CN114019713A - 发光组件、显示屏及发光组件制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种发光组件、显示屏及发光组件制作方法，发光组件中，相邻发光单元之间设置的光隔离单元包括与发光单元绝缘隔离的液晶单元，且该液晶单元与发光组件的电路背板电连接，液晶单元在通电状态下，其所包括的液晶层发生偏转，以阻止来自发光单元的光通过，从而防止相邻发光单元之间的光发生串扰。也即通过在相邻发光单元之间设置的液晶单元也能实现阻挡相邻发光单元所发出的光，丰富了相邻发光单元之间的挡光结构，更利于微型发光芯片的应用和发展。

Description

发光组件、显示屏及发光组件制作方法

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种发光组件、显示屏及发光组件制作方法。

背景技术

Micro LED由于其亮度高、色域覆盖广和对比对高等优势受到各家厂商的追捧，被称为次世代显示装置，近年来热度持续上升；但在实际的生产过程中还有诸多问题需要克服。例如，对于利用Micro LED芯片制作的显示面板，为了解决相邻Micro LED芯片之间的串色问题，目前的做法都是利用光刻胶(Photoresist，PR)材料在相邻Micro LED芯片之间制作PR挡墙形成挡光结构，利用该PR挡墙解决相邻Micro LED芯片之间的串色问题。目前的挡光结构单一，不利于Micro LED的应用和发展。

因此，如何解决目前挡光结构单一是亟需解决的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光组件、显示屏及发光组件制作方法，旨在解决相关技术中，挡光结构单一的问题。

一种发光组件，包括：

电路背板，

设于所述电路背板上的若干发光单元；

设于所述电路背板上，并位于相邻所述发光单元之间的光隔离单元；

所述光隔离单元包括与所述发光单元绝缘隔离的液晶单元，所述液晶单元与所述电路背板电连接，所述液晶单元在通电状态下，其包括的液晶层发生偏转，以阻止来自所述发光单元的光通过。

上述发光组件中，相邻发光单元之间设置的光隔离单元包括与发光单元绝缘隔离的液晶单元，且该液晶单元与发光组件的电路背板电连接，液晶单元在通电状态下，其所包括的液晶层发生偏转，以阻止来自发光单元的光通过，从而防止相邻发光单元之间的光发生串扰。也即通过在相邻发光单元之间设置的液晶单元也能实现阻挡相邻发光单元所发出的光，丰富了相邻发光单元之间的挡光结构，更利于微型发光芯片的应用和发展。

可选地，在本发明的一种实施例中，光隔离单元的绝缘层、正电极层和负电极层的厚度为1微米至2微米，光隔离单元的正电极层和负电极层之间的间距为1微米至6微米；从而使得光隔离单元的整体厚度可保持在5微米至14微米之间，相对利用PR材料在相邻MicroLED芯片之间制作的PR挡墙厚度(受PR料及其曝光能力限制，目前都在15微米以上)更小，能进一步减小相邻发光单元之间的间距，提升PPI(Pixels Per Inch，像素密度)。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种显示屏，包括框架和固设于所述框架上的显示面板，所述显示面板包括如上所述的发光组件。

上述显示屏的显示面板上具有通过在相邻发光单元之间设置的光隔离单元，通过该光隔离单元包括的与发光单元绝缘隔离的液晶单元，实现了相邻发光单元之间的光发生串扰，丰富了相邻发光单元之间的挡光结构。

基于同样的发明构思，本申请还提供一种发光组件制作方法，包括：

在电路背板上设置若干发光单元；

在所述电路背板上，位于相邻所述发光单元之间的区域形成光隔离单元，形成的所述光隔离单元包括与所述发光单元绝缘隔离的液晶单元，所述液晶单元与所述电路背板电连接，所述液晶单元在通电状态下，其包括的液晶层发生偏转，以阻止来自所述发光单元的光通过。

上述发光组件制作得到的发光组件中，在相邻发光单元之间形成的光隔离单元包括与发光单元绝缘隔离的液晶单元，且该液晶单元与发光组件的电路背板电连接，液晶单元在通电状态下，其所包括的液晶层发生偏转，以阻止来自发光单元的光通过，从而防止相邻发光单元之间的光发生串扰。也即制作得到的发光组件上具有新的挡光结构。

