一者的至少一部分，其介于所述一个或多个夹持结构的所述内部凸缘与所述密封表面之间；

一个或多个清扫廊道沟槽：a)位于选自由以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板和所述一个或多个夹持结构；以及b)布置在所述主O形环沟槽周围，所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积以及在所述装置内的每一清扫气体入口呈流体连接；以及

清扫气体馈送入口，其与所述一个或多个清扫廊道沟槽呈流体连接。

2.一种半导体处理装置，其包含：

钟罩，其具有底部开口和布置在所述底部开口周围且从所述底部开口处径向向外延伸的一个或多个凸缘结构；

板，其中：

所述板具有第一侧、以及与所述第一侧相反的第二侧，

所述钟罩定位成使所述底部开口与所述第一侧相邻，以及

所述板包含一个或多个流体密封界面，每一流体密封界面包含：至少一个清扫气体出口，其位于所述板的第二侧上，且通过位于所述板内的对应的清扫气体通道，与位于所述板的所述第一侧的对应的清扫气体入口呈流体连接；

一个或多个夹持结构，其具有靠近于所述板的所述第一侧的底面、以及从所述处径向向内延伸且靠近所述一个或多个凸缘结构的内部凸缘；

周边充气部容积，其至少部分由以下项限定：

所述板的所述第一侧的一部分，

所述一个或多个夹持结构中的每一者的一部分，以及

所述一个或多个凸缘结构中的每一者的至少一部分；以及

一个或多个清扫廊道沟槽，其位于选自由以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板及所述一个或多个夹持结构；其中所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积以及在所述装置内的每一清扫气体入口呈流体连接。

3.根据权利要求2所述的装置，其还包含：

钟罩盖，其具有底部开口和底面，其中：

所述钟罩盖的所述底面靠近于所述板的第一侧，

所述钟罩被容纳在至少部分由所述板的第一侧和所述钟罩盖的内部表面所限定的容积内，以及

所述周边充气部容积至少部分由所述钟罩盖的内部表面和所述钟罩的外部表面额外限定。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述一个或多个夹持结构是所述钟罩盖的部分，其中：

所述一个或多个夹持结构的底面是所述钟罩盖的底面，以及

所述一个或多个夹持结构的内部凸缘是所述钟罩盖的内部凸缘。

5.根据权利要求3所述的装置，其中：

所述钟罩盖的底面的内边缘靠近于所述板的所述第一侧，

所述一个或多个清扫廊道沟槽定位在所述内边缘外，以及

所述钟罩盖具有多个清扫气体端口，将所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积连接。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述多个清扫气体端口在与所述清扫廊道沟槽所遵循的路径相垂直的平面中，具有比所述一个或多个清扫廊道沟槽中的每一者的截面积的约10％更小的截面积。

7.根据权利要求3所述的装置，其中所述一个或多个夹持结构是由在所述钟罩盖的所述底部开口的周边周围延伸的内部凸缘提供。

8.根据权利要求2所述的装置，其进一步包含选自由以下项组成的群组的一个或多个零件：一个或多个温度传感器设备和靠近于所述板的第二侧的一个或多个加热元件，其中每个温度传感器设备与选自以下项所组成的群组的零件接触：所述钟罩、所述板和所述一个或多个流体密封界面中的一者。

9.根据权利要求2所述的装置，其中：

所述一个或多个夹持结构是单夹持结构，所述一个或多个凸缘结构是单凸缘结构，以及

所述装置进一步包含：

次要O形环；以及

次要O形环沟槽，其位于选自由以下项所组成的群组的一个或多个零件中：所述单凸缘结构和所述单夹持结构，其中所述次要O形环至少部分地定位在所述次要O形环沟槽内且径向插入在所述单凸缘结构和所述单夹持结构之间。

