CN113809263B - 一种显示面板及显示面板的制作方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 181
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 228
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 28
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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Abstract
本申请实施例提供一种封装结构、显示面板及显示面板的制作方法。封装结构中包括阻隔结构层。阻隔结构层采用第一阻隔层固定凸起结构,并利用第二阻隔层包覆凸起结构。即使第一阻隔层在凸起结构处产生裂纹,但第二阻隔层的包覆仍能够进行有效封装。由于凸起结构已经被第一阻隔层固定,第二阻隔层也不会产生因凸起结构移动而产生裂纹。本申请实施例提供的封装结构实现了对凸起结构的有效包覆,解决了凸起结构造成的阻隔层裂缝问题,进而提升了显示面板的寿命和可靠性。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示面板的制作方法。
背景技术
有机发光半导体(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具备自发光特性,不需要背光源。OLED显示器还具有对比度高、色域宽、厚度薄、反应速度快和可用于挠曲面板等优点。然而OLED器件对水、氧敏感,需要对其进行有效的封装来隔绝水、氧。在OLED面板上制备水、氧阻隔膜是一种常用的封装方式。但往往因为OLED发光器件上凸起结构的存在,导致阻隔薄膜上容易出现裂缝。这些裂缝则会成为水、氧入侵的通道,进而减少OLED面板的使用寿命。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制作方法,可以提升OLED面板的使用寿命。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
阵列基板;
发光器件,所述发光器件设置在所述阵列基板上,所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面具有凸起结构;
封装结构,所述封装结构包括至少一阻隔结构层,所述阻隔结构层包括:
第一阻隔层,所述第一阻隔层上嵌有所述凸起结构,所述第一阻隔层包括第一部分与第二部分,所述第一部分设置于所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面,所述第二部分设置于所述凸起结构远离所述阵列基板的一侧,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙;
第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和所述缝隙,并延伸至所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一部分形成多个限位槽,所述凸起结构对应设置于所述限位槽内。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一阻隔层的厚度小于所述凸起结构的高度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一阻隔层的厚度大小为所述凸起结构高度的10%至50%。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述第一阻隔层的厚度大于所述第二阻隔层的厚度。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述封装结构还包括有机层,所述有机层设置在一所述阻隔结构层的一侧。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述封装结构包括两层所述阻隔结构层,所述有机层设置在两层所述阻隔结构层之间。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述封装结构还包括一无机层,所述有机层设置在所述阻隔结构层与所述无机层之间。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述显示面板还包括平坦填充层,所述平坦填充层设置在所述封装结构远离所述阵列基板的一侧。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述凸起结构包括颗粒、凝胶或杂质。
相应的,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,包括:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板上设置发光器件,所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面具有凸起结构;
在所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面设置第一部分,在所述凸起结构远离阵列基板的一侧设置第二部分,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成第一阻隔层,所述凸起结构嵌入所述第一阻隔层;
在所述第一阻隔层嵌有所述凸起结构的一侧设置第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和所述缝隙,并延伸至所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述在所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面设置第一阻隔层部分,在所述凸起结构远离阵列基板的一侧设置第二部分,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成第一阻隔层,所述凸起结构嵌入所述第一阻隔层,包括以下步骤:
将设置有所述发光器件的阵列基板转移至腔体内,向所述腔体通入反应气体;
电离所述反应气体,形成反应等离子体;
所述反应等离子体发生化学反应,并沉积在所述发光器件远离所述阵列基板的一侧,形成所述第一部分;所述反应等离子体发生化学反应,并沉积在所述凸起结构远离所述阵列基板的一侧,形成所述第二部分,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成所述第一阻隔层,所述凸起结构嵌入所述第一阻隔层。
可选的,在本申请的一些实施例中,所在所述第一阻隔层嵌有所述凸起结构的一侧设置第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和所述缝隙,并延伸至所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面,包括以下步骤:
将设置有所述发光器件和所述第一阻隔层的阵列基板转移至腔体内,向所述腔体内交替通入第一反应气体和第二反应气体;
所述第一反应气体与所述第二反应气体在所述第一阻隔层嵌有所述凸起结构的一侧表面沉积并发生化学反应,形成所述第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和所述缝隙,并延伸至所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面。
本申请实施例提供一种封装结构、显示面板及显示面板的制作方法。封装结构中包括阻隔结构层。阻隔结构层采用第一阻隔层固定凸起结构,并利用第二阻隔层包覆凸起结构。即使第一阻隔层在凸起结构处产生裂纹,但第二阻隔层的包覆仍能够进行有效封装。由于凸起结构已经被第一阻隔层固定,第二阻隔层也不会产生因凸起结构移动而产生裂纹。本申请实施例提供的封装结构实现了对凸起结构的有效包覆,解决了凸起结构造成的阻隔层裂缝问题,进而提升了显示面板的寿命和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图;
图2是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第一种结构示意图;
图3是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第二种结构示意图;
图4是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第三种结构示意图;
图5是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第四种结构示意图;
图6是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请,并不用于限制本申请。在本申请中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种封装结构、显示面板及显示面板的制作方法。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1和图2,图1是本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。图2是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第一种结构示意图。本申请实施例的显示面板100包括阵列基板20、发光器件30以及封装结构10。发光器件30设置在阵列基板20上。封装结构10设置在发光器件30远离阵列基板20的一侧。封装结构10包括至少一阻隔结构层101。阻隔结构层101包括第一阻隔层1011和第二阻隔层1012。第一阻隔层1011上嵌有凸起结构30a。第一阻隔层1011包括第一部分1011a与第二部分1011b。第一部分1011a设置于发光器件30远离阵列基板20的一侧表面。第二部分1011b设置于凸起结构30a远离阵列基板20的一侧。第一部分1011a与所述第二部分1011b之间具有缝隙1011c。第二阻隔层1012设置在第一阻隔层1011嵌有凸起结构30a的一侧。第二阻隔层1012包覆凸起结构30a和缝隙1011c,并延伸至第一阻隔层1011远离阵列基板20的一侧表面。
可选的,凸起结构30a包括颗粒、凝胶或杂质。在显示面板封装之前,发光器件上会存在一些无法彻底去除的凸起结构30a。例如,面板转移时粘到的灰尘颗粒、灰尘与水分子形成的凝胶杂质。或是在面板进行切割时飞溅的杂质。这些凸起结构30a的存在会在封装时影响封装结构10中阻隔层的平整度,导致阻隔层出现裂缝。这些凸起结构导致的裂缝会成为水氧入侵的通道,水氧影响器件性能,进而减少显示面板的使用寿命。
本申请实施例提供的显示面板100包括封装结构10,封装结构10中包括阻隔结构层101。阻隔结构层101采用第一阻隔层1011固定凸起结构30a,并利用第二阻隔层1012包覆凸起结构30a。即使第一阻隔层1011在凸起结构30a处产生裂纹(即本申请中所述缝隙1011c),但第二阻隔层1012的包覆仍能够进行有效封装。由于凸起结构30a已经被第一阻隔层1011固定,第二阻隔层1012也不会因凸起结构30a移动而产生裂纹。本申请实施例提供的封装结构10实现了对凸起结构30a的有效包覆,解决了凸起结构30a造成的阻隔层裂缝问题,进而提升了显示面板的寿命和可靠性。
可选的,第一部分1011a形成多个限位槽1011d。凸起结构30a对应设置于限位槽1011d内。通过第一部分1011a形成限位槽1011d,能够对凸起结构30a的位置进行限位,防止凸起结构30a发生位置移动,破坏第二阻隔层1012,防止第二阻隔层1012因凸起结构30a移动而产生裂纹。
