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CN113692352A - 第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体 - Google Patents

第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体 Download PDF

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CN113692352A
CN113692352A CN202080026612.1A CN202080026612A CN113692352A CN 113692352 A CN113692352 A CN 113692352A CN 202080026612 A CN202080026612 A CN 202080026612A CN 113692352 A CN113692352 A CN 113692352A
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上道厚史
根本拓
中石康喜
古野健太
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Lintec Corp
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Abstract

本发明涉及一种第三层叠体(19)的制造方法，其中，工件(14)的一个面为电路面(14a)，另一个面为背面(14b)，背面保护膜形成用膜(13)的一个面为平滑面(13b)，另一个面为比平滑面(13b)粗糙的粗糙面(13a)，所述制造方法依次包括：将背面保护膜形成用膜(13)的粗糙面(13a)朝向工件(14)的背面(14b)进行贴附的第一层叠工序；及在背面保护膜形成用膜(13)的平滑面(13b)上贴附支撑片(10)的第二层叠工序。

Description

第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法及带背面保 护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体
技术领域
本发明涉及第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法、带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体。具体涉及依次层叠有半导体晶圆等工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体的制造方法；依次层叠有半导体晶圆等工件、背面保护膜及支撑片的第四层叠体的制造方法；及使用了这些制造方法的带背面保护膜的半导体装置的制造方法；以及依次层叠有半导体晶圆等工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体。
本申请基于2019年4月26日在日本提出申请的日本特愿2019-086298号主张优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
近年来，半导体装置的制造中适用被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸点等电极的半导体芯片，且所述电极与基板接合。因此，有时会露出半导体芯片的与电路面为相反侧的背面。
在该露出的半导体芯片的背面形成有作为背面保护膜的含有有机材料的树脂膜，有时会作为带背面保护膜的半导体芯片而组装入半导体装置中。背面保护膜被用于防止在切割工序或封装(package)之后在半导体芯片中产生裂纹(例如、专利文献1、2)。
这样的带背面保护膜的半导体芯片可经由例如图9所示的工序而制造。即，已知一种方法：在具有电路面的半导体晶圆8的背面8b上层叠背面保护膜形成用膜13(图9的(A))，使背面保护膜形成用膜13热固化或能量射线固化而形成背面保护膜13’(图9的(B))，对背面保护膜13’进行激光打标(laser marking)(图9的(C))，在背面保护膜13’上层叠支撑片10(图9的(D))，对半导体晶圆8及背面保护膜13’进行切割，从而制成带背面保护膜的半导体芯片7(图9的(E)及图9的(F))，从支撑片10上拾取带背面保护膜的半导体芯片7。固化工序及激光打标工序的顺序是任意的，也可以在具有电路面的半导体晶圆8的背面8b上层叠背面保护膜形成用膜13(图9的(A))，在对背面保护膜形成用膜13进行激光打标之后，使背面保护膜形成用膜13热固化或能量射线固化从而制成背面保护膜13’，随后经由图9的(D)～图9的(G)的工序。其中，图9的(A)中在半导体晶圆8的背面8b上层叠背面保护膜形成用膜13的装置与图9的(D)中在背面保护膜13’上层叠支撑片10的装置，可以分别使用不同的装置来进行。这些方法不仅可以用于制造作为切割半导体晶圆并单颗化而成的半导体芯片的半导体装置，还可以用于通过同样的切割从用密封树脂密封了至少一个电子部件的半导体装置的集合体构成的半导体装置面板制造用密封树脂密封了至少一个电子部件的半导体装置。
此外，背面保护膜形成用膜13及支撑片10一体化而成的保护膜形成用复合片可用于带背面保护膜的半导体芯片的制造(例如，专利文献2)。
使用保护膜形成用复合片的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法经由例如图10所示的工序。即，已知一种方法：在具有电路面的半导体晶圆8的背面8b上贴附层叠背面保护膜形成用膜13及支撑片10而成的保护膜形成用复合片1的背面保护膜形成用膜13(图10的(A’))，剥离电路面保护用胶带17(图10的(B’))，使背面保护膜形成用膜13热固化或能量射线固化从而形成背面保护膜13’(图10的(C’))，从支撑片10的一侧对背面保护膜13’进行激光打标(图10的(D’))，切割半导体晶圆8及背面保护膜13’，制成带背面保护膜的半导体芯片7(图10的(E’)及图10的(F’))，从支撑片10上拾取带背面保护膜的半导体芯片7。在这种情况下，固化工序及激光打标工序的顺序也是任意的。这些方法不仅可用于制造作为半导体芯片的半导体装置，还可以用于通过同样的切割从用密封树脂密封了至少一个电子部件的半导体装置的集合体构成的半导体装置面板制造用密封树脂密封了至少一个电子部件的半导体装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4271597号公报
专利文献2：日本专利第5363662号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
在图9所示的在半导体晶圆8的背面8b上层叠背面保护膜形成用膜13的半导体装置的制造方法中，能够对露出的背面保护膜形成用膜13或背面保护膜13’直接进行激光打标。然而，在图10所示的在半导体晶圆8的背面8b贴附保护膜形成用复合片1的背面保护膜形成用膜13的半导体装置的制造方法中，则是从支撑片10侧隔着支撑片10照射激光来进行激光打标，在背面保护膜形成用膜13与支撑片10的界面处打印的文字或符号的轮廓模糊，打印后的视觉辨认性变差。
因此，本发明的目的在于提供一种依次层叠有半导体晶圆等工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体的制造方法，所述第三层叠体可隔着支撑片对背面保护膜进行激光打标且激光标识的视觉辨认性良好。此外，本发明的目的在于提供一种依次层叠有半导体晶圆等工件、背面保护膜及支撑片的第四层叠体的制造方法，所述第四层叠体可隔着支撑片对背面保护膜进行激光打标且激光标识的视觉辨认性良好。进一步，本发明的目的在于提供一种使用了这些制造方法的带背面保护膜的半导体装置的制造方法。
解决技术问题的技术手段
本发明提供以下的第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法及带背面保护膜的半导体装置的制造方法、以及第三层叠体。
[1]一种第三层叠体的制造方法，其为依次层叠有工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体的制造方法，其中，
所述工件的一个面为电路面，另一个面为背面，
所述背面保护膜形成用膜的一个面为平滑面，另一个面为比所述平滑面粗糙的粗糙面，
所述制造方法依次包括：
将所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面朝向所述工件的所述背面进行贴附的第一层叠工序；以及
在所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面上贴附所述支撑片的第二层叠工序。
[2]根据所述[1]所述的第三层叠体的制造方法，其中，至少从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止，将贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置连接而进行操作，或者在同一装置内进行操作。
[3]根据所述[1]或[2]所述的第三层叠体的制造方法，其中，从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止，逐片运送在所述工件上贴附有所述背面保护膜形成用膜的第二层叠体。
[4]根据所述[1]～[3]中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，从所述第一层叠工序的贴附开始位置至所述第二层叠工序的贴附结束位置为止的所述工件的运送距离为7000mm以下。
[5]根据所述[1]～[4]中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述第二层叠工序的贴附结束时为止的所述工件的运送时间为150s以下。
[6]根据所述[1]～[5]中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，用电路面保护用胶带保护所述工件的所述电路面，
所述第三层叠体的制造方法包括：在所述第二层叠工序之后，从所述工件的所述电路面上剥离所述电路面保护用胶带的剥离工序。
[7]根据所述[6]所述的第三层叠体的制造方法，其中，所述工件的所述背面为经研磨的面，所述电路面保护用胶带为背面研磨用胶带。
[8]根据所述[1]～[7]中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，所述工件为半导体晶圆。
[9]根据所述[1]～[7]中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，所述工件为由用密封树脂密封了至少一个电子部件的半导体装置的集合体构成的半导体装置面板。
[10]根据所述[1]～[9]中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，所述支撑片在基材上设置有粘着剂层，
所述第三层叠体的制造方法包括：在所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面上贴附所述支撑片的所述粘着剂层的第二层叠工序。
[11]根据所述[10]所述的第三层叠体的制造方法，其中，所述粘着剂层为能量射线固化性。
[12]根据所述[1]～[11]中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其包括：从所述支撑片侧对所述背面保护膜形成用膜照射激光从而进行激光打标的工序。
