CN114093923A - 显示基板、其制作方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供的显示基板、其制作方法及显示装置，包括：衬底基板；多个发光器件，在衬底基板上呈阵列排布；多个驱动晶体管，位于多个发光器件所在层与衬底基板之间，多个驱动晶体管与多个发光器件电连接；多个光敏晶体管，与多个驱动晶体管同层设置，且各光敏晶体管位于各驱动晶体管的至少部分间隙处，光敏晶体管用于采集纹路的反射光线。

Description

显示基板、其制作方法及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。

背景技术

随着信息行业的高速发展，生物识别技术受到了越来越广泛的应用，特别地，由于不同用户的指纹不同，便于进行用户身份确认，因此，指纹识别功能已经成为手机的标配。指纹识别技术分为屏下指纹识别和屏内(in cell)指纹识别，其中，屏下指纹识别是通过将指纹识别模组贴在显示屏下方来实现的，屏内指纹识别是将光敏器件(Sensor)直接集成到显示屏内实现的，因而屏内指纹识别可以使手机更加轻薄。随着旗舰手机逐渐向着曲面屏、折叠屏发展，有机电致发光显示屏(OLED)也成为了大部分旗舰机的选择。因此OLED屏内指纹识别技术是未来手机识别解锁的重要研究方向。

发明内容

本公开实施例提供一种显示基板、其制作方法及显示装置，用以减少屏内指纹识别的掩膜工艺次数，以降低成本、提高产能。

因此，本公开实施例提供的一种显示基板，包括：

衬底基板；

多个发光器件，在所述衬底基板上呈阵列排布；

多个驱动晶体管，位于所述多个发光器件所在层与所述衬底基板之间，所述多个驱动晶体管与所述多个发光器件电连接；

多个光敏晶体管，与所述多个驱动晶体管同层设置，且各所述光敏晶体管位于各所述驱动晶体管的至少部分间隙处，所述光敏晶体管用于采集纹路的反射光线。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述光敏晶体管的有源层位于所述光敏晶体管的栅极所在层与所述衬底基板之间；

所述光敏晶体管的栅极包括第一金属部，每个所述第一金属部包括至少一个第一透光孔，所述至少一个第一透光孔在所述衬底基板上的正投影位于所述光敏晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影内。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述光敏晶体管的栅极还包括第一透明导电部，所述第一透明导电部位于所述第一金属部所在层与所述衬底基板之间，所述第一透明导电部在所述衬底基板上的正投影与所述第一金属部在所述衬底基板上的正投影大致重合。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述驱动晶体管的栅极包括第二金属部，所述第二金属部与所述第一金属部同层设置。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述驱动晶体管的栅极还包括第二透明导电部，所述第二透明导电部与所述第一透明导电部同层设置。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，每个所述第一金属部包括：一个所述第一透光孔，沿行方向排列的两个所述第一透光孔，沿列方向排列的两个所述第一透光孔，呈阵列排布的四个所述第一透光孔，或者，呈菱形排布的四个第一透光孔。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括至少一个遮光层，所述至少一个遮光层位于所述光敏晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧；

每个所述遮光层分别包括多个第二透光孔，所述第二透光孔与所述第一透光孔一一对应、且所述第二透光孔在所述衬底基板上的正投影与对应所述第一透光孔在所述衬底基板上的正投影相互交叠。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，还包括黑矩阵，所述黑矩阵位于所述多个发光器件所在层远离所述衬底基板的一侧，且所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影位于各所述发光器件的间隙在所述衬底基板上的正投影内；

所述至少一个遮光层与所述黑矩阵、所述发光器件的阳极、所述光敏晶体管的源/漏极中的至少之一共用膜层。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，所述光敏晶体管和所述驱动晶体管均为低温多晶硅晶体管。

基于同一发明构思，本公开实施例提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示基板。

基于同一发明构思，本公开实施例提供了一种上述显示基板的制作方法，包括：

提供一个衬底基板；

在所述衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各所述驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，所述光敏晶体管用于采集纹路的反射光线；

在所述多个驱动晶体管所在层上形成多个发光器件，其中，所述多个发光器件与所述多个驱动晶体管电连接。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在所述衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各所述驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，具体包括：

