CN113496786A - 一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末 - Google Patents
一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113496786A CN113496786A CN202110770080.9A CN202110770080A CN113496786A CN 113496786 A CN113496786 A CN 113496786A CN 202110770080 A CN202110770080 A CN 202110770080A CN 113496786 A CN113496786 A CN 113496786A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- powder
- oxide
- copper
- metal
- glassy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 87
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 55
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 33
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims abstract description 11
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 10
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 5
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 5
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 abstract 1
- -1 and in addition Substances 0.000 abstract 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract 1
- 239000004482 other powder Substances 0.000 abstract 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000005441 electronic device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末，属于金属材料领域。主要成分为金属铜粉末，此外还加入了金属锡、金属铟、聚乙烯吡咯烷酮、氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝等粉末，具有抗氧化作用，可在大气环境中进行激光烧结、熔化和熔覆，而不需要惰性或真空环境，得到导电线路的体积电阻率10‑5Ω.cm数量级；而且制备的导电线路与基材有好的结合强度。在塑料基材上，结合强度可以达到可达到美国测试与材料学会(ASTM)标准D3359‑08中的方法B‑胶带法的最高标准5B级别；在氧化铝陶瓷基材上，结合强度经拉力实验法测试，可以达到40MPa以上。
Description
技术领域
本发明属于金属材料领域，更具体地，涉及一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末。
背景技术
众所周知，导电线路是实现各种电子元器件、光电器件等互联互通必不可少的组成部分，由其构成的各种电力、电子、电器、光电产品等遍布于人们的日常生活和国家的国防事业的方方面面。传统的导电线路制造技术，有基于平面的层压(或溅射)-光刻-蚀刻、激光直接刻蚀的减法技术，也有基于丝网印刷-干燥烧结和喷墨打印-干燥烧结的加成法(增材)制造技术。相关的参考文献包括ITRS lithography roadmap：status andchallenges.Advanced Optical Technologies(2012，1：217-222)、Printing onPolymers：Fundamentals and Applications，William Andrew Publishing，Chadds Ford，USA(2016，pp.247-261)、A review of printed passive electronic componentsthrough fully additive manufacturing methods.Virtual and Physical Protyping(2016，11(4)：271-288)等。这些技术不适合或难以实现三维(3D)导电线路的制造。
近年来，随着电子工业的快速发展和各种介质材料的广泛应用，在各种介质材料表面实现局域选择性金属化的技术和功能材料在电子器件的制作、修复和封装等领域吸引了越来越多的关注。随着电子电器产品持续向数字化、轻量化、小批量、柔性化、多功能化、智能化、高可靠性、低能耗等方向的发展，进一步促进了在各种介质材料表面制作和修复导电线路技术及相关功能材料的快速进步。
利用同步送粉技术制造导电线路，是首先沿着线路轨迹在介质材料表面输送并覆盖一层金属功能材料粉末，与此同时，利用聚焦的激光束对这些区域的金属功能材料粉末进行烧结和熔化，使金属功能材料粉末转化为导电线路，并嵌入到介质材料内部，使导电线路与介质材料表面进行稳固结合，从而保证导电线路的可靠性。这种制造技术具有工艺步骤简单、成本低廉、柔性化程度高、精度高，容易实现三维布线等优点。
用于制作导电线路的金属通常有铜、银、金、镍、锡、铝，其中金和银属于贵金属，大量使用将使成本高昂，而金属铜的导电性在所有金属中仅次于金属银，所以金属铜是应用最为广泛的导电线路金属材料，常以铜箔、铜丝、铜带、铜靶材、铜粉末等通过层压、粘接、溅射、形成浆料的技术制作铜导电线路。
在利用同步送粉技术制作导电线路的技术中，由于采用的是金属功能粉末，在大气环境中，金属铜在高温条件下，极易氧化，从而降低导电性或彻底失去导电性。因此对于金属铜粉末的烧结，为了防止氧化，通常需要在高纯氮气或氩气等惰性气体中烧结，造成成本增加。
发明内容
针对相关技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末，旨在解决现有用于同步送粉技术制作导电线路的铜粉易氧化、烧结所耗成本较高的问题。
为实现上述目的，本发明提供了一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末，包括铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末；其中，
铜粉的含量≥wt.90％；
抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末的含量之和≤wt.10％。
进一步地，所述抗氧化成分粉末包括锡粉、铟粉和聚乙烯吡咯烷酮粉末。
进一步地，所述锡粉、铟粉和聚乙烯吡咯烷酮粉末的含量分别为0.1～3wt.％。
