CN114163484B - 使用湿磨机的硫酸阿米卡星结晶方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种使用湿磨机的硫酸阿米卡星结晶方法，其包括如下步骤：在间歇式结晶釜中，加入硫酸阿卡米星浓度为10‑20wt％的结晶液,控制pH值0.5‑3，升温至40‑55℃，反溶剂通过湿磨机与结晶液混合并经循环回路回结晶釜，控制反溶剂比例为20‑40v/v％，然后加入晶种1‑5wt％后，养晶2‑4小时后，第二次加反溶剂，控制反溶剂比例为10‑30v/v％后，停止湿磨机循环，单独间歇式结晶釜搅拌降温。本发明引入了湿磨机，改变结晶形式，起到加强混合并增加结晶活性表面的作用，快速有序释放不饱和度，通过本发明，母液中硫酸阿米卡星残留较少，只有5％左右，结晶收率达到78‑85％，成品的未知杂质小于0.1％，结晶收率高于原有结晶收率，未知杂质也达到ICH的最严要求。

Description

使用湿磨机的硫酸阿米卡星结晶方法

技术领域

本发明涉及医药技术领域，尤其涉及一种使用湿磨机的硫酸阿米卡星结晶方法。

背景技术

硫酸阿米卡星为半合成氨基糖苷类抗生素，其抗菌谱较广，对多种细菌均有较强的抗菌 能力。硫酸阿米卡星自上个世纪70年代上市后，凭借其疗效确切很快被广泛应用，成为世 界上临床常用的一线抗感染药。在我国硫酸阿米卡星已被列入国家基本药物目录，也被收入到《国家基本医疗保险和工伤保险药品目录》甲类药物中。

硫酸阿米卡星是一种广谱抗菌抗生素，随着医药技术的不断发展和医疗水平的不断提 高，对硫酸阿米卡星原料药质量的要求也不断提高，ICH指南对原料药的杂质及不同溶剂的 分类及残留控制标准都有明确的要求。如何不使用毒性大的一类溶剂，限制使用中等毒性的二类溶剂，尽可能使用安全的三类溶剂。

中国授权专利CN103113429B公开了一种由阿米卡星制备硫酸阿米卡星的方法，属于医 药技术领域。它首先取浓度为30～50wt％的阿米卡星水溶液，在氮气保护下，用硫酸调节 pH值至0.1-0.5，然后加入乙醇结晶：先加入0.5倍料液体积乙醇，加热回流，然后再加入 2.0～4.0倍料液体积乙醇，降温至10～40℃；结晶后再经过滤和烘干得硫酸阿米卡星。本发明在氮气保护下加入硫酸反应，提高了料液的稳定性，减少了物料的降解，减少杂质的生成， 收率由80％提高到90％，杂质含量降为1.0％以下。

中国专利申请CN112625072A公开了一种酸性阳离子树脂提纯制备硫酸阿米卡星的方 法。本发明将含有阿米卡星的料液上弱酸性阳离子树脂柱，然后用5％10％硫酸铵溶液进行梯度解脱，根据硫酸铵浓度的不同，结合力弱于阿米卡星的杂质先被洗脱出来，然后得到 硫酸阿米卡星料液，最后洗脱出结合力较强的杂质，得到的硫酸阿米卡星料液经过浓缩后直 接加甲醇结晶得到硫酸阿米卡星，母液继续加甲醇析出硫酸铵，硫酸铵可以循环利用。使用 硫酸铵溶液作为解脱剂，收集到的阿米卡星料液即为硫酸阿米卡星溶液，不需要再进行加硫酸成盐操作，该方法简单，绿色环保。

然而，现有技术中，硫酸阿米卡星在柱分离结束之后仍有较多的杂质，需要通过结晶进 一步的去除，来达到降低杂质，符合各国药典及客户需求。随着客户需求及各国药典对硫酸 阿米卡星的质量标准的提升，原有的结晶工艺无法生产出高规格产品。原有结晶工艺为：在常规间歇式结晶釜中加入结晶液中后搅拌加入反溶剂至饱和，在自然析晶条件下析出晶体后 养晶一段时间后再继续加反溶剂直至析晶完全。由于间歇式结晶釜加醇方式为顶部加反溶 剂，造成局部浓度过高，且自上部搅到下部有一个时间差，会造成饱和度过高，析晶速度较 快，除杂能力较弱，尤其对于硫酸阿米卡星中的未知单杂去除能力较弱，结晶前后未知单杂所占含量变化不大。结晶母液中硫酸阿米卡星残留偏多，约为20％左右，导致结晶收率偏低， 只有72-78％。

