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CN113629218A - 一种显示面板及显示面板的制备方法 - Google Patents

一种显示面板及显示面板的制备方法 Download PDF

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CN113629218A
CN113629218A CN202110814349.9A CN202110814349A CN113629218A CN 113629218 A CN113629218 A CN 113629218A CN 202110814349 A CN202110814349 A CN 202110814349A CN 113629218 A CN113629218 A CN 113629218A
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CN
China
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quantum dot
display panel
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dot light
dispensing
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CN202110814349.9A
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Inventor
石志清
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Publication date
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract

本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,在制备形成显示面板的量子点发光层时,在衬底基板上通过点胶工艺形成外围挡墙结构,并且在外围挡墙的内部设置多个相互连接的阻挡格结构,再将量子点发光材料设置在该阻挡格结构内,通过阻挡格结构保证量子点发光材料的均匀性,同时,向量子点发光材料中施加电场,并对量子点发光材料进行固化并最终形成本申请实施例中提供的量子点发光膜层。本申请实施例中提供的量子点发光层的制备方法制备得到的量子点膜层更加均匀,性能更好。

Description

一种显示面板及显示面板的制备方法
技术领域
本发明涉及显示面板制造技术领域,具体涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic light emitting display,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短以及高对比度和使用温度范围宽等诸多优点,而被业界公认为是最具有发展潜力的显示装置。
随着制备技术的不断发展及提高,高分辨率的OLED以及高质量发光效果的显示装置逐渐发展起来。相应的,对应显示装置而言,其装置内的发光功能层的发光情况将直接影响到整个器件的发光性能。在现有技术中,量子点材料发光功能层较好的提高了显示装置的发光性能。量子点显示技术的色域可达到110%,因此,由量子点材料制备形成的发光膜层可以赋予显示器更宽广的色域,使得显示终端拥有更靓丽的色彩表现。但是,现有技术在制备形成量子点发光膜层时,其制备方法主要为光刻蚀法和喷墨打印法。但是,上述加工方法制备形成的量子点发光膜层的发光效率较低,稳定性较差以及加工时间较长等问题。进而影响了显示器件的发光性能以及质量,不利于显示装置综合性能的提高及改善。
综上所述,在制备形成显示装置内的量子点发光膜层时,现有的制备工艺中往往存在着制备形成的量子点发光膜层的发光效率低,量子点发光膜层的稳定性较差以及制备工艺较复杂加工时间较长等问题,不利于显示器件发光性能的进一步提高。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以有效改善现有技术在制备形成量子点发光膜层时,制备得到的量子点发光膜层的发光效果不理想等问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供的技术方法如下:
本发明实施例的第一方面,提供了一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的四周进行点胶,并形成至少一圈外围挡墙结构;
在所述外围挡墙结构围成的区域内进行点胶,并形成多个与所述外围挡墙结构相连接的阻挡格结构;
向所述阻挡格结构中涂布量子点发光材料,将多余的所述量子点发光材料去除,并向所述量子点发光材料施加电场;
对所述量子点发光材料进行固化并形成量子点发光薄膜。
根据本发明一实施例,在点胶形成所述外围挡墙结构时,还包括如下步骤:
提供一点胶嘴,所述点胶嘴的出胶方向与所述衬底基板相垂直;
将所述衬底基板放置于所述点胶嘴下方,并对储存室内的胶水进行加热;
