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CN114063355B - 一种阵列基板和显示面板 - Google Patents

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CN114063355B CN202210051441.9A CN202210051441A CN114063355B CN 114063355 B CN114063355 B CN 114063355B CN 202210051441 A CN202210051441 A CN 202210051441A CN 114063355 B CN114063355 B CN 114063355B
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Abstract

本申请公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板上的公共电极层包括公共电极主干和多条公共电极分支，像素电极层包括多条相互连接的像素电极分支，像素电极分支包括分支主体以及与分支主体连接的分支末端，所述分支末端包括第一侧、第二侧和第三侧，第一侧与公共电极主干相对设置形成第一间隙，第二侧和第三侧分别与对应的公共电极分支相对设置形成第二间隙和第三间隙；分支主体与公共电极分支之间形成第四间隙；第一间隙、第二间隙和第三间隙中，至少一个间隙对应的宽度值小于第四间隙的宽度。通过缩小像素电极分支末端与公共电极之间的间隙，从而增大分支末端的电场强度，减少扫描线和数据线对分支末端与公共电极之间的电场干扰。

Description

一种阵列基板和显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，显示面板的显示模式也在不断变化，由之前的扭曲向列（TN）模式，发展到共平面开关（IPS）模式，IPS模式克服了TN模式中因液晶折射率各向异性引起的视觉不佳。
目前的IPS显示模式中经常出现点状色斑（Trace Mura），即上一帧结束后，液晶分子无法及时偏转到此帧需要的偏转状态而造成的影像残留现象，特别在子像素栅极线方向的像素边缘，由于公共电极和像素电极之间形成的水平方向的电场分量较像素中间位置的弱，其竖直方向的电场分量较像素中间位置的强，更易出现Trace Mura现象。
发明内容
本申请的目的是提供一种阵列基板和显示面板，降低像素边缘位置Trace Mura发生可能性的同时提升像素边缘位置的穿透率。
本申请公开了一种阵列基板，包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素，多个所述像素分别由对应的所述扫描线和所述数据线驱动，每个所述像素包括像素电极层和公共电极层；所述公共电极层包括多条公共电极分支和连接于多条所述公共电极分支的公共电极主干；所述像素电极层包括多条相互连接的像素电极分支；多条所述像素电极分支与多条所述公共电极分支交错设置；所述像素电极分支包括分支主体以及与所述分支主体连接的分支末端，所述分支末端设置在所述分支主体靠近所述公共电极主干的一端；所述分支末端包括第一侧、第二侧和第三侧，所述第一侧与所述公共电极主干相对设置形成第一间隙，所述第二侧和所述第三侧分别与所述像素电极分支两边的所述公共电极分支相对设置形成第二间隙和第三间隙；所述分支主体与所述公共电极分支之间形成第四间隙；其中，所述第一间隙、第二间隙和第三间隙中，至少一个间隙对应的宽度值小于所述第四间隙的宽度。
可选的，所述第一间隙的宽度小于所述第四间隙的宽度，所述第一间隙的宽度为d1，所述第四间隙的宽度为w，其中d1与w的比值在0.25至0.65之间，即0.25≤d1/w≤0.65。
可选的，所述第二间隙和所述第三间隙的宽度相等，所述第二间隙的宽度小于所述第四间隙的宽度；所述第二间隙和所述第三间隙的宽度为d1，所述第四间隙的宽度为w，其中d1与w的比值在0.25至0.65之间，即0.25≤d1/w≤0.65。
可选的，所述公共电极主干和所述公共电极分支的交界处与所述像素电极分支靠近所述公共电极主干的一端形成有第一过渡间隙，所述第一过渡间隙的宽度为X1，其中，w＞X1≥d1。