可选的,第一阻隔层1011的厚度大小为凸起结构30a高度的10%至50%。具体的,第一阻隔层1011的厚度大小可以为凸起结构30a粒径大小的10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%或50%。例如,凸起结构30a为灰尘颗粒时,灰尘的粒径大小通常为5μm以下,则第一阻隔层1011的厚度大小可以为0.5μm至2.5μm。第一阻隔层1011的厚度根据凸起结构30a的大小进行设定,可以对凸起结构30a达到更好的固定效果。若第一阻隔层1011的厚度大小小于凸起结构30a粒径大小的10%,一方面无法对凸起结构30a进行有效的固定,仍有可能导致凸起结构30a的移动,进而破坏第二阻隔层1012的封装;另一方面,第一阻隔层1011无法实现较好的水氧阻隔效果,可能影响阻隔结构层101的封装效果。若第一阻隔层1011的厚度大小大于凸起结构30a粒径大小的50%,会增大制程成本和材料成本。并且,第一阻隔层1011的厚度过大的话,还容易发生膜层脱落不良的问题。
封装结构10可以仅设置一层阻隔结构层101进行封装。一层阻隔结构层101作为封装结构10可以减少封装结构10的厚度。在阻隔结构层101用于柔性显示面板封装时,能够保证面板的可弯折性。同时,由于仅有一层薄膜结构进行封装,在柔性显示面板的弯折处封装结构10的厚度较小,能够有效减小弯折半径,能够缩窄边框,并防止弯折处产生膜层破裂。
其中,第一阻隔层1011采用的材料为氮化物、氧化物和氮氧化物中的一种或多种组合。具体的,氮化物可以为氮化硅。氧化物可以为氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锆或氧化锌。氮氧化物可以为氮氧化硅。第二阻隔层1012采用的材料为氮化物、氧化物和氮氧化物中的一种或多种组合。具体的,氮化物可以为氮化硅。氧化物可以为氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锆或氧化锌。氮氧化物可以为氮氧化硅。
其中,第二阻隔层1012的厚度为5纳米(nm)至50nm。具体的,第二阻隔层1012的厚度为5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm或50nm。以上数值仅为示例性列举,第二阻隔层1012的厚度还可以为5nm至50nm中的其他值。第二阻隔层1012是用于包覆凸起结构30a,因此,第二阻隔层的厚度能够保证包覆凸起结构30a即可。若第二阻隔层1012的厚度小于5nm,则无法对凸起结构30a进行充分包覆,可能导致第二阻隔层1012断裂,进而影响封装效果。若第二阻隔层1012的厚度大于50nm,则增大了封装结构10的厚度,并且增加了材料成本。
可选的,第一阻隔层1011的厚度大于第二阻隔层1012的厚度。第一阻隔层1011是用于固定凸起结构30a。第二阻隔层1012是用于包覆凸起结构30a和第一阻隔层1011上的缝隙1011c。因此,第一阻隔层1011需要设置为较大的厚度才能更好的固定凸起结构30a,而第二阻隔层1012只需保证包覆凸起结构30a和缝隙1011c的厚度即可达到较好的封装效果。
可选的,请参阅图3,图3是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第二种结构示意图。封装结构10还包括有机层102。有机层102设置在一阻隔结构层101的一侧。有机层102采用的材料为紫外光敏聚合物、环氧稀聚合物和亚克力系聚合物中一种或多种的组合。具体的,有机层102采用的材料可以为环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯(PEA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等有机材料。其中,有机层102可以设置在阻隔结构层101远离发光器件30的一侧或设置在阻隔结构层101靠近发光器件30的一侧。
其中,有机层102的厚度为1μm至5μm。具体的,有机层102的厚度可以为1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm或5μm。以上数值仅为示例性列举,有机层102的厚度还可以为1μm至5μm中的其他值。有机层102的厚度可以根据封装需求进行设置。
有机层102采用有机材料制成。在封装结构10中结合阻隔结构层101和有机层102,能够更好的延长水汽入侵途径,有效阻隔水氧。另外,有机层102的表面更加平整,提高阻隔结构层101、有机层102的界面质量,还能够有效防止膜层脱落。
可选的,请参阅图4,图4是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第三种结构示意图。封装结构10包括两层阻隔结构层101,有机层102设置在两层阻隔结构层101之间。将有机层102设置在两层阻隔结构层101之间,能够使得阻隔结构层101形成类似挡墙的结构。在有机层102吸附水氧后,阻隔结构层101能够将水氧阻隔在有机层102中,形成将水氧围困的阻隔空间,进而避免水氧扩散侵入。这样的封装结构10进一步提高了水氧阻隔性能及封装可靠性。
可选的,请参阅图5,图5是本申请实施例提供的显示面板中封装结构的第四种结构示意图。封装结构10还包括一无机层103。有机层102设置在阻隔结构层101与无机层103之间。无机层103采用的材料为氮化物、氧化物和氮氧化物中的一种或多种组合。具体的,氮化物可以为氮化硅。氧化物可以为氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锆或氧化锌。氮氧化物可以为氮氧化硅。在封装结构10中设置无机层103,采用无机材料与有机材料相结合进行封装,能够得到更好的封装效果。无机层103用于阻隔水氧,并利用有机层102的有机特性延长水汽入侵路径。同时,有机层102具有很好的台阶覆盖性,能够对需要封装的膜层进行很好的覆盖。结合阻隔结构层101、有机层102与无机层103能够提升封装结构10的水氧阻隔能力,进一步提高显示面板的寿命。
无机层103的厚度为20nm至1500nm。具体的,无机层103的厚度可以为20nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm、900nm、1000nm、1100nm、1200nm、1300nm、1400nm或1500nm。无机层103的厚度可以根据封装需求进行适应性设置。例如,当阻隔结构层101和有机层102需要设置的较薄时,无机层103的厚度可以适当增大,以保障封装结构的封装效果。
