CN114064093A - 一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法,用以解决在存储数据过程中,如果增加或删除某些存储内容则会造成读取错误的问题;一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法,包括以下步骤:S1:根据旧的map文件获取数据的内容和存储位置;S2:和新的map文件进行比较;S3:如果内容和存储位置相同,直接刷写新的数据;S4:如果内容和存储位置不同,将原始的数据放在新的map文件中数据对应的位置进行数据存储;本发明的有益效果为:提高了存储数据的精确性。
Description
技术领域
本发明属于汽车电子技术领域,尤其涉及一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法。
背景技术
EEPROM通常用于断电后需要保留运行时可修改数据的应用中。在汽车电子领域,通常使用EEPROM来存储重要数据,但是一些设备中不包含EEPROM,所以使用FLASH来模拟EEPROM的存储功能。目前在汽车电子中,设备后,将汽车相关的数据存入模拟的EEPROM中,以便于下一次上电后获取数据。
在存储数据过程中,如果增加或删除某些存储内容,下一次上电读取会导致数据移位,读取的数据不是原本存入这一地址的内容,造成读取错误。
发明内容
本发明提供一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法,用以解决在存储数据过程中,如果增加或删除某些存储内容则会造成读取错误的问题。
一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法,包括以下步骤:
S1:根据旧的map文件获取数据的内容和存储位置;
S2:和新的map文件进行比较;
S3:如果内容和存储位置相同,直接刷写新的数据;
S4:如果内容和存储位置不同,将原始的数据放在新的map文件中数据对应的位置进行数据存储。
本发明的有益效果为:提高了存储数据的精确性。
附图说明
图1为本发明方法流程示意图;
图2为现阶段数据地址与内容不匹配时的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用进行详细描述,本部分的描述仅是示范性和解释性,不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。
在存储数据过程中,如果增加或删除某些存储内容,数据对应的地址会发生偏移,读取数据时,如果从原地址读取,会出现数据不匹配的现象(如图2)。
为了解决此问题,本发明提供一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法,包括以下步骤:
S1:根据旧的map文件获取数据的内容和存储位置;
S2:和新的map文件进行比较;
S3:如果内容和存储位置相同,直接刷写新的数据;
S4:如果内容和存储位置不同,将原始的数据放在新的map文件中数据对应的位置进行数据存储。
需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
以上所述的本发明实施方式,并不构成对本发明保护范围的限定。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (1)
1.一种基于Flash模拟EEPROM存储数据更新后可恢复的方法,包括以下步骤:
其特征在于,
S1:根据旧的map文件获取数据的内容和存储位置;
S2:和新的map文件进行比较;
S3:如果内容和存储位置相同,直接刷写新的数据;
S4:如果内容和存储位置不同,将原始的数据放在新的map文件中数据对应的位置进行数据存储。
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