可选的，所述像素电极分支包括第一子分支和第二子分支，所述第一子分支通过所述第二子分支与所述分支末端连接，所述第一子分支与所述公共电极分支之间形成所述第四间隙，所述第二子分支与所述公共电极之间形成第二过渡间隙；
所述第四间隙的宽度为w，所述第一间隙的宽度为d1，所述第二过渡间隙的宽度为X2，其中，d1≤X2＜w；
所述第一间隙的宽度的取值范围为1um至2.5um，即1um≤d1≤2.5um；
所述第四间隙的宽度的取值范围为3.8um至4um，即3.8um≤w≤4um。
可选的，所述第一子分支的宽度为s1，所述第二子分支的宽度为s2，所述分支末端的宽度为w1，所述分支末端的长度为L1，所述第二子分支的长度为L2；
其中，1.8um≤s1≤2um，2um≤s2≤2.5um，2.5um≤w1≤3.5um，2.5um≤L1≤4um，4um≤L2≤8um。
可选的，所述分支末端为多边形，所述公共电极主干与所述公共电极分支的交界处为弧形倒角。
可选的，所述分支末端为圆弧形，所述公共电极主干与所述公共电极分支的交界处为弧形倒角，所述弧形倒角与所述公共电极主干靠近所述分支末端的弧形边形成圆弧形结构。
可选的，所述像素电极层还包括像素电极主干，多条所述像素电极分支连接于所述像素电极主干；所述公共电极分支包括公共电极分支主体以及与所述公共电极分支主体连接的公共电极分支末端，所述公共电极分支末端设置在所述公共电极分支主体靠近所述公共电极主干的一端，所述公共电极分支末端与所述像素电极主干以及对应的所述像素电极分支之间形成有所述第一间隙、第二间隙和第三间隙，所述公共电极分支主体与对应的所述像素电极分支形成有所述第四间隙。
本申请还公开了一种显示面板，包括彩膜基板以及如上任一所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。
相对于没有对像素电极分支的末端进行改变的方案来说，本申请通过对像素电极分支的分支末端进行改变，减少像素电极分支的分支末端与公共电极之间的间隙，从而增强像素电极分支的分支末端与公共电极之间的电场强度，从而减少数据线和扫描线与像素电极分支的分支末端或公共电极之间形成的电场干扰，减少竖直方向电场影响范围的占比，且像素电极不影响穿透率，在降低像素边缘位置Trace Mura发生可能性的同时有利于提升像素边缘位置的穿透率。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本申请的第一实施例的阵列基板的示意图；
图2是本申请的第一实施例的分支末端的放大示意图；
图3是本申请的第二实施例的分支末端的放大示意图；
图4是本申请的第三实施例的阵列基板的示意图；
图5是本申请的第四实施例的分支末端为多边形的示意图；
图6是本申请的第四实施例的分支末端为多边形的电压与穿透率变化曲线示意图；
图7是本申请的第四实施例的分支末端为多边形的水平电场变化曲线示意图；
图8是本申请的第四实施例的分支末端为圆弧形的示意图；
图9是本申请的第四实施例的分支末端为圆弧形的电压与穿透率变化曲线示意图；
图10是本申请的第四实施例的分支末端为圆弧形的水平电场变化曲线示意图；
图11是本申请的第五实施例的阵列基板的示意图；
图12是本申请的第六实施例的显示面板的示意图。
其中，100、阵列基板；110、数据线；120、扫描线；130、像素；140、像素电极层；141、像素电极主干；142、像素电极分支；143、分支末端；1431、第一侧；1432、第二侧；1433、第三侧；144、分支主体；145、第一子分支；146、第二子分支；150、公共电极层；151、公共电极主干；152、公共电极分支；153、公共电极分支末端；161、第一间隙；162、第二间隙；163、第三间隙；164、第四间隙；180、第一过渡间隙；190、第二过渡间隙；200、彩膜基板；300、显示面板。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。
