CN114184152B - 晶种分解槽的积料厚度测量方法、存储介质及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种晶种分解槽的积料厚度测量方法、存储介质及电子设备，其中，该方法包括：获取晶种分解槽的外表面温度分布；获取晶种分解槽内部的料浆温度；根据外表面温度分布和料浆温度，确定目标参照温度；根据目标参照温度和外表面温度分布，确定晶种分解槽的积料厚度。该方法可以基于晶种分解槽的外表面温度和晶种分解槽内部的料浆温度，对晶种分解槽内的积料厚度进行测定，从而在测定过程中，不要求晶种分解槽停止运行并在料浆排空后，由技术人员进入槽内测量，进而在实现了对积料厚度的测定的同时，既保证了生产的正常进行，又提高了技术人员作业过程中的安全性。
Description
技术领域
本发明涉及氧化铝生产测量技术领域，尤其涉及一种晶种分解槽的积料厚度测量方法、存储介质及电子设备。
背景技术
晶种分解槽有时会由于搅拌混合的强度下降，导致槽底形成积料，从而引发搅拌设备的损坏。因而，为了及时发现并清除晶种分解槽内的积料，相关技术中通常是将晶种分解槽退出生产流程，并排空槽内料浆，由技术人员通过晶种分解槽的人孔进入槽内，进行积料厚度的测量和积料的清理。
然而，该测量方式一方面要求晶种分解槽停止运行，影响了生产的正常进行，另一方面难以实现对槽内高度较大的积料进行测量。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
为此，本发明的第一方面提供了一种晶种分解槽的积料厚度测量方法。
本发明的第二方面提供了一种存储介质。
本发明的第三方面提供了一种电子设备。
有鉴于此，根据本申请实施例的第一方面提出了一种晶种分解槽的积料厚度测量方法，包括：
获取晶种分解槽的外表面温度分布；
获取晶种分解槽内部的料浆温度；
根据外表面温度分布和料浆温度，确定目标参照温度；
根据目标参照温度和外表面温度分布，确定晶种分解槽的积料厚度。
在一种可行的实施方式中，获取晶种分解槽的外表面温度分布的步骤，包括：
将晶种分解槽的外表面划分为多个区块；
分别获取每个区块对应的外表面温度；
根据每个区块在晶种分解槽上所处的位置与外表面温度，建立晶种分解槽的外表面温度分布图；
根据外表面温度分布图，确定外表面温度分布。
在一种可行的实施方式中，根据外表面温度分布和料浆温度，确定目标参照温度的步骤，包括：
根据外表面温度分布和料浆温度，确定晶种分解槽的非显著积料区域；
确定非显著积料区域的平均温度为目标参照温度。
在一种可行的实施方式中，根据外表面温度分布和料浆温度，确定晶种分解槽的非显著积料区域的步骤，包括：
确定每个外表面温度与料浆温度的第一温度差值；
将每个第一温度差值与温差阈值进行比较；
在第一温度差值小于温差阈值的情况下，确定第一温度差值对应的区块为非显著积料区块；
其中，非显著积料区域包括至少一个非显著积料区块。
在一种可行的实施方式中，确定非显著积料区域的平均温度为目标参照温度的步骤，包括：
确定与非显著积料区块对应的外表面温度的平均值为平均温度；
确定平均温度为目标参照温度。
在一种可行的实施方式中，根据目标参照温度和外表面温度分布，确定晶种分解槽的积料厚度的步骤，包括：
确定每个外表面温度与目标参照温度的第二温度差值；
建立第二温度差值与积料厚度的对应关系；
根据对应关系和第二温度差值，确定积料厚度。
在一种可行的实施方式中，晶种分解槽的积料厚度测量方法还包括：
根据每个区块在晶种分解槽上所处的位置与第二温度差值，建立晶种分解槽的温差分布图；
根据每个区块在晶种分解槽上所处的位置与积料厚度，建立晶种分解槽的积料厚度分布图。
在一种可行的实施方式中，在晶种分解槽的外表面包括多个外表面区间的情况下，晶种分解槽的积料厚度测量方法，还包括：
分别获取多个外表面区间的温度分布；
根据每个温度分布和料浆温度，确定与每个外表面区间对应的区间目标参照温度；
根据区间目标参照温度和温度分布，确定区间积料厚度；
根据多个区间积料厚度，确定积料厚度；
其中，多个外表面区间基于晶种分解槽所受的环境温度影响情况划分得到。
为了实现上述目的，根据本发明的第二方面，提供了一种存储介质，存储介质包括存储的程序，其中，在程序运行时控制存储介质所在设备执行如上述第一方面中任一项提出的晶种分解槽的积料厚度测量方法。
为了实现上述目的，根据本发明的第三方面，提供了一种电子设备，电子设备包括至少一个处理器、以及与处理器连接的至少一个存储器；其中，处理器用于调用存储器中的程序指令，执行如上述第一方面中任一项提出的晶种分解槽的积料厚度测量方法。
