CN114188206B - 一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法，该装置包含：真空反应腔，其由反应腔腔体和设有通孔的腔体端盖包围而成；下电极组件，与通孔中心对称；上电极组件，贯穿腔体端盖的通孔，上电极组件的边缘与通孔的侧壁之间设有间距；若干个加热组件，用于加热上电极组件，使上电极组件受热膨胀直至上电极组件边缘周向与通孔的侧壁接触；若干个支撑组件，用于实现上电极组件和腔体端盖的分离和固定，当加热组件处于加热状态时，上电极组件和腔体端盖可发生相互位移。其优点是：该装置将加热组件、支撑组件等相结合，利用热胀冷缩的原理，实现上电极组件的对中调节，不需要另外安装其他复杂的结构，结构简单，调节方便。

Description

一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法

技术领域

本发明涉及半导体设备领域，具体涉及一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，等离子体刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。在整个工艺过程中，等离子体处理装置的上电极组件和晶圆的对中性对晶圆的刻蚀效果影响巨大。

现有的等离子体处理装置很多都是可移动式的上电极组件设计，其可应用于晶圆刻蚀尤其晶圆边缘刻蚀领域。在传送晶圆进出真空反应腔时，上电极组件抬起；而对晶圆进行处理时，上电极组件下降并与晶圆之间留下微小的间距。因此，上电极组件在下降到晶圆附近时，需要与晶圆、下电极组件保持极高的同心度，使得晶圆边缘暴露在等离子体中的部分在圆周方向对称，才能得到均匀的刻蚀，以达到较优的刻蚀效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法，该等离子体处理装置使上电极组件的边缘与腔体端盖的通孔的侧壁之间设有间距，采用加热组件和支撑组件相结合，利用热胀冷缩的原理，可实现上电极组件的对中，其结构简单，调节方便，无需安装繁琐的调平或对中设备，便于工作人员对等离子体处理装置的维护与使用。

为了达到上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种等离子体处理装置，该装置包含：

真空反应腔，其由反应腔腔体和腔体端盖包围而成，所述腔体端盖设有一通孔；

下电极组件，设置在所述真空反应腔内，所述下电极组件设置有承载面，以承载待处理晶圆，所述下电极组件与所述通孔中心对称；

上电极组件，贯穿所述腔体端盖的通孔设置，所述上电极组件的边缘与所述通孔的侧壁之间设有间距；

若干个加热组件，用于加热所述上电极组件，使所述上电极组件受热膨胀直至所述上电极组件边缘周向与所述腔体端盖的通孔的侧壁接触；

若干个支撑组件，用于实现所述上电极组件和所述腔体端盖的分离和固定，当所述加热组件处于加热状态时，所述上电极组件和所述腔体端盖可发生相互位移。

可选的，所述上电极组件的顶部由若干个所述支撑组件支撑安装在所述腔体端盖上方，所述上电极组件底部在所述真空反应腔内，所述上电极组件与所述下电极组件相对设置，两者之间为等离子体环境。

可选的，所述支撑组件高度可调节，其包含：

螺杆，设置在所述腔体端盖的上方；

内螺纹转盘，与所述螺杆螺纹连接；

夹紧螺母，与所述螺杆螺纹连接，所述夹紧螺母设置在所述内螺纹转盘的上方，所述上电极组件包括向外延伸的一安装基座，所述安装基座为凹型结构，所述安装基座的上边缘位于所述内螺纹转盘和所述夹紧螺母之间。

