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CN113551793B - 温度检测电路 - Google Patents

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CN113551793B
CN113551793B CN202110947666.8A CN202110947666A CN113551793B CN 113551793 B CN113551793 B CN 113551793B CN 202110947666 A CN202110947666 A CN 202110947666A CN 113551793 B CN113551793 B CN 113551793B
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Abstract

公开了一种温度检测电路，连接在SOC芯片上以检测芯片各区域的温度，温度检测电路包括：温度传感器；温度‑电压检测模块，连接在SOC芯片和温度传感器之间，至少包括一个温度‑电压探针；温度‑电流检测模块，连接在SOC芯片和温度传感器之间，至少包括一个温度‑电流探针，温度‑电压探针和温度‑电流探针分布在SOC芯片的不同待测区域上，每个温度‑电压探针向温度传感器输入一组输入电压信号，每个温度‑电流探针向温度传感器输入一个输入电流信号，温度传感器根据输入电压信号或输入电流信号分别输出对应的温度编码信息。温度检测电路只设置一个温度传感器，通过在SOC芯片的不同待测区域设置不同工作模式的探针实现对芯片各点温度的精确探测。

Description

温度检测电路
技术领域
本发明涉及电子电力技术，特别涉及一种温度检测电路。
背景技术
信息时代越来越重视信息的快速准确地感测和采集，传感器处于感知和变换信号的最前端位置，作为信号采集的基础装置，直接影响着整个系统信号处理的性能。随着公众对公共安全、健康监测等诸多领域的关注，传感器在物联网、通信、信息安防等领域都发挥了重要的作用。
温度是最基本的物理量之一，也是生产生活及科学研究不可或缺的关键物理参数之一，因此温度传感检测，即感应温度信号并将其转换为电信号供后续电路进一步信号处理，在众多领域获得了广泛的应用，市场规模巨大。随着物联网技术的发展与普及，温度传感器逐渐集成于家用电器和便携式设备中，以采集信息实现智能化。
通常，一颗SOC(System-on-a-Chip)芯片上集成有多个模块，由于各部分的面积、功耗以及工作时序均不相同，导致芯片工作时SOC上每个位置的温度变化情况复杂。例如，高功耗的模块运行时，其附近区域的温度可以达到95℃；而低功耗模块运行时，其附近区域的温度可以保持在55℃。因此，采用传统单点测温的方式测得的温度与SOC真实温度情况不相符。为了准确获知SOC的真实温度，需要采用多点测温的方式。即在SOC上的多个位置各设置一个温度传感器，每个温度传感器仅采集一处的温度，从而实现多点测温，但这样的测试方式会导致温度传感器体积大，会增大SOC的面积和功耗，且制造成本高。
因此，现有的温度检测电路在使用温度传感器采集多点的温度时，存在成本高、功耗高、占用面积大等问题。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种温度检测电路，基于两种工作模式，能够利用一个传感器和多个探针对SOC芯片多点位置进行温度探测，以解决现有技术中的问题。
根据本发明提供一种温度检测电路，连接在SOC芯片上，以检测所述SOC芯片上各待测区域的温度，所述温度检测电路包括：
温度传感器；
温度-电压检测模块，连接在所述SOC芯片和所述温度传感器之间，所述温度-电压检测模块至少包括一个温度-电压探针；以及
温度-电流检测模块，连接在所述SOC芯片和所述温度传感器之间，所述温度-电流检测模块至少包括一个温度-电流探针，