图1是本申请的第一实施例的阵列基板的示意图，图2是本申请第一实施例的分支末端的放大示意图；如图1和图2所示，作为本申请的第一实施例，公开了一种阵列基板100，包括多条数据线110、多条扫描线120以及多个像素130，多个所述像素130分别由对应的所述扫描线120和所述数据线110驱动，每个所述像素130包括像素电极层140和公共电极层150；所述公共电极层150包括公共电极主干151和多条公共电极分支152，多条所述公共电极分支152连接于所述公共电极主干151，且相互平行设置；所述像素电极层140包括多条相互连接的像素电极分支142，多条所述像素电极分支142相互平行设置；多条所述像素电极分支142与多条所述公共电极分支152交错设置，所述像素电极分支142包括分支主体144以及与所述分支主体144连接的分支末端143，所述分支末端143设置在所述分支主体144靠近所述公共电极主干151的一端；所述分支末端143包括第一侧1431、第二侧1432和第三侧1433，第一侧1431为所述分支末端143最靠近所述公共电极主干151的一侧，而另外的第二侧1432和第三侧1433分别位于第一侧1431的两侧，所述第一侧1431与所述公共电极主干151相对设置形成第一间隙161，所述第二侧1432和所述第三侧1433分别与所述像素电极分支142两边的所述公共电极分支152相对设置形成第二间隙162和第三间隙163；所述分支主体144与所述公共电极分支152之间形成第四间隙164；其中，所述第一间隙161、第二间隙162和第三间隙163中，至少一个间隙对应的宽度值小于所述第四间隙164的宽度。
相对于分支末端143处水平电场受扫描线和数据线影响较大，进而出现明显TraceMura问题的现有技术来说，本申请通过减少分支末端143与所述公共电极主干151和/或公共电极分支152之间的间隙，使得分支末端143与所述公共电极主干151或像素电极分支之间的电场强度增加，减少扫描线和数据线影响，使得分支末端143与所述公共电极主干151和/或公共电极分支152之间最终的电场的电场强度整体增强的同时，提高水平电场强度，并在一定程度上提高水平电场的占比，从而保证显示面板的液晶可以得到足够的水平电场的驱动以正常显示改善Trace Mura问题；例如，在没有数据线和扫描线的影响下，假设分支末端与公共电极主干151和/或公共电极分支152之间形成的电场在水平方向和竖直方向的电场分量占比为8:2，但受到数据线和扫描线的影响较大，导致分支末端143与公共电极主干151和/或公共电极分支152之间形成的最终电场受到较大干扰，最终电场在水平方向和竖直方向的电场分量占比可能变为5.5:4.5；采用本申请的方案后，由于分支末端143与公共电极主干之间的间隙减少，分支末端143与公共电极主干151和/或公共电极分支152之间的电场强度增加，此时分支末端143与公共电极主干151和/或公共电极分支152之间形成的电场在水平方向和竖直方向的电场分量占比会少量降低，可能变为7:3，但是此时由于数据线和扫描线不变，因而受到数据线和扫描线的电场大小的影响也不变，但是因为采用本申请的方案后使得分支末端143与公共电极主干151和/或公共电极分支152之间的电场强度增加了，因而即使会受到数据线和扫描线的影响，但是干扰对于分支末端143与公共电极主干151和/或公共电极分支152之间形成的最终电场的影响减弱，最终电场在水平方向和竖直方向的电场分量可能变为6:4，即最终电场的水平电场分量强度增强，且水平电场分量的占比也能够得到一定提升，有利于减少数据线和扫描线对像素电极和公共电极形成的电场的干扰，有利于控制分支末端143位置的液晶大分子形态，从而减少Trace Mura发生可能性。
进一步的，由于第一侧与公共电极主干形成的场强对整个末端的影响比较大，一般对第一间隙的宽度进行缩小，所述第一间隙161的宽度小于所述第四间隙164的宽度，通过将原来的像素电极分支142靠近所述公共电极主干151的一端进行伸长或者将原来的公共电极主干151靠近所述像素电极142分支的一端进行伸长，从而使得第一间隙161的间隙小于原来的未改变像素电极分支和公共电极主干时形成的第一间隙的间隙且小于所述第四间隙164的宽度，增强第一间隙的电场强度。
一般的，所述第一间隙161的宽度为d1，所述第二间隙162的宽度为d2，第三间隙的宽度为d3，所述第四间隙164的宽度为w，其中d1与w的比值在0.25至0.65之间，即0.25≤d1/w≤0.65，若比值小于0.25的话，对于Trace Mura问题的改善不太明显，但是若超过0.65，即导致两者差距太大，像素电极分支142的主体分支144和末端分支143处形成场强相差太大，可能带来亮暗问题；一般的，所述第一间隙161的宽度d1的取值范围为1um至2.5um，即1um≤d1≤2.5um，通常制备过程中将1.3um设置为制备时的标准参数；所述第四间隙的宽度的取值范围为3.8um至4um，即3.8um≤w≤4um，制备过程中将4um设置为制备时的标准参数。