可选的，所述内螺纹转盘上设置有若干个凸起结构，所述凸起结构与所述上电极组件接触。

可选的，所述凸起结构为一凸轮环，所述凸轮环与所述内螺纹转盘同轴心。

可选的，各个支撑组件沿所述上电极组件外侧周向均匀分布。

可选的，所述上电极组件的边缘与所述通孔的侧壁之间的间距在室温下为0.4+/-0.05mm。

可选的，所述加热组件为加热器；

和/或，所述加热组件可拆卸。

可选的，还包含：

接地密封装置，设置在所述上电极组件和所述腔体端盖之间，以保证所述真空反应腔内的气体环境以及所述上电极组件的接地。

可选的，所述接地密封装置包含：

波纹管，其一端与所述腔体端盖连接，另一端与所述上电极组件连接；

和/或，若干个金属件，其一端与所述腔体端盖连接，另一端与所述上电极组件连接以完成所述上电极组件的接地。

可选的，一种等离子体处理装置中的上电极组件的调节方法，该方法包含：

提供所述的等离子体处理装置；

调节支撑组件使上电极组件可移动；

启动加热组件，使所述上电极组件受热膨胀，直至所述上电极组件达到预设温度，以使所述上电极组件受热膨胀的宽度等于室温下所述上电极组件的边缘与所述通孔侧壁之间的间距；

关闭所述加热组件，使所述上电极组件冷却到室温，调节所述支撑组件固定所述上电极组件以完成所述上电极组件的对中。

可选的，所述支撑组件高度可调节，其包含：

螺杆，设置在所述腔体端盖的上方；

内螺纹转盘，与所述螺杆螺纹连接；

夹紧螺母，与所述螺杆螺纹连接，所述夹紧螺母设置在所述内螺纹转盘的上方，所述上电极组件包括向外延伸的一安装基座，所述安装基座为凹型结构，所述安装基座的上边缘位于所述内螺纹转盘和所述夹紧螺母之间。

可选的，启动加热组件之前，旋转所述夹紧螺母使所述安装基座与所述支撑组件接触的上边缘可移动，旋转所述内螺纹转盘以调节对应位置处所述上电极组件的高度，使所述上电极组件保持水平。

可选的，所述上电极组件受热膨胀的宽度为：膨胀宽度＝上电极组件的直径×上电极组件受热材料的热膨胀系数×温差，温差＝预设温度-室温。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

本发明提供的等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法中，该等离子体处理装置使上电极组件的边缘与腔体端盖的通孔的侧壁之间设有间距，采用加热组件和支撑组件相结合，利用热胀冷缩的原理，可实现上电极组件的对中，其结构简单，便于安装和拆卸，调节方便，无需安装繁琐的调平或对中设备，便于工作人员对等离子体处理装置的维护与使用，简化了工作人员的工作负担。

进一步地，其支撑组件采用夹紧螺母、内螺纹转盘和螺杆相配合的结构，使其不仅具有支撑上电极组件的作用，还可对上电极组件进行调平处理，不需要对腔体进行改造，成本较低，便于工作人员的维护与使用。

附图说明

为了更清楚地说明本发明技术方案，下面将对描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图：

图1为本发明的一种等离子体处理装置；

图2为图1中内螺纹转盘和凸起结构示意图；

图3为图2中内螺纹转盘和凸起结构A-A截面示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”、“具有”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”或“包含……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的要素。

需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明一实施例的目的。

如图1所示，为本发明的一种等离子体处理装置的结构示意图，该等离子体处理装置包含：一真空反应腔100，其由反应腔腔体101和腔体端盖102包围而成。所述腔体端盖102设有一通孔，所述反应腔腔体101上设置一晶圆传输口103，该晶圆传输口103用于实现晶圆W在真空反应腔100内外之间传输。所述真空反应腔100内包含一下电极组件110，其设置于所述真空反应腔100内底部，所述下电极组件110与所述腔体端盖102的通孔中心对称，所述下电极组件110设置有承载面111，传入所述真空反应腔100内的待处理晶圆W放置在所述承载面111上。所述真空反应腔100内还包含与所述下电极组件110相对设置的上电极组件120，所述上电极组件120贯穿所述腔体端盖102的通孔设置，所述上电极组件120包括向外延伸的一安装基座，所述上电极组件120的边缘与所述通孔的侧壁之间设有间距，即所述安装基座的边缘与所述通孔的侧壁之间设有间距。可选的，所述上电极组件120的边缘与所述通孔的侧壁之间的间距在室温条件下为0.4+/-0.05mm，该间距为一示例，根据上电极组件120的安装基座大小以及预计加热到的温度即预设温度可以具体设置不同的参数。