在所述衬底基板上形成多个第一低温多晶硅有源层和多个第二低温多晶硅有源层，其中，各所述第一低温多晶硅有源层位于各所述第二低温多晶硅有源层的至少部分间隙处；

在所述多个第一低温多晶硅有源层和所述多个第二低温多晶硅有源层上依次形成透明导电层和金属层；

对所述金属层和所述透明导电层进行刻蚀，形成位于各所述第一低温多晶硅有源层上方的第一透明导电部和第一金属部、以及位于各所述第二低温多晶硅有源层上方的第二透明导电部和第二金属部；

在每个所述第一金属部内分别形成贯穿所述第一金属部的至少一个第一透光孔；

在各所述第一金属部所在层上形成多个第一源/漏极，同时在各所述第二金属部所在层上形成多个第二源/漏极，所述第一源/漏极与所述第一低温多晶硅有源层一一对应电连接，所述第二源/漏极与所述第二低温多晶硅有源层一一对应电连接；其中，

所述第一低温多晶硅有源层、层叠设置的所述第一透明导电部和所述第一金属部、以及所述第一源/漏极构成光敏晶体管，所述第二低温多晶硅有源层、层叠设置的所述第二透明导电部和所述第二金属部、以及所述第二源/漏极构成驱动晶体管。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，在所述衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各所述驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，具体包括：

在所述衬底基板上形成多个第一低温多晶硅有源层和多个第二低温多晶硅有源层，其中，各所述第一低温多晶硅有源层位于各所述第二低温多晶硅有源层的至少部分间隙处；

在所述多个第一低温多晶硅有源层和所述多个第二低温多晶硅有源层上形成透明导电层，并对所述透明导电层进行刻蚀，形成位于各所述第一低温多晶硅有源层上方的第一透明导电部；

在所述第一透明导电部所在层上形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀，形成位于各所述第一透明导电部上方的第一金属部、以及位于各所述第二低温多晶硅有源层上方的第二金属部；其中，每个所述第一金属部包括至少一个第一透光孔；

在各所述第一金属部所在层上形成多个第一源/漏极，同时在各所述第二金属部所在层上形成多个第二源/漏极，所述第一源/漏极与所述第一低温多晶硅有源层一一对应电连接，所述第二源/漏极与所述第二低温多晶硅有源层一一对应电连接；其中，

所述第一低温多晶硅有源层、层叠设置的所述第一透明导电部和所述第一金属部、以及所述第一源/漏极构成光敏晶体管，所述第二低温多晶硅有源层、所述第二金属部、以及所述第二源/漏极构成驱动晶体管。

本公开有益效果如下：

本公开实施例提供的显示基板、其制作方法及显示装置，衬底基板；多个发光器件，在衬底基板上呈阵列排布；多个驱动晶体管，位于多个发光器件所在层与衬底基板之间，多个驱动晶体管与多个发光器件电连接；多个光敏晶体管，与多个驱动晶体管同层设置，且各光敏晶体管位于各驱动晶体管的至少部分间隙处，光敏晶体管用于采集纹路的反射光线。通过采用与驱动晶体管同层设置的光敏晶体管采集纹路(例如指纹)的反射光线进行纹路识别，实现了与驱动晶体管制作工艺的良好兼容性，避免了单独制作光敏器件，由此减少了掩膜次数，降低了成本，提高了产能。

附图说明

图1为本公开实施例提供的显示基板的结构示意图；

图2为沿图1中I-II线的一种剖面结构示意图；

图3为沿图1中I-II线的又一种剖面结构示意图；

图4为沿图1中I-II线的又一种剖面结构示意图；

图5为本公开实施例提供的第一透光孔在第一金属部上的一种排布图；

图6为本公开实施例提供的第一透光孔在第一金属部上的又一种排布图；

图7为本公开实施例提供的第一透光孔在第一金属部上的又一种排布图；

图8为本公开实施例提供的第一透光孔在第一金属部上的又一种排布图；

图9为本公开实施例提供的第一透光孔在第一金属部上的又一种排布图；

图10为沿图1中I-II线的又一种剖面结构示意图；

图11为沿图1中I-II线的又一种剖面结构示意图；

图12为本公开实施例提供的显示基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

相关技术中的光敏器件(Sensor)包括层叠设置的底电极(SD2)、N型半导体层、I型半导体层(也称为本征半导体层)、P型半导体层和顶电极(ITO)，这种结构的光敏器件具有很灵敏的光响应能力。在将上述结构的光敏器件集成到OLED屏内时，需要在OLED屏的原有制作工艺流程上增加五道掩膜工艺，分别用于制作位于光敏器件与驱动电路层之间的绝缘层(PVX1&PVX2)、第一平坦层(PLN1)，以及光敏器件的底电极(SD2)、顶电极(ITO)、覆盖顶电极(ITO)的保护层(Cover)，并且采用同一道掩膜工艺制作顶电极(ITO)、N型半导体层、I型半导体层(也称为本征半导体层)和P型半导体层。可见，在相关技术中OLED屏内集成光敏器件进行指纹识别，需要引入较多层的掩膜工艺，成本较高，产能影响较高。

