CN113836059B - 一种应用于eeprom存储器的控制系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种应用于EEPROM存储器的控制系统，包括：EEPROM控制器和EEPROM存储器；其中，所述EEPROM控制器提供可配置的EEPROM参数，以控制所述EEPROM存储器的运行。本发明通过EEPROM控制器提供可灵活配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器的运行，使得EEPROM存储器可基于不同的配置参数实现多样的运行方式，从而实现EEPROM存储器的通用化。

Description

一种应用于EEPROM存储器的控制系统

技术领域

本发明涉及存储控制技术领域，尤其涉及一种应用于EEPROM存储器的控制系统。

背景技术

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）存储器是一种电可擦除可编程只读存储器存储芯片，特性是掉电数据不丢失，可以频繁的反复擦除和编程。

EEPROM存储器常用在处理器系统中对关键信息进行存储，如系统的初始化信息、过程中的关键信息以及特殊的数据等。ROM存储器是一次性编程只读存储器，EEPROM存储器相对于ROM具有多次擦除和编程的优点；RAM存储器是一种掉电数据丢失的随机存取存储器，EEPROM存储器相对于RAM具有掉电不丢失的特性。

但是，现有的控制EEPROM存储器运行的EEPROM控制器以固有的方式对EEPROM存储器进行控制，致使EEPROM存储器的应用受限。

发明内容

本发明提供一种应用于EEPROM存储器的控制系统，用以解决现有的控制EEPROM存储器运行的EEPROM控制器以固有的方式对EEPROM存储器进行控制，致使EEPROM存储器的应用受限的问题，实现可灵活配置EEPROM参数，以使得EEPROM存储器可实现多样的运行方式，从而实现EEPROM存储器的通用化。

本发明提供一种应用于EEPROM存储器的控制系统，包括：

EEPROM控制器和EEPROM存储器；

其中，所述EEPROM控制器提供可配置的EEPROM参数，以控制所述EEPROM存储器的运行。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述控制系统还包括：微控制器；

所述EEPROM控制器的接口包括与所述微控制器连接的第一接口和与所述EEPROM存储器连接的第二接口；

其中，所述第一接口用于所述微控制器向所述EEPROM控制器发送配置信息；

所述第二接口用于所述EEPROM控制器向所述EEPROM存储器发送控制信号。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述EEPROM控制器包括以下至少一个模块：

读写操作模块、缓存区模块、控制寄存器、字节数寄存器、地址寄存器、检测控制模块、计数器、累加器、读时序模块、擦时序模块、编程时序模块、数据更新模块、移位缓存模块和位计数器。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述EEPROM存储器用于接收所述至少一个模块发送的所述控制信号，并基于所述控制信号执行读取操作、擦除操作和编程操作中的至少一项。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述读写操作模块用于接收所述微控制器通过所述第一接口发送的所述配置信息，并将所述配置信息对应发送至以下至少一个模块：

所述控制寄存器、所述字节数寄存器和所述地址寄存器。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述字节数寄存器用于接收所述配置信息中的第一配置信息，所述第一配置信息用于指示所述EEPROM存储器执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的字节数；

所述地址寄存器用于接收所述配置信息中的第二配置信息，所述第二配置信息用于指示所述EEPROM存储器执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的地址。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述控制信号包括时序信号，不同的所述时序信号对应所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中不同的操作；

所述控制寄存器用于接收所述配置信息中的第三配置信息；所述检测控制模块用于检测所述控制寄存器基于所述第三配置信息响应的目标控制位，并基于所述目标控制位指示所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项输出对应的时序信号至所述EEPROM存储器，以使所述EEPROM存储器基于所述时序信号执行与所述时序信号对应的操作。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述计数器用于根据所述检测控制模块获取的所述目标控制位，计算目标计数值，并将所述目标计数值输入所述目标控制位指示的所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项，以使所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项向所述EEPROM存储器输入对应的所述时序信号。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述累加器用于对所述EEPROM存储器完成所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作的操作次数进行累加，获取第一累加数值；