向所述储存室提供输入气压,并使所述胶水涂布到所述衬底基板上。
根据本发明一实施例,在对所述胶水进行加热时,所述加热温度为10℃~80℃,且加热时间为20min~30min。
根据本发明一实施例,所述点胶嘴与所述衬底基板之间的距离为10mm~99mm。
根据本发明一实施例,所述输入气压的气压值为0.5kg/cm2~10kg/cm2
根据本发明一实施例,所述点胶的胶水的黏度为2500MPa·s-3560MPa·s,且在点胶过程中,所述点胶嘴的移动速度为50mm/s-80mm/s。
根据本发明一实施例,在对所述量子点发光材料施加电场时,所述电场的强度在5*105V/m-4*107V/m之间,且电场的施加时间为10s-360s之间。
根据本发明一实施例,在制备形成所述阻挡格结构时,所述阻挡格结构相对所述衬底基板的中心线呈对称分布。
根据本发明实施例的第二方面,还提供一种显示面板,所述显示面板包括:
衬底基板;
量子点发光层,所述量子点发光层设置在所述衬底基板上;以及,
封装层,所述封装层设置在所述量子点发光层上;
其中,所述显示面板还包括外围挡墙结构以及阻挡格结构,所述外围挡墙结构设置在所述量子点发光层的外围,所述阻挡格结构设置在所述量子点发光层内,并将所述量子点发光层分割成多个区域,且所述量子点发光层采用本申请实施例中的制备方法制备得到。
根据本发明一实施例,所述外围挡墙结构的高度大于所述阻挡格结构的高度。
综上所述,本发明实施例的有益效果为:
本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法,在制备形成显示面板的量子点发光层时,通过在衬底基板上通过点胶工艺形成外围挡墙结构,并且在外围挡墙的内部设置多个相互连接的阻挡格结构,再将量子点发光材料设置在该阻挡格结构内,通过阻挡格结构保证量子点发光材料的均匀性,同时,向量子点发光材料中施加电场,并对量子点发光材料进行固化并最终形成本申请实施例中提供的量子点发光膜层。本申请实施例中提供的量子点发光层的制备方法制备得到的量子点膜层更加均匀,性能更好。从而有效的提高了显示面板的发光性能及质量。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果更显而易见。
图1为本申请实施例中提供的量子点发光层的制备工艺流程示意图;
图2为本申请实施例提供的制备方法对应的显示面板的结构示意图;
图3为本申请实施例中提供的阻挡格结构的平面示意图;
图4为本申请实施例提供的量子点发光材料的处理工艺示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
量子点发光材料是一种纳米级的半导体材料,具有量子效应,其在电或者光的激发下可以发射不同颜色的荧光,进而有效的提高显示面板的发光性能。在制备形成量子点发光层时,现有技术中通常采用光刻法或者喷墨打印的方法进行制备,但是光刻法或者喷墨打印的制备方法制备得到的量子点发光层却存在着一些问题,如量子点发光层的发光效率低、稳定性差、重复性差以及加工时间较长等问题。因此,现有的制备工艺以及由现有制备工艺制备得到的量子点发光层的性能还需要进一步改善。
本申请实施例中提供一种显示面板及显示面板的制备方法,以有效的对显示面板的制备工艺进行改善,同时有效的提高显示面板内的量子点发光膜层的发光性能及质量。
如图1所示,图1为本申请实施例中提供的量子点发光层的制备工艺流程示意图。本申请实施例中的制备工艺包括如下步骤:
S100:提供一衬底基板;
S101:在所述衬底基板的四周进行点胶,并形成至少一圈外围挡墙结构;
S102:在所述外围挡墙结构围成的区域内进行点胶,并形成多个与所述外围挡墙结构相连接的阻挡格结构;
S103:向所述阻挡格结构中涂布量子点发光材料,将多余的所述量子点发光材料去除,并向所述量子点发光材料施加电场;
S104:对所述量子点发光材料进行固化并形成量子点发光薄膜。
具体的,如图2所示,图2为本申请实施例提供的制备方法对应的显示面板的结构示意图。在制备形成本申请实施例中的显示面板时,首先提供一衬底基板100。本申请实施例中的衬底基板100可为阵列基板,具体的,阵列基板内设置有薄膜晶体管器件以及各层间介质层。该衬底基板100的具体结构与现有技术中制备得到的阵列基板的结构相同,这里不再详细赘述。
进一步的,再在衬底基板100上继续制备其他膜层。本申请实施例中,在衬底基板100的边缘区域102内设置至少一圈外围挡墙结构103。
在制备形成外围挡墙结构103时,通过点胶工艺制备得到。具体的,将外围挡墙结构103设置在靠近衬底基板100的边缘2mm~10mm的位置处。从而尽可能的使得衬底基板100内部的发光区域101足够大,并实现窄边框型显示面板的制备。
具体的,在制备形成该外围挡墙结构103时,提供一点胶装置。具体的,该点胶装置包括点胶嘴105以及胶体储存室104。其中,胶体储存室104与点胶嘴105相连通,通过点胶嘴105的点胶口将胶体储存室104内的胶体挤出,并涂覆到衬底基板100上。
在点胶形成该外围挡墙结构103时,将点胶嘴105设置在距离衬底基板100的边缘区域102附近,并且点胶嘴105与该衬底基板100之间的距离为10mm~99mm。具体的,当点胶嘴105的点胶口较大时,可将点胶嘴105与衬底基板100之间的距离设置为70mm~99mm之间,当点胶嘴105的点胶扣较小时,此时,可将点胶嘴105与衬底基板100之间的距离设置为10mm~70mm之间,从而有效的保证点胶嘴105能进行点胶。