至少一射频电源(图中未示出)通过匹配网络施加到所述上电极组件120或下电极组件110，以将工艺气体解离为等离子体，使所述上电极组件120和所述下电极组件110之间为等离子体环境，该等离子体环境中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待处理晶圆W的表面发生多种物理和化学反应，使得待处理晶圆W表面的形貌发生改变，从而完成对待处理晶圆W的刻蚀过程。

在本实施例中，所述等离子体处理装置为用作晶圆W边缘刻蚀的等离子体处理装置。在晶圆W经等离子体刻蚀加工出设计图案的过程中，晶圆W外边缘区域及背面的外边缘区域会堆积一些聚合物，而这些聚合物一般都需要通过边缘刻蚀去除。

在本实施例中，所述上电极组件120内包含若干条气体通道，若干种工艺气体通过所述气体通道注入所述真空反应腔100内。具体地，所述气体通道为边缘进气通道131或中央进气通道132。

所述边缘进气通道131在所述可移动上电极组件120内采用多路径分布结构，其包含多个边缘喷淋口，各个所述边缘喷淋口沿晶圆W边缘区域均匀分布，以便将第一工艺气体均匀注入所述晶圆W边缘区域的上方。所述中央进气通道132包含若干个中央进气口，所述中央进气口位于晶圆W中央区域的上方，以便将第二工艺气体注入所述晶圆W中央区域的上方。通常情况下，在边缘刻蚀工艺中，所述边缘进气通道131通入的第一工艺气体包含含F、Cl等的刻蚀气体和/或清洁气体，以便进行边缘刻蚀工艺。所述中央进气通道132通入的第二工艺气体包含缓冲气体和/或清洁气体，在晶圆W边缘处理时，第二工艺气体为缓冲气体，第二工艺气体向晶圆边缘区域扩散，阻止第一工艺气体解离产生的等离子体到达晶圆W中心区域，以使晶圆W中心区域免受等离子体环境影响；晶圆W边缘处理完成后，第二工艺气体为清洁气体，第二工艺气体用于在所述真空反应腔100内无晶圆W时的真空反应腔100的清洁。

在边缘刻蚀工艺中，第一工艺气体(如Ar、CF₄、O₂等)经边缘进气通道131进入所述真空反应腔100内的晶圆W边缘区域的上方，在射频的激励作用下形成等离子体。这些等离子体经过所述上电极组件120和下电极组件110之间的电场作用(电容耦合)后与晶圆W边缘聚集的聚合物发生化学反应，从而去除在其他工艺过程中产生的聚合物。与此同时，第二工艺气体(缓冲气体)经中央进气通道132进入所述真空反应腔100内的晶圆W中央区域的上方，以保护晶圆W中央区域不受等离子体环境的影响。

在本实施例中，所述等离子体处理装置还包含若干个加热组件140和若干个支撑组件150。所述加热组件140用于加热所述上电极组件120，使所述上电极组件120受热膨胀直至所述上电极组件120达到预设温度，以使所述上电极组件120受热膨胀的宽度等于室温下所述上电极组件120的边缘与所述通孔侧壁之间的间距，实现所述上电极组件120的边缘周向与所述腔体端盖102的通孔的侧壁接触。所述上电极组件120顶部由若干个所述支撑组件150支撑安装在所述腔体端盖102上方，所述上电极组件120底部在所述真空反应腔100内。所述支撑组件150用于实现所述上电极组件120和所述腔体端盖102的分离和固定，当所述加热组件140处于加热状态时，所述上电极组件120和所述腔体端盖102可发生相互位移。通常情况下所述下电极组件110固定在所述真空反应腔100底部，其水平位置不会发生较大位移。所述加热组件140和所述支撑组件150相配合使所述上电极组件120可利用热胀冷缩的原理进行对中，保证所述上电极组件120和所述下电极组件110的同心度，以便晶圆W边缘刻蚀的效果达到最优。