所述累加器还用于在所述第一累加数值小于所述字节数寄存器存储的字节数值的情况下，基于所述地址寄存器存储的第一地址信息和所述第一累加数值，输出第二地址信息，所述第二地址信息用于指示所述EEPROM存储器执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的地址；在所述第一累加数值大于或等于所述字节数寄存器存储的字节数值的情况下，输出所述EEPROM存储器完成操作的信号。

可选地，根据本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，所述数据更新模块用于将向所述EEPROM存储器读取的第一数据发送至所述缓存区模块，或向所述缓存区模块读取的第二数据发送至所述EEPROM存储器连接的数据线端口；

其中，所述数据更新模块是基于所述移位缓存模块和所述位计数器对所述EEPROM存储器中的数据进行读取的。

本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，通过EEPROM控制器提供可灵活配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器的运行，使得EEPROM存储器可基于不同的配置参数实现多样的运行方式，从而实现EEPROM存储器的通用化。

附图说明

为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的应用于EEPROM存储器的控制系统的结构示意图之一；

图2是本发明提供的应用于EEPROM存储器的控制系统的结构示意图之二；

图3是本发明提供的EEPROM控制器的结构示意图；

图4是本发明提供的EEPROM存储器的读时序示意图；

图5是本发明提供的EEPROM存储器的页擦除时序示意图；

图6是本发明提供的EEPROM存储器的字节擦除时序示意图；

图7是本发明提供的EEPROM存储器的字节编程时序示意图；

图8是本发明提供的EEPROM存储器的页编程时序示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合图1-图8描述本发明提供的应用于EEPROM存储器的控制系统。

图1是本发明提供的应用于EEPROM存储器的控制系统的结构示意图之一，如图1所示，所述控制系统100包括：

EEPROM控制器110和EEPROM存储器120；

其中，所述EEPROM控制器110提供可配置的EEPROM参数，以控制所述EEPROM存储器120的运行。

可选地，控制系统100可以包括EEPROM控制器110和EEPROM存储器120。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120的运行。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行读取操作。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行位（Binary Digit，BIT）读取的操作。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行擦除操作。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行字节擦除的操作。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行页擦除的操作。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行编程操作。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行字节编程的操作。

可选地，EEPROM控制器110可以提供可配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器120执行页编程的操作。

可选地，可配置的EEPROM参数可以包括EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的任一项对应的控制位。

可选地，可配置的EEPROM参数可以包括EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的任一项对应的页数、字节数或比特数。

可选地，可配置的EEPROM参数可以包括EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的任一项对应的起始地址。

可选地，可配置的EEPROM参数可以包括EEPROM存储器120执行擦除操作或编程操作对应的擦除时间或编程时间。

例如，EEPROM控制器110配置的擦除时间为10秒，则EEPROM存储器120在10秒的时间内，执行数据擦除的操作。

例如，EEPROM控制器110配置的编程时间为15秒，则EEPROM存储器120在15秒的时间内，执行数据编程的操作。

可选地，可配置的EEPROM参数可以包括EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的任一项对应的驱动时钟。

可选地，可以通过微控制器（Microcontroller Unit，MCU）对EEPROM控制器110中的EEPROM参数进行配置。

为了克服现有的控制EEPROM存储器运行的EEPROM控制器仅能以固有的方式对EEPROM存储器进行控制，致使EEPROM存储器的应用受限的缺陷，本发明通过设置可灵活配置的EEPROM参数至EEPROM控制器中，并通过EEPROM控制器控制EEPROM存储器的运行，使得EEPROM存储器可以基于配置不同的EEPROM参数实现多样的运行方式，从而实现EEPROM存储器的通用化。

本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，通过EEPROM控制器提供可灵活配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器的运行，使得EEPROM存储器可基于不同的配置参数实现多样的运行方式，从而实现EEPROM存储器的通用化。