其中，所述温度-电压探针和所述温度-电流探针分布在所述SOC芯片的不同待测区域上，每个所述温度-电压探针向所述温度传感器输入一组输入电压信号，每个所述温度-电流探针向所述温度传感器输入一个输入电流信号，所述温度传感器根据所述输入电压信号或所述输入电流信号分别输出对应的温度编码信息。
可选地，所述SOC芯片包括多个不同的待测区域，所述温度-电压检测模块包括多个温度-电压探针，所述温度-电流检测模块包括多个温度-电流探针，每个所述温度-电压探针和每个所述温度-电流探针均分别检测一个不同的所述待测区域的温度。
可选地，所述一组输入电压信号包括第一输入电压信号和第二输入电压信号，分别通过不同的传输线输入所述温度传感器中。
可选地，所述输入电压信号具有负温度系数，所述输入电流信号与绝对温度成正比。
可选地，所述温度传感器距离所述SOC芯片上的某一所述待测区域的距离小于第一距离时，采用温度-电压检测模块检测所述待测区域的温度；所述温度传感器距离所述SOC芯片上的某一所述待测区域的距离大于第一距离时，采用温度-电流检测模块检测所述待测区域的温度。
可选地，所述温度-电压探针包括：
第一电阻；
第一三极管，所述第一三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一三极管的基极与集电极连接，且接入第一电源信号，所述第一电阻的第二端输出第一输入电压信号；以及
第二三极管，所述第二三极管的基极与所述第一三极管的基极连接，所述第二三极管的集电极和所述第一三极管的集电极连接，所述第二三极管的基极与集电极连接，且接入所述第一电源信号，所述第二三极管的发射极输出第二输入电压信号。
可选地，所述温度-电流探针包括：
第二电阻；
第三三极管，所述第三三极管的发射极连接所述第二电阻的第一端，所述第三三极管的基极与集电极连接，且接入第一电源信号；
第四三极管，所述第四三极管的基极和所述第三三极管的基极连接，所述第四三极管的集电极和所述第三三极管的集电极连接，所述第四三极管的基极与集电极连接，且接入所述第一电源信号；
第一MOS管，所述第一MOS管的漏极连接所述第二电阻的第二端；
第二MOS管，所述第二MOS管的漏极连接所述第四三极管的发射极，所述第二MOS管的栅极连接所述第一MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极，且接入第二电源信号；
第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极，所述第三MOS管的源极连接所述第二MOS管的源极；以及
放大器，所述放大器的反向输入端连接所述第四三极管的发射极，所述放大器的正向输入端连接所述第二电阻的第二端，所述放大器的输出端连接所述第二MOS管的栅极，
所述第三MOS管的漏极输出第一输入电流信号。
可选地，所述温度传感器包括：
模拟-数字转换器；
温度-电压调制模块，连接在所述温度-电压探测模块和所述模拟-数字转换器之间，选通一组所述输入电压信号调制成第一待测电流，输入至所述模拟-数字转换器；
温度-电流调制模块，连接在所述温度-电流探测模块和所述模拟-数字转换器之间，选通一个所述输入电流信号调制成第二待测电流，输入至所述模拟-数字转换器；
时钟电路，连接在所述模拟-数字转换器上，向所述模拟-数字转换器提供时钟信号；以及
带隙基准电路，与所述温度-电流调制模块和所述模拟-数字转换器连接，向所述温度-电流调制模块输入偏置电压，向所述模拟-数字转换器提供参考电压和基准电流，
所述模拟-数字转换器根据所述第一待测电流或第二待测电流以及根据所述时钟信号、所述基准电流和所述参考电压输出对应的温度编码信息。
可选地，所述温度-电压调制模块包括：
电压开关电路，连接所述温度-电压检测模块，用于在多个所述温度-电压探针输入的多组输入电压信号之间选通一组所述输入电压信号输入所述温度传感器；以及
电压信号调制电路，与所述电压开关电路和所述模拟-数字转换器连接，用于将选通的一组所述输入电压信号调制为第一待测电流。
可选地，所述温度-电流调制模块包括：
漏电防护模块，包括多个漏电防护电路，分别与多个所述温度-电流探针连接，进行漏电检测；