[13]一种第四层叠体的制造方法，所述第四层叠体依次层叠有工件、背面保护膜及支撑片，所述制造方法包括：
使通过所述[1]～[12]中任一项所述的制造方法制造的第三层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化从而制成背面保护膜的工序。
[14]根据所述[13]所述的第四层叠体的制造方法，其包括：从所述支撑片侧对所述背面保护膜照射激光从而进行激光打标的工序。
[15]一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括：
切割通过所述[13]或[14]所述的制造方法制造的第四层叠体的所述工件及所述背面保护膜，制成带背面保护膜的半导体装置的工序；以及
从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜的半导体装置的工序。
[16]一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括：
切割通过所述[1]～[12]中任一项所述的制造方法制造的第三层叠体的所述背面保护膜形成用膜及所述工件，制成带背面保护膜形成用膜的半导体装置的工序；
使所述背面保护膜形成用膜固化从而制成背面保护膜的工序；以及
从所述支撑片上拾取带背面保护膜形成用膜的半导体装置或带背面保护膜的半导体装置的工序。
[17]根据所述[15]或[16]所述的带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其中，所述背面保护膜形成用膜为热固性，且制成所述背面保护膜的工序中，对所述背面保护膜形成用膜进行热处理而使其热固化。
[18]根据所述[15]或[16]所述的带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其中，所述背面保护膜形成用膜为能量射线固化性，且制成所述背面保护膜的工序中，对所述背面保护膜形成用膜照射能量射线而使其能量射线固化。
[19]一种第三层叠体，其为依次层叠有工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体，其中，
所述工件的一个面为电路面，另一个面为背面，
所述背面保护膜形成用膜的一个面为平滑面，另一个面为比所述平滑面粗糙的粗糙面，
所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面贴合于所述工件的所述背面，
所述支撑片贴合于所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面。
发明效果
根据本发明，可提供一种依次层叠有工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体的制造方法，所述第三层叠体可隔着支撑片对背面保护膜进行激光打标且激光标识的视觉辨认性良好。此外，本发明可提供一种依次层叠有工件、背面保护膜及支撑片的第四层叠体的制造方法，所述第四层叠体可隔着支撑片对背面保护膜进行激光打标且激光标识的视觉辨认性良好。进一步，本发明提供一种使用这些制造方法的带背面保护膜的半导体装置的制造方法。
附图说明
图1为示意性地表示第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的概略截面图。
图2为示意性地表示背面保护膜形成用膜的一个实例的概略截面图。
图3为示意性地表示第三层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。
图4为示意性地表示第四层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的概略截面图。
图5为示意性地表示第四层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。
图6为示意性地表示带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例的概略截面图。
图7为示意性地表示带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。
图8为示意性地表示带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。
图9为示意性地表示现有的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例的概略截面图。
图10为示意性地表示现有的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的另一个实例的概略截面图。
图11为表示在基材11上设置有粘着剂层12的支撑片10的一个实例的概略截面图。
具体实施方式
以下，对作为适用本发明的实施方案的第三层叠体的制造方法、第四层叠体的制造方法、以及半导体装置的制造方法进行详细说明。另外，在以下的说明中所使用的附图中，有时为了易于理解特征并出于方便而扩大显示特征部分，各构成要素的尺寸比例等不一定与实际相同。
<<第三层叠体的制造方法>>
图1为示意性地表示第三层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的概略截面图。本实施方案的第三层叠体的制造方法为依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13及支撑片10的第三层叠体19的制造方法，工件14的一个面为电路面14a，另一个面为背面14b(图1的(a))，背面保护膜形成用膜13的一个面为平滑面13b，另一个面为比平滑面13b粗糙的粗糙面13a，所述制造方法依次包括(图1的(a)～图1的(e))：将背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a朝向工件14的背面14b进行贴附的第一层叠工序(图1的(b))；以及在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上贴附支撑片10的第二层叠工序(图1的(d))。
即，本实施方案的第三层叠体为依次层叠有工件14、背面保护膜形成用膜13及支撑片10的第三层叠体，工件14的一个面为电路面14a，另一个面为背面14b，背面保护膜形成用膜13的一个面为平滑面13b，另一个面为比平滑面13b粗糙的粗糙面13a，背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a贴合于工件14的背面14b，支撑片10贴合于背面保护膜形成用膜13的平滑面13b(图1的(e))。
在本实施方案中，使用半导体晶圆作为图1的(a)所示的工件14。半导体晶圆的一个面为电路面14a，且形成有凸点。此外，为了防止半导体晶圆的电路面14a及凸点在半导体晶圆的背面研磨时被压坏、或在晶圆背面产生凹痕(dimple)或裂纹，用电路面保护用胶带17对半导体晶圆的电路面14a及凸点进行保护。电路面保护用胶带17为背面研磨用胶带，作为工件14的半导体晶圆的背面(即，工件的背面14b)为经研磨的面。
作为工件14，只要在一侧具有电路面14a且另一个面可称为背面，则没有限定。作为工件14，可例示出在一侧具有电路面的半导体晶圆，或者由被单颗化且各个电子部件被密封树脂密封并在一侧具有带端子的半导体装置的端子形成面(换言之为电路面)的带端子的半导体装置集合体构成的半导体装置面板等。
能够使用例如日本特开2016-192488号公报、日本特开2009-141265号公报中公开的表面保护用片作为电路面保护用胶带17。电路面保护用胶带17具备具有适度的再剥离性的粘着剂层。所述粘着剂层可以由橡胶类、丙烯酸类、有机硅(silicone)类、氨基甲酸酯类、乙烯基醚类等通用的弱粘着型的粘着剂形成。此外，所述粘着剂层也可以为通过照射能量射线进行固化而成为再剥离性的能量射线固化型粘着剂。电路面保护用胶带17为双面胶带形状，可以在电路面保护用胶带17的更外侧固定硬质支撑体，也可以在硬质的支撑体上固定工件14。
在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线。作为能量射线的实例，可列举出紫外线、放射线、电子束等。例如，可通过使用高压汞灯、熔融灯(fusion lamp)、氙灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源来照射紫外线。作为电子束，能够照射通过电子束加速器等产生的电子束。
此外，在本说明书中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不固化的性质。
在图1的(b)所示的本实施方案的第一层叠工序中，可将背面保护膜形成用膜13制成图2所示的第一层叠体5来使用。图2所示的第一层叠体5在背面保护膜形成用膜13的一个面(即，粗糙面13a)上具备第一剥离膜151，在与粗糙面13a为相反侧的另一个面(即，平滑面13b)上具备第二剥离膜152。将粗糙面13a侧的第一剥离膜151剥离之后，在第一层叠工序中，将背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a朝向工件14的背面14b进行层叠(图1的(b))。此时的背面保护膜形成用膜13，可以使用预先按照工件14的形状进行了加工的膜，也可以在即将层叠时，在装置内进行加工并使用。接着，优选将平滑面13b侧的第二剥离膜152剥离，制成第二层叠体6(图1的(c))。
对于图2所示的背面保护膜形成用膜，例如利用刮刀涂布机在厚度为38μm的第二剥离膜152的剥离面上涂布含有溶剂的保护膜形成组合物之后，利用烘箱在120℃下干燥2分钟，形成背面保护膜形成用膜。接着，在背面保护膜形成用膜上重叠厚度为38μm的第一剥离膜151的剥离面并将二者贴合，从而能够得到由第一剥离膜151、背面保护膜形成用膜(图2中的背面保护膜形成用膜13)(厚度：25μm)及第二剥离膜152构成的背面保护膜形成用膜。这样的背面保护膜形成用膜适合例如以卷状进行保存。此外，通过将第一剥离膜151的剥离面例如制成表面粗糙度Ra为200nm的粗糙面，将第二剥离膜152的剥离面制成比所述粗糙面的表面粗糙度更平滑的、例如表面粗糙度Ra为30nm的平滑面，从而能够将背面保护膜形成用膜13的一个面制成平滑面13b，将背面保护膜形成用膜13的与所述一个面为相反侧的另一个面制成比平滑面13b粗糙的粗糙面13a。并且，将粗糙面13a侧的第一剥离膜151剥离之后，在第一层叠工序中，将背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a朝向工件14的背面14b进行贴附。
或者，即使第一剥离膜151的剥离面的表面粗糙度Ra与第二剥离膜152的剥离面的表面粗糙度相同、均为平滑面，例如通过下述方式，也能够将背面保护膜形成用膜13的一个面制成平滑面13b，将背面保护膜形成用膜13的与所述一个面为相反侧的另一个面制成比平滑面13b粗糙的粗糙面13a。
即，利用刮刀涂布机在第二剥离膜152的表面粗糙度Ra为30nm的剥离面上涂布含有溶剂的保护膜形成组合物之后，利用烘箱在120℃下干燥2分钟，从而形成背面保护膜形成用膜。接着，在背面保护膜形成用膜上重叠厚度为38μm的第一剥离膜151的表面粗糙度Ra为30nm的剥离面，例如在23℃、0.4MPa的条件下将二者贴合，从而能够得到由第一剥离膜151、背面保护膜形成用膜(图2中的背面保护膜形成用膜13)(厚度：25μm)及第二剥离膜152构成的背面保护膜形成用膜。由此，在背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a与第一剥离膜151之间形成轻剥离面，在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b与第二剥离膜152之间形成剥离强度比所述轻剥离面的剥离强度大的重剥离面。这样的背面保护膜形成用膜也适合例如以卷状进行保存。