本实施例中，第二间隙162的宽度d2和第三间隙163的宽度d3与第四间隙164的宽度w一般相同，在本实施例中不对第二间隙162的宽度d2和第三间隙163的宽度d3进行改变。
图3是本申请的第二实施例的分支末端的放大示意图，作为本申请的第二实施例，与第一实施例不同的是，所述第二间隙162的宽度d2和所述第三间隙163的宽度d3相等，所述第二间隙的宽度d2小于所述第四间隙的宽度w；对第一间隙d1的宽度不做改变，即对末端的第一侧1431不过任何改变，通过改变第二侧1432和第三侧1433的间隙的宽度从而改变分支末端143的电场强度，一般的通过直接从第二侧1432或第三侧1433直接向对应的公共电极分支152进行延伸变化，或者由对应的公共电极分支152向分支末端143的第二侧1432和第三侧1433进行延伸，从而缩小原来的间隙宽度，增大第二侧1432和第三侧1433与对应的公共电极分支152形成的电场的强度。
当然，第二侧1432和第三侧1432的间隙也不一定要相等，即d3不等于d2，只要其中的一侧的间隙的宽度比第四间，164的宽度w也是可以的，通过分支末端的一侧的间隙的改变，也可以使得分支末端的整体场强具有一定的增强作用，对于分支末端143的Trace Mura问题的改善也具有一定的效果。
作为本申请的第二实施例不仅可以本申请与第一实施例作为不同两种实施方案，也可以一起结合成一个方案，即可以使第一间隙161、第二间隙162和第三间隙163均都小于第四间隙164的宽度，那么相当分支末端143三侧的场强都增强了，更有利与提高分支末端整体的场强，当然第一间隙161、第二间隙162和第三间隙163的宽度可以相等，也可以不相等，可以根据实际的制程进行选择优化。
图4是本申请的第三实施例的阵列基板的示意图，作为本申请的第三实施例，是对上述第一实施例或第二实施例的进一步细化和完善，所述公共电极主干151和所述公共电极分支152的交界处与所述像素电极分支142靠近所述公共电极主干151的一端形成有第一过渡间隙180，所述第一过渡间隙180的宽度为X1，其中，w＞X1≥d1，考虑到所述公共电极主干151和所述公共电极分支152的交界处所述像素电极分支142靠近所述公共电极主干151的一端的间隙一般比其他地方的间隙大，通过改变分支末端143的形状以及所述公共电极主干151和所述公共电极分支152的交界处的形状使得两者之间的间隙比没有改变前的间隙小，此处产生的间隙的宽度也比原来的小，避免交界处比第四间隙164的宽度大，导致分支末端143各处的电场差异性太大，影响电场均匀性，从而进一步的缩小所述公共电极主干151和所述公共电极分支152的交界处与所述像素电极分支142靠近所述公共电极主干151的一端的间隙形成第一过渡间隙180，第一过渡间隙180的宽度要大于第一间隙161的宽度，且小于第四间隙164的宽度，形成一个过渡段，使得像素电极分支142和公共电极分支152形成的电场由中间向末端均匀变化，依次增强。
作为本申请的第四实施例，是在上述实施例的基础上的进一步改进和细化，提供分支末端143形状为多边形或分支末端143形状为多边形的两种不同实施方式，分别可使分支末端（20um范围）95%Vop下，穿透率（ Tr）提升 23.3%和26.16%；同时使分支末端同栅极线俯视交叠位置的竖直电场分量（ΔEz）占总电场|E| 比例由原始的29.56%下降至 25.95%及28.69%，具体实例说明如下：
参考图5所示，将所述分支末端143为多边形，所述公共电极主干151与所述公共电极分支152的交界处为弧形倒角，分支末端143的各条边对应的最近的公共电极分支的边的距离相同，避免分支末端143各处与对应的公共电极分支152的间隙相差太大而导致形成的电场均匀性不高，影响水平电场和垂直电场的分布。
具体的，所述分支主体144包括第一子分支145和第二子分支146，所述第一子分支145通过所述第二子分支146与所述分支末端143连接，所述第一子分支145与所述公共电极分支152之间形成第四间隙164，所述第二子分支146与所述公共电极分支152之间形成第二过渡间隙190；所述第四间隙164的宽度为w，所述第一间隙161的宽度为d1，所述第二过渡间隙190的宽度为X2，其中，d1≤X2＜w；所述第一子分支145的宽度为s1，所述第二子分支146的宽度为s2，所述分支末端143的宽度为w1，所述分支末端143的长度为L1，所述第二子分支的长度为L2；