为了解决相关技术中存在的上述技术问题，本公开实施例提供了一种显示基板，如图1至图3所示，包括：

衬底基板101；

多个发光器件102，在衬底基板101上呈阵列排布；发光器件102可以包括层叠设置的阳极1021、发光功能层1022和阴极1023，其中，发光功能层1022包括但不限于空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光材料层、空穴阻挡层、空穴传输层和电子注入层；发光器件102可以包括红光器件R、绿光器件G和蓝光器件B等；

多个驱动晶体管103，位于多个发光器件102所在层与衬底基板101之间，多个驱动晶体管103与多个发光器件102电连接；可选地，驱动晶体管103与发光器件102一一对应电连接；

多个光敏晶体管104，与多个驱动晶体管103同层设置，且各光敏晶体管104位于各驱动晶体管103的至少部分间隙处，光敏晶体管104用于采集纹路(例如指纹)的反射光线。可选地，光敏晶体管104可以位于各驱动晶体管103的行间隙处，具体位置可根据实际所需指纹识别的分辨率进行设置，例如分辨率越大，所需设置的光敏晶体管104的数量越多，占据的各驱动晶体管103的间隙越多。

需要说明的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于制作特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而所形成层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形可能处于相同的高度或者具有相同的厚度、也可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。

在本公开实施例提供的上述显示基板中，通过采用与驱动晶体管103同层设置的光敏晶体管104采集纹路(例如指纹)的反射光线进行纹路识别，实现了与相关技术中驱动晶体管103制作工艺的良好兼容性，避免了单独制作光敏器件(Sensor)，由此减少了掩膜次数，降低了成本，提高了产能。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图4至图9所示，光敏晶体管104的有源层P₁位于光敏晶体管104的栅极G₁所在层与衬底基板101之间，即光敏晶体管104为顶栅型晶体管，光敏晶体管104的栅极G₁可以包括第一金属部G₁₁(例如第一金属部G₁₁可以为层叠设置的钛金属层、铝金属层和钛金属层这种结构)，每个第一金属部G₁₁包括至少一个第一透光孔H₁，至少一个第一透光孔H₁在衬底基板101上的正投影位于光敏晶体管104的沟道区A在衬底基板101上的正投影内。第一透光孔H₁的存在保证了指纹的反射光线可照射至光敏晶体管104的沟道区A而产生电信号。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2和图3所示，光敏晶体管104的栅极G₁还可以包括第一透明导电部G₁₂(例如第一透明导电部G₁₂的材料可以为氧化铟锡ITO等)，第一透明导电部G₁₂位于第一金属部G₁₁所在层与衬底基板101之间，第一透明导电部G₁₂在衬底基板101上的正投影与第一金属部G₁₁在衬底基板101上的正投影大致重合，即由于工艺条件的限制或测量等其他因素的影响，第一透明导电部G₁₂在衬底基板101上的正投影与第一金属部G₁₁在衬底基板101上的正投影可能会恰好重合，也可能会有一些偏差(例如具有±2μm的偏差)，因此第一透明导电部G₁₂在衬底基板101上的正投影与第一金属部G₁₁在衬底基板101上的正投影之间“大致重合”的关系只要满足误差允许，均属于本公开的保护范围。