相比现有技术，本发明至少包括以下有益效果：本发明提供的晶种分解槽的积料厚度测量方法，包括：获取晶种分解槽的外表面温度分布；获取晶种分解槽内部的料浆温度；根据外表面温度分布和料浆温度，确定目标参照温度；根据目标参照温度和外表面温度分布，确定晶种分解槽的积料厚度。该方法可以基于晶种分解槽的外表面温度和晶种分解槽内部的料浆温度，对晶种分解槽内的积料厚度进行测定，从而在测定过程中，不要求晶种分解槽停止运行并将料浆排空后，由技术人员进入槽内测量，进而在实现了对积料厚度的测定的同时，既保证了生产的正常进行，提高了技术人员作业过程中的安全性。并且，该方法通过对积料厚度的测定，还能够基于积料厚度及时掌握晶种分解槽内部的积料情况，并为积料清理策略的指定提供指导，进一步有利于提升晶种分解槽内部设备的使用寿命和维修维护成本。
附图说明
通过阅读下文示例性实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出示例性实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1为本申请提供的一种实施例的晶种分解槽的积料厚度测量方法的示意性流程图；
图2为本申请提供的一种电子设备的示意性结构框图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本申请的示例性实施例。虽然附图中显示了本申请的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请的范围完整的传达给本领域的技术人员。
如图1所示，根据本申请实施例的第一方面提出了一种晶种分解槽的积料厚度测量方法，包括：步骤101至步骤104。
步骤101：获取晶种分解槽的外表面温度分布；
具体地，晶种分解槽的外表面温度分布用于反应晶种分解槽外表面各位置的温度情况，通过获取晶种分解槽的外表面温度分布，可据此对外表面上各个位置的温度差异情况进行分析。
需要说明的是，在晶种分解槽的部分内槽壁上存在积料时，积料会阻碍料浆与其覆盖的内槽壁发生接触，从而相比于无积料或积料厚度小的内槽壁，有积料或积料厚度大的内槽壁受料浆温度的影响较小。进而，在晶种分解槽的内槽壁上各个位置的积料情况不一致的情况下，在获取晶种分解槽的外表面温度分布时，会体现为外表面各个位置的温度之间存在差异，并基于外表面温度的差异，可以分析晶种分解槽内的积料情况。
步骤102：获取晶种分解槽内部的料浆温度；
具体地，通过获取晶种分解槽内部的料浆温度，可以及时掌握槽内料将的温度情况，为确定积料厚度提供进一步的依据和参考。
步骤103：根据外表面温度分布和料浆温度，确定目标参照温度；
具体地，结合晶种分解槽的外表面温度与晶种分解槽内部的料浆温度进行分析，可以得到外表面温度与料浆温度之间的差异情况，从而基于该差异情况，对目标参照温度进行确定。
步骤104：根据目标参照温度和外表面温度分布，确定晶种分解槽的积料厚度。
具体地，以目标参照温度为基准，分析晶种分解槽的外表面各位置的温度相对于目标参照温度的偏离情况，温度偏离程度大则表明与该位置相对应的部分内槽壁上存在较厚的积料，温度偏离程度小则表明与该位置相对应的部分内槽壁上积料厚度较小，从而基于目标参照温度和外表面温度分布，可以对晶种分解槽的积料厚度进行确定。
综上，该方法可以基于晶种分解槽的外表面温度和晶种分解槽内部的料浆温度，对晶种分解槽内的积料厚度进行测定，从而在测定过程中，不要求晶种分解槽停止运行并将料浆排空后，由技术人员进入槽内测量，进而在实现了对积料厚度的测定的同时，既保证了生产的正常进行，提高了技术人员作业过程中的安全性。
并且，该方法通过对积料厚度的测定，还能够基于积料厚度及时掌握晶种分解槽内部的积料情况，并为积料清理策略的指定提供指导，进一步有利于提升晶种分解槽内部设备的使用寿命和维修维护成本。
在一些可行的示例中，晶种分解槽的外表面温度分布的获得方式可以包括但不限于通过红外扫描的方式对晶种分解槽的外表面进行测温，或通过在晶种分解槽的外表面均匀布置多个温度传感器进行温度监测。
在一些示例中，获取晶种分解槽的外表面温度分布的步骤，包括：
将晶种分解槽的外表面划分为多个区块；
分别获取每个区块对应的外表面温度；
根据每个区块在晶种分解槽上所处的位置与外表面温度，建立晶种分解槽的外表面温度分布图；
根据外表面温度分布图，确定外表面温度分布。
具体地，通过将晶种分解槽的外表面划分为多个区块，并对每个区块对应的外表面温度进行获取，可以基于每个区块在晶种分解槽上所处的位置，结合各区块对应的外表面温度，进行晶种分解槽外表面温度分布图的建立，从而根据外表面温度分布图，对外表面温度分布进行确定。通过图示的方式，可以使晶种分解槽的外表面温度分布情况更加直观和便于理解，有利于提升积料厚度测量过程的便利性和直观性。
在一些示例中，根据外表面温度分布和料浆温度，确定目标参照温度的步骤，包括：
根据外表面温度分布和料浆温度，确定晶种分解槽的非显著积料区域；
确定非显著积料区域的平均温度为目标参照温度。
具体地，基于晶种分解槽的外表面温度分布，可以获取到晶种分解槽外表面各位置的外表面温度，通过分析外表面温度与料浆温度之间的差异，可以确定与各位置相对应的部分内槽壁上的积料严重情况，从而对晶种分解槽的积料严重的显著积料区域和积料轻微的非显著积料区域进行确定，并以非显著积料区域的平均温度作为目标参照温度。