进一步地，所述支撑组件150高度可调节，其包含：螺杆151、内螺纹转盘152和夹紧螺母154。

具体地，所述螺杆151设置在所述腔体端盖102的上方；所述内螺纹转盘152与所述螺杆151螺纹连接；所述夹紧螺母154与所述螺杆151螺纹连接，所述夹紧螺母154设置在所述内螺纹转盘152的上方，所述上电极组件120包括向外延伸的一安装基座，所述安装基座为凹型结构，所述安装基座的上边缘位于所述内螺纹转盘152和所述夹紧螺母154之间，以实现所述上电极组件120的固定。在本实施例中，所述加热组件140直接对所述上电极组件120的安装基座进行加热，根据所述安装基座的热胀冷缩实现所述上电极组件120的对中。

在本实施例中，等离子体处理装置包含三个支撑组件150，各个支撑组件150沿所述上电极组件120外侧周向均匀分布，共同实现所述上电极组件120的支撑与固定。此外，所述支撑组件150还可以实现所述上电极组件120的水平调节。所述夹紧螺母154和所述内螺纹转盘152夹紧时，所述上电极组件120固定。对所述上电极组件120进行调平处理时，旋松高位或低位处对应的夹紧螺母154，使所述上电极组件120可移动，再旋转调节对应的内螺纹转盘152即可改变所述上电极组件120在该位置的高度，直至所述上电极组件120保持水平。所述支撑组件150结构简单，不需要对腔体进行改造，成本较低，该装置调节方便，有效提高了等离子体处理装置的调节使用效率。

进一步地，所述内螺纹转盘152上设置有若干个凸起结构153，所述凸起结构153与所述上电极组件120的底面接触。可选的，所述凸起结构153为一凸轮环，所述凸轮环与所述内螺纹转盘152同轴心。如图2和图3结合所示，在本实施例中，所述内螺纹转盘152上的凸起结构153为一圈凸轮环。对所述上电极组件120进行对中调节时，旋松所述夹紧螺母154，使所述上电极组件120处于可移动状态，所述上电极组件120的底面与所述内螺纹转盘152通过所述凸轮环接触，所述上电极组件120经所述加热组件140作用受热膨胀在所述内螺纹转盘152上移动。所述凸轮环使所述上电极组件120和所述内螺纹转盘152之间不会因为所述上电极组件120发生位移而产生较大的摩擦力，以便于所述上电极组件120的对中调节。

另外，在本实施例中，所述加热组件140为加热器。可选的，所述加热组件140可拆卸，对所述上电极组件120进行对中调节时将所述加热组件140安装上，对中调节完成后将所述加热组件140拆除以不影响等离子体处理装置的正常使用，也方便其他零部件的放置。

另外，本发明的等离子体处理装置还包含：接地密封装置160。所述接地密封装置160设置在所述上电极组件120和所述腔体端盖102之间，以保证所述真空反应腔100内的气体环境以及所述上电极组件120的接地。

在本实施例中，所述接地密封装置160包含：普通材料制备的波纹管161和若干个金属件162。所述波纹管161一端与所述腔体端盖102连接，另一端与所述上电极组件120连接，以保护所述真空反应腔100内的气体环境；所述金属件162一端与所述腔体端盖102连接，另一端与所述上电极组件120连接以完成所述上电极组件120的接地。当然，所述接地密封装置160的结构及材料不仅限于此，其还可以为其他类型的结构。例如，在另一实施例中，所述接地密封装置160为金属波纹管，其环绕设置在所述上电极组件120和所述腔体端盖102之间，以实现所述真空反应腔100内气体环境的密封性和所述上电极组件120的接地。