附图说明

图1为目前采用的PR挡墙示意图；

图2为本发明实施例提供的发光组件示意图一；

图3为本发明实施例提供的发光组件示意图二；

图4-1为图2中的负电极的第一侧面上的第一微凹槽示意图；

图4-2为在图4-1中的第一微凹槽中设置了第一偏振光分子的示意图；

图5为本发明实施例提供的发光组件示意图三；

图6为本发明实施例提供的发光组件示意图四；

图7为本发明实施例提供的发光组件示意图五；

图8为本发明实施例提供的发光组件示意图六；

图9为本发明实施例提供的发光组件制作方法流程示意图；

图10为本发明实施例提供的形成光隔离单元的流程示意图；

图11为本发明实施例提供的发光组件制作过程示意图；

附图标记说明：

10-显示背板，11-电路背板，20-Micro LED芯片，21-发光芯片，30-QD膜，31-光转换层，40-PR挡墙，41-绝缘层，421-负电极层，4211-第一微凹槽，422-正电极层，43-液晶层，51-第一偏振光分子，52-第一偏振光膜层，53-第二偏振光膜层，61-隔热胶层，71-色阻层，72-遮光层，81-彩膜基板。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

相关技术中，对于利用Micro LED芯片制作的显示面板，为了解决相邻Micro LED芯片之间的串色问题，目前的做法都是利用PR材料在相邻Micro LED芯片之间制作PR挡墙形成挡光结构。例如参见图1所示的显示面板，其包括显示背板10，在电路背板上设置的若干Micro LED芯片20，设于Micro LED芯片20上的QD(Quantum Dots，量子点)膜30，以及在相邻Micro LED芯片20之间设置的PR挡墙40，利用PR挡墙40解决相邻Micro LED芯片20之间的串色问题；目前的挡光结构单一，不利于Micro LED的应用和发展。

另外，受PR材料及曝光能力限制，PR挡墙40的厚度d1无法做到很小，工艺上容易出现底部曝光不足，出现膜层接着不足，俗称undercut现象。因此目前PR挡墙40的厚度d1都在15微米以上，导致显示面板的PPI小于300PPI，大大限制了Micro LED的发展应用。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

本实施例提供了一种发光组件，该发光组件可应用于显示领域，也可应用于照明领域，其中，该发光组件包括但不限于：

电路背板，

设于电路背板上的若干发光单元；此处的若干发光单元是指发光单元的数量大于等于2，且应当理解的是，各发光单元与电路背板电连接，各发光单元在电路背板上的具体分布可根据应用需求灵活设置。例如应用于显示领域时，电路背板可为显示背板，若干发光单元在显示背板上可呈矩阵或阵列分布。应当理解的是，本实施例中的电路背板可根据应用需求选用柔性电路背板，例如可以选用但不限于柔性电路板作为电路背板，该柔性电路板可选用但不限于聚脂薄膜或聚酰亚胺为基材制成。本实施例中的电路背板也可根据应用需求选用但不限于玻璃基板或PCB板制成的硬性背板；也即本实施例中对于电路背板的材质和是否为柔性的特性不做限制。当电路背板上设有驱动电路时，驱动电路的驱动方式可以为主动式，也可以为被动式。

设于电路背板上，并位于相邻发光单元之间的光隔离单元，该光隔离单元可以防止相邻发光单元光串色的情况发生。其中，本实施例中的光隔离单元包括与发光单元绝缘隔离的液晶单元，也即液晶单元可与其周边的发光单元绝缘隔离，该液晶单元与电路背板电连接，该液晶单元包括液晶层，该液晶单元在通电状态下，其液晶层发生偏转，从而阻止来自发光单元的光通过；因此当其设置在相邻发光单元之间时，则可防止邻发光单元光串色的情况发生。可见，本实施例所提供的发光组件上的挡光结构与目前采用的PR挡墙结构完全不同，既能丰富挡光结构，又能更利于发光芯片的应用和发展。

应当理解的是，在本实施例中，可以根据需求仅在电路背板上的一部分的相邻发光单元之间设置光隔离单元，也可在所有相邻发光单元之间设置光隔离单元。且在一些示例中，当发光单元在电路背板行呈矩阵或阵列分布时，可以根据需求，在行方向上的相邻发光单元之间的区域设置光隔离单元，和/或在列方向上的相邻发光单元之间的区域设置光隔离单元，具体可根据应用需求灵活选择设置。