在一些示例中，根据外表面温度分布和料浆温度，确定晶种分解槽的非显著积料区域的步骤，包括：
确定每个外表面温度与料浆温度的第一温度差值；
将每个第一温度差值与温差阈值进行比较；
在第一温度差值小于温差阈值的情况下，确定第一温度差值对应的区块为非显著积料区块；
其中，非显著积料区域包括至少一个非显著积料区块。
具体地，温差阈值可以根据晶种分解槽的槽壁厚度和槽壁材料进行设定，从而通过对每个区块对应的外表面温度与料浆温度之间的第一温度差值进行确定，并将得到的每个第一温度差值与温差阈值进行比较，可以实现对多个区块的分类。
其中，在第一温度差之小于温差阈值的情况下，说明与该第一温度差值相对应的区块外表面温度接近料浆温度，与该区块位置相对应的部分内槽壁上尚未形成较厚的积料，该区块可被划分为非显著积料区块；在第一温度差之大于或等于温差阈值的情况下，说明与该第一温度差值相对应的区块外表面温度与料浆温度差异较大，该曲块位置相对应的部分内槽壁上存在较厚的积料，该区块则可被划分为显著积料区块。
可以理解的是，晶种分解槽内的料浆热量会通过热传导的方式传递至晶种分解槽的外表面，如晶种分解槽的内槽壁上存在较厚的积料，则料浆的热量在传导过程中会存在较大的损失，从而相应位置的外槽壁温度会较小且与料浆温度之间存在明显差异。同理，如晶种分解槽的内槽壁上存在较薄积料甚至不存在积料的情况下，料浆的热量在传到过程中的损失较小，从而相应位置的外槽壁温度会较大并接近料浆温度。进而，通过分析每个区块对应的外表面温度与料浆温度的差异情况，可以确定晶种分解槽的显著积料区域和非显著积料区域。
在一些示例中，确定非显著积料区域的平均温度为目标参照温度的步骤，包括：
确定与非显著积料区块对应的外表面温度的平均值为平均温度；
确定平均温度为目标参照温度。
具体地，非显著积料区域的平均温度可以通过计算非显著积料区块对应的外表面温度的平均值进行确定，并将该平均温度作为目标参照温度。从而利用目标参照温度，结合晶种分解槽的外表面温度分布，对积料厚度进行确定，为积料的清理策略制定提供指导。
在一些示例中，根据目标参照温度和外表面温度分布，确定晶种分解槽的积料厚度的步骤，包括：
确定每个外表面温度与目标参照温度的第二温度差值；
建立第二温度差值与积料厚度的对应关系；
根据对应关系和第二温度差值，确定积料厚度。
具体地，通过对每个区块对应的外表面温度与目标参照温度之间的第二温度差值进行确定，可以分析出每个外表面温度相对于目标参照温度的偏离情况。通过建立第二温度差值与积料厚度之间的对应关系，并基于该对应关系和第二温度差值，可以获得每个区块对应的积料情况，进而确定晶种分解槽的积料厚度。
需要说明的是，第二温度差值与积料厚度的对应关系与晶种分解槽的槽体参数相关，可以在前期的试验研究阶段，建立生产实际使用的晶种分解槽比例模型，并基于该比例模型进行积料厚度与第二温度差值的标定试验，通过对实验数据进行统计分析，得到能够反应第二温度差之与积料厚度对应关系的图、表或公式。
可以理解的是，前述方式仅是示例性的说明一种获取第二温度差值与积料厚度的对应关系的可能方式，不代表该对应关系仅能通过前述方式获得，获取第二温度差值与积料厚度的对应关系的方式可以包括但不限于试验、仿真等方式，第二温度差值与积料厚度的对应关系的表现形式包括但不限于对应关系表、对应关系图或公式。
在一些示例中，晶种分解槽的积料厚度测量方法还包括：
根据每个区块在晶种分解槽上所处的位置与第二温度差值，建立晶种分解槽的温差分布图；
根据每个区块在晶种分解槽上所处的位置与积料厚度，建立晶种分解槽的积料厚度分布图。
具体地，通过建立晶种分解槽的温差分布图和积料厚度分布图，可以通过图示的方式，更加直观的展示出晶种分解槽上各位置的温度分布情况和积料分布情况，从而进一步便于为积料清理策略的制定提供指导，有利于提高积料清理工作的效率和效果。
在一些示例中，在晶种分解槽的外表面包括多个外表面区间的情况下，晶种分解槽的积料厚度测量方法，还包括：
分别获取多个外表面区间的温度分布；
根据每个温度分布和料浆温度，确定与每个外表面区间对应的区间目标参照温度；
根据区间目标参照温度和温度分布，确定区间积料厚度；
根据多个区间积料厚度，确定积料厚度；
其中，多个外表面区间基于晶种分解槽所受的环境温度影响情况划分得到。
具体地，基于晶种分解槽所受的环境温度影响情况，可以将晶种分解槽的外表面划分为多个外表面区间，从而根据晶种分解槽的外表面所受的外部环境差异，分别对多个外表面区间进行针对性分析，以提高积料厚度的测量精度，消除晶种分解槽外部环境温度对外表面温度带来的影响。
在晶种分解槽的外表面包括多个外表面区间的情况下，可以分别获取多个外表面区间的温度分布；并根据每个温度分布和料浆温度，确定与每个外表面区间对应的区间目标参照温度；从而，根据区间目标参照温度和外表面区间的温度分布，确定与每个外表面区间对应的区间积料厚度；进而，整合多个区间积料厚度，对晶种分解槽的积料厚度进行确定。