第一金属部G₁₁具有第一透光孔H₁，会使得为第一金属部G₁₁加载栅极电压时，沟道区A中与第一透光孔H₁对应的位置不能受到栅极电压的驱动，影响沟道区A对指纹反射光线的响应。通过在第一金属部G₁₁下方接触设置大小相近的第一透明导电部G₁₂，使得可以利用第一透明导电部G₁₂为沟道区A的全部位置提供栅极电压，从而提高沟道区A对指纹反射光线的响应灵敏度。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2至图4所示，驱动晶体管103的栅极G₂包括第二金属部G₂₁，第二金属部G₂₁与第一金属部G₁₁同层设置，以节约掩膜工序，减少膜层数量，降低生产成本，提高产能。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2所示，驱动晶体管103的栅极G₂还可以包括第二透明导电部G₂₂，第二透明导电部G₂₂与第一透明导电部G₁₂同层设置，以节约掩膜工序，减少膜层数量，降低生产成本，提高产能。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图5至图9所示，每个第一金属部G₁₁可以包括：一个第一透光孔H₁，沿行方向X排列的两个第一透光孔H₁，沿列方向Y排列的两个第一透光孔H₁，呈阵列排布的四个第一透光孔H₁，或者，呈菱形排布的四个第一透光孔H₁(例如四个第一透光孔H₁的中心连线围成一个菱形)。可选地，行方向X可以为沟道区A的长度(L)方向，列方向Y可以为沟道区A的宽度(W)方向。需要说明的是，在本公开中第一透光孔H₁在每个第一金属部G₁₁上的排布个数、排布方式、以及排布位置等并不局限于图5至图9所示的实施例。另外，第一透光孔H₁可以为全部为圆孔，全部为方孔，或部分为圆孔、其余为方孔等，在此不做具体限定。图5至图9中过孔H，用于实现光敏晶体管104的有源层P₁与源/漏极S₁/D₁的电连接。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2至图4所示，还可以包括至少一个遮光层105，全部遮光层105位于光敏晶体管104的有源层P₁远离衬底基板101的一侧；每个遮光层105分别包括多个第二透光孔H₂，第二透光孔H₂与第一透光孔H₁一一对应、且第二透光孔H₂在衬底基板101上的正投影与对应第一透光孔H₁在衬底基板101上的正投影相互交叠，使得对应设置的第一透光孔H₁和第二透光孔H₂形成准直结构，以实现小角度(例如-10°～10°)光线的采集，避免大角度杂散光的干扰，提高指纹识别的准确性。在具体实施时，第一透光孔H₁的孔径可以小于或等于第二透光孔H₂的孔径。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图10所示，还可以包括黑矩阵106，该黑矩阵106位于多个发光器件102所在层远离衬底基板101的一侧，且黑矩阵106在衬底基板101上的正投影位于各发光器件102的间隙在衬底基板101上的正投影内，也就是说，黑矩阵103在对应各发光器件102的位置具有开口K。该开口K内可以填充有色阻107，以使得各发光器件102的发射光线通过色阻107选择性出射，提高色纯度，并可降低对外界环境光的反射。

在一些实施例中，如图2至图4、图10和图11所示，本公开提供的遮光层105可以与黑矩阵106、发光器件102的阳极1021、光敏晶体管104的源/漏极S₁/D₁中的至少之一共用膜层，以节约掩膜工序，减少膜层数量，降低生产成本，提高产能。具体的，本公开中均以遮光层105仅具有一层为例进行了说明，例如在图2至图4中示出了遮光层105与阳极1021共用同一导电膜层，且遮光层105与相邻阳极1021断开设置，以避免不同阳极1021上的信号串扰；再如在图10中示出了遮光层105与黑矩阵106共用同一黑色树脂层，由于黑矩阵106上未加载任何电信号，因此，黑矩阵106与遮光层105可以复用；再如在图11中示出了遮光层105与光敏晶体管104的源/漏极S₁/D₁共用同一导电膜层，且遮光层105与源/漏极S₁/D₁断开设置，以避免源/漏极S₁/D₁上的信号串扰。

应当理解的是，相关技术中还存在一种未采用色阻107和黑矩阵106对外界环境光进行降反，而是采用圆偏光片进行降反的OLED屏，此时，遮光层105可以与发光器件102的阳极1021、光敏晶体管104的源/漏极S₁/D₁中的至少之一共用膜层。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，光敏晶体管104和驱动晶体管103可以均为低温多晶硅晶体管，即二者的有源层材质为低温多晶硅(Poly-Si)。低温多晶硅晶体管的迁移率高、功耗低、可靠性高，利于提高画面显示质量和指纹成像品质。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述显示基板中，如图2至图4、图10和图11所示，还可以包括：第一缓冲层108、第一栅绝缘层109、第二栅绝缘层110、栅金属层111、层间介质层112、第一平坦层113、像素界定层114、支撑层115、封装层116、第二缓冲层117、第二平坦层118、保护盖板119、以及读取晶体管120等；其中，读取晶体管120的结构可以与驱动晶体管103的结构相同，封装层116可以包括层叠设置的第一无机封装层(CVD1)、有机封装层(IJP)和第二无机封装层(CVD2)。对于显示基板中其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。