在本实施例中，发光单元包括发光芯片，且该发光芯片可以为微型发光芯片，也即尺寸为微米级的发光芯片，例如可包括但不限于Micro-LED芯片、Mini LED芯片中的至少之一，且可包括但不限于倒装LED芯片、正装LED芯片和垂直LED芯片中的至少之一，具体可根据需求灵活选用。当然，在一些应用场景中，该微型发光芯片也可替换为普通尺寸的发光芯片。在本实施例的一些应用示例中，发光单元可仅包括发光芯片，例如应用于照明时。在本实施例的另一些应用示例中，发光单元还可包括设于发光芯片的出光面之上的光转换层，以对自出光面发出的光进行光转换。应当理解的是，本实施例中的光转换层可以直接覆盖在发光芯片的出光面上，也可不直接覆盖在发光芯片的出光面上，例如，可以在光转换层与发光芯片之间设置具有透光性的隔热层，或在光转换层与发光芯片之间设置其他具有透光性的层结构，该层结构可以是物理层，也可以是空气层。本实施例中，光转换层可以包括但不限于QD层，荧光粉胶层中的至少之一。

另外，在一些示例中，可根据应用需求，还可在其中的一部分相邻发光单元之间设置本实施例提供的光隔离单元，在一部相邻发光单元之间设置PR挡墙，也即两种挡光结构结合使用，可进一步丰富挡光方式，使用更灵活，应用场景更广泛。

在本实施例中，设于相邻发光单元之间的光隔离单元可具体包括位于液晶单元与发光单元之间的绝缘层，也即通过绝缘层将液晶单元与对应的相邻发光单元之间隔离，且应当理解的是，该绝缘层的材质和形成工艺可以灵活选用，例如其材质可选用但不限于有机PLN型有机材料或者有机绝缘硅材料，其形成工艺可选用但不限于喷涂、涂覆等方式。应当理解的是，在一些示例中，该绝缘层也可替换为空气层，也即液晶单元与对应的相邻发光单元之间通过预留的间隙实现隔离，该间隙则形成将二者绝缘隔离的空气层。

在本实施例的一种示例中，设于相邻发光单元之间的液晶单元还包括电极层和偏振光层，其中：

电极层贴附于绝缘层上，并与电路背板电连接，偏振光层位于电极层和液晶层之间；在电极层通电后，利用偏振光层的偏振作用使自发光单元侧面发出的侧向光形成偏振光，进而使得液晶层发生偏转，发光单元侧面发出的侧向光将不允许光通过。本实施例中发光单元的正面为远离电路背板的一面，发光单元的侧面为围合发光单元的正面的各表面。

本实施例中，液晶单元的偏振光层可以根据需求灵活设置，例如，在一种应用示例中，液晶单元的电极层相互绝缘设置的正电极层和负电极层；

偏振光层包括第一偏振光分子层和第二偏振光分子层中的至少之一，其中，第一偏振光分子层设于负电极层上，第二偏振光分子层设于正电极层上。例如，在一种应用场景中，设负电极层朝向液晶层的面为第一侧面，该第一侧面上设有若干第一微凹槽，第一偏振光分子层包括的若干第一偏振光分子分布于第一微凹槽内。在又一种应用场景中，设正电极层朝向液晶层的面为第二侧面，该第二侧面上设有若干第二微凹槽，第二偏振光分子层包括的若干第二偏振光分子分布于第二微凹槽内。也即，在本应用示例中，负电极层和正电极层可分别作为第一偏振光分子和第二偏振光分子的承载体。

应当理解的是，本应用示例中的第一偏振光分子和第二偏振光分子的材质和尺寸中的至少之一可以相同，也可不同。例如，第一偏振光分子和第二偏振光分子中的至少之一可以选用但不限于具有线偏光作用的碘分子或者染料分子。为了便于理解，下面结合几种附图示例对本实施例做进一步理解性的说明。

一种附图示例的发光组件参见图2所示，其包括电路背板11，设于电路背板11上的若干发光单元，其中该发光单元包括但不限于发光芯片21，以及设于发光芯片21的出光面(图2中光转换层31直接位于发光芯片21的出光面上)之上的光转换层31，本示例中的光转换层31为QD层。图2中，光隔离单元包括分别设于相邻发光单元相对的两侧面上的两绝缘层41，分别贴附于两绝缘层41上的负电极层421和正电极层422，负电极层421和正电极层422之间绝缘隔离，在负电极层421上形成的第一偏振光分子层，和/或，在正电极层422上形成的第二偏振光分子层，以及填充于负电极层421和正电极层422之间的液晶层43。