在进行点胶形成该外围挡墙结构103时,控制点胶装置的点胶移动速度,具体的,为了保证点胶形成的外围挡墙结构103的性能,点胶嘴105的移动速度控制在50mm/s-80mm/s之间,点胶嘴105的出胶方向与衬底基板相垂直,以保证点胶嘴105内的胶体能均匀的涂覆在衬底基板100上,从而保证形成的外围挡墙结构103的性能。
在进行点胶工艺时,在衬底基板100的长度或者宽度方向上,其点胶嘴105的移动速度可设定为相同的移动速度,如点胶嘴105以70mm/s的速度向前移动并在衬底基板100的表面进行点胶,同时,为了保证点胶过程中胶体的顺利流出,本申请实施例中,向胶体储存室提供输入气压,具体的,该气压的气压值可为0.5kg/cm2~10kg/cm2,从而有效的保证胶体的滴涂。而当点胶嘴105移动到衬底基板100的四个角对应的位置处时,降低点胶嘴105的移动速度,优选的,该区域内的点胶嘴105的移动速度设定为50mm/s,从而有效的保证形成的外围挡墙结构103在衬底基板100的四个角对应的区域内也具有较好的性能或质量。
进一步的,为了更进一步的保证形成的外围挡墙结构103的性能,在进行点胶工艺时,还需要对胶体储存室104内存储的胶体进行处理。具体的,将胶体储存室104内的胶体进行加热,使胶体具有一定的流动性能。本申请实施例中,将胶体在10℃~80℃的温度下进行加热,在加热时,可直接通过设置在胶体储存室104内的电阻丝等装置对胶体进行加热,在加热的过程中,保证胶体储存室104内不同区域的胶体受热均匀。同时控制胶体储存室104的加热时间,本申请实施例中,加热时间可为20min~30min,具体的加热时间可根据所容纳的胶体的量进行设定。
加热过程中,使胶体的黏度在2500MPa·s—3560MPa·s之间,从而保证胶体能较好的滴涂在衬底基板100上,并与衬底基板100的表面相粘接。本申请实施例中,该胶体可为光固化材料,或者热固化材料以及无机可刻蚀材料等,优选的可为UV光固化材料或热固性树脂等材料。
进一步的,外围挡墙结构103设置完成后,再在外围挡墙结构103所围成的区域内继续进行点胶工艺。如图3所示,图3为本申请实施例中提供的阻挡格结构的平面示意图。
具体的,外围挡墙结构103设置完成后,移动点胶装置,使其在内部区域内继续进行点胶。其中,在对外围挡墙结构103内部进行点胶时,其工艺参数与上述点胶工艺参数相同。这里不再详细赘述。
点胶完成后,在外围挡墙结构103内形成多个相邻的阻挡格结构202,多个阻挡格结构202将发光区域分隔成多个子区域201。本申请实施例中,子区域201以及外围挡墙结构103以“口子”型结构为例进行说明,优选的,该阻挡格结构202形成的子区域201以及形成的外围挡墙结构103还可为其他形状,如椭圆形、环形等闭合图形。
阻挡格结构202与外围挡墙结构103相连接,并且形成的阻挡格结构202将发光区域分割成多个子区域201。本申请实施例中,形成的阻挡格结构以3*2的阵列为例进行说明。其中,每个阻挡格结构202所围成的子区域201的大小可设置为相同的大小,从而保证各个区域的一致性,或者将同一列中对应的阻挡格结构202设置为相同,这样,可以保证相邻的阻挡格结构202具有一定的对称性,从而保证最终形成的显示面板的性能更加稳定。
点胶完成后,对点胶工艺形成的外围挡墙结构103以及内部多个阻挡格结构202进行固化并成型。在进行固化时,可对上述结构进行加热或者采用光照使其发生固化,并最终形成本申请实施例中所设定的结构。
进一步的,在设置本申请实施例,在设置阻挡格结构202和外围挡墙结构103时,外围挡墙结构103的高度大于阻挡格结构202的高度,这样,当在阻挡格结构202形成的多个子区域201内滴涂量子点材料时,能有效的防止材料溢出到衬底基板100外,进而影响显示面板的制备。
优选的,通过点胶形成的阻挡格结构202的高度可为0.5um~100um之间,而外围挡墙结构103的高度可设置为3mm~10mm,并且保证外围挡墙结构103的高度大于内部阻挡格结构202的高度。
显示面板内的挡墙结构以及阻挡格结构设置完成后,再在衬底基板100上涂布量子点发光材料204。在涂布量子点发光材料204时,均匀的将量子点发光材料204涂布在每个子区域201内,并将整个区域填充满。由于在涂布过程中存在一定的外界影响,涂布完成后,可通过刮刀将溢出或者高度超过挡墙结构的量子点发光材料204刮去,以保证制备的膜层的性能。
在对不同子区域201进行涂布时,可先将一个子区域201涂布满后,再继续涂布其他子区域201,或同时对整个区域进行涂布量子点发光材料204。
本申请实施例中,量子点发光材料204中的量子点可由元素周期表中对应的第IV、II-VI,IV-VI或III-V族中的元素组成。具体的可由IIIA-ⅤA(InP、GaAs等)、ⅡB-ⅥA(CdSe、ZnS等)所构成。同时,量子点发光材料204的配体可包含丙二醇衍生物、硫代硫醇化合物、硫代羧酸化合物、以及包含酯基和硫醇基的化合物中的一种;在制备该配体时使用的溶剂包括:PGMEA、醇类(如乙醇)、水、醚类(如乙醚)、酯类(如醋酸乙酯)、烷类(如正辛烷)等。并且制备得到的量子点发光材料204的浓度在10mg/ml-350mg/ml之间。