可选地，所述控制系统100还包括：微控制器；

所述EEPROM控制器110的接口包括与所述微控制器连接的第一接口和与所述EEPROM存储器120连接的第二接口；

其中，所述第一接口用于所述微控制器向所述EEPROM控制器110发送配置信息；

所述第二接口用于所述EEPROM控制器110向所述EEPROM存储器120发送控制信号。

可选地，控制系统100还可以包括微控制器。

可选地，EEPROM控制器110的接口可以包括与微控制器连接的第一接口。

可选地，EEPROM控制器110的接口还可以包括与EEPROM存储器120连接的第二接口。

可选地，第一接口可以用于微控制器向EEPROM控制器110发送配置信息。

可选地，微控制器向EEPROM控制器110发送的配置信息可以用于配置EEPROM控制器110中的EEPROM参数。

可选地，第二接口可以用于EEPROM控制器110向EEPROM存储器120发送控制信号。

可选地，EEPROM控制器110向EEPROM存储器120发送的控制信号可以用于控制EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的至少一项。

可选地，EEPROM存储器120具有的连接接口可以包括以下至少一项：EE_READ、EE_WRITE、EE_ERASE、EE_TRANSFER、EE_CLK、EE_BUFCLR、EE_ERASE_ALL_EN、EE_DATASYN、EE_PROGRAM_EN、EE_DATASYNIN_EEDBO、8位EE_DBI、9位EE_ADDR、3位EE_ADDR_BIT和EE_DBO。

其中，EE_READ可以是数据读取信号接口，EE_WRITE可以是数据写入信号接口，EE_ERASE可以是数据擦除信号接口，EE_TRANSFER可以是数据传输信号接口，EE_CLK可以是时钟信号接口，EE_BUFCLR可以是清理缓冲区接口，EE_ERASE_ALL_EN可以是识别擦除信号接口，EE_DATASYN可以是数据同步接口，EE_PROGRAM_EN可以是编程信号接口，EE_DATASYNIN_EEDBO可以是数据的同步输出信号接口，8位EE_DBI可以是8位的数据线接口，9位EE_ADDR可以是9位的地址线接口，3位EE_ADDR_BIT可以是3位的字节地址接口，EE_DBO可以是默认用户接口。

可选地，微控制器可以通过高级高性能总线（Advanced High Performance Bus，AHB）向EEPROM控制器110发送配置信息。

例如，图2是本发明提供的应用于EEPROM存储器的控制系统的结构示意图之二，如图2所示，控制系统由微控制器MCU 200、EEPROM控制器201、EEPROM存储器204、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）202和其余功能IP（Intellectual Property）203等组成，MCU通过AHB总线接口调用EEPROM控制器201向EEPROM存储器204编程或者读取EEPROM存储器204的数据，再把读取的数据转移到RAM或其余功能IP等，作为数据或者初始化信息使用。EEPROM存储器204采用的是108页，每页4字节，可以执行BIT读取、字节擦除、页擦除、字节编程或页编程。

本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，通过微控制器对EEPROM控制器中的EEPROM参数进行配置，使得EEPROM存储器可以基于EEPROM控制器提供的不同的配置参数实现多样的运行方式，从而实现EEPROM存储器的通用化。

可选地，所述EEPROM控制器110包括以下至少一个模块：

读写操作模块、缓存区模块、控制寄存器、字节数寄存器、地址寄存器、检测控制模块、计数器、累加器、读时序模块、擦时序模块、编程时序模块、数据更新模块、移位缓存模块和位计数器。

例如，图3是本发明提供的EEPROM控制器的结构示意图，如图3所示，EEPROM控制器110包括如下模块：AHB读写操作模块300、缓存区模块301、控制寄存器302、字节数寄存器303、地址寄存器304、检测控制模块305、计数器306、累加器307、读时序模块308、擦时序模块309、编程时序模块310、数据更新模块311、移位缓存模块312和位计数器313；接口包括与MCU连接的AHB总线接口和与EEPROM存储器连接的接口。

可选地，读写操作模块可以用于接收微控制器向EEPROM控制器110发送的配置信息。

可选地，读写操作模块可以用于接收微控制器通过AHB总线向EEPROM控制器110发送的配置信息。

可选地，读写操作模块可以用于将接收的配置信息发送至缓存区模块，以对配置信息进行缓存。

可选地，读写操作模块可以用于将接收的配置信息对应发送至控制寄存器、字节数寄存器和地址寄存器中的至少一项。

可选地，缓存区模块可以是EEPROM存储器120操作的缓存区域，其缓存的数据可以通过EEPROM存储器120的接口写入EEPROM存储器120内部，或者MCU可以通过AHB总线向缓存区模块获取缓存数据。