在图2所示的示例中，负电极层421和正电极层422分别通过电路背板11上设置的过孔与电路背板11上对应的电路连接。当然，在一些示例中，也可在电路背板11上在相邻发光芯片21之间的表面上预留焊盘，负电极层421和正电极层422可直接形成在各自对应的焊盘之上或通过线路与各自对应的焊盘连接。

在一种应用场景中，图2所示的两绝缘层41中的至少之一可以通过空气层代替，例如参见图3所示，在负电极层421和正电极层422与发光单元之间都预留有间隙，该间隙形成空气层，将液晶单元与发光单元绝缘隔离。

在一种应用场景中，假设在负电极层421上形成有第一偏振光分子层，此时参见图4-1和图4-2所示，图3所示为图2中的负电极层421逆时针旋转90°之后，使其朝向液晶层的面为第一侧面朝上之后的放大图。参见图4-1所示，在负电极层421的第一侧面上形成有若干第一微凹槽4211，该第一微凹槽4211的形状不做限制，可以是规则形状，例如三角形、矩形、弧形等，也可是非规则形状。参见图4-2所示，第一偏振光分子层包括的第一偏振光分子51分布于各第一微凹槽4211内。当需要在正电极层422上形成第二偏振光分子层时，也可采用图4-1和图4-2类似的结构，在此不再赘述。

图2和图3所示的发光组件中，在各相邻发光单元之间都设有光隔离单元，但应当理解的是，也可选择性的仅在其中一部分相邻发光单元之间设置光隔离单元。

图2和图3所示的发光组件中，光转换层31都是直接设置在发光芯片21的出光面上的，但在一些示例中，光转换层31也可不直接设置在出光面上，例如参见图5所示，在光转换层31和发光芯片21的出光面之间还设有具有透光性的隔热胶层61，隔热胶层61的导热性能可设置为光转换层31，从而避免发光芯片21产生的热量大量传递至对应的光转换层31而影响光转换层31的光转换效率。本实施例中的隔热胶层61可为但不限于透明胶层或半透明胶层。

在本实施例的一些示例中，发光组件还可包括设于光转换层之上的色阻层(也可称之为滤光片)，例如参见图6所示。发光组件还可包括将对应的光转换层31转换出的某种颜色的光线进一步进行颜色过滤，从而使该颜色的光线纯度更高，色彩饱和度也更好，从而提升彩色显示效果的色阻层71，各色阻层71分别设置在各自对应的光转换层31上。本示例中色阻层71具体类型，可根据光转换层31的类型对应设置。为了便于理解，下面以一种应用场景为示例进行说明。

在本应用场景中，设电路背板11的发光芯片21为蓝光Micro-LED芯片，光转换层31通过量子点彩膜实现，其包括红色量子点彩膜、绿色量子点彩膜和透明树脂彩膜，红色量子点彩膜中的量子点能将蓝光Micro-LED芯片发出的蓝光转换为红色光，绿色量子点彩膜中的量子点能将蓝Micro-LED芯片发出的蓝光转换为绿色光，透明树脂彩膜中填充有散射粒子，能使蓝光Micro-LED芯片发出的蓝光透过，从而实现彩色显示。相应的，色阻层71包括红色色阻层、绿色色阻层元和蓝色色阻层，红色色阻层与红色量子点彩膜对应；绿色色阻层与绿色量子点彩膜对应；蓝色色阻层与透明树脂彩膜对应；色阻层的设置，能对各自对应的量子点彩膜转换出的某种颜色的光线进一步进行颜色过滤，从而使该颜色的光线纯度更高，色彩饱和度也更好。

在本应用示例中，参见图6所示，还可设置位于各色阻层71之间的第遮光层72，其中遮光层72可通过不具有透光性的胶材制成，从而避免相邻色阻层71之间的光线干扰，进一步提升显示效果。当然，在一些应用示例中，该遮光层72也可选择可透光但透光性相对较差的胶材制成，在此不再赘述。