基于同一发明构思，本公开实施例提供了一种上述显示基板的制作方法，由于该制作方法解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，本公开实施例提供的该制作方法的实施可以参见本公开实施例提供的上述显示基板的实施，重复之处不再赘述。

具体地，本公开实施例提供的上述显示基板的制作方法，如图12所示，可以包括以下步骤：

S1201、提供一个衬底基板；

S1202、在衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，光敏晶体管用于采集纹路的反射光线；

S1203、在多个驱动晶体管所在层上形成多个发光器件，其中，多个发光器件与多个驱动晶体管电连接。

在一些实施例中，在本公开实施例提供的上述制作方法中，上述步骤S1202、在衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，具体可以通过以下两种方式进行实现：

其中第一种实现方式包括以下步骤：

第一步：在衬底基板101上形成多个第一低温多晶硅有源层(即P₁)和多个第二低温多晶硅有源层P₂，其中，各第一低温多晶硅有源层(即P₁)位于各第二低温多晶硅有源层P₂的至少部分间隙处。

第二步：在多个第一低温多晶硅有源层(即P₁)和多个第二低温多晶硅有源层P₂上依次形成透明导电层和金属层。

第三步：对金属层和透明导电层进行刻蚀，形成位于各第一低温多晶硅有源层(即P₁)上方的第一透明导电部G₁₂和第一金属部G₁₁、以及位于各第二低温多晶硅有源层P₂上方的第二透明导电部G₂₂和第二金属部G₂₁。在一些实施例中，可先采用干刻方法刻蚀金属层，然后再采用湿刻方法刻蚀透明导电层。

第四步：在每个第一金属部G₁₁内分别形成贯穿第一金属部G₁₁的至少一个第一透光孔H₁，其他晶体管(例如驱动晶体管103和读取晶体管120)的金属部不刻蚀过孔。

第五步：在各第一金属部G₁₁所在层上形成多个第一源/漏极(即S₁/D₁)，同时在各第二金属部G₂₁所在层上形成多个第二源/漏极S₂/D₂，第一源/漏极(即S₁/D₁)与第一低温多晶硅有源层(即P₁)一一对应电连接，第二源/漏极S₂/D₂与第二低温多晶硅有源层P₂一一对应电连接；其中，第一低温多晶硅有源层(即P₁)、层叠设置的第一透明导电部G₁₂和第一金属部G₁₁、以及第一源/漏极(即S₁/D₁)构成光敏晶体管104，第二低温多晶硅有源层P₂、层叠设置的第二透明导电部G₂₂和第二金属部G₂₁、以及第二源/漏极S₂/D₂构成驱动晶体管103。具体地，第一源/漏极(即S₁/D₁)与第一低温多晶硅有源层(即P₁)通过图5至图9中的过孔H电连接，该过孔H贯穿第一栅绝缘层109、第二栅绝缘层110和层间介质层112。同样，第二源/漏极S₂/D₂与第二低温多晶硅有源层P₂也通过贯穿第一栅绝缘层109、第二栅绝缘层110和层间介质层112的过孔电连接。

由上述内容可见，相较于现有技术中通过一次掩膜工艺完成驱动晶体管103的栅极G₂的制作，本公开增加了一道制作第一透光孔H₁的掩膜工艺；但相较于制作光敏器件的需增加五道掩膜工序，本公开减少了四道掩膜工艺。

第二种实现方式包括以下步骤：

第一步：在衬底基板101上形成多个第一低温多晶硅有源层(即P₁)和多个第二低温多晶硅有源层P₂，其中，各第一低温多晶硅有源层(即P₁)位于各第二低温多晶硅有源层P₂的至少部分间隙处。

第二步：在多个第一低温多晶硅有源层(即P₁)和多个第二低温多晶硅有源层P₂上形成透明导电层，并对透明导电层进行刻蚀，形成位于各第一低温多晶硅有源层(即P₁)上方的第一透明导电部G₁₂。