背面保护膜形成用膜的第一剥离膜151侧的表面粗糙度能够通过将第一剥离膜151的剥离面贴合于背面保护膜形成用膜时的温度及压力条件来进行调节。若提高将第一剥离膜151的剥离面贴合于背面保护膜形成用膜的温度及压力条件，则背面保护膜形成用膜的第一剥离膜151侧的表面粗糙度与第一剥离膜151的剥离面的表面粗糙度一致。
朝向所述工件的所述背面侧的所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面的表面粗糙度Ra可以为32～1200nm，优选为32～1000nm，更优选为32～900nm，特别优选为32～800nm。
所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面的表面粗糙度Ra越大，则与剥离膜实际接触的面积越小。因此，通过使所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面的表面粗糙度Ra为所述下限值以上，在剥离所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面侧时，易于优先剥落。
由此，在剥离剥离力小的一侧的剥离膜时，能够降低背面保护膜形成用膜无法适宜地从剥离力小的一侧的剥离膜上剥离、背面保护膜形成用膜发生内聚破坏(cohesivefailure)等从而导致部分背面保护膜形成用膜残留于剥离力小的一侧的剥离膜上的剥离不良(所谓粘连(ナキワカレ))的风险。
朝向所述支撑片侧的所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面的表面粗糙度Ra优选为20～80nm，更优选为24～50nm，进一步优选为28～32nm。
所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面的表面粗糙度Ra相对于所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面的表面粗糙度Ra的比(粗糙面的表面粗糙度Ra/平滑面的表面粗糙度Ra)可以为1.1～50，可以为1.2～45，可以为1.3～35，可以为1.4～30，也可以为1.5～24。
在图1的(d)所示的第二层叠工序中，在层叠于工件14的背面14b上的背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠支撑片10。支撑片10例如为厚度为80μm、直径为270mm的圆形的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜，且在外周部具备夹具用粘合剂层16。在本实施方案中，工件14与背面保护膜形成用膜13一同被固定于固定用夹具18。并且，在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠支撑片10的同时，经由夹具用粘合剂层16固定于固定用夹具18(图1的(e))。
在以往，图9的(A)中在半导体晶圆8的背面8b上层叠背面保护膜形成用膜13的装置与图9(D)中在背面保护膜13’上层叠支撑片10的装置，分别使用不同的装置进行，各自的层叠体以一个盒体收纳多个层叠体的方式运送至后续装置。
然而，在本实施方案中，至少从图1的(b)所示的第一层叠工序至图1的(d)所示的第二层叠工序为止，能够将贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置连接而进行操作，或者，能够在同一装置内进行操作。因此，从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止，能够将在工件14上贴附有背面保护膜形成用膜13的第二层叠体逐片运送至图1的(d)所示的第二层叠工序，无需将该第二层叠体收纳于盒体中。通过在同一装置内进行操作，能够进一步减少装置所占空间。通过在连接的装置内进行操作，无需从头设计，可通过对现有装置进行改造来降低初期费用。并且，无需将第二层叠体收纳于盒体中运送至装置外，因此能够提高生产效率且可抑制第二层叠体的污染、破损。
在本实施方案中，在第一层叠工序后，可以将贴附背面保护膜形成用膜的装置、剥离第二剥离膜的装置及贴附支撑片的装置连接而进行从背面保护膜形成用膜13上剥离平滑面13b侧的第二剥离膜152的工序，或者也可以在同一装置内进行上述工序。
第一层叠工序中所使用的背面保护膜形成用膜13可以预先加工成工件的形状，也可以在即将进行第一层叠工序之前在同一装置内进行加工。在所使用的生产线上工件的大小恒定时，能够进行预先加工的前者的生产效率高，而在工件的大小可能会变更时，后者不会浪费背面保护膜形成用膜，具有成本优势。
在第一层叠工序之前，可以将剥离第一剥离膜的装置与贴附背面保护膜形成用膜的装置连接而进行从第一层叠体5的背面保护膜形成用膜13上剥离粗糙面13a侧的第一剥离膜151的工序，或者也可以在同一装置内进行上述工序。
在本实施方案中，能够将从所述第一层叠工序的贴附开始位置至所述第二层叠工序的贴附结束位置(或者从所述第一层叠工序的贴附开始位置至固化工序的固化结束位置)为止的工件14的运送距离设计为7000mm以下，从而能够降低装置所占空间。从所述第一层叠工序的贴附开始位置至所述第二层叠工序的贴附结束位置(或者从所述第一层叠工序的贴附开始位置至固化工序的固化结束位置)为止的工件14的运送距离也能够设为6500mm以下，还能够设为6000mm以下，还能够设为4500mm以下，还能够设为3000mm以下。
在本实施方案中，能够将从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述第二层叠工序的贴附结束时为止的工件14的运送时间设为150s以下，从而能够缩短工序时间。从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述第二层叠工序的贴附结束时为止的工件14的运送时间也能够设为130s以下，还能够设为110s以下，还能够设为90s以下，还能够设为70s以下。
在本实施方案中，能够将从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述固化工序的固化结束时为止的工件14的运送时间设为400s以下，从而能够缩短工序时间。从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述固化工序的固化结束时为止的工件14的运送时间也能够设为300s以下，还能够设为250s以下，还能够设为200s以下，还能够设为150s以下。
能够将第三层叠体的制造方法的第一层叠工序中、在工件14的背面14b上贴附背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a的速度，以及第三层叠体的制造方法的第二层叠工序中、在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上贴附支撑片10的速度设为100mm/s以下，还能够设为80mm/s以下，还能够设为60mm/s以下，还能够设为40mm/s以下。通过使第一层叠工序中的所述贴附速度及第二层叠工序中的所述贴附速度为上述上限值以下，能够使工件14与背面保护膜形成用膜13之间的密合性、背面保护膜形成用膜13与支撑片10之间的密合性良好。
第一层叠工序中的所述贴附速度及第二层叠工序中的所述贴附速度也能够设为2mm/s以上，还能够设为5mm/s以上，还能够设为10mm/s以上。通过使第一层叠工序中的所述贴附速度及第二层叠工序中的所述贴附速度为上述下限值以上，能够在提高第二层叠体6及第三层叠体19的生产效率的同时，使从第一层叠工序的贴附开始时至第二层叠工序的贴附结束时为止的工件14的运送时间为150s以下，且使从第一层叠工序的贴附开始时至固化工序的固化结束时为止的工件14的运送时间为400s以下。
能够将从图1的(b)所示的本实施方案的第一层叠工序的贴附开始位置至图1的(d)所示的第二层叠工序的贴附结束位置为止的所述工件的运送距离设为7000mm以下，还能够设为6500mm以下，还能够设为6000mm以下，还能够设为4500mm以下，还能够设为3000mm以下。能够将从图1的(b)所示的本实施方案的第一层叠工序的贴附开始时至图1的(d)所示的第二层叠工序的贴附结束时为止的所述工件的运送时间设为150s以下，还能够设为130s以下，还能够设为110s以下。
此外，能够将从图1的(b)所示的本实施方案的第一层叠工序的贴附开始位置至图4的(g)所示的固化工序的固化结束位置为止的所述工件的运送距离设为7000mm以下，还能够设为6500mm以下，还能够设为6000mm以下，还能够设为4500mm以下，还能够设为3000mm以下。
能够将从图1的(b)所示的本实施方案的第一层叠工序的贴附开始位置至图4的(g)所示的固化工序的固化结束位置为止的工件14的运送时间设为400s以下，还能够设为300s以下，还能够设为250s以下，还能够设为200s以下，还能够设为150s以下。
(保护膜形成组合物)
作为用于形成背面保护膜形成用膜的保护膜形成组合物的组成，优选含有粘结剂聚合物(binder polymer)成分及固化性成分。
(粘结剂聚合物成分)
为了对背面保护膜形成用膜赋予充分的粘合性及成膜性(片形成性)而使用粘结剂聚合物成分。作为粘结剂聚合物成分，能够使用现有公知的丙烯酸聚合物、聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂(urethane resin)、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂、橡胶类聚合物等。
粘结剂聚合物成分的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～120万。若粘结剂聚合物成分的重均分子量过低，则背面保护膜形成用膜与支撑片之间的粘着力升高，有时会引起背面保护膜形成用膜的转印不良；若过高，则背面保护膜形成用膜的粘合性降低，有时无法转印至芯片等或者转印后背面保护膜会从芯片等上剥离。
作为粘结剂聚合物成分，优选使用丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～50℃，进一步优选为-50～40℃，特别优选在-40～30℃的范围内。若丙烯酸聚合物的玻璃化转变温度过低，则背面保护膜形成用膜与支撑片之间的剥离力增大，有时会导致背面保护膜形成用膜的转印不良；若过高，则背面保护膜形成用膜的粘合性下降，有时无法转印至芯片等或者转印后背面保护膜会从芯片等上剥离。
作为构成上述丙烯酸聚合物的单体，可列举出(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物。例如可列举出烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。此外，可列举出具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等。进一步作为具有官能团的单体，可列举出具有羟基的(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等；此外还可列举出具有环氧基的(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。对于丙烯酸聚合物，含有具有羟基的单体的丙烯酸聚合物与后述的固化性成分的相容性良好，故而优选。此外，上述丙烯酸聚合物也可以共聚有丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