10.根据权利要求2所述的装置，其中，具有六个流体密封界面。

11.根据权利要求2所述的装置，其进一步包含位于选自由以下项所组成的群组的一个或多个零件中的主O形环沟槽：所述板的所述第一侧和所述钟罩的底面。

12.根据权利要求11所述的装置，其进一步包含在所述主O形环沟槽内的主O形环，其中所述主O形环包含平坦的环形段，所述平坦的环形段从环状段沿径向向内延伸。

13.根据权利要求12所述的装置，其进一步包含蒸气储蓄容积，所述蒸气储蓄容积至少部分地由以下项所限定：

所述钟罩的内部表面，

所述主O形环，以及

所述板的所述第一侧。

14.根据权利要求13所述的装置，进一步包含：

泵，其与所述蒸气储蓄容积呈流体连接，

控制器，其包含一个或多个处理器以及一个或多个存储器设备，其中：

所述一个或多个处理器、所述一个或多个存储器设备和所述泵彼此能操作地连接，且

所述一个或多个存储器设备储存计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于控制所述一个或多个处理器以使得所述泵将所述蒸气储蓄容积中的绝对压强减少至小于10torr至200torr的程度。

15.根据权利要求2所述的装置，其进一步包含多个清扫气体端口，其将所述一个或多个清扫廊道沟槽与所述周边充气部容积连接，其中所述多个清扫气体端口中的每一者在与所述清扫廊道沟槽所遵循的路径垂直的平面中具有比所述一个或多个清扫廊道沟槽中的每一者的截面积的约10％更小的截面积。

16.根据权利要求2所述的装置，其中所述一个或多个清扫廊道沟槽是由单清扫廊道沟槽所提供。

17.根据权利要求16所述的装置，其中所述单清扫廊道沟槽在主O形环沟槽周围形成完整的环路，其中所述主O形环沟槽定位在选自由以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述板的第一侧和所述钟罩的密封表面。

18.根据权利要求2至17中任一者所述的装置，其中每一流体密封界面包含凸缘板、界面O形环以及界面O形环沟槽，所述界面O形环沟槽定位在选自由以下项组成的群组的一个或多个零件中：所述凸缘板和所述板的第二侧。

19.根据权利要求2至17中任一者所述的装置，其进一步包含清扫气体馈送入口，所述清扫气体馈送入口与所述一个或多个清扫廊道沟槽以及包含惰性气体的气体供给源呈流体连接，其中所述惰性气体包含氩、氦、氮和氖中的一者或多者。

20.根据权利要求2至17中任一者所述的装置，其中所述一个或多个流体密封界面中的一或多者与气体供给源连接。

21.根据权利要求2至17中任一者所述的装置，其中所述一个或多个流体密封界面中的一或多者是用于分配气体的出口界面。

22.根据权利要求2至17中任一者所述的装置，其中所述钟罩、所述板、或所述钟罩和板：a)是以下一或多者：对含氯化合物为非活性以及对含氟化合物为非活性；以及(b)包含选自由以下项所组成的群组的一或多种材料：石英(SiO₂)，有蓝宝石(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化铝(Al₂O₃)涂层的石英，有氧化钇(Y₂O₃)涂层的石英，有钇稳定的氧化锆(ZrO₂)涂层的石英，有氧化铝/氧化钇层压涂层的石英，有石英涂层的硼硅酸盐玻璃，有蓝宝石涂层的硼硅酸盐玻璃，铝合金，有氧化铝涂层的铝6061，有氧化铝涂层的铝7075，或有氧化铝涂层的铝3003，有硬质阳极处理(Al₂O₃)涂层的铝合金，有硬质阳极处理涂层的铝6061，有硬质阳极处理涂层的铝7075，或有硬质阳极处理涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆(NiP)的铝合金，具有无电解高磷镍镀覆的铝6061，具有无电解高磷镍镀覆的铝7075、或具有无电解高磷镍镀覆的铝3003，具有聚合物聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、或聚对二甲苯涂层的铝合金，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝6061，具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝7075，或具有聚合物聚四氟乙烯、全氟烷氧基、或聚对二甲苯涂层的铝3003，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢合金，具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢316，或具有无电解高磷镍镀覆的不锈钢304，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢合金，具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢316，或具有聚合物、PTFE、PFA或聚对二甲苯涂层的不锈钢304，抗腐蚀Ni-合金，哈氏合金C-22，哈氏合金C-276，哈氏合金B-2，以及Inconel718。

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