其中，1.8um≤s1≤2um，2um≤s2≤2.5um，2.5um≤w1≤3.5um，2.5um≤L1≤4um，4um≤L2≤8um，1um≤d1≤2.5um，3.8um≤w≤4um。
将末端的各个位置的参数进行限定，以使得分支末端各处的电场进行变化，用以提高末端位置在相同电压下的像素的穿透率（Tr），以及在液晶盒中的水平电场强度分量，从而提升边缘位置处液晶偏转效率，在数据线和扫描线的影响进行模拟，得到如图6所示的分支末端为多边形方案同原设计方案的V-T曲线，在V=6.6v情况下，Tr提升了23.3%；边缘电场 Ex的变化看参考图7所示，多边形方案的最大的水平电场Ex较原设计方案提升了13.74%。由此可知多边形方案可在降低Trace Mura发生可能性的同时提升边缘位置的Tr。
参考图8所示，与上述多边形实例不同的地方在于，所述分支末端143为圆弧形，圆弧形结构的圆的直径为D1，3um≤D1≤4um，一般取值为3.8um；所述公共电极主干151与所述公共电极分支152的交界处为弧形倒角，所述弧形倒角与所述公共电极主干151靠近所述分支末端143的弧形边形成圆弧形结构，公共电极主干151靠近所述像素电极分支的一端与所述像素电极分支的分支末端143形状相互匹配。
其中，图9为分支末端为圆弧形的方案同原设计方案的V-T曲线，在V=6.6v情况下，Tr提升了26.16%；图10为分支末端与公共电极主干形成的电场中的水平电场 Ex的对比，圆形方案的最大水平电场Ex较原设计方案提升了3.44%。由此可知圆形方案可在降低TraceMura发生可能性的同时提升边缘位置的Tr。
图11是本申请的第五实施例的阵列基板的示意图；作为本申请的第五实施例，在上述任一实施例的基础上，或者作为独立存在的实施例可以，对像素的另一端也对像素边缘进行改变，像素的另一端与上述实施例中的像素的一端相反，公共电极分支152为手指状，像素电极分支142和像素电极主干141形成手套状，所述像素电极层还包括像素电极主干141，多条所述像素电极分支142连接于所述像素电极主干141；所述公共电极分支152包括公共电极分支主体以及与所述公共电极分支主体连接的公共电极分支末端153，所述公共电极分支末端153设置在所述公共电极分支主体靠近所述公共电极主干的一端，所述公共电极分支末端153与所述像素电极主干141以及对应的所述像素电极分支142之间形成有所述第一间隙161、第二间隙162和第三间隙163，所述公共电极分支主体与对应的所述像素电极分支142形成有所述第四间隙164，通过改变公共电极分支末端153的形状，第一间隙161的宽度得到进一步的减少，相当于减少了公共电极末端与像素电极之间的间隙，有利于减少竖直方向电场影响范围的占比。
本实施例相当于在一个像素中，不仅对手指状的分支末端143的形状进行改变，以缩短分支末端143有公共电极主干或公共电极分支之间的间隙，从而增大分支末端143与公共电极主干151或公共电极分支152之间电场强度；同时也对手指状的公共电极分支末端153的形状进行改变，以缩短公共电极分支末端153与像素电极主干141之间的间隙，从而增大公共电极分支末端163与公共电极主干151之间的电场强度，减少像素边缘的Trace Mura发生的可能性，提高边缘的穿透率；当然针对每一个像素，也可以仅改变手指状的分支末端的形状。
其中，公共电极分支末端153与像素电极主干141或像素电极分支142形成的第一间隙161、第二间隙162和第三间隙164，以及公共电极分支152与像素电极分支142形成的第四间隙164均满足上述任一实施例中的对应的间隙的宽度的限定。
图12是本申请的第六实施例的显示面板的示意图，作为本申请的第六实施例，本申请还公开了一种显示面板300，包括彩膜基板200以及如上任一实施例所述的阵列基板100，以及任意一个实施例和多个实施例相互结合后得到的阵列基板100，所述彩膜基板200与所述阵列基板对盒100设置。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括多条数据线、多条扫描线以及多个像素，多个所述像素分别由对应的所述扫描线和所述数据线驱动，每个所述像素包括像素电极层和公共电极层；
其特征在于，所述公共电极层包括多条公共电极分支和连接于多条所述公共电极分支的公共电极主干；所述像素电极层包括多条相互连接的像素电极分支；