第三步：在第一透明导电部G₁₂所在层上形成金属层，并对金属层进行刻蚀，形成位于各第一透明导电部G₁₂上方的第一金属部G₁₁、以及位于各第二低温多晶硅有源层P₂上方的第二金属部G₂₁；其中，每个第一金属部G₁₁包括至少一个第一透光孔H₁。

第四步：在各第一金属部G11所在层上形成多个第一源/漏极(即S₁/D₁)，同时在各第二金属部G₂₁所在层上形成多个第二源/漏极S₂/D₂，第一源/漏极(即S₁/D₁)与第一低温多晶硅有源层(即P₁)一一对应电连接，第二源/漏极S₂/D₂与第二低温多晶硅有源层P₂一一对应电连接；其中，第一低温多晶硅有源层(即P₁)、层叠设置的第一透明导电部G₁₂和第一金属部G₁₁、以及第一源/漏极(即S₁/D₁)构成光敏晶体管104，第二低温多晶硅有源层P₂、第二金属部G₂₁、以及第二源/漏极S2/D₂构成驱动晶体管103。具体地，第一源/漏极(即S₁/D₁)与第一低温多晶硅有源层(即P₁)通过图5至图9中的过孔H电连接，该过孔H贯穿第一栅绝缘层109、第二栅绝缘层110和层间介质层112。同样，第二源/漏极S₂/D₂与第二低温多晶硅有源层P₂也通过贯穿第一栅绝缘层109、第二栅绝缘层110和层间介质层112的过孔电连接。

由上述内容可见，相较于现有技术中通过一次掩膜工艺完成驱动晶体管103的栅极G₂的制作，本公开增加了一道制作第一透明导电部G₁₂的掩膜工艺、以及一道制作第一透光孔H₁的掩膜工艺；但相较于制作光敏器件的需增加五道掩膜工序，本公开减少了三道掩膜工艺。

需要说明的是，对于本公开实施例中发光器件102以及其他膜层的制作与相关技术中相同，在此不做赘述。

另外，在本公开实施例提供的上述制作方法中，形成各层结构涉及到的构图工艺，不仅可以包括沉积、光刻胶涂覆、掩模板掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部的工艺过程，还可以包括其他工艺过程，具体以实际制作过程中形成所需构图的图形为准，在此不做限定。例如，在显影之后和刻蚀之前还可以包括后烘工艺。

其中，沉积工艺可以为化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法或物理气相沉积法，在此不做限定；掩膜工艺中所用的掩膜板可以为半色调掩膜板(Half ToneMask)、单缝衍射掩模板(Single Slit Mask)或灰色调掩模板(Gray Tone Mask)，在此不做限定；刻蚀可以为干法刻蚀或者湿法刻蚀，在此不做限定。

基于同一发明构思，本公开还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述显示基板，该显示基板可以为OLED显示基板。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示基板解决问题的原理相似，因此，该显示装置的实施可以参见上述显示基板的实施例，重复之处不再赘述。对于显示基板的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。

在一些实施例中，本公开实施例提供的上述显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、智能手表、健身腕带、个人数字助理等任何具有显示功能的产品或部件。本公开实施例提供的显示装置还可以包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的组成并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

显然，尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

多个发光器件，在所述衬底基板上呈阵列排布；

多个驱动晶体管，位于所述多个发光器件所在层与所述衬底基板之间，所述多个驱动晶体管与所述多个发光器件电连接；

多个光敏晶体管，与所述多个驱动晶体管同层设置，且各所述光敏晶体管位于各所述驱动晶体管的至少部分间隙处，所述光敏晶体管用于采集纹路的反射光线。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述光敏晶体管的有源层位于所述光敏晶体管的栅极所在层与所述衬底基板之间；

所述光敏晶体管的栅极包括第一金属部，每个所述第一金属部包括至少一个第一透光孔，所述至少一个第一透光孔在所述衬底基板上的正投影位于所述光敏晶体管的沟道区在所述衬底基板上的正投影内。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光敏晶体管的栅极还包括第一透明导电部，所述第一透明导电部位于所述第一金属部所在层与所述衬底基板之间，所述第一透明导电部在所述衬底基板上的正投影与所述第一金属部在所述衬底基板上的正投影大致重合。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管的栅极包括第二金属部，所述第二金属部与所述第一金属部同层设置。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述驱动晶体管的栅极还包括第二透明导电部，所述第二透明导电部与所述第一透明导电部同层设置。