进一步，作为粘结剂聚合物成分，也可以掺合用于保持固化后的保护膜的可挠性的热塑性树脂。作为这样的热塑性树脂，优选重均分子量为1000～10万的热塑性树脂，进一步优选重均分子量为3000～8万的热塑性树脂。热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为-30～120℃，进一步优选为-20～120℃。作为热塑性树脂，可列举出聚酯树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。这些热塑性树脂可以单独使用一种或混合使用两种以上。通过含有上述热塑性树脂，背面保护膜形成用膜能够追随背面保护膜形成用膜的转印面并可抑制产生空隙等。
(固化性成分)
固化性成分可使用热固性成分和/或能量射线固化性成分。
作为热固性成分，可使用热固化树脂及热固化剂。作为热固化树脂例如优选环氧树脂。
作为环氧树脂，能够使用现有公知的环氧树脂。作为环氧树脂，具体而言可列举出多官能度类环氧树脂或联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚或其氢化物、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等在分子中具有双官能度以上的环氧化合物。这些环氧树脂能够单独使用一种或组合使用两种以上。
相对于粘结剂聚合物成分100质量份，背面保护膜形成用膜中优选含有1～1000质量份、更优选含有10～500质量份、特别优选含有20～200质量份的热固化树脂。若热固化树脂的含量小于1质量份，则无法得到充分的粘合性，若大于1000质量份，则背面保护膜形成用膜与粘着片或基材膜之间的剥离力增大，有时会引起背面保护膜形成用膜的转印不良。
热固化剂作为针对热固化树脂、尤其是针对环氧树脂的固化剂而发挥作用。作为优选的热固化剂，可列举出一分子中具有两个以上能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为该官能团，可列举出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基及酸酐等。其中，可优选列举出酚羟基、氨基、酸酐等，进一步优选列举出酚羟基、氨基。
作为酚类固化剂的具体的实例，可列举出多官能度类酚醛树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯类酚醛树脂、新酚醛(xylok)型酚醛树脂、芳烷基酚醛树脂。作为胺类固化剂的具体的实例，可列举出DICY(双氰胺)。这些固化剂可以单独使用一种或混合使用两种以上。
相对于热固化树脂100质量份，热固化剂的含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份。若热固化剂的含量少，则有时会固化不充分而无法获得粘合性；若过量，则背面保护膜形成用膜的吸湿率升高而导致半导体装置的可靠性降低。
作为能量射线固化性成分，可使用包含能量射线聚合性基团且受到紫外线、电子束等能量射线的照射时进行聚合固化的低分子化合物(能量射线聚合性化合物)。作为这样的能量射线固化性成分，具体而言，可列举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸丁酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯类低聚物、环氧基改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸低聚物等丙烯酸酯类化合物。这样的化合物在分子内至少具有一个聚合性双键，通常重均分子量为100～30000，优选为300～10000左右。关于能量射线聚合性化合物的掺合量，相对于粘结剂聚合物成分100质量份，优选包含1～1500质量份，更优选包含10～500质量份，特别优选包含20～200质量份。
此外，作为能量射线固化性成分，也可以使用在粘结剂聚合物成分的主链或侧链上键合能量射线聚合性基团而成的能量射线固化型聚合物。这样的能量射线固化型聚合物兼具作为粘结剂聚合物成分的功能和作为固化性成分的功能。
能量射线固化型聚合物的主骨架没有特别的限定，可以为作为粘结剂聚合物成分而通用的丙烯酸聚合物，此外也可以为聚酯、聚醚等，但是从容易控制合成及物性的角度出发，特别优选以丙烯酸聚合物为主骨架。
与能量射线固化型聚合物的主链或侧链键合的能量射线聚合性基团例如为包含能量射线聚合性碳碳双键的基团，具体而言，能够例示出(甲基)丙烯酰基等。能量射线聚合性基团也可以经由亚烷基、亚烷氧基、聚亚烷氧基而与能量射线固化型聚合物键合。
键合有能量射线聚合性基团的能量射线固化型聚合物的重均分子量(Mw)优选为1万～200万，更优选为10万～150万。此外，能量射线固化型聚合物的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～50℃，进一步优选为-50～40℃，特别优选在-40～30℃的范围内。
能量射线固化型聚合物例如可通过使含有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的丙烯酸聚合物与每一分子中具有1～5个与该官能团反应的取代基和能量射线聚合性碳碳双键的含聚合性基团化合物反应而得到。作为与该官能团反应的取代基，可列举出异氰酸酯基、缩水甘油基、羧基等。
作为含聚合性基团化合物，可列举出(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯、m-异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；(甲基)丙烯酸等。
丙烯酸聚合物优选为由具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物和可与其共聚的其他(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物构成的共聚物。
作为具有羟基、羧基、氨基、取代氨基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸单体或其衍生物，例如可列举出具有羟基的(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯；具有羧基的丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸；具有环氧基的甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸缩水甘油酯等。
作为可与上述单体共聚的其他(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，例如可列举出：烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等；具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，具体而言，可列举出(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸异冰片酯、丙烯酸二环戊基酯、丙烯酸二环戊烯基酯、丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺丙烯酸酯等。此外，上述丙烯酸聚合物中也可以共聚有醋酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等。
即使在使用能量射线固化型聚合物时，也可以同时使用上述的能量射线聚合性化合物，此外也可以同时使用粘结剂聚合物成分。本发明的背面保护膜形成用膜中的这三者的掺合量的关系为：相对于能量射线固化型聚合物及粘结剂聚合物成分的质量之和100质量份，优选包含1～1500质量份、更优选包含10～500质量份、特别优选包含20～200质量份的能量射线聚合性化合物。
通过对背面保护膜形成用膜赋予能量射线固化性，能够简便且在短时间内使背面保护膜形成用膜固化，并可提高带保护膜的芯片的生产效率。在以往，芯片用的保护膜通常由环氧树脂等热固化树脂形成，但是热固化树脂的固化温度大于200℃、或需要2小时左右的固化时间，因此阻碍了生产效率的提高。然而，能量射线固化性的背面保护膜形成用膜可通过能量射线照射而在短时间内固化，因此能够简便地形成保护膜，从而可能有助于提高生产效率。
除了上述粘结剂聚合物成分及固化性成分以外，背面保护膜形成用膜还可以含有下述成分。
(着色剂)
背面保护膜形成用膜优选含有着色剂。通过在背面保护膜形成用膜中掺合着色剂，能够在将半导体装置组装入设备时，屏蔽由周围的装置产生的红外线等，且能够防止由此导致的半导体装置的故障，此外，对使背面保护膜形成用膜固化而得到的保护膜打印产品编号等时，文字的视觉辨认性得以提高。即，在形成有保护膜的半导体装置或半导体芯片中，通常会通过激光打标法(通过激光切削保护膜表面而进行打印的方法)在保护膜的表面打印产品编号等，而通过使保护膜含有着色剂，可充分获得保护膜被激光削掉的部分与未被削掉的部分的对比度差，从而提高视觉辨认性。作为着色剂，可以使用有机或无机的颜料及染料。其中，从电磁波或红外屏蔽性的角度出发，优选黑色颜料。作为黑色颜料，可使用炭黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、活性炭等，但并不限定于此。从提高半导体装置的可靠性的角度出发，特别优选炭黑。着色剂可以单独使用一种，也可以组合使用两种以上。在使用使可见光和/或红外线与紫外线透射性均降低的着色剂从而紫外线的透射性降低时，可特别优异地发挥本发明的背面保护膜形成用膜的高固化性。作为使可见光和/或红外线与紫外线透射性均降低的着色剂，除上述的黑色颜料以外，只要为在可见光和/或红外线与紫外线的波长区域内均具有吸收性或反射性的着色剂，则没有特别限定。
相对于构成背面保护膜形成用膜的总固体成分100质量份，着色剂的掺合量优选为0.1～35质量份，进一步优选为0.5～25质量份，特别优选为1～15质量份。
(固化促进剂)
固化促进剂用于调节背面保护膜形成用膜的固化速度。特别是在固化性成分中同时使用环氧树脂与热固化剂时，优选使用固化促进剂。
作为优选的固化促进剂，可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲氨基甲基)苯酚等叔胺类；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类；四苯基硼四苯基磷(tetraphenylphosphoniumtetraphenylborate)、三苯基膦四苯基硼酸酯(triphenylphosphine tetraphenylborate)等四苯硼盐等。这些固化促进剂可以单独使用一种或混合使用两种以上。
相对于固化性成分100质量份，优选以0.01～10质量份的量、进一步优选以0.1～1质量份的量含有固化促进剂。通过以上述范围的量含有固化促进剂，即使暴露在高温高湿下也具有优异的粘合特性，即使暴露在严酷的回流焊(reflow)条件下也能够实现高可靠性。若固化促进剂的含量少，则固化不充分而无法获得充分的粘合特性；若过量，则具有高极性的固化促进剂在高温高湿下会在背面保护膜形成用膜中向粘合界面侧移动、偏析，由此导致半导体装置的可靠性下降。
(偶联剂)