电流开关电路，连接所述漏电防护模块，用于在多个所述温度-电流探针输入的多个输入电流信号之间选通一个所述输入电流信号输入所述温度传感器；以及
电流信号调制电路，与所述电流开关电路和所述模拟-数字转换器连接，用于将选通的一个所述输入电流信号调制为第二待测电流。
可选地，所述第一三极管至所述第四三极管为PNP型三极管，所述第一MOS管至所述第三MOS管为PMOS管。
本发明提供的温度检测电路仅包括一个温度传感器，由温度传感器引出多个探针，分别用于测试SOC芯片的不同待测区域的温度，且设置了温度-电压探针和温度-电流探针，采用两种不同的模式检测SOC芯片的温度。由小体积的探针探测多点温度，减小了温度检测电路的占用面积，而通过不同的探针进行温度采集提高了温度探测的精度，也降低了功耗。
进一步地，温度-电压探针无需额外提供供电模块，节省了面积和功耗，适用于近距离探测；温度-电流探针灵敏度高、抗干扰能力强，工作稳定，传出过程中电流稳定，适用于远距离探测。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚。
图1示出根据本发明实施例的SOC芯片的示意性框图。
图2示出根据本发明实施例的温度检测电路中温度传感器与探针之间的连接示意图。
图3示出根据本发明实施例的温度检测电路中温度-电压探针的电路示意图。
图4示出根据本发明实施例的温度检测电路中温度-电流探针的电路示意图。
图5示出根据本发明实施例的温度检测电路的示意性框图。
图6示出根据本发明实施例的温度检测电路的电路示意图。
具体实施方式
以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。
应当理解，当称元件“耦接到”或“连接到”另一元件时，它可以是直接耦接或连接到另一元件或者可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的、或者其结合。相反，当称元件“直接耦接到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
图1示出根据本发明实施例的SOC芯片的示意性框图。
如图1所示，SOC芯片包括多个待测区域，每个区域是不同的电路模块，执行不同的工作任务，每个待测区域的温度都需要被检测，从而实现多点检测。本实施例中，采用一个温度传感器100检测SOC芯片10的多点的温度。如图1，SOC芯片10包括6个待测区域，第一待测区域101、第二待测区域102、第三待测区域103、第四待测区域104、第五待测区域105和第六待测区域106。
而放置在SOC芯片10上的温度传感器100连接有6个探针，分别用于探测6个待测区域的温度，6个探针分别为温度-电压探针1、温度-电压探针2、温度-电压探针3、温度-电流探针1、温度-电流探针2、温度-电流探针3。其中温度-电压探针通过2条线连接至温度传感器100，基于电压信号探测温度。温度-电流探针通过1条线连接至温度传感器100，基于电流信号探测温度。具体地，温度-电压探针1传输第一输入电压信号11和第二输入电压信号12至温度传感器100；温度-电压探针2传输第一输入电压信号21和第二输入电压信号22至温度传感器100；温度-电压探针3传输第一输入电压信号31和第二输入电压信号32至温度传感器100。温度-电流探针1传输输入电流信号1至温度传感器100；温度-电流探针2传输输入电流信号2至温度传感器100；温度-电流探针3传输输入电流信号3至温度传感器100。基于温度-电压探测模式的探针无需额外的供电模块，能够节省面积和功耗。基于温度-电流探测模式的探针灵敏度高、抗干扰能力强，工作稳定。