量子点发光材料204涂布完成后,对该量子点发光材料204进一步处理。如图3所示,图4为本申请实施例提供的量子点发光材料的处理工艺示意图。可在衬底基板100的两侧分别设置一电极,或者直接以衬底基板100内部的电极作为电极,并将两侧的电极连接,形成一电路结构,设置的电极可为平行的电极片。在设置电极时,电极可设置在衬底基板100的两长边对应处,或者设置在两相对的短边对应位置处。
向两电极上通入电压V,通入电压V后,两电极之间会形成一稳定的电场或磁场,该电场或磁场对应的电场线或磁场线穿过显示区域内设置的量子点发光材料204。而带电荷的量子点发光材料204在电场或磁场的作用下会沿特定方向运动,并在特定电极的作用下,选择性沉积。本申请实施例中,由于在量子点发光材料204的不同区域内其场强相同,因此,量子点发光材料204内的量子点均匀移动,从而保证了量子点的均匀分布,并且有效的保证了量子点发光材料204的液面的高度的一致性。
由于本申请实施例中,在显示区域内设置有外围挡墙结构103以及阻挡格结构202,因此,量子点发光材料204不会溢出,并且由于各区域内所施加的场强均相同,因此,电场施加完成后,不同子区域201内的量子点发光材料204的一致性也较好,从而保证了后续制备形成的量子点发光膜层性能的稳定性。
在本申请实施例中,在对量子点发光材料施加电场时,所施加的电场的强度在5*105V/m-4*107V/m之间。具体的,当所制备的显示面板为大尺寸显示面板时,由于显示面板的面积较大,此时,其施加的场强可为4x107V/m,而当制备的显示面板的面积较小时,所施加的场强可为:5*105V/m~5x106V/m,同时,本申请实施例中所施加电场的时间控制在10s~360s之间,以使量子点发光材料能完全发生流动。从而保证在不同区域内的量子点发光层所受到的电场力相同,保证量子点能在电场的作用下均匀分布,进而保证制备得到的量子点发光层的发光性能,并最终对量子点发光材料层进行固化成膜。
本申请实施例中,当对涂覆的量子点发光材料施加电场时,量子点发光材料在电场的作用下发生移动并电泳沉积,由于在衬底基板的边缘区域设置有外围挡墙结构,同时在发光区域内设置有多个阻挡格结构,因此,量子点发光材料在电泳沉积完成后,能均匀的分布在衬底基板的不同区域内,从而保证得到的薄膜的一致性较好。同时,本申请实施例中的量子点发光材料层制备完成后,继续在量子点发光层上制备其他膜层,如封装层、触控层等膜层,在制备上述各膜层时,还可通过对应的光刻工艺、打印工艺、以及模压工艺等进行制备得到,这里不在详细赘述。
进一步的,本申请实施例还提供一种显示面板,该显示面板内的发光层为量子点发光层,在制备形成该量子点发光层时,通过在显示面板内设置外围挡墙结构以及多个阻挡格结构,并通过上述结构以完成量子点发光层的制备。本申请实施例中得到的量子点发光层内的量子点材料分别均匀,并且具有较好的一致性和发光性能。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板的四周进行点胶,并形成至少一圈外围挡墙结构;
在所述外围挡墙结构围成的区域内进行点胶,并形成多个与所述外围挡墙结构相连接的阻挡格结构;
向所述阻挡格结构中涂布量子点发光材料,将多余的所述量子点发光材料去除,并向所述量子点发光材料施加电场;
对所述量子点发光材料进行固化并形成量子点发光薄膜。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在点胶形成所述外围挡墙结构时,还包括如下步骤:
提供一点胶嘴,所述点胶嘴的出胶方向与所述衬底基板相垂直;
将所述衬底基板放置于所述点胶嘴下方,并对储存室内的胶水进行加热;
向所述储存室提供输入气压,并使所述胶水涂布到所述衬底基板上。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在对所述胶水进行加热时,所述加热温度为10℃~80℃,且加热时间为20min~30min。
4.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述点胶嘴与所述衬底基板之间的距离为10mm~99mm。
5.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述输入气压的气压值为0.5kg/cm2~10kg/cm2
6.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述点胶的胶水的黏度为2500MPa·s-3560MPa·s,且在点胶过程中,所述点胶嘴的移动速度为50mm/s-80mm/s。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在对所述量子点发光材料施加电场时,所述电场的强度在5*105V/m-4*107V/m之间,且电场的施加时间为10s-360s之间。
8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在制备形成所述阻挡格结构时,所述阻挡格结构相对所述衬底基板的中心线呈对称分布。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