上述各图所示的发光组件都仅包括电路背板11，也即上述各图所示的发光组件为单基板发光组件。但本实施例所提供的发光组件也适用于双基本。例如一种应用示例参见图7所示，其还包括彩膜基板81，其中的色阻层71、遮光层72和光转换层31可承载于该彩膜基板81上。本应用示例中的彩膜基板81具有透光性，当然其也可采用具有透光性的封装胶层进行等同替换。应当理解的是，本示例中的彩膜基板81的材质可以灵活选用，例如可以选用但不限于玻璃基板、树脂基板、塑料基板等。

本实施例的另一种示例中，液晶单元的偏振光层还可采用如下所示的结构：

偏振光层包括第一偏振光膜层和第二偏振光膜层中的至少之一，其中：第一偏振光膜层包括第一偏振光膜，以及设于第一偏振光膜上的第三偏振光分子，第一偏振光膜贴附于负电极层朝向液晶层的第一侧面上；

第二偏振光膜层包括第二偏振光膜，以及设于第二偏振光膜上的第四偏振光分子，第二偏振光膜贴附于正电极层朝向液晶层的第二侧面上。

例如，一种应用示例参见图8所示，其与图2所示的发光组件的区别在于，液晶单元包括分别贴附于负电极层421的第一侧面上的第一偏振光膜层52和正电极层422的第二侧面上的第二偏振光膜层53。当然，根据需求，也可仅设置第一偏振光膜层52和第二偏振光膜层53中的其中一个。在实施例中，第一偏振光膜层52所包括的第一偏振光膜可为具有透光性的导电膜材，第三偏振光分子可分布于第一偏振光膜的表面(位于表面时可采用但不限于图4-1至图4-2所示的结构)和/或内部，第三偏振光分子可与上述示例中的第一偏振光分子相同。同样，第二偏振光膜层53所包括的第二偏振光膜可为具有透光性的导电膜材，第四偏振光分子可分布于第二偏振光膜的表面和/或内部，第四偏振光分子也可与上述示例中的第一偏振光分子相同。且本实施例中的第二偏振光膜和第一偏振光膜可以相同，也可不同。

在本实施例中，为了提升PPI，减小相邻发光单元之间的间距，可根据具体的应用需求设置光隔离单元中各层的尺寸，例如，在一种应用场景中，可设置光隔离单元的绝缘层、正电极层和负电极层的厚度为1微米至2微米，正电极层和负电极层之间的间距为1微米至6微米，该间距可以决定液晶层的厚度，从而使得光隔离单元的总厚度(参见图2中的d2所示)可控制在5微米至14微米之间，相对利用PR材料在相邻Micro LED芯片之间制作的PR挡墙厚度(受PR料及其曝光能力限制，目前都在15微米以上)更小，能进一步减小相邻发光单元之间的间距，提升PPI(Pixels Per Inch，像素密度)。且可根据需求使得PPI达到500PPI以上。当然，当发光组件包括图8中所示的第一偏振光膜层52和第二偏振光膜层53中的至少之一时，其尺寸可以根据需求类似设置，在此不再赘述。

为了便于理解，本实施例下面结合上述各示例中所示的发光组件的制作方法为示例进行说明。参见图9所示，其包括但不限于：

S901：在电路背板上设置若干发光单元。

在本实施例的一些示例中，可通过但不限于各种芯片巨量转移技术在电路背板上设置若干发光单元。在此不再赘述。

S902：在电路背板上，位于相邻发光单元之间的区域形成光隔离单元。

本步骤中所形成的光隔离单元包括与发光单元绝缘隔离的液晶单元，液晶单元与电路背板电连接，该液晶单元包括液晶层，该液晶单元在通电状态下，其液晶层发生偏转，以阻止来自发光单元的光通过。

在一种示例中，S902中在电路背板上，位于相邻所述发光单元之间的区域形成光隔离单元的过程参见图10所示，其可包括但不限于：

S1001：在相邻的发光单元相对的两侧面上，分别形成第一绝缘层和第二绝缘层。

在一些应用示例中，S1001步骤可以省略，第一绝缘层和第二绝缘层可通过上述各示例中的空隙代替。

S1002：在第一绝缘层和第二绝缘层相对的两侧面上分别形成相互绝缘隔离的正电极层和负电极层。

本实施例中，形成正电极层和负电极层的工艺，以及正电极层和负电极层的材质可以灵活选用，本实施例对其不做限制。

S1003：在正电极层和负电极层相对的两侧面中的至少之一上形成偏振光层。

例如，在一种示例中，可在负电极层与正电极层相对的第一侧面上形成若干第一微凹槽，在若干第一微凹槽内设置第一偏振光分子；和/或，在正电极层与负电极层相对的第二侧面上形成若干第二微凹槽，在若干第二微凹槽内设置第二偏振光分子；