本申请提供的封装结构可应用在有机发光半导体(Organic Light-EmittingDiode,OLED)显示器的封装领域,作为薄膜封装层使用,也可以应用在其它电子元器件中。例如,有机太阳能电池、芯片等易受水氧影响的器件。阻隔结构层101可以单独作为电子器件的封装层使用,也可以同其他封装方式搭配使用以达到更佳的封装效果。
可选的,显示面板100还包括平坦填充层40。平坦填充层40设置在封装结构10远离阵列基板20的一侧。
其中,平坦填充层40可以为填充胶,填充胶能使显示面板100有效应对外部压力并且阻隔水氧,还能够在阻隔结构层101上方平整界面。需要说明的是,由于凸起结构的高度较小,且分散性较强、数量少,因此将凸起结构一同封装在显示面板100中不会影响显示。通过平坦填充层40在上方进行平坦化封装,也能解决阻隔结构层101的平整性问题。
相应的,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,请参阅图6,图6是本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程示意图。本申请实施例提供的显示面板的制作方法具体包括如下步骤:
步骤11、提供一阵列基板。
其中,阵列基板可以包括衬底以及设置于衬底上的薄膜晶体管。衬底可以为玻璃、功能玻璃或柔性衬底。其中,功能玻璃是在超薄玻璃上溅射透明金属氧化物导电薄膜镀层,并经过高温退火处理得到的。
提供玻璃、功能玻璃或柔性衬底,然后在上述衬底上制作薄膜晶体管。薄膜晶体管的具体制作方法为本领域常用的技术手段,在此不做赘述。
步骤12、在阵列基板上设置发光器件,发光器件远离阵列基板的一侧表面具有凸起结构。
其中,发光器件包括依次层叠设置的阳极、发光功能层以及阴极。可选的,发光功能层可以包括依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及电子注入层。发光功能层还可以包括空穴阻挡层和电子阻挡层。发光器件的具体膜层及其装配为本领域常用的技术手段,在此不做赘述。
由于工艺条件的限制,制程中会在发光器件上方残留灰尘、凝胶或者小分子杂质,本申请中所述的凸起结构可以为这些灰尘、凝胶或小分子杂质,也可以为其他影响封装的凸起结构,本申请对凸起结构的类型和形状不做限制。
步骤13、在发光器件远离阵列基板的一侧表面设置第一部分,在凸起结构远离阵列基板的一侧设置第二部分。第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成第一阻隔层,凸起结构嵌入第一阻隔层。
其中,采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,PECVD)的方法在发光器件远离阵列基板的一侧设置第一阻隔层。PECVD的方法制作第一阻隔层,制备温度低,不会对发光器件产生影响,保证发光器件的发光效率。另外,PECVD的方法沉积速率快、成膜质量好,形成的封装结构微孔较少,不易龟裂,能够保证较好的封装效果。
可选的,在发光器件远离阵列基板的一侧设置第一阻隔层,凸起结构嵌入第一阻隔层,包括以下步骤:
步骤131、将设置有发光器件的阵列基板转移至腔体内,向腔体通入反应气体。
其中,反应气体是指在腔体内发生反应后可以生成形成第一阻隔层的氮化物、氧化物或氮氧化物的前体气体。例如,当第一阻隔层的材料选用氮化硅(SiNx)时,反应气体为硅烷气体(SiH4)和一氧化二氮气体(N2O)。
步骤132、电离反应气体,形成反应等离子体。
其中,电离反应气体可以通过微波或射频进行电离。例如,调节腔体内气压和射频的功率,采用射频的方法电离反应气体。
步骤133、反应等离子体发生化学反应,并沉积在发光器件远离阵列基板的一侧表面,形成第一部分,所述反应等离子体发生化学反应,并沉积在所述凸起结构远离所述阵列基板的一侧,形成所述第二部分,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成所述第一阻隔层,所述凸起结构嵌入所述第一阻隔层。
其中,由于第一阻隔层的厚度大小为凸起结构的粒径大小的10%至50%,沉积完第一阻隔层之后,第一阻隔层不能完全覆盖凸起结构。因此凸起结构的部分从第一阻隔层远离阵列基板的一侧暴露出,则凸起结构嵌入第一阻隔层。另外,由于第二部分被凸起结构顶起,第二部分和第一部分分离形成缝隙。
步骤14、在第一阻隔层嵌有凸起结构的一侧设置第二阻隔层。第二阻隔层包覆凸起结构和缝隙,并延伸至所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面。
其中,采用原子层沉积(Atomic layer deposition,ALD)的方法在第一阻隔层嵌有凸起结构的一侧设置第二阻隔层。由于ALD的沉积方法是单层原子逐层沉积,沉积层可以表现出极均匀的厚度和优异的一致性。并且,ALD采用一种自限制的成膜方式,这种成膜方式的特点是台阶覆盖能力强,薄膜阻水能力强。
可选的,在第一阻隔层嵌有凸起结构的一侧设置第二阻隔层,第二阻隔层包覆凸起结构,形成阻隔结构层,包括以下步骤:
步骤141、将设置有发光器件和第一阻隔层的阵列基板转移至腔体内,向腔体内交替通入第一反应气体和第二反应气体。
其中,第一反应气体和第二反应气体是指在腔体内发生反应后可以生成形成第二阻隔层的氮化物、氧化物或氮氧化物的前体气体。例如,第二阻隔层的材料选用氮化硅(SiNx)时,第一反应气体可以为硅烷气体(SiH4),第二反应气体可以为一氧化二氮气体(N2O)。
步骤142、第一反应气体与第二反应气体在第一阻隔层嵌有凸起结构的一侧表面沉积并发生化学反应,形成第二阻隔层。第二阻隔层包覆凸起结构和缝隙,并延伸至第一阻隔层远离阵列基板的一侧表面。
原子层沉积的表面反应具有自限制性(self-limiting),实际上这种自限制性特征正是原子层沉积技术的基础。不断重复这种自限制反应就形成所需要的薄膜。