进一步地，所述玻璃态氧化物粉末包括氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝和氧化铋。
进一步地，所述氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝和氧化铋的含量分别为1～2wt.％。
进一步地，所述铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末的粒径均为1～10μm。
进一步地，所述含铜粉末是由铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末经搅拌、球磨和过筛得到的均匀混合物。
通过本发明所构思的以上技术方案，与现有技术相比，本发明提出的功能性含铜粉末材料可用于自动送粉技术制作导电线路的耗材，具有抗氧化作用，可在大气环境中进行激光烧结、熔化和熔覆，而不需要惰性或真空环境，得到导电线路的体积电阻率在10-5Ω.cm数量级；而且制备的导电线路与基材有良好的结合强度。
附图说明
图1是利用本发明的功能性含铜粉末材料在96％氧化铝陶瓷基材上制备的导电线路样品照片。
图2为利用本发明的功能性含铜粉末材料在聚碳酸酯+玻纤基材上制备的导电线路样品，胶带百格法测试前后的照片。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
本发明提供了一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末，包括铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末；其中，
铜粉的含量≥wt.90％；
抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末的含量之和≤wt.10％。
进一步地，所述抗氧化成分粉末包括锡粉、铟粉和聚乙烯吡咯烷酮粉末。其中，金属锡粉末和金属铟粉末因为比铜更容易氧化，起抗氧化作用，但氧化后得到氧化锡或氧化铟属于导体或半导体材料，而氧化锡铟属于导体材料；聚乙烯吡咯烷酮具有一定的还原作用，可以起到铜氧化后对生成的氧化铜或氧化亚铜的还原作用。
进一步地，所述锡粉、铟粉和聚乙烯吡咯烷酮粉末的含量分别为0.1～3wt.％。
进一步地，所述玻璃态氧化物粉末包括氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝和氧化铋。其中，氧化硅是形成稳定玻璃的关键成分，氧化铝用于增加化学稳定性和耐酸性，氧化硼用于降低玻璃的熔点、抑制膨胀系数和增加流动性，氧化锌用于减低软化点、增加流动性和调节热膨胀系数，氧化铋用于减低软化点、增加流动性、调节热膨胀系数和增加玻璃态的比重；氧化钙用于提高玻璃态的化学稳定性、抑制碱金属杂质的迁移，氧化锆用于提高玻璃态的化学稳定性和降低热膨胀系数。
进一步地，所述氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝和氧化铋的含量分别为1～2wt.％。
进一步地，所述铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末的粒径均为1～10μm。
进一步地，所述含铜粉末是由铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末经搅拌、球磨和过筛得到的均匀混合物。
总体而言，本发明提出了一种用于同步送粉技术制作导电线路的功能性含铜粉末材料，该功能性粉末材料主要成分为金属铜粉末，为防止其在空气中高温烧结或激光烧结、熔覆过程中发生氧化，其中还加入了金属锡、金属铟和聚乙烯吡咯烷酮粉末；为了是使烧结、熔覆后的导电线路更致密，且与基材的结合强度高，还在其中加入了含有氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝等玻璃态氧化物粉末。
下面结合两个优选实施例，对上述实施例中涉及的内容进行说明。
实施例1
一种用于同步送粉技术制作导电线路的功能性含铜粉末材料，其中含有粒径为1～10μm的金属铜粉末90wt.％，含有粒径为1～10μm金属锡粉末1.1wt.％，金属铟粉末0.1wt.％，聚乙烯吡咯烷酮粉末1wt.％，含有粒径为1～10μm的氧化锆1.0wt.％、氧化硅1.4wt.％、氧化硼1.1wt.％、氧化锌1.0wt.％、氧化钙1.08wt.％、氧化铝1.02wt.％、氧化铋1.2wt.％，将其混合后，经充分的搅拌、球磨、过筛等得到均匀混合物。该功能性含铜粉末材料仅用于同步送粉技术制作导电线路。
实施例2
一种用于同步送粉技术制作导电线路的功能性含铜粉末材料，其中含有粒径为1～10μm的金属铜粉末91wt.％，含有粒径为1～10μm金属锡粉末0.4wt.％，金属铟粉末0.1wt.％，聚乙烯吡咯烷酮粉末0.5wt.％，含有粒径为1～10μm的氧化锆1.03wt.％、氧化硅1.2wt.％、氧化硼1.06wt.％、氧化锌1.02wt.％、氧化钙1.08wt.％、氧化铝1.1wt.％、氧化铋1.51wt.％，将其混合后，经充分的搅拌、球磨、过筛得到。该功能性含铜粉末材料仅用于同步送粉技术制作导电线路。
本发明提出的功能性含铜粉末材料可用于自动送粉技术制作导电线路的耗材，具有抗氧化作用，可在大气环境中进行激光烧结、熔化和熔覆，而不需要惰性或真空环境，得到导电线路的体积电阻率在10-5Ω.cm数量级；而且制备的导电线路与基材有良好的结合强度。本发明实施例的测试结果如图1-2所示。经试验，在塑料基材上，结合强度可以达到可达到美国测试与材料学会(ASTM)标准D3359-08中的方法B-胶带法的最高标准5B级别；在氧化铝陶瓷基材上，结合强度经拉力实验法测试，可以达到40MPa以上。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末，其特征在于，包括铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末；其中，
铜粉的含量≥wt.90％；
抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末的含量之和≤wt.10％。
2.如权利要求1所述的含铜粉末，其特征在于，所述抗氧化成分粉末包括锡粉、铟粉和聚乙烯吡咯烷酮粉末。
3.如权利要求2所述的含铜粉末，其特征在于，所述锡粉、铟粉和聚乙烯吡咯烷酮粉末的含量分别为0.1～3wt.％。
4.如权利要求1所述的含铜粉末，其特征在于，所述玻璃态氧化物粉末包括氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝和氧化铋。
5.如权利要求1所述的含铜粉末，其特征在于，所述氧化锆、氧化硅、氧化硼、氧化锌、氧化钙、氧化铝和氧化铋的含量分别为1～2wt.％。
6.如权利要求1-5任一项所述的含铜粉末，其特征在于，所述铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末的粒径均为1～10μm。