偶联剂可以用于提高背面保护膜形成用膜对芯片的粘合性、密合性和/或保护膜的内聚性。此外，通过使用偶联剂，能够在不损害使背面保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的耐热性的情况下提高其耐水性。
作为偶联剂，优选使用具有可与粘结剂聚合物成分、固化性成分等所具有的官能团反应的基团的化合物。作为偶联剂，优选硅烷偶联剂。作为这样的偶联剂，可列举出γ-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-6-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-巯丙基三甲氧基硅烷、γ-巯丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基硅基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。这些偶联剂可以单独使用一种或混合使用两种以上。
相对于粘结剂聚合物成分及固化性成分的合计100质量份，通常以0.1～20质量份的比例、优选以0.2～10质量份的比例、更优选以0.3～5质量份的比例包含偶联剂。若偶联剂的含量小于0.1质量份，则可能无法获得上述效果；若大于20质量份，则可能会导致脱气。
(无机填充材料)
通过在背面保护膜形成用膜中掺合无机填充材料，能够调节固化后的保护膜的热膨胀系数，并且通过相对于半导体芯片优化固化后的保护膜的热膨胀系数，能够提高半导体装置的可靠性。此外，也能够降低固化后的保护膜的吸湿率。
作为优选的无机填充材料，可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、氧化钛、氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末、将上述粉末球形化而成的球珠(beads)、单晶纤维及玻璃纤维等。其中，优选二氧化硅填料及氧化铝填料。上述无机填充材料可以单独使用一种或混合使用两种以上。相对于构成背面保护膜形成用膜的总固体成分100质量份，无机填充材料的含量通常可以在1～80质量份的范围内进行调节。
(光聚合引发剂)
当背面保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分作为上述固化性成分时，在使用背面保护膜形成用膜时照射紫外线等能量射线而使能量射线固化性成分固化。此时，通过使该组合物中含有光聚合引发剂，能够减少聚合固化时间以及光线照射量。
作为这样的光聚合引发剂，具体而言，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、苯偶酰(benzil)、二苯偶酰、双乙酰、1,2-二苯基甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。光聚合引发剂可单独使用一种或组合使用两种以上。
关于光聚合引发剂的掺合比例，相对于能量射线固化性成分100质量份，优选包含0.1～10质量份、更优选包含1～5质量份的光聚合引发剂。若小于0.1质量份，则光聚合不充分，有时无法获得充足的转印性；若大于10质量份，则会生成无益于光聚合的残留物，背面保护膜形成用膜的固化性有时会变得不充分。
(交联剂)
为了调节背面保护膜形成用膜的初始粘合力及内聚力，也可以添加交联剂。作为交联剂，可列举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，可列举出芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物、脂环族多异氰酸酯化合物及这些有机多异氰酸酯化合物的三聚体、以及使这些有机多异氰酸酯化合物与多元醇化合物进行反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。
作为有机多异氰酸酯化合物，例如可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、三羟甲基丙烷加成甲苯二异氰酸酯及赖氨酸异氰酸酯。
作为上述有机多元亚胺化合物，可列举出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
相对于粘结剂聚合物成分及能量射线固化型聚合物的合计量100质量份，通常以0.01～20质量份、优选以0.1～10质量份、更优选以0.5～5质量份的比率使用交联剂。
(通用添加剂)
除上述以外，还可根据需要在背面保护膜形成用膜中掺合各种添加剂。作为各种添加剂，可列举出流平剂(leveling agent)、增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、离子捕获剂、吸杂剂(gettering agent)、链转移剂等。
(溶剂)
保护膜形成组合物优选进一步含有溶剂。含有溶剂的保护膜形成组合物的操作性良好。
所述溶剂没有特别限定，作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
粘合剂组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，其组合及比率可任意选择。
从能够更均匀地混合粘合剂组合物中的含有成分方面出发，粘合剂组合物所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。
涂布由上述的各成分构成的保护膜形成组合物，并使其干燥而得到的背面保护膜形成用膜具有粘合性与固化性，通过在未固化状态下将其按压在工件(半导体晶圆或芯片等)上而容易地进行粘合。在按压时，也可以对背面保护膜形成用膜进行加热。并且，能够经过固化最终提供一种耐冲击性高的保护膜，其粘合强度优异，即使在严酷的高温高湿条件下也能够保持充分的保护功能。另外，背面保护膜形成用膜可以为单层结构，此外，只要包含一层以上含有上述成分的层，则也可以为多层结构。
背面保护膜形成用膜的厚度没有特别限定，优选为3～300μm，进一步优选为5～250μm，特别优选为7～200μm。
<支撑片>
作为本发明的一个方案中所使用的支撑片10，可列举出仅由基材11构成的片、或在基材11上具有粘着剂层12的粘着片。
本发明的一个方案的第三层叠体所具有的支撑片可以发挥防止在背面保护膜形成用膜的表面上附着灰尘等的剥离片的作用，或者可以发挥在切割工序等中用于保护背面保护膜形成用膜的面的切割片等的作用。
作为支撑片的厚度，可以根据用途而适当选择，但是从赋予复合片充分的可挠性、且使对硅晶圆的贴附性良好的角度出发，支撑片的厚度优选为10～500μm，更优选为20～350μm，进一步优选为30～200μm。
另外，上述支撑片的厚度不仅为构成支撑片的基材的厚度，在具有粘着剂层时还包含这些层或膜的厚度。
(基材)
作为构成支撑片10的基材11，优选树脂膜。
作为该树脂膜，例如可列举出低密度聚乙烯(LDPE)膜或线性低密度聚乙烯(LLDPE)膜等聚乙烯膜、乙烯-丙烯共聚物膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜等。
本发明的一个方案中所使用的基材可以为由一种树脂膜构成的单层膜，也可以为层叠两种以上的树脂膜而成的层叠膜。
此外，在本发明的一个方案中，也可以将对上述树脂膜等基材的表面实施了表面处理的片用作支撑片。
这些树脂膜也可以为交联膜。
此外，也可以使用对这些树脂膜进行了着色的膜、或实施了印刷的膜等。进一步，树脂膜也可以为通过挤出成型将热塑性树脂片状化而得到的树脂膜，也可以为经拉伸的树脂膜，还可以使用通过规定方式对固化性树脂进行膜化及固化并进行片状化而得到的树脂膜。
这些树脂膜中，从耐热性优异且因具有适度的柔软性而具有扩展适性、也易于保持拾取适性的角度出发，优选包含聚丙烯膜的基材。
另外，作为包含聚丙烯膜的基材的构成，可以为仅由聚丙烯膜构成的单层结构，也可以为由聚丙烯膜与其他树脂膜构成的多层结构。
背面保护膜形成用膜为热固性时，通过使构成基材的树脂膜具有耐热性，能够抑制基材由热造成的损伤，并能够抑制半导体装置在制造过程中发生故障。
作为支撑片而使用仅由基材构成的片时，从将剥离力调节至一定范围内的角度出发，作为与该基材的背面保护膜形成用膜的表面相接的面的表面张力，优选为20～50mN/m，更优选为23～45mN/m，进一步优选为25～40mN/m。
作为构成支撑片的基材的厚度，优选为10～500μm，更优选为15～300μm，进一步优选为20～200μm。
(粘着片)
作为在本发明的一个方案中用作支撑片10的粘着片，可列举出在上述树脂膜等基材11上具有由粘着剂形成的粘着剂层12的粘着片。
图11为表示在基材11上设置有粘着剂层12的支撑片10的一个实例的概略截面图。
在支撑片10为具备粘着剂层12的支撑片时，在第二层叠工序中，在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上贴附支撑片10的粘着剂层12。
作为为粘着剂层的形成材料的粘着剂，可列举出包含粘着性树脂的粘着剂组合物，该粘着剂组合物也可以进一步含有上述交联剂或增粘剂等通用添加剂。
作为该粘着性树脂，在着眼于该树脂的结构时，例如可列举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、乙烯基醚类树脂等，在着眼于该树脂的功能时，例如可列举出能量射线固化型粘着剂或加热发泡型粘着剂、能量射线发泡型粘着剂等。
在本发明的一个方案中，从将剥离力调节至一定范围内的角度以及使拾取性良好的角度出发，优选具有能量射线固化性的粘着剂层且该粘着剂层由包含能量射线固化型树脂的粘着剂组合物形成的粘着片、或者具有微粘着性的粘着剂层的粘着片。
作为能量射线固化型树脂，只要为具有(甲基)丙烯酰基、乙烯基等聚合性基团的树脂即可，优选为具有聚合性基团的粘着性树脂。
在第一层叠工序中，在(a)未在半导体晶圆等工件的全部表面贴附背面保护膜形成用膜、(b)背面保护膜形成用膜产生浮起、(c)发生在背面保护膜形成用膜上产生褶皱等背面保护膜形成用膜的贴附不良时，支撑片能够兼用作背面保护膜形成用膜的剥离用片。在第一层叠工序中，即使在背面保护膜形成用膜发生贴附不良时，也可就此经过第二层叠工序来制造第三层叠体。然后，使背面保护膜形成用膜与支撑片一同从半导体晶圆等工件上脱离，由此能够对半导体晶圆等工件进行再加工。此时，若考虑到生产节拍，则需要迅速地从环形框架等固定用夹具上剥离支撑片，夹具用粘合剂层优选为能量射线固化性。此外，通过使用在基材上设置有能量射线固化性的粘着剂层的支撑片，能够不经由夹具用粘合剂层而直接将支撑片固定在环形框架等固定用夹具上，且通过照射紫外线等能量射线，能够使再加工性优异。
此外，从将剥离力调节至一定范围内的角度出发，优选包含丙烯酸类树脂的粘着剂。
作为该丙烯酸类树脂，优选具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元(x1)的丙烯酸类聚合物，更优选具有结构单元(x1)和来自含官能团单体的结构单元(x2)的丙烯酸类共聚物。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯所具有的烷基的碳原子数，优选为1～18，更优选为1～12，进一步优选为1～8。
作为该(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出与在上述粘结剂聚合物成分的部分中说明的(甲基)丙烯酸烷基酯相同的物质。
另外，(甲基)丙烯酸烷基酯也可以单独使用或同时使用两种以上。
相对于丙烯酸类聚合物的总结构单元(100质量％)，结构单元(x1)的含量通常为50～100质量％，优选为50～99.9质量％，更优选为60～99质量％，进一步优选为70～95质量％。
作为上述含官能团单体，例如可列举出含羟基单体、含羧基单体、含环氧基单体等，各个单体的具体例可列举出与在粘结剂聚合物成分的部分中所例示的物质相同的物质。