多条所述像素电极分支与多条所述公共电极分支交错设置；
所述像素电极分支包括分支主体以及与所述分支主体连接的分支末端，所述分支末端设置在所述分支主体靠近所述公共电极主干的一端；
所述分支末端包括第一侧、第二侧和第三侧，所述第一侧与所述公共电极主干相对设置形成第一间隙，所述第二侧和所述第三侧分别与所述像素电极分支两边的所述公共电极分支相对设置形成第二间隙和第三间隙；所述分支主体与所述公共电极分支之间形成第四间隙；
其中，所述第一间隙、第二间隙和第三间隙对应的宽度值均小于所述第四间隙的宽度；使得所述分支末端与所述公共电极主干和公共电极分支之间的电场增加，减少扫描线和数据线的影响，使得所述分支末端与所述公共电极主干和公共电极分支之间最终的电场的电场强度整体增强的同时，提高水平电场强度；
所述公共电极主干沿所述扫描线方向设置，所述公共电极分支沿数据线方向设置；
所述阵列基板应用于共平面开关模式的显示面板。
2.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述第一间隙的宽度小于所述第四间隙的宽度；
所述第一间隙的宽度为d1，所述第四间隙的宽度为w，其中d1与w的比值在0.25至0.65之间，即0.25≤d1/w≤0.65。
3.如权利要求1或2所述的一种阵列基板，其特征在于，所述第二间隙和所述第三间隙的宽度相等，所述第二间隙的宽度小于所述第四间隙的宽度；
所述第二间隙和所述第三间隙的宽度为d1，所述第四间隙的宽度为w，其中d1与w的比值在0.25至0.65之间，即0.25≤d1/w≤0.65。
4.如权利要求2所述的一种阵列基板，其特征在于，所述公共电极主干和所述公共电极分支的交界处与所述像素电极分支靠近所述公共电极主干的一端形成有第一过渡间隙，所述第一过渡间隙的宽度为X1，其中，w＞X1≥d1。
5.如权利要求1或4所述的一种阵列基板，其特征在于，所述分支主体包括第一子分支和第二子分支，所述第一子分支通过所述第二子分支与所述分支末端连接，所述第一子分支与所述公共电极分支之间形成所述第四间隙，所述第二子分支与所述公共电极分支之间形成第二过渡间隙；
所述第四间隙的宽度为w，所述第一间隙的宽度为d1，所述第二过渡间隙的宽度为X2，其中，d1≤X2＜w；
所述第一间隙的宽度的取值范围为1um至2.5um，即1um≤d1≤2.5um；
所述第四间隙的宽度的取值范围为3.8um至4um，即3.8um≤w≤4um。
6.如权利要求5所述的一种阵列基板，其特征在于，所述第一子分支的宽度为s1，所述第二子分支的宽度为s2，所述分支末端的宽度为w1，所述分支末端的长度为L1，所述第二子分支的长度为L2；
其中，1.8um≤s1≤2um，2um≤s2≤2.5um，2.5um≤w1≤3.5um，2.5um≤L1≤4um，4um≤L2≤8um。
7.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述分支末端为多边形，所述公共电极主干与所述公共电极分支的交界处为弧形倒角。
8.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述分支末端为圆弧形，所述公共电极主干与所述公共电极分支的交界处为弧形倒角，所述弧形倒角与所述公共电极主干靠近所述分支末端的弧形边形成圆弧形结构。
9.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述像素电极层还包括像素电极主干，多条所述像素电极分支连接于所述像素电极主干；所述公共电极分支包括公共电极分支主体以及与所述公共电极分支主体连接的公共电极分支末端，所述公共电极分支末端设置在所述公共电极分支主体靠近所述像素电极主干的一端，所述像素电极主干沿所述扫描线方向设置，所述像素电极分支沿数据线方向设置；所述公共电极分支末端与所述像素电极主干以及对应的所述像素电极分支之间形成的间隙的宽度小于所述公共电极分支主体与对应的所述像素电极分支形成的间隙的宽度。
10.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板以及如权利要求1-9任意一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板对盒设置。
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