可选地，控制寄存器可以用于接收MCU通过AHB总线向EEPROM控制器110写入的控制位，EEPROM控制器110可以根据控制位配合字节数寄存器和地址寄存器，向EEPROM存储器120写入或读取多个指定地址的数据。

可选地，字节数寄存器可以用于存储EEPROM控制器110向EEPROM存储器120操作的字节数或者页数。

可选地，地址寄存器可以用于存储EEPROM控制器110操作EEPROM存储器120的起始地址。

可选地，检测控制模块可以用于检测控制寄存器响应的控制位。当MCU向控制寄存器写入数据时，检测到响应的控制位，EEPROM控制器110通过读时序模块、擦时序模块或者编程时序模块向EEPROM存储器120发送对应的时序信号，以控制EEPROM存储器120执行所述时序信号对应的操作，例如，执行读取、擦除或编程的操作。

可选地，在读时序模块、擦时序模块或编程时序模块启动的情况下，计数器也会启动，计算符合时序要求的计数值，时序信号根据计数值进行EEPROM接口信号的控制。

可选地，累加器可以用于对EEPROM存储器120的操作次数进行累加，可以结合字节数寄存器、地址寄存器以及完成一次操作的信号进行递加，给出当前操作EEPROM存储器120的地址信息。

可选地，读时序模块可以基于读时序的时序要求，并结合计数器的计数值向EEPROM存储器120输出符合的信号时序，EEPROM存储器120的读时序可以是以BIT位的方式进行读取，以此向EEPROM存储器读取存储器的信息。

可选地，擦时序模块可以基于擦除时序的时序要求，并结合计数器的计数值向EEPROM存储器120输出符合的信号时序，EEPROM存储器120的擦除时序可以有两种方式：字节擦除和页擦除，以此擦除EEPROM存储器120的信息，擦除后该信息全为0。

可选地，编程时序模块可以基于编程时序的时序要求，并结合计数器的计数值向EEPROM存储器120输出符合的信号时序，EEPROM存储器120的编程时序有两种方式：字节编程和页编程，以此向EEPROM存储器120擦除存储器的信息，写入信息是由EEPROM存储器120进行或运算，所以在编程信息之前，一般会先擦除信息后再编程写入。

可选地，数据更新模块可以用于向缓存区模块更新数据或者读取数据。在更新数据的情况下，会向EEPROM存储器120读取信息，一旦读取一字节或者一页时，可以向缓存区模块写入数据，完成缓存区模块的数据更新；在读取数据的情况下，一旦被写入数据更新模块的数据被发送到EEPROM存储器120的EE_DBO端口上，EEPROM存储器120会向数据更新模块提出申请读取下一个数据，此时数据更新模块会向缓存区模块读取一个数据，并等待此数据输出到EEPROM存储器120的EE_DBO端口上。

可选地，由于EEPROM存储器120的输出是一位数据，因此移位缓存模块可以用于在读时序的情况下，对控制器接收的输入数据进行移位，从而组合成一个8位或者32位的数据。

可选地，位计数器可以用于对读时序的移位操作进行计算，一旦进行到8位或者32位，执行一次向EEPROM存储器120更新数据的操作，然后进行下一次的数据的移位和位计数。

本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，通过EEPROM控制器基于配置的EEPROM参数发出控制信号，以控制EEPROM存储器执行读取、擦除或编程的操作，使得EEPROM存储器可以以多种方式进行运行。