发明内容

基于上述原因，本发明针对现有技术的不足，提出一种使用湿磨机的硫酸阿米卡星结 晶方法。具体而言，为了实现本发明的目的，本发明拟采用如下的技术方案：

本发明涉及一种使用湿磨机的硫酸阿米卡星结晶方法，其包括如下步骤：

在间歇式结晶釜中，加入硫酸阿卡米星浓度为10-20wt％的结晶液,控制pH值0.5-3，升 温至40-55℃，反溶剂通过湿磨机与结晶液混合并经循环回路回结晶釜，控制反溶剂比例为 20-40v/v％，然后加入晶种1-5wt％后，养晶2-4小时后，第二次加反溶剂，控制反溶剂比例 为10-30v/v％后，停止湿磨机循环，单独间歇式结晶釜搅拌降温。

在本发明的一个优选实施方式中，所述反溶剂选自甲醇、乙醇和异丙醇中的一种或者多 种的组合，优选为甲醇。通过使用甲醇，有利于结晶时饱和度的控制，除杂能力更好，并且 也有利于成本的控制。

在本发明的一个优选实施方式中，所述pH值3，升温至45℃，第一次控制反溶剂比例 为20％，加入晶种5wt％后，养晶4小时后，第二次加反溶剂，继续加入反溶剂的比例为15v/v％。

在本发明的一个优选实施方式中，所述结晶收率为78-85％，成品的未知杂质小于0.1wt％。

在本发明的一个优选实施方式中，所述结晶收率为80-85％，成品的未知杂质小于0.08％； 优选地，所述结晶收率为83-85％，成品的未知杂质不超过0.06％

有益效果

本发明引入了湿磨机，改变结晶形式，起到加强混合并增加结晶活性表面的作用，快速 有序释放不饱和度，通过本发明，母液中硫酸阿米卡星残留较少，只有5％左右，结晶收率 达到78-85％，成品的未知杂质小于0.1％，结晶收率高于原有结晶收率，未知杂质也达到ICH 的最严要求。

附图说明

图1：反溶剂通过湿磨机与结晶液混合并经循环回路示意图；

图2：实施例1所得硫酸阿米卡星结晶产品的HPLC图；

图3：实施例2所得硫酸阿米卡星结晶产品的HPLC图；

图4：实施例3所得硫酸阿米卡星结晶产品的HPLC图；

图5：对比例1所得硫酸阿米卡星结晶产品的HPLC图。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行 清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施 例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如无特殊说明，本发明实施例中所涉及的试剂均为市售产品，均可以通过商业渠道购买 获得。

实施例1：

在间歇式结晶釜中，加入浓度为10wt％的结晶液,控制pH值0.5，升温至55℃，反溶剂 甲醇通过湿磨机与结晶液混合并经循环回路(见图1)回结晶釜来控制饱和度，控制反溶剂 甲醇比例为40v％，加入指定比例的反溶剂后，加入晶种1％后，养晶2小时后，第二次加反 溶剂，继续加入反溶剂的比例为25v％)，停止湿磨机循环，单独间歇式结晶釜搅拌降温。结 晶收率达到80％，未知单杂：0.08％，其HPLC检测结果如图2所示。

实施例2：

在间歇式结晶釜中，加入浓度为15wt％的结晶液,控制pH值2，升温至50℃，反溶剂甲 醇通过湿磨机与结晶液混合并经循环回路回结晶釜来控制饱和度，控制反溶剂比例为30v/v％，加入指定比例的反溶剂后，加入晶种3％后，养晶3小时后，第二次加反溶剂，继 续加入反溶剂的比例为15v/v％，停止湿磨机循环，单独间歇式结晶釜搅拌降温。结晶收率达到82％，未知单杂：0.07％，其HPLC检测结果如图3所示。

实施例3：

在间歇式结晶釜中，加入浓度为20wt％的结晶液，控制pH值3，升温至45℃，反溶剂甲醇通过湿磨机与结晶液混合并经循环回路回结晶釜来控制饱和度，控制反溶剂比例为20％，加入指定比例的反溶剂后，加入晶种5％后，养晶4小时后，第二次加反溶剂，继续 加入反溶剂的比例为15％，停止湿磨机循环，单独间歇式结晶釜搅拌降温。结晶收率达到83％，未知单杂：0.06％，其HPLC检测结果如图4所示。