另外，这些单体可以单独使用或同时使用两种以上。
相对于丙烯酸类聚合物的总结构单元(100质量％)，结构单元(x2)的含量通常为0～40质量％，优选为0.1～40质量％，更优选为1～30质量％，进一步优选为5～20质量％。
此外，作为本发明的一个方案中所使用的丙烯酸类树脂，也可以为进一步使具有能量射线聚合性基团的化合物与具有上述结构单元(x1)及(x2)的丙烯酸类共聚物进行反应而得到的能量射线固化型丙烯酸类树脂。
作为具有能量射线聚合性基团的化合物，只要为具有(甲基)丙烯酰基、乙烯基等聚合性基团的化合物即可。
从将剥离力调节至一定范围内的角度出发，使用包含丙烯酸类树脂的粘着剂时，优选在含有丙烯酸类树脂的同时含有交联剂。
作为该交联剂，例如可列举出异氰酸酯类交联剂、亚胺类交联剂、环氧类交联剂、噁唑啉类交联剂、碳二亚胺类交联剂等，从将剥离力调节至一定范围内的角度出发，优选异氰酸酯类交联剂。
相对于上述粘着剂中所含的丙烯酸类树脂的总质量(100质量份)，交联剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～15质量份，进一步优选为0.5～10质量份，更进一步优选为1～8质量份。
支撑片10可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。支撑片由多个层构成时，这些多个层的构成材料及厚度可以彼此相同，也可以彼此不同，只要不损害本发明的效果，则对这些多个层的组合没有特别限定。
另外，在本说明书中，不仅限于支撑片的情况，“多个层可以彼此相同也可以彼此不同”是指“可以所有的层均相同，也可以所有的层均不同，还可以仅一部分的层相同”，进一步“多个层彼此不同”是指“各层的构成材料及厚度中的至少一个彼此不同”。
支撑片可以透明，也可以不透明，还可以根据目的进行着色。
例如，在背面保护膜形成用膜具有能量射线固化性时，优选支撑片透射能量射线。
例如，为了隔着支撑片对背面保护膜形成膜进行光学检查，优选支撑片为透明。
在本实施方案中，工件14的电路面14a由电路面保护用胶带17保护，在所述第二层叠工序之后，能够包括将电路面保护用胶带17从工件14的电路面14a上剥离的剥离工序。在本实施方案中，电路面保护用胶带17在贴合于电路面14a的一侧具有通过照射能量射线进行固化而成为再剥离性的能量射线固化性的粘着剂层。在所述剥离工序中，通过对电路面保护用胶带17的粘着剂层照射能量射线，使粘着剂层固化从而具有再剥离性，能够容易地将电路面保护用胶带17从工件14的电路面14a上剥离。
本实施方案的第三层叠体的制造方法也可以包括：从支撑片10侧对背面保护膜形成用膜13照射激光从而进行激光打标的工序。本实施方案的第三层叠体的制造方法中，由于在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠支撑片10，因此从支撑片10侧隔着支撑片照射激光时，为对背面保护膜形成用膜13的平滑面13b进行激光打标，与对粗糙面13a进行激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。
在图10所示的现有的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中，由于在图10的(A’)中将保护膜形成用复合片1的背面保护膜形成用膜13的平滑面13b贴合于半导体晶圆8的背面8b，因此在图10的(D’)中从支撑片10侧隔着支撑片照射激光时，为对背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a进行激光打标。由于背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a与支撑片10的界面的密合性受损，因此若隔着支撑片照射激光，则在激光照射后，打印在背面保护膜形成用膜13与支撑片10的界面处的文字或符号的轮廓会变得模糊，打印后的视觉辨认性受损。
另一方面，由于本实施方案的第三层叠体的制造方法中，在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠支撑片10，因此背面保护膜形成用膜13的平滑面13b与支撑片10的界面可保持良好的密合性。因此，此后从支撑片10侧隔着支撑片照射激光时，如图1的(b)～图1的(e)、及图4的(f)所示，对背面保护膜形成用膜13的平滑面13b进行激光打标，可防止打印在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b与支撑片10的界面处的文字或符号发生渗色，因此与对粗糙面13a进行激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。
此外，由于本实施方案的第三层叠体的制造方法中，在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠支撑片10，因此，此后使背面保护膜形成用膜13固化而制成背面保护膜13’之后，即使从支撑片10侧隔着支撑片照射激光，也是对背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标，与对粗糙面13’a进行激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。
在图9所示的现有的带背面保护膜的半导体芯片的制造方法的一个实例中，在图9的(B)中，以露出背面保护膜形成用膜13的平滑面13b的状态热固化。另一方面，本实施方案的第三层叠体的制造方法中，由于在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠支撑片10，因此在使背面保护膜形成用膜13固化时，平滑面13b成为与支撑片10接触且被保护的状态。因此，此后即使从支撑片10侧隔着支撑片照射激光，也是对在固化工序中被支撑片10保护的状态的背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标，与对在露出状态下热固化而成的背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。
图3为示意性地表示第三层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。另外，在图3之后的图中，对与已说明的图中所示的结构要素相同的结构要素标记与该已说明的图中相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在本实施方案中，工件14为由半导体装置沿平面排列配置而成的集合体构成的半导体装置面板，所述半导体装置通过用密封树脂层64密封至少一个电子部件62而得到。本实施方案的第三层叠体的制造方法为依次层叠有作为工件14的半导体装置面板、背面保护膜形成用膜13及支撑片10的第三层叠体19的制造方法，作为工件14的半导体装置面板的一个面为电路面，另一个面为背面14b(图3的(a’))，背面保护膜形成用膜13的一个面为平滑面13b，另一个面为比平滑面13b粗糙的粗糙面13a，该第三叠层体的制造方法依次包括(图3的(a’)～图3的(d’))：将背面保护膜形成用膜13的粗糙面13a朝向工件14的背面14b进行贴附的第一层叠工序(图3的(b’))；以及在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上贴附支撑片10的第二层叠工序(图3的(c’))。
在本实施方案中，半导体装置面板可以为各个半导体装置在近似圆形的区域沿平面排列而形成的半导体装置面板，也可以为各个半导体装置在近似矩形的区域内沿平面排列而形成的半导体装置面板。
图3所示的本实施方案也与图1所示的实施方案相同，由于在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠支撑片10，因此从支撑片10侧隔着支撑片照射激光时，为对背面保护膜形成用膜13的平滑面13b或背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标，与对粗糙面13a或粗糙面13’a进行激光打标时相比，能够更加清晰地进行激光打标。此外，由于此后是对在固化工序中被支撑片10保护的状态的背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标，因此即使从支撑片10侧隔着支撑片照射激光，与对在露出状态下热固化而成的背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。
<<第四层叠体的制造方法>>
本实施方案的第四层叠体的制造方法为依次层叠有工件14、背面保护膜13’及支撑片10的第四层叠体19’的制造方法，该制造方法包括使通过所述第三层叠体的制造方法制造的第三层叠体19的背面保护膜形成用膜13固化，从而制成背面保护膜13’的固化工序。
图4为示意性地表示第四层叠体的制造方法的实施方案的一个实例的概略截面图。本实施方案的第四层叠体的制造方法包括：在所述第二层叠工序之后，从工件14的电路面14a上剥离电路面保护用胶带17的剥离工序(图4的(e))；从支撑片10侧对背面保护膜形成用膜13照射激光从而进行激光打标的工序(图4的(f))；以及使背面保护膜形成用膜13固化从而制成背面保护膜13’的固化工序(图4的(g))。在本实施方案中使用热固性的背面保护膜形成用膜，在本实施方案的固化工序中，在130℃、2h的条件下进行热固化。
对于对热固性的背面保护膜形成用膜进行热处理使其热固化从而形成背面保护膜时的固化条件，只要背面保护膜成为充分发挥其功能的程度的固化度，则没有特别限定，根据热固性的背面保护膜形成用膜的种类适当选择即可。
例如，热固化时的加热温度优选为100～200℃，更优选为110～180℃，特别优选为120～170℃。并且，所述热固化时的加热时间优选为0.5～5小时，更优选为0.5～3小时，特别优选为1～2小时。在固化工序中，进行热固化时，考虑到电路面保护用胶带17的耐热性，所述剥离工序的顺序优选在固化工序之前。
在图4所示的本实施方案中，如上所述，由于在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠有支撑片10，因此若从支撑片10侧隔着支撑片照射激光，则为对背面保护膜形成用膜13的平滑面13b进行激光打标，与对粗糙面13a实施激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。
图5为示意性表示第四层叠体的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。本实施方案的第四层叠体的制造方法包括：在所述第二层叠工序之后，从工件14的电路面14a上剥离电路面保护用胶带17的剥离工序(图5的(e))；使背面保护膜形成用膜13固化从而制成背面保护膜13’的固化工序(图5的(f’))；以及从支撑片10侧对背面保护膜13’照射激光从而进行激光打标的工序(图5的(g’))。
在图5所示的本实施方案中，如上所述，由于在背面保护膜形成用膜13的平滑面13b上层叠有支撑片10，因此若从支撑片10侧隔着支撑片照射激光，则为对背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标，与对粗糙面13’a进行激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。此外，由于是对在固化工序中被支撑片10保护的状态的背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标，因此若从支撑片10侧隔着支撑片照射激光，则与对在露出状态下热固化而成的背面保护膜13’的平滑面13’b进行激光打标时相比，能够更清晰地进行激光打标。