6.如权利要求2～5任一项所述的显示基板，其特征在于，每个所述第一金属部包括：一个所述第一透光孔，沿行方向排列的两个所述第一透光孔，沿列方向排列的两个所述第一透光孔，呈阵列排布的四个所述第一透光孔，或者，呈菱形排布的四个第一透光孔。

7.如权利要求2～5任一项所述的显示基板，其特征在于，还包括至少一个遮光层，所述至少一个遮光层位于所述光敏晶体管的有源层远离所述衬底基板的一侧；

每个所述遮光层分别包括多个第二透光孔，所述第二透光孔与所述第一透光孔一一对应、且所述第二透光孔在所述衬底基板上的正投影与对应所述第一透光孔在所述衬底基板上的正投影相互交叠。

8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，还包括黑矩阵，所述黑矩阵位于所述多个发光器件所在层远离所述衬底基板的一侧，且所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影位于各所述发光器件的间隙在所述衬底基板上的正投影内；

所述至少一个遮光层与所述黑矩阵、所述发光器件的阳极、所述光敏晶体管的源/漏极中的至少之一共用膜层。

9.如权利要求1～5任一项所述的显示基板，其特征在于，所述光敏晶体管和所述驱动晶体管均为低温多晶硅晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的显示基板。

11.一种如权利要求1～9任一项所述显示基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供一个衬底基板；

在所述衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各所述驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，所述光敏晶体管用于采集纹路的反射光线；

在所述多个驱动晶体管所在层上形成多个发光器件，其中，所述多个发光器件与所述多个驱动晶体管电连接。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各所述驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，具体包括：

在所述衬底基板上形成多个第一低温多晶硅有源层和多个第二低温多晶硅有源层，其中，各所述第一低温多晶硅有源层位于各所述第二低温多晶硅有源层的至少部分间隙处；

在所述多个第一低温多晶硅有源层和所述多个第二低温多晶硅有源层上依次形成透明导电层和金属层；

对所述金属层和所述透明导电层进行刻蚀，形成位于各所述第一低温多晶硅有源层上方的第一透明导电部和第一金属部、以及位于各所述第二低温多晶硅有源层上方的第二透明导电部和第二金属部；

在每个所述第一金属部内分别形成贯穿所述第一金属部的至少一个第一透光孔；

在各所述第一金属部所在层上形成多个第一源/漏极，同时在各所述第二金属部所在层上形成多个第二源/漏极，所述第一源/漏极与所述第一低温多晶硅有源层一一对应电连接，所述第二源/漏极与所述第二低温多晶硅有源层一一对应电连接；其中，

所述第一低温多晶硅有源层、层叠设置的所述第一透明导电部和所述第一金属部、以及所述第一源/漏极构成光敏晶体管，所述第二低温多晶硅有源层、层叠设置的所述第二透明导电部和所述第二金属部、以及所述第二源/漏极构成驱动晶体管。

13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成多个驱动晶体管，同时在各所述驱动晶体管的至少部分间隙处形成多个光敏晶体管，具体包括：

在所述衬底基板上形成多个第一低温多晶硅有源层和多个第二低温多晶硅有源层，其中，各所述第一低温多晶硅有源层位于各所述第二低温多晶硅有源层的至少部分间隙处；

在所述多个第一低温多晶硅有源层和所述多个第二低温多晶硅有源层上形成透明导电层，并对所述透明导电层进行刻蚀，形成位于各所述第一低温多晶硅有源层上方的第一透明导电部；

在所述第一透明导电部所在层上形成金属层，并对所述金属层进行刻蚀，形成位于各所述第一透明导电部上方的第一金属部、以及位于各所述第二低温多晶硅有源层上方的第二金属部；其中，每个所述第一金属部包括至少一个第一透光孔；

在各所述第一金属部所在层上形成多个第一源/漏极，同时在各所述第二金属部所在层上形成多个第二源/漏极，所述第一源/漏极与所述第一低温多晶硅有源层一一对应电连接，所述第二源/漏极与所述第二低温多晶硅有源层一一对应电连接；其中，

所述第一低温多晶硅有源层、层叠设置的所述第一透明导电部和所述第一金属部、以及所述第一源/漏极构成光敏晶体管，所述第二低温多晶硅有源层、所述第二金属部、以及所述第二源/漏极构成驱动晶体管。

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