可选地，所述EEPROM存储器120用于接收所述至少一个模块发送的所述控制信号，并基于所述控制信号执行读取操作、擦除操作和编程操作中的至少一项。

可选地，EEPROM存储器120可以用于接收至少一个模块发送的控制信号，并基于控制信号执行读取操作、擦除操作和编程操作中的至少一项。

例如，EEPROM存储器120可以接收读时序模块发送的读时序信号，并基于读时序信号执行读取操作。

例如，EEPROM存储器120可以接收擦时序模块发送的擦除时序信号，并基于擦除时序信号执行擦除操作。

例如，EEPROM存储器120可以接收擦时序模块发送的页擦除时序信号，并基于页擦除时序信号执行页擦除操作。

例如，EEPROM存储器120可以接收擦时序模块发送的字节擦除时序信号，并基于字节擦除时序信号执行字节擦除操作。

例如，EEPROM存储器120可以接收编程时序模块发送的编程时序信号，并基于编程时序信号执行编程操作。

例如，EEPROM存储器120可以接收编程时序模块发送的页编程时序信号，并基于页编程时序信号执行页编程操作。

例如，EEPROM存储器120可以接收编程时序模块发送的字节编程时序信号，并基于字节编程时序信号执行字节编程操作。

本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，通过EEPROM控制器发送的控制信号以控制EEPROM存储器执行读取、擦除或编程的操作，使得EEPROM存储器可以以多种方式进行运行。

可选地，所述读写操作模块用于接收所述微控制器通过所述第一接口发送的所述配置信息，并将所述配置信息对应发送至以下至少一个模块：

所述控制寄存器、所述字节数寄存器和所述地址寄存器。

可选地，读写操作模块可以用于接收微控制器通过第一接口发送的配置信息。

可选地，读写操作模块还可以用于将接收到的配置信息对应发送至以下至少一个模块：控制寄存器、字节数寄存器和地址寄存器。

例如，读写操作模块可以将配置信息中的控制信息发送至控制寄存器，以对控制寄存器中的控制参数进行配置。

例如，读写操作模块可以将配置信息中的字节信息发送至字节寄存器，以对字节寄存器中的字节参数进行配置。

例如，读写操作模块可以将配置信息中的地址信息发送至地址寄存器，以对地址寄存器中的地址参数进行配置。

可选地，所述字节数寄存器用于接收所述配置信息中的第一配置信息，所述第一配置信息用于指示所述EEPROM存储器120执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的字节数；

所述地址寄存器用于接收所述配置信息中的第二配置信息，所述第二配置信息用于指示所述EEPROM存储器120执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的地址。

可选地，字节数寄存器可以用于接收配置信息中的第一配置信息。

可选地，第一配置信息可以用于指示EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的至少一项对应的字节数。

可选地，地址寄存器可以用于接收配置信息中的第二配置信息。

可选地，第二配置信息可以用于指示EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的至少一项对应的地址。

可选地，所述控制信号包括时序信号，不同的所述时序信号对应所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中不同的操作；

所述控制寄存器用于接收所述配置信息中的第三配置信息；所述检测控制模块用于检测所述控制寄存器基于所述第三配置信息响应的目标控制位，并基于所述目标控制位指示所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项输出对应的时序信号至所述EEPROM存储器120，以使所述EEPROM存储器120基于所述时序信号执行与所述时序信号对应的操作。

可选地，EEPROM控制器110发送的控制信号可以包括时序信号。

可选地，不同的时序信号可以对应读取操作、擦除操作和编程操作中不同的操作。

例如，读时序信号可以对应读取操作，擦除时序信号可以对应擦除操作，编程时序信号可以对应编程操作。

可选地，控制寄存器可以用于接收配置信息中的第三配置信息。

可选地，检测控制模块可以用于检测控制寄存器基于第三配置信息响应的目标控制位。

可选地，检测控制模块还可以用于基于目标控制位指示读时序模块、擦时序模块和编程时序模块中的至少一项输出对应的时序信号至EEPROM存储器120，以使EEPROM存储器120基于时序信号执行与时序信号对应的操作。

例如，检测控制模块基于目标控制位指示读时序模块输出读时序信号至EEPROM存储器120，以使EEPROM存储器120基于读时序信号执行读取数据的操作。

例如，检测控制模块基于目标控制位指示擦时序模块输出擦除时序信号至EEPROM存储器120，以使EEPROM存储器120基于擦除时序信号执行擦除数据的操作。

例如，检测控制模块基于目标控制位指示编程时序模块输出编程时序信号至EEPROM存储器120，以使EEPROM存储器120基于编程时序信号执行编程数据的操作。

图4是本发明提供的EEPROM存储器的读时序示意图，如图4所示，读时序需要先拉高EE_TRANSFER和EE_READ信号，并给出地址信息，包括页地址、字节地址或BIT地址，然后拉高EE_DATASYNIN_EEDBO信号，等待一个t6时间，EE_DBO会显示对应的EEPROM存储器指定的位的电平，此时采样可得到该位的电平，重复操作改变地址信息，可以读取到一字节、一页或者整块EEPROM存储器的数据。