在实际应用时，当所述边缘喷淋口与晶圆W边缘区域重合度较低时，即所述上电极组件120和所述下电极组件110对中性较差时，晶圆W边缘刻蚀工艺无法达到预期效果，此时需要对所述上电极组件120进行对中处理。

对所述上电极组件120进行对中处理的方法具体包含：调节所述支撑组件150实现所述上电极组件120和所述腔体端盖102的分离，此时所述上电极组件120可移动。启动加热组件140使所述上电极组件120受热膨胀，直至所述上电极组件120达到预设温度，以使所述上电极组件120受热膨胀的宽度等于室温下所述上电极组件120的边缘与所述通孔侧壁之间的间距，此时所述上电极组件120的边缘周向与腔体端盖102的通孔侧壁接触。最后关闭所述加热组件140，使所述上电极组件120冷却到室温，所述上电极组件120冷却收缩，其边缘周向逐渐远离所述通孔侧壁向中心移动，调节所述支撑组件150的夹紧螺母154使所述夹紧螺母154和所述内螺纹转盘152夹紧固定所述上电极组件120，即完成所述上电极组件120的对中。所述上电极组件120对中完成后，所述上电极组件120与晶圆W、所述下电极组件110均保持极高的同心度，使得晶圆W边缘暴露在等离子体中的部分在圆周方向对称，以使晶圆W得到均匀的刻蚀。

其中，在对中处理过程中，所述上电极组件120受热膨胀的宽度为：膨胀宽度＝上电极组件120的直径×上电极组件120受热材料的热膨胀系数×温差，温差＝预设温度-室温。在本实施例中，所述加热组件140直接对所述上电极组件120的安装基座进行加热，利用所述安装基座的热胀冷缩实现所述上电极组件120的对中，因此，所述上电极组件120的直径为安装基座在所述通孔处的直径，所述上电极组件120受热材料的热膨胀系数为安装基座材料的热膨胀系数。在实际应用中，可根据上述宽度关系对所述加热组件140的温度进行设置，以便达到最优的对中效果。

另外，启动加热组件140之前，本发明的等离子体处理装置还可以进行所述上电极组件120的调平处理。所述调平处理具体包含：旋转所述夹紧螺母154使所述上电极组件120的安装基座与所述支撑组件150接触的上边缘可移动，旋转高位或低位处的内螺纹转盘152以调节对应位置处所述上电极组件120的高度，直至所述上电极组件120保持水平。

综上所述，本发明的一种等离子体处理装置及其上电极组件120的调节方法中，使上电极组件120的边缘与腔体端盖102的通孔的侧壁之间设有间距，将加热组件140和支撑组件150相结合，利用热胀冷缩的原理，可实现上电极组件120的对中调节，其结构简单，便于安装和拆卸，调节方便，无需安装繁琐的调平或对中设备，便于工作人员对等离子体处理装置的维护与使用，简化了工作人员的工作负担。

进一步地，其支撑组件150采用夹紧螺母154、内螺纹转盘152和螺杆151相配合的结构，使其不仅具有支撑上电极组件120的作用，还可对上电极组件120进行调平处理，不需要对反应腔腔体101进行改造，成本较低，便于工作人员的维护与使用。

需要注意的是，本发明中的支撑组件150和加热组件140既适用于电容耦合型等离子体处理装置，也适用于电感耦合型等离子体处理装置，即本发明的等离子体处理装置既可为电容耦合型等离子体处理装置，也可为电感耦合型等离子体处理装置。

尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (14)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，该装置包含：