<<带背面保护膜的半导体装置的制造方法>>
图6为示意性地表示带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的一个实例的概略截面图。本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法包括：切割通过所述第四层叠体的制造方法制造的第四层叠体19’的工件14及背面保护膜13’，制成带背面保护膜的半导体装置21的工序(图6的(h)及图6的(i))；以及从支撑片10上拾取带背面保护膜的半导体装置21的工序(图6的(j))。
图7为示意性地表示带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法包括：切割通过所述第三层叠体的制造方法制造的第三层叠体19的背面保护膜形成用膜13及工件14，制成带背面保护膜形成用膜的半导体装置21’的工序(图7的(h’)及图7的(i’))；从支撑片10上拾取带背面保护膜形成用膜的半导体装置21’的工序(图7的(j’))；以及使背面保护膜形成用膜13固化，制成背面保护膜13’的固化工序(图7的(k’))。
图8为示意性地表示带背面保护膜的半导体装置的制造方法的实施方案的另一个实例的概略截面图。本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法包括：切割通过所述第三层叠体的制造方法制造的第三层叠体19的背面保护膜形成用膜13及工件14，制成带背面保护膜形成用膜的半导体装置21’的工序(图8的(h’)及图8的(i’))；使背面保护膜形成用膜13固化，制成背面保护膜13’的固化工序(图8的(j’))；以及从支撑片10上拾取带背面保护膜的半导体装置21的工序。
本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法的背面保护膜形成用膜13为热固性，在形成本实施方案的背面保护膜的工序中，例如，使背面保护膜形成用膜13在130℃、2h的条件下热固化。
如上所述，对于使热固性的背面保护膜形成用膜热固化从而形成背面保护膜时的固化条件，只要背面保护膜成为可充分发挥其功能的程度的固化度，则没有特别限定，根据热固性的背面保护膜形成用膜的种类适当选择即可。
本实施方案的带背面保护膜的半导体装置的制造方法的背面保护膜形成用膜13为能量射线固化性，所述制成背面保护膜的工序可以为对背面保护膜形成用膜13照射能量射线而使其能量射线固化的工序。
对于使能量射线固化性的背面保护膜形成用膜能量射线固化从而形成保护膜时的固化条件，只要保护膜成为可充分发挥其功能的程度的固化度，则没有特别限定，根据能量射线固化性背面保护膜形成用膜的种类适当选择即可。
例如，使能量射线固化性背面保护膜形成用膜进行能量射线固化时的能量射线的照度优选为4～280mW/cm2。并且，所述固化时的能量射线的光量优选为3～1000mJ/cm2。
作为能量射线固化性的背面保护膜形成用膜，也能够使用例如国际公开第2017/188200号、国际公开第2017/188218号中公开的材料。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明进行更详细的说明。然而，本发明不受以下所述实施例的任何限定。
[实施例1]
按照表1所示的掺合比(固体成分换算)混合以下的各成分，用甲基乙基酮稀释使固体成分浓度相对于保护膜形成组合物的总质量为50质量％，制备用于形成背面保护膜形成用膜的保护膜形成组合物。
(A-1)：粘结剂聚合物：由55质量份的丙烯酸正丁酯、10质量份的丙烯酸甲酯、20质量份的甲基丙烯酸缩水甘油酯及15质量份的丙烯酸2-羟基乙酯共聚而成的(甲基)丙烯酸酯共聚物(重均分子量：80万，玻璃化转变温度：-28℃)
(B-1)双酚A型环氧树脂(Mitsubishi Chemical Corporation制造，jER828，环氧当量184～194g/eq)
(B-2)双酚A型环氧树脂(Mitsubishi Chemical Corporation制造，jER1055，环氧当量800～900g/eq)
(B-3)双环戊二烯型环氧树脂(DIC Corporation制造，EPICLON HP-7200HH，环氧当量255～260g/eq)
(B-4)邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂(Nippon Kayaku Co.,Ltd.制造，EOCN-104，环氧当量220g/eq)
(C-1)热活性潜伏性环氧树脂固化剂：双氰胺(ADEKA CORPORATION制造，ADEKAHARDENER EH-3636AS，活性氢量21g/eq)
(D-1)固化促进剂：2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑(SHIKOKU CHEMICALSCORPORATION制造，CUREZOL 2PHZ)
(E-1)无定形二氧化硅填料(TATSUMORI LTD制造，SV-10，平均粒径8μm)
(F-1)硅烷偶联剂：γ-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷(Shin-Etsu ChemicalCo.,Ltd.制造，KBM403，甲氧基当量：12.7mmol/g，分子量：236.3)
(G-1)着色剂：混合32质量份的酞菁类蓝色色素(Pigment Blue 15:3)、18质量份的异吲哚啉酮类黄色色素(Pigment Yellow 139)及50质量份的蒽醌类红色色素(PigmentRed 177)，以所述三种色素的合计量/苯乙烯丙烯酸树脂量＝1/3(质量比)的方式进行颜料化而得到的颜料。
(背面保护膜形成用膜的形成)
在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制膜的一个面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation制造“SP-PET501031”，厚度50μm，相当于所述第二剥离膜)的剥离处理面(表面粗糙度Ra：30nm)上涂布上述所得到的组合物(III-1)，在100℃下将其干燥3分钟，形成厚度为25μm的背面保护膜形成用膜。
进一步，使用层压辊，在温度：23±5℃、压力：0.4MPa、速度：1m/分钟的条件下，将另一通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制膜的一个面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation制造“SP-PET381031”，厚度38μm，相当于所述第一剥离膜)的剥离处理面(表面粗糙度Ra：30nm)从第一剥离膜侧贴合在该背面保护膜形成用膜的露出面(与具备剥离膜的一侧为相反侧的表面)上，从而制备在背面保护膜形成用膜的两面层叠有剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)。
(剥离不良的发生频率评价)
制备10片A4大小的第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片。
由A4大小的短边侧从所述层叠片上剥下第一剥离膜。
在10片层叠片中，按照以下的标准判定从A4大小的短边侧剥下第一剥离膜时发生剥离不良的片数，并对剥离不良的发生频率进行评价。
·0～1片发生剥离不良···A：非常好。
·2～3片发生剥离不良···B：良好。
·4～5片发生剥离不良···C：一般。
·6～10片发生剥离不良···D：差。
(表面粗糙度(Ra)的测定)
使用光学干涉式表面形状测定装置(Veeco Metrology Group公司制造，产品名称“WYKO WT1100”)，在PSI模式下以10倍的倍率，在面内的10处测定测定对象的表面的表面粗糙度(Ra)，将平均值的小数点后第一位四舍五入得到整数数值。
对于第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片，通过剥离第一剥离膜，测定未固化的背面保护膜形成用膜的工件侧的表面粗糙度(Ra)，通过剥离第二剥离膜，测定背面保护膜形成用膜的支撑片侧的表面粗糙度(Ra)。
[支撑片的制造]
在剥离膜(Lintec Corporation制造“SP-PET381031”，厚度38μm)的剥离处理面上涂布粘着剂组合物，在100℃下干燥3分钟，形成紫外线固化型的粘着剂层(干燥后厚度10μm)，在露出面(与具备剥离膜的一侧为相反侧的表面)上另外贴合作为基材的聚丙烯膜(厚度80μm，GUNZE LIMITED制造)，得到支撑片。
所述粘着剂组合物为含有100质量份(固体成分)的(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物、6.6质量份(固体成分)的三官能度苯二亚甲基二异氰酸酯类交联剂(Mitsui TakedaChemicals,Inc.制造“TAKENATE D110N”)、及3.0质量份(固体成分)的光聚合引发剂(巴斯夫公司制造“IRGACURE127”)，并使用甲基乙基酮、甲苯及醋酸乙酯的混合溶剂将固体成分浓度调节为30质量％的组合物。此外，所述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚物为使由70质量份的丙烯酸2-乙基己酯(以下有时简写为“2EHA”)、10质量份的醋酸乙烯酯(以下有时简写为“VAc”)及20质量份的丙烯酸2-羟基乙酯(以下有时简写为“HEA”)共聚而得到的预聚物进一步与21.4质量份(使MOI中的异氰酸酯基的总摩尔数相对于HEA中的羟基的总摩尔数为0.8倍的量)的2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸2-异氰基乙酯，以下有时简写为“MOI”)反应而得到的重均分子量为700000的紫外线固化型丙烯酸类共聚物。
(工件)
作为工件，使用具有#2000研磨面的12英寸硅晶圆(厚度100μm)。
(第三层叠体的制造)
制造第三层叠体时，在同一装置内连接剥离第一剥离膜的机构、贴附背面保护膜形成用膜的机构、剥离第二剥离膜的机构及贴附支撑片的机构，使用运送臂在各机构之间逐片运送在作为工件的硅晶圆上贴附有背面保护膜形成用膜的第二层叠体。
首先，对于由第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜构成的层叠片(即，第一层叠体)，将背面保护膜形成用膜及第一剥离膜冲切加工为作为工件的硅晶圆的形状，同时剥离第一剥离膜，在温度：23℃、压力：0.5MPa的条件下，在所述硅晶圆的#2000研磨面上贴附第二剥离膜/背面保护膜形成用膜。
接着，从该由第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/硅晶圆构成的层叠体上剥离第二剥离膜，从而得到在作为工件的硅晶圆上贴附有背面保护膜形成用膜的第二层叠体。
进一步，剥离所述支撑片的剥离膜，使用同一装置内所具有的晶圆贴合机，在贴附速度：20mm/s、层压压力：0.3MPa的贴附条件下，将所述支撑片的粘着剂层的露出面与所述背面保护膜形成用膜的露出面贴合，得到依次层叠支撑片、背面保护膜形成用膜及半导体晶圆而构成的第三层叠体。
从在硅晶圆上贴附背面保护膜形成用膜的第一层叠工序的贴附开始时，至在背面保护膜形成用膜上贴附支撑片的第二层叠工序的贴附结束时为止的工件的运送时间为60s。