需要说明的是，晶种分解槽的整体体积较大，直径在20米左右，高度在40米左右，因而晶种分解槽通常是露天设置。由此，晶种分解槽的外表面温度会在外部环境温度的影响下，产生一定的差异。比如，晶种分解槽受阳光照射的部分外表面温度会高于未受阳光照射的部分外表面温度；又比如，晶种分解槽迎风一侧的外表面温度会略低于背风一侧的外表面温度。因此，为了消除环境温度影响，可以基于环境温度影响情况将晶种分解槽的外表面划分为多个区间，并分别对多个外表面区间对应的温度分布进行获取，进而基于多个外表面区间的温度分布，进行相互独立的积料厚度确定。
根据本申请实施例的第二方面还提出了一种存储介质，其上存储有程序，该程序运行时控制该存储介质所在设备执行如上述第一方面中任一项提出的晶种分解槽的积料厚度测量方法的步骤。
根据本申请实施例的第三方面还提出了一种电子设备200，如图2所示，设备包括至少一个处理器201、以及与处理器201连接的至少一个存储器202；其中，处理器201用于调用存储器202中的程序指令，以执行实现如上述第一方面中任一项提出的晶种分解槽的积料厚度测量方法的步骤。
本申请是参照根据本申请实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的；应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合；可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程流程管理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程流程管理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
在一个典型的配置中，电子设备可以包括一个或多个处理器(CPU)、存储器和总线；电子设备还可以包括输入/输出接口、网络接口等。
存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片；存储器是存储介质的示例。
存储介质包括永久性和非永久性、可移动和非可移动媒体可以由任何方法或技术来实现信息存储；信息可以是计算机可读指令、数据结构、程序的模块或其他数据；计算机的存储介质的例子包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他内存技术、只读光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能光盘(DVD)或其他光学存储、磁盒式磁带，磁带磁盘存储或其他磁性存储设备或任何其他非传输介质，可用于存储可以被计算设备访问的信息；按照本文中的界定，存储介质不包括暂存电脑可读媒体(transitory media)，如调制的数据信号和载波。
本申请的说明书和权利要求书及附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序；应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的实施例能够以除了在这里图示或描述的内容以外的顺序实施。
还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素；在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
本领域技术人员应明白，本申请的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品；因此，本申请可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式；而且，本申请可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
可以由一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本申请实施例操作的计算机程序代码，程序设计语言包括面向对象的程序设计语言——诸如Common Lisp、Python、C++、Objective-C、Smalltalk、Delphi、Java、Swift、C#、Perl、Ruby、JavaScript和PHP等，还包括常规的过程式程序设计语言——诸如Fortran、ALGOL、COBOL、PL/I、BASIC、Pascal和C等，还包括其他任意一种编程语言——诸如Lisp、Tcl、Prolog、VisualBasic.NET、SQL和R等；程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行；在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(LAN)或广域网(WAN)——连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请；对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化；凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。