图5是本发明提供的EEPROM存储器的页擦除时序示意图，图6是本发明提供的EEPROM存储器的字节擦除时序示意图，如图5和图6所示，擦除时序时需要先拉高EE_TRANSFER和EE_ERASE信号，并给出EE_ADDR地址信息，如果是页擦除，需要将EE_ERASE_ALL_EN信号拉高，如果是字节擦除，需要将EE_ERASE_ALL_EN保持低电平，然后拉高EE_DATASYN信号，再拉高EE_PROGRAM_EN信号保持一段时间，此时高速时钟（High-speed Clock，HCLK）已驱动，EEPROM存储器的电荷泵电压vhh将会升高，当达到一定的电压时，EEPROM存储器将会擦除对应的地址的数据。

图7是本发明提供的EEPROM存储器的字节编程时序示意图，图8是本发明提供的EEPROM存储器的页编程时序示意图，如图7和图8所示，在编程前，建议先拉高EE_BUFCLR信号清除EEPROM存储器缓存区的数据，等待t1时间，再拉低EE_BUFCLR信号；如果已先执行擦除，可以不用再执行清除EE_BUFCLR；由于每一字节都有对应的缓存区，所以执行连写操作，只需要一次清除缓存区操作。编程时序需要先拉高EE_TRANSFER和EE_WRITE信号，并给出EE_ADDR字节地址信息，如果是字节编程，需要给出字节数据，之后拉高EE_DATASYN信号同步数据到EEPROM存储器的缓存区上，如果是页编程，需要给出字节地址并给出字节数据，然后拉高EE_DATASYN信号同步数据到EEPROM存储器的缓存区上，拉低EE_DATASYN信号装载下一个字节地址和数据，再拉高EE_DATASYN信号同步数据到EEPROM存储器的缓存区上，重新操作把四字节的数据加载到EEPROM存储器的缓存区后，再拉高EE_PROGRAM_EN信号，EEPROM存储器的电荷泵电压vhh将会升高，当达到一定的电压时，EEPROM存储器会将缓存区的数据写入对应的地址。

可选地，微控制器MCU可以通过AHB总线接口向EEPROM控制器110的控制寄存器写入相应的控制位，EEPROM控制器110根据控制位向EEPROM存储器120执行读取、擦除或者编程的操作。

可选地，在读时序时，EEPROM控制器110可以根据地址寄存器存储的初始地址信息和字节寄存器存储的操作字节数，向EEPROM存储器120输出符合图4的时序信号，以使EEPROM存储器120可以按位获取数据，缓存到缓存区，微控制器MCU再通过AHB总线向缓存区读取数据。

可选地，在擦除时序时，可以包括两种擦除方式：页擦除和字节擦除。EEPROM控制器110可以根据地址寄存器存储的初始地址信息和字节寄存器存储的操作字节数，向EEPROM存储器120输出符合图5或者图6的时序信号，以使EEPROM存储器120可以擦除存储器内操作地址的数据，按照图5或者图6的t8时间，即擦除时间可由控制寄存器配置，兼容可配置时间在0.7ms到1.3ms之间，由于EEPROM存储器120的电荷泵升压需要时间，可配置的时间可以兼容不同的电压情况；当vhh电压达到一定值时，EEPROM存储器120就会擦除内部的数据，擦除后数据都变为0；两种不同的擦除方式由EE_ERASE_ALL_EN信号识别，高电平是页擦除，低电平是字节擦除。