从在硅晶圆上贴附背面保护膜形成用膜的第一层叠工序的贴附开始位置，至在背面保护膜形成用膜上贴附支撑片的第二层叠工序的贴附结束位置为止的工件的运送距离为2900mm。
(热固化)
在130℃、2h的条件下对第三层叠体进行热处理，得到依次层叠支撑片、背面保护膜及硅晶圆而构成的第四层叠体。
(激光打标评价)
对于第四层叠体，使用激光打印装置(EO Technics Co.,Ltd.制造“CSM300M”)，隔着支撑片对第四层叠体中的背面保护膜中的粘着剂层侧的面照射激光，由此进行打印。此时打印了大小为0.3mm×0.2mm的文字。
随后，隔着支撑片肉眼观察该背面保护膜的打印(激光打印)，并按照下述标准评价打印(文字)的视觉辨认性。将结果示于表1。
○：打印清晰，可容易地视觉辨认。
×：打印不清晰，不能视觉辨认。
[表1]
Figure BDA0003288875480000381
[实施例2]
将实施例1中制作第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)时的、在背面保护膜形成用膜的露出面上贴合第一剥离膜的条件设为温度：40℃、压力：0.5MPa、速度：1m/分钟，除此以外，用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[实施例3]
将实施例1中制作第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)时的、在背面保护膜形成用膜的露出面上贴合第一剥离膜的条件设为温度：50℃、压力：0.5MPa、速度：1m/分钟，除此以外，用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[实施例4]
将实施例1中制作第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)时的、在背面保护膜形成用膜的露出面上贴合第一剥离膜的条件设为温度：60℃、压力：0.5MPa、速度：1m/分钟，除此以外，用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[实施例5]
将实施例1中制作第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)时的、在背面保护膜形成用膜的露出面上贴合第一剥离膜的条件设为温度：70℃、压力：0.5MPa、速度：1m/分钟，除此以外，用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[实施例6]
将实施例1中制作第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)时的、在背面保护膜形成用膜的露出面上贴合第一剥离膜的条件设为温度：70℃、压力：0.7MPa、速度：1m/分钟，除此以外，用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[实施例7]
将实施例1中制作第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)时的、在背面保护膜形成用膜的露出面上贴合第一剥离膜的条件设为温度：70℃、压力：0.8MPa、速度：1m/分钟，除此以外，用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[实施例8]
将实施例1中制作第二剥离膜/背面保护膜形成用膜/第一剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)时的、在背面保护膜形成用膜的露出面上贴合第一剥离膜的条件设为温度：70℃、压力：0.9MPa、速度：1m/分钟，除此以外，用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[比较例1]
(背面保护膜形成用膜的形成)
在通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制膜的一个面进行了剥离处理的剥离膜(Teijin Dupont Films公司制造，U4Z-50，厚度50μm，相当于所述第二剥离膜)的剥离处理面(表面粗糙度：218nm)上涂布上述所得到的组合物(III-1)，在100℃下干燥3分钟，形成厚度为25μm的背面保护膜形成用膜。
进一步，使用层压辊，在温度：70℃、压力：0.9MPa、速度：1m/分钟的条件下，将另一通过有机硅处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制膜的一个面进行了剥离处理的剥离膜(Lintec Corporation制造“SP-PET381031”，厚度38μm，相当于所述第一剥离膜)的剥离处理面(表面粗糙度：30nm)从第一剥离膜侧贴合在该背面保护膜形成用膜的露出面(与具备剥离膜的一侧为相反侧的表面)上，从而制作在背面保护膜形成用膜的两面层叠有剥离膜的层叠片(即，第一层叠体)。
用与实施例1相同的方法，考察发生剥离不良的片数，评价剥离不良的发生频率，测定表面粗糙度(Ra)。
此外，用与实施例1相同的方法制造第二层叠体、第三层叠体及第四层叠体，进行激光打标评价。将结果示于表1。
[表2]
Figure BDA0003288875480000421
工业实用性
本发明的第三层叠体的制造方法及第四层叠体的制造方法能够用于带背面保护膜的半导体装置的制造。
附图标记说明
1：保护膜形成用复合片；5：第一层叠体；6：第二层叠体；7：带背面保护膜的半导体芯片；8：半导体晶圆；8b：半导体晶圆的背面；9：半导体芯片；10：支撑片；11：基材；12：粘着剂层；13：背面保护膜形成用膜；13’：背面保护膜；13a：背面保护膜形成用膜的粗糙面；13b：背面保护膜形成用膜的平滑面；14：工件；14a：工件的电路面；14b：工件的背面；151：第一剥离膜；152：第二剥离膜；16：夹具用粘合剂层；17：电路面保护用胶带；18：固定用夹具；19：第三层叠体；19’：第四层叠体；20：半导体装置；21：带背面保护膜的半导体装置；21’：带背面保护膜形成用膜的半导体装置；62：电子部件；63：电路基板；63a：端子形成面；64：密封树脂层。

Claims (19)

1.一种第三层叠体的制造方法，其为依次层叠有工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体的制造方法，其中，
所述工件的一个面为电路面，另一个面为背面，
所述背面保护膜形成用膜的一个面为平滑面，另一个面为比所述平滑面粗糙的粗糙面，
所述制造方法依次包括：
将所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面朝向所述工件的所述背面进行贴附的第一层叠工序；以及
在所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面上贴附所述支撑片的第二层叠工序。
2.根据权利要求1所述的第三层叠体的制造方法，其中，
至少从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止，将贴附背面保护膜形成用膜的装置与贴附支撑片的装置连接而进行操作，或者在同一装置内进行操作。
3.根据权利要求1或2所述的第三层叠体的制造方法，其中，
从所述第一层叠工序至所述第二层叠工序为止，逐片运送在所述工件上贴附有所述背面保护膜形成用膜的第二层叠体。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，
从所述第一层叠工序的贴附开始位置至所述第二层叠工序的贴附结束位置为止的所述工件的运送距离为7000mm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，
从所述第一层叠工序的贴附开始时至所述第二层叠工序的贴附结束时为止的所述工件的运送时间为150s以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，
用电路面保护用胶带保护所述工件的所述电路面，
所述第三层叠体的制造方法包括：在所述第二层叠工序之后，从所述工件的所述电路面上剥离所述电路面保护用胶带的剥离工序。
7.根据权利要求6所述的第三层叠体的制造方法，其中，
所述工件的所述背面为经研磨的面，所述电路面保护用胶带为背面研磨用胶带。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，
所述工件为半导体晶圆。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，
所述工件为由用密封树脂密封了至少一个电子部件的半导体装置的集合体构成的半导体装置面板。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其中，
所述支撑片在基材上设置有粘着剂层，
所述第三层叠体的制造方法包括：在所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面上贴附所述支撑片的所述粘着剂层的第二层叠工序。
11.根据权利要求10所述的第三层叠体的制造方法，其中，
所述粘着剂层为能量射线固化性。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的第三层叠体的制造方法，其包括：
从所述支撑片侧对所述背面保护膜形成用膜照射激光从而进行激光打标的工序。
13.一种第四层叠体的制造方法，所述第四层叠体依次层叠有工件、背面保护膜及支撑片，所述制造方法包括：
使通过权利要求1～12中任一项所述的制造方法制造的第三层叠体的所述背面保护膜形成用膜固化从而制成背面保护膜的工序。
14.根据权利要求13所述的第四层叠体的制造方法，其包括：
从所述支撑片侧对所述背面保护膜照射激光从而进行激光打标的工序。
15.一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括：
切割通过权利要求13或14所述的制造方法制造的第四层叠体的所述工件及所述背面保护膜，制成带背面保护膜的半导体装置的工序；以及
从所述支撑片上拾取所述带背面保护膜的半导体装置的工序。
16.一种带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其包括：
切割通过权利要求1～12中任一项所述的制造方法制造的第三层叠体的所述背面保护膜形成用膜及所述工件，制成带背面保护膜形成用膜的半导体装置的工序；
使所述背面保护膜形成用膜固化从而制成背面保护膜的工序；以及
从所述支撑片上拾取带背面保护膜形成用膜的半导体装置或带背面保护膜的半导体装置的工序。
17.根据权利要求15或16所述的带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其中，
所述背面保护膜形成用膜为热固性，且制成所述背面保护膜的工序中，对所述背面保护膜形成用膜进行热处理而使其热固化。
18.根据权利要求15或16所述的带背面保护膜的半导体装置的制造方法，其中，
所述背面保护膜形成用膜为能量射线固化性，且制成所述背面保护膜的工序中，对所述背面保护膜形成用膜照射能量射线而使其能量射线固化。
19.一种第三层叠体，其为依次层叠有工件、背面保护膜形成用膜及支撑片的第三层叠体，其中，
所述工件的一个面为电路面，另一个面为背面，
所述背面保护膜形成用膜的一个面为平滑面，另一个面为比所述平滑面粗糙的粗糙面，
所述背面保护膜形成用膜的所述粗糙面贴合于所述工件的所述背面，
所述支撑片贴合于所述背面保护膜形成用膜的所述平滑面。
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