真空反应腔，其由反应腔腔体和腔体端盖包围而成，所述腔体端盖设有一通孔；

下电极组件，设置在所述真空反应腔内，所述下电极组件设置有承载面，以承载待处理晶圆，所述下电极组件与所述通孔中心对称；

上电极组件，贯穿所述腔体端盖的通孔设置，所述上电极组件的边缘与所述通孔的侧壁之间设有间距；

若干个加热组件，用于加热所述上电极组件，使所述上电极组件受热膨胀直至所述上电极组件边缘周向与所述腔体端盖的通孔的侧壁接触；

若干个支撑组件，用于实现所述上电极组件和所述腔体端盖的分离和固定，所述上电极组件的顶部由若干个所述支撑组件支撑安装在所述腔体端盖上方，当所述加热组件处于加热状态时，所述上电极组件和所述腔体端盖可发生相互位移，关闭所述加热组件，所述上电极组件冷却到室温时调节所述支撑组件固定所述上电极组件可完成所述上电极组件的对中。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述上电极组件底部在所述真空反应腔内，所述上电极组件与所述下电极组件相对设置，两者之间为等离子体环境。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述支撑组件高度可调节，其包含：

螺杆，设置在所述腔体端盖的上方；

内螺纹转盘，与所述螺杆螺纹连接；

夹紧螺母，与所述螺杆螺纹连接，所述夹紧螺母设置在所述内螺纹转盘的上方，所述上电极组件包括向外延伸的一安装基座，所述安装基座为凹型结构，所述安装基座的上边缘位于所述内螺纹转盘和所述夹紧螺母之间。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述内螺纹转盘上设置有若干个凸起结构，所述凸起结构与所述上电极组件接触。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述凸起结构为一凸轮环，所述凸轮环与所述内螺纹转盘同轴心。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

各个支撑组件沿所述上电极组件外侧周向均匀分布。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述上电极组件的边缘与所述通孔的侧壁之间的间距在室温下为0.4±0.05mm。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述加热组件为加热器；

和/或，所述加热组件可拆卸。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包含：

接地密封装置，设置在所述上电极组件和所述腔体端盖之间，以保证所述真空反应腔内的气体环境以及所述上电极组件的接地。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述接地密封装置包含：

波纹管，其一端与所述腔体端盖连接，另一端与所述上电极组件连接；

和/或，若干个金属件，其一端与所述腔体端盖连接，另一端与所述上电极组件连接以完成所述上电极组件的接地。

11.一种等离子体处理装置中的上电极组件的调节方法，其特征在于，该方法包含：

提供如权利要求1～10任一项所述的等离子体处理装置；

调节支撑组件使上电极组件可移动；

启动加热组件，使所述上电极组件受热膨胀，直至所述上电极组件达到预设温度，以使所述上电极组件受热膨胀的宽度等于室温下所述上电极组件的边缘与所述通孔侧壁之间的间距；

关闭所述加热组件，使所述上电极组件冷却到室温，调节所述支撑组件固定所述上电极组件以完成所述上电极组件的对中。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置中的上电极组件的调节方法，其特征在于，所述支撑组件高度可调节，其包含：

螺杆，设置在所述腔体端盖的上方；

内螺纹转盘，与所述螺杆螺纹连接；

夹紧螺母，与所述螺杆螺纹连接，所述夹紧螺母设置在所述内螺纹转盘的上方，所述上电极组件包括向外延伸的一安装基座，所述安装基座为凹型结构，所述安装基座的上边缘位于所述内螺纹转盘和所述夹紧螺母之间。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置中的上电极组件的调节方法，其特征在于，

启动加热组件之前，旋转所述夹紧螺母使所述安装基座与所述支撑组件接触的上边缘可移动，旋转所述内螺纹转盘以调节对应位置处所述上电极组件的高度，使所述上电极组件保持水平。

14.如权利要求11所述的等离子体处理装置中的上电极组件的调节方法，其特征在于，

所述上电极组件受热膨胀的宽度为：膨胀宽度＝上电极组件的直径×上电极组件受热材料的热膨胀系数×温差，温差＝预设温度-室温。