Claims (9)
1.一种晶种分解槽的积料厚度测量方法，其特征在于，包括：
获取所述晶种分解槽的外表面温度分布；
获取所述晶种分解槽内部的料浆温度；
根据所述外表面温度分布和所述料浆温度，确定目标参照温度；
根据所述目标参照温度和所述外表面温度分布，确定所述晶种分解槽的积料厚度；
所述根据所述外表面温度分布和所述料浆温度，确定目标参照温度的步骤，包括：
根据所述外表面温度分布和所述料浆温度，确定所述晶种分解槽的非显著积料区域；
确定所述非显著积料区域的平均温度为所述目标参照温度。
2.根据权利要求1所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法，其特征在于，所述获取所述晶种分解槽的外表面温度分布的步骤，包括：
将所述晶种分解槽的外表面划分为多个区块；
分别获取每个所述区块对应的外表面温度；
根据每个所述区块在所述晶种分解槽上所处的位置与所述外表面温度，建立所述晶种分解槽的外表面温度分布图；
根据所述外表面温度分布图，确定所述外表面温度分布。
3.根据权利要求2所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法，其特征在于，所述根据所述外表面温度分布和所述料浆温度，确定所述晶种分解槽的非显著积料区域的步骤，包括：
确定每个所述外表面温度与所述料浆温度的第一温度差值；
将每个所述第一温度差值与温差阈值进行比较；
在所述第一温度差值小于所述温差阈值的情况下，确定所述第一温度差值对应的所述区块为非显著积料区块；
其中，所述非显著积料区域包括至少一个所述非显著积料区块。
4.根据权利要求3所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法，其特征在于，所述确定所述非显著积料区域的平均温度为所述目标参照温度的步骤，包括：
确定与所述非显著积料区块对应的所述外表面温度的平均值为所述平均温度；
确定所述平均温度为所述目标参照温度。
5.根据权利要求2所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法，其特征在于，所述根据所述目标参照温度和所述外表面温度分布，确定所述晶种分解槽的积料厚度的步骤，包括：
确定每个所述外表面温度与所述目标参照温度的第二温度差值；
建立所述第二温度差值与所述积料厚度的对应关系；
根据所述对应关系和所述第二温度差值，确定所述积料厚度。
6.根据权利要求5所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法，其特征在于，还包括：
根据每个所述区块在所述晶种分解槽上所处的位置与所述第二温度差值，建立所述晶种分解槽的温差分布图；
根据每个所述区块在所述晶种分解槽上所处的位置与所述区块积料厚度，建立所述晶种分解槽的积料厚度分布图。
7.根据权利要求1所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法，其特征在于，在所述晶种分解槽的外表面包括多个外表面区间的情况下，所述晶种分解槽的积料厚度测量方法，还包括：
分别获取多个所述外表面区间的温度分布；
根据每个所述温度分布和所述料浆温度，确定与每个所述外表面区间对应的区间目标参照温度；
根据所述区间目标参照温度和所述温度分布，确定区间积料厚度；
根据多个所述区间积料厚度，确定所述积料厚度；
其中，多个所述外表面区间基于所述晶种分解槽所受的环境温度影响情况划分得到。
8.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质包括存储的程序，其中，在所述程序运行时控制所述存储介质所在设备执行如权利要求1至权利要求7中任一项所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法。
9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括至少一个处理器、以及与所述处理器连接的至少一个存储器，其中，所述处理器用于调用所述存储器中的程序指令，执行如权利要求1至权利要求7中任一项所述的晶种分解槽的积料厚度测量方法。
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