又例如，在另一种示例中，在负电极层与正电极层相对的第一侧面上形成第一偏振光膜，第一偏振光膜上设有第一偏振光分子；和/或，在正电极层与负电极层相对的第二侧面上形成第二偏振光膜，第二偏振光膜上设有第二偏振光分子。

S1004：然后在正电极层和负电极层之间填充液晶形成液晶层。

为了便于理解，下面以制作图2所示的发光组件的过程为示例进行说明，参见图11所示，其包括但不限于：

S1101：在电路背板11上设置若干发光芯片21和对应的光转换层31。

本示例中设电路背板11为显示背板。发光芯片21为Micro-LED芯片，光转换层31为QD膜。

S1102：在相邻的发光单元相对的两侧面上，分别形成第一绝缘层和第二绝缘层。

参见图11所示，在各相邻的发光单元相对的两侧面上分别设有绝缘层41，该两侧面上的绝缘层41则构成第一绝缘层和第二绝缘层。且绝缘层将发光芯片21和光转换层31的侧面都覆盖。

在一种示例中，形成的绝缘层41的材料可选用但不限于有机PLN型有机材料或者有机绝缘硅材料，形成绝缘层41的工艺可选用喷涂或涂覆，形成的绝缘层41的厚度控制在1微米至2微米。

S1103：分别在第一绝缘层和第二绝缘层上形成负电极层421和正电极层422。

例如，在一种示例中，可使用银浆工艺或喷涂工艺，分别在第一绝缘层和第二绝缘层上制备负电极层421和正电极层422，制得的负电极层421和正电极层422的厚度控制在1微米至2微米。

S1104：分别在负电极层421的第一侧面和正电极层422的第二侧面上形成第一微凹槽4211和第二微凹槽。

如上所示，也可仅在负电极层421和正电极层422中的其中一个上形成微凹槽结构，在此不再赘述。

在一些示例中，可通过但不限于使用Mask图案化工艺在负电极层421的第一侧面和正电极层422的第二侧面上形成第一微凹槽4211和第二微凹槽。

S1105：分别在负电极层421的第一微凹槽4211和正电极层422的第二微凹槽设置第一偏振分子51和第二偏振分子。

本示例中可通过但不限于涂覆工艺，分别在第一微凹槽4211和第二微凹槽中设置第一偏振分子51和第二偏振分子，其中该微凹槽结构可实现偏振分子的做取向排布。本示例中的第一偏振分子51和第二偏振分子选用碘分子或者染料分子。

S1106：在负电极层421和正电极层422之间填充液晶形成液晶层43。

在本实施例中，当制作图8所述的发光组件时，只需将图11中所示的步骤S1104和S1105替换层制作第一偏振光膜层和第二偏振光膜层即可，在此不再赘述。

对通过图11所示的制作方法制得的发光组件正常点亮时，通过向加有液晶层两侧的正电极层和负电极层通电，利用碘分子或者染料分子的偏振作用使Micro-LED芯片的侧向光形成偏振光，液晶层发生偏转，QD膜与Micro-LED芯片侧向的光将不允许光通过，从而实现巧妙的挡光设计，同时可大大提高产品PPI(可达到500PPI以上)，大大拓展了量子点技术的应用领域。

本实施例还提供了一种显示屏，包括框架和显示面板；显示面板固定在框架上；显示面板包括如上所示的发光组件，其中该发光组件中的相邻发光单元之间的间距可以设置的更小，从而使得显示屏的PPI更高，进而可提升显示屏的显示效果。该显示屏可应用于但不限于各种智能移动终端，车载终端、穿戴设备、PC、显示器、电子广告板等。

本实施例还提供了一种拼接显示屏，包括该拼接显示屏可通过至少两个如上所示的显示屏拼接而成，由于单个显示屏的PPI更高，因此可进一步保证拼接后的显示屏的PPI，提升视觉效果。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种发光组件，其特征在于，包括：