对比例1：

在间歇式结晶釜中，加入结晶液,控制pH值0.5，升温至45℃，直接加入反溶剂甲醇控 制饱和度，控制反溶剂比例为50v/v％，养晶2小时后，搅拌降温。结晶收率为76％，未知单杂：0.45％,，其HPLC检测结果如图5所示。

HPLC检测方法：精密称取本品50mg，置10ml容量瓶中，加流动相A溶解并稀释制成每1ml中约含5.0mg的溶液，作为供试品溶液；精密量取1ml，置100ml容量瓶中，用流动 相A稀释制成每1ml中约含50μg的溶液，作为对照品溶液；用十八烷基硅烷键合硅胶为填充剂(SpursiL柱，4.6mm×250mm，5μm或效能相当的色谱柱)；取辛烷磺酸钠1.8g和 无水硫酸钠20.0g，加pH3.0的0.2moL/L磷酸盐缓冲液(0.2moL/L磷酸二氢钾溶液，用 0.2moL/L磷酸溶液调节pH值至3.0)50ml和水900ml溶解，加乙腈50ml,混匀，作为流动 相A；取辛烷磺酸钠1.8g和无水硫酸钠20.0g，加pH3.0的0.2moL/L磷酸盐缓冲液50ml和 水850ml溶解，加乙腈100ml，混匀，作为流动相B，流速为1.3ml/min；按下表进行线性梯 度洗脱；柱温为40℃；检测波长为200nm。精密称取阿米卡星对照品50mg，置10ml容量 瓶中，加流动相A溶解并稀释制成每1ml中约含5.0mg的溶液，取10μl注入液相色谱仪， 记录色谱图，阿米卡星峰的保留时间应在分钟之间(必要时适当调整流动相A和流 动相B的比例)，阿米卡星峰与杂质B峰(相对保留时间约为0.92)间的分离度应符合要求。 精密量取供试品溶液和对照品溶液各10μl，分别注入液相色谱仪，记录色谱图。供试品溶 液色谱图中如有杂质峰，杂质F(相对保留时间约为0.89)、杂质A(相对保留时间约为1.60， 必要时用杂质A对照品确认)和杂质H(相对保留时间约为2.44)均不得大于对照溶液的 主峰面积的0.8倍(0.8％)，杂质B和杂质E(相对保留时间约为1.41)均不得大于对照溶液主峰面积的0.4倍(0.4％)，其他单个杂质峰面积不得大于对照溶液主峰面积0.8倍(0.8％)，各 杂质峰面积的和不得大于对照溶液主峰面积的2.6倍(2.6％)。

以上描述了本发明优选实施方式，然其并非用以限定本发明。本领域技术人员对在此 公开的实施方案可进行并不偏离本发明范畴和精神的改进和变化。

Claims (7)

1.一种使用湿磨机的硫酸阿米卡星结晶方法，其包括如下步骤：

在间歇式结晶釜中，加入硫酸阿卡米星浓度为10-20wt%的结晶液,控制pH值0.5-3，升温至40-55℃，反溶剂通过湿磨机与结晶液混合并经循环回路回结晶釜，控制反溶剂比例为20-40v/v%，然后加入晶种1-5wt%后，养晶2-4小时后，第二次加反溶剂，控制反溶剂比例为10-30v/v%后，停止湿磨机循环，单独间歇式结晶釜搅拌降温。

2.根据权利要求1所述的结晶方法，所述反溶剂选自甲醇、乙醇和异丙醇中的一种或者多种的组合。

3.根据权利要求1所述的结晶方法，所述反溶剂为甲醇。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的结晶方法，所述pH值3，升温至45℃，第一次控制反溶剂比例为20%，加入晶种5wt%后，养晶4小时后，第二次加反溶剂，继续加入反溶剂的比例为15v/v%。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的结晶方法，所述结晶收率为78-85%，成品的未知杂质小于0.1%。

6.根据权利要求1所述的结晶方法，所述结晶收率为80-85%，成品的未知杂质小于0.08%。

7.根据权利要求1所述的结晶方法，所述结晶收率为83-85%，成品的未知杂质不超过0.06%。