7.如权利要求6所述的含铜粉末，其特征在于，所述含铜粉末是由铜粉、抗氧化成分粉末和玻璃态氧化物粉末经搅拌、球磨和过筛得到的均匀混合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110770080.9A CN113496786A (zh) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110770080.9A CN113496786A (zh) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113496786A true CN113496786A (zh) | 2021-10-12 |
Family
ID=77996261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110770080.9A Pending CN113496786A (zh) | 2021-07-07 | 2021-07-07 | 一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113496786A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116168874A (zh) * | 2023-02-09 | 2023-05-26 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种高导电率的太阳能电池导体浆料及其制备工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3275572A1 (en) * | 2015-03-26 | 2018-01-31 | Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd. | Copper powder and conductive composition containing same |
| CN110692109A (zh) * | 2017-04-28 | 2020-01-14 | 住友金属矿山株式会社 | 导电性组合物、导体的制造方法以及电子部件的布线的形成方法 |
-
2021
- 2021-07-07 CN CN202110770080.9A patent/CN113496786A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3275572A1 (en) * | 2015-03-26 | 2018-01-31 | Mitsui Mining and Smelting Co., Ltd. | Copper powder and conductive composition containing same |
| CN110692109A (zh) * | 2017-04-28 | 2020-01-14 | 住友金属矿山株式会社 | 导电性组合物、导体的制造方法以及电子部件的布线的形成方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 程萍等: ""含金属锡铟的导电银厚膜的抗氧化机理研究"", 《化学研究》 * |
| 辛智青等: "《印刷制造原理与技术》", 31 July 2019, 文化发展出版社 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116168874A (zh) * | 2023-02-09 | 2023-05-26 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种高导电率的太阳能电池导体浆料及其制备工艺 |
| CN116168874B (zh) * | 2023-02-09 | 2024-05-28 | 一道新能源科技股份有限公司 | 一种高导电率的太阳能电池导体浆料及其制备工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102365733B (zh) | 制造金属化基板的方法、金属化基板 | |
| JPS6028296A (ja) | セラミツク多層配線回路板 | |
| JP2016189474A (ja) | 配線パターンを形成するための組成物 | |
| WO2017133362A1 (zh) | 高导通透明玻璃基电路板 | |
| JPWO2006109573A1 (ja) | 導電性フィラー、及びはんだ材料 | |
| JPWO2005015573A1 (ja) | 導電性ペースト | |
| WO2018225809A1 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPWO2006080247A1 (ja) | 導電性ペースト | |
| JP3528037B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
| JP5844299B2 (ja) | 接合材、接合構造体 | |
| US4659404A (en) | Method of making low thermal expansivity and high thermal conductivity substrate | |
| CN113496786A (zh) | 一种用于同步送粉技术制作导电线路的含铜粉末 | |
| JP2011144077A (ja) | 高導電性ペースト組成物 | |
| CN104934095A (zh) | 一种印刷电路板导电银浆及其制备方法 | |
| Liu et al. | The silver paste containing ZnO-B2O3-SiO2 glass sintered at high temperature with low solid content formed high performance conductive thick film on MgTiO3 microwave ceramics | |
| JP2730794B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト | |
| JP4615987B2 (ja) | 金属ペースト及びそれを用いた導電膜の製造方法 | |
| JP5941006B2 (ja) | 接合材、接合構造体およびその製造方法、並びに半導体モジュール | |
| JPH06334351A (ja) | 導体ペーストおよびそれを用いたセラミック多層配線基板 | |
| JP6677231B2 (ja) | 電子部品の接合方法および接合体の製造方法 | |
| JPH01206508A (ja) | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト | |
| CN113913133B (zh) | 一种导电热固性树脂组合物的应用 | |
| CN104934096A (zh) | 一种环保电路板导电银浆及其制备方法 | |
| USRE32942E (en) | Low thermal expansivity and high thermal conductivity substrate | |
| WO2024219382A1 (ja) | 低温焼結性接合用材料および接合構造体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211012 |