由于远距离走线的寄生电阻较大，电压传输时会产生压降增大误差，而电流传输时可以保持不变，因此温度-电压探测模式适用于近距离探测，温度-电流探测模式适用于远距离探测。两种温度探测模式的集成既保证了探测精度，又兼顾了成本。实际应用中，可以设置一个第一距离，温度传感器100距离SOC芯片10上的某一待测区域的距离小于第一距离时，采用温度-电压检测模块检测待测区域的温度；温度传感器100距离SOC芯片10上的某一待测区域的距离大于第一距离时，采用温度-电流检测模块检测待测区域的温度。图1中，第一待测区域101至第三待测区域103与温度传感器100的距离较近，采用温度-电压探针探测温度，而第四待测区域104至第六待测区域106与温度传感器100的距离较远，采用温度-电流探针探测温度。
图2示出根据本发明实施例的温度检测电路中温度传感器与探针之间的连接示意图。
如图2所示，本实施例的温度检测电路包括温度传感器100、温度-电压检测模块200和温度-电流检测模块300。温度-电压检测模块200包括多个温度-电压探针，温度-电流检测模块300包括多个温度-电流探针，每个温度-电压探针和每个温度-电流探针均分别检测一个不同的待测区域的温度。
图2中，温度-电压检测模块200包括3个温度-电压探针，分别为温度-电压探针201、温度-电压探针202和温度-电压探针203，三个探针均分别相同。温度-电流检测模块300包括3个温度-电流探针，分别为温度-电流探针301、温度-电流探针302和温度-电流探针303，三个探针也全部相同。因此，本实施例示出了6个不同的探针，分别用于测试SOC芯片10上6个不同待测区域的温度。每个温度-电压探针向温度传感器100输入一组输入电压信号，每个温度-电流探针向温度传感器100输入一个输入电流信号，温度传感器100根据输入电压信号或输入电流信号分别输出对应的温度编码信息，从而得到每个待测区域的温度。
一个温度-电压探针(201，202或203)采集到的一组输入电压信号包括第一输入电压信号和第二输入电压信号，分别通过不同的传输线输入温度传感器100中。一个温度-电流探针(301，302或303)采集到的一个输入电流信号通过一条传输线输入温度传感器100中。输入电压信号具有负温度系数，输入电流信号与绝对温度成正比。
图3示出根据本发明实施例的温度检测电路中温度-电压探针的电路示意图。
因为每个温度-电压探针相同，本实施例中以温度-电压探针201为例。如图3所示，温度-电压探针201包括：两个三极管Q1、Q2和一个第一电阻R1。第一三极管Q1的发射极与第一电阻R1的第一端连接，第一电阻R1的第二端输出第一输入电压信号VBR；第二三极管Q2的基极与第一三极管Q1的基极连接，第二三极管Q2的集电极和第一三极管Q1的集电极连接，第二三极管Q2的基极、集电极、第一三极管Q1的基极和集电极四者连接，且均接入第一电源信号Vss。第二三极管Q2的发射极输出第二输入电压信号VBE。第一输入电压信号VBR和第二输入电压信号VBE具有负温度系数特性，且二者均输入温度传感器100中。第一三极管Q1和第二三极管Q2例如均为PNP型三极管。
图4示出根据本发明实施例的温度检测电路中温度-电流探针的电路示意图。
由于每个温度-电流探针相同，本实施例中以温度-电流探针301为例。如图4所示，温度-电流探针301包括：两个三极管Q3和Q4，一个第二电阻R2，一个运算放大器OP以及3个PMOS管MP1、MP2和MP3。第三三极管Q3的发射极连接第二电阻R2的第一端；第四三极管Q4的基极和第三三极管Q3的基极连接，第四三极管Q4的集电极和第三三极管Q3的集电极连接；第三三极管Q3的基极、集电极、第四三极管Q4的基极和集电极四者连接，且均接入第一电源信号Vss。第一MOS管MP1的漏极连接第二电阻R2的第二端；第二MOS管MP2的漏极连接第四三极管Q4的发射极，第二MOS管MP2的栅极连接第一MOS管MP1的栅极，第二MOS管MP2的源极连接第一MOS管MP1的源极；第三MOS管MP3的栅极连接第二MOS管MP2的栅极，第三MOS管MP3的源极连接第二MOS管MP2的源极；第一MOS管的源极、第二MOS管的源极以及第三MOS管的源极均连接在一起，且接入第二电源电压VDD。运算放大器OP的反向输入端连接第四三极管Q4的发射极，正向输入端连接第二电阻R2的第二端，放大器OP的输出端连接第二MOS管MP2的栅极，第三MOS管MP3的漏极输出第一输入电流信号ID。第一MOS管MP1至第三MOS管MP3例如均为PMOS管。第一输入电流信号ID与绝对温度成正比，输入至温度传感器100。