具体的,第一反应气体输入到第一阻隔层嵌有凸起结构的一侧表面并通过化学吸附保持在表面。当第二反应气体通入腔体,就会与已吸附于第一阻隔层表面的第一反应气体发生反应。第一反应气体和第二反应气体之间会发生置换反应并产生相应的副产物,直到表面的第一反应气体完全消耗,反应会自动停止并形成需要的原子层。因此这是一种自限制过程,而且不断重复这种反应形成薄膜。
通过ALD方法制作第二阻隔层,能够制备厚度较薄的膜层来包覆凸起结构。同时利用ALD方法的自限制特性得到台阶覆盖能力强的第二阻隔层,实现了对凸起结构的有效包覆,解决了凸起结构造成的阻隔层裂缝问题。
本申请实施例提供的显示面板的制作方法,包括在发光器件上制作阻隔结构层。先使用PECVD方法制备第一阻隔层,利用PECVD方法成膜速度快的特点,使薄膜的厚度达到凸起结构粒径的10%至50%,从而起到固定凸起结构的作用。然后再使用ALD方法制备第二阻隔层,利用该方法“自限制”的成膜特点,制备连续均一的第二阻隔层对凸起结构和裂缝实现有效的覆盖。本发明中的PECVD-ALD阻隔结构层,利用PECVD和ALD的成膜特点能够分别对凸起结构起到有效的固定和覆盖作用,从而提升了薄膜的致密性。将阻隔结构层应用于显示面板的封装中,能够有效减少外界水汽进入显示面板器件中的路径,从而提升显示面板的寿命和可靠性。并且,阻隔结构层的结构简单,适用面广,可有效对凸起结构进行覆盖,减少水汽入侵通道,可得到广泛应用。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制作方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
阵列基板;
发光器件,所述发光器件设置在所述阵列基板上,所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面具有凸起结构;
封装结构,所述封装结构包括至少一阻隔结构层,所述阻隔结构层包括:
第一阻隔层,所述第一阻隔层包括第一部分与第二部分,所述第一部分设置于所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面,所述第二部分设置于所述凸起结构远离所述阵列基板的一侧表面,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,所述第一阻隔层的厚度大小为所述凸起结构高度的10%至50%,所述第一阻隔层的厚度大小为0.5μm至2.5μm;
第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和覆盖所述缝隙,并覆盖所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一部分形成多个限位槽,所述凸起结构对应设置于所述限位槽内。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一阻隔层的厚度大于所述第二阻隔层的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装结构还包括有机层,所述有机层设置在一所述阻隔结构层的一侧。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述封装结构包括两层所述阻隔结构层,所述有机层设置在两层所述阻隔结构层之间。
6.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述封装结构还包括一无机层,所述有机层设置在所述阻隔结构层与所述无机层之间。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括平坦填充层,所述平坦填充层设置在所述封装结构远离所述阵列基板的一侧。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸起结构包括颗粒、凝胶或杂质。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板;
在所述阵列基板上设置发光器件,所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面具有凸起结构;
在所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面设置第一部分,在所述凸起结构远离阵列基板的一侧表面设置第二部分,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成第一阻隔层,所述第一阻隔层的厚度大小为所述凸起结构高度的10%至50%,所述第一阻隔层的厚度大小为0.5μm至2.5μm;
在所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧设置第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和覆盖所述缝隙,并覆盖所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面设置第一阻隔层部分,在所述凸起结构远离阵列基板的一侧设置第二部分,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成第一阻隔层,包括以下步骤:
将设置有所述发光器件的阵列基板转移至腔体内,向所述腔体通入反应气体;
电离所述反应气体,形成反应等离子体;
所述反应等离子体发生化学反应,并沉积在所述发光器件远离所述阵列基板的一侧表面,形成所述第一部分;所述反应等离子体发生化学反应,并沉积在所述凸起结构远离所述阵列基板的一侧,形成所述第二部分,所述第一部分与所述第二部分之间具有缝隙,以形成所述第一阻隔层。
11.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧设置第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和所述缝隙,并延伸至所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面,包括以下步骤:
将设置有所述发光器件和所述第一阻隔层的阵列基板转移至腔体内,向所述腔体内交替通入第一反应气体和第二反应气体;