可选地，在编程时序时，可以包括两种编程方式：页编程和字节编程。EEPROM控制器110可以根据地址寄存器存储的初始地址信息和字节寄存器存储的操作字节数，向EEPROM存储器120输出符合图7或者图8的时序信号，可以先将数据同步到EEPROM存储器120的缓存区上，由于数据接口是8位的接口，字节编程只需要缓存一次，页编程需要缓存四次以编程EEPROM存储器120数据，按照图7的t8或者图8的t10，即编程时间可由控制寄存器控制，时间从2.2ms到4.2ms可配置，由于EEPROM存储器120的电荷泵升压需要时间，可配置的时间可以兼容不同的电压情况；当vhh达到一定的电压值，EEPROM存储器120会将缓存区的数据写入到操作的地址区域，写入只能写入1，不能写入0，所以在对其操作时，建议先擦除再写入。

可以理解的是，EEPROM存储器120的电荷泵的升压是需要HCLK时钟信号提供的，EEPROM控制器110可以提供相应的配置，使用的频率可以有四种选择：2分频、4分频、8分频和16分频，具体可以根据系统时钟频率、配置擦除时间和编程时间进行选择。由于HCLK时钟频率快，EEPROM存储器120的电荷泵电压升的块，对应的功耗也不一样，所以，可以根据实际使用需求，配置擦除时间、编程时间以及HCLK的时钟频率，本发明对此不作具体限定。

可选地，EEPROM控制器110每完成一次总的流程，可以向读写操作模块保持空闲状态，微控制器MCU可以检测该状态信号，以决定下一次操作。

可选地，所述计数器用于根据所述检测控制模块获取的所述目标控制位，计算目标计数值，并将所述目标计数值输入所述目标控制位指示的所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项，以使所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项向所述EEPROM存储器120输入对应的所述时序信号。

可选地，计数器可以用于根据检测控制模块获取的目标控制位，计算目标计数值。

可选地，计数器还可以用于将目标计数值输入目标控制位指示的读时序模块、擦时序模块和编程时序模块中的至少一项，以使读时序模块、擦时序模块和编程时序模块中的至少一项向EEPROM存储器120输入对应的时序信号。

例如，计数器可以用于将目标计数值输入目标控制位指示的读时序模块，以使读时序模块向EEPROM存储器120输入读时序信号。

例如，计数器可以用于将目标计数值输入目标控制位指示的擦除时序模块，以使擦时序模块向EEPROM存储器120输入擦除时序信号。

例如，计数器可以用于将目标计数值输入目标控制位指示的编程时序模块，以使编程时序模块向EEPROM存储器120输入编程时序信号。

可选地，所述累加器用于对所述EEPROM存储器120完成所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作的操作次数进行累加，获取第一累加数值；

所述累加器还用于在所述第一累加数值小于所述字节数寄存器存储的字节数值的情况下，基于所述地址寄存器存储的第一地址信息和所述第一累加数值，输出第二地址信息，所述第二地址信息用于指示所述EEPROM存储器120执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的地址；在所述第一累加数值大于或等于所述字节数寄存器存储的字节数值的情况下，输出所述EEPROM存储器120完成操作的信号。

可选地，累加器可以用于对EEPROM存储器120完成读取操作、擦除操作和编程操作的操作次数进行累加，获取第一累加数值。

可选地，累加器还可以用于在第一累加数值小于字节数寄存器存储的字节数值的情况下，基于地址寄存器存储的第一地址信息和第一累加数值，输出第二地址信息。

可选地，第二地址信息可以用于指示EEPROM存储器120执行读取操作、擦除操作和编程操作中的至少一项对应的地址。

可选地，累加器还可以用于在第一累加数值大于或等于字节数寄存器存储的字节数值的情况下，输出EEPROM存储器120完成操作的信号。

可选地，所述数据更新模块用于将向所述EEPROM存储器120读取的第一数据发送至所述缓存区模块，或向所述缓存区模块读取的第二数据发送至所述EEPROM存储器120连接的数据线端口；