图5示出根据本发明实施例的温度检测电路的示意性框图。
如图5所示，本实施例的温度检测电路20连接在SOC芯片10上，以检测SOC芯片10上各待测区域的温度，温度检测电路20包括：温度传感器100、温度-电压检测模块200和温度-电流检测模块300。温度-电压检测模块200包括至少一个温度-电压探针，温度-电流检测模块300包括至少一个温度-电流探针，每个温度-电压探针和每个温度-电流探针分别检测一个不同的待测区域的温度。
温度-电压检测模块200连接在SOC芯片10和温度传感器100之间，温度-电流检测模块300连接在SOC芯片10和温度传感器100之间，温度-电压探针和温度-电流探针分布在SOC芯片10的不同待测区域上，每个温度-电压探针向温度传感器100输入一组输入电压信号(第一输入电压信号VBR和第二输入电压信号VBE)，每个温度-电流探针向温度传感器100输入一个输入电流信号ID，温度传感器100根据输入电压信号或输入电流信号分别输出对应的温度编码信息。即，温度传感器100接收输入电压信号输出对应的温度编码信息，或者温度传感器100接收输入电流信号输出对应的温度编码信息，温度传感器100每次只能输出一个待测区域对应的温度信息。
进一步地，温度传感器100包括温度-电压调制模块110、温度-电流调制模块120、带隙基准电路150、时钟电路140以及模拟-数字转换器130。温度-电压调制模块110连接在温度-电压探测模块200和模拟-数字转换器130之间，选通多组中的一组输入电压信号(第一输入电压信号VBR和第二输入电压信号VBE)调制成第一待测电流Im，输入至模拟-数字转换器130；温度-电流调制模块120连接在温度-电流探测模块300和模拟-数字转换器130之间，选通多个中的一个输入电流信号ID调制成第二待测电流IC，输入至模拟-数字转换器130；时钟电路140连接在模拟-数字转换器130上，向模拟-数字转换器130提供时钟信号CLK；带隙基准电路150与温度-电流调制模块120和模拟-数字转换器130连接，向温度-电流调制模块120输入偏置电压Vbias，向模拟-数字转换器130提供参考电压Vref和基准电流IB。
模拟-数字转换器130根据第一待测电流Im以及时钟信号CLK、基准电流IB和参考电压Vref输出对应的温度编码信息T0；或者，模拟-数字转换器130根据第二待测电流IC以及时钟信号CLK、基准电流IB和参考电压Vref输出对应的温度编码信息T0。从而实现通过多个不同的探针实现SOC芯片10的多点温度探测。探针所占的面积小，且只使用一个温度传感器100，因此该温度探测电路20能节省较大的占用空间，节约功耗。且可以根据不同的待测区域选择不同类型的探针，从而实现不同的探测模式，利用了两种探测模式的优点，节约成本，降低功耗。
图6示出根据本发明实施例的温度检测电路的电路示意图。
结合图5和图6，温度-电压调制模块110包括：电压开关电路111和电压信号调制电路112，电压开关电路111连接温度-电压检测模块200，用于在多个温度-电压探针输入的多组输入电压信号之间选通一组输入电压信号输入温度传感器100；电压信号调制电路112与电压开关电路111和模拟-数字转换器130连接，用于将选通的一组输入电压信号调制为第一待测电流Im。
温度-电流调制模块120包括：漏电防护模块121、电流开关电路122和电流信号调制电路123。漏电防护模块121包括多个漏电防护电路(漏电防护电路1、漏电防护电路2和漏电防护电路3)，分别与多个温度-电流探针连接，避免了在电流开关断开的情况下，有漏电流进入电流信号调制电路123；电流开关电路122连接漏电防护模块121，用于在多个温度-电流探针输入的多个输入电流信号之间选通一个输入电流信号输入温度传感器100；电流信号调制电路123与电流开关电路122和模拟-数字转换器130连接，用于将选通的一个输入电流信号调制为第二待测电流IC。