所述第一反应气体与所述第二反应气体在所述第一阻隔层嵌有所述凸起结构的一侧表面沉积并发生化学反应,形成所述第二阻隔层,所述第二阻隔层包覆所述凸起结构和所述缝隙,并覆盖所述第一阻隔层远离所述阵列基板的一侧表面。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110983020.5A CN113809263B (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
US17/605,022 US20240023409A1 (en) | 2021-08-25 | 2021-09-03 | Display panel and method of manufacturing the same |
PCT/CN2021/116455 WO2023024150A1 (zh) | 2021-08-25 | 2021-09-03 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110983020.5A CN113809263B (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113809263A CN113809263A (zh) | 2021-12-17 |
CN113809263B true CN113809263B (zh) | 2022-11-01 |
Family
ID=78894099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110983020.5A Active CN113809263B (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种显示面板及显示面板的制作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240023409A1 (zh) |
CN (1) | CN113809263B (zh) |
WO (1) | WO2023024150A1 (zh) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004362912A (ja) * | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Toyota Industries Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
WO2013051070A1 (ja) * | 2011-10-07 | 2013-04-11 | パナソニック株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
JP6139196B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-05-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
WO2018179233A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
WO2018229876A1 (ja) * | 2017-06-13 | 2018-12-20 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスおよびその製造方法 |
JP6533018B1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-19 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機elデバイスの製造方法 |
US10637003B2 (en) * | 2017-11-29 | 2020-04-28 | Sakai Display Products Corporation | Organic electroluminescent display device and method for producing same |
CN111512701B (zh) * | 2017-12-26 | 2023-07-21 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el设备及其制造方法 |
KR20210083011A (ko) * | 2019-12-26 | 2021-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN111540843A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-08-14 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
-
2021
- 2021-08-25 CN CN202110983020.5A patent/CN113809263B/zh active Active
- 2021-09-03 US US17/605,022 patent/US20240023409A1/en active Pending
- 2021-09-03 WO PCT/CN2021/116455 patent/WO2023024150A1/zh active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113809263A (zh) | 2021-12-17 |
WO2023024150A1 (zh) | 2023-03-02 |
US20240023409A1 (en) | 2024-01-18 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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