其中，所述数据更新模块是基于所述移位缓存模块和所述位计数器对所述EEPROM存储器120中的数据进行读取的。

可选地，数据更新模块可以用于将向EEPROM存储器120读取的第一数据发送至缓存区模块。

可选地，数据更新模块还可以用于将向缓存区模块读取的第二数据发送至EEPROM存储器120连接的数据线端口。

可选地，数据更新模块可以是基于移位缓存模块和位计数器对EEPROM存储器120中的数据进行读取的。

本发明提供的一种应用于EEPROM存储器的控制系统，通过EEPROM控制器提供可灵活配置的EEPROM参数，以控制EEPROM存储器的运行，使得EEPROM存储器可基于不同的配置参数实现多样的运行方式，从而实现EEPROM存储器的通用化。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (6)

1.一种应用于EEPROM存储器的控制系统，其特征在于，包括：

EEPROM控制器和EEPROM存储器；

其中，所述EEPROM控制器提供可配置的EEPROM参数，以控制所述EEPROM存储器的运行；

所述控制系统还包括：微控制器；

所述EEPROM控制器的接口包括与所述微控制器连接的第一接口和与所述EEPROM存储器连接的第二接口；

其中，所述第一接口用于所述微控制器向所述EEPROM控制器发送配置信息；

所述第二接口用于所述EEPROM控制器向所述EEPROM存储器发送控制信号；

所述控制信号包括时序信号，不同的所述时序信号对应读取操作、擦除操作和编程操作中不同的操作；

所述EEPROM控制器包括控制寄存器、检测控制模块、读时序模块、擦时序模块、和编程时序模块；

所述EEPROM控制器还包括：读写操作模块、字节数寄存器和地址寄存器；

所述读写操作模块用于接收所述微控制器通过所述第一接口发送的所述配置信息，并将所述配置信息对应发送至以下至少一个模块：

所述字节数寄存器、所述地址寄存器和所述控制寄存器；

所述字节数寄存器用于接收所述配置信息中的第一配置信息，所述第一配置信息用于指示所述EEPROM存储器执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的字节数；

所述地址寄存器用于接收所述配置信息中的第二配置信息，所述第二配置信息用于指示所述EEPROM存储器执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的地址；

所述控制寄存器用于接收所述配置信息中的第三配置信息；所述检测控制模块用于检测所述控制寄存器基于所述第三配置信息响应的目标控制位，并基于所述目标控制位指示所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项输出对应的时序信号至所述EEPROM存储器，以使所述EEPROM存储器基于所述时序信号执行与所述时序信号对应的操作。

2.根据权利要求1所述的应用于EEPROM存储器的控制系统，其特征在于，所述EEPROM控制器还包括以下至少一个模块：

缓存区模块、计数器、累加器、数据更新模块、移位缓存模块和位计数器。

3.根据权利要求2所述的应用于EEPROM存储器的控制系统，其特征在于，所述EEPROM存储器用于接收所述时序信号，并基于所述时序信号执行与所述时序信号对应的操作。

4.根据权利要求3所述的应用于EEPROM存储器的控制系统，其特征在于，所述计数器用于根据所述检测控制模块获取的所述目标控制位，计算目标计数值，并将所述目标计数值输入所述目标控制位指示的所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项，以使所述读时序模块、所述擦时序模块和所述编程时序模块中的至少一项向所述EEPROM存储器输入对应的目标时序信号。

5.根据权利要求3所述的应用于EEPROM存储器的控制系统，其特征在于，所述累加器用于对所述EEPROM存储器完成所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作的操作次数进行累加，获取第一累加数值；

所述累加器还用于在所述第一累加数值小于所述字节数寄存器存储的字节数值的情况下，基于所述地址寄存器存储的第一地址信息和所述第一累加数值，输出第二地址信息，所述第二地址信息用于指示所述EEPROM存储器执行所述读取操作、所述擦除操作和所述编程操作中的至少一项对应的地址；在所述第一累加数值大于或等于所述字节数寄存器存储的字节数值的情况下，输出所述EEPROM存储器完成操作的信号。

6.根据权利要求3-5任一项所述的应用于EEPROM存储器的控制系统，其特征在于，所述数据更新模块用于将向所述EEPROM存储器读取的第一数据发送至所述缓存区模块，或向所述缓存区模块读取的第二数据发送至所述EEPROM存储器连接的数据线端口；

其中，所述数据更新模块是基于所述移位缓存模块和所述位计数器对所述EEPROM存储器中的数据进行读取的。

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