如图6所示，三个温度-电流探针301-303产生三个输入电流信号ID1、ID2、ID3分别进入对应的3个漏电防护电路，经过多次镜像后再由电流开关电路122进行选择通过，电流开关电路122包括三个开关S1、S2和S3，哪一路开关闭合就选通对应的一路输入电流信号，有效避免了多路电流直接选通时容易发生漏电，导致探测结果不准确的现象。电流开关电路122每次只能选通一路输入电流信号(将选通的输入电流信号成为IS)进入电流信号调制电路123。电流IS被调制后改变了其温度特性以及电流大小，生成第二待测电流IC，输入至模拟-数字转换器130。
三个温度-电压探针201-203产生的三组输入电压信号VBR1、VBE1；VBR2、VBE2和VBR3、VBE3，由电压开关电路111进行选择通过。电压开关电路111包括三组开关(开关组S11、开关组S22和开关组S33、哪一组开关组闭合，对应选通一组输入电压信号)每次只能选通一组电压信号(最后选通的一组输入电压信号称为VSR和VSE)进入电压信号调制电路112。电压信号调制电路112对VSR和VSE进行钳位，然后调制成与温度相关的第一待测电流Im，输入至模拟-数字转换器130进行测量。
带隙基准电路150为电流信号调制电路123提供偏置电压Vbias，为模拟-数字转换器130提供参考电压Vref和与温度无关的基准电流IB。时钟电路140为模拟-数字转换器130提供电路工作所需的同步时钟CLK。最后，通过模拟-数字转换器130输出温度编码信息T0完成温度探测，输出的温度编码信息T0为数字信号。
综上，本发明提供的温度检测电路基于两种探针工作模式，利用探针对SOC芯片多点位置实现温度探测的方案不仅能够准确地探测SOC芯片的温度，并且具有精度高、面积小、功耗低等优点。另外，随着工艺的发展，SOC芯片上集成的数字电路不断增加，在多个位置放置整个由模拟电路构造的温度传感器会产生兼容性的问题。而采用探针的方法代替整个传感器对温度进行感应，保证了SOC芯片的兼容性。
本发明提供的温度检测电路仅包括一个温度传感器，由温度传感器引出多个探针，分别用于测试SOC芯片的不同待测区域的温度，且设置了温度-电压探针和温度-电流探针，采用两种不同的模式检测SOC芯片的温度。由小体积的探针探测多点温度，减小了温度检测电路的占用面积，而通过不同的探针进行温度采集提高了温度探测的精度，也降低了功耗。
最后应说明的是：依照本发明的实施例如上文所述，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。本说明书选取并具体描述本实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (9)

1.一种温度检测电路，连接在SOC芯片上，以检测所述SOC芯片上各待测区域的温度，所述温度检测电路包括：
温度传感器；
温度-电压检测模块，连接在所述SOC芯片和所述温度传感器之间，所述温度-电压检测模块至少包括一个温度-电压探针；以及
温度-电流检测模块，连接在所述SOC芯片和所述温度传感器之间，所述温度-电流检测模块至少包括一个温度-电流探针，
其中，所述温度-电压探针和所述温度-电流探针分布在所述SOC芯片的不同待测区域上，每个所述温度-电压探针向所述温度传感器输入一组输入电压信号，每个所述温度-电流探针向所述温度传感器输入一个输入电流信号，所述温度传感器根据所述输入电压信号或所述输入电流信号分别输出对应的温度编码信息，
其中，所述温度传感器距离所述SOC芯片上的某一所述待测区域的距离小于第一距离时，采用温度-电压检测模块检测所述待测区域的温度；所述温度传感器距离所述SOC芯片上的某一所述待测区域的距离大于第一距离时，采用温度-电流检测模块检测所述待测区域的温度，
且所述温度-电压探针包括：基极和集电极分别相连的第一三极管和第二三极管，且所述第一三极管和所述第二三极管各自的基极和集电极均相互连接，所述第一三极管的发射极连接第一电阻的第一端，所述温度传感器接收所述第一三极管的发射极和所述第二三极管的发射极输出的一组输入电压信号；