电路背板，

设于所述电路背板上的若干发光单元；

设于所述电路背板上，并位于相邻所述发光单元之间的光隔离单元；

所述光隔离单元包括与所述发光单元绝缘隔离的液晶单元，所述液晶单元与所述电路背板电连接，所述液晶单元在通电状态下，其包括的液晶层发生偏转，以阻止来自所述发光单元的光通过。

2.如权利要求1所述的发光组件，其特征在于，所述光隔离单元还包括位于所述液晶单元与所述发光单元之间的绝缘层，所述液晶单元还包括电极层和偏振光层；

所述电极层贴附于所述绝缘层上，并与所述电路背板电连接，所述偏振光层位于所述电极层和所述液晶层之间。

3.如权利要求2所述的发光组件，其特征在于，所述电极层包括相互绝缘设置的正电极层和负电极层；

所述偏振光层包括第一偏振光分子层和第二偏振光分子层中的至少之一；

所述第一偏振光分子层包括若干第一偏振光分子，所述第一偏振光分子分布于所述负电极层的第一侧面上的若干第一微凹槽内，所述第一侧面为所述负电极层朝向所述液晶层一面；

所述第二偏振光分子层包括若干第二偏振光分子，所述第二偏振光分子分布于所述正电极层的第二侧面上的若干第二微凹槽内，所述第二侧面为所述正电极层朝向所述液晶层一面；

或，

所述偏振光层包括第一偏振光膜层和第二偏振光膜层中的至少之一；

所述第一偏振光膜层包括第一偏振光膜，以及设于所述第一偏振光膜上的第三偏振光分子，所述第一偏振光膜贴附于所述负电极层朝向所述液晶层的第一侧面上；

所述第二偏振光膜层包括第二偏振光膜，以及设于所述第二偏振光膜上的第四偏振光分子，所述第二偏振光膜贴附于所述正电极层朝向所述液晶层的第二侧面上。

4.如权利要求3所述的发光组件，其特征在于，所述绝缘层、所述正电极层和所述负电极层的厚度为1微米至2微米，所述正电极层和所述负电极层之间的间距为1微米至6微米。

5.如权利要求1-4任一项所述的发光组件，其特征在于，所述发光单元包括微型发光芯片，以及设于所述微型发光芯片的出光面之上的光转换层。

6.如权利要求3或4所述的发光组件，其特征在于，所述第一偏振光分子、所述第二偏振光分子、第三偏振光分子和所述第四偏振光分子为具有线偏光作用的碘分子或者染料分子。

7.一种显示屏，其特征在于，包括框架和固设于所述框架上的显示面板，所述显示面板包括如权利要求1-6任一项所述的发光组件。

8.一种发光组件制作方法，其特征在于，包括：

在电路背板上设置若干发光单元；

在所述电路背板上，位于相邻所述发光单元之间的区域形成光隔离单元，形成的所述光隔离单元包括与所述发光单元绝缘隔离的液晶单元，所述液晶单元与所述电路背板电连接，所述液晶单元在通电状态下，其包括的液晶层发生偏转，以阻止来自所述发光单元的光通过。

9.如权利要求8所述的发光组件制作方法，其特征在于，所述在所述电路背板上，位于相邻所述发光单元之间的区域形成光隔离单元包括：

在相邻的所述发光单元相对的两侧面上，分别形成第一绝缘层和第二绝缘层；

在所述第一绝缘层和第二绝缘层相对的两侧面上分别形成相互绝缘隔离的正电极层和负电极层；

在所述正电极层和所述负电极层相对的两侧面中的至少之一上形成偏振光层；

在所述正电极层和所述负电极层之间填充液晶形成所述液晶层。

10.如权利要求9所述的发光组件制作方法，其特征在于，所述在所述正电极层和所述负电极层相对的两侧面中的至少之一上形成偏振光层包括：

在所述负电极层与所述正电极层相对的第一侧面上形成若干第一微凹槽，在所述若干第一微凹槽内设置第一偏振光分子；和/或，在所述正电极层与所述负电极层相对的第二侧面上形成若干第二微凹槽，在所述若干第二微凹槽内设置第二偏振光分子；

或，

在所述负电极层与所述正电极层相对的第一侧面上形成第一偏振光膜，所述第一偏振光膜上设有第一偏振光分子；和/或，在所述正电极层与所述负电极层相对的第二侧面上形成第二偏振光膜，所述第二偏振光膜上设有第二偏振光分子。

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