衬底基板;
量子点发光层,所述量子点发光层设置在所述衬底基板上;以及,
封装层,所述封装层设置在所述量子点发光层上;
其中,所述显示面板还包括外围挡墙结构以及阻挡格结构,所述外围挡墙结构设置在所述量子点发光层的外围,所述阻挡格结构设置在所述量子点发光层内,并将所述量子点发光层分割成多个区域,且所述量子点发光层采用如权利要求1-8中的制备方法制备得到。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述外围挡墙结构的高度大于所述阻挡格结构的高度。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101369632A (zh) * 2007-08-16 2009-02-18 财团法人工业技术研究院 在显示区具有挡墙结构的显示器元件及其制造方法
CN106953029A (zh) * 2017-03-22 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜封装方法及封装薄膜、喷墨打印设备
CN107425136A (zh) * 2017-05-11 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN107887405A (zh) * 2016-09-30 2018-04-06 群创光电股份有限公司 有机电激发光显示面板
CN109037289A (zh) * 2018-08-01 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN109244261A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 上海和辉光电有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板制作方法
CN110164947A (zh) * 2019-06-12 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN110609417A (zh) * 2019-09-23 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 灯板及其制造方法、背光源及显示装置
WO2021042567A1 (zh) * 2019-09-04 2021-03-11 Tcl华星光电技术有限公司 一种量子点薄膜的制备方法
CN112736214A (zh) * 2021-01-19 2021-04-30 Tcl华星光电技术有限公司 发光层的制备方法及显示面板

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101369632A (zh) * 2007-08-16 2009-02-18 财团法人工业技术研究院 在显示区具有挡墙结构的显示器元件及其制造方法
CN107887405A (zh) * 2016-09-30 2018-04-06 群创光电股份有限公司 有机电激发光显示面板
CN106953029A (zh) * 2017-03-22 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜封装方法及封装薄膜、喷墨打印设备
CN107425136A (zh) * 2017-05-11 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN109244261A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 上海和辉光电有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板制作方法
CN109037289A (zh) * 2018-08-01 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN110164947A (zh) * 2019-06-12 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
WO2021042567A1 (zh) * 2019-09-04 2021-03-11 Tcl华星光电技术有限公司 一种量子点薄膜的制备方法
CN110609417A (zh) * 2019-09-23 2019-12-24 京东方科技集团股份有限公司 灯板及其制造方法、背光源及显示装置
CN112736214A (zh) * 2021-01-19 2021-04-30 Tcl华星光电技术有限公司 发光层的制备方法及显示面板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
蔡建军: "《电子产品工艺与品质管理》", 30 November 2019 *

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