所述温度-电流探针包括：基极和集电极分别相连的第三三极管和第四三极管，源极和栅极分别相连的第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，且所述第三三极管和所述第四三极管各自的基极和集电极均相互连接并接入第一电源信号，所述第三三极管的发射极连接第二电阻的第一端；所述第一MOS管至所述第三MOS管的源极均接入第二电源信号，所述第一MOS管的漏极连接所述第二电阻的第二端，所述第二MOS管的漏极连接所述第四三极管的发射极；所述温度-电流探针还包括放大器，所述放大器的反向输入端连接所述第四三极管的发射极，所述放大器的正向输入端连接所述第二电阻的第二端，所述放大器的输出端连接所述第二MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极输出所述输入电流信号。
2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述SOC芯片包括多个不同的待测区域，所述温度-电压检测模块包括多个温度-电压探针，所述温度-电流检测模块包括多个温度-电流探针，每个所述温度-电压探针和每个所述温度-电流探针均分别检测一个不同的所述待测区域的温度。
3.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述一组输入电压信号包括第一输入电压信号和第二输入电压信号，分别通过不同的传输线输入所述温度传感器中。
4.根据权利要求1所述的温度检测电路，其中，所述输入电压信号具有负温度系数，所述输入电流信号与绝对温度成正比。
5.根据权利要求3所述的温度检测电路，其中，所述第一三极管和所述第二三极管各自的基极与集电极均接入第一电源信号，所述第一电阻的第二端输出所述第一输入电压信号，所述第二三极管的发射极输出所述第二输入电压信号。
6.根据权利要求5所述的温度检测电路，其中，所述温度传感器包括：
模拟-数字转换器；
温度-电压调制模块，连接在所述温度-电压探测模块和所述模拟-数字转换器之间，选通一组所述输入电压信号调制成第一待测电流，输入至所述模拟-数字转换器；
温度-电流调制模块，连接在所述温度-电流探测模块和所述模拟-数字转换器之间，选通一个所述输入电流信号调制成第二待测电流，输入至所述模拟-数字转换器；
时钟电路，连接在所述模拟-数字转换器上，向所述模拟-数字转换器提供时钟信号；以及
带隙基准电路，与所述温度-电流调制模块和所述模拟-数字转换器连接，向所述温度-电流调制模块输入偏置电压，向所述模拟-数字转换器提供参考电压和基准电流，
所述模拟-数字转换器根据所述第一待测电流或第二待测电流以及根据所述时钟信号、所述基准电流和所述参考电压输出对应的温度编码信息。
7.根据权利要求6所述的温度检测电路，其中，所述温度-电压调制模块包括：
电压开关电路，连接所述温度-电压检测模块，用于在多个所述温度-电压探针输入的多组输入电压信号之间选通一组所述输入电压信号输入所述温度传感器；以及
电压信号调制电路，与所述电压开关电路和所述模拟-数字转换器连接，用于将选通的一组所述输入电压信号调制为第一待测电流。
8.根据权利要求6所述的温度检测电路，其中，所述温度-电流调制模块包括：
漏电防护模块，包括多个漏电防护电路，分别与多个所述温度-电流探针连接，进行漏电检测；
电流开关电路，连接所述漏电防护模块，用于在多个所述温度-电流探针输入的多个输入电流信号之间选通一个所述输入电流信号输入所述温度传感器；以及
电流信号调制电路，与所述电流开关电路和所述模拟-数字转换器连接，用于将选通的一个所述输入电流信号调制为第二待测电流。
9.根据权利要求5所述的温度检测电路，其中，所述第一三极管至所述第四三极管为PNP型三极管，所述第一MOS管至所述第三MOS管为PMOS管。
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